Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI
Диссертация
Примесей в полупроводниковые матрицы приводит к появлению примесных уровней в энергетическом спектре. Примесные состояния, энергия связи которых мала по сравнению с шириной запрещенной зоны, называются мелкими. Глубокие состояния, как правило, возникают, когда основной вклад в энергию связи дает не электрическое притяжение, ослабленное диэлектрической проницаемостью е, а короткодействующий… Читать ещё >
Список литературы
- Koshihara S. The photoinduced phase transition in spin — crossover complexes. 1.: Optical properties of low — dimensional materials, ed. by Ogawa T. and Kanemitsu Y. World Scientific, Singapore, 1998, Vol.8, Chap.3.
- Littlewood P.B.and Heine V. The infrared effective charge in IV VI compounds. J.Phys.C., 1979, 12, 4431.
- Littlewood P.B. The cristal structure of IV VI compounds. J.Phys.C., 1980, 13,4855.
- Dimmok J. К p theory for the conduction and valence bands of Pbi"xSnxTe and PbixSnxSe alloys. The Physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. D.L.Carter and R.T.Bate. Pergamon Press, N.Y., 1971, p.319−330.
- Martinez G., Schluter M., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. Phys. Rev. B, 1975, 11, 651.
- Tanaka H. and Morita A. The cristal binding energies of the Iv-Vi semiconductors. J. Phys.Soc. Japan., 1979, 46, 523.
- Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М, Наука, 1968.
- Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe. Phys. Rev., 1969,180, 823.
- Ерасова H.A., Ефимова Б. А., Захарюгина Г. Ф. и др. Примесные состояния индия в некоторых твердых растворах на основе PbTe. Изв. АН СССР, сер. «Неорганические материалы», 1978,14, 870.
- Parada N.J. and Pratt G.W. New model for vacancy states in PbTe. Phys. Rev. Lett, 1969, 22, 180.
- Parada N.J. Localized defects in PbTe. Phys.Rev. B, 1971, 3, 2042.
- Волков Б.А., Панкратов O.A. Электронная структура точечных дефектов в полупроводниках А4В6. ЖЭТФ, 1985, 88, 280.
- Кайданов В.И., Немов С. А. Влияние примеси таллия на рассеяние дырок в теллуриде свинца. ФТП, 1981, 15, 542.
- И.Кайданов В. И., Немов С. А., Равич Ю. И. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBVi (Обзор). ФТП, 1992, 26, 201.
- Немов С.А., Осипов П. А., Парфеньев Р. В. Резонансные примесные состояния в полупроводниках и связанная с ними сверхпроводимость. СПб, изд-во СПбГТУ, 1999.
- Немов С.А., Равич Ю. И. Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности. УФН, 1998, 168, 817.
- Лазаренко М.А., Гаськов A.M., Зломанов В. П., ак. Новоселова A.B. Легирование теллурида свинца галлием. ДАН СССР, 1981,259,1375.
- Акимов Б.А., Брандт Н.Б, Гаськов A.M. и др. Примесные состояния Ga и фотоэлектрические явления в сплавах PbTe (Ga). ФТП, 1983, 17, 87.
- Аверкин A.A., Бушмарина Г. С., Драбкин И. А. и др. Влияние всестороннего сжатия на электрические свойства PbixSnxTe с примесью галлия. ФТП, 1981, 15,197.
- Rosenberg A.I., Wald F. Massiv heterovalent substitutions in octahedrally coordinated semiconductors. J. Phys. And Chem.Sol., 1965, 26, 1079.
- Niehuus E., Nicke H. Halleffects und leitfaehigkeitsmessungen an den mischkristallen PbTe-InTe. Ann. D. Phys., 1966, 17, 77.
- Аверкин A.A., Кайданов В. И., Мельник Р. Б. О природе примесных состояний индия в теллуриде свинца. ФТП, 1971, 5, 91.
- Кайданов В.И., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, 7, 759.
- Кайданов В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI. УФН, 1985, 145, 51.
- Акимов Б.А., Брандт Н. Б., Курбанов K.P. Фотоэлектрические явления в РЬТе, легированном индием. ФТП, 1983, 17, 1604.
- Weiser К., Klein A., and Ainhorn M. Electrical properties of indium-doped lead tin telluride. Appl. Phys. Lett., 1979, 34, 607.
- Гейман К.И., Драбкин И. А., Матвеенко A.B. и др. Аномальные электрические свойства слоев PbixSnxTe с примесью индия. ФТП, 1977, 11,499.
- Акимов Б.А., Брандт Н. Б., Богословский С. А. и др. Неравновесное металлическое состояние в сплавах Pb! xSnxTe(In). Письма в ЖЭТФ, 1980, 29, 11.
- Вул Б.М., Воронова И. Д., Калюжная Г. А. и др. Особенности явлений переноса в Pbo.7sSno.22Te с большим содержанием индия. Письма в ЖЭТФ, 1980, 29,21.
- Сизов Ф.Ф., Пляцко C.B., Лакеенков В. М. Глубокие уровни Ga в РЬТе. ФТП, 1985, 19, 592.
- Бушмарина Г. С., Грузинов Б. Ф., Драбкин H.A. и др. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga. ФТП, 1977, 11, 1874.
- Бушмарина Г. С., Грузинов Б. Ф., Драбкин И. А. и др. Изменение концентрации носителей тока при легировании РЬТе галлием. Изв. АН СССР, сер. «Неорганические материалы», 1987, 23, 222.
- Акимов Б.А., Зломанов В. П., Рябова Л. И. и др. Перспективные материалы ИК-оптоэлектроники на основе соединений группы AIVBVI. Высокочистые вещества, 1991, 6, 21.
- Буйлова Н.М., Сандомирский В. Б. Экспериментальные исследования сверхпроводимости в вырожденных полупроводниках. УФЫ, 1969, 97, 119.
- Черник И.А., Лыков С. Н. Объемная сверхпроводимость в легированном теллуриде свинца при 1.4 К. ФТТ, 1981, 23, 1400.
- Weiser К. Phys. Doping of PbTe with group-Ill elements: an ionic lattice approach. Rev. B, 1981, 23, 2741.
- Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorfous semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, 34, 953.
- Street R.A. and Mott N.F. States in the gap in glassy semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1975, 35, 1293.
- Kastner M., Adler D. and Fritzsche H. Valence alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors. Phys. Rev. Lett., 1976, 37, 1504.
- Barraff G.A., Kane E.O. and Schlueter M. Silicon vacancy: a possible «Anderson negative-IP' sistem. Phys. Rev. Lett., 1979, 43, 956.
- Watkins G.D. and Troxell J.R. Negative-U properties for point defects in silicon. Phys. Rev. Lett., 1980, 44, 593.
- Mooney P. M. Donor-related levels in GaAs and AlxGaixAs. Semicond. Sci. Technol., 1991, 6, B1 B8.
- Chadi D.J. and Chang K.J. Theory of the atomic and electronic structure of DX centers in GaAs and AlxGabxAs alloys. Phys. Rev. Lett., 1988, 61, 873.
- Chadi D.J. and Chang K.J. Energetics of DX-center formation in GaAs and AlxGaixAs alloys. Phys. Rev. B, 1989, 39, 10 063.
- Драбкин И.А., Мойжес Б .Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, 15, 625.
- Андреев Ю.В., Гейман К. И., Матвеенко А. В. и др. Электрические свойства Pbj.xSnxTe с примесью индия. ФТП, 1975, 9, 1235.
- Драбкин И.А., Квантов М. А., Компаниец В. В. и др. Зарядовые состояния In в РЬТе. ФТП, 1982,16, 1276.
- Romcevic N., Romcevic М., Khokhlov D.R. et al. Optical properties of gallium-doped PbTe. In: «High-Temperature Superconductors and Novel Inorganic Materials» ed. by G. Van Tendeloo et.al., 1999, Kluver Academic Publ., 297.
- Белогорохов А.И., Иванчик И. И., Попович 3. и др. Структура DX-подобных центров в узкозонных полупроводниках AIVBV1, легированных элементами III группы. ФТП, 1998, 32, 679.
- Martinez A., Santiago F, Davis J.L. et al. Decay kinetics of photoconductivity of PbSnTe doped with indium. J. Appl. Phys., 1985, 58, 4618.
- Martinez A., Abbundi R.J., Houston B. et al. Effect of illumination and magnetic fields on the electron transport properties of Pbo.75Sno.25Te doped with indium. J. Appl. Phys., 1985, 57, 1 165.
- Волков Б.А., Панкратов O.A. Ян-Теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках AIVBVI. ДАН СССР, 1980, 225, 93.
- Каган Ю., Кикоин К. А. Туннельная примесная автолокализация в полупроводниках. Природа аномальных свойств соединений PbixSnxTe с примесью In. Письма в ЖЭТФ, 1980, 31, 367.
- Park С.Н. and Chadi D.J. Orthorhombic symmetry DX centers in S-doped GaSb, GaAs, and AlxGabxAs. Phys. Rev. B, 1996, 54, 14 246.
- Park C.H. and Chadi D.J. Microscopic structure of DX centers of column III and VII impurities in CdTe. Appl. Phys. Lett., 1995, 66, 3167
- Park C.H. and Chadi D.J. Bulk lattice instability in II-VI semiconductors and its effect on impurity compensation. Phys. Rev. Lett., 1995, 75, 1134.
- Park C.H. and Chadi D.J. First-principles study of DX centers in CdTe, ZnTe, and CdxZnbxTe alloys. Phys. Rev. B, 1995, 52, 11 884.
- Kawamura H. Phase transition in IV-VI compounds. Lect. Notes Phys., 1980, 133,470.
- Васильев A.H. Электромагнитное возбуждение ультразвука в метачлах и полупроводниках. Докторская диссертация. Москва, МГУ, 1987.
- Васильев А.Н., Гайдуков Ю. П., Никифоров В. Н. Низкотемпературная аномалия скорости ультразвука в Pb0.75Sn0.25Te (In). Письма в ЖЭТФ, 1985, 41, 466.
- Беляев А.Е., фон Барделебен Х.Ю., Оборина Е. И. и др. Индуцированное ультразвуком преобразование DX-центров в AlGaAs: Si, ФТП, 1994, 28, 1544.
- Mooser Е. Magnetic susceptibility of impurity-trapped elecrons and holes in semiconductors. Phys.Rev., 1955, 100, 1580.
- Bowers R. and Yafet Y. Magnetic susceptibility of InSb. Phys.Rev., 1959, 115, 1165.
- Гельмонт Б.Л., Иванов Омский В.И., Коломиец Б. Т. и др. Магнитная восприимчивость дырок в HgTe, InSb и Ge. ФТП, 4, 299, 1970.
- Matyas М. The magnetic susceptibility of p-type CdSb. Czech. J. Phys., 1967, В 17, 227.
- Matyas M. The susceptibility of lead telluride PbTe. Czech. J. Phys., 1958, 8,301.
- Matyas M. The susceptibility of selenides and tellurides of heavy elements. Czech. J. Phys., 1958, 8,309.
- Багинский В.М., Кикодзе P.O., Лашкарев Г. В. и др. Влияние структурного перехода на магнитные свойства SnTe. ФТТ, 1977, 19, 588.
- Литвинов В.И., Дугаев В. К. Особенность магнитной восприимчивости вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода в узкощелевых полупроводниках AIVBVI. ЖЭТФ, 1979, 77, 335.
- Лашкарев Г. В., Бродовой А. В., Летюченко С. Д. и др. Магнитная восприимчивость и кинетические явления в Pb-xGexTe при структурном фазовом переходе. ФТП, 1987, 21, 1921.
- Lashkarev G.Y., Migley D.F., Shevchenko A.D. et al. Magnetic susceptibility and electrical properties of p-PbixSnxTe. Phys. Stat. Sol., 1974, 63, 663.
- Фальковский Л.А., Бродовой А. В., Лашкарев Г. В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. ЖЭТФ, 1981, 80, 334.
- Акимов Б.А., Рябова Л. И., Чудинов С.М. g-Факторы электронов и дырок в сплавах Pb. xSnxTe в области прямого и инверсного спектра. ФТТ, 1979,21,708.
- Волков Б.А., Ручайский О. М. Температурная зависимость магнитной восприимчивости в полупроводниках А4В6. ФТТ, 1998, 40, 57.
- Браташевский Ю.А., Прозоровский В. Д., Харионовский Ю. С. К вопросу о рассеянии электронов в твердых растворах Pb.xSnxTe. ФТП, 1977, 11, 195.
- Багинский В.М., Дмитриев А. Н., Лашкарев Г. В. и др. Материалы IV Всесоюзного симпозиума по полупроводникам и полуметаллам с узкой запрещенной зоной, 3, 51. Львов, 1975.
- Драбкин И.А., Квантов М. А., Компанией В. В. и др. Магнитная восприимчивость РЬТе и Pb!.xSnxTe с примесью индия. Материалы V
- Всесоюзного симпозиума по полупроводникам с узкой запрещенной зоной, 2, 78. Львов, 1980.
- Андроник К.И., Бойко М. П., Лужковский А. В. Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца. ФТП, 1988, 22, 1878.
- Акимов Б.А. Энергетический спектр, глубокие квазилокальные уровни и метастабильные электронные состояния в халькогенидах свинца и олова. Докт. дисс., М., МГУ, физический факультет, 1985.
- Каганов М.И., Васильев А. Н. Электромагнитно-акустическое преобразование результат действия поверхностной силы. УФН, 1993, 163, 67.
- Васильев А.Н., Гайдуков Ю. П., Каганов М. И. и др. Трансформация электромагнитной энергии в звуковую электронами проводимости в металлах в магнитном поле (нормальный скин-эффект). ФНТ, 1989, 15, 160.
- Чечерников В.И. Магнитные измерения. М., 1969.
- Физическая акустика под ред. У.Мэзона. t. IV, часть Б. «Мир», М., 1970.
- Гришечкина С.П., Журавлев А. А., Моллманн К.-П. и др. Резонансный внутрицентровый переход в теллуриде свинца, легированном галлием. ФТП, 1991,25, 677.
- Кнорре Д.Г., Крылова Л. Ф., Музыкантов B.C. Физическая химия. М., «Высшая школа», 1990.
- Bastard G., Lewiner С. Indirect-exchange intaractions in zero-gap semiconductors. Phys. Rev. B, 1979, 20, 4256.
- Al. А. Н. Васильев, Т. Н. Волошок, Ю. П. Гайдуков, Н. П. Данилова. О природе задержанной фотопроводимости в PbTe (Ga). Письма в ЖЭТФ, 1993, т.58, в.12, с.970−974.