Физико-технологические особенности создания выпрямляющих и омических контактов в кремниевых полупроводниковых приборах и ИС с использованием титана и его соединений
Диссертация
ПРАКТИЧЕСКАЯ ЦЕННОСТЬ РАБОТЫ. Разработанные конструкции, технологические маршруты и отдельные операции формирования омических контактов и контактов Шотки позволяют организовать разработку и изготовление кремниевых полупроводниковых приборов, активных элементов ИС с мелкозалегающими р-п-переходами, а также активных элементов в составе 3-х мерных ИС на основе кремния на изоляторе, в которых… Читать ещё >
Список литературы
- Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. The Submicron MOSFET // Lattice Press. 1995, v.3, 308p.
- Wolf S. Silicon Processing for the VLSI Era. Process Integration // Lattice Press. 1990, v.2, 255p.
- Данилин B.C. Силициды и полициды в производстве СБИС // Итоги науки и техники. Электроника. 1989, т.25, с.37- 71.
- Murarka S.P. Properties and applications of silicides // Microelectronic Materials and Processes Pt.7. Kluwer Academic Publishers. 1989, p.275−323.
- Maex K. Material aspects and implementation of silicides for ULSI // Advances in rapid thermal and integrated processing. Ed. B.F. Rozeboom. NATO ASI Series E. Applied Sciences. Kluwer Academic Publishers. 1996, v.318, p.348−372.
- Mann R.W.,.Clevenger L. A, Agnello P.D., White F.R. Silicides and local interconnections for high-performance VLSI applications // IBM J. Res. Develop. 1996, v.39. № 4, p.403−416.
- Osburn C.M. Formation of Silicided shallow junctions using low-thermal budjet processing//J.Electron. Mater. 1990, v. 19, №.1, p.67−88.
- Pauleau Y. Interconnect materials for VLSI circuits Part I Miniaturisation requirements and materials for gate electrodes // Solid State Technology. 1987, № 2, p. 61−67.
- Технология СБИС. Под. ред. С. Зи в 2 кн. // М.:Мир, 1986.
- Mallardeou et al. Characterization of TiSi2 ohmic and Schottky contacts formed by rapid thermal annealing technology // J. Electrocem. Soc.1989, v.136, № 1, p.238−240.
- Данилин Б.С. Нанесние тонких пленок в производстве интегральных микросхем (современное состояние и перспективы) // Итоги науки и техники. Сер. Электроника. 1984, т. 16, с. 145−179.
- Yu A.Y.C. Electron tunneling and contact resistance of metal silicon contact barriers // Sol. St. Electron. 1970, v. 13, p.239 — 247.
- Chang C.Y. et al. Specific contact resistance of metal-semiconductor barriers // Sol. St. Electron. 1971, v. 14. p.541 550.
- Поут Дж., Ту К., Мейер Дж. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции // Пер. с англ. Под ред. В. Ф. Киселева, В. В. Поспелова. М.: Мир. 1983, 576 с.
- Pauleau Y. Interconnect materials for VLSI circuits Part II Metal to Silicon contacts // Solid State Technology. 1987, N4, p.155−162.
- Акасака И. Тенденции развития трехмерных интегральных схем // ТИИ-ЭР. Пер. с англ. 1986, т.74, № 12, с. 120−132.
- Mogami Т. et al. Low Resistance Self- Aligned Ti-Silicide Technology for Sub-Quarter Micron CMOS Devices // IEEE Trans. Electr. Dev. 1996, v.43, № 6, p.932−938.
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС // М.: Мир. 1986, 176 с.
- Taur J., Davari В., May D., Sun J.-Y.-C., Ting C.J. Study of contact and shallow junctions characteristics in submicron CMOS with self-aligned Ti-Silicide // IBM J.Res. Develop. 1987, v.31, №.6, p.627−633.
- Koster H. Comparison of the preperties of TiSi2 films obtained by co-sputtering and by composite target sputtering // Thin Solid Films. 1989, v. 170, p.71−80.
- Bernard C., Madar R., Pauleau J. Chemical Vapour Deposition of refractory metal silicides for VLSI metallization // Sol. St. Technol.1989, № 2, p.79−83.
- Маех К. Silidation and metallization using RTA processing // Advances in rapid thermal and integrated processing. Ed. B.F. Rozeboom. NATO ASI Series E. Applied Sciences. Kluwer Academic Publishers. 1996, v.318, p.333−347.
- Ponpon J.P., Saulnier A. Comparison of the growth kinetics of Titanium silicide obtained by RTA and furnace annealing // Semicond. ScL Technol, 1989, v.4, p.526−528.
- Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник // M.: Радио и связь. 1982, 208с.
- Rubioff G et al. Material reaction and silicide formation at the refractory metal/Silicon interface // Appl. Phys. Lett. 1986, v.48, N23, p. 1600−1602.
- Chu J.J., Wu I.C., Chen L.J. Transmission electron microscope study of the growth kinetics on TiSi2 // J.Appl. Phys. 1987, v.61, N2, p.549−551.
- Bhansali A.S. et al. Phase reactions of semiconductor metallization interface // J. Electron. Mater. 1990, v. 19, N. 11, p. 1171−1177.
- Boricki L. et al. A model for Ti-silicide growth//IEDM-88. 1988, p.348−351.
- Pico C.A., Lagally M.G. Kinetics of Titanium silicide formation on single-crystal Si: Experiment and modelling // J.Appl.Phys. 1988, v.64, N 10, p. 49 574 967.
- Liu J.Ch., Lin Ch .J., Maa J.-Sh. Backscattering analysis of the layer structure of Ti silicides // Jap. J. Appl. Phys. 1979, v. 18, N 5, p.991−992.
- Wang M.H., Chen L.J. Identification of the first nucleation phase in the interfacial reactions of ultrahigh vacuum deposited Ti thin films on Si // Appl.Phys. Lett. 1993, v.58, N 5, p.463−465.
- Bhandia A.S. Stoichiometric shifts in cosputtered refractory silicide films during subsequent heat treatment // J.Vac. Sci. Technol. 1984, v. B2, N 4, p.766−770.
- Чистяков Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники // М.: Металлургия. 1979, 498с.
- Tauenblatt М.А., Helms C.R. Silicide and Shottky barrier formation in Ti-Si and Ti-SiOx-Si systems // J.Appl. Phys. 1982, N.9, p. 6308−6315.
- Guldan A. et al. Formation and properties of TiSi2 Films // Thin Solid Films. 1983, v.100, p.1−7.
- Pat. USA. № 4.545.116. Method of forming Titanium Disilicide.
- Chen D.C. et al. TiSi2 thickness limitations for use with shallow junctions and SWAMI or LOCOS isolation // IEEE Transactions on Electron.Dev. 1986, v. ED-33,N 10, p.1463−1469.
- Georgiou G.E. et al. Thermal stability limits of thin TiSi2// J. Electrochem. Soc. 1994, v.141, N. 5, p.1351−1356.
- Cohen C. et al. Silicon loss during TiSi2 formation // J.Appl. Phys. 1987, v.62, N11, p.5187−5189.
- Berti M. et al. Ti Silicide formation. Effect of Oxygen Distribution in the metal film // J.Appl.Phys. 1984, v.55, N. 10, p.3358−3365.
- Heitze M. et al. Oxygen impurity effects on the formation of thin Titanium silicide films by RTA // J.Phys. D. Appl.Phys. 1990, v.23, p. 1076−1081.
- Pramanik D. et al. Influence of the iterfacial Oxygen on Ti Silicide formation by rapid thermal annealing // J. Vac. Sci. Technol. 1984, v. B2, N 4, p. 775−780.
- Hsu C.C. et al. Formation of silicides in the Ti, Ti (ox)/-Si (lll), and Ti/Si02/Si (l 11) systems // J.Vac. Sci. Technol. 1987, v. A5, N 4, p. 1402−1406.
- Lee H. S, Wolga G.J. The effect of Oxygen in the Si Substrate on Mo, W, Ti and Co silicide by infrared laser heating // J. Electrochem. Soc. 1990, v.137,N 8, p.2618−2623.
- Bomchil G, Goeltz G., Torres J. Influence of Oxygen on the formation of refractory metal silicides // Thin Solid Films. 1986, v.40, p.59−70.
- Lin Ch. et al. Ti Silicide formation on thin-film Silicon on insulation // Appl. Phys. Lett. 1990, v. 56, N 20, p. 2004−2006.
- Merchant R., Amaro J. Oxygen redistribution during sintering of Ti/Si structures //J. Vac. Sci. Technol. 1984, v. B2, N 4, p. 762−765.
- Berger H. Contamination due to process gases // Microelectronic Engineering. 1991, v. l0,p 259−267.
- Berger H. Gas purity requirements for Titanium silicide metallization // Semicond. Int. 1987, v.10, N 10, p. 137−142.
- Narayan C. et al. Processing concerns for multi-level thin film metallization // Proc.Symp. Multilevel Metalliz., Interconnect., and Contact Technol., San Diego, Calif, Oct. 21−22, 1986-Pennington. (N.Y.) 1987, p.103−113.
- Berger H. Economical preparation of TiSi2 films by reactive evaporation in N2 and Ar // Sol. St. Technol. 1991, N 5, p. 79−81.
- Berger H, Adema G. Sheet resistance studies of reactively evaporated Ti in N and Ar for silicide formation // J. Electrochem. Soc. 1991, v.138, N 3, p. 853 854.
- Lin M.Z.,.Yu J.C.S, Wu Ch.-Yu. An environment-insensitive trilayer structure for Titanium Silicide Formation // J. Electrochemical Society. 1986, v. 133, N 11, p. 2386−2389.
- Pat. USA № 4.920.073. Selective silicidation process using a TiN protective layer.
- Kang S.W. et al. Dependence of Oxygen redistribution on Ti film thickness during TiSi2 formation by RTA // J. Vac. Sci. Technol. 1989, v. A7, N 6, p. 3246−3250.
- Perera A.H., Krusius J.P. Shallow, small area TiSi2 comtacts to n+ and p+ Silicon // J. Electrom Mater. 1990, v. 19, N. 10, p. 1445−1449.
- Заявка Японии № 63−133 622. Manufacture of semiconductor device.
- Pantel R. et al. Low resistivity thin film refractory silicides growth in ultrahigh vacuum at low temperature // J.Electrochem. Soc. 1984, v. 131, N.10, p.2426−2430.
- Hamm P.M. Characterization and implementation of self-aligned TiSi2 in submicrometer CMOS Technology // IEEE Trans. Electron. Dev. 1991, v.38, N1, p.88−94.
- Mann R. W, Clewenger l.A. The C49 to C54 Phase transformation in TiSi2 thin films//J. Electrochem. Soc. 1994, v. 141, N5, p. 1347−13 50.
- Koeneke C. J, Lynch W.T. Lightly doped Schottky MOSFET // IEEE, 1982, p.466−469.
- Patent USA N 4.485.550.1984.Koeneke C.J. et al. Fabrication of Schottky -barrier MOSFET.
- Ku J. H,.Lee S. K, Kwong D.L. The application of ion-beam mixing, doped silicide and rapid thermal processing to self-aligned silicide technology // J.Electrochem. Soc. 1990, v. 137, N2, p.728−740.
- Kakumu, Hashimoto K, Nishi Y. Enhanced Impurity redistribution for silicided source/drain // Proc. Conf. on Solid-Devices and Mater. Kobe. 1984, p.111−114.
- Revesz P, Gyimesi J, Pogany L, Peto G. Lateral growth of Ti Silicide over a dioxide layer // J.Appl.Phys. 1983, v.54, N4, p.2114−2116.
- Chin T.J. et al. A high speed super self- aligned bipolar-CMOS technology // IEDM. Wachington D.C. 1987, p.24−27.
- Заявка Японки № 62−76 560. МКИ H 01 L 29/78. Сима Сехей. Способ формирования полупроводникового прибора.
- Pramanik D, Jain V. Barrier metals for VLSI: Processing and reliability // Sol. St. Technol. 1991, № 5, p.97−102.
- Murarka S.P. Refractory silicides for integrated circuits // J.Vac. Sci. Technol. 1980, v.17, N 4, p.775−792.
- Strydom W. J, Lombaard J. C, Pretorius R. Thermal oxidation of the silicides CoSi2, CrSi2, NiSi2, PtSi, TiSi2 and ZrSi2 // Thin Solid Films. 1985, v.131, p.215−231.
- Pretorius J.R. Studies of the growth and oxidation of metal silicides using radioactive 31 Si as tracer // J.Electrochem. Soc. 1981, v. 128, N 1, p. 107−112.
- Chen J. R, Liu J.-Ch, Chu Sh.-D. Investigation on TiSi2 thin-film oxidation by radioactive tracer technique // Appl. Phys. Lett. 1982, v.40, N 3, p. 263−265.
- Jiland H, Petersson C. SNicolet, M.-A. Thermal oxidation of transition metal silicides // Thin Solid Films. 1986, v. 140, p. 115−129.
- Baglin J.E., D’Heurle F.M., Petersson C.S. Interface effects on metal silicide layers over silicon oxide on metal silicide layers over silicon substrates // J. Appl. Phys. 1983, v.54, N 4, p. 1849−1854.
- Bartur M., Nicolet M.-A. Properties of Si02 growth on Ti, Co, Ni, Pd and Pt Silicides // J. Electron. Mater. 1984, v. 13, N 1, p.81−94.
- Hsieh N., Nesbit L. Oxidation phenomena of polysilicon/tungsten silicide structures //J. Electrochem. Soc. 1984, v.131, N 1, p.201−205.
- Ting C.Y., Wittmer M. The use of titanium based contact barrier layers in silicon technology//Thin Solid Films. 1982, v.96, № 4, p.327−345.
- Suni I. et al. Stable metallization systems for solar cells // Phys. Stat. Sol. 1982, № 2, v.72, p.763−769.
- Баринов В.В., Мамедов Т. Я., Орликовский А. А., Подопригора Н. Биполярные ИС с диодам Шотки // Зарубежная электронная техника. 1976, вып.8, с.3−53.
- Орликовский А.А. Перспективы быстродействующих биполярных интегральных схем. // Микроэлектроника. 1981, № 3, с. 195−205.
- Kleefstra М. Schottky-diode ver sus p-n diode. // Ned. tijdschr. Naturk. 1980, v.46, № 1, p.9−12.
- Федотов Я.П. Полупроводниковая электроника, год 2001-й. // М.: Сов. Радио. 1975, 104с.
- Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем // М.: Мир. 1989, 630с.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2-х книгах. Пер. с англ. под ред.Р. А. Суриса. // М.: Мир. 1984, 912 с.
- Валиев К.А., Пашинцев Ю. И., Петров Г. В. Применение контакта металл-полупроводник в электронике. // М.: Сов. Радио. 1981, 304 с.
- Афонцев С.А., Петров Г. В. Полевые транзисторы с затвором Шотки новые перспективные элементы СВЧ интегральных схем. // Микроэлектроника. 1975, т.4, вып.5, с.387−408.
- Афонцев С.А. и др. Контакт металл-полупроводник и его использование в полупроводниковых приборах и устройствах на их основе // Ядерная электроника. Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат. 1978, вып.8, с.20−53.
- Арсенид галлия в микроэлектронике // Под ред. Н. Айнспрука, У. Уиссме-на.М.: Мир. 1988, 555с.
- Гаспярян Ф. В, Адамян З. Н, Арутян В. М. Кремниевые фотоприемники // Ерев.: Изд-во Ереванского университета, 1989, 362с.
- Гольдберг Ю.А. Барьеры Шотки и их использование для исследования свойств полупроводников // Микроэлектроника. 1982, т.11, вып.1, с.3−19.
- Frank W, Hewlett J. A Compact efficient Schottky Collector Transistor Switch // IEEE J. of Solid State Circuits. 1979, № 5, v. 14, p. 801−806.
- Frank W, Hewlett J. A Compact efficient Schottky Collector Transistor Switch // IEEE J. of Solid State Circuits. 1979, № 5, v, 14, p. 865−867.
- Громов Д. В, Петров Г. В. Экспериментальное сравнение характеристик продольных транзисторов с коллекторными переходами типа Шотки и р-п типа // Ядерная электроника. Под ред. Т. М. Агфханяна. М.: Атомиздат. 1976, вып. 6, с. 18−21.
- Croft D.C. The Construction and Reliability of Schottky Diodes // Microelectron.Reliab. 1977, v. 17, № 4, p.445−455.
- Патент 4 062 033 США. МКИН01 L 29/48. 1978.
- Стриха В.И., Бузанева E.B., Радзиевский И. Л. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. // М.: Сов. Радио. 1974, 248 с.
- Перевощиков В.А., Возмилова Л. Н., Свердлин И. А. и др. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников // Под ред. Луфт Б. Д. М.: Радио и связь. 1982, 137 с.
- Garrido J. et al. Argon-ion bomnardment effects on the electrical charactristics of platinum silicon Schottky diodes // J.Electron. Lett. 1979, v. 15, № 25, p.815−816.
- Madden П.Н. Ion bombardment-induced changes in the electronic structure of silicon surfaces // J. Vac. Sci. And Techn.1982, v.20, № 3, p.502−505.
- Каскевич O.K., Маркова B.H. Исследование зависимости качества барьера Шотки от свойств применяемых материалов и условий их напыления // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1082, вып.2, с.22−21.
- Arizumi Т. et al. Contact Properties of Metal-Silicon Schottky barriers // Jap. J. Appl. Phys. 1970, v.9, № 9, p.100−103.
- Канчуковский О.П., Преснов В.A., Щедролосьев E.H. Влияние термической обработки на электрические, характеристики и границу раздела диодов Шоттки: кремний-никель. // Электронная техника. Сер. 2. Материалы. 1981, вып. 10, с. 60.
- Стриха В.И. Теоретические основы работы контакта металл-полупроводник // Киев, Наукова думка. 1974, 264 с.
- Стриха В. И, Бузанева Е. В, Ветров А. П. и др. Определение параметров р+ слоя в контакте А1-р+ n-Si // Сборник научных трудов. Полупроводниковые приборы с барьером Шотки. Киев. Наукова думка. 1979, 236 с.
- Бузанева Е. В, Вдовиченко А. Д, Еременко В. В. и др. Твердофазное взаимодействие на границе алюминий п- кремний в диодах с барьером Шотки // Эл. тех. Сер.З. Микроэлектроника. 1981, № 6, с.3−11.
- Бузанева Е.В. Микроструктуры интегральной электроники // М.: Радио и связь. 1990,303с.
- Wu C.Y. Barrier height reduction of the schottky barrier diode using a thin highly doped surface layer // J. Apple. Phys. 1980, № 9, v. 51, p. 4919−4922.
- Shannon J. M. Ion Beam Modification of Materials // Nucl. Instrum. and Meth. 1981, p. 182−183.
- Wu C.Y. Analytic model for barrier height enhancement of the Schottky barrier diode using low-energy ion implanted // J. Apple. Phys. 1983, v. 54, p. 971−976.
- Li S. S, Kim J. S, Kreps S.A. An ion-implanted Ti. W Silicon Schottky barrier diode // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980, v. 27, № 11, p. 2200−2205.
- Thornton R.l. Shcottky barrier elevation by ion implantation and implant segregation // Electron. Lett. 1981, v. 7, № 14, p. 480−485.
- Е.В.Бузанева, Т. П. Трайнис, В. А. Хрусталев и др. Влияние концентрации примесей в n-Si на высоту барьера и параметры ВАХ-контактов А1-р±n-Si с барьером Шоки // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1986, вып.4, с. 14−22.
- Gonzalez T. and Pardo D. Physical models of ohmic contact for monte carlo device simulation // Solid-State Electr. 1996, v.39, № 4, p.555−562.
- Sroeder D and Witkowski U. Simulation of Semiconductor Devices with Non- Ideal Metallic Contacts // IEEE Trans. El. Dev. 1997, v.44, № 4, p.679−680.
- Rommel S.L. et al. Low Resistance Ohmic Contacts to p-GeixCx on Si // IEEE Electr. Dev. Lett. 1997, v.18, № 1, p.7−9.
- Freeouf J.L. Silicide Schottki diodes: An Elemental Description // Sol. State. Comm. 1980, v.33, p.1059−1061.
- Mator M. et al. W/Si Schottki diodes: effect of sputtering deposition condictions on the barrier height // Appl. Surf. Sci. 1995, v. 95, p. 342- 346.
- Mallardeau C. et al. Characterization of TiSi2 ohmic and Schottky contacts formed by rapid thermal annealing technology // J. Electrocem. Soc. 1989, v. 136, № 1, p. 238−240.
- Yu A.Y.C. Electron tunneling and contact resistance of metal silicon contact barriers. // Sol. St. Electron. 1970, v. 13, p.239 — 247.
- Chang C.Y. et al. Specific contact resistance of metal-semiconductor barriers. // Sol. St. Electron. 1971, v. 14, p.541 550.
- Исследование закономерностей образования слоев силицида титана на монокристаллическом кремнии. Отчет по НИР. Гос. per. № 1 950 004 112. 415-ГБ-Б. Научн. рук. Королев М. А. 1995.
- Исследование закономерностей синтеза слоев силицида титана на moho- и поликремнии с учетом конструктивно- технологических параметров процесса. Отчет по НИР. Гос. per. № 1 960 004 853. 667-ГБ-53-Г. Научн. рук. Шевяков В. И. 1997.
- Райнова. М. Ю, Малышева JI. А, Шевяков В. И. Исследование технологических особенностей процесса окисления силицида титана // Тез. докл. конф. мол. учен, и спец. МИЭТД987, с. 7.
- Райнова. М. Ю, Малышева Л. А, Шевяков В. И, Окисление силицида титана для создания изолирующего диэлектрика в системе многослойной металлизации // Тез. докл. VII Научно- технической конференции молодых ученых и специалистов, г. Рига 1987, с. 169−171.
- Королев М. А, Райнова. М. Ю, Шевяков В. И. Окисление силицидов тугоплавких металлов и их использованние в ИС // Обзоры по электронной технике. Сер.7.Технолоия, организация проиводства и оборудование. 1988, вып. 12, с. 1−22.
- Королев М. А, Райнова. М. Ю, Шевяков В. И. Исследование влияния кислорода на кинетику процесса силицидообразования в системе титан-кремний // Всероссийская конференция. Микроэлектроника 94. 1994, с. 217−218.
- Рыкалин H.H., Зуев И. В., Углов A.A. основы электронно-лучевой обработки материалов // М.: Машиностроение. 1978, 239 с.
- Маннинг Дж. Кинетика и диффузия атомов в кристаллах // М.: Мир. 1971,280с.
- Гегузин Я.Е. Диффузионная зона // М.: Наука. 1979, 344с.
- Исследование и разработка МОП-структур на основе пленки поликристаллического кремния для КМДП СБИС. Отчет по НИР. Гос. per. № 181 074 628. Инверсия. Научн. рук. Королев М. А. 1982.
- Исследование и разработка конструктивно-технологических особенностей создания МОП- приборов в слое поликремния на диэлектрической подложке. Отчет по НИР. Гос. per. №. 182 008 265. Инверсия-2. Научн. рук. Королев М. А. 1983.
- Исследование и разработка конструктивно-технологических основ создания элементов МДП СБИС седьмой степени интеграции на основе поликремниевых активных компонентов. Отчет по НИР. Гос. per. №. 1 840 033 988. Инверсия-3. Научн. рук. Вернер В. Д. 1984.
- Исследование эффектов короткого канала в КМОП транзисторах. Отчет по НИР. Гос. per. №.Ф36 179. Идея. Научн. рук. Королев М. А. 1988.
- Разработка многофункциональных интегральных датчиков на основе КНИ-структуры. Отчет по НИР. Гос. per. №.8Ф13 224. Индикатор. Научн. рук. Королев М. А. 1991.
- Шевяков В.И. Технологические особенности формирования диодов Шотки в системе: титан- кремний // Тез. докл. II конф. мол. учен, и спец. МИЭТ, 1982, с. 17.
- Райнова. М. Ю, Шевяков В. И. Проводящие пленки окислов металлов и их использование в металлизации // Тез докл. У1 Координ. совещания. Память. 1988, с. 146.
- Астахова H.A. Стрельцов М. В. Шевяков В.И. Свойства омического контакта: алюминий поликремний, образованного радиационно- стимулированной диффузией // Сб. научн. труд. МИЭТ. 1990, с.70−74.
- Королев М. А, Райнова М. Ю, Шевяков В. И. Перераспределение примеси в подложке при термообработке структуры.: силицид титана- кремний // Электрон, техн. сер.З. Микроэлектроника. 1990, вып.1, с, 87−88.
- Черемхин С. В, Шелегеда А. Н, Шевяков В. И. Особенности создания омических контактов к поликремнию // Тез. докл. III Всесоюзн. конф. по физике и технолог, тонких, пленок, Ивано-Франковск. 1990, с. 135.
- Шевяков В.И. Современное состояние технологии ИС и эволюция системы металлизации // Сб.научн. труд. МИЭТ под ред. Б. М. Орлова. 1991, с. 1−24.
- Райнова М. Ю, Шевяков В. И. Электрофизические свойства полупроводниковой двуокиси титана и их использование в ИС // Тез докл. УП Координ. совещания. Развитие методов проектирования и изготовления интегральных запоминающих устройств. МИЭТ. 1991, с. 43.
- Королев М.А., Шелегеда А. Г., Шевяков В. И. Особенности технологии алюминиевой металлизации КНИ-структур // Тез. докл. Всеросс. конф. по микроэлектронике. Таганрог, 1994, с. 28.
- Королев М.А., Райнова М. Ю., Шелегеда А. Г., Шевяков В. И. Особенности создания омических контактов к поликремнию на основе алюминия // Сб. научн. трудов МИЭТ. Активируемые процессы технологии микроэлектроники. 1994, с.46−51.
- Королев М.А., Райнова М. Ю., Шевяков В. И. Особенности изготовления контактной металлизации ИС // Всероссийская научн. техн. конф. Электроника и информатика. МИЭТ. 1995, с. 59.
- Королев М. А. Шумский И.А. Глазов В. М. Трехмерные ИС ././ Электронная промышленность. 1995, № 4−5, с.76−79.
- Yu A.Y.C., Мак L.K. et al. Specific contact resistance mesaurements on semiconductors // Phys. Sci. Instrum.1989, v.22, p.317−321.
- Berber H.H. Models for contacts to planar devices // Sol.St.Electr. 1972, v.15, p.145−158.
- Ting C.Y., Crowder B.L. Electrical Properties of Al/Ti Contact Metallurgy for VLSI Application // J.Electrochem.Soc. 1982, p.2590−2594.
- Proctor 1 et. al. Direct Mesaurements of Interfacial Contact Resistance, interfacial Contact Layer Uniformity // IEEE Trans, on Electr. Dev. 1983, v.30, № 11, p.1535−1542.
- Loh W.M. et al. Modeling and Mesaurement of Contact Resistances // IEEE Trans, on Electr. Dev. 1987, v.34, № 3, p.512−524
- Loh W.M. et. al. An Accurate Method to Extract Specific Contact Resistivity Using Cross- Bridge Kelvin Resistors // IEEE Electr. Dev. Lett.1985, v.6, № 8, р.441−443.
- Kwok K.G. A novel technique to Measure the Contact Resistance of a MOSFET // IEEE Trans. Electr.Dev.1987, v.34, № 3, p.544−547.
- Russel L. et al. The Effect of Lateral Carrent Spreading on the Spesific Contact Resistivity in D-Resistor Kelvin Devises // IEEE Trans. on El. Dev. 1987, v.34, № 3, p.203−205.
- Cohen S.S. Contact Resistance and method for its determination // Thin Sol. Film. 1983, v. 104, p.361−379.
- Маковский Ф. А, Усачев Е. П. Выпрямители на основе полупроводниковой двуокиси титана // М.: Наука. 1966, 107с.
- Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов // М.: Мир. 1975, 397 с.
- Третьяков Ю.Д. О нестехиометрии окислов при высоких температурах // Физическая химия окислов. Под ред. А. Н. Мень. М.: Наука. 1971, 190с.
- Исследование схемотехнических и конструктивно-технологических принципов построения СБИС, совместимых с TTJI-схемами. Отчет по НИР. Гос.рег.№. 81 008 528. Память-20. Научн. рук. Орликовский A.A. 1982.
- Исследование схемотехнических принципов и конструктивно-технологических методов создания быстродействующих СБИС памяти, совместимых с ТТЛ ИС. Отчет по НИР. Гос. per. №. 1 820 063 514. Ирбис. Научн. рук. Вернер В. Д. 1983.
- Исследование элементной базы и разработка принципиальных электрических схем биполярных СБИС ОЗУ статического типа с байтовой организацией. Отчет по НИР. Гос. per. №. 1 830 073 674. Ирбис-2. Научн. рук. Вернер В. Д. 1984.
- Татарченко A.B. Стицей Ю. В. Шевяков В.И. Исследование зависимости высоты потенциального барьера диодов Шотки от параметровмелкого р-п перехода в кремнии // Тез докл. II конф. мол. учен, и спец. МИЭТ, 1982, с. 15−16.
- Шевяков В.И. Конструктивно-технологические особенности создания функциональных элементов, с барьером Шотки в кремниевых ИС // Тез. докл. У Респ. конф. молодых ученых и специалистов, г. Тбилиси. 1983, с.114−115.
- Королев М.А., Стицей Ю. В., Татарченко A.B., Шевяков В. И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. № 1 130 139, 1983.
- Королев М. А., Шевяков В. И. Влияние термообработки на высоту потенциального барьера Шотки системы титан-кремний // Электрон, техн. сер. 3. Микроэлек. 1984, вып. 1, с.110−112.
- Шевяков В.И. Применение выпрямляющего контакта металл- полупроводник с использованием титана в технологии создания БИС // Тез докл. 1У Координац. совещание. Память, М.: МИЭТ. 1984, с.37−38.
- Соколов Е.В., Стицей Ю. В., Татарченко A.B., Шевяков В. И. Исследование формирования сверхтонких высоколегированных структур методом атомов отдачи // Тез. докл. Всесоюзн. научн.техн. конф.Таллин. 1984, с. 82.
- Королев М. А., Шевяков В. И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. № 1 127 473, 1984.
- Королев М.А., Назаренко В. А., Райнова М. Ю., Шевяков В. И. Способ изготовления диода Шотки. A.C. № 1 153 766, 1984.
- Шевяков В.И. Разработка конструктивно- технологических методов изготовления активных элементов с барьером Шотки на основе силицида титана // Рукоп. Кандидат диссертац. 1995, 235с.
- Шевяков В.И. Автореферат кандидат, диссерт. 1995, 25с.
- Королев М. А, Райнова М. Ю, Шевяков В. И. Способ изготовления диода Шотки. А.С. № 161 428. 1988.
- Голишников А. А, Путря М. Г, Рыбачек Е. Н, Шевяков В. И. Плазменная нейтрализация химически активных поверхностей // Тез. докл. Всероссийская конференция. Активируемые процессы. Иваново. 1995, с.70−71.
- Мошкин В.И. Контроль электрофизических параметров полупроводниковых структур по спектральной зависимости сигнала отклика // Электронная промышленность. 1982, № 9, с. 57−58.
- Quillict A, Grosar P. L’effet photovoltaigue de surface dans le silicum et son Application a la mesure de la duree de reie portcure minorit aires // Le J. de Physigue et le Radiam.1960, v. 21, № 7, p. 575−577.
- Урывский Ю.И. Эллипсометрия в исследовании кинетики роста и травления диэлектрических пленок // Дис. канд. техн. наук. Воронеж.1978, 199с.
- Sharma B. L, Gupta S.C. Metal. semiconductor Schottky barrier Junctions. Part 1. Fabrication // Solid-State Techol. 1980, № 5, v.23, p.97−101.
- Самсонов Г. В, Дворина JI. A, Рудь Б. М. Силициды // М.: Металлургия.1979, 272 с.
- Mirarka S. Р, Fraser D. В. Sinha А.К. Perfactory silicides of titanium and tantalum for low- resistivity gates and interconnects // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980, v. 27, № 8, p. 1409−1417.
- Murarka S. P, Fraser D.B. Thin film interaction between titanium and polycristalline Silicon // J. Appl. Phys. 1980, v. 51, № 1, p. 342−349.
- Пат. ФРГ № 2 056 220. МКИ H 01 1 29/48.1979.
- Каменецкас Ю. Исследование поверхности арсенида галлия, легированного атомами отдачи алюминия // Физика и техника полупроводников. 1983, т.17, вып. З, с. 385−389.
- Grob A. et al. Recoil Implantation of antimony into silicon // Nuclear Instruments and Methods. 1981, p. 85−92.
- Bruel M. Recoil implantation of antimony in silicon // Nuclear Instruments and Methods. 1981, p. 93−96.
- Jain S.C., McGregor J.M., Roulston D.J. Band-gap narrowing in novel III-V semiconductors // J. Appl. Phys. 1990, v.68, № 1, p.3747−3 749.
- Jain S.C., Roulston D.J. A simple expression for band gap nerrowing (BGN) in heavily doped Si, Ge, GaAs and GexSil-x streined layers // Sol. State Electr. 1991, v.34, № 5, p.453−465
- Ангелова JI.А., Козлов А. Ю., Толстихин В. И. Фотоэлектрический метод измерения глубины залегания р-п переходов // Микроэлектроника. 1982, т. 11, вып.2, с. 138−145.
- Глазов В.М. Исследование и разработка технологических методов управления зарядовым состоянием системы полупроводник-диэлектрик при изготовлении кремниевых интегральных схем // Дис. канд. техн. наук. М.: 1979, 199 с.
- Савельев А.А. Разработка процессов плазмохимического осаждения слоев Si02 и BN // Дис. канд. техн. наук. М.: 1979, 220 с.
- Венкстерн С.А., Козлов С. Н. О влиянии окисления в хлоросодержащей среде на подвижность электронов и дырок в инверсионных каналах на кремнии // Микроэлектроника. 1981, вып. Ю, № 3, с.263−265.
- Пат США. № 3 499 213. МКИВ 01 J 17/00. 1970.-350 221. Исследование процессов косвенного лазерного нагрева кремниевых слоев и разработка приборов на их основе. Отчет по НИР. Гос. per. №. 1 880 058 776. Энергия-88−2. Научн. рук. Королев М. А. 1989.
- Исследование и разработка основных процессов формирования МДП ИМС с микронной длиной канала. Отчет по НИР. Гос. per. №.8Ф93 178. Интонация. Научн. рук. Королев М. А. 1991.
- Райнова М. Ю. Шевяков В.И. Повышение термостабильности электрофизических характеристик выпрямляющего контакта // Тез. докл. XII Все-союзн. научн. техн. конф.Тбилиси.1987, с.114−115.
- Королев М. А, Абрамов И. А, Шелегеда А. Г, Шевяков В. И. Технологические особенности создания струнных микрорезонаторов на основе КНИ- структур // Тез. докл. Всеросс. научн. техн. конф. Датчик- 94, Гурзуф. 1994, с. 10.
- Королев М. А, Шевяков В. И, Шумский И. А. Разработка БМК на основе пленок рекристализованного кремния на диэлектрике для «интеллектуальных мощных ИС // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Электроника и информатика-97. 1997, с.156−157.
- Королев М. А, Шевяков В. И, Шумский И. А. Интеллектуальные сенсорные системы на основе структуры: кремний на изоляторе // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Датчик-98. Гурзуф. 1998.
- Королев М. А, Шумский И. А, Хохлов М. Ю, Шевяков В. И. Интегральные микросистемы на основе технологии кремний на диэлектрике // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1998 (принята к печати).
- Заглубоцкий Д. В, Шевяков В. И. Численное моделирование параметров омических контактов к кремнию // Тез докл. Межвузовск. научн. техн.конф. студент, и аспир. Микроэлектроника и информатика-97. МИЭТ. 1997, с. 25.
- Шевяков В.И. Исследование природы образования барьера в контакте металл-ковалентный полупроводник // Тез. докл. Всероссийской научн. техн. конференции. Электроника и информатика-97. 1997, с.158−159.
- Шевяков В.И. Особенности образования барьера в реальных контактах металл ковалентный полупроводник // Известия вузов. Сер. Электрони-ка.1998, № l.c.49−55.
- Freeouf J. L. Silicide Schottky barriers: an elemental description // Sol. State Commun. 1979, v. 33, p. 1059−1061.
- Retajczyk T.F., Sinha A.K. Elastic stiffness and thermal expansion co-effcients of various refractory silicides and silicicon nitride films // Thin Sol. Film. 1980, p.241−247.
- Фастыковский П.П., Канчуковский О. П. Изменение высоты барьера контактов М n Si в условиях деформации // Физика и техника полупроводников. 1990, т.24, вып.2., с. ЗЮ -313.
- Горбацевич А.А., Парменов Ю. А., Чайка С. Н. Моделирование и расчет механических напряжений в структурах интегральных схем // Микроэлектроника. 198 9, т.18, вып.5, с.399 405.
- Атомная диффузия в полупроводниках // Под ред. Д. Шоу. М.: Мир. 1975, 684с.
- Исследование схемотехники и проектирование статических быстродействующих биполярных ИС оперативной памяти емкостью 4−16 Кбит свременем выборки до 100 не. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 77 038 673. Память-11. Научн. рук. Орликовский A.A. 1978.
- Исследование и разработка принципов построения сверхбыстродействующих ИС оперативной памяти. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 78 021 019. Па-мять-13. Научн. рук. Орликовский A.A. 1979.
- Исследование и разработка схемотехники и топологии (фрагментов) БИС ОЗУ ЭСЛ-типа с термокомпенсированными логическимими уровнями с временем выборки 15−20 не. Отчет о НИР. Гос.рег.№. 80 021 969. Память-15. Научн. рук. Орликовский A.A. 1981.
- Исакина С. Г, Королев М. А, Шевяков В. И. ИСЭШ-структура с вертикальным р-п-р транзистором // Сб. научн. труд. МИЭТ. 1980, вып.40, с.97−102.
- Королев М. А, Шевяков В. И. Особенности формирования высокоэффективного эмиттера обращенных транзисторных структур // Тез. докл. X Всесоюзн. конф. по микроэл. Таганрог. 1982, с.231−232.
- Королев М. А, Шевяков В. И. Способ изготовления косого среза пластин. A.C. № 950 117, 1982.
- Баринов В. В, Ковалдин Д. В, Королев М. А, Шевяков В. И. Элемент памяти. A.C. № 978 328, 1982.
- Королев М. А, Шевяков В. И. Исследование распределения плотности дефектов в кремнии со сложной диффузионной структурой // Электрон, техн. сер. 3. Микроэлектроника. 1983, с. 126−127.
- Королев М. А, Шевяков В. И. Способ изготовления транзистора с металлическим коллектором. A.C. № 1 042 522, 1983.
- Лемешко С. В, Шевяков В. И. Разработка и исследование специализированных покрытий для сканирующих резистивных микроскопов // В сб материалов Всероссийского совещания по сканирующей микроскопии. Нижний Новгород. 1998, с.138−143.
- Bykov V., Gologanov A., Shevyakov V. Test structure for the SPM tip shape deconvolution // Applied Physics. A. 1998, v.66, № 1−4.
- Bykov V., Gologanov A., Shevyakov V., Lemeshko S., Rochin V. Conductive SPM probe coatings based on Ti or W refractory compounds // Applied Physics Letters. 1998 (принята к печати).
- Петров Г. В. Расчет времени рассасывания избыточных носителей заряда в транзисторах с коллектором Шотки // Ядерная электроника. Под ред. Т. М. Агаханяна. М.: Атомиздат. 1975, вып.4, с.86−89.
- Хацернов М.А. Приготовление косых срезов поверхностных слоев методом травления // Заводская лаборатория. 1972, т.38, № 7, с 823.
- Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия // Под. ред. Р. Бургера и Р. Донована. Пер. под ред. В. Н. Мордковича и Ф. П. Пресса. М.: Мир. 1969, 451 с.
- Fair R. Optimum Low-Level Injection Efficiency of Silicon Transistors with Shallow Arsenic Emitters // IEEE Trans, on Electron. Dev. 1973, v. 20, № 7, p.642−647.
- Антоненко К. И, Райнова Ю. П, Чистяков Ю. Д. Получение переходных эпитаксиальных слоев контролируемой толщины при автоэпитаксии кремния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1979, вып.1, с.71−76.
- Гойденко П.П. и др. исследование распределения легирующих примесей в эпитаксиальных структурах со скрытыми слоями // Микроэлектроника. 1977, вып.1, с.76−86.
- Александров JI.H. Переходные области эпитаксиальных пленок полупроводников // В кн. Полупроводниковые пленки для микроэлектроники. Новосибирск. Наука. 1977, с.30−34.
- Буйко Л.Д. Исследование переходных слоев тонких эпитаксиальных пленок кремния // Электронная техника. Сер.З. Микроэлектроника. 1980, вып. З, с.70−73.
- Александров Л.Н. Структура и свойства переходных слоев, образующихся в процессе эпитаксии полупроводников // Сборник научных трудов по микроэлектронике. Эпитаксия 11. М.: МИЭТ.1975, вып.20, с.14−42.
- Чистяков Ю.Д. Снижение температуры основных физико-химических процессов технологии микроэлектроники как путь повышения надежности ИС // Микроэлектроника. 1980, т.9, вып.6, с.540−547.
- Сушко C.B. и др. Эпитаксиальное осаждение кремния с применением дихлорсилана // Электроная техника. Сер.7. Технология, организация производства и оборудование. 1980, вып.6, с.26−29.
- Патент Японии № 5 423 792 МКИ H 01 L 21/205. 1979.
- Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. // М.: Сов. Радио. 1980, 424 с.
- Герсбах Д. Биполярное запоминающее устройство емкостью 1 Кбит с произвольной выборкой и токовым управлением // Электроника. 1974, № 9, с.59−65.
- Пат. США. № 3 909 807 МКИ G 11 С 11/40. 1975
- Klein D. L. and McEuen P. L. Conducting atomic force microscopy of al-rane layers on graphite // Appl. Phys. Lett. 1995, v. 66, p.2478−2480.
- House F et al. Imaging the local electrical propertties of metal surfaces by atomic force microscopy with conducting probes // Appl. Phys. Lett. 1996, v.69, p. 1975−1977.
- J.Snauwaert J. et al. Minimizing the size of force- controlled contacts on silicon for carrier profiling // J. Vac. Sci. Technol. 1996, В 14, p. l513- 1517.
- Gallo P. -J., Kulik A. J., Burnham N. A. Electrical- conductivity SFM study of an ultrafiltration membrrane // Nanotechnology.1997, v.8, p. 10−13.
- Бухараев А.А., Нургазизов Н. И. Сканирующая резистивная микроскопия субмикронных структур на кремнии // Тез. докл. X Всероссийского симпозиума. РЭМ-97. Черноголовка. 1997, с. 45.
- Голов Е. Ф., Михайлов Г. М, Редькин А. Н., Фиошко А. М. Зондовая нанолитография на пленках аморфного гидрогенезированного углерода //
- Тез. докл. X Всероссийского симпозиума. РЭМ-97. Черноголовка. 1997, с. 149.
- Fujisava Н. and Shimizu М. Investigation of the carrent path of Pb (Zr, Ti)03 thin films an atomic force microscopy with simultaneous current measurement // Appl. Phys. Lett. 1997, v.71, p 416−418.
- Т. Я. Косолапова. Свойства, получение и применение тугоплавких соединений // М.: Металлургия. 1986, 928 с.
- Anders S. et al. Plasma distribution of cathodic arc deposition systems // Appl. Phys. 1996, v.79, p.6785−6789.
- Dobrzanski I. et al. Micromachined silicon bolometers as detectors of soft X-ray, ultraviolet, visible and infrared radiation // Sensors and Actuators. 1997, v. A60, p. 154−159.