Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах

Диссертация: Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одной из основных задач современной электроники является улучшение характеристик полупроводниковых приборов, повышение их быстродействия и рабочих частот. Это достигается, в частности, существенным уменьшением характерных размеров полупроводниковых структур (толщин слоев, размеров электродов и т. д.). Электронный транспорт в таких структурах по сравнению со стационарным имеет ряд особенностей… Читать ещё >

Электронный транспорт в субмикронных и нанометровых диодных и транзисторных структурах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ЧАСТЬ I. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ И ФЛУКТУАЦИОННЫЕ ЯВЛЕНИЯ В ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ
  • ГЛАВА I. МОДЕЛИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
    • 1. 1. ВВЕДЕНИЕ
    • 1. 2. СИСТЕМА УРАВНЕНИЙ ДЛЯ РАСЧЕТА ДИНАМИКИ ЭЛЕКТРОНОВ В ПТШ
    • 1. 3. СИСТЕМА УПРОЩЕННЫХ УРАВНЕНИИ, ОПИСЫВАЮЩИХ ДИНАМИКУ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
    • 1. 4. УРАВНЕНИЕ ПУАССОНА В ПЕРЕМЕННОМ КАНАЛЕ
    • 1. 5. УРАВНЕНИЯ ДЛЯ РАСЧЕТА ХАРАКТЕРИСТИК ПТШ В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ
    • 1. 6. РАСЧЕТ ПРОВОДИМОСТИ КАНАЛА ПТШ ПРИ ПРОИЗВОЛЬНОМ ПРОФИЛЕ ЛЕГИРОВАНИЯ АКТИВНОГО СЛОЯ
    • 1. 7. РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ОБЕДНЕННОГО СЛОЯ НА ГРАНИЦЕ МЕВДУ АКТИВНЫМ И БУФЕРНЫМ СЛОЕМ С УЧЕТОМ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ
    • 1. 8. РАЗНОСТНЫЕ СХЕМЫ ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ РЕШЕНИЯ УРАВНЕНИИ, ОПИСЫВАЮЩИХ ПРОТЕКАНИЕ ТОКА В ТРАНЗИСТОРАХ

2.2. ВЛИЯНИЕ НЕЛОКАЛЬНЫХ ЭФФЕКТОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ.. 61.

2.3. ВЛИЯНИЕ ИНЕРЦИОННОСТИ ИЗМЕНЕНИЯ ИМПУЛЬСА.

НА НЕЛОКАЛЬНЫ! РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ В ПТШ.63.

2.4. ДИФФУЗИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПТШ С СУБМИКРОННЫМ ЗАТВОРОМ.. 67.

2.5. НЕЛОКАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПТШ, РАБОТАЮЩИХ.

В ДИНАМИЧЕСКОМ РЕЖИМЕ.70.

2.6. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ С НЕОДНОРОДНЫМ ПРОФИЛЕМ ЛЕГИРОВАНИЯ 73.

2.7. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПТШ С САМОСОВМЕЩЕННЫМ.

ЗАТВОРОМ (?г±ПТШ).80.

2.8. ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТШ С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ. 84.

2.9. НЕЛОКАЛЬНЫЕ ЭФФЕКТЫ В ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ С ГЕТЕРОИНЖЕКТОРОМ ГОРЯЧИХ ЭЛЕКТРОНОВ.. 89.

2.10. ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В ПТШ ИЗ ФОСФИДА ИНДИЯ. .. 93.

2.11.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

98.

ГЛАВА 3. ШУМОВЫЕ СВОЙСТВА ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

3.1.

ВВЕДЕНИЕ

104.

3.2. МОДЕЛЬ НЕКОРРЕЛИРОВАННЫХ ФЛУКТУАЦИИ.110.

3.3. СРАВНЕНИЕ С ЭКСПЕРИМЕНТОМ И ДРУГИМИ МОДЕЛЯМИ. .. 114.

3.4. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ И ПРОФИЛЯ ПОДВИЖНОСТИ ЭЛЕКТРОНОВ НА ДИФФУЗИОННЫЙ ШУМ В ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 119.

3.4. ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ АКТИВНОГО СЛОЯ.

НА СВЧ ШУМЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ. 124.

3.5. ВЛИЯНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА У СВОБОДНОЙ ПОВЕРХНОСТИ АКТИВНОГО СЛОЯ НА ШУМОВЫЕ.

ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ. 128.

3.7. ОЦЕНКА ИЗМЕНЕНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВЫХ.

ТРАНЗИСТОРОВ ПРИ ОХЛАЖДЕНИИ ДО 77 К.131.

3.8. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРЕДПОСЫЛКИ К СОЗДАНИЮ ТРАНЗИСТОРОВ.

С НИЗКОЙ МОДУЛЯЦИОННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ.135.

3.9. РАСЧЕТ ХАРАКТЕРИСТИК ПТШ И ПТ ГСЛ С НИЗКОЙ МОДУЛЯЦИОННОМ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ ПРИ.

СУБМИКРОННОЙ ДЛИНЕ ЗАТВОРА. 139.

3.10. РЕЗУЛЬТАТЫ ЭКСПЕРИМЕНТА.142.

3.11.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

145.

ГЛАВА 4. ПРОДОЛЬНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ТРАНСПОРТ В.

ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ С СЕЛЕКТИВНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ.

4.1.

ВВЕДЕНИЕ

151.

4.2. МОДЕЛИ ПТ ГОЛ.. 154.

4.3. ПОПЕРЕЧНЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ В СРУКТУРЕ МЕТАЛЛ — AI Ga, As — GaAs С СЕЛЕКТИВНЫМ.

X 1-х.

ЛЕГИРОВАНИЕМ.161.

4.4. ПОПЕРЕЧНЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ПЕРЕНОС ЭЛЕКТРОНОВ В СТРУКТУРАХ МЕТАЛЛ-In0 KOAln «QAs/In0 roGan «As.

0,52 0,4−8 0,53 0,47.

И МЕТАЛЛ-А1 Ga. As/In Ga, As/GaAs С СЕЛЕКТИВНЫМ X 1 -x у 1 -у.

ЛЕГИРОВАНИЕМ.. 165.

4.5. ВЛИЯНИЕ ПЕРЕНОСА ЭЛЕКТРОНОВ МЕЖДУ.

СЛОЯМИ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ ГСЛ.169.

4.6. ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ПРОСТРАНСТВЕННОГО ПЕРЕНОСА.

ЭЛЕКТРОНОВ НА СВЧ ШУШ AI Ga, As/GaAs ПТ ГСЛ. .. 171 x iх.

4.7. ОЦЕНКА ВЛИЯНИЯ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ.

СТРУКТУРЫ НА ШУМОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ ГСЛ. ... 174.

4.8. ДВУМЕРНЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ ГАЗ В ПРОСТРАНСТВЕННО НЕОДНОРОДНОЙ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ ЯМЕ.179.

4.9. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПТ ГСЛ.

С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ.181.

4.10. МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПТ ГСЛ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ. 183 4.11. ВЛИЯНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ, ИОНИЗОВАННЫХ ПОЛЕМ.

ЗАТВОРА НА ВАХ ПТ ГСЛ. 186.

4.12. ПОЛЕВАЯ И УДАРНАЯ ИОНИЗАЦИЯ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В ПТ ГСЛ 187.

4.13. ИЗМЕРЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ И СПЕКТРОВ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ. 189.

4.14.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

. 190.

ЧАСТЬ II. ПОПЕРЕЧНЫЙ ЭЛЕКТРОНЫ! ТРАНСПОРТ ЧЕРЕЗ КВАНТ0В0РАЗМЕРНЫЕ.

СТРУКТУРЫ В ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПОЛЯХ.

ГЛАВА 5. ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ КВАНТ0В0РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В СЛАБЫХ ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПОЛЯХ.

5.1.

ВВЕДЕНИЕ

197.

5.2. ВАРИАНТ ТЕОРИИ ВОЗМУЩЕНИИ.198.

5.3. ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ПРОЛЕТНЫЙ.

УЧАСТОК С ЛОКАЛИЗОВАННЫМ ВЧ ПОЛЕМ.208.

5.4. ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ПОТЕНЦИАЛЬНЫЕ БАРЬЕРЫ. 215.

5.5. ПРОХОЖДЕНИЕ ЭЛЕКТРОНОВ ЧЕРЕЗ ДВУХБАРЬЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ. 219.

5.6. РЕЗОНАНСНОЕ ВЗАИМОДЕИСТВМЕ ЭЛЕКТРОНОВ, С ВЧ ПОЛЕМ.

В СИММЕТРИЧНЫХ ДВУХБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУРАХ.230.

5.7. Ж ЛАЗЕР НА ЭФФЕКТЕ СТИМУЛИРОВАННОГО РЕЗОНАНСНОГО ТУННЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ.239.

5.8. КВАНТОВАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ПРОВОДИМОСТЬ ДВУХБАРЬЕРНЫХ РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫХ СТРУКТУР С ПРОЛЕТНЫМ УЧАСТКОМ. 243.

5.9. РЕЗОНАНСНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ С ВЧ ПОЛЕМ.

В НЕСИММЕТРИЧНЫХ ДВУХБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУРАХ. 247 5.10 ЗАКЛЮЧЕНИЕ.257.

ГЛАВА 6. ПЕРЕМЕННЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД В КВАНТ0В0РАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ.

6.1.

ВВЕДЕНИЕ

261.

6.2. МЕТОДИКА РЕШЕНИЯ САМОСОГЛАСОВАННЫХ.

УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА И ПУАССОНА. 261.

6.3. ПЕРЕМЕННЫЙ ПРОСТРАНСТВЕННЫЙ ЗАРЯД В КОРОТКОМ.

ПРОЛЕТНОМ УЧАСТКЕ И ДВУХБАРЬЕРНОМ СТРУКТУРЕ. 265.

6.4. АНАЛИТИЧЕСКОЕ РЕШЕНИЕ САМОСОГЛАСОВАННЫХ УРАВНЕНИЙ.

ШРЕДИНГЕРА И ПУАССОНА, ОПИСЫВАЮЩИХ РЕЗОНАНСНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОНОВ С ВЧ ПОЛЕМ В.

ДВУХБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУРАХ.267.

6.5.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

275.

ГЛАВА 7. ЭЛЕКТРОНЫИ ТРАНСПОРТ ЧЕРЕЗ КВАНТ0В0РАЗМЕРНЫЕ СТРУКТУРЫ В ВЫСОКОЧАСТОТНЫХ ПОЛЯХ КОНЕЧНОЙ АМПЖТУДЫ.

7.1.

ВВЕДЕНИЕ

277.

7.2. РЕШЕНИЕ УРАВНЕНИЯ ШРЕДИНГЕРА ПРИ.

ПРОИЗВОЛЬНОМ АМПЛИТУДЕ ВЧ ПОЛЯ.278.

7.3. ЗАВИСИМОСТЬ РЕЗОНАНСНОЙ ПРОВОДИМОСТИ СИММЕТРИЧНЫХ.

ДВУХБАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР ОТ АМПЛИТУДЫ ВЧ ПОЛЯ. 284.

7.4. НЕОБЫЧНОЕ ПОВЕДЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТА ОТРАЖЕНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ОТ НЕСИММЕТРИЧНЫХ ДВУХБАРЬЕРНЫХ.

СТРУКТУР В ВЧ ПОЛЕ КОНЕЧНОЙ АМПЛИТУДУ. .. ... .291.

7.5. ВЫСОКАЯ КВАНТОВАЯ ЭФФЕКТИВНОСТЬ МЕЖП0Д30ННЫХ ПЕРЕХОДОВ В НЕСИММЕТРИЧНЫХ ДВУХБАРЬЕРНЫХ.

СТРУКТУРАХ.297.

7.6.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

305.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

307.

ЛИТЕРАТУРА

315.

Актуальность темы

Одной из основных задач современной электроники является улучшение характеристик полупроводниковых приборов, повышение их быстродействия и рабочих частот. Это достигается, в частности, существенным уменьшением характерных размеров полупроводниковых структур (толщин слоев, размеров электродов и т. д.). Электронный транспорт в таких структурах по сравнению со стационарным имеет ряд особенностей. Это связано с тем, что размеры этих структур становятся сравнимы с длиной свободного пробега электронов. При этом в субмикронных структурах начинается нестационарный разогрев электронов, а в нанометровых, размеры которых сравнимы с длиной волны де Бройля, начинают проявляться квантовые эффекты. В настоящее время к числу наиболее высокочастотных малошумящих полупроводниковых приборов относятся прежде всего полевые транзисторы (ПТ) на арсениде галлия и других соединения А"ВГ, и резонансно-туннельные диоды. Первые уже широко.

О О используются в современной электронной технике, вторые интенсивно изучаются во многих лабораториях мира. Анализ электронных процессов в этих приборах требует создания адекватных физических моделей и математических методов их расчета. Возникающие здесь проблемы связаны, в частности, с тем, что физические модели и методы должны с одной стороны достаточно полно описывать особенности электронного транспорта, определяющие высокочастотные характеристики этих приборов, а с другой должны быть достаточно простыми и удобными для анализа характеристик реальных приборов и их проектирования. Так, наиболее строгий метод расчета электронного транспорта в субмикронных структурах — метод Монте-Карло слишком сложен и трудоемок как для выяснения комплексного влияния различных физических эффектов на электронный транспорт и характеристики соответствующих приборов, так и для их расчета и оптимизации. С другой стороны методы анализа, основанные на диффузионно-дрейфовой (локально-полевой) модели к субмикронным структурам вообще неприменимы. Поэтому требовалось разработать новые физические модели и методы расчета, отвечающие рассматриваемым проблемам.

С развитием современной наноэлектронной технологии, появлением диодов и транзисторов с резонансным туннелированием электронов, работающих в террагерцовом диапазоне и униполярных лазеров Ж диапазона, потребовалось развитие методов анализа квантовомехани-ческого взаимодействия высокочастотного (ВЧ) поля с электронами, проходящими через наборы потенциальных ям и барьеров, (квантово-размерные структуры). Эти задачи, представляющие как чисто научный, так и значительный практический интерес, требуют нахождения установившихся решений нестационарного уравнения Шредингера. Однако, если для исследования электронного транспорта в субмикронных структурах уже существовали достаточно точные модели, то для рассматриваемого в диссертации поперечного транспорта через нано-метровые структуры в ВЧ полях этот вопрос оставался открытым. Не были разработаны достаточно простые методы нахождения установившихся решений нестационарного уравнения Шредингера, описывающего взаимодействие электронов с ВЧ полем в квантоворазмерных структурах как в малосигнальном приближении, так и тем более при произвольной амплитуде ВЧ поля. Не были развиты и методы учета переменного пространственного заряда в этих структурах, требующие самосогласованного решения нестационарных уравнений Шредингера и Пуассона.

Исследования в этих направлениях, проводившиеся автором в течении ряда лет, обобщены в настоящей диссертации.

Цель и предмет исследований. Цель работы — теоретическое исследование электронного транспорта в субмикронных структурах полевых транзисторов, нанометровых структурах резонансно-туннельных диодов и униполярных лазеров ИК диапазона, исследование ВЧ характеристик этих приборов и выработка рекомендаций по совершенствованию их структур.

В работе были поставлены и решены следующие основные задачи:

1. Разработка математических моделей, алгоритмов и программ, позволяющих исследовать продольный электронный транспорт в еубмикронных транзистрных гомои гетероструктурах за приемлемые счетные времена на современных ЭВМ.

2. Разработка математических моделей, позволяющих исследовать прохождение электронов через нанометровые квантоворазмерные структуры в высокочастотных полях.

3. Исследование с помощью разработанных моделей физических процессов, протекающих в структурах полевых транзисторов, резонансно-туннельных диодов и униполярных лазеров, исследование ВЧ характеристик этих приборов и выработка практических рекомендаций по совершенствованию их структур.

Научная новизна работы состоит:

1. В разработке оригинальных математических моделей, позволяющих исследовать электронный транспорт в транзисторных гомои гетероструктурах, рассчитывать высокочастотные и шумовые характеристики ПТШ и ПТ ГСЛ с субмикронным затвором.

2. В исследовании электронных процессов в этих транзисторах и анализе их ВЧ характеристик в условиях нелокального разогрева электронов при размерах активной области транзисторов сравнимой с характерной длиной разогрева.

3. В разработке моделей, позволяющих исследовать прохождение электронов через квантоворазмерные структуры в высокочастотных полях, исследовании физических процессов, протекающих в этих структурах, и их ВЧ характеристик.

При этом получен ряд новых результатов, основные из которых сформулированы в виде следущих научных положений, выносимых на защиту.

1. Диффузия электронов под затвором транзистора слабо влияет на величину всплеска дрейфовой скорости электронов, а инерционность изменения импульса т*Ь становится существенной (изменяет в расчетах характеристики приборы более чем на 20%) даже при длинах активной области заметно превышающей длину релаксации импульса.

2. Для увеличения быстродействия полевых транзисторов следует максимально уменьшить длину нелокального разогрева электронов. Это может быть достигнуто как путем создания резких д±п структур, так и гетероинжектора горячих электронов.

3. Низкий коэффициент шума ПТШ обусловлен не только высок&tradeкоэффициентом корреляции между флуктуациями тока в канале и наведенного тока затвора, но и, в значительной мере, некоррелированностью локальных флуктуаций как по длине, так и по ширине транзистора.

4. Низкочастотные шумы устройств на субмикронных полевых транзисторах могут быть значительно снижены путем использования специального профиля легирования, минимизирующего влияние первичных низкочастотных флуктуаций на входную емкость полевых транзисторов.

5. Тонкие барьеры и короткие пролетные участки с локализованным высокочастотным полем могут обладать отрицательной динамической проводимостью.

6. При прохождении электронов через квантоворазмерные структуры с сильно и немонотонно изменяющимся коэффициентом прохождения наиболее вероятно взаимодействие с высокочастотным полем с переходом электронов в диапазон энергий, при которых коэффициент прохождения через структуру максимален.

Т. Переменный пространственный заряд ограничивает вероятность резонансного взаимодействия электронов с высокочастотным полем в двухбарьерных структурах при переходах между соседними уровнями и в десятки раз подавляет вероятность переходов с изменением номера уровня больше чем на единицу.

8. В несимметричных двухбарерных структурах под воздействием высокочастотного поля коэффициент отражения проходящих через резонансные уровни электронов может уменьшаться до нуля.

9. Разработанные методы решения нестационарного уравнения Шредингера и самосогласованных нестационарных уравнений Шредингера и Пуассона — эффективны при исследованнии взаимодействия с высокочастотным полем электронов, проходящих через квантоворазмерные структуры.

Практическая ценность работы состоит в:

1. Разработке математических моделей и программ, позволяющих рассчитывать высокочастотные и шумовые характеристики субмикронных полевых транзисторов за приемлемые счетные времена на современных ЭВМ, исследовании характеристик различных типов ПТ и разработке конкретных практических рекомендаций по совершенствованию их структур.

2. Разработке простых моделей, позволяющих исследовать прохождение электронов через квантоворазмерные структуры в высокочастотных полях, и разработке практических рекомендаций по совершенствованию резонансно-туннельных, резонансно-туннельно пролетных диодов и униполярных лазеров ИКдиапазона.

Основное содержание диссертации опубликовано в 77 печатных работах.

Диссертация состоит из введения, двух частей содержащих семь глав и заключения.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основные оригинальные результаты работы заключаются в следующем:

1. Разработаны квазидвумерные гидродинамические модели, алгоритмы и программы, позволяющие за малые счетные времена выполнять в СВЧ и КВЧ диапазонах анализ характеристик ПТШ с субмикронным затвором, произвольными профилями легирования активного слоя (АО) и подвижности электронов в АС с учетом глубоких энергетических уровней и потенциального барьера у свободной поверхности АС, а также анализ характеристик ПТ ГОЛ с учетом переноса электронов между слоями ГОЛ и проводимости по широкозонному материалу.

2. Показано, что нелокальные эффекты оказывают определяющее влияние на дрейфовые характеристики горячих электронов в канале полевых транзисторов начиная с длин активной области менее 1 мкм. При этом на характер нелокального дрейфа электронов инерционность изменения импульса может оказывать заметное влияние даже при длинах активной области (1−0,4 мкм), заметно превышающих длину релаксации импульса в СаАб, 1пР, МаАз. Влияние диффузионных эффектов в домене сильного поля под затвором — несущественно, так как уменьшение дрейфовой скорости электронов вследствие диффузии компенсируется из-за роста напряженности электрического поля и уменьшения энергии электронов, а изменение напряжения на затворе во времени может сказываться на частотах, заметно превышающих максимальную частоту усиления по току.

3. Проведено сравнение различных типов полевых транзисторов. Показано, что из-за краевых эффектов ПТШ со ступенчатым профилем легирования (концентрация доноров возрастает к буферному слою) не имеют преимущества перед однородно легированными транзисторами по крутизне, быстродействию и коэффициентам усиления, хотя и могут иметь больший динамический диапазон. ПТШ с самосовмещенным затвором (71+ПТШ), дополнительным пленарным легированием (п+(НИШ) и гетероинжектроном горячих электронов (ИПТ) могут иметь более высокое быстродействие (/ в 1,5 раза большее в я+ПТШ, 2 раза в л+О-ШШ. более чем в 3 раза в ИПТ), меньший в 1, 543 раза коэффициент шума, а несамосовмещенные 5-ПТШ из-за более плавного продольного изменения проводимости канала большее (в 2+3 раза) пробивное напряжение, чем обычные транзисторы.

4. Проведено сравнение полевых транзисторов из СаАв и 1пР в условиях нестационарного дрейфа электронов в субмикронном канале. Показано, что несмотря на более высокую подвижность электронов в.

ОаЛБ, всплеск дрейфовой скорости в ПТШ из 1пР может быть выше. Это «объясняется большим междолинным зазором в ШР и приводит к тому, что ПТШ из 1пР могут иметь лучшие СВЧ характеристики, чем ПТШ из СаАв.

5. Разработана нелокальная модель расчета шумов ПТШ с учетом некоррелированности флуктуаций дрейфовой скорости электронов как по длине, так и по ширине затвора. Показано, что низкий коэффициент шума ПТШ обусловлен не только высоким коэффициентом корреляции между флуктуациями тока в канале и наведенного тока затвора, но и, в значительной мере, некоррелированностью локальных флуктуаций в канале как по длине, так и по ширине транзистора.

6. Исследована зависимость шумовых характеристик полевых транзисторов от параметров активного (АС) и буферного (БС) слоев. Показано, что на минимальный коэффициент шума .Р и сопутствующий коэффициент усиления К^ транзистора наибольшее влияние оказывают: концентрация доноров в АС (для малошумящего ПТШ определена оптимальная величина ЛГВ = 1018 см-3), подвижность электронов в АС и паразитные сопротивления. Подвижность электронов в БС влияет на Рт±п несколько слабее, хотя ее влияние на К^ может быть велико. Еще меньшее влияние на? т1п оказывают изменение N к БС и напряжение перекрытия. Ступенчатый профиль легирования не имеет существенных преимуществ перед однородным как по величине? т1п и К^, так и по чувствительности к разбросу параметров АС. Потенциальный барьер у свободной поверхности АС транзистора может заметно увеличивать и уменьшать ^ ПТШ.

7. Показано, что ограничивая эффективную ширину канала цотен-циальным барьером, глубокие энергетические уровни (ГУ) в буферном слое (БС) приводят к заметному росту минимального коэффициента шума транзистора. Поэтому в структурах, предназначенных для мало-.шумящих ПТШ, концентрация ГУ не должна превосходить величину = 101Д см-3. Мз-за наличия ГУ в БС транзисторы с близкими параметрами активного слоя и выходными статическими характеристиками могут сильно отличаться по СВЧ параметрам.

8. Показано, что профиль легирования ПТШ и ПТ ГСЛ существенно влияет на модуляцию емкости исток-затвор Сиз первичными низкочастотными флуктуациями тока и заряда в канале транзисторов, в значительной степени определяющую уровень фазовых модуляционных шумов в СВЧ устройствах на этих приборах. Представлены результаты измерения шумовых характеристик генераторов и усилителей построенных на ПТШ, изготовленных на основе проведенных расчетов. По сравнению с аналогичными устройствами на обычных ПТШ получен выиграш в уровне фазовых шумов генераторов 6 * 12 дБ, усилителей 10 15, а выигрыш в уровне амплитудных шумов — 15 + 20 дБ.

9. Исследованы условия существования двумерного электронного газа в канале полевых транзисторов на гетероструктурах с селективным легированием. Показано, что в канале реальных транзисторных структур в рабочем режиме прибора электронный газ всегда трехмерен, а уменьшение температуры от 300° К до 77° К и уменьшение напряжений исток-затвор и исток-сток переводит его вначале в квазидвумерное, а затем и двумерное состояние.

10. Продемонстрировано, что поперечный пространственный перенос электронов в ГОЛ может существенно увеличивать поверхностную плотность свободных электронов, изменять их дрейфовые характеристики и качественно менять характер зависимости протекающего через ГОЛ тока продольного тока от напряженности электрического поля, значительно уменьшая или устраняя ОДП, свойственную исходному материалу. Уменьшению пространственного переноса способствуют уменьшение концентрации доноров в широкозонном материале и понижение температуры.

11. Показано, что поперечный пространственный перенос электронов в ПТ ГСЛ может заметно менять распределения дрейфовой скорости, энергии и концентрации электронов в канале ПТ ГСЛ и существенно влиять на статические и СВЧ характеристики транзистора. Величина эффекта зависит от параметров и режима прибора.

12. Показано, что основной причиной, обуславливающей низкие шумы ПТ ГСЛ, являются высокие значения подвижности и концентрации электронов в канале прибора. На минимальный коэффициента шума Рт±п и сопутствующий коэффициент усиления К^ ПТ ГСЛ основное влияние оказывают паразитные сопротивления. Несколько слабее и К^ зависят от подвижности электронов в узкозонном материале, а остальные параметры активного слоя в ПТ ГСЛ в отличие от ПТШ на? т1п существенного влияния не оказывают.

Введение

планарного легирования уменьшает Fm±n и увеличивает К^. В ПТ ГСЛ на основе Iii-, QAs/IrL, coGa ."As F. ниже, iL, заметно выше, а их.

0,52 0,48 0,53 0,47 min ' TP зависимость от паразитных сопротивлений слабее, чем в ПТ ГСЛ на основе AIGa «As/GaAs.

U, о U, г.

13. Разработана модель полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием, учитывающая глубокие энергетические уровни, размерное квантование электронов в канале и их нестационарный дрейф при субмикронной длине затвора. На основе расчетов и качественного анализа ВАХ исследовано влияние глубоких уровней, локализованных в объеме широкозонного полупроводника и на границе гетероперехода на статические характеристики ПТ ГСЛ. Показано, что ударная ионизация проявляется даже при относительно малой поверхностной плотности ГУ и может приводить к аномальной зависимости ВАХ транзистора от напряжения на затворе.

14. Разработан вариант теории возмущений, позволяющий решать широкий класс задач по прохождению электронов через квантовораз-мерные структуры в слабых высокочастотных полях.

15. В малосигнальном приближении получено аналитическое решение уравнения Шредингера для гармонически изменяющегося скачка потенциала, O — образного барьера и пролетного участка с локализованным в нем переменным электрическим полем. Обнаружено, что в отличии от классического случая, сколь угодно тонкий квантоворазмерный пролетный участок, в том числе и безбарьерный, может обладать отрицательной динамической проводимостью.

16. Исследован механизм формирования отрицательной динамической проводимости при нерезонансном туннелировании и надбарьерном прохождении электронов через квантоворазмерные структуры. Показано, что при прохождении электронов через квантоворазмерные структуры с сильно и немонотонно изменяющимся коэффициентом прохождения наиболее вероятно взаимодействие с высокочастотным полем с переходом электронов в диапазон энергий, при которых коэффициент прохождения через структуру максимален, а высокочастотная граница области существования отрицательной динамической проводимости может существенно превышать величину, определяемую полушириной резонансного уровня.

17. Обнаружен эффект локализации электронов в областях с высокочастотным полем.

18. Исследованы особенности резонансного взаимодействия электронов с высокочастотным электрическим полем в двухбарьерных структурах, получены аналитические выражения для ширины резонансного уровня и высокочастотной проводимости, как строго резонансной, так и при малых отклонениях частоты и энергии электронов от резонансных значений. Для симметричных ДБРТС показано, что резонансная ВЧ проводимость максимальна при переходах между соседними уровнями, возрастает с ростом номера уровня и уменьшением эффективной массы электронов.

19. Исследованы пути повышения предельных частот и эффективности наноэлектронных приборов, основанных на резонансном и нерезонансном туннелировании носителей заряда. Показана принципиальная возможность создания лазера ИК диапазона на эффекте резонансного взаимодействия электронов с ВЧ полем в двухбарьерных структурах.

20. Разработана модель и программа расчета резонансно-туннельного пролетного диода со строгим квантовомеханическим учетом свойств инжектора и пролетного участка.

21. Разработана методика самосогласованного решения нестационарных уравнений Шредингера и Пуассона, описывающих прохождение электронов через квантоворазмерные структуры в слабых высокочастотных полях. Исследовано влияние динамического пространственного заряда на прохождение электронов через пролетные участки с локализованным высокочастотным полем и двухбарьерные структуры.

22. Найдено точное аналитическое самосогласованное решение нестационарных уравнений Шредингера и Пуассона, описывающих резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным полем в двухбарьерных резонансно-туннельных структурах (ДБРТС), показано что динамический пространственный заряд ограничивает максимальную величину высокочастотной проводимости ДБРТС. Это ограничение ослабляется с ростом номера уровня и резко возрастает при увеличении разности номеров резонансных уровней, между которыми совершаются переходы.

23. Аналитически найдены точные установившиеся решения нестационарного уравнения Шредингера при произвольной амплитуде однородного высокочастотного поля в бесконечном пространстве как в отсутствии, так и при наличии постоянного электрического поля, а также в параболическом потенциале. На их основе разработана простая методика, позволяющая описывать прохождение электронов через системы прямоугольных, треугольных и параболических ям и барьеров в сильных однородных высокочастотных полях.

24. Для ДБРТС с высокими, тонкими барьерами, путем суммирования соответствующего ряда теории возмущений получены решения нестационарного уравнения Шредингера, описывающего резонансное взаимодействие проходящих вблизи середины энергетического уровня электронов с высокочастотным полем и найдены аналитические зависимости проводимости от амплитуды. Показано, что под действием высокочастотного поля с частотой ш и амплитудой приблизительно соответствующей утроенной ширине резонансного уровня в симметричных ДБРТС до половины проходящих через середину этого уровеня электронов (а в несиметричных в зависимости от параметров структуры практически все), может переходить на соседний уровень испуская или поглощая квант энергии Ш.

25. На основе полученых решений показано, что в несимметричных ДБРТС под воздействие высокочастотного поля коэффициент отражения проходящих через середины резонансных уровней электронов может уменьшаться практически до нуля. Продемонстрирована возможность существенного увеличения тока в таких структурах как при поглощении, так и при испускании фотонов. Квантовая эффективность излучательных переходов между квазиуровнями структуры может достигать 66%.

Показать весь текст

Список литературы

  1. A. van der Ziel and J.W. Его Small signal, high-frequency theory of field-effect transistors // 1. EE Trans. Electron. Dev. 1964, V.11, P. 128−135.
  2. A.B.Grebine and S.K.Ghandhi General theory for pinchedoperation of Junction gate PET // Solid-State Electron., 1969, V.12, P. 573−589.
  3. R.A.Pusel, H.A.Haus, H. Statz Signal and noise properties of gallium arsenide field-effect transistors // in Advances in Electronics and Electron Physics, 1975, New York Academic. V.38. P. 195−265.
  4. M.A.Riser Two-Dimensional Numerical PET Model for dc, ac and Small-Signal Analysis // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973, V.20. * 1. P. 35−45.
  5. А.А.Руденко, Е. В. Чеботаев Численный метод анализа распределения носителей заряда в двумерной полупроводниковой структуре // В сб: Микроэлектроника /Под ред. А. А. Васенкова М.: Советское радио. 1976, С. 106−117.
  6. Ю.Н.Миргородский, А. А. Руденко Алгоритм расчета статических характеристик полевых транзисторов с затвором Шотки // В сб: Микроэлектроника /Под ред. А. А. Васенкова М.: Радио и связь1983, С. 263−267.
  7. Я.Б.Мартынов Двумерная численная модель для расчета статических и высокочастотных характеристик полевого транзистора с затвором Шотки // Электрон. Тех. Сер.1. Электроника СВЧ, 1984, В.4(364). С. 30−36.
  8. W.Patrick, W.S.Mackie, S.P.Beaumont et.al. Very Short-Gate Length GaAs MESFET’s // IEEE Electron Dev. Letters. 1985, V.6. Sb 9. P. 471−472.
  9. J.G.Ruch Electron Dinamics in Short Chanel Pield-Effect transistors // IEEE Trans. Electron DeY. 1972, 7.19. № 5. P. 652−654.
  10. T.J.Maloney, J. Frey Prequency Limits of GaAs and InP Field-Effect Transistors // IEEE Trans. Electron Dev. 1975, V.22. Л 2. P. 357−362.
  11. Y.K.Feng New v (E) relations for GaAs // Electronics Let. 1985, V.21. J" 10. P. 453−454.
  12. Я.Б.Мартынов Экспрессная программа расчета вольт-амперныхи малосигнальных высокочастотных характеристик полевого транзистора с затвором Шотки // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ. 1987, В.8(402). С. 58−61.
  13. W.R.Curtice, Y.-H.Yun A Temperature Model for the GaAs MESPET // IEEE Trans. Electron Dev. 1981, V.28. Л 8. P. 958−962.
  14. Г. З.Гарбер Моделирование работы полевых транзисторов с субмикронным затвором Шоттки на арсениде галлия // Электрон. Техн. Сер.2. Полупр. приборы. 1985, В.2(175). С. 103−107.
  15. Г. З.Гарбер, В. И. Толстихин Исследование инерционной диффузионно-дрейфовой модели полевых тр, а нзисторов с субмикронным затвором Шоттки на арсениде галлия // Электрон. Техн. Сер.2. Полупр. приборы. 1987, В.3(188). С. 57−61.
  16. Г. П.Павлов Двумерное численное моделирование поревых тран-зистров в квазигидродинамическом приближении // Тез. докл.
  17. I Всесоюзного Совещания «Математическое моделирование физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых приборах». г. Паланга, сентябрь 1989 г. С. 148−150.
  18. В.А.Николаева, В. И. Рыжий, Б. Н. Четверушкин Алгоритм решения квазидвумерной модели электронной плазмы в двумерных полупроводниковых структурах // Препринт ИПМ им. М. В. Келдыша АН СССР, 1986, & 190.
  19. В.Е.Чайка Двумерная двухтемпературная модель полевого транзистора с затвором типа барьера Шотки // Техн. Электродинамика. 1985. В.З. № 3. С. 85−91.
  20. M.Shur Influence of Nonuniform Field Distribution on Frequency Limits of GaAs Field-Effect Transistors // Electronics Letters. 1976. V.12. № 23. P. 615−616.
  21. B.Carnez, A. Cappy, A. Kaszynski et. al. Modeling of a Sub-micrometer Gate Field-Effect Transistor Including Effects of Nonstationary Electron Dynamics // J. Appl. Phys. 1980, V.51. № 1. P. 784−790.
  22. B.Carnez, A. Cappy, G. Salmer, E. Constant Modelisation de transistor a effect de champ a grile ultra-courte // Acta Electronica, 1980, V.23. Ш 2. P. 165−183.
  23. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Моделирование и физические принципы работы полевых транзисторов с субмикронным затвором // Тез. докл. Всесоюзной Научно-технической конференции «Проблемы интегральной электроники СВЧ». г. Ленинград. 1984. С. 81.
  24. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Исследование вольт-амперных характеристик полевых транзисторов с субмикронным затвором // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ. 1984,1. B.4(364). С. 27−30.
  25. В.А.Москалюк, В. И. Тимофеев Моделирование схемных параметров полевого GB4 транзистора // Автоматизированное проектирование в полупроводниковых приборах. Киев. Л 36. 0. 3−11.
  26. А.П.Скобелкин, А. И. Толстой Квазидвумерная модель вертикального полевого транзистора с затвором Шотки // Электрон. Техн. Сер.1. 1988. Электроника СВЧ. В.3(407). С. 37−40.
  27. R.W.Hockney, R.A.Warriner, M. Reiser Two dimennsional particle models in semiconductor devices analysis // Electronics Lett. 1974, V.10. Ш 23. P. 484−486.
  28. R.A.Warriner Computer Simulation of Gallium Arsenide Field Effect Transistors Using Monte-Carlo Methods // Solid-State and Electron Dev. 1977, V.1. J# 4. P. 105.
  29. H.А.Ванов, В. И. Рыжий, Т. Г. Елизарова, E.G.Николаев Численное моделирование нестационарных электронных кинетических процессов в двумерных полупроводниковых структурах // Препринт ИПМ им. М. И. Келдыша АН СССР. М. 1986 & 44. 36с.
  30. Н.А.Ванов, В. И. Рыжий Численное моделирование нестационарных кинетических процессов в субмикронных полевых транзисторах с затвором Шоттки // Микроэлектроника, 1986, ТИБ. В.6.1. C. 490−501.
  31. С.Кершулис: Междолинные процессы в GaAs полевом транзисторе с субмикронным каналом // Тез. докл. VI Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках», г. Вильнюс. 1986. С. 273.
  32. В.А.Москалюк, В. В. Минаков, В. Т. Касиян Программа моделированиия полупроводниковых размеров многочастичным методом Монте-Карло // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ. 1988, В.8(412). С. 71−73.
  33. K.Blotekjar Transport Equations for Electros in Two-Velley Semiconductors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1970, V.17. * 1. P. 38−47.
  34. В.Л.Бонч-Бруевич, И. П. Звягин, А. Г. Миронов Доменная электрическая неустойчивость в многодолинных полупроводниках // Москва. Наука. 1972. С. 66.
  35. В.В.Горфинкель, С. Г. Шофман Феноменологическая модель динамики разогрева электронов в многодолинных полупроводниках // ФТП. 1985, Т.19. Л 1. С. 83−87.
  36. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Нелокальные и диффузионные эффекты в полевых транзисторах с субмикронным затвором // Радиофизика. 1985, Т.28. $ 12. С. 1583−1589.
  37. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Математическое моделирование полевого транзистора с субмикронным затвором в режиме большого сигнала // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ. 1985, В.10(382). С. 30−34.
  38. Е. Wasserst rem, J. McKena The Potential Due to a Charged Metellic Strip on a Semiconductor Surface // The Bell System Technical Journal, May-Jule 1970, P. 853−877.
  39. О.Т.Гаврилов, Й. И. Квяткевич Эффект края контакта Шотки // ФТР. 1983, Т.17. В.6. С. 1166.
  40. R.E.Williams, D.W.Shaw Graded Chenel FET’s Improved linarity and Noise Figer // IEEE Trans. Electron. Dev. 1978, V.25. Jfc 6. P. 600−606.
  41. С.Зи: Физика полупроводниковых приборов // Москва. «Мир». 1984, Т.1. С. 333.
  42. Дж.Форсайт, М. Малькольм, К. Моулер Машинные методы математических вычислений // Москва. «Мир». 1980.
  43. А.В.Пашковский Программа расчета статических характеристик полевого СВЧ транзистора с субмикронным затвором // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ. 1986. В.1(385). С. 67−68.
  44. А.В.Пашковский Программа расчета статических и малосигнальных СВЧ характеристик полевого транзистора с неоднородным профилем легирования активного слоя // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ. 1987. В.3(397). С. 67−68.
  45. Н.З.Шварц Линейные транзисторные усилители СВЧ // Москва: Советское радио, 1980.
  46. Я.В.Мартынов Программа расчета характеристик полевого транзистора с затвором Шотки, основанная на двумерной численной модели // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1985, В.9(381). С. 70−72.
  47. А.В.Пашковский Программа расчета динамических характеристик полевого транзистора с неоднородным профилем легирования активного слоя // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1987, В.6(400). С. 59−60.
  48. G.M.Snowden, D. Loret Two-Dimensional Hot-Electron Models for Short-Gate-Length GaAs MESFET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1987, V.34. & 2. P. 212- 223.
  49. В.В.Горфинкель, А. А. Кальфа, А. В. Пашковский, А. С. Тагер, A.A.
  50. А.В.Пашковский Влияние инерционности изменения импульсана нелокальный разогрев электронов в полупроводниковых СВЧ приборах // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1987,1. B.5(399). С. 22−26.
  51. А.В.Гарматин Программа моделирования методом Монте-Карло нестационарных процессов разогрева электронов электрическим полем в полупроводниках // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1985, В.3(373). С. 66−68.
  52. A.Gappy, B. Carnez, R. Fauquemberqu. es, G. Salmer, E. Constant Comperative Potential Perfomance of Si, GaAs, InP, InGaAs Submicromter Gate FET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980. V.21. Jfi 11. P. 2158−2160.
  53. А.А.Кальфа, С. Б. Пореш, А. С. Тагер 0 высокочастотном пределе эффекта Ганна в арсениде галлия // ФТП, 1981, Т. 15. В. 12.1. C. 2309−2313.
  54. Ю.Пожела, В. Юцене Физика сверхбыстродействующих транзисторов // Вильнюс: Мокслае, 1985.
  55. Ю.Пожела Физика быстродействующих транзисторов // Вильнюс: Мокслае, 1989.
  56. B.Mukunda, P. Esqueda A Two-Layer Microwawe PET Structure for Improved Characteristics // IEEE Trans. Electron. Dev. 1977. V.24. # 6. P. 757−761.
  57. А.А.Кальфа, А. В. Пашковский, A.G.Tarep Характеристикифосфидиндиевого полевого СВЧ транзистора с субмикронным затвором // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1986, В.3(383). С. 41−43.
  58. C.Lynden, J.S.Campbel A numtrical analysis of a shortvertical n+ n — n+ MESPET // IEEE Electron. Dev. Letters, 1984. V.5. Л 2. P. 43−44.
  59. Г. Г.Павлов Трансформация вольт-амперных характеристикполевого транзистора при укорочении канала // Микроэлектроника. 1986. Т. 15. В. 2. С. 150−155.
  60. P.M.Smith, P.C.Chao, K.H.G.Duh 94 GHz transistor amplification using HEMT // Electron Lett. 1986. V. 22, Л 15,1. P. 760−761.
  61. В.М.Босый и др. Расширение квазидвумерного газа при повышении температуры электронов // Тез. докл. 71 Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках». Вильнюс. 1986, С. 134−135.
  62. S.Sasa, S. Muto, K. Kondo et.al. SI atomic-planar doping in GaAs made by molecular beam epitaxy // Japan J. of Appl. Phys. 1985, Y.24. Л 8. P. L602-L604.
  63. E.F.Schibert, K. Ploog The 8 -doped field-effect transistor // Japan J. of Appl. Phys. 1985, Y.24. Л 8. P. L602-L604.
  64. А.Б.Пашковский Сравнение характеристик полевых GB4 транзисторов со ступенчатым и однородным профилем легирования активного слоя // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1986, В.4(388). С. 14−19.
  65. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Влияние близких к затвору п+ -областей на характеристики полевых СВЧ транзисторов // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1987, В.7(401). С. 29−32.
  66. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Сверхбыстродействующий инжекционныйполевой транзистор // Электронная техника, Сер.1, СВЧ-техника, 1992, В.5(449), С.21−23.
  67. А.С.Тагер Перспективы применения фосфида индия в электронике СВЧ // Тез. докл. Всесоюзного совещания «Фосфид индия в полупроводниковой электронике». Кишинев. 1985. С. 5−7.
  68. A.Andreasyan, P.A.Garbynski, V.D.Mattera et.al. High-speed operation of InP metal-insulator-semiconductor field-effect transistors grown by clorlde vapor phase epitaxy // Appl. Phys.Lett. 1987, V.51. Л 14. P. 1097−1099.
  69. К.Г.Ноздрина, В. Н. Кобзаренко, В. Г. Лапин и др. Влияние высо-коомного буферного слоя на параметры фосфидиндиевых ПТШ // Тез. докл. Всесоюзного совещания «Фосфид индия в полупроводниковой электронике». Кишинев. 1985. С.103−104.
  70. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Характеристики фос-фидиндиевого полевого транзистора с субмикронным затвором // Тез. докл. Всесоюзного совещания «Фосфид индия в полупроводниковой электронике». Кишинев. 1985. С. 102.
  71. А.А.Кальфа, В. Н. Кобзаренко, М. Б. Коханюк, В. Г. Лапин, М. В. Павловский, А. Б. Пашковский, К. Г. Ноздрина, Е. В. Руссу Исследование полевых транзисторов на фосфиде индия // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1989, В.9(423). С. 21−24.
  72. H.Pukui Optimal noise figure of microwave GaAs MESPET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1979, V.26. Л 7. P. 1032−1037.
  73. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Оценка характеристик полевых СВЧ транзисторов с пленарным легированием // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.3(407). С. 28−32.
  74. Н.А.Ванов, К. А. Валиев, В. И. Рыжий, Г. Ю. Хренов Математическое моделирование электронных процессов в субмикронных полевых транзисторах с б-образным распределением доноров в канале //
  75. Электрон. Техн. Сер.1. Электроника Свч, 1988, В.4 (408). С. 35−40.
  76. H.A.Ванов, В. М. Рыжий, Г. С. Рычков, М. А. Тушкова Влияние глубины залегания ö--легированного слоя на перенос заряда и свойства транзисторных структур // Тез. докл. II Всесоюзного симпозиума «Плазма и неустойчивости в полупроводниках». Паланга. 1989. С. 56.
  77. H.A., Рыжий В. М., Хренов Г. Ю. Неравновесные электронные процессы в субмикронных транзисторах с проницаемой базой. // Микроэлекторника, 1987. Т. 16. В.З. С. 220 2.25.
  78. С.М.Радауцан, Е. В. Руссу, Г. С. Коротченков и др. Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия // «Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники» Кишинев. Штинца. 1982, С. 75−85.
  79. Ю.Пожелла и др. Диффузия горячих электронов // Сер. «Электроны в полупроводниках». Вильнюс: Мокслас. 1981.
  80. М.Вукингем: Шумы в электронных приборах и системах // М. Мир. 1986.
  81. W.Shocley, J.A.Copeland, R.P.James The impedance field method of noise calculation in active semiconductor devices // in Quantum Theory of Atoms, Molecules and the Solid State. New York Academic Press. 1966. P. 537−563.
  82. K.M. van VIlet The transitre-impedance method for noise in field-effect transistors // Solid-State Electron. 1979, V. 22. Л 3. P. 233−238.
  83. С.В.Пореш, А. С. Тагер Численное исследование влияния коэффициента диффузии на статические и высокочастотные характеристики диодов на междолжнном электронном переносе // ФТП. 1980. Т. 14. В.1. С. 43−46.
  84. A. van der Ziel Thermal noise in field-effect transistor
  85. Proc. IRE. 1962. V. 50, P. 1808−1812.86. A. van der Ziel Gate noise in field-effect transistor at moderately high frequecies // Proc. IEEE, 1963, V.51. P. 461−467.
  86. A. van der Ziel Noise resistanse in FET’s in the hot electron regime /'/ Solid-State Electron (Gorresp), 1971. 7.14. P. 347−350.
  87. H.Statz, H.A.Haus, R.A.Pusel Noise Characteristics of Arsenid Field-Effect Transistors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1974, 7.21. Jfi 9. P. 549−562.
  88. R.A.Pusel, D.J.Masse, C.F.Krum Nose Performance of Gallium Arsenide Field-Effect Transistor // IEEE J. Solid-State Circuits, 1976, 7.11. Л 2. P. 243−255.
  89. B.Garnez, A. Cappy, G. Salmer, E. Constant Noise Modeling in Submicrometer Gate FET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1981. 7.28. J6 7. P. 784−789.
  90. B.Garnez, A. Cappy, G. Salmer, E. Constant A novel noise model for submicrometer gate FET’s // 10 th Eur. Microwave Conf. Warszawa. 1980, P. 685−689.
  91. Р.Хокни, Д. Иствуд Численное моделирование методом частиц // М.: Мир. 1987.
  92. D.Junevielus, A. Reklatis Monte-Garlo Particle investigation of Noise in short n+ n — n+ GaAs diods// Elecо or- ¿-¿-ъ iron. Lett. 1988, V.24. M 21. P. 1307−1308.
  93. R.E.Williams, D.W.Shaw GaAs PET’s with gradid channel doping profiles // Electron. Lett. 1977. V.13. P. 408−409.
  94. M.Peng, V.K.Eu, G.M.L.Yee, T. Zielinsky A Low-Noise GaAs MESPET Made with Gradid-Ghenel Doping Profiles // IEEE Electron Dev. Lett. 1984, Y.5.? 3. P. 85−87.
  95. V.K.Nair, G. Tam, J.C.Curless et.al. Superior-Low-Noise with Graded Chenel Groun by MBE // IEEE Trans. Electron. Dev. 1986, 1.33. № 9. P. 1393−1395.
  96. H.Kasano Role of diffused Ga vacansy in the degradation of vapor-ground GaAs // J.Appl.Phys. 1978, V.49. Л 9. p. 4746−4749.
  97. B. van Rees, B. Leles, B. Hewitt, W. Schaff The effect of the deep levels on the large-signal performance on GaAs
  98. PET’s // Inst. Phys. Gonf. Ser. 1982, * 65. P. 355−358.
  99. В.И.Босый, А. Г. Максименко, В. А. Москалюк, В. И. Тимофеев Моделирование влияния глубоких центров на шумы полевых транзисторов // Тез. докл. V Всесоюзной конференции «Флуктуационные явления в физических системах». Паланга. 1988. С. 54−55.
  100. J.M.Golio, R.J.Trew Profile Studies of Ion-Implanted MESPET’s // IEEE Trans. M.T.T. 1983. V.31 .Л 12. P. 1066 1071.
  101. R.Wroblewski, G. Salmer, Y. Crosnier Theoretical Analysis of the DC Avalanhe Breakdown in GaAs MESPET’s // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983, V.30. 12. P. 154−159.
  102. Я.В.Мартынов, А. С. Тагер Особенности лавинного пробоя пла-нарного полевого транзистора с затвором Шотки /7 Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988, В.7(411). С. 14−20.
  103. W.E.Spicer, I. Lindan, P. Skeath, C.Y.Su Unified defect model and beyond // J. Vac. Sci. Technol. 1980. V.17. $ 5.1. P. 1019−1022.
  104. F.Heliodore, M. Lefebvre, G. Salmer, O.L.El-Sayd Two-Dimensional Simulation of Submicrometer GaAs MESFET’s Surface Effects and Optimization of Recesses Gate Structure // IEEE Trans. Electron. Dev. 1988. 7.35. J 7. P. 824−830.
  105. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Диффузионный шум в полевых транзисторах с субмикронным затвором // Тез. докл. IV Всесоюзной конференции «Флуктуационные явления в физических системах». Пущино. 1985. С. 59−60.
  106. S.Weinreb Low-noise cooled GaAs PET amplifiers // IEEE Trans, on Microwave Theory and Techniques, 1980, V.28.1. Л 10. P. 1041−1054.
  107. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Диффузионный шум в полевых транзисторах с субмикронным затвором // Радиофизика. 1987, Т.30. 1 9. С. 1150−1157.
  108. А.Б.Пашковский Влияние параметров активного слоя на СВЧ шумы полевых транзисторов // Микроэлектроника, 1991, Т.20, В.4, С.377−382.
  109. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер Влияние глубоких уровней на диффузионный шум в полевых транзисторах // Тез. докл. Y Всесоюзной конференции «Флуктуационные явления в физических системах». Паланга. 1988. G. 39−40.
  110. А.Б.Пашковский, А. С. Тагер, Ю. Ю. Федоров Влияние глубоких уровней и профиля подвижности электронов на диффузионный шум вполевых транзисторах // Микроэлектроника, 1390, Т.19, В.5. С.486−492.
  111. А.Б.Пашковский, А. Т. Тагер Влияние потенциального барьера у свободной поверхности активного слоя на шумовые характеристики полевых транзисторов // Микроэлектроника, 1991, Т.20, В. З, С.274−278.
  112. Н.А.Брагина, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Оценка изменения характеристик полевых транзисторов при охлаждении до 77 К // Микроэлектроника, 1991, Т.20, В. З, С.268−273.
  113. M.Pouysegur, J. Graffeuil, F.F.Sautereay, J.P.Fortea Comparative study oi phase noise in HEMT and MESFET microwave oscillators // 1987 IEE MTT-s Microwave Symp. Dig. P.557−560.
  114. R.Plana, L. Escotte, O. Llopis, T. Parra, M. Gayral, J. Graffeuil Noise In InGaAs/GaAs pseudomorfic HEITs from 10 Hz to 18 GHz// IEEE Trans. Electron Devices. 1992. V.40, M 5, P.852−857
  115. O.Llopis, R. Plana, H. Almine, L. Escotte, J. Graffeuil Phase noise in Cryogenic Microwave HEMT and MESFET oscillators // IEEE Trans. MTT 1993. v.41, Ш 3, P.369−373.
  116. Kreischer L. Noise Tuning of GaAs MESFET Oscillators // Electronic Letters. 1990. V.26,? 5, P.315−316.
  117. L.D.Cohen Low phase noise oscillator with flicker (1//) noise suppression circuit// IEEE MTT-S Dig., v.2 June 1992. P. 1081 -1084.
  118. Darwich A.M., et. al. A New Phase Noise Reduction Techniquefor MIC Oscillators // IEEE MTT-s Dig. 1392. P.463−465.
  119. Gugerch V., Deurlnger J., Anzill W., Russer P. Phase Noise Reduction of Microwave Oscillators by Optimization of the Dynamic Behavior// IEEE МТГ-s International Microwave Symposium Digest, v.2. 1994. P.953−956.
  120. U.L.Rhode Digital PLL Frequency Synthesizers. Englewood Cliffs. Printice Hall. 1983, P.78.
  121. Yu.M.Bogdanov, A.K.Balyko, N.A.Guselnikov, K.I.Petrov,
  122. Ю.М.Богданов, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Полевые транзисторы с низкой модуляционной чувствительностью для малошумящих СВЧ-устройств// Радиотехника и Электроника, 1993, Т.38, В.2, С.346−355.
  123. Ю.М.Богданов, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер. Зависимость низкочастотных флуктуаций входной емкости полевого транзистора от профиля легирования канала // Микроэлектроника, 1993, Т.22,1. B.2, С.15−19.
  124. Ю.М.Богданов, А. К. Валыко, Н. А. Гусельников, А. Б. Пашковский, К. И. Петров, А. С. Тагер. Ю. А. Яцук Полевой транзистор с низкой модуляционной чувствительностью для малошумящих СВЧ -генераторов// Электрон. Техн. Сер.1 СВЧ техника, 1993,1. В.3(457). С. 14−17.
  125. Dr.Gallon, E. Brehm, G.D.Vendelln Biasing FET’s for optimum performance // Microwaves, 1974, V.13. I 2. P. 38−44.
  126. M.Feng, E. Kanbtr, V.K.Eli, E. Wathins, L.R.Hacket Ultrahigh frequency operation of ion-implanted GaAs metal-semiconductor field-effect transistors // Appl. Phys. Lett. 1984. V.44. Л. 2. P. 232−233.
  127. Я.Б.Мартынов, А. Б. Пашковский Программа расчета шумовых характеристик полевых СВЧ-транзисторов с неоднородным профилем подвижности электронов и концентрации доноров в активном слое // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1989, В.4(418). С. 73−75.
  128. P.C.Chao et.al. Electron Beam Pabrication of GaAS Low-Noise MESFET’s Using a New Trilayer Resist Technique /./ IEEE Trans. Electron. Dev. 1985, V.32. Л 6. P. 1042−1046.
  129. M.A.LittlJon, J.R.Hauser, T.H.Glisson Velocity-field characteristics of GaAs wiht Г L — X conduction-band ordering // J.Appl.Phys. 1977, V.48. Л 11. P. 4587−4590.
  130. R.Pauquembergue, J. Zimmermann, A. Kaszynski, E. Constant Diffusion and the power spectral density and correlation function of velocity fluctuation for electrons in Si and GaAs by Monte Carlo methods // J.Appl.Phys. 1980, V.51. Л 2. P. 1065−1071.
  131. Camiade M. et. al. Low noise design of dielectric resonator PET oscillators// 13th Ben. Microwave Conf. Dig. 1983, P. 297 302.
  132. Rohdin H, Su C.Y., Sfolte C. A study of the relation between device low-frequency noise and oscillator phase noise for GaAs MESPET’s // IEEE MTT-S Dig. Conf. 1984, P. 267 269.
  133. Siweris H.J., Schek B. Analyses of noise up conversion In microwave FET oscillators // IEEE Trans. 1985, v. MTT-33. Л 3. P. 233−242.
  134. Г. В., Разработка метода анализа флуктуационных характеристик автогенераторов СВЧ на полевых транзисторах : Дис. канд. физ.-мат. наук. М. МЭИ, 1988.
  135. Chu S.L.G. et. al. A highly Liner MESPET .// IEEE MTT-s International Microwave Symposium Digest. 1991. v.2.1. P.725−728.
  136. Hsu W.G. et. al. On the Improvement of Gate Voltage Swings in 6 Doped GaAs/In Ga" As/GaAs Pseudomorhic Heterostructures//1 37 1 —sc
  137. EE Trans, on Electron Dev. 1993. V.40. 9, P.1630−1635.
  138. А.А.Кальфа, А. С. Тагер Гетероструктуры с селективным легированием и их применение в полевых транзисторах СВЧ // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ, 1982, В.12(348). С. 26−38.
  139. А.А.Кальфа, А. С. Тагер Горячие электроны в гетероструктурах с селективным легированием // ФТП, 1987, Т.21. В.8. С. 13 531 363.
  140. А.А.Кальфа Полевые транзисторы на гетероструктурах с селективным легированием. Современное состояние и перспективы развития // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ, 1987, В.9(403). С. 35−49.
  141. P.M.Smith, P.C.Chao, K.H.V.Duh 94 GHz transistor amplification using an HEMT // Electron. Lett. 1986. V.22. Л 22. P. 760−761.
  142. E.A.Sovero, A. Gupta, J.A.Higgins Noise figure charecteristics of ½ ?am gate single-hete.rojunction high-mobility PET’s at 35 GHz // IEEE Electron. Dev. Lett. 1986. V.7. J& 3. P. 179−181.
  143. U.K.Misra et.al. Microwawe Performance oa AlInAs GalnAs HEMT’s with 0,2- and 0,1- ?.im Gate Length // IEEE Electron. Dev. Lett. 1988, V.9.? 12. P. 647−649.
  144. P.C.Chao et.al. // 94 GHz Low-Noise HEMT // Electronics Lett.1989. V.25. Л 8. Р. 504−505.
  145. K.Tanaka, M. Ogava, K. Togaslii et.al. Low-No is HEMT Using MOCVD // IEEE Trans. Electron Dev. 1986. V.33. Л 12.1. P. 2053−2058.
  146. З.С.Грибников: Отрицательная дифференциальная проводимость в многослойной структуре// ФТП, 1972″ Т.6. В.7. С.1381−1382.
  147. К.Hess, H. Morkoc, H. Shiehijo, B.G.Stretman Negative differential resistance through real-space electron transfere // Appl. Phys. Lett. 1979. V.35. Л. 6. P. 469−471.
  148. А. А. К альфа: Двумерный электронный газ в структуре металл-A1 Ga. As GaAs с селективным легированием // ФТП, 1986,1. Ж 11. Т.20. В.З. 0. 468−471.
  149. T.Wang, К. Hess Calculation of the electron velocity distribution in high electron mobility transistors using an ansemble Monte-Carlo method // J.Appl.Phys. 1985. V.57.1. Л 12. P. 5336−5339.
  150. В.Б.Горфинкель, А. А. Кальфа, Т. М. Солодкая, А. С. Тагер, С.Г.Шоф-ман Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием в сильных электрических полях // ФТП, 1985, Т.20. В.5. С. 881−885.
  151. Н.З.Вагидов, З. С. Грибников, В. М. Иващенко Дрейфовая скорость электронов в обогащенных слоях при нетемпературном характере их распределения по энергии // ФТП, 1989, Т.23. В.2. С. 304−311.
  152. T.H.Gllsson, J.B.Hauser, М.A.Littlejon et.al. Monte Carlo simulation of real-spase electron transfere In GaAs-AlGaAs heterostruetures // J.Appl.Phys. 1980. V.51. Л 10. P. 54 455 449.
  153. А.В.Гарматин, А. А. Кальфа Особенности переноса электроновв гетероструктурах с селективным легированием //' ФТП, 1985, Т.19. В.6. 0. 1147−1150.
  154. А.В.Гарматин, А. А. Кальфа Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием на основе In0j53Ga0 a7As InP // ФТП, 1985, T.19. В.12. G. 2228−2231.
  155. K.Yokoyama, K. Hess Monte-Carlo study of electronic transport in A11 Gas As/GaAs single-well heterostructures // Pliys. Rev. B. 1986, V.33. M 8. P. 5595−5605.
  156. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Влияние поперечного пространственного переноса электронов на высокочастотные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием // Микроэлектроника, 1991, Т.20, В.4., С.383−391.
  157. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме // ФТП, 1988, Т.22. B.11″ С. 2090−2092.
  158. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Разогрев и пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-Al GaxAs
  159. GaAs с селективным легированием // Тез. докл. XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Кишинев. 1988. Том.2. С. 100−101.
  160. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл AI Ga. As-GaAs с селективным легированием // ФТП, 1990, Т.24. В. З, 0.521−526.
  161. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием // ФТП, 1990, Т.24, В.7, С.1187−1189.
  162. А.Б.Пашковский. Влияние поперечного пространственного переноса электронов на СВЧ-шумы AlxGa1xAs/GaAs гетероструктурных полевых транзисторов // Микроэлектроника, 1993, Т.22., В. З, 0.58−62.
  163. А.Б. Оценка влияния параметров полупроводниковой структуры на шумовые характеристики гетероструктурных полевых транзисторов// Микроэлектроника, 1993, Т.22, В.5, С.26−32.
  164. Шур М. Современные приборы на основе арсенида галлия. //М. Мир. 1991.
  165. A.A., Доржин Г. С., Лактюшин В. Н., Садофьев Ю.Г.//Обзорыпо электронной технике, Сер.7, Технология, организация производства и оборудование. 1986. М. ЦНИИ «Электроника», С. 56.
  166. T.N., Mooney P.M., Wright S.L. // Phys. Rev. Lett. 1988. V. 60. Jt 4. P. 361 364.
  167. В.С.Ершов, З. А. Зайцевская, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, С. В. Матыцын,
  168. A.Б.Пашковский, Ю. Ю. Федоров Влияние глубоких уровней на вольт-амперные характеристики гетероструктурных полевых транзисторов с селективным легированием // ФТП, 1991, Т.25,1. B.5, С.776−782.
  169. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Полевая и ударная ионизация глубоких энергетических уровней в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием //ФТП, 1992, Т.26, В.9, С. 1574−1579.
  170. P.Stern Self-Consistent Result for n-Type Si Inversion Layers // Phys. Rev. B. 1972, V.5. Ш 12. P. 4891 -4899.
  171. T.Ando Self-Consistent Results for a GaAs/Al Ga, As1. X 1 -X
  172. Heterojunchion I. Subband Structure and Light-Scattering Spectra // J.Phys.Soc.Jap. 1982, V.51. № 12. P. 3893−3399.
  173. W.J.Masselik, J. Klem et.al. Saturation in transfere characteristics of (Al, Ga) As/GaAs modulation doped field effect transistors .// Appl. Phys. Lett. 1984, V.45. 1 11 .1. P. 1190- 1192.
  174. В.В.Минаков, В.A.Moскалюк Моделирование гетероструктурных полевых транзисторов методом частиц // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ, 1989, В.2.(416), С. 2.9−36.
  175. А.А.Кальфа Статические характеристики полевого транзистора на гетероструктуре GaAs-AlxGa1As с селективным легированием // Электрон. Техн. Сер.1. Электроника СВЧ. 1985. В.11 (383). С. 20−24.
  176. T.S.Drummond, H. Morkoc, K. Lee, M. Shur Model for modulation doped field-effect transistor // IEEE Electron Dev. Lett. 1982, V.3. 111. P. 338−341.
  177. A.Gappy, A. VanoverscheIde, J. Zimmerman Etude theorique et experimental du transistor a effect de champ a hetero -«jonction // Revue Phys. Appl. 1983, V.18. 111. P. 719−726.
  178. M.H.Wieler, Y. Ayasly DG and Microwave Models for A1 GaAs.3C „—“.2Г
  179. GaAs High Electron Mobility Transistors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1984, V.31. 1 12. P. 1854−1861.
  180. D.G.Widiger, I.C.KizilialLi, K. Hess, J.J.Coleman Two-Dimensional Transient Simulation of an Idealized High Electron Mobility Transistor // IEEE Trans. Electron. Dev. 1985, V.32. 1 6. P. 1092−1102.
  181. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Двумерный электронный газ впространственно неоднородной потенциальной яме // Тез. докл. XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Кишинев. 1988. Том.1. С. 12−13.
  182. А.Сарру et.al. Noise Modeling in Submicrometer-Gate Two-Dimensional Electron-Gas Field-Effect Transistors // IEEE Trans. Electron. Dev. 1985. V.32. 112. P.2787−2796.
  183. А.В.Гарматин, А. А. Кальфа: Моделирование переноса электронов в гетероструктурах с селективным легированием // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1986, В.5(389). С. 46−51.
  184. А.А.Кальфа Характеристики гетероперехода в гетероструктуре с селективным легированием // ФТП, 1985, Т.19. В.6. С. 10 251 029.
  185. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский: Моделирование характеристик полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием // Электрон. Техн. Сер.1 Электроника СВЧ, 1988,1. B.9(413). С. 42−46.
  186. В.В., Кальфа А.А, Солодкая Т. М., Тагер A.C. Шофман
  187. C.Г. Перенос электронов в гетероструктурах с селективным легированием в сильных электрических полях // ФТП. 1986. Т.20. В.5. С. 881−885.
  188. Н.З., Грибников З. С., Иващенко В. М. Моделирование переноса электронов в реальном пространстве гетероструктуры GaAs/AZ Ga, As (для малых и больших значений х)// ФТП. 1990.1. X I —"X.1. Т.24. В.6. С. 1087−1094.
  189. А.А.Кальфа, А. Б. Пашковский Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл AZ Ga1xAs-GaAs с селективным легированием // ФТП, 1990, Т.24. В. З, С.521−526.
  190. Sakamoto R., Akai К., Inoue M. Real-Space Transfere and Hot-Electron Transport Properties in III-V Semiconductor Heterostructures// IEEE Trans. Electron. Dev. 1989. V.36. M 10. P. 2344−2352.
  191. A.B., Кальфа A.A. Отрицательная дифференциальная проводимость гетероструктур с селективным легированием на основе In 'За, ,-As-InP // ФТП, 1985, Т. 19. В. 12.1. О, Ь3 U» 4 f1. С. 2228−2.2.31 .
  192. Kobayashi Е., Hamaguclii G., Matsuoka T., Tanlguchi К. Monte Carlo Study of Hot-Electron Transport in an InGaAs/InAlAs Single Heterostructure // IEEE Trans. Electron. Dev. 1989. V.36. 110. P. 2353−2360.
  193. Vinsent G., Ohantre A., Bois D. Electric field effect on the thermal emission of traps In semiconductor junction// J.Appl.Phys. 1979. 7.50. Л 8.P. 5484−5487.
  194. A.A.Kalfa, A.B.Pashkovskij, A.S.Tager. Deep level ionizationin GaAs/Al Ga" As HMT a// International semiconductor device1. X 1 -xresearch simposium, 1991, Charlottesville, USA, P.453−456.
  195. E.R.Brown, T.C.L.G.Solner, C.D.Parker, W.D.Goohue, C.L.Chen Oscillations up to 420 GHz in GaAs/AlAs resonant tunneling diodes/7 Appl.Ffiys. Lett. 1989. v.55. Л 17. P.1777−1779.
  196. E.R.Brown, G.D.Parker, L.J.Mahoney, K.M.Molvar, T.C.McGlll Oscillations up to 712 GHz in GaAs/AlAs resonant tunneling diodes// Appl.Ftiys. Lett. 1991. v.58. Л 20. P.2291−2293.
  197. J.S.Scott, J.P.Kaminski, M. Wanke et.al. Terahertz frequency of an InQ 53Ga0 47As/A1As resonant-tunneling diode //
  198. Appl.Fhys. Lett. 1994. v.64. Л 15. P.1995−1997.
  199. J.Faist, F. Capasso, D.L.Silvo et.al. Quantum Cascade Laser// SCIENCE. 1994. 7.264. P.553−556.
  200. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц Квантовая механика. M. «Наука», 1987.
  201. Н.Б., Крайнов В. П. Атом в сильном световом поле. М. Энергоатомиздат, 1984.
  202. E.R.Brown, C.D.Parker, T.C.L.G.Solner Effect of quaslbound-state lifetime on the oscillation of resonant tunneling diodes // Appl.Fhys. Lett. 1989. v.54. Л 10. P.934−936.
  203. Luryi S. Coherent versus incoherent resonant tunneling and implications for fast devices // Superlattids and Microstructures. 1989. 7.5. Л 3, P.375−382.
  204. N.C.Kluksdahi, A.M.Kriman, C. Rlnghofer, D.R.Perry Quantum tunneling properties from a wigner function study // Solid-State Electronics 1988, v.31 Л ¾, P.743−746.
  205. E.А., Попов Ф. М., Поповичева О. Б. Динамические характеристики туннелирования электронов через двухбарьерную квазипараболическую квантовую яму//ФТП 1991, Т.25, Л 9, С.1618−1623.
  206. W.R.Prensley Quantum transport calculation of the frequency response of resonant-tunneling hetегоstructure devises // Superlattices and Microstructures, 1988 v.4. Л 4/5, P.497−501.
  207. L.Y.Chen, O.S.Ting Dynamic properties of double-barrier resonant- tunneling structures // Physical Review В 1991−11. v.43 ЛЗ. P. 2097−2105.
  208. Kislov V., Kamenev A. High-frequency properties of resonant tunneling devices// Appl. Phys. Lett. 1991. v.59, Л 12, P.1500−1502
  209. А.В. Решение не ст ационарного уравнения Шредингера для прохождения электронов через квантоворазмерные структурыв слабых высокочастотных полях// Письма в ЖТФ, 1993, Т.19. В.17, G.1−6.
  210. А.Б. Решение нестационарного уравнения Шредингера для двухбарьерных резонансно-туннельных структур в высокочастотных полях// Письма в ЖТФ, 1993, Т.19. В. 17, С.7−11.
  211. S.Collins, D. Lowe, J.R.Barker The quntum mechanical tunneling time problem reviseted// J. Phys. CrSolid State Phys. 1987, Y.20. P. 6213−6232.
  212. Buttiker I., Landauer R. Tranversal Time for Tunneling // Physical Review Letters. 1982. v.49, № 23, P. 1739−1743.
  213. Э. Камке Справочник по обыкновенным дифференциальным уравнениям. М. «Наука», 1965, С. 148.
  214. Е.М.Голант, А. В. Пашковский Прохождение электронов через двухбарьерные резонансно-туннельные структуры в высокочастотных полях //ФТП, 1994, Т.28, 16, С. 954−962.62.
  215. М.В.Лебедев Техника и приборы сверхвысоких частот т.2. Издательство «Энергия», 1964. С. 27.
  216. В.М.Галицкий, Б. М. Карнаков, В. И. Коган Задачи по квантовой механике. М. «Наука», 1981, С. 172.
  217. Е.И.Голант, А. В. Пашковский, А. С. Тагер Квантовые свойства. пролетного участка с локализованным высокочастотным полем// Радиотехника и электроника, 1994, 15, Т.39, С. 832−840″
  218. В.Г., Вдовин Ю. А., Мямлин В. А. Курс теоретическойфизики Т. 2. М. «Наука», 1971, С. 436.
  219. В.Б., Лившиц Е.М", Питаевский Л. П. Релятивистская квантовая теория. М. «Наука», 1968, С. 414.
  220. Е.И.Голант, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер Прохождение электронов через потенциальные барьеры в высокочастотных полях //ФТП, 1994, Т.2.8, J6 5, С. 740−751 .
  221. Е.М.Голант, Я. Б. Мартынов, А. Б. Пашковский Высокочастотная проводимость квантоворазмерных структур с сильно и немонотонно изменяющимся коэффициентом прохождения //Письма в ЖТФ, 1994, Т.20, вып.20, С. 10−15.
  222. Р.Ф., Сурис Р. А. К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со .сверхрешеткой // ФТП 1972, Т.6. В. 1, С.148−162.
  223. R.Tsu, L. Esaki Tunneling in a finite superlattice// Appl.Fhys. Lett. 1973, v.22. P.562−564.
  224. T.C.L.G.Solner, W.D.Goodhue, R.E.Tannenwald, C.D. Parker, D.D.Peck Resonant tunneling through quantum wells at frequencies up to 2.5 THz// Appl.Fhys. Lett. 1983, v.43, P.588.
  225. R.A.Davies Simulation of the current-voltage characteristics of semiconductor tunnel structures // GEO Journal of Research, 1987, V.5, Л 2, P. 65−75.
  226. М.й., Рыжий В. И., Толстихин В. И. Кинетические эффекты в инжекторе с резонансным тунелированием // ФТП. 1991. Т.2.4.в.9. С.1574−1583.
  227. Справочник по специальным функциям М. «Наука» под ред. М. Абрамовича и М. Стиган, 1Э79.
  228. B.Ricco, M.Ya.Azbel Physics of resonant tunneling. The one-dimensional double-barrier case // Phys. Rev. B. 1984, v.29. P. 1970−1981.
  229. S.Luryi Frequency limit of double-barrier resonant-tunneling oscillator // Appl.Phys. Lett. 1985. v.47, 15. P. 490−492.
  230. М.В.Беляева, А. Б. Пашковский Оценка отрицательной динамической проводимости двухбарьерных ревонансно-туннельные структур //Письма в ЖТФ, 1995, Т.21, вып.6, С. 46−50.
  231. М.В.Беляева, Е. И. Голант, А. Б. Пашковский Особенности резонансного взаимодействия электронов с высокочастотным электрическим полем в двухбарьерных структурах // ФТП, 1997, Т.31, В.2, С.
  232. Х.Кейси, М. Панин Лазеры на гетероструктурах /7 М.: Мир 1981, т.1, 299 с.
  233. Е.И.Голант, А. Б. Пашковский, А. С. Тагер МК лазер на эффекте стимулированного резонансного туннелирования электронов //Письма в ЖТФ, 1994, Т.20, вып.21, С. 74−79.
  234. Kesan V.P., Nelklrk D.P., Streetman B.G., Blakey P.A.
  235. A New Transi-Time Device Using Quantum-Well Injection// IEEE Electron Dev. Lett., 1987, v. EDL-8, 1 4, P.129−131.
  236. Е.И.Голант, А. Б. Пашковский Квантовая высокочастотная проводимость двухбарьерных резонансно-туннельные структур с пролетным участком //Письма в ЖТФ, 1995, Т.21, вып.7, С. 16−21.
  237. Davies R.A.Simulation of the Current-Voltage Characteristics of Semiconductor Tunnel Structures// GEO Journal of Research 1987, Y.5, 1 2, P.65−75.
  238. Presilla C. t Jona-Lasinio G., Gapasso F. Nonliner feedbackoscillations in resonant tunneling through double barriers // Fhys. Rev. B. 1991. V.43, Я 6, P.5200−5203.
  239. А.Б.Пашковский Прохождение электронов через квантоворазмерные структуры в высокочастотных полях // ЖЭТФ, 1996, Т.109. В.5, С.1779−1805.
  240. A.B. Оценка влияния динамического пространственного заряда на прохождение электронов через двухбарьерные резонансно-туннельные структуры//Письма в ЖТФ, 1995, Т.21. В.15, С.28−33.
  241. А.Б.Пашковский Нестационарная теория возмущений для задач о прохождении электронов через квантово-размерные структуры в высокочастотных полях // ФТП, 1995, Т.29, Л 9, С. 1712.-1726.
  242. А.Б.Пашковский Влияние динамического пространственного заряда на резонансное взаимодействие электронов с высокочастотным полем в двухбарьерных структурах // Письма в ЖТФ, 1995, Т.21. В. 21, G. 13−18.
  243. А.Б.Пашковский Самосогласованное аналитическое решение уравнения Шредингера, описывающего резонансное взаимодействие электронов с. высокочастотным полем в двухбарьерных структурах // ЖЭТФ, 1996, Т.110. В.5, С.
  244. А.Б.Пашковский Аномальное подавление плазменными колебаниями вероятности резонансного взаимодействия электронов с высокочастотным полем в несимметричных двухбарьерных структурах// Письма в ЖЭТФ, 1996, Т.64. В.12, С.829−834.
  245. Р.С.Густер, Я. Р. Яшгольский Дифференциальные уравнения 1962 Физматгиз, Москва. С. 196.
  246. Е.И.Голант, А. Б. Пашковский Необычное поведение коэффициента отражения электронов от несимметричных двухбарьерных квантовых структур в высокочастотном поле конечной амплитуда //
  247. Письма в ЖЭТФ, 1996, Т.63, вып.7, С. 559−564.
  248. Е.И.Голант, А. Б. Панковский Высокая квантовая эффективность межподзонных переходов при когерентном туннелировании электронов через несимметричные двухбарьерные структуры // 1ЭТФ, 1997, Т.112. В.2(7), С.
  249. Г. Джеффрис, Б. Свирлс Методы математической физики. М. Мир. 1970. С. 229.
  250. J.Palst, Р. Capasso, D.L.Sivco et.al. Quantum cascade laser: Temerature dependence oi performance characteristics and high TQ operation// Applied Physics Letters. 1994. V.65. 123. P.2901−2903.
  251. J.Paist, P. Capasso, G. Sirtori et.al. Vertical transition quantum cascade laser with Bragg confined excited state// Applied Physics Letters. 1995. V.66. 15. P.538−540.
  252. C.Sirtori, J. Paist, P. Capasso et.al. Continuous wave operation of midinfrared (7.4−8.6 цт) quantum cascade laser up to 110 К temperature// Applied Physics Letters. 1996. V.68. 113. P. 1745−1747.
  253. Патент 2 012 102 РФ. Генератор СВЧ на полевом транзисторе / Ю. М. Богданов, А. К. Балыко, А. В. Пашковскнй, К. М. Петров, А. С. Тагер, Ю. А. Яцюк, H.A.Гусельников. Приор, от 30.05.1991.
  254. Решение о выдаче патента от 29.08.1996. гго заявке 93 013 100. Полевой транзистор / Ю. М. Богданов, А. В. Пашковский, А. С. Тагер, Ю. А. Яцюк, К. М. Петров. Приор, от 10.03.1993.
  255. Решение о выдаче патента от 29.08.1996. по заявке 93 013 090. Полевой транзистор на гетероструктуре / Ю. М. Богданов, А. В. Пашковский, А. С. Тагер. Приор. от 10.03.1993.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!