Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами

Диссертация: Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная и практическая значимость работы. Научная ценность работы состоит в том, что в ней систематически изучены картины дифракции электронов, неупруго отраженных от ряда монокристаллов. Проанализирована динамика изменения картин с энергиейвыявлен механизм их формирования при энергиях 1−2 кэВ и показана ключевая роль в нем эффекта фокусировки электроновустановлены основные закономерности самого… Читать ещё >

Визуализация кристаллической структуры поверхности отраженными электронами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • страница
  • Глава I. ДИФРАКЦИЯ ЭЛЕКТРОНОВ И СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ ПОВЕРХНОСТИ КРИСТАЛЛОВ (ОБЗОР)
    • 1. Л Особенности картин дифракции электронов в диапазоне низких и средних энергий
      • 1. 2. Принцип взаимности и ориентационная зависимость эмиссии электронов из монокристаллов
      • 1. 3. Теоретическое описание дифракционных эффектов
      • 1. 4. Дифракция рентгеновских фото- и оже-электронов
      • 1. 5. Выводы и постановка задачи исследования
  • Глава II. МЕТОДЫ РЕГИСТРАЦИИ ДИФРАКЦИОННЫХ КАРТИН И ОБРАБОТКИ ИЗОБРАЖЕНИЙ
    • 2. 1. Экспериментальная установка для прецизионного измерения полных дифракционных картин
      • 2. 1. 1. Система автоматической регистрации и визуализации пространственных распределений электронов
      • 2. 1. 2. Методика проведения исследований
    • 2. 2. Прибор для регистрации дифракционных картин в режиме реального времени
      • 2. 2. 1. Электронограф с микроканальным усилителем яркости изображения
      • 2. 2. 2. Компьютерная обработка изображений
  • Глава III. МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ КАРТИН И ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МЕТОДА ВИЗУАЛИЗАЦИИ
    • 3. 1. Динамика изменения картин с энергией электронов
    • 3. 2. Особенности картин дифракции квазиупруго рассеянных электронов при энергии 2 кэВ
    • 3. 3. Фокусировка отраженных электронов вдоль межатомных направлений и визуализация кристаллического строения поверхности
    • 3. 4. Закономерности фокусировки электронов средней энергии в кристаллах
    • 3. 5. Выводы
  • Глава IV. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФРАКЦИОННЫХ КАРТИН
    • 4. 1. Кластерная модель однократного рассеяния
    • 4. 2. Внутренние параметры модели и оптимизация размеров кластера
    • 4. 3. Сопоставление результатов модельных расчетов с экспериментом
    • 4. 4. Механизм формирования Кикучи-полос
    • 4. 5. Структурный анализ поверхности высокотемпературных сверхпроводников
    • 4. 6. Выводы
  • Глава V. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ СТРОЕНИЯ УЛЬТРАТОНКИХ ПЛЕНОК В СИСТЕМАХ С РЕЗКОЙ МЕЖФАЗОВОЙ ГРАНИЦЕЙ
    • 5. 1. Рост пленок серебра на поверхности Мо (110)
    • 5. 2. Пленки серебра ла поверхности Si (111)-(7×7)
    • 5. 3. Система Ag/Si (100)-(2xl)
    • 5. 4. Адсорбция фуллеренов ш. поверхности Мо (110)
    • 5. 5. Система C60/Si (l 11)-(7×7)
    • 5. 6. Выводы
  • Глава VI. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СТРОЕНИЯ РЕАКЦИОННО-СПОСОБНЫХ МЕЖФАЗОВЫХ ГРАНИЦ
    • 6. 1. Реактивная эпитаксия дисилицида кобальта на поверхности
  • Si (lll)-(7×7)
    • 6. 2. Твердофазная эпитаксия дисилицида кобальта на кремнии
    • 6. 3. Интеркаляционно-стимулированная перестройка поверхности VSe2(0001)
    • 6. 4. Интеркаляция и деинтеркаляция TiS2 калием

Актуальность темы

исследования. Изучение поверхности твердого тела является одним из тех направлений современной фундаментальной науки, развитие которых влияет на весь ход технического прогресса. Решающую роль в этих исследованиях играют методы структурного анализа поверхности. К настоящему времени создан целый арсенал таких средств. Например, уже на протяжении многих лет успешно используются методы дифракции медленных и быстрых электронов. Они позволили, в частности, обнаружить явление реконструкции поверхности кристаллов и автоматизировать процесс молекулярно-лучевой эпитаксии. В последние десять-пятнадцать лет появились и стали повсеместно использоваться сканирующая туннельная и атомно-силовая микроскопии, которые визуализируют поверхность образца с атомным разрешением. Широкое применение в научных и прикладных исследованиях находят также дифракция ожеи фотоэлектронов, дифракция рентгеновских лучей при скользящем падении, полевая ионная микроскопия, электронная микроскопия высокого разрешения, анализ протяженной тонкой структуры поглощения рентгеновского и синхротронного излучений, спектроскопия потерь энергии электронов высокого разрешения и другие методы.

Однако, несмотря на все богатство и разнообразие существующих средств, структурный анализ поверхности ряда важных объектов остается непростой задачей. Как правило, используемые методы сложны в реализации, либо в интерпретации эксперимента. Принципиальным ограничением в ряде случаев является и большая длительность измерений, что затрудняет проведение экспресс-анализа и не позволяет изучать атомные процессы на поверхности в их динамике. Поэтому создание методов, позволяющих отображать кристаллическое строение поверхности твердого тела в реальном пространстве (а не в обратном, как в большинстве дифракционных методов) и проводить исследования в режиме реального времени, является актуальной проблемой физической электроники.

Цель настоящей работы состояла в разработке нового метода визуализации кристаллического строения поверхности, достаточно простого в реализации и пригодного для изучения в реальном времени атомных процессов, протекающих в тонком приповерхностном слое твердого тела. Результаты наших предшествующих исследований позволяли полагать, что такой метод может быть создан на основе анализа пространственных распределений квазиупруго рассеянных электронов средней энергии. Основная идея предложенного метода состоит в использовании эффекта фокусировки отраженных электронов для визуализации всей совокупности основных межатомных направлений исследуемого образца.

Для достижения поставленной цели было необходимо решить три основных задачи:

1. Разработать физические основы метода, детально исследовав механизм формирования дифракционной структуры пространственных распределений отраженных электронов.

2. Реализовать предложенную идею в конкретном приборе и разработать методику проведения структурного количественного анализа.

3. Всесторонне апробировать метод на разнообразных системах с пассивными и реакционно-способными межфазовыми границами, получить с его помощью новую информацию об атомном строении ряда объектов, важных как для физико-химии поверхности, так и для практических приложений.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

• Детально исследована дифракционная структура пространственных распределений электронов средней энергии, квазиупруго рассеянных в тонком приповерхностном слое твердого тела. Получен большой комплекс новых данных для монокристаллов металлов, полупроводников и диэлектриков в диапазоне энергий от сотен эВ до 2 кэВ. Установлено, что в интервале до ~1 кэВ происходит переход от обычного режима дифракции электронов к картинам нового типа, в которых доминируют максимумы, наблюдаемые вдоль направлений плотной упаковки кристаллов.

• Установлен механизм формирования дифракционных картин в диапазоне энергий 1−2 кэВ. Показано, что их специфика обусловлена эффектом фокусировки отраженных электронов, приводящим к их концентрированию вдоль цепочек атомов кристалла. Сами же картины фактически представляют собой центральные проекции межатомных направлений, содержащихся в приповерхностном слое твердого тела, толщиной порядка 1 нм. Эту закономерность картин предложено использовать для визуализации кристаллического строения поверхности твердого тела.

• Выявлены причины возникновения кикучи-полос в дифракционных картинах кристаллов легких элементов. Показано, что основной вклад в усиление интенсивности отражения электронов вдоль этих полос вызван фокусировкой электронов атомными цепочками, лежащими в плотноупакованных плоскостях кристаллов. Резкий же поперечный профиль кикучи-полос обусловлен дифракционным рассеянием электронов атомами ближайших соседних плоскостей.

• Изучены закономерности эффекта фокусировки электронов средних энергий в приповерхностном слое кристалла. Выявлены зависимости его эффективности от энергии частиц, плотности упаковки атомных цепочек, их внутренней структуры и пространственной ориентации.

• Развиты оригинальные кластерные модели, основанные на эффекте фокусировки электронов, которые позволили адекватно описать наблюдаемые дифракционные картины. Разработана методика структурного количественного анализа приповерхностного слоя исследуемых объектов путем сопоставления эксперимента с результатами численного моделирования картин, проводимого с использованием факторов надежности (R-факторов) и варьированием искомых параметров.

• Изучена трансформация дифракционных картин в процессе нанесения ультратонких пленок чужеродных атомов на поверхность кристаллов. Получен большой комплекс новых данных для систем с резкой (Ag/Mo (l 10), Ag/Si (lll), Ag/Si (100), C60/Si (lll)) и реакционно-способной межфазовой границей (Co/Si (ll 1)), наглядно демонстрирующих эффективность предложенного метода визуализации кристаллического строения поверхности твердого тела.

• Обнаружен термоактивированный структурный фазовый переход в системе Ag/Si (lll), протекающий при температуре Т ~ 650 К. Сходный эффект обнаружен и в системе Co/Si (lll), в которой сверхтонкая двухдоменная пленка дисилицида кобальта трансформируется в результате отжига в эпитаксиальную пленку CoSi2(l 11).

• Исследована адсорбция фуллеренов на поверхности монокристаллического молибдена. Обнаружено, что сильные связи между молекулами Сбо и поверхностью Мо (110) замораживают вращение фуллеренов и придают им фиксированную пространственную ориентацию. Показано, что адсорбированные молекулы обращены к подложке гексагонами.

• Изучены in situ структурные превращения в системах K/VSe2(0001) и K/TiS2(0001). Обнаружено, что нанесение двух-трех монослоев калия на поверхность дихалькогенидов переходных металлов приводит к их спонтанной интеркаляции, стимулирующей радикальную структурную перестройку приповерхностной области этих слоистых кристаллов. Показано, что интеркаляционно-стимулированная перестройка поверхности имеет обратимый характер.

Научная и практическая значимость работы. Научная ценность работы состоит в том, что в ней систематически изучены картины дифракции электронов, неупруго отраженных от ряда монокристаллов. Проанализирована динамика изменения картин с энергиейвыявлен механизм их формирования при энергиях 1−2 кэВ и показана ключевая роль в нем эффекта фокусировки электроновустановлены основные закономерности самого эффекта и развиты теоретические модели, количественно описывающие эксперимент. Таким образом, создана целостная физическая картина процесса формирования дифракционной структуры пространственных распределений неупруго отраженных электронов средней энергии, позволившая разработать новый метод визуализации кристаллической структуры поверхности твердого тела. Приложение этого метода к исследованию таких малоизученных процессов, как, например, взаимодействие фуллеренов с поверхностью твердого тела и in situ интеркаляция слоистых материалов, дало ряд новых научных результатов, имеющих большое самостоятельное значение для физики и химии поверхности.

Практическая ценность диссертации состоит в реализации идеи метода и создании оригинального прибора, позволяющего проводить исследования в режиме реального времени. В нем обеспечивается сбор информации со скоростью до 48 кадров в секунду и сводится к минимуму возмущающее воздействие электронного пучка на исследуемый объект. Для извлечения структурной количественной информации из наблюдаемых картин разработан специальный пакет прикладных программ. Прибор успешно испытан на ряде систем. Полученные результаты показали, что метод особенно перспективен для контроля формирования межфазовых границ, эпитаксиального роста тонких пленок, а также других технологических процессов.

На защиту выносятся следующие положения:

1. Физическая картина формирования дифракционной структуры пространственных распределений неупруго отраженных электронов с энергией 1−2 кэВ, базирующаяся на эффекте фокусировки электроновзакономерности самого эффектакластерные модели, количественно описывающие исследованные дифракционные картиныновый механизм образования Кикучи-полос.

2, Метод визуализации кристаллического строения нанометрового приповерхностного слоя твердого тела, основанный на анализе максимумов фокусировки в пространственных распределениях отраженных электронов средней энергииего приборная реализация, позволяющая исследовать атомные процессы на поверхности в режиме реального времениметодики определения структурных параметров и фазового состава изучаемых объектов на основе компьютерного моделирования наблюдаемых картин.

3. Результаты исследования ультратонких пленок серебра на поверхности монокристаллов молибдена и кремния, наглядно демонстрирующие высокую поверхностную чувствительность метода и его способность визуализовать как кристаллическое строение наносимых слоев, так и их ориентацию относительно подложки.

4, Закономерности роста дисилицида кобальта на поверхности монокристаллического кремния, вытекающие из анализа дифракционных картин, снятых на разных стадиях процессов твердофазной и реактивной эпитаксии. и.

5. Результаты исследования взаимодействия фуллеренов с поверхностью молибдена и кремнияопределение пространственной ориентации молекул Сбо, адсорбированных на поверхности Мо (110) — прямое наблюдение образования карбида кремния в ходе термической реакции адсорбированных молекул Сбо с поверхностью Si (l 11).

6, Обнаружение обратимой интеркаляционно-стимулированной перестройки приповерхностной области дихалькогенидов переходных металлов в экспериментах, проведенных in situрезультаты структурного анализа интеркаляционных комплексов, образующихся в системах K/VSe2(0001) и K/TiS2(0001).

Апробация работы. Основные результаты исследований, вошедших в диссертацию, были доложены и обсуждены на 9 отечественных и 33 международных конференциях, симпозиумах и школах: на 5-ой Всесоюзной школе по физике поверхности (Карпаты, 1986), 6−8-ом Всесоюзных симпозиумах по ВЭЭ, ФЭЭ и СПТТ (Рязань, 1986; Ташкент, 1990; Рязань, 1996), 20-ой и 21-ой Всесоюзных конференциях по эмиссионной электронике (Киев, 1987; Ленинград, 1990), 18-ой и 24−30-ой Международных конференциях по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва, 1989, 1994;2000), 14−16-ой и 18−19-ой Европейских конференциях по изучению поверхности (ECOSS-14, Лейпциг, Германия, 1994; ECOSS-15, Лилль, Франция, 1995; ECOSS-16, Генуя, Италия, 1996; ECOSS-18, Вена, Австрия, 1999; ECOSS-19, Мадрид, Испания, 2000), 13-ом и 14-ом Международных вакуумных th tVi конгрессах (I3tnIVC, Иокогама, Япония, 1995; 14m IVC, Бирмингем, Великобритания, 1998), Международном семинаре по дифракции электронов и визуализации поверхности (Скотедэйл, США, 1996), 5-ой и 6-ой Международных конференциях по структуре поверхности (ICOSS-5, Экс Прованс, Франция, 1996; ICOSS-6, Ванкувер, Канада, 1999), 9-ом Европейском симпозиуме по молекулярно-лучевой эпитаксии (Оксфорд,.

Великобритания, 1997), 4-ой конференции северных стран по физике поверхности (Олесун, Норвегия, 1997), 1-ой и 2-ой Национальных конференциях по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов (Дубна-Москва, 1997; Москва, 1999), 7-ой и 8-ой Европейских конференциях по анализу поверхности и интерфейсов (ЕСА81А'97, Гетеборг, ШвецияЕСА81А'99, Севилья, Испания), 3-ем и 4-ом Международных симпозиумах по фуллеренам и атомным кластерам (С.- Петербург, 1997 и 1999), Международных конференциях «Эмиссионная электроника, новые методы и технологии» (Ташкент, 1997 и 1999), 19-ом Международном семинаре по физике поверхности (Поланика-Здрой, Польша, 1998), 1-ом Международном симпозиуме по зарождению кластеров и нелинейным проблемам в фазовых переходах 1-го рода (С.- Петербург, 1998), Международной конференции «Физика на пороге 21 века» (С.- Петербург,.

1998), 9-ой и 10-ой Международных конференциях по тонким пленкам и поверхности (1С8Р8−9, Копенгаген, Дания, 1998; 1С8Р8−10, Принстон, США, 2000), Международном симпозиуме по атомно-слоевой эпитаксии (Хельсинки, Финляндия, 1999), 24-ом Международном симпозиуме «Прогресс в физике поверхности и межфазовых границ» (Модена, Италия,.

1999), Международном симпозиуме по кристаллографии поверхности (Нанси, Франция, 2000).

Публикации. По теме исследования опубликовано 86 печатных работ, список которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Работа состоит из введения, шести глав, перечня основных результатов и списка цитированной литературы. Первая глава содержит обзор литературы по теме исследования. В ней кратко рассмотрены экспериментальные и теоретические работы, посвященные дифракции электронов средней энергии, а также дифракции.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1, Разработана методика автоматической регистрации картин дифракции электронов путем прецизионного сканирования всей полусферы их отражения узкоапертурным энергоанализатором. Система управляется персональным компьютером и обеспечивает сбор, хранение и обработку данных в цифровом формате, а также их вывод на дисплей и печать в графическом виде.

2, Для ряда монокристаллов с атомно-чистой поверхностью 0^(100), Мо (ГОО), Мо (ПО), 81(100), 81(111) и др.) систематически изучены картины дифракции электронов средней энергии. Показано, что в интервале энергий до ~1 кэВ на смену обычным дифракционным картинам, рефлексы которых отображают строение приповерхностной области кристаллов в обратном пространстве, приходят картины дифракций квазиупруго рассеянных электронов, основными особенностями которых являются максимумы, ориентированные вдоль направлений плотной упаковки кристаллов.

3. Установлено, что основным механизмом формирования картин дифракции квазиупруго рассеянных электронов в области энергий 1−2 кэВ, является эффект фокусировки электронов, приводящий к тому, что при вылете из кристалла они концентрируются вдоль межатомных направлений. Показано, что эти картины фактически представляют собой центральные проекции таких направлений и могут быть использованы для визуализации кристаллического строения тонкой приповерхностной области твердого тела.

4. Изучены закономерности фокусировки электронов средней энергии в кристаллах. Выявлены зависимости ее эффективности от энергии частиц, плотности упаковки атомных цепочек, их внутренней структуры и пространственной ориентации. Для наиболее плотноупакованных направлений эффект усиливается с возрастанием средней длины пути электронов до примерно пяти межатомных расстояний.

5. Для описания наблюдаемых дифракционных картин разработаны оригинальные кластерные модели. Первая из них — кластерная модель однократного рассеяния — позволяет получать количественную структурную информацию путем сопоставления (с помощью Я-факторов) эксперимента и результатов численных расчетов, проводимых с варьированием искомых структурных параметров. Вторая, более простая модель учитывает эффект фокусировки феноменологически, что позволяет существенно ускорить расчеты.

6. Установлен новый механизм формирования кикучи-полос в дифракционных картинах кристаллов легких элементов. Определяющую роль в нем играют, во-первых, процессы рассеяния электронов одиночными атомными плоскостями, обусловленные фокусировкой электронов на имеющихся в этих плоскостях атомных цепочках, и во-вторых, межплоскостное рассеяние электронов, приводящие к когерентному наложению интерференционных максимумов первого порядка в случае, когда источники электронов локализованы на достаточно большой глубине.

7. Создан прибор для визуализации атомной структуры поверхности, позволяющий регистрировать ее изменения в режиме реального времени. Основу прибора составляет низковольтный электронограф с микроканальным усилителем яркости изображений, получаемых при скользящем падении электронного пучка на исследуемый объект. Для обработки результатов эксперимента разработан оригинальный пакет прикладных программ с широкими сервисными возможностями.

8. Изучены начальные стадии роста пленок серебра на поверхности монокристалла Мо (ИО). Обнаружено, что нанесение лишь нескольких монослоев Ag на поверхность образцов, находящихся при комнатной температуре, качественно меняет вид наблюдаемых картин. Показано, что растущая пленка состоит из доменов А§-(111) Аи В-типов, ориентация которых относительно подложки соответствует эпитаксиальному соотношению Курдюмова-Захса.

9. Исследовано атомное строение ультратонких пленок серебра, формирующихся на поверхности 81(111)-(7×7) при комнатной температуре. Показано, что образующаяся пленка, состоит из доменов Ag (lll) Аи В-типов, доли которых примерно одинаковы. Изучена трансформация пленок в процессе отжига. Обнаружено, что при температуре ~ 650 К происходит их рекристаллизация, в результате которой домены А-типа исчезают. При дальнейшем повышении температуры на поверхности кремния образуются островки серебра, выстраивающиеся определенным образом относительно подложки.

10. Исследован процесс формирования эпитаксиальных пленок серебра на поверхности 81(100)-(2×1). Показано, что рост пленок подчиняется механизму Странского-Крастанова, и что они имеют разное кристаллическое строение в зависимости от температуры подложки. Отжиг пленок до температур Т > 500 °C приводит к формированию островков Ag (100) с определенной азимутальной ориентацией относительно подложки. Компьютерное моделирование наблюдаемых картин позволяет определять фазовый состав образующихся пленок.

It. Обнаружена островковая мода роста дисилицида кобальта на поверхности монокристалла Si (lll)-(7×7) на самых ранних стадиях реактивной эпитаксии. При этом на поверхности кремния формируются островки CoSi2(ll 1) В-типа, ориентированные антипараллельно подложке. С увеличением степени покрытия происходит их латеральный рост и последующая коалесценция при покрытиях, превышающих ~3 монослоя.

12. Изучен процесс твердофазной эпитаксии дисилицида кобальта на кремнии. Показано, что и при комнатной температуре сначала образуется островковая пленка силицида, состоящая из кристаллитов Аи В-типа, а в дальнейшем на ней растет слой неупорядоченного кобальта. Твердофазная эпитаксия CoSi2, наблюдаемая в ходе отжига таких пленок, начинается при температуре ~250°С и приводит к формированию силицидного слоя, состоящего из Аи Вдоменов. При дальнейшем повышении температуры (до ~500°С) наблюдается постепенная рекристаллизация А-доменов CoSi2(l 11) в домены В-типа.

13. Исследована адсорбционная система Сбо/Мо (110). Получены экспериментальные данные, непосредственно свидетельствующие о замораживании вращения фуллеренов в адсорбированном состоянии, и, следовательно, о формировании сильной связи между молекулами С60 и Мо (110). Обнаружено, что адсорбированные фуллерены обращены к поверхности молибдена гексагонами.

14. Исследована термическая эволюция сверхтонких пленок фуллеренов, нанесенных на поверхность Si (lll)-(7×7). Показано, что при температуре Т > 900 °C происходит распад адсорбированных молекул Сбо, сопровождающийся карбидизацией поверхности образца. Образующийся при этом карбид кремния состоит из кристаллитов SiC (l 11) ЗС-политипа.

15. Проведен структурный анализ поверхности высокотемпературных сверхпроводников. Показано, что атомное строение приповерхностной области монокристаллов УВа2Си3Ох (001), сколотых при комнатной температуре, соответствует объемной кристаллической структуре соединения. При этом на поверхность кристаллов выходят атомные плоскости ВаО и Си02.

16. Прямым методом показано, что при нанесении атомов калия на поверхность монокристаллов У8е2(0001) и Т182(0001) происходит спонтанная интеркаляция приповерхностной области этих соединений, приводящая к их радикальной структурной перестройке. Она проявляется как в значительном увеличении межслоевых зазоров (на 2,2 А), так и в структурном фазовом переходе 1 Т —" 313(1).

17. Обнаружено, что взаимодействие кислорода с поверхностью интеркалированных кристаллов КХТ182(0001) стимулирует обратный процесс деинтеркаляции, в ходе которого происходит диффузия атомов калия из межслоевых зазоров к поверхности образца и последующее связывание их адсорбированным кислородом. Индикатором процесса является релаксация кристаллической решетки деинтеркалированной приповерхностной области Т182 в исходное состояние.

Главным итогом диссертации явилось создание нового метода визуализации кристаллической структуры поверхности твердого тела, базирующегося на эффекте фокусировки отраженных электронов средней энергии. В то время, как основные методы изучения поверхности с атомным разрешением (например, СТМ) дают информацию о строении ее верхнего слоя, данный метод позволяет визуализовать взаимное положение атомов в более глубокой зоне, толщиной около 1 нм, и поэтому удачно их дополняет. Он сравнительно прост в реализации, а благодаря.

269 высокому отношению полезного сигнала к шуму регистрация дифракционных картин может осуществляться с достаточно высокой скоростью. Поэтому метод представляется особенно перспективным для изучения быстропротекающих атомных процессов в приповерхностной области твердого тела.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю признательность заведующему лабораторией В. Н. Шреднику за благожелательное отношение к работе и ее поддержку. Автор глубоко благодарен своему учителю М. В. Гомоюновой и всем коллегам, принимавшим непосредственное участие в исследованияхН.С.Фараджеву, Д. А. Валдайцеву, А. Г. Банщикову, А. Е. Роднянскому и.

А. К. Григорьеву. Автор очень признателен В. Н. Агееву, в чьей лаборатории сформировался как ученый, а также Д. П. Бернацкому и С. Л. Заславскому за большую помощь в создании первой экспериментальной установки. Автор искренне багодарен Ю. С. Гордееву, В. М. Микушкину и С. А. Князеву за плодотворное сотрудничество в рамках научных проектов, явившихся источниками финансовой поддержки настоящей работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Van Hove M.A., Weinberg W.H., Chan C.-M., Low-Energy Electron Diffraction. Springer Series in Surface Science 6. -Springer-Verlag Berlin Heidelberg, 1986, — 603 p.
  2. Pendry J.B. Low energy electron diffraction. The theory and its Application to Determination of Surface Structure. Acad. Press: London, New York, 1974.
  3. А.Г. Исследование структуры поверхностей методом дифракции медленных электронов: достижения и перспективы. // Укр. физ. журнал. 1978. — Т.23. — № 10. — С.1585−1607.
  4. К i k и с h i S. Beugung der Materiestahlen // Phys. ZS. 1930. — V. 31. -P. 737−752.
  5. Dingley D.J., Baba-Kishi K.Z., V.Randle. Atlas of Backscattered Kikuchi Diffraction Patterns. Insitute of Physics Publishing Bristol and Philadelphia 1995, — 135P.
  6. McRae E.C., Caldwell C.W. Low-energy electron diffraction study of lithium fluoride (100) surface // Surf.Sci. 1964. — V.2. — P.509−515
  7. Robins J. L., Gerlach R.L., Rhodin T.N. Kikuchi effects from LEED inNi. // Appl.Phys.Lett. 1966. — V.8. — P. 12−14
  8. Taub H. Stern R.M. Nearest-neighbor electron scattering in Si // Appl. Phys.Let. 1966. — V. 9. — № 7. — P. 261−263.
  9. Johnson D.C., MacRae A.U. Kikuchi Bands in LEED // J.Appl.Phys. 1966. — V. 37. — P. 1945−1951
  10. Mark 1 und I., Andersson S ., LEED study of NaCl (100) surface // Surf.Sci. 1966 — V.5. — P. 197−202
  11. Stern R.M., Taub H. Origin of the angular dependence ofsecondary emission of electrons from tungsten // Phys.Rev.Lett. 1968. -V. 20. -№ 24. -P. 1340−1343.
  12. L de Bersuder Observation et interpretation geometrique de lignes de KikucM liees a un reseau a deux dimensions. // C.r. Acad. Sci. 1968. -V. 266B. — № 25. — P. 1489−1493.
  13. Mosser A., Burggraf Ch. Etude du fond continue des diagrames de diffraction obtenus a partir d’une face (100) MgO. // Cr. -1972--V. 274.-P. 1355−1358.
  14. Mosser A., Burggraf Ch., Goldsztaub S., Ohtsuki Y. H. LEED Kikuchi pattern phonon and plasmon contributions // SurftSeb 19−76. — V. 54. — № 3. — P. 580−592.
  15. Shindo S., Mosser A., Contrast change of the LEED kikuchi pattern due to plasmon excitation // Surf. Sci. 1978. — V. 71. — № 1. — P. 155−160-
  16. M.B., Пронин И. И., Заславский С. J1. Анизотропия выхода вторичных электронов из монокристаллического молибдена // ФТТ. 1982. — Т.24. — № 7 — С. 2006−2011.
  17. М.В., Пронин И. И., Шмулевич И. А. Анизотропия угловых распределений электронов с энергией 2 кэВ, квазиупруго рассеянных молибденом // Письма в ЖТФ. 1982. — Т.8. -№ 20 — С. 1270−1274.
  18. Gomoyunova M.V., Pronin 1.1., Schmulevitch I. A. Kikuchi Patterns of Mo (100) and Primary Electron Localization // Surf.Sci. 1984. — V.139.- P.443−452.
  19. Г о м ою н о в a M. В ., Пронин И. И., Бернацкий Д. П. Приложение теоремы обратимости к вторичной электронной эмиссии // Изв. АН СССР, сер.физ. 1982. — Т. 46. — № 7. — С. 1372−1376.
  20. M о & s e r A., Burggraf Ch., Goldsztaub S ., Validite du principe de reciprocite pour la diffusion inelastique des electrons de 400 et 1500 eV //CR Aead. Se. Paris. 1974. — V. B278. — № 2. — P. 327−330.
  21. Laue M.V. Die fTuoreszenzrontgenstrahlung von einkristallen. // Ann. der Phys. 1935. — V.23. — № 7. — C.705−746.
  22. Pogany A.P., Tu r n e r P. S ., Reciprocity in Electron Diffraction and Microscopy. // Acta Crys. 1968. — V. A24. — № 1.- P. 103−109.
  23. К ai n u m a Y, The theory of kikuchi patterns. // Acta Cryst. 1955. -V.8. -P.247−257.
  24. Lap onsky А.В., Whetten N.R., Rey N. Dependence of secondary electron emission on crystal orientation // Phys.rev.Lett. 1959.- V.3-. -№ 11. P. 510−513.
  25. Sochea R.W., Dekker A.J. Fine structure of secondary emission vs. angle of incidence of the primary beam. // Phys. Rev. 1961.- V. 121. № 5. — P. 1362−1369.
  26. .Д., Комар А. П., Коробочко Ю. С., Минерв В. И., Фокусировка электронов в тонких монокристаллических пленках меди. // Письма в редакцию ЖЭТФ. -1966. Т.4. — № 7. -С. 241−243.
  27. A frp о я н И.А., Титов А. И. Угловая зависимость радиационной проводимости и вторичной эмиссии при бомбардировке монокристалла германия электронами. // ФТТ. 1967. — Т.9. — № 11. -С.3628−3630.
  28. А.Р., Кораблев В. В., Морозов Ю.А, Угловая зависимость вторично-эмиссионных характеристик монокристаллов кремния. // ФТТ 1968. — Т.10. — № 6. — С.1570−1572.
  29. А.Р., Кораблев В. В., Морозов Ю.А.
  30. Угловая зависимость коэффициента второчной электронной эмиссии монокристаллов кремния в диапазоне энергий первичных электронов от 100 до 2000 эВ. // ФТТ. 1968. — Т.10. — № 6. — С.1913−1915.
  31. В.П., Макаров В. В., Петров Н. Н. Вторичное каналирование и эффект «двойной фокусировки» при обратном рассеянии электронов средних энергий монокристаллами кремния.//ФТТ. 1981.-Т. 23. -№ 11. — С.3441−3444.
  32. В.В., Подсвиров О. А. Влияние нецентро-симметричности кристаллической решетки на картины каналирования электронов // Письма в ЖТФ 1986. — Т. 12. — №. 8 — С. 501−505.
  33. Г омо 10 нов, а М.В., Заславский C.JI., Пронин И. И. Анизотропия ионизационных потерь энергии электронов в монокристаллическом молибдене // Письма в ЖТФ. 1978. — Т. 4. — В. 14. — С. 864−868.
  34. Г омоюнова М.В., Заславский C. J1., Пронин И. И. Проявление дифракционных эффектов в отражении электронов с однократными потерями энергии от W{100}. // Письма в ЖТФ. 1979. -Т.5-.-В. 16-С. 1009−1013.
  35. Г о м о 10 н о в, а М.В., Заславский С. Л., Пронин И. И. Анизотропия взаимодействия электронов средних энергий с монокристаллами переходных металлов // ФТТ. 1982. — Т.24. — № 2 -С. 390−395.
  36. Яц s h T.W., Bertino J.P., Ellis W. P. Kikuchi correlations in Auger electron spectroscopy. // Appl.Phys.Lett. 1973. — V.23. — № 7. -P.359−368.
  37. Airie G., Blanc E., Dufayard D., Stern R.M. Etude experimental de influence de langle de incidence des electrons primares sur le reudement de l’emission auger. // Surf.Sci. 1974. — V.46. — № 1.1. P. 188−196.
  38. В.В., Майоров А. А. Анизотропия эмиссии вторичных и оже-электронов для монокристаллов со сниженной работой выхода // Изв. АН СССР, сер. физ. 1979. — Т.43. — №.3. -С.635−641.
  39. Г о м о ю н о в, а М.В., Заславский C.JI., Пронин И. И. Ориентационные эффекты в электронной оже-спектроскопии монокристаллического молибдена // ФТТ. 1978. — Т.20. — № 9 — С. 2788−2790.
  40. Mroz S. Directional Auger electron spectroscopy-physical foundations and applications // Surf. Rev. Lett. 1997. — V.4. — № 1. — p. l 17−139
  41. Valeri S ., Gazazadi G.C., Rota A., and di Bona A. Early stage in low energy ion-induced damage on InP (llO) surface // Appl. Surfr Set 1997. — V.120 — P.323−334
  42. Valeri S., di Bona A. Modulated electron emission by scattering-interference of primary electrons // Surf. Rev. Lett. 1997. — V.4. — N1. -P. 14 Ы 60.
  43. Valeri S ., di Bona A. Modulated electron emission for structural characterization of burried layers and interfaces // Prog. Surf. Sci. 1998. -V.59t-P.91−101.
  44. Taub H., Stern R.M., Dvoryankin V.F. Temperature dependence of mean free path in secondary electron emission // Phys.State.Sol. 1969. — V.33. — № 2.- P. 573−577.
  45. Anderson S. K, Howie A., Diffraction Effects in Backscattering and Auger Production Near Crystal Surface. // Surf. Sci. -1975. V.50. -№ 1.-P.l97−214.
  46. Howie A., Whelan M.J. Diffraction Contrast of Electron
  47. Microscope Images of Crystal Lattice Defects. II The development of Dynamical Theory. // Proc. Roy. Soc. 1961. — V. A263. — № 1313.- P.217−237.
  48. В. В., Кораблев В. В., Дубов В. В., Морозов Ю. А. Влияние кристаллической структуры твердых тел на упругое отражение электронов промежуточных энергий. // Изв. Ан СССР., сер. физ. 1982. — Т.46. — № 7. — С. 1336−1348.
  49. R. М. The backscattering of electrons by crystals at low and high temperatures // Phys.Rev.Appl. 1974. — V. 9. — № 3. — P.377−384.
  50. Г о м о ю н о в, а М.В., Константинов О. В., Шмулевич И. А. Локализация электронов средней энергии в монокристаллах и ее роль в электронной спектроскопии поверхности твердого тела. // Изв. АН СССР, сер.физ. 1982. — Т.46. — № 12. — С.2308−2311
  51. Gomoyunova M.V., Konstantinov O.V., Schmulevich J.A. The perturbation theory of diffraction effects in secondary electron emission on the crystall surface// Surf.Sci. 1981. -V.10&. -N"2. -P.28T-291.
  52. С.Л. Теория интерференционных явлений при неупругом рассеяниии быстрых электронов в кристаллах: Автореферат диссертации на соискание ученой степени д-ра физ-мат.наук: 01.04.02. -М., 1994. -15 с.
  53. М.В., Дударев С. Л., Пронин И. И. Роль дифракционных явлений в электронной оже-спектроскопии кристаллов //ФТТ. 1988. — Т. 30. — № 9. — С. 2710−2716.
  54. Dudarev S.L., Peng L.-M. The origins of electron back-scattered circular patterns // Surf. Sci. Lett. 1991. — V. 244. — № 3. -P.L133-L136.
  55. S iegbahn K., Gelius U., Siegbahn H., and Olsen
  56. E. /APhys. Lett. 1970. — V. 32A. — P. 221.
  57. Egelhoff W.F., Jr., X-ray photoelectron and Auger-electron forward scattering: a new tool for studying epitaxial growth and core-level binding-energy shifts // Phys. Rev. B. 1984. — V. 30. — № 2 — P. 10 521 055
  58. E ge 1 h o f f W. F ., Jr.// Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 1985. — V. 37. — P. 443.
  59. Thompson K.A., Fadley C.S. X-ray photoelectron diffraction study of oxygen adsorption on the stepped copper surfaces (410) and (211) // Sijrf.Sci. 1984. — V.146. -P.281−308
  60. F a d 1 e y C.S. Photoelectron diffraction // Phys. Scr. 1987. — V.17. -P.39−49.
  61. Fasel R., Osterwalder J. Alkali-metal adsorption geometries on metal surfaces from photoelectron-di (fraction experiments. // Surf. Rev. Lett. 1995. — V.2. — № 3. — P.359−386.
  62. Tonner B.P., Zhang J., Han Z.-L. Structure of Cu on Ir (lll): A case study in photoelectron holography and quantitative photoelectron diffraction // Appl. Surf. Sci. 1993. — V. 70/71. — №. ¼ -P. 378−385.
  63. Egelhoff W.F., Jr. X-ray photoelectron and Auger electron forward scattering: a new tool for surface crystallography // Crit. Rev. Solid State-Mater. Sci. 1990. — V. 16. — № 3, — P. 213−235.
  64. Fadley C.S., in: Synchrotron Radiation Research: Advances in Surface Science (Plenum, New York). 1992. — ch. 9. — P. 421−518.
  65. Chambers S.A. Elastic scattering and interference of backscattered primary, Auger and X-ray photoelectrons at high kinetic energy: principles and applications // Surf. Sci. Rep. 1992. — V. 16. — № 6. — P.261−331.
  66. Kuettel O.M., Osterwalder J., Schlapbach, Agostino R., Photoelectron analysis of diamond and metal-diamond interfaces //Diamond and Rel.Mat. 1993. — V. 2. — P. 548−551.
  67. Bullock E.L., and Fadley C.S. Determination of epitaxial overlayers structure from high-energy electron scattering and diffraction // Phys: Rev. B. 1985. — V. 31. — № 2 — P. 1212−1215
  68. Barton J.J., Shirley D.A. Curred-ware-front corrections for photoelectron scattering // Phys. Rev. B. 1985. — V. 32. — № 4 — P. 18 921 905.
  69. Barton J.J., Shirley D.A. Small-atom approximations for photoelectron scattering in the intermediate-energy range // Phys. Rev. B. -1−985. V. 32. — № 4 — P. 1906−1920.
  70. Barton J.J., Robey S.W., Shirley D.A. Theory of angle-resolved photoemission extended fine structure // Phys. Rev. B. 1986. -V.34:-№ 2. — P. 778−791
  71. Rehr J.J., Albers R., Natoli C., Stern E. A. New high-energy approximation for x-ray-absorption near-edge structure // Phys. Rev. B. 1:986. — V. 34. — № 6. — P.4350−4353.
  72. Rehr J.J., Mustre de Leon J., Natoli C.R., Fadley C.S., Osterwalder J. Spherical-wave corrections in photoelectron diffraction // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39. — № 9 — p.5632−5639.
  73. Tong S.Y., Poon H.C., Snider D.R. Importance of multiple forward scattering in medium- and high-energy electron emission and/oj diffraction spectroscopy // Phys. Rev. B. 1985. — V.32. — № 4 -P.2096−2100
  74. Xu M.-L., Barton J.J., Van Hove M. A. Electron scattering by atomic chains: Multiple-scattering effects // Phys. Rev. B, 1989v V. 39. — № 12. — P.8275−8283
  75. Egelhoff W.F., Jr. Role of Multiple scattering in X-ray photoelectron spectroscopy and Auger-electron diffarction in crystals // Phys. Rev. Lett. 1987. — V.59. — № 5 — P.559−562.
  76. Xu M.L., Van Hove M.A. Surface structure determination with forward focused electrons // Surf. Sci. 1989. — V. 207. — № 2/3 — P.215−232
  77. Hi If er. in к H., Lang E., Heinz К. Angular resolved auger emission and LEED kikuchi intensities at 850 eV from a Ni (100) surface // Surf. Sci., 1980. — V.^3. — P.398−406.
  78. Fo моюнова M.B., Пронин И. И. Анизотропия возбуждения и выхода оже-электронов из монокристаллического молибдена // Поверхность (Физика, химия, механика). 1982. — № 7. -С. 44−48.
  79. Han Z.-L., Hardcastle S., Harp G.R., et. al. Structural effects in single-crystal photoelectron, Auger-electron, and Kikuchi-electron angular diffraction patterns // Surf. Sci. 1991. — V. 258. — P. 313 327.
  80. И.И., Гомоюнова М. В., Бернацкий Д. П., Заславский C.JI. Спектрометр вторичных электронов с угловым разрешением для исследования поверхности монокристаллов // ПТЭ. -1982. -№> 1.-С. 175−178.
  81. В.П., Явор С. Я. Светосильныйэнергоанализатор с двойной фокусировкой // Письма в ЖТФ. 1975. -Т. 1. — В. 17.-С. 779−783.
  82. Д.П., Заславский C.JI., Пронин И. И., Гомоюнова М. В. Система регистрации спектрометра вторичных электронов. // ПТЭ. 1982. — № 1. — С. 178−180.
  83. О.Д., Оже-спектроскопия в применении к исследованиям поверхности сложных эмиттеров. М.: Институт электроники, 1970.
  84. Корд 6 лев В.В., Электронная оже-спектроскопия. JL: ЛИИ им. М. И: Калинина, 1973. 62 с.
  85. М.В. Вторично-электронная спектроскопия поверхности твердого тела // ЖТФ. 1976. — Т. 46. -В. 6. -С. 11 371 170-
  86. . А. Электронная оже-спектроскопия при низких возбуждающих токах // Промышленная электроника. — 1978. В. 11−12.-С. 52−59.
  87. Те гарт В., Электролитическое и химическое полирование металлов. И.Л., М., — 1957
  88. Л.Я., Электрополирование и электротравление металлографических шлифов. И.Л., М., — 1963.
  89. I shizaka A., Shiraki Y. Low temperature surface cleaning of silicon and its application to silicon MBE // J. Electrochem.Soc. 1986. -V.133— № 4. — P.666−670
  90. Handbpok of Auger Electron Spectroscopy / Davis L. E., MacDonald N.C., Palmberg P.W., Riach G.E., Weber P.E., Phis. Electr. Ind. inc., USA, 1976.
  91. О.Д., Горелик В. А., Атлас оже-спектровчистьдх материалов Научно-исследовательский интситут, Рязань, 1984- 101 е.
  92. Hufner S., Osterwalder J., Greber Т. et al. Interpretation of substrate photoelectron diffraction // Phys. Rev. B. 1990.- V. 42. № 12. — P. 7350−7357.
  93. А м мер ал JI., Принципы программирования машинной графики. -М.: Сол Систем, 1992. 224 с.
  94. Fink М., Yates А.С. Theoretical electron scattering amplitudes and spin polarizations. Electron energies 100 to 1500 eV. Part I. // At. Data.- 1970. V. 1. — P. 385−431.
  95. Fink M., Ingram J. Theoretical electron scattering amplitudes and spin polarizations. Electron energies 100 to 1500 eV. Part II. // At. Data. -1972: V. 4. — № 2. — P. 129−207.
  96. Gregory D., Fink M. Theoretical electron scattering amplitudes and spin polarizations. Electron energies 100 to 1500 eV. Part III // At. DataNud. Data Tables. 1974. — V. 14. — № 1. — P. 39−88.
  97. Seah M.P., Data Compilations: their use to improve measurement certainty in surface analysis by AES and XPS // Surf. Interf. Anal. 1986.- V. 9. -P. 85−98.
  98. Valeri S., Bona A. di, Gazzadi G.C. Focusing and defocusing in electron scattering along atomic chains // Phys.Rev.B. -1−994. V.50. — № 19 — P. 14 617−14 620.
  99. Л.Д., Лифшиц Е. М., Квантовая механика. Нерелятивиетекая теория, Т. З, -М.: «Наука», изд.4-е, 1989, 768 С.
  100. Van Hove M.A., Tong S.Y., Elconin M.H., Surface structure refinements of 2H-MoS2, 2H-NbSe2 and W (100)p (2xl)-0 via new reliability factors for surface crystallography // Surf. Sci. 1977. — V.64 -P.85−9&.
  101. Zanazzi E., Jona FA reliability factor for surface structure determinations by low-energy electron diffraction // Surf.Sci. 1977. -V.62 — № 1 — P.61−80.
  102. Pe n d г у J.D., Reliability factors for LEED calculations // J.Phys. -1980. V. C13 — № 5 — P.937−944
  103. . А., Ляпин В. Г. Фазовые переходы на свободных гранях и межфазовых границах в полупроводниках // Киев: Наукова думка, 1990, — 152 с.
  104. Hamers R.J., Tromp R.M., Demuth J.E. Scanning tunneling microscopy of Si (001) // Phys. Rev. B. 1986. — V.34. — N8. -P.5343−5357.
  105. Baudoing R., Stern R.M. and Taub H. Inner sources in low energy electron diffraction: Tungsten (110) // Surf. Sci. 1968. -V.H. — P.255−264.
  106. Trehan R., Osterwalder J., and Fadley С. S. Single-scattering-cluster description of substrate X-ray photoelectron diffraction and its relationship to kikuchi bands // J. Electr. Spectr. & Rel. Phenom. -1987. -V.42.-P.187−215.
  107. Osterwalder J., Stewart E.A., Cyr D., Fadley C.S., Mustre de Leon J., and Rehr J.J. X-ray photoelectron diffraction at high angular resolution // Phys. Rev. 1987. — V. B35. — P.9859−9862.
  108. Bardi U., Torrini M., Ichinohe Y., Omori S., Ishii Ц., Owari M. and Nihei Y. Kikuch-like effects in X-ray photoelectron diffraction from the Ca2(lll) surface // Surf. Sci. -1997. V.394. — P. L150-L160.
  109. Ichinohe Y., Ishii H., Owari M. and Nihei Y. Site-specific characteristic of the Kikuchi-like bands in high-angular-resolution X-ray photoelectron diffraction // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. -V.35. — P. L587-L590.
  110. Высокотемпературная сверхпроводимость. Фундаментальные и прикладные исследования. В.1. Сб. статей / Под ред. А. А. Киселева, М.: машиностроение, 1990, С. 204.
  111. List R.S., Arko A.Y., Fisk Z., Cheong S-W., Conra^son S.D., Thompson J.D., Pierce C.B., Peterson D.E., Bartlett R.J., Shinn N.D., Schirber J.E., Veal B.W., Paulikas A.P.,
  112. Campuzano J.С. Photoemission from single crystals of УВазСизОу-х cleaved below 20 K: Temperature-dependent oxygen loss // Phys. Rev. B. 1988. — V.38. — N16. — P. 11 966−11 969.
  113. Edwards H.L., Market Y.T., de Lozanne A.L. Energy pap and surface structure of УВа2Сиз07. х probed by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1992. — V.69. — N20. — P.2967−2970.
  114. С.JI., Цой B.C. Туннельная микроскопия скола монокристалла УВа2Сиз07. с1 при 4.2 К // Письма в ЖЭТФ. 1989. -Т.49. — № 5. — С.268−270.
  115. Wolf Th., Goldacker W., Obst В., Roth G., Fluckiger R. Growth of thick YBa2Cu307. x single crystals from A12Oj crucibles // J. Cryst. Growth. 1989. — V.96. — N4. — P.1010−1018.
  116. Bauer E., Poppa H. Comparison of the initial growth of metal layers
  117. Paunov M., Bauer E. A multimethod study of the condensation of Ag on Mo (llO) // Surf. Sci. 1987. — V. 188. — № ½. -P. 123−139.
  118. Gotoh Y., Yanokura E. Epitaxial Growth of Ag Deposited on an Mo (4it)) surface // Jpn. J. Appl. Phys. 1984. — V. 23. — № 12 — P. 1647−1648.
  119. Hochstrasser M., Erbudak M., Atrei A., Wetli E., Zarkirch M. Structure of metal-on-metal ultrathin films studied by secondary-electron imaging // Phys. Low.-Dim. Struct. 1995. -V. 10/11.-P. 325−338.
  120. Lifshits V.G., Saranin A.A., Zotov A.V. Surface Phases on Silicon. Preparation, structure and properties. Chichester-
  121. Mm Wiley & Sons, 1994, 454 P.
  122. Hasegawa S., Daimon H., Ino S. A study of adsorption and desorption processes of Ag on Si (ll 1) surface by means of RHEED-TRAXS // Surf. Sci. 1987. -V. 186. -№ ½. -P. 138−162.
  123. Le Lay G. Physics and electronics of the noble-metal / elemental-semiconductor interface formation: a status report // Surf. Sci. 1983. -V. 132. -№ 1.-P. 169−204.
  124. Wilson R.J., Chiang S. Structure of the Ag/Si (l 11) surface by sinning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58. — № 4. — P. 369−372.
  125. Huang Lin, Chay Jay S., Weaver J.H. Metastable structures and critical thickness: Ag on Si (lll)-7×7 // Surf. Sci. Lett. -1998. V. 416. — P. LI 101-Ll 106.
  126. Yuhara J., Morita K., Thermal reaction processes of ternary metal {Au, Ag, Cu) adsorbed on Si (lll) surface //Appl. Surf. Sci. 1998. -V. 123/124, — P. 56−60.
  127. K at ay? una M., Williams R.S., Kato M., Nomura E ., A o n o M. Structure analysis of the Si (l 11) V3xV3 R30°-Ag surface // Phys. Rev. Lett. -1991. V. 66. — № 21 — P. 2762−2765.
  128. Erbudak M., Hochstrasser M., Wetli E., Zurkirch M., Investigation of symmetry properties of surfaces by means of backscattered electrons // Surf. Rev. Lett. 1997. — V. 4. — № 1. -P. 179−196.
  129. DeSeta M., Avila J., Franco N., et al. Ag-Si (lll) interface analysis by angle resolved XPS, Europhysics Conference Abstracts, 16th European Conference on Surface Science. Genova (Italy), 9−13 September 1996. — TuAP52.
  130. Sumimoto K., Kobayashi T., Oura K. Hydrogen-mediated epitaxy of Ag on Si (lll) as studied by low-energy ion scattering // Phys.Rev.Lett. 1991. — V. 66. — № 9. — P. l 193−1196.
  131. Winau D., Itoh H., Schmid A.K., Ichinokawa T. Reconstructions and growth of Ag on Si (001) (2×1) // Surf. Sci. 1994. -V. 303. -№i. -P. 139−145.
  132. Lin X.F., Wan K.J., Nogami J. Ag on the Si (001) surface: Growth behavior of the annealed surface // Phys.Rev.B. 1993. — V. 47. -№ 20. — P. 10 947−10 950.
  133. D o r ai s u w amy N., Jayaram G., Marks L.D. Unusual island structures in Ag growth on Si (100)-(2xl) // Phys. Rev. B. 1995. -V. 51. -№ 15 — P. 10 167−10 170.
  134. Yakabe T., Dong Z.-C., Nejoh H. Observation of negative differential resistance on Ag/Si (100) using STM // Appl. Surf. Sci. 1997. — V. 121/122. -P. 187−190.
  135. Lin X.F., Wan K.J., Nogamy J. Surface reconstructions in the Ag/Si (001) system // Phys.Rev.B. 1994. — V. 49. — № 11. — P. 73 857 393.
  136. Cho W.S., Kim J.Y., Park N.G., Chae K.H., Kim Y.W., Lyo I.W., Kim S.S., Choi D.S., Wang C.N. Atomic structure of Ag grown on Si (100)(2xl) at high temperature // Surf. Sci. Lett. 1999. — V. 439. — P. L792-L798.
  137. Winau D., Itoh H., Schmid A.K., Ichinokawa T. Ag on Si (001)-(2xl) formation of a 2×3 superstructure // J. Vac. Sci. Techn. B. 1994. — V. 12. — № 3. — P. 2082−2085.
  138. Hanbucken M., Neddermeyer H. A LEED-AES study of the growth of Ag films on Si (100) // Surf.Sci. 1982. — V. 114. — № 2/3 -P. 563−573.
  139. Hanbucken M., Futamoto M., Venables J.A. Nucleation, growth and the intermediate layer in Ag/Si (100) and Ag/Si (111)7/ Surf.Sci. 1984. — V. 147. — № 2/3 — P. 433−450.
  140. Samsavar A., Hirschorn E.S., Leibsle F.M., Chiang T.-C. Scanning-tunneling-microscopy of Ag on Si (100) 2×1 // Phys.Rev.Lett. 1989. — V. 63. — № 26 — P. 2830−2833.
  141. H a n a w a T ., O u r a K. Deposition of Ag on Si (100) as studied by LEED-AES // Japan J.Appl.Phys. 1977. — V. 16. — № 3 — P. 519−520.
  142. Hashizume T., Hamers R.J., Demuth J.E., Market K., Sakurai T. Initial stage deposition of Ag on the Si (100) 2×1 surface studied by scanning tunneling microscopy // J.Vac.Sci.Techn. A. 1990. — V. 8. — № 1 — P. 249−250.
  143. Weaver J.H., Poinier D.M. Solid state properties of fullerenes and fulleren-based materials // Sol. State Phys. 1994 — V.48 -P.F-108.
  144. Altman E.I., Colton R.J. Determination of the orientation of C60 adsorbed on Au (lll) and Ag (lll) // Phys. Rev. B 1993 — V. 48 -N24-P. 18 244−18 249.
  145. Kuk Y., Kim T>.K., Suh Y.D., Park K.H., Noh H.P., Oh S.J., Kim S.K. Stressed C60 layers on Au (001) // Phys. Rev. Lett. 1993 — V.70 -N13.-P. 1948−1951.
  146. Hashizume T., Motai К., Wang X.D., et al. Intramolecular Structures of C60 Molecules Adsorbed on the Cu (lll)-(lxl)Surface //Phys. Rev. Lett. 1993 — V.71 -N.18 — P.2959−2962.
  147. Wang X.D., Hashizume T., Shinohara H. et al. Scanning tunneling microscopy of C60 on the Si (l 11)7×7 surface // Jpn. J. App). Phys. L992 — V.31 — № 7. — P. L983-L986.
  148. Бахтизин P.3., Хашицуме Т., Вонг ГЦ.-Д., Сакурай Т. Сканирующая туннельная микроскопия фуллеренов на поверхности металлов и полупроводников // УФН 1997 — Т.167 -№ 3 — С.289−307.
  149. C.B., Роткин В. В. Фуллерены. Структура, динамика кристаллической решетки, электронная структура и свойства // ФТП 1993 — Т.27 — № 9 — С.1409−1434.
  150. W erthe im G. К., Buchanan D.N.E. Reaction of Сбо with metals: W // Sol. State Comm. 1993 — V.88. — № 2. — P.97−100.
  151. Ruckman M.W., Xia Bo, Qui S. L. Adsorption of C6o on Ta (l 10): Photoemission and С K-edge studies // Phys. Rev. В 1993 — V. 48 — P.15 457−15 460.
  152. Fasel Д., Aebi P., Agostino R.G., Naumovic D., Osterwalder J., Santaniello A., Schlapbach L. Orientation of Adsorbed Сбо Molecules Determined via X-Ray Photoelectron Diffraction // Phys.Rev.Lett. 1996 — V.76 — № 25 -P.4733−4736.
  153. J155. Hamza A.V., Balooch M., Moalem M. Growth of silicon carbide films via C6o precursor // Surf. Sci. 1994 — V. 317. — № 3. — P. L1129.
  154. G hen D., Saris D. Temperature effects of adsorption of C6o molecules on Si (lll)-(7×7) surfaces // Phys. Rev. B 1994 — V.49 -P.7612.
  155. Hu C.-W., Kasuya A., Suto S, Wawro A., N i s hi n a Y. Surface structure of SiC grown on Si (l 11) surface by C6o precursor //Appl. Phys. Lett. 1996 — V.68 — № 9 — P.1253−1255.
  156. Moro L., Paul A., Lorents D.C.etal. Silicon carbide formation «by annealing C6o films on silicon // J. Appl. Phys. 1997 -V.81 — № 9— P.6141.
  157. Sakamoto K., Suzuki T., Wakita Tet al. SiC film formatiop from C6o monolayer on Si (lll)-(7×7) and Si (001)-(2xl) surfaces studied by HREELS-STM // Appl. Surf. Sci. 1997 -V. 121/122- P.200−203.
  158. P^scual J.I., Gomez-Herrero J., Baro A. M. Surface phases of SiC islands grown over Si (l 1 l)-(7×7) using C6o as a precursor // Surf Sci. 1998. — V.397.- P. L267-L272.
  159. Saitoh S., Ishiwara H., Furukawa S. Double heteroepitaxy in the Si (lll)/CoSi2 structure // Appl. Phys. Lett. 1980. -Y.37. — № 2. — P.203−208.
  160. Pirri C., Peruchetti J.C., Gewinner G., Derrien J. Cobalt disilicide epitaxial growth on the silicon (111) surface // Phys. Rev. 1984. — V. B29. — № 6. — P.3391−3397.
  161. Bosc^hrini F., Joyce J.J., Ruckincn M.W., Weaver J.H. High resolution photoemission study of Co/Si (lll) interface formation // Phys. Rev. 1987. — V. B35. — № 9. — P.4216−4221.
  162. Chambliss D.D., Rhodin T.N., Rowe J.E., Shigekawa H. Study of interface formation on Co/Si (l 1 l)-7×7 using angle -resolved photoemission // J. Vac. Sci. Technol. 1989 — V. A7. -№ 3-, — P.2449−2453.
  163. Che* L.J., Tu K.N. //Mater. Sci. Rep.- 1991. V.7.-P.53−59.
  164. Bensaoula A., Veuillen J.Y., Nguyen T.T.A., Derrien J., De Crescenzi M. Study of the Co/Si (lll) interface formation using electron energy loss spectroscopy // Surf. Sci. -1991. V.241. — P.425−430.
  165. Von Kane! H.//Mater. Sci. Rep. 1992.-V.8.-P.193−198.
  166. Bulle-Lieuwma C. W. T. Epitaxial growth of CoSi2/Si structures // Appl. Surf. Sci. 1993. — V.^8. — P. l-5.
  167. Plusnin N.I., Milenin A.P., Prihodko D. P. Study of the Co/Si (lll) 7×7 interface formation by AES and EELS methods // Phys. Low-Dim. Struct. — 1999. — V.9/10. — P. 107−111.
  168. Hay as hi Y., Yoshinaga M., Ikeda H., Zaima S., Y a s u d a Y. Solid-phase epitaxial growth of CoSi2 on clean and oxygen-adsorbed Si (001) surfaces // Surf. Sci. 1999. — V.438. — № 1. -P.l 16−122.
  169. JJ73. Anterroches C.D. High-resolution electron microscopy of the initial stages of CoSi2 formation on Si (l 11) // Surf. Sci. 1986 — V.168. -№ 1. -P.751−757.
  170. Tung R.T., Batstone J.L. Control of epitaxial orientation of CoSi2 on Si (lll) // Appl. Phys. Lett. 1988. — V.52. — № 19. — P. 16 111 613.
  171. Berrien J., De Crescenzi M., Chainet E., d’Anter roches C., Pirri C., Gewinner G., Peruchetti J.C. Co/Si (111) interface formation at room temperature // Phys. Rev.- 1987. V. B36. — № 12. — P.6681−6684.
  172. Von Kanel H., Schwarz C., Gencalves-Conto S. New epitaxially stabilized CoSi phase with CsCl structure // Phys. Rev. Lett. 1995. — V.74. — № 7. — P. l 163−1166.
  173. Fujitani H., Asano S. Schottky-barrier heigth and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2 NiSi2 and YSi2 // Phys. Rev. 1994. -V.B50. -№ 12. -P.8681−8698.
  174. Arnaud F., d' Avitayas, Delage S., Rosencher E., Derrien J. Kinetics of formation and properties of epitaxial CoSi2 films on Si (lll) // J. Vac. Sci. Technol. 1985. V. B3. — № 2. -P.770−773.
  175. H a man D. R. New silicide interface model from structural energy calculations // Phys. Rev. Lett. 1988. — V.60. — № 4. — P.313−316.
  176. Rossi G., Santaniello A., De Padova P., Jin X., Chandesris D. Structural chemisorption of Co on Si (l 11)7×7 // Europhys. Lett. 1990. — V. l 1. — № 3. — P.235−241.
  177. Bennet P. A., Cahili D.G., Copel M. The temperature evolution of ultrathin films in solid-phase reaction of Co with Si (lll)studied by scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. Lett. 1994. -V.73-. -№ 3-. — P.452−455.
  178. H e 11 m a n n F ., Tung R. T. Surface structure of thin CoSi2 grown on Si (lll)// Phys. Rev. 1988. -B37. — № 18. — P. 10 786−10 794.
  179. Starke U., Schardt J., Wei? W., Rangelov G., Fauster Th., Heinz K. Surface of epitaxial CoSi2 films on Si (lll) studied with LEED // Surf. Rev. and Lett. 1998. — V.5. — № 1. -P.139−143.
  180. Dfolbak A.E., Olshanetsky B.Z., Teys S.A. Initial stages of Co silicides growth on Si surface structures // Phys. Low-Dim. Struc. 1997. — V.¾. — P. 113−117.
  181. Chambliss D.D., Rhodin T.N., Rowe J. E. Electronic and atomic structure of thin CoSi2 films on Si (lll) and Si (100) // Phys. Rev. 1992. — V. B45. — № 3. P. l 193−1203.
  182. Tung R.T., Gibson J.M., Poate J.M. Formation of ultrathin single-crystal silicide films on Si: surface and interfacial stabilization of Si-NiSi2 epitaxial structures // Phys. Rev. Lett. 1983. -V.5& - № 6. — P.429−432.
  183. Bos eher ini F., Joyce J.J., Ruckman M.V., «Weaver J.H. High-resolution photoemission study of Co/Si (lll) interface formation // Phys. Rev. 1987. — V. B 35. — P.4216−4220.
  184. Veuillen J.Y., Bensaoula A., De Crescenzi M., D e r r i e n J. Short-range local order of the Co/Si (l 11) interface by the extended Auger fine structure technique // Phys. Rev. 1989. — V. B39. -№ 1:4. P. 10 398−10 401.
  185. I Ige B., Palasantzas G., De Nijs J., Geerligs L.J. The temperature evolution of ultra-thin films in solid-phase reaction of Cowith S4(ill) studied by scannieng tunneling microscopy // Surf. Sei. 1998. V.414. — P.279−289.
  186. Rossi G., Santa niello A., De Padova P. From the chemisorption of Co on Si (111)7×7 to the formation of epitaxial A and B-type CoSi2 // Solid State Comm. 1990. — V.73. — № 12. P.807−812.
  187. W e i g er s G.A. Physical properties of first row transition metal dichalcogenides and their intercalates // Phys. B + C. 1980. — V.99. — №-P.151−15.
  188. Starnberg H.I., Brauer H.E., Holleboom L.J., Hug he s H.P. 3D-to-2D transition by Cs intercalation of VSe2 // Phys. Rev. Lett. 1993. — V.70. -№ 20. P.3111−3114.
  189. J ae germ an n W., Petternkofer C., Schellenberger A., et al. Cs deposition^rpayered 2H-TaSe2(0001) surfaces: adsorption or intercalation? // Sol.St.Comm. 1992. — V.84 — № 9. -P. 921−926.
  190. Brauer H.E., Ekvall I., Olin H., Starnberg H.I., Wahlstrom E., Hughes H. P., Strocov V. N. Na intercalation of VSe2 studied by photoemission and scanning tunneling microscopy. // Phys. Rev. 1997. — V. B 55. — P. 10 022−10 025.
  191. Rems kar M., Popovic A., Starnberg H. I. Effects of in situ intercalation of TiS2 with Cs: direct observation of incomplete stacking transformation and defect creation // Surf. Sei. 1999. — V.430. -P. 199−203.
  192. Strocov V.N., Starnberg H.I., Nilsson P.O., Brauer E., Holleboom L.J. Absolute determination of the surface-perpendicular band structure of VSe2 and TiS2 by combined VLEED and PES // J.Phys.: Condens. Matter. 1998. — V.10. — P.5749−5753.
  193. М.В., Пронин И. И. Структура угловых распределений электронов, отраженных от монокристаллического вольфрама, покрытого тонкими пленками кремния // Y Всесоюзная школа по физике поверхности, Карпаты, 1986, — Тезисы докладов, С. 43.
  194. М.В., Пронин И. И. Влияние адсорбционных покрытий на дифференциальные характеристики отражения электронов от монокристаллического вольфрама // VI Всесоюзный симпозиум по ВЭЭ, ФЭЭ и СПТТ, Рязань. 1986, — Тезисы докладов, С. 17.
  195. М.В., Пронин И. И. Формирование силицидов на монокристаллическом вольфраме // XX Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике, Киев, 1987, — Тезисы докладов, Т. 1, С. 6.
  196. М.В., Пронин И. И. Вклад атомного фактора в анизотропию выхода упруго отраженных электронов из монокристаллического вольфрама // Письма в ЖТФ. 1988. — Т. 14. -№ 10. — С. 896−899.
  197. М.В., Пронин И. И. Атомное сечение рассеяния электронов и анизотропия их выхода из монокристаллов // Материалы XVIII Всесоюзного совещания по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1989, — Изд. МГУ, С. 21−23.
  198. М.В., Григорьев А. К., Пронин И. И., Роднянский А. Е. Упругое отражение электронов средней энергии от поверхности ВТСП-керамики // Письма в ЖТФ. 1989. — Т. 15 — № 23 — С. 65−69.
  199. Gomoyunova M.V., Dudarev S.L., Pronin I.I. Incident Beam Diffraction Effects in Auger Electron Emission from Crystal Surfaces // Surf. Sei. -1990.-V. 235-P. 156−168.
  200. M.B., Григорьев A.K., Пронин И. И., Роднянский А. Е. Диагностика поверхности Y-керамики методами упругого инеупругого рассеяния электронов // VII симпозиум по ВЭЭ, ФЭЭ и СПТТ, Ташкент, 1990, — Тезисы докладов, С. 157−158.
  201. М.В., Григорьев А. К., Пронин И. И., Роднянский А. Е. Рассеяние электронов монокристаллом Bi2Sr2CaCu2Ox // ФТТ. 1992. -Т. 34.-№ 3-С. 213−217.
  202. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Osterwalder J., Wolf Th. Medium Energy Kikuchi Patterns from YBa2Cu3Ox (001) // 14th European Conference on Surface Science, Leipzig, 19th-23rd September, 1994, -Abstracts, P. 70.
  203. M.B., Пронин И. И., Фараджев H.C., Вольф Т. Исследование кристаллической структуры приповерхностных слоев монокристалла YBa2Cu3Ox // ФТТ. 1994 — Т. 36. — № 8 — С. 2295−2301.
  204. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Medium-Energy Backscattered Electron Diffraction Patterns from W (100) // Phys. Low-Dim. Struct. 1994. — V.9. — p. 11−20.
  205. M.B., Пронин НИ. Фокусировка электронов низкой энергии в кристаллах // XXV Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва, 1995, -Тезисы докладов, С. 50.
  206. Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Inner-Shell Excitation Enhanced by Primary Electron Focusing //15th European Conference on Surface Science, Lille, 4−8 Sept., 1995, — Abstracts, V.19E, Th Pe 13.
  207. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Medium-Energy Kikuchi Patterns from Ag Adlayers // 15th European Conference on Surface Science, Lille, 4−8 Sept., 1995, — Abstracts, V.19E, Th Pe 14.
  208. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Electron Forward Scattering Along Atomic Chains // 13th International Vacuum Congress, 9th International Conference on Solid Surfaces, Yokohama, Sept. 25−29, 1995,-Abstracts, P.335.
  209. M.B., Пронин И. И. Фокусировка электронов низкой энергии в кристалле // Поверхность. 1995, — № 12. — С. 92−96.
  210. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Osterwalder J., Pronin I.I., Wolf Th. Medium-Energy Kikuchi Patterns from YBa2Cu30x (001) // Surf. Sci. -1995 V. 331−333, P. 1446−1453.
  211. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Orientation of adsorbedthfullerenes from forward- focusing of backscattered electrons // 5 International Conference on Surface Structures, Aix en Provence, July 812, 19%, — Abstracts, Tu-12.25−0.
  212. Farajev JNLS, Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Imaging of the surface structure by forward-focusing of backscattered electrons // 16th European Conference on Surface Science, Genova, Sept. 9−13, 1996, — Abstracts, Tu AP 70.
  213. Knyazev S.A., Pronin I.I. Energy transformation of Kikuchi electron patterns // 16th European Conference on Surface Science, Genova, Sept. 9−13, 1996, — Abstracts, Tu AP 76.
  214. M.B., Пронин И. И., Фараджев H.C. Кикучи-картины каксредство визуализации строения поверхностных слоев твердого тела // Всероссийский симпозиум по эмиссионной электронике, Рязань, -17−19 сентября 1996 г., Материалы симп., с. 57.
  215. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Фокусировка электронов средней энергии при квазиупругом отражении от кристалла //ЖЭТФ. 1996. — Т. 110. — В. 1. — № 7. — С. 311−321.
  216. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Исследование ориентации адсорбированных молекул Сбо с помощью эффекта фокусировки отраженных электронов // ФТТ. 1996, — Т. 38. — № 8. -С. 2,549−2557.
  217. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. The Initial Growth of Ag Layers on Mo (l 10) Studied by MEED // Phys. Low-Dim. Struct. 1996. -V. 7/8.-P. 103−114.
  218. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Imaging the Atomic Structure of the Near-Surface Region by Quasi-Elastically Back-Scattered Electrons // IX European Workshop on MBE, St John’s College, Oxford, -6th-10th April 1997, Abstracts, P-10.
  219. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Phase transition in Ag/Si (l 1Д) system imaged in real-space by back-scattered electrons // 4th Nordic Conference on Surface Science, Alesund, Norway, May 29-June 1, 1997, — Book of Extended Abstracts, pp.66−67.
  220. Faradzhev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Determination of adsorbed fullerenes orientation // 3rd International Workshop on Fullerenes and Atomic Clusters, St. Petersburg, June 30-July 4, 1997, — Abstracts, P. 78
  221. М.В., Пронин И. И. Структурный анализ поверхности на основе эффекта фокусировки электронов средней энергии // Международная конференция «Эмиссионная электроника, новыеметоды и технологии», Ташкент, 4−6 ноября 1997 г. — Тез. докл., С. 20
  222. М.В., Пронин И. И. Влияние фокусировки первичных электронов на их отражение и оже- эмиссию // ЖТФ. 1997, — Т.67 -№ 3. — С. 117−123.
  223. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Визуализация строения поверхностных слоев на основе фокусировки отраженных электронов //Поверхность. 1997. — № 6.- с. 117−121.
  224. И.И., Фараджев Н. С., Гомоюнова М. В. Роль фокусировки электронов в формировании кикучи-картин монокристалла кремния // ФТТ.-1997.-Т. 39.-№ 4.-С. 752−757
  225. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Атомное строение кластеров серебра на кремнии // ЖТФ. 1997. — Т. 67. — № 12. — С. 6266.
  226. И.И., Фараджев Н. С., Гомоюнова М. В. Визуализация структурной перестройки пленки серебра на кремнии // Письма в ЖТФ. 1997. — Т. 23. — С. 35−39.
  227. Гомоюнова М. В»., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Дифракционные картины электронов, квазиупруто рассеянных на адсорбированных фуллеренах // Письма в ЖТФ. 1997 — Т. 23 — № 4 — С. 17−22.
  228. Farajev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I. Surface Crystallography by Forward-Focusing of Quasi-Elastically Reflected Electrons: Physical Basis and AppTications // Phys. Low-Dim.Struct. 1997. — V. ¾. — P. 93−112.
  229. M.B., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Структурный анализ кластеров серебра на поверхности Si(100) // XXVIII Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с крирталлами, Москва 25−27 мая 1998 г., — Тез. докл., С. 73.
  230. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н.С. Закономерности фокусировки электронов при отражении от монокристаллов кремния
  231. XXVirr Международная конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, Москва 25−27 мая 1998 г., — Тез. докл., С. 82.
  232. Pronin IJ., Gomoyunova M.V. Imaging the near-surface atomic structure by forward-focused backscattered electrons // 19th International Seminar on Surface Physics, Polanica Zdroj (Poland), June 15−19, 1998, — Abstracts, P. L-22.
  233. Faradzhev N.S., Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Valdaitsev D.A. Near-Surface Atomic structure of VSe2(0001) // 14th International Vacuum Congress, ICC, Birmingham, 1998 — Abstracts, Session S.S. PTh, P. 297.
  234. Pronin 1.Д., Gomoyunova M.V., Faradzhev N.S. Imaging of the near-surface atomic structure // International Conference: Physics at the Turn of the 21st Century, St. Peterburg, Russia, September 28 — October 2, 1998 -Summaries, P.11.
  235. H.C., Гомоюнова M.B., Пронин И. И. Дифракция некогерентно рассеянных электронов с энергией 1−2 кэВ // Поверхность. 1998. — № 8. — С. 56−59.
  236. И.И., Валдайцев Д. А., Гомоюнова М. В., Фараджев Н. С., Банщиков А. Г. Прибор для визуализации атомной структуры поверхностных слоев на основе эффекта фокусировки электронов // ЖТФ. 1998 — Т. 68. — № 12 — С. 80−84.
  237. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Фокусировка электронов, отраженных от кристалла с потерями энергии. // ЖТФ. -1998: Т. 68,-№ 6.-С. 128−133.
  238. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Кристаллическое строение кластеров серебра, сформированных на поверхности Si(lQO) 2×1 // Письма в ЖТФ. 1998. — Т. 24. — № 7. — С. 51−56.
  239. И.И., Фараджев Н. С., Гомоюнова М. В. Фокусировка электронов при отражении от монокристалла Si(100) // ФТТ. 1998. -Т. 40.-№ 7. -С. 1364−1369.
  240. М.В., Пронин И. И., Фараджев Н. С., Валдайцев Д. А. Кикучи-картины как средство отображения атомной структуры кластеров, сформированных на поверхности твердого тела // Изв. АН, сер. физ. 1998 — Т. 62 — № 10-С. 1996−2001.
  241. Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Faradzhev N.S. Imaging of the atomic structure of near-surface layers by electron focusing // Ioife Institute Prize
  242. Жтпе^ 1997, St. Petersburg, 1998, — P. 1−6
  243. Gomoyunova M.V., Pronin I.I., Faradzhev N.S., Valdaitsev D.A. Recent Developments in Surface Crystallography by Forward Focusing of Backscattered Electrons // Phys. Low-Dim. Struct. 1998 — V. 11/12. -P. 125−143.
  244. Pronin I.I., Gomoyunova M.Y. Imaging of the near-surface atomic structure by forward-focused backscattered electrons // Progress in Surf. Sci. 1998 — V. 59. — No. 1−4. — P. 53−65.
  245. Pronin I.I., Gomoyunova M.V., Faradzhev N.S., Valdaitsev D.A. Realtime imaging of the near-surface atomic structure by backscattered electrons if Atomic Layer Epitaxy /ALENET Workshop, Helsinki, June 20−23, 1999, — Abstracts, P. 4.
  246. Pronin I.I. Imaging of the near-surface atomic structure by inelastically backscattered electrons // 24th Annual Meeting: «Advances in Surface and1. terface Physics», Modern (Italy), December 20−21, 1999, — Abstracts, Tul Iе*, P.IO.
  247. M.B., Пронин И. И., Фараджев H.C., Валдайцев Д. А. Формирование Кикучи-полос в дифракционных картинах электронов средней энергии // ФТТ. 1999 — Т. 41. — № 3. — С. 411−417.
  248. И.И., Гомоюнова М. В., Фараджев Н. С., Валдайцев Д. А. Визуализация атомной структуры приповерхностной области твердого тела // ЖТФ. 1999 — Т. 69. — № 9. — С. 68−71.
  249. Gomoyunova M.V., Faradzhev N.S., Pronin I.I., Valdaitsev D.A. The growth of ultrathin SIC films on silicon from fullerenes // 19th International Conference on Surface Science, Madrid, 5−8 September, 2000, -Abstracts, P. 143, We-P-35.
  250. Гог^оюнова M.B., Пронин И. И., Валдайцев Д. А., Фараджев Н. С. Фокусировка электронов при отражении от слоистого кристалла // ФТТ. -2000 Т. 42. — № 3. — С. 542−547.
  251. Д.А., Гомоюнова М. В., Пронин И. И., Фараджев Н. С. Визуализация структурной перестройки приповерхностной области VSe2 в процессе интеркаляции // Поверхность. 2000. — № 5. — С. 4447.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!