Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме смесей HCL с инертными (Ar, He) и молекулярными (H2, Cl2) газами

Диссертация: Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме смесей HCL с инертными (Ar, He) и молекулярными (H2, Cl2) газами
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В последнее время, в технологии плазменного травления большое распространение получили бинарные (двухкомпонентные) газовые смеси, в которых активный газ совмещается с инертным (Ar, Не) или молекулярным (Н2, 02, N2) газом. Достигаемые при этом технологические эффекты заключаются в: 1) стабилизации плазмы, особенно в области низких давлений, 2) защите откачных средств и повышению экологической… Читать ещё >

Физико-химические процессы в неравновесной низкотемпературной плазме смесей HCL с инертными (Ar, He) и молекулярными (H2, Cl2) газами (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Плазма: основные свойства и определения
    • 1. 2. Плазменное травление в технологии микро- и наноэлектроники
    • 1. 3. Особенности взаимодействия плазмы галогенводородов с металлами и полупроводниками
    • 1. 4. Параметры плазмы и кинетика плазмохимических процессов
    • 1. 5. Влияние газов-добавок на параметры и состав плазмы

Актуальность темы

Низкотемпературная газоразрядная плазма гало-генводородов НХ (X = С1, Br, I) нашла применение в технологии микрои наноэлектроники при проведении процессов очистки и размерного травления поверхности полупроводниковых пластин и функциональных слоев интегральных микросхем. Преимуществами HCl по сравнению с другими хлорсо-держащими газами (CFxCly, ВС13, СС14, С12) являются: 1) отсутствие высаживания твердых продуктов плазмохимических реакций на поверхностях, контактирующих с плазмой, и 2) лучшие показатели чистоты, анизотропии и селективности процесса за счет низких концентраций атомарного хлора и химических реакций атомов водорода.

В последнее время, в технологии плазменного травления большое распространение получили бинарные (двухкомпонентные) газовые смеси, в которых активный газ совмещается с инертным (Ar, Не) или молекулярным (Н2, 02, N2) газом. Достигаемые при этом технологические эффекты заключаются в: 1) стабилизации плазмы, особенно в области низких давлений, 2) защите откачных средств и повышению экологической чистоты производства за счет снижения токсичных компонентов в отходящих газах плазмохимических установок и 3) возможности гибкого регулирования параметров плазмы и концентраций активных частиц при варьировании начального состава плазмооб-разующей смеси. Ранее было показано, что Ar и Не в смесях с С12 [1], ВС1з [2] или НВг [3], а также Н2, N2 и 02 в смесях с С12 [4,5,6] и НВг [4,7,8] не являются инертными разбавителями, но оказывают заметное влияние на кинетику плазмохимических процессов через изменение электрофизических параметров плазмы. Исследования такого рода для плазмы HCl не проводились. Это обуславливает отсутствие информации по механизмам физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы в смесях HCl с инертными и молекулярными газами и, как следствие, трудности в разработке и оптимизации технологических процессов на основе таких систем. Известно также, что концентрации нейтральных частиц в плазме HCl формируются при заметном вкладе атомно-молекулярных реакций с участием С12 и Н2 [9]. Поэтому можно ожидать, что в бинарных смесях НС1-С12, Н2 возможно достижение принципиально иных, по сравнению с системами НС1-Аг, Не эффектов влияния начального состава смеси на стационарные параметры и состав плазмы.

Цель работы. Анализ кинетики и механизмов физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы смесей HCl с инертными (Ar, Не) и молекулярными (Н2, С12) газами. Работы проводились по следующим основным направлениям:

1) Экспериментальное исследование параметров плазмы (температура газа, приведенная напряженность электрического поля).

2) Формирование и анализ кинетических схем (наборов реакций, сечений и констант скоростей), обеспечивающих корректное описание кинетики процессов образования и гибели нейтральных и заряженных частиц.

3) Математическое моделирование плазмы, включающее расчеты функции распределения электронов по энергиям (ФРЭЭ), интегральных характеристик электронного газа, коэффициентов скоростей процессов при электронном ударе, концентраций и плотностей потоков активных частиц на поверхность, ограничивающую зону плазмы.

Научная новизна работы. При выполнении работы были получены следующие новые данные и результаты:

1) Впервые предложены полные кинетические схемы (наборы реакций, сечений и констант скоростей), обеспечивающие корректное описание электрофизических параметров и состава плазмы бинарных смесей HCl-Ar, Не, Н2, С12.

2) Подтверждено, что в условиях тлеющего разряда постоянного тока (ip = 15−35 мА, р = 40−200 Па) плазма HCl обладает следующими особенностями: а) определяющая роль в формировании концентраций нейтральных частиц принадлежит атомно-молекулярными процессамб) 5 диссоциативное прилипание к HClv>o не оказывает принципиального влияния на кинетику образования-гибели заряженных частиц.

3) Впервые проведено детальное исследование электрофизических параметров плазмы бинарных смесей НС1-Аг, Не, Н2, С12. Установлено, что варьирование начального состава смесей вызывает заметную деформацию ФРЭЭ, изменение интегральных характеристик электронного газа и констант скоростей процессов при электронном ударе. Показано, что отсутствие корреляции между изменением E/N и средней энергией электронов связано с неаддитивным перераспределением каналов потери энергии электронов в неупругих соударениях.

4) Впервые проведено детальное исследование кинетики процессов образования-гибели заряженных частиц в плазме бинарных смесей HCl-Ar, Не, Н2, С12. Найдено, что разбавление HCl инертным газом сопровождается более резкими (по сравнению с другими смесями) изменениями частот гетерогенной гибели и концентраций электронов. Показано, что только в смесях НС1-Аг, Не имеет место увеличение плотности потока ионов на поверхность, контактирующую с плазмой.

5) Впервые проведено детальное исследование кинетики процессов образования-гибели нейтральных частиц в плазме бинарных смесей НС1-Аг, Не, Н2, С12. Установлено, что рост степеней диссоциации HCl в смесях с Ar и Не обусловлен ростом эффективности диссоциации электронным ударом, при этом вкладом ступенчатой диссоциации при взаимодействии с метастабильными атомами инертных газов можно пренебречь. Найдено, что разбавление HCl водородом не сопровождается принципиальными изменениями эффективностей атомно-молекулярных процессов. Показано, что при разбавлении HCl хлором концентрация атомов хлора возрастает, при этом влияние атомно-молекулярных процессов является заметным лишь при 0−20% С12 в исходной смеси.

Практическая значимость работы. Результаты, полученные в ходе данных исследований, могут быть использованы для разработки и оптимизации процессов плазмохимического травления, а также для анализа механизмов и при построении моделей физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме чистого НС1 и смесей на его основе.

Личный вклад автора. Работа выполнена на кафедре «Технология приборов и материалов электронной техники» (ТП и МЭТ) ФГБОУ ВПО «Ивановский государственный химико-технологический университет». Весь объем результатов моделирования плазмы получен лично автором.

Автор также принимал участие в формировании наборов исходных данных для моделирования и в адаптации разработанных ранее на кафедре ТП и МЭТ алгоритмов моделирования плазмы для выбранных объектов исследований.

Апробация работы. Основные положения и выводы диссертационной работы докладывались на Всероссийской молодежной конференции «Успехи химической физики» (Черноголовка, 2011), Всероссийской (с международным участием) конференции по физике низкотемпературной плазмы «ФНТП-2011» (Петрозаводск, 2011), VI Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии 18ТАРС-2011 (Иваново, 2011). Всего сделано 4 доклада.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 10 работ, из них 6 тезисов докладов на конференциях, 4 статьи в журналах перечня ВАК.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, выводов и списка использованных литературных источников. Общий объем диссертации составляет 112 страниц, включая 72 рисунка и 23 таблицы.

Список использованных источников

содержит 110 наименований.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1) Для выбранного диапазона условий подтверждено, что в плазме HCl: а) определяющая роль в формировании концентраций нейтральных частиц принадлежит атомно-молекулярными процессамб) диссоциативное прилипание к НС1у>0 не оказывает принципиального влияния на кинетику образования-гибели заряженных частицв) предложенная ранее кинетическая схема процессов (набор реакций, сечений и констант скоростей) обеспечивает удовлетворительное согласие расчетных и экспериментальных значений приведенной напряженности электрического поля и плотности потока ионов на поверхность, ограничивающую объем плазмы.

2) Установлено, что увеличение доли инертного (Ar, Не) газа в смеси с HCl при р = const вызывает резкую деформацию ФРЭЭ, изменение интегральных характеристик электронного газа и баланса скоростей процессов образования и гибели заряженных частиц. Показано, что вкладом ступенчатой диссоциации HCl при взаимодействии с метастабильными атомами Ar (Р0−2) и Не (So, Si) можно пренебречь вплоть до 90% Ar или Не в смеси, при этом рост степеней диссоциации HCl обусловлен ростом эффективности диссоциации электронным ударом из-за изменения электрофизических параметров плазмы. Найдено, что разбавление HCl аргоном или гелием приводит увеличению плотности потока ионов на поверхность, контактирующую с плазмой.

3) Установлено, что характер изменения ФРЭЭ с ростом доли Н2 в смеси HCI-H2 является значительно менее резким и не одинаков у верхней и нижней границ исследованного диапазона давлений. Показано, что кинетика атомно-молекулярных процессов не претерпевает принципиальных изменений из-за низких скоростей диссоциации молекул Н2 электронным ударом. Найдено, что увеличение содержания Н2 в смеси не приводит к интенсификации ионной бомбардировки поверхности, контактирующей с плазмой.

4) Показано, что во всем исследованном диапазоне условий увеличение доли С12 в смеси НС1-С12 приводит к снижению средней энергии электронов из-за увеличения потерь энергии на электронное возбуждение и ионизацию молекул хлора. Установлено, что с ростом степени разбавления НС1 хлором концентрация атомов хлора монотонно возрастает из-за более высоких скоростей диссоциации молекул С12, при этом влияние атомно-молекулярных процессов является заметным лишь при 0−20% С12. Найдено, что увеличение содержания С12 в смеси сопровождается снижением плотности потока ионов на поверхность, контактирующую с плазмой.

4.3.

Заключение

.

Установлено, что в обеих рассмотренных системах основной причиной деформации ФРЭЭ при изменении начального состава смеси является увеличение потерь энергии электронами на возбуждение молекул Н2 или С12. При.

97 о этом сама деформация ФРЭЭ и сопутствующие этому изменения интегральных характеристик электронного газа и констант скоростей процессов под действием электронного удара являются значительно менее резкими, чем для смесей HCl с аргоном или гелием. Характер зависимости концентрации электронов от начального состава смеси и давления газа определяется доминирующим механизмом их гибели. Найдено, что варьирование состава смеси в сторону увеличения содержания Н2 или С12 не приводит к интенсификации ионной бомбардировки поверхности, контактирующей с плазмой.

Показано, что в плазме смеси НС1-Н2 кинетика атомно-молекулярных процессов не претерпевает принципиальных изменений по сравнению с плазмой чистого HCl из-за низких скоростей диссоциации молекул Н2. В плазме смеси НС1-С12 состав нейтральных частиц плазмы в значительной степени формируется атомно-молекулярными процессами лишь при 0−20% С12. В обеих системах увеличение содержания газа добавки в смеси с HCl сопровождается монотонным изменением (снижением в случае НС1-Н2 и ростом в случае НС1-С12) концентрации атомов хлора и плотности их потока на поверхность, ограничивающую объем плазмы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Jong-Chang Woo. Dry Etching Characteristics of Zinc Oxide Thin Films in Cl2-Based Plasma / Jong-Chang Woo, Tae-Kyung Ha, Chen Li and other // Transactions on electrical and electronic materials. 2011. — April 25. — V. 12.-№ 2.-P. 60−63.
  2. Shul, R. J. Selective inductively coupled plasma etching of group-Ill nitrides in Cl2- and BCl3-based plasmas / R. J. Shul, C. G. Willison, M. M. Bridges, and other // J. Vac. Sci. Technol. A 16(3). 1998. — May/Jun. — P. 1621 -1626.
  3. , A. M. Влияние добавок Ar и He на параметры и состав плазмы НВг / А. А. Смирнов, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Микроэлектроника. 2010. — Т. 39. — № 5. — С. 392−400.
  4. Pargon, Е. Characterization of resist-trimming processes by quasi in situ x-ray photoelectron spectroscopy / E. Pargon, O. Joubert, Songlin Xu, Thorsten bill // J. Vac. Sci. Technol. В 22(4). 2004. — Jul/Aug. — P. 1869−1879.
  5. Pearton, S.J. Temperature-Dependent Dry Etching Characteristics of III-V Semiconductors in HBr- and HI-Based Discharges / S.J. Pearton, F. Ren, C.R. Abernathy // Plasma Chemistry and Plasma Processing. 1994. — V. 14. -№ 2. — P. 131−150.
  6. Kwon, K.-H. A model-based analysis of plasma parameters and composition in HBr/X, X = Ar, He, N2 inductively coupled plasmas / K.-H. Kwon, A.
  7. Efremov, M. Kim, N.-K. Min, J. Jeong, K. Kim // Journal of The Electrochemical Society. 2010. — V.157. — P. H574-H579.
  8. Efremov, A.M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HC1 direct current glow discharges / A.M. Efremov, V.I. Svettsov, D.V. Sitanov, D.I. Balashov / Thin Solid Films. 2008. -V.516.-P. 3020−3027.
  9. , В. И. Вакуумная и плазменная электроника : учеб. пособие / В. И. Светцов — Иван.гос.хим.-технол.ун-т. Иваново, 2003. — 171с. -ISBN 5−230−1 605−1.
  10. Плазменная технология в производстве СБИС // Под ред. Айнспрука Н. и Брауна Д. Пер. с англ. М.: Мир, 1987. — 420 с.
  11. Теоретическая и прикладная плазмохимия / JI.C. Полак и др. М.: Наука, 1975.-304 с. 13.' Francis F. Chen. Principles of plasma processing / Francis F. Chen, Jane P. Chang. Plenum/Kluwer Publishers.: 2002. — 208 p. — ISBN 0−306−474 972.
  12. , Д. И. Механизмы химических реакций в неравновесной плазме / Д. И. Словецкий. М.: Наука, 1980. — 313 с.
  13. , В. Ю. Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур / В. Ю. Киреев, Б. С. Данилин, В. И. Кузнецов. М.: Радио и связь, 1983.- 128 с.
  14. , Г. Ф. Ионно-плазменная обработка материалов / Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров. М.: Радио и связь, 1986. — 232 с.
  15. Lieberman, М.А. Principles of plasma discharges and materials processing / M.A. Lieberman, A.J. Lichtenberg. Hoboken, N.J.: Wiley-Interscience, 2005. — 800 p. — ISBN 0−471−72 001−1.
  16. Sugawara, M. Plasma etching. Fundamentals and applications / M. Sugawa-ra. New York.: Oxford University Press Inc, 1992. — 304 p. — ISBN 0−198−56 287-X.
  17. , В. Г. Технологии производства микроэлектронной аппаратуры: лекции / В. Г. Блохин- РГТУ-МАТИ им. Циолковского. Москва, 2004−2005.
  18. , Б. С. Применение низкотемпературной плазмы для травления и очистки материалов / Б. С. Данилин, В. Ю. Киреев. М.: Энерго-атомиздат, 1987. — 264 с.
  19. , Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной галогенсо-держащей плазме. В кн. «Химия плазмы» / Д. И. Словецкий. М.: Энергоатомиздат, 1989. — Вып. 15. — 208 с.
  20. McNevin, S. С. Radio frequency plasma etching of Si/Si02 by Cl2/02: Improvements resulting from the time modulation of the processing gases / S. C. McNevin // J.Vac.Sci.Technol. В 8 (6). 1990. — Nov/Dec. — P. 11 851 191.
  21. Pearton, S. J. Temperature-Dependent Dry Etching Characteristics of III-V Semiconductors in HBr- and HI-Based Discharges / S. J. Pearton, F. Ren, C. R. Abernathy // Plasma Chemistry and Plasma Processing. 1994. — V. 14.- № 2. P. 131−150.
  22. Efremov, A. A Comparative Study of HBr-Ar and HBr-Cl2 Plasma Chemistries for Dry Etch Applications / Alexander Efremov, Youngkeun Kim, Hyun-Woo Lee, Kwang-Ho Kwon // Plasma Chem Plasma Process. 2011.- № 31.-P. 259−271.
  23. Cunge, G. Influence of reactor walls on plasma chemistry and on silicon etch product densities during silicon etching processes in halogen-based plasmas
  24. G. Cunge, M. Kogelschatz, N. Sadeghi // Plasma Sources Sci. Technol. -2004.- № 13.-P. 522−530.
  25. , А. Проблемы плазмохимического травления в микроэлектронике / А. А. Орликовский, Д. И. Словецкий // Микроэлектроника.- 1987.-Т. 16.-№ 6.-С. 497.
  26. Flamm, D.L. Basic chemistry and mechanisms of plasma etching / D.L. Flamm, V.M. Donnelly, D.E. Ibbotson // J. Vac. Sci. Technol. B. 1983. -V.l.-P. 23−30.
  27. , У. Микролитография. Том 2 / У. Моро. М.: Мир, 1990. — 600 с.
  28. Frank, W.E. Dry etching of single-crystal silicon trench in hydrogen iodide containing plasmas / W.E. Frank, T. Chabert // J. Electrochem. Soc. 1993. -V. 140.-P. 490−495.
  29. Richter, H.H. Silicon dry etching in hydrogen iodide plasmas: surface diagnostics and technological applications / H.H. Richter, M.A. Aminpur, H.B. Erzgraber, A. Wolff// Jpn. J. Appl. Phys. 1997. — V. 36. — P. 4849−4853.
  30. Pearton, S.J. High-rate, anisotropic dry etching of InP in Hi-based discharges / S J. Pearton, U.K. Chakrabarti, A. Katz, F. Ren, T.R. Fullowan // Appl. Phys. Lett. 1992. — V. 60. — P. 838−840.
  31. Pearton, S J. New dry-etch chemistries for III-V semiconductors / S.J. Pearton, U.K. Chakrabarti, F. Ren, C.R. Abernathy // Materials Science and Engineering: B. 1994. — V. 25. — P. 179−185.
  32. Rossnagel, S.M. Handbook of plasma processing technology: fundamentals, etching, deposition, and surface interactions / S.M. Rossnagel, J.J. Cuomo, W.D. Westwood. New York: Noyes Publications, 1990. — 523 p. — ISBN 0−815−51 220−1.
  33. Wolf, S. Silicon processing for the VLSI Era. Volume 1. Prosess technology / S. Wolf, R.N. Tauber. New York: Lattice Press, 2000. — 922 p. — ISBN 0−961−67 216−1.
  34. Shul, R.J. Handbook of advanced plasma processing techniques / R.J. Shul, S.J. Pearton. Berlin: Springer, 2000. — 653 p. — ISBN 3−540−66 772−5.
  35. Layadi, N. An introduction to plasma etching for VLSI circuit technology / N. Layadi, J.I. Colonell, J. Lee // Bell Labs Technical Journal. 1999. — V. 4.-P. 155−171.
  36. Bestwick, T.D. Reactive ion etching using bromine containing plasmas / T.D. Bestwick, G.S. Oehrlein // Journal of Vacuum Science and Technology. A. 1990.-V. 8.-P. 1696−1701.
  37. Desvoivres, L. Sub-0.1 jim gate etch processes: Towards some limitations of the plasma technology? / L. Desvoivres, L. Vallier, O. Joubert // J. Vac. Sci. Technol. B.-2000.-V. 18.-P. 156−165.
  38. Song, Y.S. Nanometer-sized patterning of polysilicon thin films in a HBr/Ar plasma / Y.S. Song, Y.H. Byun, C.W. Chung // Appl. Chem. 2003. — V. 7. -P. 161−164.
  39. Vicknesh, S. Etching characteristics of HBr-based chemistry on InP using inductively coupled plasma technique / S. Vicknesh, A. Ramam // J. Electro-chem. Soc. 2004. — V. 151. — P. C772-C780.
  40. Lim, E.L. Inductively coupled plasma etching of InP with HBr/02 chemistry / E.L. Lim, J.H. Teng, L.F. Chong, N. Sutanto // J. Electrochem. Soc. -2008.-V. 155.-P. D47-D51.
  41. Bouchoule, S. Anisotropic and smooth inductively coupled plasma (ICP) etching of III-V laser waveguides using HBr-02 chemistry / S. Bouchoule, S. Azouigui, S. Gullet, G. Patriarche, L. Largeau // J. Electrochem. Soc. -2008.-V. 155. P. H778-H785.
  42. Kim, D.W. A study of GaN etching characteristics using HBr-based inductively coupled plasmas / D.W. Kim, C.H. Jeong, H.Y. Lee, H.S. Kim, Y.J. Sung, G.Y. Yeom // Solid-State Electronics. 2003. — V. 47. — P. 549−552.
  43. Agarwala, S. Selective reactive ion etching of InGaAs/InAlAs heterostruc-tures in HBr plasma / S. Agarwala, I. Adesida, C. Caneau, R. Bhat // Appl. Phys. Lett. 1993. — V. 62. — P. 2830−2832.
  44. Vitale, S.A. Etching of organosilicate glass low-k dielectric films in halogen plasmas / S.A. Vitale, H.H. Sawin // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. — V. 20.-P. 651−660.
  45. Lee, S. Hydrogen bromide plasma-copper reaction in a new copper etching process / S. Lee, Y. Kuo // Thin Solid Films. 2004. — V. 457. — P. 326−332.
  46. Lee, S. A new hydrogen chloride plasma-based copper etching process / S. Lee, Y. Kuo // Jpn. J. Appl. Phys. 2002. — V. 41. — P. 7345−7352.
  47. Kuo, Y. A novel plasma-based copper dry etching method / Y. Kuo, S. Lee //Jpn. J. Appl. Phys. -2000. -V. 39. P. 188−190.
  48. Senga, T. Chemical dry etching mechanisms of GaAs surface by HC1 and C12 / T. Senga, Y. Matsumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. B. 1996. -V. 14.-P. 3230−3238.
  49. Saito, J. Effects of etching with a mixture of HC1 gas and H2 on the GaAs surface cleaning in molecular-beam epitaxy / J. Saito, K. Kondo // J. Appl. Phys. 1990. — V. 67. — P. 6274−6280.
  50. , A. M. Кинетика и механизмы плазмохимического травления меди в хлоре и хлороводороде / Ефремов A.M., Пивоваренок С. А., Светцов В. И. // Микроэлектроника. 2007. — Т. 36. — № 6. — С. 409−417.
  51. , А. М. Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, О. А. Семенова, С. П. Капинос, А. М. Ефремов, В. И. Светцов // Физика и химия обработки материалов. 2010. — № 6. — С. 42−46.
  52. , А. М. On mechanisms of argon addition influence on etching ratein chlorine plasma / A. M. Efremov, Dong-Pyo Kim, Chang-Il Kim // Thin
  53. Solid Films. 2003. — № 435. — P. 232−237.106
  54. , Э. М. Релаксационные процессы и скорость травления монокремния в смеси Аг-СЬ / Врублевский Э. М., Гусев А. В., Жидков А. Г. // Труды ФИАН. 1989. — Вып. 10. — С.3−7.
  55. Lee, Y. N. Etch characteristics of GaN using inductively coupled Cl2/Ar and C12/BC13 plasmas // Y. N. Lee, H. S. Kim, G. Y. Yeom, J. W. Lee, M. S. Yoo, T. Y. Kim // J. Vac. Sci. Technol. A 16. 1998. — P. 1478.
  56. Su, S. H. Reactive ion etching of ZnS films for thin-films electroluminescent devices / S. H. Su, M. Yokoyama, Y. K. Su // Materials Chemistry and Physics. 1997.-№ 50.-P. 205.
  57. Lee, H. M. Inductively coupled plasma etching of (Ba, Sr) Ti03 thin films / H. M. Lee, D. C. Kim, W. Jo, K. Y. Kim // J. Vac. Sci. Technol. В 16. -1998.-P.1891.
  58. Lee, Y. J. A study of lead zirconate titanate etching characteristics using magnetized inductively coupled plasmas / Y. J. Lee, H. R. Han, J. Lee, G. Y. Yeom // Surface and Coatings Technology. 2000. — № 131. — P. 257−260.
  59. Norasetthekul, S. Dry etch chemistries for Ti02 thin films / S. Norasetthekul, P. Y. Park, К. H. Baik, K. P. Lee, J. H. Shin, B. S. Jeong, V. Shi-shodia, E.
  60. S. Lambers, D. P. Norton, S. J. Peartom // Appl. Surf. Sci. 2001. — № 185. -P. 27.
  61. Shibano, T. Platinum etching in Ar/Cl2 plasmas with photoresist mask / T. Shibano, K. Nakamura, T. Takenaga // J. Vac. Sci. Technol. A 17(8). -1999.-P. 799−804.
  62. , В.И. О механизмах влияния аргона на скорость плазмохими-ческого травления металлов и полупроводников в плазме хлора / А. М. Ефремов, А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // ХВЭ. 1993. — Т. 27. -№ 1. — С.88−91.
  63. , А. М. Plasma parameters and etching mechanisms of metals and semiconductors in hydrogen chloride / A. M. Efremov, S. A. Pivovarenok, V. I. Svettsov // Russian Microelectronics. 2009. — V. 38. — P. 147−159.
  64. Efremov, A. M. Kinetics and Mechanisms of Cl2 or HC1 Plasma Etching of Copper / M. Efremov, S. A. Pivovarenok, and V. I. Svettsov // Russian Microelectronics. 2007. — V. 36. — № 6. — P. 358−365.
  65. , A. M. Параметры плазмы HC1 и HBr в условиях тлеющего разряда постоянного тока / А. М. Ефремов, А. А. Смирнов, В. И. Светцов // Химия высоких энергий. 2010. — Т. 44. — № 3. — С. 277−281.
  66. , А. М. The Parameters of Plasma and the Kinetics of Generation and Loss of Active Particles under Conditions of Discharge in HC1 / A. M. Efremov, V. I. Svetsov // High Temperature. 2006. — V. 44, — № 2. — P. 189−198.
  67. Efremov, A. M. Plasma parameters and chemical kinetics of an HC1 DC glow discharge / A. M. Efremov, G. H. Kimb, D. I. Balashov, С. I. Kimb // Vacuum. 2006. -№ 81. — P. 244−250.
  68. W. L. // Plasma Chem. Plasma Proc. 1992. — V. 12. — P. 449−462.108
  69. , А. М. Электрофизические параметры плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смеси HCl/Ar / А. М. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 2011. — Т. 54. -№ 3. — С. 15−18.
  70. , А. М. Математическое моделирование разряда в хлороводо-роде / А. М. Ефремов, В. И. Светцов, Д. И. Балашов // Известия Вузов. Химия и хим. технология. 2003. — Т. 46. — № 3. — С. 118−122.
  71. Franklin, R. N. Electronegative plasmas diluted by rare gases / R. N. Franklin // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. — № 36. — P. 2655−2659.
  72. , И. Д. Влияние добавок аргона и гелия на диссоциацию хлора в тлеющем и высокочастотном разрядах / И. Д. Зимина, А. И. Максимов, В. И. Светцов // ЖФХ. 1973. — № 9. — С.2377−2380.
  73. , И. Д. Исследование диссоциации аммиака, хлора и брома в смесях с инертными газами / И. Д. Зимина, А. И. Максимов, В. И. Светцов // ЖФХ. 1975. — Т. 49. — № 6. — С. 1468−1472.
  74. , Э. М. Химический состав и скорость травления монокремния в плазме бинарной смеси Аг-С12 / Э. М. Врублевский, А. В. Гусев, А. Г. Жидков // ХВЭ. 1990. — Т. 24. — № 4. — С. 356−360.
  75. Herman, I. P. Optical actinometry of Cl2, CI, Cl+, and Ar+ densities in inductively coupled Cl2-Ar plasmas / N. С. M. Fuller, I. P. Herman, V. M. Donnelly // J. Appl. Phys. 2001. — № 90. — P. 3182.
  76. Efremov, A. M. Inductively coupled Cl2/Ar plasma: Experimental investigation and modeling / A. M. Efremov, Dong-Pyo Kim, Chang-Il Kim / J. Vac. Sci. Technol. A 21(4). 2003. — Jul/Aug. — P. 1568−1573.
  77. , A. M. Электрофизические параметры и состав плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смесях HBr/H2 / А. М. Ефремов, А. А.
  78. , В. И. Светцов // Теплофизика высоких температур. 2011. -Т. 49.-№ 5.-С. 670−675.
  79. , Ю. В.Чистые химические вещества / Ю. В. Корякин, И. И. Ангелов. Изд. 4-е- перераб. и доп. — М.: Химия, 1974. — 408 с.
  80. , А.П. Закономерности образования активного хлора и его взаимодействия со стеклом и некоторыми металлами : дис.. канд. хим. наук. Иваново: ИХТИ, 1985. — 233 с.
  81. , Ю. А. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии / Ю. А. Иванов, Ю. А. Лебедев, Л. С. Полак. М.: Наука, 1981.-142 с.
  82. , Г. Н. Разрядные источники света / Г. Н. Рохлин. Изд. 2-е — перераб. и доп. -М.: Энергатомиздат, 1991. — 720 с. — ISBN 5−283−5 488.
  83. , А. П. Физические величины: справочник / А. П. Бабичев, Н. Л. Бабушкина, А. М. Братковский и др. — под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. М.: Энергатомиздат, 1991. — 1232 с. — ISBN 5−283−40 135.
  84. Loureiro, J. Electron and vibrational kinetics in the hydrogen positive column / J. Loureiro, С. M. Ferreira // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. — V. 22.-P. 1680−1691.
  85. Lister, G. G. Low pressure gas discharge modeling / G.G. Lister // J. Phys. D: Appl. Phys. 1992. — V. 25. — P. 1649−1680.
  86. , Н.Л. Энергетическое распределение и кинетические коэффициенты электронов в газах в электрическом разряде. В кн. «Химия плазмы» / Н. Л. Александров, Э. Е. Сон. М.: Атомиздат, 1975. — Вып. 7.-С. 35−75.
  87. Sherman, B.J. The difference differential equation of electron energy distribution in a gas / B. J. Sherman // J. Math. Anal. Appl. 1960. — V. 1. — P. 324−354.
  88. , К. Численное моделирование газовых лазеров / К. Смит, Р. Том-сон.-М.: Мир, 1981.-515 с.
  89. Yoshida, S. Effects of electrons produced by ionization on calculated electron-energy distribution / S. Yoshida, A. V. Phelps, L. C. Pitchford // Phys. Rev. A. 1983. — V. 27. — P. 2858−2867.
  90. CRC Handbook of chemistry and physics / ed. by D. R. Lide. 90 ed. -New York: CNR Press., 2010. — 2496 p. — ISBN 1−420−9 084−4.
  91. , А. Краткий справочник физико-химических величин / А. Пономарева, А. Равдель, Н. Барон, З. Тимофеева — под ред. А. Равделя, А. Пономаревой. изд. 10-е — испр. и доп. — СПб.: «Иван Федоров», 2003. — 156 с. — ISBN 5−8194−0071−2.
  92. , P. М. Fundamentals of plasma physics / P. M. Bellan. New York: Cambridge Univ. Press, 2006. — 628 p. — ISBN 0−521−82 116−9.
  93. Lee, C. Global model of Ar, 02, Cl2 and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A. 1995. — V. 13. -P. 368−380.
  94. Chantry, P. J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P. J. Chantry // J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. — P. 1141−1148.
  95. , И. H. Кинетические характеристики образования и гибели атомов водорода в положительном столбе тлеющего разряда в Н2 / И. Н. Бровикова, Э. Г. Галиаскаров, В. В. Рыбкин, А. Б. Бессараб // ТВТ. -1998.-Т. 35.-С. 706.
  96. Clyne, М. A. A. Recombination of ground state halogen atoms. Part 2. Kinetics of overall recombination of chlorine atoms / M. A. A. Clyne, D. H.1.l
  97. Stedmane / Trans. Faraday Sos. 64. 1988. — № 550. — Part 10. — P.2968−2975.
  98. , A. M. Параметры плазмы и механизмы травления металлов и полупроводников в хлороводороде / А. М. Ефремов, С. А. Пивоварё-нок, В. И. Светцов // Микроэлектроника. 2009. — Т. 38. — С. 163−175.
  99. , Ю. М. Гетерогенная релаксация колебательной энергии молекул / Ю. М. Гершензон, В. Б. Розенштейн, С. Я. Уманский. М.: Химия плазм, Атомиздат, 1977. — 61 с.
  100. Sommerer, Т. J. Monte-Carlo-fluid model of chlorine atom production in СЬ, HC1 and CCI4 radio-frequency discharges for plasma etching T. J. Sommerer, M. J. Kushner // J. Vac. Sci. Technol. В 10. 1992. — P. 2179.
  101. , A. M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц при разряде в НС1 / А. М. Ефремов, В. И. Светцов // ТВТ. 2006. — Т. 44. — № 2. — С. 195.
  102. Sputtering by particle bombardment. Experiments and Computer Calculations from Threshold to MeV Energies / ed. by R. Behrisch, K. W. Witt-mack. Berlin: Springer, 2007. — 1332 p. — ISBN 3−540−44 500−5.
  103. , Д. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел : сб. ст. / Д. Фальконе — под ред. Е. С. Машковой — пер. с англ. М.: Мир, 1989. — 349 с. — ISBN 5−030−280−4.
  104. Berho, F. UV Absorption Spectrum and Self-Reaction Kinetics of the Cyc-lohexadienyl Radical, and Stability of a Series of Cyclohexadienyl-Type Radicals / F. Berho, M.-T. Rayez, R Lesclaux // J. Phys. Chem. A. 1999. -V. 103.-P. 5501−5509.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!