Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл — GaAs

Диссертация: Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл — GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При описании данных процессов часто ограничиваются простыми моделями, основанными на ряде приближений квантовой теории твердого тела. Однако для комплексного понимания электронных процессов в ОПЗ контактов металл — полупроводник, а следовательно, и работоспособности приборов этого недостаточно. Поэтому исследование механизмов переноса носителей заряда в ОПЗ и их влияния на электрические свойства… Читать ещё >

Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл — GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Влияние электрического поля на вероятность безызлучательных и оптических переходов с участием глубоких центров в ваАв
  • Основные электрофизические свойства ваАз
  • Дефекты в ваАз
  • Примеси
  • Собственные дефекты Ловушка ЕЬ2. Комплексы Ува-О
  • Электронно-колебательные переходы в полупроводниках в присутствии электрического поля
  • Однокоординатная модель
  • Модели, описывающие электронноколебательные переходы с глубоких примесных центров в сильных электрических полях
  • Выводы
  • Расчет полевых зависимостей скоростей эмиссии носителей с глубоких примесных центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода

Алгоритм расчета полевых зависимостей скорости эмиссии с глубоких центров. Квантово-механический расчет вероятности безызлучательного перехода с локализованных состояний глубоких центров. Экспериментальное определение форм-функции оптического перехода по спектрам фотолюминесценции. Образцы для исследования.

Спектры фотолюминесценции эпитаксиальных слоев ваАБ.

Расчет форм-функции излучения для комплекса УСа8Аз в ваАэ из экспериментальной полосы люминесценции.

Создание и исследование барьеров Шоттки ОаАэ.

Создание на исследуемых пластинах СаАз:8 поверхностно — барьерных контактов металл-полупроводник.

Исследование контактов ЫШаАз.

Измерение полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса Уоа8А5 вваАз.

Расчет полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса в ваЛв и сопоставление его с экспериментальными данными.

Выводы.

Расчет вероятности безызлучательных электронных переходов в однокоординатном приближении.

Расчет моментов форм-функций оптических переходов и анализ характеристик электронных переходов.

Расчет первых моментов полос излучения комплексов Уоа$А5 и Уоа8п0а. Анализ моментов полос излучения комплексов УсаЯл* И Уоа8п0а.

Определение параметров электрон-фононного взаимодействия. Построение конфигурационно-координатных диаграмм.

Расчет полевых зависимостей скоростей термической эмиссии на основании моделей однокоординатного приближения. Анализ применимости однокоординатной модели к описанию полевой зависимости скорости эмиссии дырок с глубокого уровня комплекса уог^аз в оааб.

Выводы.

Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях.

Расчет вероятности фотоионизации глубоких центров в сильных электрических полях. Измерение сечений фотоионизации электронов на глубоком центре комплекса Уса-8А5 в ваАз. Расчет форм-функции полосы оптического поглощения комплекса У0а-8Ая. Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса Ува^ав из экспериментальных спектров сечения фотопроводимости. Расчет форм-функции полосы поглощения комплекса Ува-^Аз из форм функции полосы его излучения.

Сравнение форм-функций полосы поглощения комплекса Ува^Ав* полученных разными методами при различных полях. Расчет полевой зависимости сечения

Актуальность темы

Физические процессы, происходящие в. области пространственного заряда (ОПЗ), являются важнейшими для понимания механизмов функционирования полупроводниковых приборов, их параметров и качества. Важность исследования таких процессов особенно возросла после перехода к планарной технологии при изготовлении приборов для микроэлектроники и вычислительной техники, когда практически весь рабочий объем прибора стал представлять собой ОПЗ.

Важнейшими задачами создания сверхбыстродействующих схем вычислительной техники и обработки информации являются повышение быстродействия и уменьшение потребляемой мощности. При этом первая задача решается путем выбора полупроводниковых материалов с высокой подвижностью носителей заряда, а вторая — снижением рабочих напряжений приборов. В связи с этим расширяется использование диодов Шоттки на основе А3В5 в СВЧ технике, оптике и оптоэлектронике.

В настоящее время ведется разработка и проектирование полупроводниковых приборов и интегральных микросхем СВЧ диапазона с применением полевых транзисторов с затвором Шоттки на основе ОаАБ. Данное направление СВЧ техники определилось как самостоятельное. Эти приборы широко используются в радиоприемной, радиопередающей и измерительной аппаратуре СВЧ диапазона. В таком случае возникает ряд новых задач, связанных в частности, с необходимостью увеличения входного сопротивления затвора полевых транзисторов на ваАБ, а также существенного улучшения характеристик других приборов — к примеру, добротности и коэффициента перекрытия по емкости СВЧ-варикапов.

Таким образом, развитие полупроводниковой СВЧ электроники и интегральных микросхем с применением полевых транзисторов с затвором 6.

Шоттки на основе ОаАэ является основанием для более детального исследования самого материала и электронных процессов, происходящих в ОПЗ приборов на его основе.

При описании данных процессов часто ограничиваются простыми моделями, основанными на ряде приближений квантовой теории твердого тела. Однако для комплексного понимания электронных процессов в ОПЗ контактов металл — полупроводник, а следовательно, и работоспособности приборов этого недостаточно. Поэтому исследование механизмов переноса носителей заряда в ОПЗ и их влияния на электрические свойства приборов является актуальной задачей и имеет существенное научное и практическое значение.

Цель работы. Целью работы является исследование механизмов увеличения вероятности электронных переходов с глубоких центров в ОПЗ полупроводниковых приборов и влияния этих процессов на обратные вольт-амперные характеристики контактов металл — полупроводник. Для достижения данной цели в работе поставлены и решены следующие задачи:

• получение выражения для вероятности оптического и безызлучательного переходов между вырожденными электронными состояниями дефекта в полупроводнике в электрическом поле;

• определение параметров электронно-колебательного взаимодействия, сопровождающего ионизацию глубоких центров;

• экспериментальная проверка полученных теоретических выражений на примере арсенида галлия, содержащего примесные комплексы Уса$А5 (с серой), Уса$п0а (с оловом) и ловушку ЕЬ2;

• сопоставление расчетов полевых зависимостей вероятностей электронных переходов с глубоких центров, создаваемых комплексами и УваЗпса в ваАБ, выполненных с использованием форм-функций 7 оптических переходов и полученных из эксперимента параметров однокоординатной модели.

Научная новизна работы.

1. Теоретически обоснованы и экспериментально проверены выражения для вероятности оптических и безызлучательных переходов между вырожденными электронными состояниями дефекта в электрическом поле в виде уравнения свертки форм-функции оптического перехода и соответствующей вероятности чисто электронного перехода.

2. Проанализированы пределы применимости однокоординатной модели для описания электронно-колебательных переходов с глубоких примесных центров, создаваемых комплексами VGaSAs, VGaSnGa и ловушкой EL2 в GaAs в электрическом поле.

3. Определены параметры электрон-фононного взаимодействия комплексов VGaSAs и VGaSnGa в GaAs, на основании чего рассчитаны вероятности оптических и безызлучательных переходов между электронными состояниями этих комплексов в электрическом поле.

4. Выполнены расчеты параметров адиабатических Потенциалов конфигурационно-координатных кривых комплекса VGaSAS в электрическом поле.

5. Выявлены механизмы, обуславливающие ток обратносмещенных контактов металл — GaAs и определяющие добротность СВЧ-варикапов на основе GaAs.

Практическая ценность.

1. Разработаны методы и алгоритмы определения форм-функций оптических переходов, а также параметров электрон-фононного взаимодействия на основании исследования спектров поглощения и люминесценции глубоких ловушек в арсениде галлия. 8.

2. Разработаны и экспериментально проверены методы определения кинетических коэффициентов ловушек, расположенных в нижней половине запрещенной зоны полупроводника п-типа.

3. Определены параметры электрон-фононного взаимодействия комплексов х^^ай и У0а8пСа в ОаАэ, такие как: энергии чисто электронных, термических и оптических переходов, фактор Хуанга и Рис, частоты эффективных фононов, описывающих адиабатические потенциалы основного и возбужденного состояний комплексов. Построены конфигурационно-координатные диаграммы комплексов Уоа$А8 и УваЗпсаОпределены значения стоксового сдвига.

4. Выявлены причины уменьшения добротности СВЧ-варикапов и входного сопротивления полевых транзисторов с барьером Шоттки.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Вероятности оптического и безызлучательного переходов между вырожденными состояниями глубокого центра хорошо описываются интегралом свертки форм-функции полосы оптического поглощения с соответствующими вероятностями чисто электронных переходов.

2. Для описания вероятности электронно-колебательных переходов в электрическом поле с локальных состояний комплексов УозЗаб и У0а8п0а допустимо использование однокоординатного приближения.

3. Форм-функцию полосы поглощения можно рассчитать из спектров фотолюминесценции с помощью параметров однокоординатной модели и формул Эджворта, а также из спектров сечения фотоионизации путем решения интегрального уравнения свертки одним из методов регуляризации.

4. В электрических полях уменьшается величина энергии чисто электронного перехода между электронными состояниями комплекса уоззаб, что приводит к сближению адиабатических потенциалов комплекса на конфигурационной диаграмме. 9.

5. Обратные вольт-амперные характеристики контактов металларсенид галлия описываются моделью туннелирования с участием глубокой ловушки EL2, причем электронно-колебательное взаимодействие приводит к увеличению тока через барьер.

Апробация работы. Основные положения диссертационной работы докладывались и обсуждались на VI научно-практической конференции молодых ученых Ульяновского государственного университета (Ульяновск, 1997), Международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках» (Ульяновск, 1997), Международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах» (Ульяновск, 1999).

Публикации. Основные результаты диссертации представлены в 9 печатных работах.

Структура и объем работы. Работа изложена на 150 страницах машинописного текста, содержит 67 рисунков, 3 таблицы, библиографию из 139 наименований. Состоит из введения, пяти глав, заключения, списка используемой литературы.

Краткое содержание работы.

Основные выводы.

1. Разработан новый алгоритм расчета вероятности электронно-колебательных переходов между вырожденными электронными состояниями дефекта в полупроводнике в электрическом поле, опирающийся на экспериментально измеренные оптические спектры.

2. Однокоординатная модель может быть использована для описания полос фотолюминесценции комплексов Ус^дз и Уоа8п0а в ОаАэ. Параметры электрон-фононного взаимодействия комплексов У0а8А5 и Уоа8п0а, такие как: энергии чисто электронного, термического и оптических переходов, фактор Хуанга и Рис, частоты эффективных фононов — хорошо описывают электронные переходы между основным и возбужденным состояниями комплексов, что позволяет строить конфигурационно-координатные диаграммы этих центров.

3. Проведено сравнение разработанного алгоритма расчета вероятностей электронно-колебательных переходов и выражений, описывающих электронно-колебательные переходы, полученных в однокоординатном приближении, с экспериментальными полевыми зависимостями сечений фотоионизации и скоростей эмиссии носителей с глубокого центра комплекса Уоа8дзПри этом предпочтение отдано схеме, опирающейся на экспериментальное значение форм-функции и численный расчет, так как при этом не делается никаких допущений о характере электрон-фононного взаимодействия в системе — с одной стороны, а с другой — не требует громоздких расчетов (таких как определение параметров электрон-фононного взаимодействия в однокоординатной модели).

4. Предложен и экспериментально подтвержден, применительно к комплексу Уоа^Аз в ваАБ, алгоритм расчета форм-функции полосы поглощения из спектров сечения фотоионизации.

5. Показано, что в электрических полях уменьшается величина энергии чисто электронного перехода между основным и возбужденным электронными состояниями комплекса У0а8А8, что приводит к уменьшению величины зазора между адиабатическими потенциалами комплекса на конфигурационной диаграмме.

6. Результаты анализа обратного тока СВЧ-варикапов на основе контактов Мо-ваАз^ показали, что наблюдаемые В АХ определяются стимулированным фононами туннелированием электронов из металла в полупроводник с участием глубокого центра, соответствующего ловушке ВЬ2. Данный механизм определяет обратные В АХ диодов Шоттки на основе ОаАБ и, соответственно, входное сопротивление полевых транзисторов и добротность СВЧ варикапов.

Основное содержание диссертации отражено в следующих публикациях.

1. Грушко Н. С., Комлев A.B., Жуков A.B., Захаров Д. Н. Влияние концентрации легирующей примеси на комплексообразование в GaAs. Построение конфигурационной диаграммы центра VGaSAsН Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1997, в.1(3), с.28−30.

2. Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B., Захаров Д. Н. Конфигурационно-координатная диаграмма комплекса VGaSAs в GaAs. // Труды международной конференции «Центры с глубокими уровнями в полупроводниках», Ульяновск, 1997, с.63−64.

3. Грушко Н. С., Жуков A.B., Захаров Д. Н. Построение конфигурационных диаграмм центров VGaSAs и VGaSnGa в GaAs. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1998, в. 1(4), с.52−55.

4. Булярский C.B., Жуков A.B. Создание на структуре GaAs барьеров Шоттки путем электрохимического осаждения никеля. // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1998, в.2(5), с.98−100.

5. Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Влияние электрон-фононного взаимодействия на процессы фотои термоионизации в сильных электрических полях. // Труды международной конференции «Физические процессы в неупорядоченных полупроводниковых структурах», Ульяновск, 1999, с. 5.

6. Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Расчет полевых зависимостей скоростей эмиссии носителей с глубоких центров, опирающийся на экспериментальную форм-функцию оптического перехода.//ЖЭТФ, 1999, т.116, в.2(8), с.1−8.

7. Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Полевая зависимость скорости термической эмиссии дырок с комплекса VGaSAs в арсениде галлия // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1999, в.2(7), с.30−38.

8. Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Расчет вероятности оптических переходов в сильных электрических полях // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1999, в.2(7), с.39−53.

9. Амброзевич A.C., Булярский C.B., Грушко Н. С., Жуков A.B. Анализ механизмов переноса тока, определяющих характер обратных вольтамперных характеристик барьеров металл — GaAs // Ученые записки УлГУ, Серия физическая, 1999, в.2(7), с.54−62.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Арсенид галлия в микроэлектронике //под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссмена, М., «Мир», 1988.
  2. О. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп.- М. «Мир», 1967.
  3. Оптические свойства полупроводников (полупроводниковые соединения типа А3В5)// под ред. Р. Уилардсона, М., «Мир», 1970.
  4. В.И. Определение глубокого уровня меди в GaAs методом туннельной спектроскопии// ФТТ, 1964, т.6, в. 12, с. 3738.
  5. Fuller C.S., Wolfstirn К.В., Allison H.W. Hall-Effect levels produced in Te-doped GaAs crystals by Cu diffusion// Journ. Appl. Phys., 1967, v.38, p.2873.
  6. Furukawa Y., Kajiyama K., Aoki T. Copper diffused Galliun Arsenide p-n junctions//Japan. Journ. Appl. Phys., 1966, v.5, p.39.
  7. H.C., Гуткин A.A., Осипов Е. Б. и др. Влияние смешивания электронных состояний электронно-колебательным взаимодействием на строение и пъезоспектроскопические свойства ян-теллеровских акцепторов в GaAs // ФТП, 1991, т.25, в. 11, стр. 1976.
  8. Gutkin A.A. Anisotropic acceptors induced in GaAs by group I elements Cu, Ag, Au: Properties and trends // Proc. Of the 1st National Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, p.13.
  9. К.Д., Прохорович A.B., Родионов B.E. О схеме рекомбинационных переходов, обуславливающих появление полос излучения с hvm «1.0, 1.2 и 1.3 эВ в n-GaAs // ФТП, 1977, т. 11, в. 1, стр. 35.
  10. Ф.С., Болтакс Б. И. Об энергетических центрах Ag и Au в GaAs// ФТТ, 1966, т.8, в.7, с. 1312.
  11. Н.С., Аширов Т. К., Гуткин А. А., Осипов Е. Б. и др. Стабилизацияориентации ян-теллеровских искажений акцептора Аи*Са в GaAs при низких139температурах и переориентация центра в процессе рекомбинации // ФТП, 1991, т.25, в.11, стр. 1967.
  12. Fujisaki У., Takano Y., Ishiba Т. Dependence of Deep Level Concentration on Nonstoichiometry in MOCVD GaAs// // Japan. Journ. Appl. Phys., 1985, v.24, No. ll, p.899.
  13. Ai-zhen Li, Milnes A.G., Chen Z.Y., Shao Y.F. Germanium incorporation in heavili doped molecular beam epitaxy grown GaAs: Ge// Journ. Vac. Sci. Technol. B, 1985, v.3,n.5, p.629.
  14. Banwell T.C., Nicolet M.A. Saturation of Si activation at high doping levels in GaAs// Phys, Chem. Solids, 1983, v.44, No 6, p.507.
  15. Takamori Т., Fukunaga Т., Kobayashi J. Electrical and Optical Properties of Si Doped GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy on (311) Substrates // // Japan. Journ. Appl. Phys., 1987, v.26, No 7, p. 1097.
  16. Weber E.R., Kaminska M. Defects relevant to compensation in semiOinsulating GaAs // Semi-Insulating III-V Mater.: Proc. 5th Conf., 1988, Malmo, Sweden, p.lll.
  17. В.Г., Федоров А. В., Гук А.В. и др. Оптические свойства легированных кремнием слоев GaAs (100), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 1998, т.32, № 9, стр. 1060.
  18. А. Глубокие уровни в полупроводниках. М., „Мир“, 1978.
  19. Gutkin A., Reshchikov M. Sedov V. Distortions of vacancy complexes in n-GaAs and their reorientation under uniaxial stress // Proc. Estonian Acad. Sci. Phys. Math., 1995, v.44, No 2/3, p.212.
  20. E.B., Рытова H.C., Мильвидский М. Г., Ганина Н. В. Электрические свойства арсенида галлия, легированного изовалентными примесями // ФТП, 1981, т. 15, в. 11, стр. 2141.
  21. Sette F., Paerton S.J., Poate J.M., Rowe J.E. Local Structure of S Impurities in GaAs // Phys. Rev. Let., 1986, v.56, No 24, p.2637.
  22. Ikoma Т., Taniguchi M., Noge R. Deep Level Characterization in LEC GaAS// Extended Abstracts of 15th Conference on Solid State Devices and Materials, Tokio, 1983, p. 149.
  23. Harper J.G., Mathews H.E., Bube R.H. Two-carrier Photothermoelectric Effects in GaAs// Journ. Appl. Phys, 1970, v.4l, p.3182.
  24. Ainslie N. G, Woods J. F. Electrical Properties and Deep Levels for GaAs //J. Appl. Phys, 1963, V.35,p.l469.
  25. Mircea A, Mitonneau A.. A specific trap level at 78 meV in undoped liquid encapsulated Czochralski grown GaAs-Si maerials //Appl. Phys. 1976. V.48. p.153.
  26. Lagovsky J, Gatos H. C, Parsey J. M. Luminescence and photocapacitance studies of native double acceptor in GaAs // Appl. Phys. Lett. 1982. V. 40. P.324.
  27. Фарвак Ж. Jl, Грюсон Б. Изучение взаимодействия дислокаций и комплексов EL2 в полуизолирующем GaAs методом фотопроводимости // Известия АН СССР серия физическая, 1987, Т.51, № 9, С. 1473.
  28. Vincent G, Bois D, Chantre A.. Defects in semi-insulating gallium arsenide // Appl. Phys. 1982. V.53. p.3643.
  29. Weber E. R, Ennen H.. Correlation of the EL2'Defect with Mechanically Induced Stress //J. Appl. Phys. 1982. V.53. p.6340.
  30. G.Martin and S. Makram-Ebeid Deep centers in semiconductors // Phys. Rev. Let, 1986, V.54, No 2, p.416.141
  31. Kuzsko W., Jezewsky M. The study of the excitation of EL2 to the metastabile state //Act. Phys. Pol. V. A77. P.55.
  32. Mochizuki Y., Ikoma T. Identification of EL2 meangap level in GaAS // Phys. Rev. Lett. V.59. p.590.
  33. Tajima M. Characterization of EL2 level in semi-insulating GaAs by roomthtemperature photoluminescence // Paper present. At 5 Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden. 1988. P.571.
  34. Silverberg P., Omling P. Samuelson L. Optical cross sections of the two energy levels of EL2 in GaAs // Paper present. At 5th Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden. 1988. P.369.
  35. J., Alvares A. 0.8 eV excitation of the quenched EL2* level in semi-insulating GaAs //J. Appl. Phys. 1989. V.5. p.2221.
  36. Manasreh M. O., Mitchel W. S. Fischer D.W. Observation of the second energy level of the EL2 defect in GaAs by the infrared absorption’technique // Appl. Phys. Lett., 1989, V.55, No 9, P.864.
  37. Kuhn K.J., Sigmon T.W. Correlation of the EL2 Defect with Thermally Induced Stress // Semi-Insulating III-V Mater.: Proc. 4th Conf., 1986, Tokio, p.373.
  38. Baraff G. A., Schluter M. Electronic structure and binding energy of the AsGa-Asi pair in GaAs: EL2 and the mobility of interstitial arsenic// Phys. Rev. B, 1987, V.35, No 12, p.6154.
  39. Trautman P., Walczak J.P., Baranowski J.M. Piezospectroscopic study of the EL2 defect in GaAs // Act. Phys. Pol., 1990, V. A77, No 1, p.51.
  40. Chichibu S., Ohkubo N. EL2 deep level distribution under controlled As pressure annealing of LEC GaAs // Paper present. At 5th Conf. On Semi-insulating III-V materials. Malmo. Sweden, 1988, p.413. *
  41. Baraff G. A., Lanoo M. Model of the donor deep level EL2 in GaAs // Materials Research Society Symposium Proceeding, Vol.104: Defects in Electronic Materials, Boston (1987). P.375.142
  42. Baraff G. A., Schluter M. Structure and energy levels of the EL2 as the AsGa-Asi pair in GaAs // Phys. Rev. B. 1987. V.35. p.5929.
  43. Kaminska M., Skowronski ML, Kuzko W. Identification of the 0.8 eV electron trap EL2 in GaAs as isolated antisite defect // Phys. Rev. Lett., 1985, v.55, p.2204.
  44. Baraff G. A., Lanoo M. The AsGa-Asi pair in GaAs. The simplest member of EL2 family//Phys. Rev. B. 1989−1. V.40. p. 1030.
  45. Jimenez J., Alvares A. Photocapacitance studies of the EL2 deep trap in GaAs optical cross section, energy level and concentration // Phys. Rev. 1989. V.39 p.8193.
  46. Tajima M. Distribution of deep level parameters in spectra analysis of DLTS: EL2 deep donor III Appl. Phys. Lett. 1990. V.41. p.66I2.
  47. Honkis M., Weber E. R. Determination of deep energy levels in GaAs by MOS Technique//Phys. Rev. 1989. V.39. p.8538.
  48. Kadota Y., Chino K. Deep-Level Transient Spectroscopy of Plastically-Bent Epitaxial GaAs// Japan. Journ. Appl. Phys., 1983, v.22, No 10, p.1563.
  49. Desnica U.V., Boskovic R. Defects in semi-insulating gallium arsenide // Fizika, 1989, v.21, Suppl. l, p.245.
  50. Lagowski J., Lin D.G., Gatos H.C. Real and apparent effects of strong electric fields on the electron emission from midgap levels EL2 and EL0 in GaAs // Appl. Phys. Lett., 1984, v.45, No 1, p.89.
  51. Ф.М., Глинчук К. Д., Прохорович А. В. Гашение атомай меди обусловленной дефектами EL2 люминесценции в’арсениде галлия // ФТП, 1997, т.31, № 9, стр. 1045.
  52. Williams Е. W. Evidence of self-activated luminescence in GaAs. The gallium -donor centre // Phys. Rev. 1968, v. 168, p.922.143
  53. Hwang C.J. Optical properties of n-type GaAs. Formation of efficient hole traps during annelingin Te-doped GaAs // J. Appl. Phys., 1969, v.40, p.4584.
  54. Williams E. W. Photoluminescence II: Gallium arsenide.// Semiconductors and Semimaterials, v.8, 1972, P.321.
  55. М.Г., Прошко Г. П., Шершакова И. Н. Особенности спектральных характеристик фотолюминесценции арсенида галлия, легированного элементами IV группы // Науч. Труды Гиредмета, 1972, т.46, № 2, стр. 56.
  56. М.Г., Освенский В, Б.б Прошко Г. П., Шершакова И. Н. О природе дефектов в GaAs, сильно легированных телуром // ФТП, 1972, т.6, в. 1, с. 224.
  57. В.И., Глинчук К. Д., Лукат К., Прохорович A.B. Изменение рекомбинационных и колебательных свойств глубоких центров люминесценции при пластической деформации GaAs //ФТП, 1981, т. 15, в.6, стр. 1003.
  58. JI. А., Бродовой А. Б. и др. Спектр фотолюминесценции арсенида галлия, легированного Si и Sn // ЖЭТФ. 1981. Т.80. в.1. с. 334.
  59. И. О., Остапенко С. С., Шейнкман М. К. Наблюдение дефектов в GaAs методом НСГУ// ФТП. 1985. Т.27. в.З. с. 748.
  60. Д. Г., Кузнецов В. Д. и др. Фотолюминесценция n-GaAs, выращенного методом газофазной эпитаксии // ФТП. 1987. Т.21. в.6. с. 1106.
  61. Н.Г., Дмитриев А. Г. Фотолюминесценция модифицированных кристаллов GaAs // ФТП. 1988. т.22. в. 10. с. 1880.
  62. В. И., Мелев В. Г. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированного одновременно серой и оловом It Неорг. Матер., 1989, т.21, № 1,с.5.
  63. Н. С., Гуткин А. А., Рещиков М. А. А. Сосновский В. Р. Оптическая анизотропия центра, взывающего полосу фотолюминесценции с144максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs: Te. Поляризованная фотолюминесценция //ФТП. 1991. Т.25. в.1. с. 50.
  64. Averkiev N.S., Gutkin А.А., Reshchikov М.А., Sosnovskii V.R. Symmetry of VGaTeAs complex in GaAs and its reorientation at low temperature // Proc. Of the 1st Natuonal Conf. On Defects in Semiconductors. St. Petersburg, Russia, 1992, p.31.
  65. H. С., Гуткин А. А. Осипов Е. Б., Рещиков M. А. А. Сосновский В. Р. Симметрия комплекса VGaTeAs в GaAs и его переориентация при низких температурах // ФТП. 1992. Т.26. в.7. с. 1269.
  66. Н.Г., Дмитриев А. Г. К вопросу о природе полосы излучения (1.23−125) эВ в спекире люминесценции кристаллов GaAs // ФТП. 1992. т.25. в.5.с.958.
  67. В. А., Давлеткильдеев Н. А., Семиколенова Н. А. и др. Фотолюминесценция с участием глубоких уровней в GaAs:Te// ФТП. 1992. Т.26. в.5. с. 818.
  68. А. А., Рещиков М. А. Сосновский В.Р. Исследование комплекса VGaSnGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пъезоспектроскопии. Строение комплекса и его переориентация при низких одноосных давлениях) // ФТП, 1993, Т.27, в.9, с. 1516.
  69. А. А., Рещиков М. А. А. Сосновский В. Р. Исследование комплекса VGaSrfGa в GaAs методами поляризованной фотолюминесценции и пъезоспектроскопии. Явление двухступенчатого выстраивания // ФТП, 1993, Т.27, в.9, с. 1526.145
  70. К.Д., Прохорович A.B. Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te) // ФТП, 1997, т.31, № 5, стр. 533.
  71. Zener С.А. A theory of the electrical breakdown of solid dielectrics // Proc. Royal Soc., (London), 1934, v. 145, p.523.
  72. JI.В. О влиянии колебаний решетки на рождение электронно-дырочных пар в сильном электрическом поле // ЖЭТФ, 1958, т.34, стр. 962.
  73. В. Пробой диэлектриков. М., ИЛ, 1961.
  74. Л. Туннелирование. в кн.: Туннельные явления в твердых телах. М., „Мир“, 1973, стр. 51.
  75. A.C. Теория безызлучательных переходов в молекулах находящихся в растворе // ЖЭТФ, 1953, т.24, стр. 397.
  76. М.А. Теория тепловых переходов // // ЖЭТФ, 1954, т.25, стр. 191.
  77. Хуан Кунь, Рис А. Теория оптических безызлучательных переходов с участием глубоких центров // Проблемы физики полупроводников. М., 1957, с.389−406.
  78. С.И. О влиянии деформации решеток электронами на оптические и электрические свойства кристаллов // УФН, 1953, т.50, с. 197.
  79. В.А. Кинетика безызлучательных процессов. Кишинев, 1968.
  80. . Квантовые процессы в полупроводниках.: М., „Мир“, 1986., 320с.
  81. Ю.Е., Цукерблат Б. С. „Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов“, Кишинев, „Штиинца“, 1974г., 368с.146
  82. А.И. Введение в теорию полупроводников. М., „Наука“, 1978.
  83. К.К. Элементарная теория колебательной структуры спектров примесных центров кристаллов. М, „Наука“, 1968.
  84. Н.Н. Теория примесных центров малого радиуса в ионных кристаллах. М, „Наука“, 1974.
  85. С.Ф. О термическом поглощении в сильном электрическом поле ниже края поглощения // ФТТ. 1972, т. 14, с. 2621.
  86. С.Ф. О термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1972, т. 14, с. 171.
  87. С.Ф. Об эффекте Френкеля при термополевой ионизации глубоких центров в слое объемного заряда в полупроводниках // ФТТ, 1974, т. 16, с. 804.
  88. С.Ф. Электрические и оптические явления при электронныхпереходах в области пространственного заряда в полупроводниках сучастием глубоких центров // Диссертация на соис. уч. ст. докт. ф.-м. н., М, 1975.
  89. Ш. П. Теория туннелирования электронов из глубоких примесных уровней в зону проводимости в сильных электрических полях с учетом многофононных процессов // Лит. Физ. Сб., 1976, т. 19, № 4, с. 459.
  90. Kiveris A., Kudzmauskas S, Pipinys P. Release of electrons from trap by an a electryc field with phonon participation // Phys. Stat. Sol, 1976, v.37, p.321.
  91. Ф.И. Многофононные туннельные процессы в однородном электрическом поле // ЖЭТФ, 1978, т.74, в.2, с. 472.
  92. Pons D, Makram-Ebeid S. Phonon assisted tunnel emission of electrons from deep levels in GaAs. // J.Phis. (France)/ 1979, v.40, No 12, p. 1168.
  93. Makram-Ebeid S. Effect of electric field on deep-level transients in GaAs and GaP // Appl. Phys. Lett, 1980, v.37, No 5, p.464.
  94. Makram-Ebeid S, Lannoo M. Quantum model for phonon assisted tunnel ionization of deep levels in semiconductors // Phys. Rev, 1982, v.25, No 10, p. 6406.147
  95. Makram-Ebeid S., Lannoo M. Electric-field-induced phonon-assisted tunnel ionization from deep levels in semiconductors // Phys. Rev. Lett., 1982, v.48, No 18, p. 1281.
  96. A.H., Пипинис П. А. Туннельные явления в люминесценции полупроводников. М., „Мир“, 1994.
  97. B.C. Теория многофононного поглощения света // ФТТ, 1970, т.12, в. 12, стр. 3081.
  98. ., Ланно М. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. М., „Мир“, 1985.
  99. Irmascher К., Klose Н., Maas К. Electric field enhanced electron emission from gold acceptor level and A-centre in silicon // Phys. Stat. Sol., 1983, v.75, No 1, p. K25.
  100. Oleynikova C. Calculation of field-induced phonon-assisted tunnel ionization of deep centers in GaAs using the quantum defect method // Czech. J. Phys., 1985, v. B35, No 5, p.585.
  101. Schenk A., Irmascher K., Suisky D., Enderlein R., Klose H. Field dependence of emission rate at deep centers in Si and GaAs // Acta Phys. Polon., 1985., v. A67, No 1, p.73.
  102. Schenk A., Enderlein R., Suisky D. Field-dependent emission rate at deep centers in GaAs by using a two phonon mode model // Acta Phys. Polon., 1986, v. A69, No 5, p.813.
  103. B.H., Меркулов И. А., Перель В. И., Яссиевич И. Н. К теории многофононного захвата электрона на глубокий центр // ЖЭТФ, 1985, в.4, с.1472−1485.
  104. В., Перель В. И. Многофононная ионизация глубоких центров в полупроводниках в электрическом поле // ЖЭТФ, 1986, т. 91, с. 2319.
  105. В. Влияние электрон-фононного взаимодействия на ионизацию глубоких центров сильным электрическим полем// Письма в ЖЭТФ, 1986, т. 44, с. 344.148
  106. В.Н., Карпус В., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов // ФТП, 1988, т.22, в.2, с. 262.
  107. В.Н., Курносова О. В. Пахомов А.А., Яссиевич И. Н. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры // ФТТ, 1988, т. ЗО, в.6, с. 1793.
  108. В.Н., Карпус В., Перель В. И., Яссиевич И. Н. Термополевая ионизация примесей. Многомодовое рассмотрение // ФТТ, 1988, т. ЗО, в.8, с. 2498.
  109. Э.З., Курносова О. В., Пахомов А. А. Многофононная рекомбинация через глубокие примесные центры в непрямозонных полупроводниках/7 ФТТ, 1989, т.31, в. З, с. 211.
  110. Passler R. Temperatyre dependances of the nonradiative multiphonon carrier-capture and injection properties of deep trap in semiconductors // Phys. Stat. Sol., 1978, v.85,p.203.
  111. И.Б. „Электронное строение и свойства координационных соединений“, — Издательство „Химия“, Ленинградское отделение, 1976,350с.
  112. Ю.Е., Эффекты электронно-колебательного взаимодействия в оптических спектрах примесных парамагнитных ионов //УФН, 1963, т.80, в.4., с. 553.
  113. К.К., Пурга А. П., Сильд О. И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах. Метод моментов // Труды ИФА АН ЭССР.1961. вып. 14. С. 31−47.
  114. В.Л., Дмитриева Л. Б. // Исследование свойств контактной системы Ag-GaAs с барьером Шоттки, Микроэлектроника, т.26, 1997, в.4, с.301−304.
  115. Зи С.М. „Физика полупроводниковых приборов“, М., „Энергия“, 655с.
  116. С. В., Грушко Н. С. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. М., „МГУ“, 1995, с. 399.149
  117. Lax M. Cascade capture of electrons in solids // Phys.rev. 1960, Vol.119, p. 1502−1523.
  118. Г. Математические методы статистики М. „Мир“, 1975, 648с.
  119. К.К., Трифонов Е. Д., Хижняков В. В. Квазилинейчатые электронно-колебательные спектры // Труды ИФА АН ЭССР. вып.27. С. 3−17.
  120. К.К., Пурга А. П., Сильд О. И. К теории электронно-колебательных переходов в кристаллах и молекулах. Расчет различных моделей// Труды ИФА АН ЭССР. 1963. вып.20. С. 48−75.
  121. К.К., Сильд О. И. О связи между полосами поглощения и излучения // Оптика и спектроскопия. 1960. т.9. С. 521−523.
  122. С.В., Грушко Н. С., Гуткин А. А. //Полевые зависимости термической ионизации глубоких центров в слое объемного заряда барьеров Au n-InP:Fe // ФТП, 1975, т.9, с. 287−291.
  123. A.M. Стоунхэм Теория дефектов в твердых телах. Москва,"Мир», 1978 г.
  124. B.C. Теория поглощения света в постоянном электрическом поле примесным центром с глубоким уровнем // ФТТ, 1971, т. 13, в.11, стр.3266−3274.
  125. Sah S., Forbes A. et al. Thermal and optical emission and cross section of electrons and holes at imperfection centers in semiconductors from photo and dark junction current capacitance experiment// Sol. State Electron. 1970. Vol.13, p. 758 759.
  126. H.C., Гуткин А. А. Применение фотоемкостного метода для исследования электрон-фононного взаимодействия при фотоионизации глубоких примесных центров в InP // ФТП, 1975, т.9, в.1, стр. 58.
  127. Г., Эрдейн А. Таблицы интегральных преобразований. Преобразования Бесселя. Интегралы от специальных функций. М., «Наука», 1970, т.2.
  128. А. Ф. Сизиков B.C. Методы решения интегральных уравнений с программами для ЭВМ. Справочное пособие. Киев, «Наукова Думка», 1978 г.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!