Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронное строение тонких пленок систем Bi-Sr-Ca-Cu-O и Tl-Ba-Ca-Cu-O

Диссертация: Электронное строение тонких пленок систем Bi-Sr-Ca-Cu-O и Tl-Ba-Ca-Cu-O
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Спектр возможного применения ВТСП-материалов достаточно широк, однако одним из наиболее перспективных направлений является их использование в электронной промышленности, прежде всего, в микроэлектронике, космической и СВЧ технике. Специфика названных отраслей накладывает на ВТСП определенные требования, касающиеся их размеров, высокой критической плотности тока и низкого поверхностного… Читать ещё >

Электронное строение тонких пленок систем Bi-Sr-Ca-Cu-O и Tl-Ba-Ca-Cu-O (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА ВТСП СИСТЕМ НА
  • ОСНОВЕ ТАЛЛИЯ И ВИСМУТА (обзор литературы)
    • 1. 1. Особенности кристаллического строения В1−8г и
  • Т1-Ва- купратов
    • 1. 2. Особенности электронного строения систем В1−8г-Са-Си-0 и Т1-Ва-Са-Си
      • 1. 2. 1. Зонная структура и плотность состояний
      • 1. 2. 2. Рентгеновские эмиссионные спектры
      • 1. 2. 3. Фотоэлектронные спектры
  • ГЛАВА II. МЕТОДИКА РАСЧЕТА ЭЛЕКТРОННОЙ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ И СПЕКТРАЛЬНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК В ПЛЕНКАХ
    • 2. 1. Пленочный метод линеаризованных присоединенных плоских волн
      • 2. 1. 1. Базисные функции метода
      • 2. 1. 2. Построение пленочного потенциала
    • 2. 2. Методика расчета рентгеновских эмиссионных спектров
      • 2. 2. 1. Основы метода рентгеновской эмиссионной спектроскопии
      • 2. 2. 2. Формализм расчета рентгеновских эмиссионных спектров
    • 2. 3. Методика расчета фотоэлектронных спектров
      • 2. 3. 1. Основы метода фотоэлектронной спектроскопии
      • 2. 3. 2. Формализм расчета фотоэлектронных спектров
  • ГЛАВА III. ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ТОНКИХ ПЛЕНОК СИСТЕМ
  • Bi2Sr2Can.iCun02n+4 и ТЬВагСа^СипОгп^ (п=1, 2, 3)
  • ЗЛ. Детали расчета
    • 3. 2. Плотность электронных состояний
    • 3. 3. Рентгеновские эмиссионные спектры
    • 3. 4. Фотоэлектронные спектры

Актуальность исследования.

В 1986 г. было обнаружено, что ряд сложных оксидов на основе Ba-La-Cu-О с металлической проводимостью переходит в сверхпроводящее состояние при температурах, превышающих ранее установленные значения [1]. Так открытие высокотемпературной сверхпроводимости (ВТСП) стало одним из важнейших событий в физике твердого тела XX века. Если в первых публикациях по ВТСП [1−3] говорилось о критической температуре сверхпроводящего перехода (Тс) от 30 до 40 К, то уже через несколько месяцев был обнаружен материал Y-Ba-Cu-0 [4], надежно обеспечивающий Тс = 90 92 К. То обстоятельство, что Тс нового сверхпроводника оказалась выше температуры кипения азота 77 К, вызвало бурную реакцию со стороны фирм, занятых разработкой электротехнического и электронного оборудования. Затем, в течение нескольких лет после этого открытия были синтезированы практически все известные к настоящему времени высокотемпературные сверхпроводники с Тс до 164 К: YBa2Cu307−5 (Тс = 92 К), ЬаВа2Си3076 (Тс = 90 К) [4,5], YSr2Cu307.5 (Тс = 90 К) [6], Bi2Sr2CaCu208+5 (Тс = 80 К) [7], Bi2Sr2Ca2Cu3Oi0+5 (Тс = 105 К) [8], Т12Ва2СиОб+8 (Те = 80 К), Т12Ва2СаСи208+5 (Тс = 110 К) [9], Т1Ва2СаСи207.8 (Г, = 105 К) [10], Т12Ва2Са2Си3О10+5 (Тс = 125 К) [9], Tl0.2Hg0.8Ba2Ca2Cu3Ox (Тс = 144.4 К) [11], HgBa2Ca2Cu308+5 (Тс = 164 К) [12]. Однако вопрос о достоверности, а также однозначности информации об их физико-химических свойствах до сих пор стоит достаточно остро. А несовершенная технология приготовления, достаточно сложная атомно-кристаллическая структура и связанная с этим плохая контролируемость свойств ВТСП-материалов приводят к тому, что природа явления высокотемпературной сверхпроводимости до сих пор до конца не ясна. Отсутствие общепринятой универсальной теории высокотемпературной сверхпроводимости в значительной степени тормозит исследователей на пути совершенствования технологий получения этих материалов и разработки на их основе новых устройств.

Трудности, связанные с объяснением явления высокотемпературной сверхпроводимости, в значительной мере обусловлены отсутствием достаточно корректного описания электронной структуры этих материалов. Так, получение адекватной картины электронного строения материалов возможно лишь при согласовании теоретических расчетов с экспериментальными данными. Наиболее мощными и эффективными средствами экспериментального исследования электронной структуры твердых тел являются методы рентгеновской эмиссионной и фотоэлектронной спектроскопии [13−16], позволяющие сделать численную оценку энергетической протяженности валентной зоны и локализации парциальных состояний относительно уровня Ферми. Именно поэтому для сопоставления результатов теоретических и экспериментальных исследований могут быть выбраны эти два метода. Следует, однако, отметить, что прямое сравнение кривых плотностей электронных состояний с экспериментальными спектрами не вполне корректно. Поэтому важно доводить расчеты до вычисления распределения интенсивности спектров.

Спектр возможного применения ВТСП-материалов достаточно широк, однако одним из наиболее перспективных направлений является их использование в электронной промышленности, прежде всего, в микроэлектронике, космической и СВЧ технике [17]. Специфика названных отраслей накладывает на ВТСП определенные требования, касающиеся их размеров, высокой критической плотности тока и низкого поверхностного сопротивления материала. Перечисленным требованиям наиболее полно удовлетворяют монокристаллические ВТСП-пленки. Для обеспечения промышленного использования сверхпроводящие пленки должны обладать высокими воспроизводимыми электрофизическими и сверхпроводящими характеристиками. А удовлетворение этим требованиям невозможно без изучения электронного строения, а также закономерностей их структур. К настоящему времени проведены расчеты электронной структуры, рентгеновских эмиссионных и фотоэлектронных спектров только некоторых кристаллических соединений ВТСП. Наименее изученными с этой точки зрения являются все соединения на основе Т1-Ва-Са-Си-0 и ряд фаз ВьБгкупратов. Более того, для тонких пленок этих металлооксидов подобная информация в литературе до сих пор отсутствует.

Таким образом, исследование электронной структуры монокристаллических ВТСПпленок является одной из наиболее актуальных задач физики твердого тела и, в частности, физики ВТСП.

В качестве объектов исследования в диссертационной работе были выбраны тонкие моноячеечные пленки систем В128г2Сап]Сип02п+4 и Т12Ва2Сап1 Сип02П+4, где п изменяется от 1 до 3. Выбор этих систем ВТСП для детального исследования электронного строения вполне целесообразен, поскольку: во-первых, эти купраты имеют достаточно высокие критические температуры и, следовательно, представляют интерес с технологической точки зренияво-вторых, в ряду этих соединений существует четкая зависимость между их кристаллической структурой и температурой сверхпроводящего перехода, а расчет электронной структуры может помочь выявить связь между кристаллической структурой и электронным строением, необходимую как для построения современной теории высокотемпературной сверхпроводимости, так и для создания новых ВТСП-материалов.

Целью работы является теоретическое изучение электронного строения валентной зоны тонкопленочных высокотемпературных сверхпроводников.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие научные задачи:

• вычисление и анализ электронной зонной структуры и плотностей состояний моноячеечных пленок В128г2СиОб, В128г2СаСи208, В^ГгСагСизОю, Т12Ва2СиОб, Т12Ва2СаСи208 и Т12Ва2Са2СизОю;

• исследование природы взаимодействия Сш/- и Орсостояний путем расчета рентгеновских эмиссионных ОКа и СиЬа спектров валентной зоны всех исследуемых пленок;

• расчет фотоэлектронных спектров валентной зоны всех исследуемых пленок и интерпретация на их основе известных экспериментальные данных;

• изучение влияния числа медь-кислородных плоскостей п в элементарной ячейке на электронную структуру и спектральные характеристики пленок В128г2Сап1 Сип02п+4 и Т12Ва2Сап-1Сип02п+4.

Научная новизна работы.

Впервые в качестве объектов теоретического исследования электронной структуры ВТСП-купратов на основе ВьБг и Т1-Ва были выбраны их тонкие пленки, что позволило естественным образом учесть влияние поверхности на электронную структуру и спектральные характеристики этих материалов.

Впервые комплексно, в едином подходе (в рамках метода линеаризованных присоединенных плоских волн), проведено изучение электронного строения валентной зоны тонких пленок двух изоструктурных ВТСП систем ВьБг-Са-Си-О и Т1-Ва-Са-Си-0, включающее в себя расчет зонной структуры, плотностей электронных состояний, рентгеновских эмиссионных ОКа и СиЬа и фотоэлектронных спектров всех соединений.

Впервые показано влияние числа медь-кислородных плоскостей п на плотность электронных состояний, рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры тонких пленок В128г2Сап.1Сип021н4 и Т12Ва2Сап.1Сип02п44.

Объяснены причины наблюдаемого систематического расхождения в энергетическом положении и структуре основных максимумов рентгеновских эмиссионных и фотоэлектронных спектров между теоретическими и экспериментальными исследованиями.

Практическая ценность работы.

Одним из основных результатов настоящей диссертационной работы является определение причин систематического несовпадения результатов теоретических расчетов электронной структуры металлооксидов с экспериментальными данными. Таким образом, появляется возможность более точной оценки результатов расчетов и их более корректного сопоставления с данными, получаемыми в результате эксперимента.

Полученные в работе данные об электронном строении Вь8ги Т1-Вакупратов необходимы экспериментаторам и технологам с точки зрения поиска новых ВТСП-материалов с заданными свойствами, поскольку данные оксидные системы с высокотемпературной сверхпроводимостью находят все более широкое применение в различных областях науки и техники.

Основные положения, выносимые на защиту:

L В структуре валентной зоны тонкопленочных ВТСП систем Т1-Ва-Са-Си-0 и Bi-Sr-Ca-Cu-O преобладают гибридизованные кислородные 2ри медные 5¿-/-состояния, взаимодействующие резонансным образом. Результатом этого сильного взаимодействия является расщепление на две компоненты пика плотности кислородных рсостояний с минимумом в области локализации главного максимума плотности медных ¿-/-состояний.

2. Увеличение относительных вкладов атомов кислорода из медь-кислородных плоскостей с ростом числа этих плоскостей (п) в системах Bi2Sr2CaniCun02n+4 и Tl2Ba2Can. iCun02n+4 приводит к росту интенсивности и сглаживанию побочного максимума Каспектра кислорода.

3. Изменения в структуре фотоэлектронных спектров, происходящие при увеличении числа медь-кислородных плоскостей в пленках изученных систем, обусловлены усилением влияния dсостояний меди на структуру валентной полосы.

4. Влияния поверхности на фотоэлектронные спектры, исследуемых соединений, естественным образом учитывается в тонкопленочном расчете. Это приводит к улучшению согласия с экспериментальными данными по сравнению с аналогичными расчетами для объемных образцов.

Апробация работы.

Материалы диссертации докладывались и обсуждались на Шестой (Монтере, Швейцария, 1995) и Седьмой (Гетеборг, Германия, 1997) Международных конференциях по применению методов поверхностного и межфазного анализов ЕС ASIAЧетвертой Международной конференции «Действие электромагнитных полей на пластичность и прочность материалов» (Воронеж, 1996) — Первом.

Воронеж, 1996) и Третьем (Екатеринбург, 1999) российско-германском семинаре по электронной и рентгеновской спектроскопииСемнадцатой научной школе-семинаре «Рентгеновские и электронные спектры и химическая связь» (Екатеринбург, 1999) — Пятой Всероссийской Научной Конференции студентов-физиков и молодых ученых (Екатеринбург, 1999).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 12 работ.

Структура и объем диссертации

.

Диссертационная работа состоит из введения, трех глав, заключения и списка литературы, включающего 114 наименований. Работа изложена на 141 странице, содержит 13 таблиц и 38 рисунков.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ:

1 Валентную зону тонкопленочных систем Tl-Ba-Ca-Cu-O и Bi-Sr-Ca-Cu-0 образуют сильно гибридизованные 2рсостояния атомов кислорода и 3dсостояния атомов меди.

2 Взаимодействие dэлектронов атомов меди с рэлектронами атомов кислорода, принадлежащих одному кристаллографическому слою, носит резонансный характер, в результате чего плотность Орсостояний расщепляется на две части и имеет минимум при энергии, соответствующей главному максимуму плотности Cudсостояний. Такая структура локальных плотностей электронных состояний проявляется в рентгеновских эмиссионных спектрах — как расщепление Каспектра кислорода с минимумом в области локализации максимума Ьаспектра меди.

3 Увеличение энергии возбуждающих фотонов в фотоэлектронных спектрах всех изучаемых в работе пленок приводит к сдвигу главного максимума в сторону больших энергий связи. Причина этого сдвига связана с тем, что максимум плотности ?/- состояний атомов меди, отвечающий за положение главного максимума спектров при высоких фотонных энергиях, лежит ниже по энергии, чем максимум плотности рсостояний кислорода, определяющий положения главного максимума спектров при малых фотонных энергиях.

4 Увеличение числа медь-кислородных плоскостей (п) в пленках В128г2Сап1Сип02п+4 и Т12Ва2Сап.1Сип02п+4 приводит к:

— увеличению полной плотности электронных состояний на уровне Ферми, что может быть связано с ростом критической температуры в ряду этих соединений;

— росту интенсивности и сглаживанию побочного максимума рентгеновского ОКаспектра, происходящим вследствие увеличения вкладов атомов кислорода из плоскости меди относительно других атомов кислорода;

— сдвигу главных максимумов фотоэлектронных спектров пленок к уровню Ферми, обусловленному усилением влияния ?/- состояний меди на структуру валентной полосы.

5 Сравнение вычисленных и экспериментальных фотоэлектронных спектров пленок В128г2Сап-1Сип02п+4 и Т12Ва2Сап Сип02п+4 (п= 1,2,3) показало, что тонкопленочный расчет, учитывающий влияние поверхности, является более корректным, чем расчеты ФЭС, базирующиеся на объемных расчетах электронной структуры.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертационной работе в приближении функционала локальной плотности в рамках вычислительной схемы пленочного линейного метода присоединенных плоских волн были рассчитаны электронная структура, плотности электронных состояний, рентгеновские эмиссионные и фотоэлектронные спектры в пленках металлооксидов систем Bi-Sr-Ca-Cu-O и Tl-Ba-Ca-Cu-O. Расчет рентгеновских эмиссионных Сии ОКаспектров тонких пленок проводился в одноэлектронном и дипольном приближениях. Для расчета фотоэлектронных спектров использовалась аппроксимация, основанная на учете только однократного рассеяния в конечном состоянии.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Bednorz J.G., Muller К.A. Possible high Tc superconductivity in the Ba-La-Cu-0 systems // Z. Phys. B. — 1986. — V. 64. № 2. — P. 189−193.
  2. Evidence for superconductivity above 40 К in the La-Ba-Cu-0 compound system / Chu C.W., Ног P.H., Meng R.L. et al. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58. № 4. — P. 405−407.
  3. Bulk superconductivity at 36 К in Lai. gSro^CuCU / Cava R.J., Van Dover R.D., Battlogg B. et al. // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58. № 4. -P. 408−410.
  4. Superconductivity at 93 К in a new mixed phase Y-Ba-Cu-0 compound system at ambient pressure / Wu M.K., Ashbum J.R., Torng С J. et al // Phys. Rev. Lett. 1987. — V. 58. № 9. — P. 908−910.
  5. Itoh Т., Uzawa M., Uchikawa H. Formation process of polycrystalline LnBa2Cu30x (Ln=La, Nd, Sm, En, Gd, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu) // J. Crystal Growth. 1988. — V. 91. № 3. — P. 397−401.
  6. Wu M.K., Loo B.H. New synthesis route for cuprate oxide superconductors // Physica C. 1988. — V. 153−155. — P. 908−909.
  7. Growth of crystal and effects of oxygen annealing in the Bi-Ca-Sr-Cu-O and Tl-Ca-Ba-Cu-0 superconductor system / Ginley D.S., Morosin В., Baughman R.J. et al. // J. Crystal Growth. 1988. — V. 91. № 3. — P. 456−462.
  8. Analogy between УгВа^щОю-х and ВцСагЗ^СщО^+х / Char K., Berton R.W., Marshall A.F. et al. // Physica C. 1988. — V. 152. № 5. -P. 475−478.
  9. Greaves C. Infinite stacks of copper oxide // Nature. 1988. — V. 334. № 6179.-P. 193−194.
  10. Structure and superconducting properties of TlCan. iBa2Cun02n+3 thin films with zero resistance at temperature above 100 К / Huang T.C., Lee
  11. W.Y., Lee V.Y. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1988. — V. 27. № 8. -P. L1498-L1500.
  12. Pressure dependence of Tlo.2Hgo.8Ba2Ca2Cu30x / Drews A.R., Sketon E.F., Osofsky M.S. et al. // J. Supercond. 1995. — V. 8. № 5. -P. 615−616.
  13. В.Л. Сверхпроводимость и сверхтекучесть (что удалось и чего не удалось сделать) // УФН. 1997. — Т. 167, № 4. — С. 429−454.
  14. А., Леонхард Г., Сарган Р. Рентгеновские спектры и химическая связь / Киев: Наук, думка. 1981.- 413 с.
  15. В.М. Механизмы высокотемпературнойсверхпроводимости медных оксидов // ФНТ. 1996. Т. 22, № 1. -С. 3−42.
  16. Ю.Изюмов Ю. А. Сильно коррелированные электроны: t-J модель // УФН. — 1997. — Т. 167, № 5. — С. 465−497.
  17. Crystal density of perovskite superconductors / Raveau В., Michel C., Hervieu M. et al // Physica С. 1988. — V. 153−155. № 3−8. — P. 3−8.
  18. A.C., Зубов И. В. Введение в структурную физику высокотемпературных сверхпроводников. М. :Изд-во МГУ, 1991.- 112 с.
  19. Beech F., Miraglia S., Santoro A., Roth R.S. Neutron study of the crystal structure and vacancy distribution in the superconductor Ba2YCu3Oci-s // Phys. Rev. B. 1987. — V. 35, № 16. — P. 8778−8781.
  20. Crystal structure of (LaixMx)2Cu045 (M = Sr and Ba) / Onoda M., Shamoto S., Salo M. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1987. — V. 26. № 4.- P. L363-L365.
  21. Superconducting Т12Ва2СиОб: a high resolution neutron powder and single crystal x-ray diffraction investigation / Parise J.B., Torardi C.C., Subramanian M.A. et al. // Physica С. 1989. — V. 159. № 3. -P.239 — 244.
  22. Structures of the superconducting oxides Tl2Ba2Cu06 and Bi2Sr2Cu06 / Torardi C.C., Subramanian M.A., Calabrese J.C. et al. // Phys. Rev. B. -1988.-V. 38, № 1.-P. 225−231.
  23. The crystal structure and superconductivity of Tl2Ba2CaCu208 / Liang J.K., Huang J., Rao G.H. et al. // Phys. D.: Appl. Phys. 1988. — V. 21.-P. 1030−1034.
  24. Crystal structure of high-temperature superconductor Tl2Ba2CaCu208 / Subramanian M.A., Calabrese J.C., Torardi C. C et al. // Nature. 1988. — V. № 6163. — P.420−422.
  25. Crystal structure of Tl2Ba2Ca2Cu30io a 125 K superconductor / Torardi C.C., Subramanian M.A., Calabrese J.C. et al. // Science 1988. — V. 240.-P. 631−634.
  26. Crystallography and microstructure of Tl-Ca-Ba-Cu-O superconducting oxigen / Beyers R., Parkin S.S. P., Lee V.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. -1988. V. 53. № 5. — P. 432−434.
  27. Structure refinements of superconducting Tl2Ba2CaCu208 and Tl2Ba2Ca2Cu3Oio from neutron diffraction data. / Cox D.E., Torardi C.C., Subramanian M.A. et al. // Phys. Rev. B. 1988. — V. 38. № 10. -P.6624−6630.
  28. New class of high Tc structures: intergrowth of multiplie copper oxide perovskite-like layers with double sheets of BiO / Torrance J.B., Tokura Y., La Placa S.L. et al. // Solid State Commun. 1988. — V. 66. № 7. -P. 700−706.
  29. A new high-temperature superconductor: Bi2Sr3. xCaxCu208+y / Subramanian M.A., Torardi C.C., Calabrese J.C. et al. // Science 1988. -V. 239.-P. 1015−1017.
  30. Structure and physical properties of single crystals of the 84-K superconductor Bi22Sr2Cao.8Cu208+o / Sunshine S.A., Siegrist T.,
  31. Schneemeyer L.F. et al. // Phys. Rev.В. 1988. — V.38, № 1. — P. 893 896.
  32. Miehe G., Vogt T., Fuess H., Wilhelm M. Localization of excess oxygen in the high-Jc 2223-phase В^.дРЬо.зБгг.оСаьдСиз.оОю+б by neutron powder diffraction // Physica C. 1990. — V. 171, № 3−4. — P. 339−343.
  33. VF. Carrilo-Cabrera and W.Gopel. Influence of high-temperature annealing on the (Bi РЬ)28г2Са2СизОю phase and determination of its crystal structure by x-ray powder diffractometry // Physica C. 1989. -V.161. — P. 373.
  34. Model family of high-temperature superconductors: TlmBa2Can-iCun02(n+i)m, (m = 1, 2- n = 1, 2, 3) / Parkin S.S.P., Lee V.Y., Nazzal A.I. et al. // Phys. Rev.B. 1988. — V.38, № 10. — P. 6531−6537.
  35. New oxide superconductors // Subramanian M.A., Torardi C.C., Gopalakrishnan J. et al. // Physica С. 1988. -V. 153−155. — P. 608−612.
  36. Superconductivity in the Bi-Sr-Cu- О system / Michel C., Hervieu M., Borel M.M. et al. // Z. Phys. B. Condensed Matter. — 1987. -Y.68, № 4. — P. 608−612.
  37. Single crystal X-ray structure analysis of Bi2(Sr, Ca)2CuOx, and Bi2(Sr, Ca)3Cu2Ox superconductors / Imai K., Nakai I., Kavashima T. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1988. — V. 27. № 9. p. L1661-L1664.
  38. Incommensurate structure in the Bi-Sr-Ca-Cu-O 80 К superconductor / Shaw T.M., Shivashankar S.A., La S.J. et al. // Phys. Rev.B. 1988. -V.37. — P. 37−40.
  39. Gai P.L., Day P. Microstructural modulation in superconducting
  40. Preperation and magnetic properties of Bii.5Pbo.5Sr2Ca2Cu30io / Myrayama N., Sudo E., Awano H. et al. // Japan. J. Appl. Phys. 1988.- V. 27. № 9. p. L1629-L1630.
  41. Ю.Н., Щепелев Ю. Ф., Левин A.A. Особенности строения высокотемпературных сверхпроводников // Журнал неорг. химии -1989. Т. 34, В. 10. — С. 2454−2468.
  42. A new member of the thallium superconductive series the oxide TlBa2CaCu20g-y importance of oxygen content / Hervieu M, Maignan A., Martin C. et al. // Solid State Chem. 1988. — V. 75. — P. 212−215.
  43. Massidda S., Yu. J., Freeman A.J. Electronic structure and properties of Bi2Sr2CaCu2Og the third high-rc superconductor // Physica C. 1988. -Y. 152, № 3. — P. 251−258.
  44. Mattheis L.F., Hamann D.R. Electronic band and properties of CaSr2Bi2.2Cu208 // Phys. Rev. B. 1988. -V. 38. № 10. — P. 6470−6477.
  45. Krakauer H., Pickett W.E. Effect bismuth on high-rc cuprate superconductors // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 60, № 16. — P. 16 651 667.
  46. Singh David J., Pickett W.E. Band structure of Bi2Sr2Cu06: strong effects due to structural modulation // J. Supercond. 1995. — V. 8. № 5. — P.583−586.
  47. Hybertsen M.S., Mattheiss L.F. Electronic band of CaBi2Sr2Cu20g // Phys. Rev. Lett. 1988. — V. 60, № 16. — P. 1661−1664
  48. Sterne P.A., Wang C.S. Higher Tc through metallic interlayer coupling in Bi2Sr2CaCu208 // J. Phys. C. 1988. — V. 21. № 26. — P. L949-L955.
  49. Electronic structure of Bi2Sr2Cu06 (Bi2201): description of the copper -oxigen bands close to the Fermi energy / Rodriguez C.O., Weht Ruben, Weissmann Mariana et al. // J. Supercond. 1995. — V. 8. № 5. — P.639−640.
  50. Herman F., Kasowski R.V., Hsu W.Y. Electronic structure of oxygen-deficient high-rc superconductrors YBa2Cu30x (6 < x < 8) // Phys. Rev. B. 1987. — V. 36, № 13. — P. 6904−6914.
  51. Mattheiss L.F., Hamman D.R. Electronic structure of the high-rc superconductor Ba2YCu306.9 // Solid State Comm. 1987. — V. 66, № 5. — P. 395−399.
  52. Massidda S., Yu J., Freeman A.J. Electronic structure and properties of YBa2Cu307-s, a low dimensional, low density of states superconductor // Phys. Lett. A. 1987. — V. 122, № 3−4. — P. 198−202.
  53. Freeman A.J., Yu J. Electronic structure and high-rc superconductivity in transition metal oxides // Physica B. 1988. — V. 150, № 1−2. -P. 50−55.
  54. Krakauer H., Pickett W.E., Cohen R.E. Analysis of electronic structure and charge density of the high-temperature superconductor YBa2Cu307 // J. Supercond. 1988. — V. 1, № 1. — P. 111−141.
  55. Структура энергетических полос высокотемпературных сверхпроводников Lai.ssSro.nCuC^ и YBa2Cu307 / Анисимов В. И., Галахов В. Р., Губанов В. А. и др. // Физика металлов и металловедение. 1988. — Т. 65, № 1. — С. 204−206.
  56. Yu. J., Massidda S., Freeman A.J. Electronic structure and properties of the high-rc superconductors: Tl2Ba2CaCu208 and Т12Ва2Са2Си3Ою // Physica C. 1988. — V. 152. № 2. — P. 273−282.
  57. Kasowski R.V., Hsu W.Y., Herman F. Electronic structure of the new high-rc superconductors Т12Ва2СиОб, Tl2Ba2CaCu20g, Т12Ва2Са2Си3Ою and Tl2Ba2Ca3Cu40i2 // Phys. Rev. B. 1988. -V. 38. № 10. — P. 64 706 477.
  58. Calculated photoemission and x-ray emission spectra of Bi2Sr2CaCu2Os / Marksteiner P., Massidda S., Yu J. Et al. // Phys. Rev. B. 1988. — V. 38. № 7.- P. 5098−5101.
  59. Calculated photoemission, inverse photoemission and x-ray emission spectra of high-Tc superconductors: Tl2Ba2CaCu208 and Tl2Ba2Ca2Cu3Oio / Marksteiner P., Yu.J., ., Massidda S. et al. // Phys. Rev. B. 1988. -V. 38. № 4. — P. 2894−2897.
  60. Soft-x-ray emission spectroscopy study of La2CuC>4 and three high-Tc superconductors / Barnole V., Mariot J.-M., Hague C.F. et al. // Phys. Rev. B. 1990. — Y.41. № 7. — P. 4262−4270.
  61. Сравнительное исследование электронного строения Bi-систем 2212 / Кравцова Э. А., Мазалов JI.H., Парыгина Г. К. и др. // Журнал структурной химии. 1995. — Т.36. № 1. — С. 108−111.
  62. Electronic structure of Bi-Ca-Sr-Cu-O superconductors studied by photoelectron spectroscopy / Shen Z.-X., Lindberg P.A., Lindau I. et al. // Phys Rev. B. 1988. — Y. 38, № 10. — P. 7152−7155.
  63. Electronic structure of Bi-based copper oxide superconductors: A comparative photoemission study of Bi2Sr2CaCu208, Bi2Sr2CuC>6, and Bi2Sr2Co06+8 / Eisaki H., Takagi H., Uchida S. et al. // Phys. Rev. B. -1990. V. 41, № 10. — P. 7188−7191.
  64. Электронная структура и поверхность Ферми Bi-Sr-Ca-Cu-O -сверхпроводника // Антонов В. Н., Антонов Вл.Н., Барьяхтар В. Г. и др. // Доклады АН СССР. 1990. — Т. 312. № 4. — С. 847−851.
  65. Photoemission study of Bi2(Sr, Ca)3Cu20), / Fujimori A., Takekawa S., Takayama-Muromachi E. et al. // Phys. Rev В. 1989. — V. 39, № 4. -P. 2255−2260.
  66. Origin of the electronic states near the Fermi level in high-rc superconductors / Fujimori A., Tokura Y., Eisaki H. et al. // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40, № 10. — P. 7303−7306.
  67. Experimental electronic structure of Bi2Sr2CaCu208+s / Hillebrecht F.U., Fraxedas J., Ley L. et al. // Phys. Rev. B. 1989. — V. 39, № 1. — P. 236 242.
  68. Evidence from photoemission of strongly hybridized states at the fermi level of Bi2Sr2CaCu208 / List R.S., Arko A.J., Bartlett R.J. et al. // Physica C. 1989. — V. 159, № 4. — P. 439−442.
  69. Photoemission and resonant photoemission studies of Tl2Ba2Ca2Cu3Oio+y / Meyer III H.M., Wagener T.J., Weaver J.H. et al. // Phys. Rev. B. 1989. -V. 39. № 10. — P.7343−7346.
  70. Chemical bonding in T1 cuprates studied by x-ray photoemission / R.P. Vasquez, M.P. Siegal, D.L. Overmyer et al. // Phys. Rev. B. 1999. -V. 60. № 6. — P.4309−4318.
  71. Comparative photoemission studies of Tl2Ba2Can-iCun02n+4 (n = 1, 2, 3) / C.S. Gopinath, S. Subramanian, M. Paranthaman et al. // Phys. Rev. B. 1993. -V. 48. № 21. — P. 15 999−16 005.
  72. Mattheiss L.F. Energy band for solid argon // Phys. Rev. B. 1964. -V. 133, № 5A. — P. 1399−1403.
  73. Vosko S.H., WilkL., Nusair M. Accurate spin-dependent electron liquid correlation energies for local spin density calculations // Can. J. Phys. -1980. V. 80, № 8. — P. 1200−1211.
  74. Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. -М.: Наука, 1977. -224с.
  75. Kurganskii S.I., Dubrovskii O.I., Domashevskaya Е.Р. Integration over the two-dimensional Brillouin zone // Phys. stat. solidi (b). 1985. — V. 129, № 1. — P. 293−299.
  76. Caroli C., Lederer R.D., Roulet В., Saint J.D. Inelastic effects in photoemission: microscopic formulation and qualitative discussion // Phys. Rev. B. 1973. — V. 8, № 10. — P. 4552−4569.
  77. Winter #., Durham P.J., Stocks G.M. Theory of valence-band XPS spectra of random alloys: application to AgxPdix // J. Phys. F. 1984. -V. 14, № 4.-P. 1047−1060.
  78. Redinger J., Marksteiner P., Weinberger P. Vacancy-induced changes in the electronic structure of transition metal carbides and nitrides // Z. Phys. B. 1986. — V. 63, № 3. — P. 321−333.
  79. Feibelman P.J., Eastman D.E. Photoemission spectroscopy -correspondence between quantum theory and experimental phenomenology. Phys. Rev. B. — 1974. — V. 10, № 12. — P. 4932−4946.
  80. Faulkner J.S., Stocks G. M. Calculating properties with the coherent-potential approximation // Phys. Rev. B. 1980. — V. 21, № 8. -P. 3222−3244.
  81. Durham P.J. Electron spectroscopy of metallic systems // NATO ASI Series B. 1984. — V. 113. — P. Ш-159.Faulkner J.S. Multiple-scattering approach to band theory // Phys. Rev. B. — 1979. — V. 19, № 12. — P. 6186−6206.
  82. Mahan G.D. Collective excitations in X-ray spectra of metals // Phys. Rev. B. 1975. — V. 11, № 12. — P. 4814−4824.
  83. Drager G., Werfel F., Leiro J.A. Valence-electron states of Y2Ba4Cu807§ characterized by combined X-ray and photoemission studies // Phys. Rev. B. 1990. — V. 41, № 7. — P. 4050−4055.
  84. Leiro J.A., Werfel F., Drager G. Polarized ОKa and CuLa x-rayemissio spectra of Bi-Sr-Ca-Cu-O single crystal // Phys. Rev. B. -1991. V. 44, № 14. — P. 7718−7721.
  85. M.А., Швейцер КГ. Рентгеноспектральный справочник. -M.: Наука, 1982. -376 с.
  86. О.И., Курганский С. И., Домашевская Э. П. Электронная структура пленок системы La-Ba-Cu-O // ФНТ. -1989. Т. 15, № 5. — С. 473−477.
  87. Kurganskii S. L, Kharchenko M.A., Likhachev E.R., Dubrovskii O.I. Calculated spectral properties of УВа2Си3075 thin films // Phys. stat. sol. (b). 1997. — V. 201, № 2. — P. 417−428.
  88. О.И., Курганский С. И., Фарберович O.B., Домашевская Э. П. Самосогласованная электронная структура поверхности (001) алюминия // Поверхность. 1988. — № 2. -С. 28−34.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!