Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фазовые переходы, структура и свойства твердых растворов на основе VO2 и процессы старения в системе V1-xFexO2

Диссертация: Фазовые переходы, структура и свойства твердых растворов на основе VO2 и процессы старения в системе V1-xFexO2
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы обсуждались и докладывались на: Ш Всеукраинской научной конференции «Фундаментальна та професшна пщготовка фах1вщв з ф1зики», Киев, 1998 г., на VII Международной школе — семинаре «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах. Компьютерной моделирование.», Барнаул, 2003 г. (2 доклада), на V Международной научно — технической… Читать ещё >

Фазовые переходы, структура и свойства твердых растворов на основе VO2 и процессы старения в системе V1-xFexO2 (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ .,
  • 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
    • 1. 1. О природе фазового перехода металл-полупроводник в диоксиде ванадия
    • 1. 2. Физические свойства двуокиси ванадия
    • 1. 2. Л. Структурные свойства V
      • 1. 2. 2. Электрические свойства оксидов ванадия
      • 1. 2. 3. Магнитные и оптические свойства оксидов ванадия
      • 1. 2. 4. Теплофизические свойства оксидов ванадия
    • 1. 3. Влияние легирования примесями на свойства VO
      • 1. 3. 1. Структурные свойства легированной двуокиси ванадия
      • 1. 3. 2. Электрические свойства легированной V
      • 1. 3. 3. Магнитные свойства легированной VO
    • 1. 4. Влияние точечных дефектов кристаллического строения на ФПМП
    • 1. 5. Постановка задачи исследования
  • 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Методика съемки рентгенограмм и определение интенсивности дифракционных максимумов
    • 2. 2. Методика измерения температурной зависимости электросопротивления
    • 2. 3. Методика измерения температурной зависимости теплоемкости
    • 2. 4. Методика измерения магнитной восприимчивости
  • 3. ПОЛУЧЕННЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ИХ ОБСУЖДЕНИЕ
    • 3. 1. Двуокись ванадия
      • 3. 1. 1. Синтез и аттестация образцов. Область гомогенности
        • 3. 1. 1. 1. Синтез образцов У02±х. Область гомогенности
        • 3. 1. 1. 2. Аттестация образцов У02±х
      • 3. 1. 2. Электрические свойства V02±x
      • 3. 1. 3. Магнитная восприимчивость V02±x
      • 3. 1. 4. Теплофизические свойства У02±х
      • 3. 1. 5. Обсуждение экспериментальных результатов для образцов V02±x
      • 3. 1. 6. Выводы к разделу
    • 3. 2. Твердые растворы УЬх А1Х
      • 3. 2. 1. Синтез и аттестация образцов Vi. xA1x
        • 3. 2. 1. 1. Приготовление твердых растворов Vi. xA1x
        • 3. 2. 1. 2. Аттестация образцов Vj. xA1x
      • 3. 2. 2. Электрические свойства твердых растворов Vi. x А1Х
      • 3. 2. 3. Магнитная восприимчивость соединений Vix А1Х
      • 3. 2. 4. Теплоемкость твердых растворов Vi. x А1Х
      • 3. 2. 5. Диаграмма фазовых переходов в твердых растворах V!.XA1X
      • 3. 2. 6. Выводы к разделу
    • 3. 3. Твердые растворы УЬх Fex
      • 3. 3. 1. Синтез и аттестация образцов
        • 3. 3. 1. 1. Приготовление твердых растворов Vix Fex
        • 3. 3. 1. 2. Аттестация образцов Vi. xFex
      • 3. 3. 2. Электросопротивление соединений Vi-xFex
      • 3. 3. 3. Магнитные свойства твердых растворов Vi. xFex
      • 3. 3. 4. Теплоемкость соединений Vi-xFex
      • 3. 3. 5. Диаграмма фазовых переходов твердых растворов Vi. xFex
      • 3. 3. 6. Старение диоксида ванадия
        • 3. 3. 6. 1. Температурно-временная модель старения образцов
        • 3. 3. 6. 2. Технологическое решение проблемы старения
      • 3. 3. 7. Выводы к разделу

Актуальность темы

Ряд соединений 3d-, 4dи 5fэлементов под воздействием температуры и давления проявляют фазовые переходы металл — полупроводник (ФПМП), не изменяя при этом своего агрегатного состояния [1]. Ниже температуры перехода материал является полупроводником, выше — проявляет металлические свойства. При переходе претерпевают изменения электрические, магнитные, теплофизические, оптические и др. свойства образцов, что находит применение в технике.

Фазовыми переходами металл-полупроводник обладают диоксид ванадия и твердые растворы на его основе. Благодаря сравнительно простой технологии получения и достаточно удобными для практического применения температурами перехода Тмп (~340 К и выше), соединения на основе диоксида ванадия используются чаще других соединений. Эти материалы применяют для изготовления ограничителей пусковых токов в устройствах электротехники и электроники, изготовлении терморезисторов, термореле, устройств автоматического контроля. Прикладной интерес обусловлен возможностью синтеза на основе VO2 тонкопленочных интерферометров, используемых в качестве реверсивной среды для записи голограмм, а так же в качестве модуляторов ИК-излучения.

Структура и свойства твердых растворов и соединений на основе диоксида ванадия зависят от множества факторов, как технологических, так и физико-химических [2].

Большой проблемой в практическом использовании диоксида ванадия является способность к окислению до устойчивого соединения пятиокиси ванадия (или гетерогенного материала на его основе), причем в литературе однозначных сведений о зависимости скорости окисления от различных факторов не имеется. Тем более, не имеется сведений о свойствах, которыми обладают «состарившиеся» материалы.

Если понимать процесс старения, как распад твердого раствора, то решение этой проблемы надо искать в стабилизации метастабильной фазы, для чего, обычно, используют легирование диоксида ванадия 3dи Зр-элементами. Нам представляется, что в качестве перспективных легирующих добавок могут быть выбраны железо и алюминий. Их влияние на параметры фазового перехода в диоксиде ванадия, а также устойчивость к окислению легированной двуокиси ванадия систематически не изучались.

В связи со сказанным, наиболее целесообразным, как с научной, так и с практической точек зрения, представляется комплексное исследование синтезированных препаратов диоксида ванадия и твердых растворов на его основе, как наиболее «простых» объектов среди материалов, обладающих фазовыми переходами металл — полупроводник.

Цель работы. Изучить влияние легирования алюминием и железом, а также процессов окисления на физические свойства и фазовые переходы в твердых растворах на основе диоксида ванадия. Разработать методы, препятствующие процессам старения в исследуемых образцах.

Научная новизна.

1. Из анализа электронного и решеточного вкладов в изменение энтропии фазового перехода металл-полупроводник для образцов V02±x, Vj. xFex02 и VixA1x02 показано, что и электронный механизм Мотта, и механизм изменения кристаллической решетки Пайерлса определяют фазовый переход металл-полупроводник.

2. Предложена температурно-временная модель старения образцов, основанная на сравнении свойств образцов 20-летней выдержки со свойствами образцов, находившихся в температурных условиях, имитирующих старение. Установлен механизм старения, как окисление части ионов ванадия до соединения V2O5, которое не проявляет фазовый переход металл-полупроводник.

3. На основе предложенной модели разработан метод, препятствующий старению твердых растворов диоксида ванадия за счет их легирования железом.

Практическая значимость работы.

1. Выведена формула, которая связывает величину скачка электросопротивления при фазовом переходе металл-полупроводник со временем окисления. Спрогнозированы временные изменения параметров фазового перехода для промышленно применяемых датчиков.

2. Полученные в ходе выполнения диссертационной работы результаты используются на предприятиях ООО НТК «Криогенная техника», ОАО СНГ трест «Сургутнефтегеофизика», о чем имеются соответствующие документы (акт № 04−315 от 01.11.2004 г., справка № 01−11−04−477).

Положения, выносимые на защиту.

1. Результаты исследования физических свойств и параметров фазового перехода в системах V02±x. Влияние легирования двуокиси ванадия железом и алюминием на кинетические параметры фазового перехода металлполупроводник (величину скачка электросопротивления при ФПМП, гистерезис фазового перехода, температурную ширину перехода).

2. Электрические, магнитные и теплофизические (теплоемкость) свойства различных структурообразующих фаз в системах Vi. xFex02 и Vj. хА1×02.

3. Механизм старения твердых растворов на основе диоксида ванадия, обусловленный окислением ионов ванадия до соединения V2O5.

4. Температурно-временная модель старения образцов и формула, связывающая величину скачка электросопротивления при фазовом переходе металл-полупроводник со временем нахождения образца в условиях, имитирующих старение.

5. Техническое решение замедления процесса старения твердых растворов на основе диоксида ванадия за счет легирования железом.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы обсуждались и докладывались на: Ш Всеукраинской научной конференции «Фундаментальна та професшна пщготовка фах1вщв з ф1зики», Киев, 1998 г., на VII Международной школе — семинаре «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах. Компьютерной моделирование.», Барнаул, 2003 г. (2 доклада), на V Международной научно — технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин», Омск, 2004 г., на IV семинаре СО РАН — УрО РАН (Всероссийской конференции) «Термодинамика и материаловедение. Химия твердого тела и функциональные материалы», Екатеринбург, 2004.

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 9 печатных работах, из которых 3 статьи в реферируемых журналах, 6 статей в журналах и сборниках трудов международных и Всероссийских научных конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав, заключения, выводов и четырех приложений, изложена на 139 страницах, включает 68 рисунков, 46 таблиц, список литературы из 108 наименований.

ВЫВОДЫ

1. Изучены образцы V02±x, Vj. xFex02 и Vi. xA1x02, обладающие фазовым переходом металл — полупроводник (ФПМП). Температура перехода (Тмп) в пределах области гомогенности V02±x возрастает с ростом «х» от 338 К до 341 К, для соединений Vi. xFex02 ТМп имеет значение 340 К, для препаратов Vi. xA1x02 с увеличением «х» температура перехода возрастает от 340 К до 350 К. Скачок электросопротивления при ФПМП наибольший для диоксида ванадия, близкого по составу к стехиометрическому, и составляет 4 порядка и уменьшается с увеличением содержания железа и алюминия в диоксиде ванадия. Температурный гистерезис электросопротивления при ФПМП не превышает 10 К.

2. В препаратах Vi. xFex02 и VixAlx02 в области температур ниже температуры ФПМП обнаружены фазовые переходы I рода полупроводникполупроводник с изменением кристаллической структуры. Температуры переходов, установленные по данным электросопротивления и теплоемкости, хорошо согласуются между собой. Построены диаграммы фазовых переходов для систем VixA1x02h Vi. xFex02.

3. Изучена зависимость магнитной восприимчивости от температуры для образцов V02±x, Vj. xFex02 и Vi. xA1x02, значение которой в области фазового перехода скачком возрастает с увеличением температуры.

4. Выделены электронный (АБэл) и решеточный (ASpelq) вклады в изменение энтропии при ФПМП для образцов V02±x, Vi. xFex02 и Vi. xA1x02. Корреляция AS3n и ASpEiu с температурой перехода для чистои двуокиси в пределах области гомогенности позволяет сделать вывод о том, что и электронный механизм Мотта, и механизм изменения кристаллической решетки Пайерлса определяют фазовый переход металл-полупроводник.

5. Предложена температурно-временная модель старения образцов, основанная на сравнении свойств образцов 20-летней выдержки со свойствами образцов, находившихся в температурных условиях, имитирующих старение. Выведена формула, которая связывает величину скачка электросопротивления при фазовом переходе металл-полупроводник со временем окисления. Полученный результат позволяет сделать долгосрочный прогноз времени эксплуатации термодатчиков, изготовленных на основе диоксида ванадия.

6. Экспериментально показано, что легирование железом замедляет процесс старения твердых растворов на основе двуокиси ванадия.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В ходе выполнения диссертационной работы были синтезированы образцы диоксида ванадия V02±x в пределах области гомогенности (VO 1,990, VO 1,995, VO 1,998, V02, ooi, V02. oio, V02. o3o), а также твердые растворы на основе двуокиси ванадия, легированной железом Vi. xFex02 (V0.99Fe0.01O2, V0)97Fe0,03O2, V0>93Fe0)07O2, V0>9iFe0)09O2, Vo.87Feo.13O->) и алюминием VixA1x02 (V0.99Al0.0iO2, Vo, 98A1o. o202, V0,97Al0−03O2, Vo>95A10>0502, V0.93AI0.07O2, V0−9lAl0)09O2, Vo, 89A1o. ii02, Vo. s7Alo.13O2). Аттестация полученных порошкообразных образцов, выполненная с помощью рентгеноструктурного анализа, показала, что все исследуемые образцы являются однофазными. Рассчитаны значения параметров кристаллической решетки как для чистой двуокиси ванадия, так и для твердых растворов.

В образцах V02±x, VixA1x02 и VixFex02 происходит фазовый переход металл — полупроводник (ФПМП). Были изучены температурные зависимости электросопротивления (р), магнитной восприимчивости (х) и теплоемкости при постоянном давлении (Ср) в интервале температур от 100 К до 400 К. В препаратах Vi. xFex02 и Vi. xAlx02 помимо перехода металл-полупроводник при низких температурах были обнаружены переходы полупроводник — полупроводник с перестройкой кристаллической структуры. Температуры переходов определялись методом электросопротивления и методом теплоемкости. По данным исследования теплоемкости рассчитаны изменения энтропии фазовых переходов для образцов V02±x, Vj. xAb^ и Vi. xFex02. Путем совместной обработки результатов измерения теплоемкости и магнитной восприимчивости для перехода металл-полупроводник выделены электронный (ASan) и решеточный (ASpeui) вклады в изменение энтропии.

Образцы V02±x, VixAlx02 и VixFex02 являются парамагнетиками как в полупроводниковом, так и в металлическом состояниях. В области фазового перехода ФПМП магнитная восприимчивость у всех образцов скачком возрастает с увеличением температуры, что связано с добавочным вкладом в полную восприимчивость появлением в 3d — зоне ванадия электронов проводимости (свободных электронов).

Изменение содержания кислорода в препарате УОг±х и легирование диоксида ванадия железом или алюминием приводит к появлению в кристаллической решетке образцов дефектов типа «вычитания» или «внедрения», что вызывает появление дополнительных пиков в фононном спектре и является причиной изменения температуры Дебая.

Диаграмма фазовых переходов, построенная нами для Vi. xFex02, близка к известным из литературных источников. Величины энтропии соответствующих фазовых переходов уменьшаются с ростом «х». Наблюдается тенденция уменьшения с ростом «х» электронной АБэл и решеточной ASpeui составляющих энтропии.

Диаграмма фазовых переходов для твердых растворов Vi. xA1x02, построенная нами, несколько отличается от таковой для Vi. xFex02. В частности, в низкотемпературной области для Vi-xAlxCb отсутствует, по сравнению с Vi. xFex02, одна полупроводниковая фаза. Кроме того, концентрационная область существования фазы Mi для Vi. xAlx02 значительно меньше, нежели для Vi. xFex02.

Были изучены свойства «состарившихся» образцов Vi. xFex02. Кинетические параметры ФПМП (скачок электросопротивления при фазовом переходе, температурная ширина перехода, гистерезис), измеренные на образцах Vi. xFex02, спустя более двадцати лет после их синтеза, значительно уступают таковым для вновь синтезированных препаратов. Значительно уменьшается скачок электросопротивления при ФПМП, увеличивается температурная ширина перехода. Это связано с процессом «старения» образцов в результате окисления и распада твердого раствора. Изучение механизма старения позволило разработать модель процесса, на основе которого удалось выявить основные его закономерности, что в конечном итоге позволяет строить долгосрочный прогноз эксплуатации датчиков типа Vi. xFex02 без существенных изменений электрофизических свойств материала.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. — 342 с.
  2. Р.А. Влияние условий синтеза на фазовый переход металл- полупроводник в тонких пленках диоксида ванадия / Р. А. Алиев, В. А. Климов // ФТТ. — 2004, — Т. 46, № 3. — С. 515−519.
  3. А.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение / А. А. Бугаев, Б. П. Захарченя, Ф. А. Чудновский // Л.: Наука, 1979.- 183 с.
  4. М.А. Изменение орбитальной симметрии локализованного 3d1-электрона иона V4+ при переходе металл изолятор в У02 / М. А. Коротин, Н. А. Скориков, В. И. Анисимов // Физика металлов и металловедение. -2002.- Т. 94, № 1. — С. 22−29.
  5. Е.Б. О природе фазового переход, металл-полупроводник в диоксиде ванадия / Е. Б. Шадрин, А. В. Ильинский // ФТТ. — 2000. — Т. 42, № 6,-С. 1092−1099.
  6. A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твердом состоянии УФН. — 1974. — Т. 113, № 69. -С. 2023−2026.
  7. JI.A. Получение пленок окислов ванадия в равновесных условиях и их некоторые свойства / J1.A. Береснева, JI.JI. Васильева, С. Ф. Девятова // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. — 1979. — Т. 15, № 8. — С. 14 061 410.
  8. Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник в окислах ванадия Материалы 6-ой Зимн.школы по физике полупроводников. -Ленинград: Наука. — 1975. — С. 379−415.
  9. Vanadiumdioxide / W. Bruckner et al. // Akamemie-Verlag, Berlin, 1994. — S. 252.
  10. Pickett W.E. Reformulation of the LDA+U method for a localorbital basis / W.E. Pickett, S.C. Erwin, E.C. Ethridge // Phys.Rev. B. 1998. — V. 58, № 3.- P.1201−1209.
  11. Altanhan T. Elektronic structure near metal-insulator transition of VO2 -J. Phys. C: Sol. Stat Phys. 1987. — У. 20. — P. 949−952.
  12. Wentzcovitch R.M. V02. Peierls of Mott-Hubbard? A view from band theory / R.M. Wentzcovitch, W.W. Schulz, P.B. Allen // Phys. Rev. Letters. -1994. V.72, № 21. — P.3389−3392.
  13. Imada M. Metal-insulator transitions / M. Imada, A. Fujimori, Y. Tokura // Rev. Mod. Phys. 1998. — V.70, № 4. — P. 1039−1263.
  14. A.B. Электронная структура металлической фазы и переход металл-изолятор в V02 / A.B. Николаев, Ю. Н. Косторубов, Б.В. Андреев//ФТТ. 1992. — Т.34, № 10. — С. 3011−3018.
  15. Rise Т.М. Comment on «V02: Peierls or Mott-Hubbard? A view from band theory / T.M. Rise, H. Launois, J.P. Pouget // Phys. Rev. Letters. 1994. -V.73, № 22. — P.3042.
  16. А.Г. Фазовый переход при сильном электрон-фонном взаимодействии / А. Г. Аронов, Е. К. Кудинов // ЖЭТФ. -1968. Т.55, №.4. — С. 1344−1355.
  17. Elektronic structure of V02 stadied by x-ray photoelectron and x-ray emission spectroscopies / E.Z. Kurtaev et al. // J. Phys.: Condens. Matter. 1998. -V 10, № 18. — P.4081−4091.
  18. Maurer D. Elastic behavior near metal-insulator transition of V02 / D. Maurer, A. Leue, R. Heichele // Phys. Rev. B. 1999. — V.60, № 19. — P. 1 324 913 252.
  19. Stefanovich G. Elektrical switching and Mott transition in V02 / G. Stefanovich, A. Pergament, D. Stefanovich // Phys.: Condens. Matter. 2000. — V 12, № 41. — P.8837−8845.
  20. Nakatsugawa H. Elektronic structure in V02 using the periodic polarizable pointion shell model and DV-Xa method / H. Nakatsugawa, E. Iguchi // Phys. Rev. B. -1997. V.55, № 4. — P.2157−2163.
  21. Continenza A. Self-energy correction in V02 within a model GW scheme / A. Continenza, S. Massida, M. Posternak // Phys. Rev. B. 1999. — V.60, № 23.-P.l5699−15 704.
  22. H.H. Введение в квантовую статистическую механику / Н. Н. Боголюбов, Н. Н. Боголюбов (мл.) // М.: Наука, 1984. С. 282.
  23. В. С. Физика спин-стекольного состояния // УФН. 1993. -Т.6,№ 1.-С. 151.
  24. В.И. Сверхбыстрые вибрационные фазовые переходы в полупроводниках под действием фемптосекундных лазерных импульсов / В. И. Емельянов, Д. В. Бабак // ФТТ. 1999. — Т. 41, № 8. — С. 1462−1467.
  25. А.Р. Вторично-электронные методы исследования твердого тела / А. Р. Шульман, С. А. Фридрихов // М.: Наука, 1977. 552 с.
  26. И. Лазеры сверх коротких световых импульсов / И. Херман, Б. Вильгельми // М.: Мир, 1986. 386 с.
  27. И. Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978.191 с.
  28. Сверхпроводимость полупроводников и переходных металлов / М. Коэн и др. // М.: Мир, 1972. — 316 е.
  29. Э.М. Структура и физические свойства соединений Vi"xFex02 и FeV206: Автореф.дис.канд.физ.-мат.наук. Свердловск, 1987. — 165 с.
  30. Adler D. Insulating and metallic states in transition metal oxides // Sol. St.Phys.- 1968.-V.21, — P. 1−39.
  31. О. Физика твердого тела: локализованные состояния. -М.: Наука, 1985.- 144 с.
  32. Habbard J.C. Electron correlations in narrow energy bands // Proc. Roy. Soc. 1963. -V. A 276. — P. 238 — 257.
  33. Zylbersztejn A. Metal-insulator transition in vanadium dioxide / A. Zylbersztejn, N.F. Mott // Phys. Rev. 1975. — V. 11, № 11. — P. 4383 — 4395.
  34. И.А. Мартенситные эффекты при фазовом переходе металл-диэлектрик в пленке диоксида ванадия / И. А. Хахаев, Ф. А. Чудновский, Е. Б. Шадрин // ФТТ. 1994. — Т. 36, № 6. — С. 1643−1649.
  35. А. Л. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред / А. Л. Эфрос, Б. И. Шкловский // УФН. 1975. — Т. 117, № 3, С. 401−435.
  36. Фазовый состав и фазовый переход металл-полупроводник в термически окисленной ванадиевой бронзе / В. Н. Андреев и др. // ФТТ. -1980. Т. 22, № 12. — С. 3695−3697.
  37. И.И. Синтез и физические свойства FeV206 / И. И. Миллер, В. И. Суриков, Э. М. Ярош, Л. Ф. Калистратова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1985. — Т.21, № 7. — С. 1207 — 1210.
  38. Исследование окисдных ванадийхромовых катализаторов окисления метанола в формальдегидах / Л. Н. Курина и др.// Кинетика и катализ. 1970. — T. l 1, № 3. — С. 753 — 755.
  39. Kosuge К. Phase diagram and magnetism of V203 V205 system / K. Kosuge, T. Takaba, S. Kashi // J. Phys. Soc. Japan. — 1963. -V. 18. — P. 318 — 319.
  40. Kawakubo T. Phase transition in V02 / T. Kawakubo, T. Nagakawa // J. Phys. Soc. Japan. 1964. -V. 19. — P. 517 — 519.
  41. McWhan D.B. X ray diffraction study of metallic V02 / D.B. McWhan, M. Marezio, I.P. Remeika // Phys. Rev. B. — 1974. — V. 10, № 12. — P. 490−495.
  42. Minomura S. The effect of Pressure on the Metal to — Insulator transition in V2O4 and V203 / S. Minomura, H. Nagasaki // J. Phys. Soc. Japan. -1964. -V. 19.- P. 131−132.
  43. Rao K.V.K. Thermal Expansion Tetragonal Phase of V02 / K.V.K. Rao, S.V.N. Naidu, L. Iyengar // J. Phys. Soc. Japan. 1967. -V. 23. — P. 1380 — 1382.
  44. Kucharczyk D. Accurate X ray determinations of the lattice parameters and the thermal expansion coefficients of V02 near the transition temperature / D. Kucharczyk, T. Niklewski // J. Appl. Cryst. -1970. — V. 12. — P. 370 — 373.
  45. Т.Г. Гистерезисные явления при фазовом переходе металл-полупроводник в окислах ванадия / Т. Г. Ланская, И. А. Меркулов, Ф. А. Чудновский // ФТТ. 1978. — Т. 20, № 5, С. 1201 — 1205.
  46. Г. А. Размытые мартенситные переходы и пластичность кристаллов с эффектом памяти формы // УФН. 2001. — Т. 171, № 2. — С. 187 191.
  47. И.Т. Терморезисторы. М.: Наука, 1973. — 415 с.
  48. П.П. Влияние электрического поля на переход металл-изолятор с образованием сверхструктуры / П. П. Борисков, А. А. Величко, Г. Б. Стефанович // ФТТ. 2004. — Т. 46, № 5. — С. 895−898.
  49. A.JI. Учет несферичности атомных волновых функций электрона в теории структурного фазового перехода пайерлсовского типа // ФТТ. 2000. — Т. 42, № 10. — С. 1842−1846.
  50. A.JI. Индуцированная постоянным электрическим полем гетерофазная структура на поверхности пайерлсовского металла // ФТТ. -2000. Т. 42, № 6. — С. 1125−1130.
  51. Berglund C.N. Electronic properties of V02 near the semi conductor-metal transition / C.N. Berglund, H.I. Guggernheim // Phys. Rev. 1969. — V. 185, № 3. — P. 1022- 1033.
  52. JI.H. Структурный (пайерлсовский) переход в квазиодномерных кристаллах // УФН. -1975. Т. 115, № 2. — С. 263−269.
  53. С.Н. Квазиодномерные проводники с волной зарядовой плотностью / С. Н. Артеменко, А. Ф. Волков, С.В. Зайцев-Зотов // УФН. -1996. Т. 166, № 4. — С. 434−440.
  54. Влияние электрического поля на переход металл-изолятор в диоксиде ванадия / П. П. Борисков и др. // Письма в ЖТФ. 2002. — Т.28, № 10. -С.13−16.
  55. Переход металл-изолятор в диоксиде ванадия / П. П. Борисков и др. // Материалы Всерос. науч. конф. «Физика полупроводников и полуметаллов». СПб. 2002. СПб, 2002. — С. 13−15.
  56. Г. В. Переход металл-диэлектрик в сульфидах Зd-мeтaллoв / Г. В. Лосева, С. Г. Овчинникова, Г. А. Петраковский // Физика магнитных явлений Новосибирск: Наука, 1983. — 144 с.
  57. Дж. Теория энергетической зонной структуры. М.: Мир, 1969.-360 с.
  58. В.Г. Локализация 3d-aneKTp0H0B в твердых растворах У02+Аг / В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев // ФТТ. 1981. — Т. 23, № 4.-С. 1482−1488.
  59. А.Л. Двухпараметрическая модель фазового перехода металл-полупроводник в квазиодномерной системе // ФТТ. 1997. — Т. 39, № 5. — С. 925−929.
  60. A.JI. Фотоиндуцированная неустойчивость и фазовый переход полупроводник металл в системе Пайерлса // ФТТ. — 1998. — Т. 40, № 11. — С. 2113−2119.
  61. Влияние внешнего магнитного поля на фазовый переход металл-диэлектрик в окислах ванадия / Е. И. Терунов и др. // ФТТ. 1979. — Т. 21, № 12. — С.3724−3727.
  62. Д. Магнетизм и химическая связь. М.: Металлургия, 1968.-325 с.
  63. Н.И. Оптический спектр двуокиси ванадия в полупроводниковой фазе / Н. И. Лазукова, В. А. Губанов // Оптика и спектроскопия. 1977. — Т.42, № 6. — С. 1200−1202.
  64. В.Г. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-металл / В. Г. Мокеров, В. В. Сарайкин // ФТТ. 1976. — Т. 18, № 7. — С. 1801−1805.
  65. Cook О.A. High- temperature heat contens of V2O3, V204 and V205 // J. Am. Chem.Soc. 1947. — V. 69. — P. 331 — 333.
  66. C.B. Электронные и фононные характеристики оксидныхфаз ванадия с переходом металл-диэлектрик: Автореф.дис.канд.физ, мат.наук. Свердловск, 1986. — 161 с.
  67. Г. А. Исследование термодинамических свойствокислов титана и ванадия: Автореф.дис.канд.хим.наук. Новосибирск, 1977.-17 с.
  68. Теплоемкость соединений Vix Fex02 в области фазовых переходов / Суриков В. И. и др. // ФТТ. 1979. — Т.21, № 6. — С.1863−1865.
  69. Г. А. Термодинамика фазовых переходов в окислах ванадия / Г. А. Березовский, И. Е. Паунов // Материалы II Всесоюзной конференции «Фазовые переходы металл-диэлектрик», 1977: Тез.докл. -Москва-Львов, 1977. С.103−105.
  70. А.И. Керамика на основе диоксида ванадия / А. И. Ивон, В. Р. Колбунов, И. М. Черненко // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. -1996.-Т. 32,№ 5.-С. 624−626.
  71. В.Я. Электросинтез монокристаллов V02 в оксидных ванадиево-фосфатных расплавах / В. Я. Василенко, А. И. Ивон, И. М. Черненко // Кристаллография. 1983. — Т.28, № 4. — С.830−830.
  72. М.А. Получение и некоторые свойства стехиометрических оксидов ванадия / М. А. Абдуллаев, И. К. Камилов, Е. И. Теруков // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 3. -С. 338−341.
  73. Цвет и визуальный контраст изображения на термохромном материале ФТИРОС / Захарченя Б. П. и др. // ЖТФ. 1979. — Т.49, № 5. -С.1008−1012.
  74. Ф.А. Фазовый переход металл- полупроводник в окислах ванадия и его техническое применение // ЖТФ. 1975. — Т.45, № 8. -С.1561−1583.
  75. Л.Ф. Рентгенографическое исследование твердых растворов V,.x FexC>2 в области фазовых переходов / Л. Ф. Калистратова, Э. М. Ярош // ФТТ. 1985. — Т.27, № 3. — С.904−907.
  76. Влияние всестороннего давления на фазовый переход металл-диэлектрик в монокристаллах / Е. И. Теруков Е.И. и др. // ФТТ. 1980. — Т. 22,№ 5.-С. 1374- 1378.
  77. Ю.П. О диаграмме состояний системы железо-ванадий-кислород / Ю. П. Воробьев, Г. И. Чуфаров // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. -1970. Т.6, № 2. — С.319−321.
  78. Г. Влияние отклонения стехиометрии и концентрации легирующей примеси на переход полупроводник металл в двуокиси ванадия // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. -Новосибирск: Наука, 1977. — С. 80−98.
  79. Синтез и некоторые свойства моно- и поликристаллической двуокиси ванадия / В. И. Миллер и др. // Литовс.физ. сб. 1977. — Т.17, № 5. -С.639−642.
  80. И.М. Пороговое переключение в объемных образцах ванадиево-фосфатных стекол // Изв. АН СССР. Неорган.материалы. 1981. -Т.17, № 5. — С.934−935.
  81. Bruckner W. Condactivity transition in (Ga + Mo) doped V02 / W. Bruckner, M. Wolf, W. Moldenhauer // Phys. Stat. Sol. (a). — 1978. — V. 47. — P. 129- 135.
  82. Futtaki H. Effects of varicus doping elements on the transition temperature of vanadium oxide semiconductors / Futtaki H., Aoki M.// Jap. Journ. Appl. Phys. 1969. — V. 8, № 8. — P. 1008 — 1013.
  83. Bruckner W. Metal nonmetal transition in Fe — and A1 — doped У02 / W. Bruckner, M. Wolf, W. Moldenhauer // J. Physique. — 1976. — V. 37, № 10. — P. 63−68.
  84. Переменный резистор: Изобретение / Ярош Э. М., Миллер И. И., Шепелев Н.В.- Омск.политехн.ин-т. -№ 4 000 506/21- Полож. решение от 26.11.86.
  85. Prodan A. The metal- semiconductors transition in MoxVi. x02 crystals / A. Prodan, V. Marinkovic, M. Prosek // Mater. Res. Bull. 1973. — V. 8. — P. 551 -558.
  86. Магнитные свойства и фазовые переходы ортованадатах Fe, Сг, Со, Ni и твердых растворах МехУ!.х02/ Э. М. Ярош и др. // Всесоюз. конференция «Физика магнитных явлений». Харьков. 1979: Тез. докладов. Харьков, 1979.-С.410.
  87. Изучение влияния нестехиометрии на температуру фазового перехода двуокиси ванадия методом ИК-спектроскопии / В. А. Переляев и др.// ЖНХ. 1977. — Т. 22, № 9. — С. 2344−2347.
  88. В.Г. Влияние отклонения от стехиометрического состава на электронную структуру и фазовый переход металл-изолятор в двуокиси ванадия / В. Г. Мокеров, А. Р. Бегишев, А. С. Игнатьев // ФТТ. 1979. — Т. 21, № 5.-С. 1482−1488.
  89. Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый переход в двуокиси ванадия / С. В. Данилов и др. // IV Всесоюзное совещание «Химия, технология и применение ванадиевых соединений». г. Нижний Тагил, 1982: Тезисы докладов. Свердловск, 1982. — С.42.
  90. P.O., Халлман Р. В. Способ получения тонких пленок недоокиси ванадия: А. С. № 340 129 кС23с. 14/00 США от 27.6.1972.
  91. Теплофизические свойства некоторых ванадийсодержащих соединений / Миллер И. И. и др.// ИФЖ. -1980. Т. 39, № 6. — С.1115−1116.
  92. С.В. Рентгенографический и электроннооптический анализ / С. В. Горелик, JI.H. Расторгуев, Ю. А. Скачков // М.: Металлургия, 1970. -366 с.
  93. Влияние отклонения от стехиометрии на фазовый переход в двуокиси ванадия / Вад.И. Суриков, Вал.И. Суриков, Ю. В. Кузнецова, С. В. Данилов // Материаловедение. 2004, № 1. — С. 18−21.
  94. Фазовые переходы в системе ванадий алюминий — кислород / Вад.И. Суриков, Вал.И. Суриков, Ю. В. Кузнецова, С. В. Данилов // Всероссийская конференция «Химия твердого тела и функциональные материалы»: Тез. докл. — Екатеринбург, УрО РАН, 2004. — С. 421.
  95. Изучение влияния нестехиометрии на температуру фазового перехода двуокиси ванадия методом ИК-спектроскопии / В. А. Переляев и др./ /ЖНХ. 1977. — Т. 22, № 9. — С. 2344−2347.
  96. Л.И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. М.: Из-во физ.-мат.лит-ры, 1961. — 850 с.
  97. С.В. Рентгенографический и электроннооптический анализ. Приложение / С. В. Горелик, Л. Н. Расторгуев, Ю. А. Скачков // М.: Металлургия, 1970. 107 с.
  98. С.В. Теплоемкость и электросопротивление некоторых окислов ванадия / С. В. Данилов, Ю. В. Кузнецова, Н. В. Сурикова // Омск: ОмГТУ, 1998. 21 с. — Деп. в ВИНИТИ 25.12.98, № 3860-В98.
  99. Электронная теплоемкость V3GA и V203 при низких температурах / Вад.И. Суриков и др. // Известия ВУЗов, физика. 1981. — № 4. — С.112 — 114.
  100. В.И. Фазовые переходы в твердых растворах Vi.xA1x02 / В. И. Суриков, Ю. В. Кузнецова, О. В. Кропотин // Материаловедение. 2001. -№ 11.-С. 18−20.
  101. Pintchovski F. Experimental study of the electronic and lattice contributions to the V02 transition / F. Pintchovski, W.S. Glaunsinger, A. Navrotsky // J. Phyz. Chem. Sol. 1978. — V. 39. — P. 941 — 949.
  102. Brucner W. Phass diagram of VixAlx02 / W. Brucner, U. Gerlach, R. Thuss // Phys.stat.sol. (a). 1975. — V 40. — P. 131−134.
  103. Физические свойства твердых растворов Vi. xFex02 / Вад.И. Суриков, Вал.И. Суриков, С. В. Данилов, Ю. В. Кузнецова, Э. М. Ярош, В. П. Шабалин, Н. А. Прокудина // Омский научный вестник. 2004. — В. 26. — С. 68 — 70.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!