Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронная структура, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в оксинитридной керамике: Системы AL-O-N, Si-Al-O-N и Zr-O-N

Диссертация: Электронная структура, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в оксинитридной керамике: Системы AL-O-N, Si-Al-O-N и Zr-O-N
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Другой перспективный класс керамики разрабатывается на основе соединений переходных металлов с sp элементами (т.н. металлсодержащая керамика). Одной из важнейших особенностей этих соединений являются эффекты пестехиометрни. Чаще всего нестехиометрпческис фазы формируются за счет образовании в их составе металлоидных вакансий. Гораздо менее характерным является присутствие в металлсодержащей… Читать ещё >

Электронная структура, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в оксинитридной керамике: Системы AL-O-N, Si-Al-O-N и Zr-O-N (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Теоретические методы исследования электронной структуры и химической связи твердых тел
    • 1. 1. Приближения зонной теории
    • 1. 2. Расширенный метод Хюккеля
    • 1. 3. Метод ЛМТО-ПАС
    • 1. 4. Метод ЛМТО-ПП.. .'
    • 1. 5. Расчет электронных параметров кристаллов
      • 1. 5. 1. Плотность электронных состояний
      • 1. 5. 2. Полная энергия системы
      • 1. 5. 3. Заселенности перекрывания кристаллических орбиталей
  • 2. Эффекты атомного упорядочения в кристаллах: политипы
    • 2. 1. Эффекты упорядочения и свойства конденсированных фаз
      • 2. 1. 1. Корреляционная функция и радиус корреляции
      • 2. 1. 2. Параметр дальнего порядка
      • 2. 1. 3. Параметр ближнего порядка
      • 2. 1. 4. Примеры эффектов упорядочения
    • 2. 2. Система Si — А1 — О — N
    • 2. 3. Структура и свойства нитрида алюминия
    • 2. 4. Дефекты в A1N: политипообразование
    • 2. 5. Моделирование химического состава A1N —О- и A1N — Si—О-политипов
    • 2. 6. Модель формирования политипов: система A1N — О. 2.6.1 Кластеризация примесных атомов
      • 2. 6. 2. Образование примесных комплексов — ближний порядок
      • 2. 6. 3. Структура политипов — дальний порядок
    • 2. 7. Модель формирования политипов: система A1N — Si — О
      • 2. 7. 1. Взаимодействие отдельных дефектов — ближний порядок
      • 2. 7. 2. Взаимодействие кластеров дефектов — дальний порядок
    • 2. 8. Общие особенности A1N — О и A1N — Si — О политипов. .. Выводы
  • Моделирование электронной структуры и эффектов атомного упорядочения в системе A1N — SiC
    • 3. 1. Соединения в системе A1N — SiC: структура и свойства
    • 3. 2. Кластеризация разносрртных атомов
    • 3. 3. Взаимодействие кластеров дефектов
  • Выводы.¦ .'
  • 3-сиалоны: квантовохимическое моделирование электронных и структурных свойств
    • 4. 1. Зонная структура /3 — SisN^ ЛМТО-ПП расчеты
    • 4. 2. Электронные свойства /3-сиалонов
    • 4. 3. Анализ параметров химического связывания в /3-сиалонах — РМХ-расчеты
    • 4. 4. Моделирование атомной структуры. /3-сиалонов методом РМХ
      • 4. 4. 1. Кластеризация примесных атомов (ближний порядок)
      • 4. 4. 2. Моделирование Дальнего порядка в/5-сиалонах
      • 4. 4. 3. Сравнение с экспериментом- .,.'
    • 4. 5. Сравнение электронно-энергетических параметров упорядоченных и неупорядоченных /3-сиалонов — расчеты методом
  • ЛМТО-ПП
    • 4. 5. 1. d — SiAlON
    • 4. 5. 2. о — SiAlON
    • 4. 6. Способы модификации ¦ свойств/З-сиалонов
  • Выводы
    • 5. Моделирование дефектов в ZrN: структурные вакансии примеси замещения Al, Si, В, С
    • 5. 1. Зонная структура комплектного ZrN
    • 5. 2. Решеточные вакансии в ZrN
    • 5. 3. Система Zr — Al — N
    • 5. 4. Система Zr — Si — N
    • 5. 5. Системы Zr — N — В, Zr — N — С
  • Выводы
    • 6. Примеси N, In, Т1, Са и структурные вакансии в диоксиде циркония: электронная структура и эффекты кластериза
    • 6. 1. Моделирование примесей азотй и анионных вакансий в F—ZrC>
    • 6. 2. Моделирование примесей In, Т1, Са в F — Zr
  • Выводы
  • Выводы

Объект исследования и актуальность темы. Стремительное развитие керамического материаловедения в последние годы определило успехи в разработке новых материалов, способных удовлетворять возрастающим требованиям современных технологий.

Одним из наиболее эффективных приемов модификации свойств керамических материалов (КМ) является изменение их химического состава — легирование различными примесями. Широкое развитие работ по синтезу и исследованию физико-химических характеристик новых сложноле-гированных КМ обусловило необходимость развития адекватных моделей интерпретации и прогноза их функциональных свойств.

К настоящему времени наибольшее распространение получили качественные модели сложнолегированных керамических систем, основанные на эмпирических термодинамических или кристаллохимических данных. Между тем, успехи развития электронных вычислительных систем и методов квантовохимического моделирования в рамках как полуэмпирических, так и неэмпирических подходов определили возможность детально изучать особенности электронно-энергетических состояний, природу химической связи и проводить прямые расчеты их многих функциональных свойств в многокомпонентных конденсированных фазах, а также прогнозировать создание новых КМ.

Среди современных КМ большое внимание привлекает класс т.н. сиа-лоновых (SiAlON) керамик, которые обладают высокими термическими и прочностными характеристиками и используются в газовых турбинах, двигателях внутреннего сгорания и т. д. Химический состав этих соединений существенно влияет на их свойства. Например, в зависимости от содержания G алюминия и кислорода в сиалонах изменяется их твердость, температура разложения, модуль Юнга и др.

Важнейшим фактором для сложнолегированных конденсированных систем (в том числе сиалоновых и других КМ), влияющим на комплекс их свойств, являются эффекты атомного упорядочения, определяющие формирование кристаллических материалов в виде 1) индивидуальных многокомпонентных фаз, 2) неупорядоченных твердых растворов, 3) сверхструктур и 4) композиционных (гетерогенных) систем. Эффекты атомного упорядочения достаточно подробно изучены в металлических сплавах /1,2/, химических соединениях (например, в тугоплавких соединениях переходных металлов с углеродом, азотом и кислородом /3/), а также в некоторых КМ /4/. Для подавляющего большинства сложнолегированных КМ подобные исследования отсутствуют. В связи с этим, объектами исследований настоящей диссертации являются политипы и твердые растворы (/3-фаза) в системах А1 — О — N и Si — А1 — О — N.

Другой перспективный класс керамики разрабатывается на основе соединений переходных металлов с sp элементами (т.н. металлсодержащая керамика). Одной из важнейших особенностей этих соединений являются эффекты пестехиометрни. Чаще всего нестехиометрпческис фазы формируются за счет образовании в их составе металлоидных вакансий. Гораздо менее характерным является присутствие в металлсодержащей керамике структурных вакансий по металлической подрешетке. Типичными представителями последних являются соединения, образующиеся в системе Zr — О — N. Эти соединения обладают также рядом других интересных свойств, например, высокой термостойкостью, ионной проводимостью, используются в элементах питания и других устройствах. Поэтому еще одним объектом исследования в представленной диссертации являются соединения в системе Zr — О — N.

В связи с вышеизложенным, целью диссертационной работы является исследование электронной структуры, химическом связи и эффектов 7 атомного упорядочения в системах А1 — О — N, Si — А1 — О — NnZr — О — N.

Актуальность работы подтверждается поддержкой Российским фондом фундаментальных исследований в виде грантов Л/^98—03—32 512 «Сиало-новая керамика: квантовохимическое моделирование структуры и физико-химических свойств» и А/^01—03—96 515 (Урал) «Квантовохимическое моделирование новых керамических материалов в многокомпонентной системе.

М-SiAl-O-N©.

Работа выполнена в рамках плановой темы НИР Института химии твердого тела УрО РАН «Теоретическое моделирование электронной структуры и физико-химических свойств твердофазных соединений и поиск новых составов и структур с технологически перспективными свойствами» (Гос. регистрация Л/^01.9.70 009 243).

В соответствии с целью исследования были поставлены следующие конкретные задачи:

1. изучить электронно-энергетическую структуру, природу межатомных взаимодействий и провести моделирование химического состава А1 — N — О и Si — А1 — N — О-политипов;

2. провести квантовохимическое моделирование атомной структуры А1 — N — О и Si — А1 — N — О-политипов;

3. на основе данных о электронной структуре установить механизм формирования составов и исследовать эффекты атомного упорядочения в /3-сиалонах (Si6-a-Al^OajNe-®);

4. провести неэмпирическое моделирование электронно-энергетических характеристик /3-сиалонов в упорядоченном и неупорядоченном состояниях;

5. установить закономерности формирования электронного спектра и межатомных взаимодействий в нестехйометрическом нитриде циркония и примесных системах ZrN — (Al, Si, В, С);

6. пронести квантовохимическое моделирование электронно энергетических характеристик, параметров межатомных связей и эффектов кластеризации дефектов (атомов примесей In, Tl, Са, N и кислородных вакансий) в Zr02 со структурой типа CaF2 (F — ZrC^), объяснить явление стабилизации F-фазы атомами примесей.

Научная новизна:

1. Впервые изучены зонная структура, химическая связь и проведено квантовохимическое моделирование составов и атомных структур политипов н системах А1 — О — N, Si — А1 — О — N и твердых растворах (AlN)ix (SiC)aи /3 — Sig-^Al^O^Ns-x. Предложена модель формирования химического состава и атомного упорядочения соединений в указанных системах. На основе анализа атомной структуры и химической связи выделено три концентрационных интервала изменения свойств в области гомогенности /3-сиалонов.

2. Впервые с использованием неэмпирического зонного метода JIMTO-ПП в модели 56-атомной сверхячейки установлены особенности зонной структуры упорядоченного и неупорядоченного состояний /3-сиалона.

3. Установлены особенности электронных свойств нестехиометрическо-го нитрида циркония (по Nи Zr-подрешеткам) и тройных фаз па основе ZrN с примесями Al, Si, В, С, получены энергии образования этих дефектов и объяснена природа образования нестехиометриче-ских фаз.

4. Впервые проведено моделирование электронной структуры, химической связи и эффектов кластеризации в ионных проводниках на основе F — Zr02 с примесями N, In, Tl, Са, предложены способы модификации их составов для улучшения характеристик кислородной проводимости.

Научная и практическая ценность. Модели формирования химического состава и атомной структуры КМ могут быть использованы для целенаправленной модификации их свойств и создания квантовых устройств. Использованные приемы моделирования данных об этих характеристиках могут применяться для прогноза новых керамических соединений и создания материалов с заранее заданными свойствами.

В работе предложены конкретные способы увеличения когезионных свойств (3-сиалонов и проводящих свойств ионных проводников на основе F — Zr02.

Положения, выносимые на защиту:

1. Модель формирования химического состава соединений в системе Si— А1 — О — N и Si — А1 — N — С.

2. Модели сверхструктур в SiA10N-политипах и многокомпонентных системах A1N — SiC и /3 — Sie-zAlzOxNg-z.

3. Зависимость когезионных свойств /3 — Sio-xAlxOxNg-z от концентрации х и влияние упорядочения на электронно-энергетические свойства /3-сиалонов.

4. Влияние точечных дефектов — металлоидных, металлических вакансий и примесей замещения Al, Si, В, С — па электронно-энергетические характеристики кубического ZrN.

5. Эффекты кластеризации дефектов — металлоидных вакансий и примесей замещения (In, Tl, Са, N) — и их влияние на электронные свойства и параметры ионной проводимости в F — Z1O2.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались па следующих конференциях:

1. XVI Научная школа-семинар «Рентгеновские и электронные спектры н химическая связь». (Ижевск Удмуртская республика. 15−18 декабря 1998 г.).

2. IV Российско-Германская конференция «Физика и химия новых материалов» (Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, 1999 г.).

3. XVII Научная школа-семинар «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Екатеринбург. Сентябрь 15−17. 1999 г.).

4. III Уральская Региональная Школа-семинар Молодых Ученых и Студентов по Физике Конденсированного Состояния (Уральский государственный университет, Екатеринбург, 1999 г.).

5. International conference «Advanced materials». Symposium A: engineering of composites: investigations, technologies and perspectives. (Kiev, 1999).

6. V Международная школа-семинар 'Эволюция дефектных структур в конденсированных средах" (Алтайский государственный технический университет, Барнаул, 2000 г.).

7. Всероссийская конференция «Химия твердого тела и функциональные материалы» (Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, Россия, 2000 г.).

8. IV Уральская Региональная Школа-семинар молодых ученых и студентов, но физике конденсированного состояния (Уральский государственный университет, Екатеринбург, 2000 г.).

9. Всероссийская конференция «Кинетика электродных процессов и ионно-электронный транспорт в твердых электролитах». (Институт Электрохимии УрО РАН, Екатеринбург, 2000).

10. Международное совещание «Фундаментальные проблемы ионики твердого тола». (Черноголовка. 2000).

11. IV Всероссийская конференция «Физико-химические проблемы создания новых конструкционных керамических материалов. Сырье, синтез, свойства» (Сыктывкар. 2001 г.).

12. Condensed Matter Theory group at the Institute of Physics and.

О о.

Astronomy, Arhus University, Arhus, Denmark. 2001.

13. Конференция «Химия твердого тела и современные микрои нано-технологии» (Кисловодск, 24−27 сентября 2001 г.).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 23 печатных работах, в том числе 11 статьях.

Структура и объем работы. Диссертация изложена на 172 страницах машинописного текста, включая 42 рисунка и 15 таблиц. Диссертация состоит из введения, шести глав, выводов и библиографии (174 наименований).

Выводы.

1. Впервые проведен квантовохимический анализ природы формирования химического состава Al-N-OnSi-Al-N — О-политипов. Установлено, что введение примесей О и Si в состав вюртцитоподобно-го A1N приводит к возникновению вакансий в подрешетке алюминия в соотношении {30+VA1} или {20 + Si+VA1}, определяя химический состав политипов — (A1N)2 • AI2O3 и ALj-i-ySig—хОдN8 -х+у (У — 2n, п — целое число), соответственно. Дефекты образуют электронейтральные ассоциаты {302~+2А13++УА1} и {Si4++Al3++202—f N3~+Va1}, обеспечивающие минимум зарядовой неоднородности в объеме системы.

2. Структура политииов определяется упорядочением ассоциатов дефектов, формирующих слоистые сверхструктуры из чередующихся блоков базисной фазы A1N и «блоков дефектов» {О — (Alo^Vj^) — О — А1} в системе А1 — N — О и {О — (AI0.5V&) — N — (Sio.5Alo.5)} в системе Si — А1 — N — О. Формирование «блоков дефектов», а также различных типов упаковок политипов (R и Н) связано с нестабильностью межслоевых связей А1 — О.

3. Высказано предположение о возможности возникновения «политипизма политипных слоев» как эффекта упорядочения разносортных элементов в объеме блока дефектов фиксированного состава. Вариантом «политииизма иолитипов» может стать изменение состава «дефектного блока» при неизменном числе окружающих его слоев базисной фазы (A1N) при заданной «слойности» политипов, например, 15Д, 12Н, 21R и т. д.

4. Впервые изучены эффекты атомного упорядочения в (3-сиалонах (Sie-aAljOsNe-i). Обнаружено формирование сверхструктур в виде протяженных квазиодномерных структур, составленных 12-атомными кольцамиА1 — О — Al — О-, (примесные каналы), содержащих минимальное число невыгодных в системе связей А1 — О и Si — О. В области гомогенности (3 — Si6-aAlxOxN8-x выделено три концентрационных интервала с отличающимися механизмами формирования физико-химических свойств: I — 0.0 < х < 2.0, II — 2.0 < х < 4.0, III — х > 4.0.

5. С использованием неэмпирического метода ЛМТО-ПП впервые изучены электронно-энергетические характеристики упорядоченного и неупорядоченного состояний /3 — Si6xAlxOxN8-x (при х = 1.5). Установлено, что образование квазиодномерных сверхструктур сопровождается расщеплением 02s, 2р-состояний и, как следствие, уменьшением ширины запрещенной щели (с 3.7 в неупорядоченном до 2.2 эВ в упорядоченном /3-сиалоне). Энергия когезии упорядоченного (3-сиалона (при х = 1.5) на 2.33 эВ/атом превышает таковую в неупорядоченном состоянии.

С. Впервые установлены закономерности формирования электронного спектра и межатомных взаимодействий в нестехиометрическом нитриде циркония и примесных системах ZrN — (Si, Al, В, С). Для несте-хиометрического по азоту Zr4N3 обнаружен резкий рост нрифермиев-ской плотности делокализованных состояний, определяющий возрастание металлоподобных свойств некомплектного нитрида циркония. Наоборот, при введении металлических вакансий (состав Zr3N4) нитрид переходит в полупроводниковое состояние.

7. ЭЭС и природа химической связи в тройных системах Zro.75Alo.25N, ZrNo.75Sio.25) Zro.75Sio.25N, ZrNo.75Alo.25 определяются как типом примесного элемента, так и позицией замещения, и не могут быть описаны в рамках качественной модели жесткой полосы. Валентные s, р, состояния Зр-примесей (Al, Si) участвуют в изменении энергетического спектра ZrN по всей его ширине. Наоборот, для их 2р~ аналогов (В, С) в организации энергетического распределения валентных состояний и межатомных связей в TP принимают участие только (В, C)2s, 2р-орбитали, которые примешиваются, в основном, к связывающей р —-полосе нитрида, практически не влияя на форму распределения прифермиевских состояний матрицы.

8. Впервые обнаружено, что стабилизация флюоритоподобных диокси-нитридов циркония при замещении О N происходит за счет образования сильных гибридных связей Zr4d — N2p. Роль анионных вакансий заключается в регулировании степени заполнения валентных зон. Оптимальная устойчивость структуры достигается при содержании дефектов (примесных атомов азота и анионных вакансий) в соотношении {2N3 + V0}, которые образуют «кластеры дефектов» — «зародыши» мононитридной фазы (типа В1).

9. В результате исследований атом, но вакансионпого упорядочения в системах Zr02 — 1п20з, Zr02 — In203 — Т1203, Zr02 — ln203 — CaO впервые установлено, что их максимальная устойчивость достигается при образовании компактных атомно-вакансионных ассоциатов (например, 1и2 — V0). Стабилизация флюорптпой фазы Zr02 примесями In объясняется усилением связей In — О в этих кластерах. Немонотонность зависимости ионной проводимости в системе Zr02 — In203 при росте концентрации 1п203 связана с взаимным действием двух конкурирующих факторов — увеличением числа О-вакаисий, ответственных за перенос кислорода, (рост ионной проводимости) и увеличением их энергии активации при образовании устойчивых комплексов (In2 — V0) (уменьшение проводимости).

10. Предложен способ увеличения кислородной проводимости в систе.

152 ме ZrC>2 — 1П2О3, путем изоэлектронных замещений Т1 —> In. Дальнейший рост ионной проводимости можно ожидать при замещении Са —> In за счет роста концентрации анионных вакансий.

Благодарности автора.

Я выражаю признательность своему научному руководителю д.х.н., проф. Ивановскому A. J1. за труды, потраченные на меня в процессе моего обучения в аспирантуре и подготовке диссертации.

Я также благодарен всем сотрудникам лаборатории физических методов исследования твердого тела за полезное обсуждение моих результатов и особенно к.х.н. Новикову Д. Л. и к.х.н. Медведевой Н. И. за неоценимую помощь в освоении програм и методов JIMTO.

Выполнение одной из важнейших частей работы — ЛМТО-ПП-расчетов /3-сиалонов — было бы невозможно без помощи Кристенсена Н. Е., пригласившего меня на стажировку в Группу теоретической физики Института физики и астрономии Университета Орхуса (Дания).

Работа поддержана грантами ЛЛ98−03−32 512,01−03−96 515 (Урал) Российского фонда фундаментальных исследований.

Показать весь текст

Список литературы

  1. В.Г., Зиненко В. И., Шнейдер В.Е./Микроскопические теории структурных фазовых переходов типа порядок-беспорядок в кристаллах// УФН, том 141, вып. 4, с. 629 (1983).
  2. Polak М., Rubinovich L./ The interplay of surface segregation and atomic order in alloys// Surf. Sci. Rep. V 38. p. 127 (2000).
  3. A.M., Ремпель A.A. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург. УрО РАН. 2001.
  4. Рао У.Н.Р., Гоналакришнан Дж. Новые направления в химии твердого тела.- Новосибирск: Наука, 1990. 519 с.
  5. Жуков В.П./ Возможности вычислительных методов в теории химической связи в твердом теле// Журнал структ. химии. Том 38 А^ 3. стр. 554 (1997). /
  6. В.А., Курмаев Э. З., Ивановский A.JI. Квантовая химия твердого тела. М.: «Наука». 1984.
  7. В.В., Кучеренко Ю. Н. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронные состояния в неидеальных кристаллах. Киев. «Наукова думка». 1986.
  8. Дж. Теория энергетической зонной структуры. М.: «Мир». 1969.
  9. Wijevekara S. D., Hoffman R./ Transition-Metal Carbides. A. Comparison of Bonding in Extended and Molecular Interstitials// Organometallics. V. 3. N. 7. p. 949−961 (1984).
  10. Alvarez S. Tables of Parameters for Extended Huckel calculations. -Barselona: Univ. Barcelona, 1989.
  11. И. Жуков В. П. Электронная структура и природа закономерностей в атомных и электромагнитных свойствах тугоплавких соединений переходных металлов. Докторская диссертация. Свердловск. 1988 г.
  12. В.П., Губанов В. А., Швейкин Г. П., Михайлов Г. Г. Самосогласованные расчеты энергетической зонной структуры и некоторых термомеханических характеристик тугоплавких карбидов переходных металлов методом ЛМТО-ПАС. Свердловск. «Свердловск». 1984.
  13. Price D.L., Wills J.M., Cooper B.R./ Linear-Muffin-Tin-Orbital calculation of TaC (001) surface relaxation// Pliys. Rev. V. B48. N. 20. p. 15 301−15 310. (1993).
  14. Hugosson H.W. Theoretical studies of phase stabilities and electronic structure in molibdenum carbide. Licentiate thesis in physics. Uppsala. 1999
  15. Weyrich K.H., Brey L., Cristensen N.E./ Full-potential linear-muffin-tin-orbital calculation of phonon freqencies in semiconductors// Phys.Rev. V. B38. N. 2. p. 1392−1396. (1988) .
  16. Methfessel M., Scheffler M./ Full-potential LMTO calculations for atomic relaxations at semiconductor-semiconductor interfaces// Physica В. V. 172. p. 175−183. (1991).
  17. Skriver H. The LMTO Method. Berlin-Heidelberg-N.Y.-Tokyo: Springer. 1984. 124 p.
  18. Энциклопедический словарь. Физика твердого тела. Под редакцией В. Г. Барьяхтара. Киев. Наукова думка. 1996.
  19. А.И., Физическая химия нестехиометрических тугоплавких соединений. М.:"Наука", 1991. 270 с.
  20. В.Н., Гуеев А. И. Упорядочение в карбидах титана и ванадия. Екатеринбург. УрО РАН. 2000.
  21. Рем пел ь А. А. Эффекты упорядочения в нестехиометрических соединениях внедрения. Екатеринбург: Наука. 1992. 230 с.
  22. Л.В. Образование, структура и свойства упорядоченных и неупорядоченной фаз в нестехиомеурическом карбиде титана. Кандидатская диссертация. Екатеринбург. 1999.
  23. Г. С., Даниленко Н.В./ Политипообразоваиие в неметаллических веществах// Успехи химии. Том 6G. Л/^7. с. G15−635. (1997).
  24. Ekstrom Т., Nygren М./ SiAlON Ceramics// Л. Amer. Comm. Soc. V. 75. p. 259. (1992).
  25. Т.Я., Андреева T.B., Бартницкая Т. Б. и др. Неметаллические тугоплавкие соединения. М.: Металлургия. 1985.
  26. Jack К.Н./ Review. Sialons and related nitrogen ceramics// J. Mater. Sci. V. 11. No. 4. P. 1135 1158. (1976).
  27. Cheng Y.B., Drennan J./ Microstructural characterization of Zr02/0' -SiAlON composites// J. Amer. Ceram. Soc. V. 79. N. 5. p. 1314 1318. (1996).
  28. Katz R.N./ Application of silicon nitride ceramics// Industrial Ceram. V. 9. N. 3. (1997).
  29. Metselaar R./ Terminology for compounds in the Si Al — О — N system // J.Europ. Ceram. Soc. V. 18. No. 3. P. 183−184. (1998).
  30. M., Андерко К. Структура двойных сплавов. М.: Металлургиз-дат. 1962.
  31. Г. В. Неметаллические нитриды. М.: Металлургия. 1969.
  32. Ф. Структура двойных сплавов. М.: Металлургия. 1973.157
  33. A.JI., Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Неметаллические тугоплавкие соединения и неметаллическая керамика. Екатеринбург: «Екатеринбург». 2000. 187 с.
  34. Cliristensen N.E., Gorczyca I./ Optical and structural properties of III—V nitrides under pressure// Phys. Rev. V. B50. P. 4397. (1994).
  35. Xu Y.N., Ching W.Y./ Electronic, optical, and structural properties of some wurtzite crystals.// Phys. Rev. V. B48. N. 7. P. 4335. (1993).
  36. Hughes J.L., Wang Y., Sipe J.E./ Calculation of linear and second-order optical response in wurtzite GaN and A1N// Phys. Rev. V. B55, No. 20. P. 13 630−13 640. (1997).
  37. Ching W.Y., Harmon B.N./ Electronic structure of A1N// Phys. Rev. V. B34. No. 8. p. 5305−5308. (1986).
  38. Longhin S., French R.H., Ching W.Y. Xu Y.N., Slack G.A./ Electronic structure of aluminium nitride: Theory and experiment// Appl.Phys.Lett. V. 63. N. 9. p. 1182−1184. (1993).
  39. Corkill L.L., Rubio A., Cohen M.L./ Cation dependence of the electronic structure of III—V nitrides// J.Phys.: Cond.Matter. V. 6. p. 963−697. (1994).
  40. Ruiz E., Alvarez S., Alemany P./ Electronic structure and properties of AIN// Phys.Rev. V. B49. p. 7115. (1999).
  41. Suzuki M., Uenoyama Т., Yanese A./ First-principles calculations of effective-mass parameters of A1N and GaN// Phys.Rev. V. B52. N. 11. p. 8132. (1995).
  42. Ferhat M., Zaoui A., Certier M., etc./ Empirical tight-binding band structure of zinc-blende nitrides GaN, A1N, and BN// Phys. status solidi. V. B195. No. 2. p. 415 424. (1996).158
  43. Kamiya Т./ Calculation of crystal structures, dielectric constants and piezoelectric properties of wurtzite-type crystals using ab-initio periodic Hartee-Fock method// Japan. J. Appl. Phys. Part. I. V. 35. No. 8. p. 44 214 426. (1996).
  44. Wei S.H., Zunger A./ Valence band splittings and bands offsets of A1N, GaN, and InN// Appl.Phys.Lett. V. 69. No. 18. p. 2719−2721. (1996).
  45. Paulus S., Shi E.J., Stoll H./ A correlated ab initio treatment of the zinc-blende wurtzite polytypism of SiC and III—V nitrides// J.Phys.-Condens.Matter. V. 9. No. 13. p. 2745−2758. (1997).
  46. Wright A.F./ Elastic properties of zinc-blende and wurtzite A1N, GaN, and InN// J.Appl.Phys. V. 82. p. 2833 2839. (1997).
  47. Pugli S.K., Dugdale D.J., Brand S., A brain R.A./ Electronic structure calculations on nitride semiconductors// Semicond. Sci. Technol. V. 14. No.1. p. 23−31. (1999).
  48. Djurisic А.В., Li Е.Н./ Optical constants of AlxGaixN: Modeling over a wide spectral range// Phys. stat. sol. V. B216. No. 1. p. 199−203. (1999).
  49. Stampfl C., Van de Walle C.G./ Density-functional calculations for III-V nitrides using the local-approximation and the genetalized gradient approximation// Phys. Rev. B59. No. 8. p. 5521 5535. (1999) .
  50. Ching W.Y./ Theoretical Studies of the Electronic Properies of Ceramic Materials// J. Am. Ceram. Soc. V. 73. N. 11, p. 3135. (1990).
  51. Mattila Т., Nieminen R.M./ Ab initio studies of atomic-scale defects in GaN and A1N// Mater. Sci. Forum. V. 258−263. p. 1119. (1997).
  52. А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах -Москва: Мир, 1969.159
  53. .И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев: Наукова Думка. 1984.
  54. McCauley J.W., Corbin N.D./ Phase relations and reaction sintering of transparent cubic aluminum oxynitride spinel (AlON)// J. Amer. Soc. V. 62. No. 9−10, p. 476−479. (1979) .
  55. Schuster J.C./ Phase-diagrams relevant for sintering aluminium nitride based ceramics// Rev. chim. Mineral. V. 24. No. 6. p. 676−686. (1987).
  56. Г. С., Шевченко О.А./ Природа политипизма в твердом растворе A1N-0// Металлофиз. новейш. техн. Том 16. Л/^2. С. 75−83. (1994).
  57. B.C. Теория изморфной смесимости. М.:"Наука". 1977.
  58. Mo S., Cliing W.Y./ Electronic and optical properties of (c) — AI2O3 and comparison toa-Al203// Phys. Rev. V. B57. N. 24. P. 15 219 15 228. (1998).
  59. A.JI., Окатов С. В., Швейкин Г.П./ Зонная модель формирования политипов в соединениях неметаллов: вюртцитоподобные алю-мокремниевые оксинитриды// Доклады РАН. Том 366. Л/М. с. 54−57 .1999).
  60. С.В., Швейкин Г. П., Ивановский A.JI./ Зонная структура и эффекты атомного упорядочения в вюртцитоподобных оксинитридах алюминия. Металлофизика и новейшие технологии// Том 22. N 10. с. 3−9.2000).
  61. С.В., Ивановский А.Л./ Эффекты упорядочения и электронные свойства оксинитрида алюминия// Тезисы докладов. V Международная школа-семинар «Эволюция дефектных структур в конденсированных средах». г. Барнаул, с. 144. (2000).
  62. С.В., Ивановский A.JI./ Эффекты упорядочения и электронная структура сиалоновой керамики// Известия ВУЗов. Физика. Приложение. Том 43. A/Ml. с. 180−185. (2000).
  63. С.В., Ивановский А. Л., Швейкин Г.П.// Моделирование структуры политипов в системе Si Al — О — N. Огнеупоры и техническая керамика. № 8. с. 21. (2000).
  64. A.JI., Окатов С.В./ Моделирование структуры и электронного строения многокомпонентных систем: вюртцитонодобные твердые растворы A1N SiC// Материаловедение. Л/^2. с. 13−18. (2001).
  65. Г. Г. Карбидокремниевые материалы. М.: Металлургия. 1977. 215 с.
  66. Ruh R., Zangvil A./ Composition and properties of hot-pressed SiC — A1N solid solutions//J.Amer. Ceram. Soc. V. 65. p. 260−265. (1982).
  67. Edgar J.H./ Properties for device implementation of wide band-gap semiconductors// J. Mater. Res. V. 7. No. 1. p. 235−252. (1992).
  68. Rafaniello W., Cho K., Virkar A.V. // J. Mater. Sci. 16. 349. (1981).
  69. Tsikuma K., Shimada M., Koizumi M./ A new compound 81зА14^Сз with wurtzite structure in the system SisN4 AI4C3// J. Mater. Sci. Letters. V. 1. p. 9−12. (1982).
  70. Zingvil A., Ruh R./ Phase Relationships in the Silicon Carbide Aluminium Nitride System// J. Amer. Chem. Soc. V. 71. p. 884. (1988).
  71. A.B., Бритун В. Ф. Зелявский В.В., Громыко СЛ., Барт-ницкая Т.С., Людвинская Л.А./ Фазов.>1й состав и структура композиционных порошков на основе твердых растворов SiC и A1N// Порошковая металлургия. № 7/8. с. 81−85. (1997).
  72. Zaoui A., Certier М., Ferhat М., Pages О., Aourag Н./ Lattice and Electronic Structure Properties of (AlN)x (SiC)ia- Semiconducting Alloy// Phys. Status Solidi. V. 205 (b). p. 587. (1998).
  73. Di Felice R., Northrup J.E.// Phys. Rev. V. B56. p. 9213. (1997).162
  74. Stadele M., Majewski A.J., Vogl Р./ Stability and band offsets of polar GaN/SiC (001) and AIN/SiC (001) interfaces// Pliys. Rev. V. B5G. p. 69 116 920. (1997).
  75. Pandey R., Sutjianto A., Seel M., Jaffe J.E./ Electronic structure of high pressure phase of A1N// J. Mater. Res. V. 8. No. 8. p. 1922−1927. (1993).
  76. Kim K., Lambrecht W.R. L., Segall В./ Elastic constants and related properties of tetrahedrally bonded BN, A1N, GaN, and InN// Phys. Rev. V. B53. p. 16 310. (1996).
  77. Ivanovskii A.L./ Effect of defects on electronic structure, chemical bonding, and properties of nitrides of group III and IV p elements and materials on their basis// Russ. J. Inorg. Mater. V. 45. Suppl. 1. p. S1-S36. (2000).
  78. Park C.H., Chadi D.J./ Stability of deep donor and acceptor centers in GaN, A1N, and BN// Phys. Rev. V. B55. Л/М9. p. 12 995. (1997).
  79. Д.Е., Рыскин А.Е./ Реконструкция и самокомпенсация примесных центров в кристаллах соединений А2В6// Оптика и спектроскопия. Том 84. ЛЛ 1. с. 56−64. (1998).
  80. Ф. Структура двойных сплавов. М.: Металлургия. 1973. 690 с.
  81. A.JI. Квантовая химия в материаловедении. Нанотубуляр-ные формы вещества. Екатеринбург: Изд-во УрО РАН. 1999. 174 с.
  82. A.JI., Окатов С. В., Швейкин Г.П./ Электронная структура, химическая связь и эффекты атомного упорядочения в многокомпонентных фазах в системе Si Al — О — N// Доклады РАН. Том 374. А/^6. с. 792−797. (2000).
  83. Okatov S.V., Ivanovskii A.L./ Chemical bonding and ordering effects in /3 SiAlON. Int. J. Inorg. mater. V. 3/7. p. 923−930. (2001).
  84. Gauckler L.J., Prietzel S., Bodmer G., Petzow G./ Slome properties of 13 Sie-xAlsOxNe-*// Nitrogen Ceram. Ed. — Riby, 529 537. (1997).
  85. Cao G.Z., Metselaar R./ a'-Sialon Ceramics: A Review//Chem. Mater. V. 3. N. 2. p. 242. (1991).
  86. Gilbert J.E., Mosset A./ Preparation of /3 SiAlON from coal-mine schists// Mater. Res. Bull. V. 32. No. 10. p. 1441−1448. (1997).
  87. Seron A., Beguin F., Thebault J./ A new synthesis of /З'-sialon using the vapor-phase technique reduction of kaolin// J. Mater. Res. V. 9. No. 8. p. 2079−2085. (1994).
  88. Kleebe H.J., Cinibulk M.K., Cannon R.M., Riihle M./ Statistical-analysis of the intergranular film thickness in silicon-nitride ceramics// J. Amer. Ceram. Soc. V. 76. No. 8. p. 1969−1977. (1993).
  89. Dressier W., Riedel R./ Progress in silicon-based non-oxide structural ceramics// Inter. J. Refractory Hard Materils. V. 15. No. 1−3. p. 13−47. (1997).
  90. Borgen 0., Seip Н.М./ The crystal stucture of Si3N4// Acta Cliem. Scand. V. 15. No. 8. p. 1789. (1961).
  91. Griin R./ The crystal structure of (3 Si3N4- structure and stability considerations between a- and /3 — Si3N4// Acta Cryst. V. B35. p. 800 804. (1979).
  92. Liu A.Y., Cohen M.L./ Structural-properties and electronic-structure of low-compressibility materials — /?-Si3N4 and hypothetical /?-C3N4// Phys. Rev. V. B41. No. 15. p. 10 727−10 734. (1990).
  93. Xu Y.-U., Ching W.-Y./ Electronic structure and optical-properties of alpha-phase and beta-phase ••{' silicon-nitride, silicon oxinitride, and with comparison to silicon dioxide// Phys. Rev. V. B51. No. 24. 17 379−17 389. (1995).
  94. Duan Y., Zhang K., Xie X./ Electronic structural properties of /3 G3N4, /3-Si3N4 and beta-Ge3N4 // phys. status solidi. V. B200. No. 2. p. 499−508. (1997).
  95. Makler S.S., da Rocha G.M., Anda E.V./ Electronic structure of a -Sii-xN^: Hi and a Gei^R,: Hi// Phys. Rev. V. B41. No. 9. p. 5857−5870.(1990).
  96. Benco L./ Crystal Orbital Scheme for Si3N4// Ceram. Inter. V. 24. p. 333−339. (1998).
  97. Shabalov A.L., Feldman M.S., Bashirov M.Z./ Optical-properties of SiN^ films of variable composition// Phys. stat. sol. V. B145. No. 1. p. K71-K74. (1988).
  98. Senemaud C., Driss-Kliodja M., Gheorghiu A., Harel S., Dufour G., Roulet H./ Electronic structure of silicon nitride studied by both soft x-ray spectroscopy and photoelectron spectroscopy// J. Appl. Phys. V. 74. No. 8. P. 5042−5046. (1993).
  99. Carson R.D., Schnatterly S.E./ Valence-band electronic structure of silicon nitride studied with the use of soft-x-ray emission// Phys. Rev. V. B33. p. 2432−2438. (1986).
  100. Tanaka I., Nasu S., Adachi H., Miyamoto Y., Niihara K./ Electronic structure behind the mechanical-properties of beta-sialons//Acta Metal. Mater. V. 40. No. 8. p. 1995−2001. (1992).
  101. Tanaka I., Niihara K., Nasu S., Adachi H./ Calculation of the electronic structure of sp elements in /?-Si3N4 with correlation to solubility and solution effect// J. Amer. Ceram. Soc. V. 76. p. 2883−2838. (1995).
  102. Nakayasu Т., Yamada Т., Tanaka I., Adachi H., Goto S./ Electronic structures of Ln3+ a SiAlONs with correlations to solubility and solution effect// J. Amer. Ceram. Soc. V. 79. No. 10. p. 2527−2532. (1996).165
  103. Ching W.-Y., Huang M.-Z., Mo S.-D./ Electronic structure and bonding of/3 SiAlON// J. Amer. Ceram. Soc. V. 83. No. 4. p. 780−786. (2000).
  104. Гусев А.И./ Превращения порядок-беспорядок и фазовые равновесия в сильно нестехиометрических соединениях. // Успехи физ. наук. Том 170. I. e. 3−40. (2000).
  105. А.А. Эффекты атомно-вакансионного упорядочения в нестехиометрических карбидах // Успехи физ. наук. Том 166. ЛЛ1. с. 33−62. (1996).
  106. Goldschmidt H.J. Interstitial Alloys. London: Butterworth. 1967. V. 1. 447 p.
  107. Toth L.E. Transition Metal Carbides and Nitrides. N.Y., London: Academic Press. 1971. 278 p.
  108. Г. П., Алямовский С. И., Зайнулин К).Г., Гусев А. И., Губанов В. А., Курмаев Э. З. Соединения переменного состава и их твердые растворы. Свердловск: УНЦ АН СССР. 1984. 292 с.
  109. А.Л., Губанов В. А., Курмаев Э. З., Швейкин Г. П. Электронное строение и химическая связь в нестехиометрических тугоплавких соединениях на основе переходных металлов IVa, Va подгрупп // Успехи химии. Том 52. 3. с. 705−732. (1983).
  110. Marksteiner P., Weinberger P., Neckel A., Zeller R., Dederichs Р.Н./ Electronic Structure of Substoichiometric Carbides and Nitrides of Titanium and Vanadium // Phys. Rev. V. B33. N. 2. P. 812−820. (1986).
  111. Ivanovskii A.L., Anisimov V.I., Novikov D.L., Lichteiistein A.I., Gubanov V.A./ The Influence of Structural Defects on the Electronic Properties of Interstitial Alloys. I. Lattice Vacancies // J. Phys. Chem. Solids. V. 49. N 5. P. 465−477. (1989).
  112. Novikov D.L., Ivanovskii A.L., Gubanov V.A. The Influence of Carbon Vacancies on the Electronic Structure of Niobium Carbides// phys. stat. sol. (b). V.139. N 3. P. 257−265. (1987).
  113. А.Л., Анисимов В. И., Губанов В.А./ Влияние металлических и металлоидных вакансий на зонную структуру кубических (типа CaF2 и NaCl) фаз на основе переходных металлов // Металлофизика. Том 10. № 2. с. 47−54. (1988).
  114. А.Л., Жуков В. П., Губанов В. А. Электронное строение тугоплавких карбидов и нитридов переходных металлов. М.: Наука. 1990. 222 с.
  115. Gubanov V.A., Zhukov V.P., Ivanovskii A.L. New Achievements in Theoretical Calculations of Electronic Structure and Properties of Transition Metal Compounds // Rev. Solid State Sci. V.5. N. 2 3. P.315−323. (1991).
  116. Ивановский А.Д./ Тройные карбиды и нитриды па основе переходных металлов и элементов IIIB, IVB подгрупп: электронное строение и химическая связь// Успехи химии. Том 66. А/^6. с.499−518. (1995).
  117. А.Л., Медведева Н. И. Электронное строение метастабиль-ных твердых кубических растворов в системе Ti-А1−81-С-^-0.//Ж. неорган, химии. Том 42. Л/^5. с. 789 799. (1997).
  118. Hoffmann R. Solids and Surfaces: A Chemist’s View of Bonding in Extended Structures. N.Y.: VCH. p. 26−32. (1985).
  119. Schwarz K., Williams A., Cuomo J., Harper J./ Zirconium Nitride — a New Material for Josephson Junctions// Phys. Rev. B. V.32. N. 12. p. 83 128 318. (1985).
  120. Marksteiner P., Weinberger P., Neckel A., Zeller R., Dederichs Р.Н./ On the Electronic Structure of Zirconium Nitride: the Influence of Metal Vacancies // J. Phys. F: Metal Phys. V.16. N 9. p. 1495−1500. (1986).
  121. В.И., Трофимова Е. П., Лисенко А. А., Жураковский Е.А./ Электронная структура нитридов циркония со структурными вакансиями по азоту и цирконию// Металлофизика. Том 11. JVM. с. 14−21. (1990).
  122. Prieto P., Galan L., Sanz J.M./ Electronic Structure of Insulating Zirconium Nitride// Phys. Rev. V. B47. N. 3. p. 1613−1615. (1993).
  123. Prieto P., Fernandez A., Soriano L., Yubero F., Elizalde E., Gonzales-Elipe A.R., Sanz J.M./ Electronic Structure of Insulating Zr3N4 Studied by Resonant Photoemission// Phys. Rev. B. V.51. N. 24. p. 17 984 17 987. (1995).
  124. Prieto P., Yubero F., Elizalde E., Sanz J.M. Dielectric Properties of Zr, ZrN, Zr3N4 and Zr02 Determined by Quantitative Analysis of Energy Loss Spectra // J. Vacuum Sci. Technol. A. V.14. N 6. p. 3181−3188. (1996).
  125. Lerch M., Fuglein E., Wrba J./ Synthesis, Crystal Structure and High Temperature Behavior of Zr3N4// Z. Anorgan. Allgern. Chemie. V. 622. N 2. p. 367−372. (1996).168
  126. A.JI., Гусев А. И., Швейкин Г. П. Квантовая химия в материаловедении. Тройные карбиды и нитриды переходных металлов и элементов Шб, IV6 подгрупп. Екатеринбург: Изд-во УрО РАН. 1996. 337 с.
  127. A.JI., Медведева Н. И., Окатов С.В./ Влияние структурных дефектов на электронное строение и межатомные взаимодействия в нитриде циркония. Примеси Al, Si, В, С// Неорган, материалы. Том 37. ЛЛб. с. 708−715. (2001).
  128. A.JI., Медведева Н. И., Окатов С.В.// Влияние вакансий на электронное строение и межатомные взаимодействия в нитриде циркония. Неорган, материалы. Том 37. Л/^5. с. 552−559. (2001).
  129. Marksteiner P., Weinberger P., Neckel A., Zeller R., Dederichs Р.Н. Electronic Structure of Substoichiometric Carbides and Nitrides of Zirconium and Niobium // Phys. Rev. V. B33. N. 10. p. 6709−6717. (1986).
  130. A.JI., Елфимов И. С. Влияние углеродных вакансий на электронные свойства тройных карбидных сплавсш V.jTiyQc: ab initio JIMTO расчеты // Физ. твердого тела. Том 38. АЛ 12, с. 3608−3613. (1996).
  131. A.JI., Концевой О. Ю., Бамбуров В.П, Швейкин Г. П. Синтез и исследование электронных энергетических свойств кубических твердых растворов в системах Sc2CO ZrN, Sc2CO — HfN // Доклады РАН. Том 363. Л/М. с. 68−70. (1998).
  132. И.И., Глазова В. В. Взаимодействие тугоплавких металлов переходных групп с кислородом. М.: «Наука». 1967. 256 с.
  133. В.Н., Перфильев М. В. Электрохимия твердых электролитов. М.: Химия, 1978. 310 с.
  134. Ryshrewitch Е., Richerson D. Oxide Ceramice. Physical Chemistry and Technology. N.Y.: Haskell. 1985. 312 p.
  135. А. Химия твердого тела. M.: «Мир». 1988. 230 с.
  136. Morinaga М., Adachi Н., Tsukada М./ Electronic structure and phase-stability of Zr02// J. Phys. Chem. Solids. V. 44. N. 4. p. 301−306. (1983).
  137. Ellis D.E., Guo J., Lam D.J./ Cluster models for electronic-structure of oxide ceramics// J. Amer. Ceram. Soc. V. 73. N. 11. p. 3231−3237. (1990).
  138. French R.H., Glass S.J. Ohuchi F.S., Xu Y.-N., Ching W.Y./ Experimental and theoretical determination of the electronic structure and optical properties of three phases of Zr02// Phys. Rev. V. B49. N. 8. p. 5133−5142. (1994).
  139. Stefanovich E.V., Shluger A.L., Catlow C.R./ Theoretical study of hte stabilization of cubic-phase Zr02 by impurities// Phys.Rev. V. B49. N. 17. p. 11 560−11 571. (1994).
  140. Olkhovic G.A., Naumov 1.1., Velikohatnyi О.1./ Band structure of cubic Zr02 containing oxygen vacancies and calcium ions// J. Phys.: Condens. Matter. V. 7. N. 8. p. 1273−1282. (1995).170
  141. В.И., Жуков В. П., Жуковский В. М., Медведева Н. И. / Электронная структура и характеристики ионной проводимости в диоксиде циркония, стабилизированном примесями кальция и иттрия.// Ж. структ. химии. Том 41. А/5 2. с. 227. (2000).
  142. JI.В., Тихонов П. А., Глушкова В.В./ Фазовые соотношения в системе ZrC>2 — I112O3, синтез и физико-химические свойства твердых растворов// Докл. АН СССР. Том 273. ЛЛ1. с. 140−144. (1983).
  143. JI.B., Тихонов П. А., Комаров А. В., Попов В. П., Глушкова В. В., Заричняк Ю.П./ Электрические свойства твердых растворов в системе Zr02 In203// Журн. физ. химии. Том 60. Л^б. с. 1430−1434. (1986).
  144. Л.В., Попов В. П., Тихонов П. А., Глушкова В.Б./ Эвтекто-идный распад твердых растворов в системе Zr02 — 1п20з и электрические свойства// Журн. прикл. химии. Том 59. Л^И. с. 2454−2457. (1986).
  145. П.А. Фазы переменного состава с контролируемыми электрическими свойствами в системах на основе тугоплавких оксидов. Дис.. докт. хим. наук. Санкт-Петербург: ИХС РАН. 1999. 303 с.
  146. Gilles J.С./ Preparation par reaction й l’etat solide et structures des oxynitures de zirconium// Bull. Soc. Cliim. Fr. V. 11 12. p. 2118−2120. (1962).
  147. Gilles Л.С./ Formation d’oxynitures a partir des oxydes refractaires. Etude de leurs structures et de leurs proprietes.// Rev. Hautes Temp. Rdfract. t. 2. p. 237−262. (1965).
  148. Van Tendeloo G., Thomas G./ Electron microscopy investigation of the Zr02 ZrN system—I. Formation of an incommensurate superstructure Zr-O — N// Acta metall. V. 31. N 10. p. 1611−1618. (1983).171
  149. Van Tendeloo G., Anders L., Thomas G./ Electron microscopy investigation of the Zr02 ZrN system—II. Tetragonal and monoclinic Zr02 precipitation// Acta metall. V. 31. N 10. p. 1619−1625. (1983).
  150. Ikeda S., Yagi Т., Ishizawa N., Mizutani N., Kato M./ A new Face-centered cubic phase in the Zr02 ZrN system// J. Solid State Chem. V. 73. N. 1. p. 52−56. (1988).
  151. Pialoux A., Achour M./ Diifractometrie de rayons X a haute temp6tature et reactivete chimique: application a la nitruration carbothermique de la zircone// J. Less-Cominon Metals. V. 169. p. 317−330. (1991).
  152. Fuglein E., Hock R., Lerch M./ Crystal structure and high temperature behavior of Zr2ON2// Zaitschr. Anorg. Allgem. Cliemie. V. 623. N. 2. p. 304−308.(1997).
  153. Stoto Т., Doukhan J.C., Mocellin A./ Analitical electron microscopy investigation of the AIN — Zr02 system: identification of a quaternary Zr Al — О — N phase// J. Amer. Ceram. Soc. V. 72. N. 8. p. 1453−1457. (1989).
  154. Lerch M., Krumeich F., Hock R./ Diffusion controlled formation of ft type phases in the system Zr02-Zr3N4// Solid State Ionics. V. 95. N. 1. p. 87−93. (1997).
  155. A.JI., Зайнуллина B.M., Окатов С.В./ Химическая связь и электронное строение флюоритонодобных оксинитридов циркония// Ж. структ. химии. Том 41. А/^4. с. 679−687. (2000).
  156. Жуков В.П./ Электронная зонная структура и проводимость скутте-рудитов МР3 (М = Со, Ni)// Физика тв. тела. Том 38. с. 166−175. (1996).
  157. Gubanov V.A., Medvedeva N.I./ Electronic band structure and chemical bonding in the transition metal dioxides// Physica. V. B172. N. 2. p. 285−288. (1991).
  158. Физико-химические свойства окислов. Справочник/ Под ред. Самсо-нова Г. В. М.: Металлургия. 1978. 472 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!