Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Фотостимулированные процессы испарения и десорбции с поверхности сульфида и селенида кадмия

Диссертация: Фотостимулированные процессы испарения и десорбции с поверхности сульфида и селенида кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Интерес к таким исследованиям в значительной мере определяется возможностями практического использования лазерного излучения в различных областях науки и техники. Например, для развития технологии лазерного отжига поверхностно-легированных полупроводниковых приборов в микроэлектронике, для осуществления фотостимулиро-ванных поверхностных химических реакций и гетерогенного катализа, для… Читать ещё >

Фотостимулированные процессы испарения и десорбции с поверхности сульфида и селенида кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава I. МЕХАНИЗМЫ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ТВЕРДЫМ ТЕЛОМ, ПРИВОДЯЩИЕ К ДЕСОРБЦИИ И ИСПАРЕНИЮ
    • 1. 1. Тепловое действие света
      • 1. 1. 1. Характеристики светового воздействия
      • 1. 1. 2. Профили температуры при нагреве лазерным импульсом
      • 1. 1. 3. Десорбция, стимулированная тепловым действием света
      • 1. 1. 4. Энергетические распределения десорбируемых частиц
    • 1. 2. Фотоактивное действие света
      • 1. 2. 1. Адсорбционное равновесие на поверхности полупроводника
      • 1. 2. 2. Экспериментальные результаты исследования фотодесорбционного процесса
      • 1. 2. 3. Основные положения модели хемосорбции и фотодесорбции для системы CdS ~ 0Z
      • 1. 2. 4. Энергетические распределения фотодесорбируемых частиц
      • 1. 2. 5. Основные механизмы фотодесорбционных процессов с поверхности полупроводников при лазерном возбуждении

Одно из важнейших направлений современной науки и техники связано с проблемой взаимодействия лазерного излучения с твердым телом. Большинство работ в этой области посвящено исследованию процессов, протекающих при взаимодействии с твердым телом лазерного излучения высокой мощности, когда наблюдается плавление поверхности и образование плазмы из электронов и ионов твердого тела. Однако, в последнее время значительный интерес вызывают исследования физико-химических процессов, протекающих на поверхности полупроводников при интенсивностях лазерного излучения, не приводящего к разрушению поверхности, когда кристалл после облучения сохраняет свои полупроводниковые свойства, то есть при интенсивностях меньше порога разрушения.

Интерес к таким исследованиям в значительной мере определяется возможностями практического использования лазерного излучения в различных областях науки и техники. Например, для развития технологии лазерного отжига поверхностно-легированных полупроводниковых приборов в микроэлектронике, для осуществления фотостимулиро-ванных поверхностных химических реакций и гетерогенного катализа, для избирательного лазерно-стимударованного испарения компонент материалов, для создания новых приборов диагностики состояния поверхности при ее оптическом возбуждении. Характерной особенностью обсуздаемых поверхностных процессов является тот факт, что энергия необходимая для их протекания, поставляется твердому телу световыми квантами. При этом фундаментальное значение приобретает вопрос, каким образом энергия светового потока, поглощаемая в приповерхностной области твердого тела, передается для активации поверхностных процессов.

Чтобы понять специфику физико-химических поверхностных процессов, стимулированных лазерным излучением, научиться управлять ими, необходимо проведение систематических исследований закономерностей взаимодействия лазерного излучения с поверхностью твердого тела в допороговой области интенсивностей. Проведение таких исследований связано с целым рядом экспериментальных трудностей. В первую очередь необходимы сверхвысоковавуумные условия и контроль за состоянием поверхности, чтобы исключить возможное влияние неконтролируемо присутствующих поверхностных примесей. Во-вторых, о процессах, происходящих на поверхности, судят по закономерностям выхода с поверхности под действием лазерного излучет ния нейтральных и заряженных частиц. При этом встает проблема разработки и создания чувствительной аппаратуры для регистрации потоков этих частиц и исследования их свойств.

В связи с этим, в диссертационной работе была поставлена задача создания сверхвысоковакуумной экспериментальной установки для регистрации и масс-анализа частиц, слетающих с поверхности под действием наносекундного импульсного лазерного излучения, для измерения распределений частиц по начальным скоростям и проведения исследования закономерностей лазерного стимулированного испарения и десорбции с поверхностей сульфида и селенида кадмия.

В результате выполненных исследований получены новые данные о свойствах процессов испарения и десорбции с поверхности полупроводников при лазерном воздействии, о закономерностях энергопередачи в этих процессах, предложен механизм, объясняющий основные наблюдаемые закономерности.

Основные выводы, следующие из выполненных исследований, сформулированы в соответствующих главах и заключении.

На защиту выносятся следующие основные положения, обладающие научной новизной:

1. Создана сверхвысоковакуумная экспериментальная установка для прямого измерения на основе времяпролетного принципа распределений по скоростям частиц определенной массы, слетающих с поверхности твердого тела под действием одиночного лазерного импульса.

2. Впервые измерены распределения по скоростям газовых молекул С>2, СО, С0£, HgO, Н2 десорбируемых с поверхности CcL S и CcL Se .В распределениях молекул 02 и СО обнаружены две группы частиц: быстрые с энергией (0,12 — 0,28) эВ и медленные с энергией (0,013 — 0,021)эВ.

3. Измерены распределения по скоростям атомов CcL и молекул Зв£ и S2, испаряемых с поверхности CcLS и Cd Se под действием одиночного лазерного импульса. В распределениях обнаружены быстрые частицы с энергией (0,15 — 0,47)эВ и медленные частицы с энергией (0,03 — 0,06)эВ.

4. Впервые исследованы закономерности изменения формы распределений по скоростям, в зависимости от энергии возбуждающих квантов, мощности излучения и угла выхода регистрируемых частиц. Показано, что выход медленных частиц обусловлен тепловым действием света, а быстрых частиц — фотоактивным поглощением световых квантов.

5. Предложена модель испарения и десорбции с поверхности CcL S и Cd Se при фотоактивном поглощении лазерного излучения, объясняющая основные экспериментальные закономерности.

4.5″ Выводы.

1. Впервые измерены распределения по скоростям газовых молекул COg, HgO, Hg, СО и Og, десорбируемых с поверхности CctSe и CotS под действием импульсного лазерного излучения. Для молекул COg HgO и Hg распределения соответствуют максвел-ловской форме. В распределениях молекул СО и 02 обнаружены две группы частиц: быстрые и медленные.

2. Высокая эффективность десорбции быстрых частиц наблюдается при облучении в области собственного поглощения полупроводника, а их скорость направлена преимущественно по нормали к поверхности. Эффективность десорбции медленных частиц велика в области несобственного поглощения, а угловое распределение интенсивности десорбции подчиняется косинусному закону.

3. Показано, что десорбция медленных частиц обусловлена тепловым действием света, а десорбция быстрых частиц связана с фотоактивным поглощением световых квантов.

4. Предложена модель десорбции молекул кислорода и окиси углерода, объясняющая основные наблюдаемые закономерности. В основе модели лежит энергообмен возбужденной электронно-дырочной системой полупроводника с молекулой адсорбированной в заряженной форме, нейтрализация ее — переход в слабосвязанное состояние и десорбция с избыточной кинетической энергией.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Экспериментальные и теоретические результаты, полученные в работе, убедительно показывают, что характеристики десорбции и испарения нейтральных частиц с поверхности твердого тела при световом воздействии содержат уникальную информацию об элементарных механизмах взаимодействия световых квантов с приповерхностной областью твердого тела. Суммируя основные выводы, сделанные в главах работы, наиболее важные результаты можно сформулировать следующим образом:

1. В потоках частиц, испаряемых и десорбируемых с поверхности твердого тела при световом возбуждении, присутствуют компоненты, обусловленные тепловым и фотоэлектрическим действием света. Проведено прямое экспериментальное разделение этих компонент.

2. На основании анализа характеристик фотоактивированных десорбции и испарения установлены основные закономерности элементарного акта передачи энергии световых квантов частицам на поверхности твердого тела и предложена модель процессов десорбции и испарения, объясняющая основные экспериментальные факты.

Практическое значение работы состоит в развитии методики и создании экспериментальной установки для одновременного масси энергоанализа нейтральных частиц, покидающих поверхность твердого тела под действием импульсного лазерного излучения. Методика позволяет с высокой чувствительностью осуществлять анализ элементного состава поверхности и измерять распределения по начальным скоростям частиц определенной массы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Н. Выделение адсорбированных газов с металлов и полупроводников и их адсорбция под действием света. — Проблемы кинетики и катализа, 1955, т. 8, с. 17 — 21.
  2. Д. Исследование поверхности с помощью десорбции, индуцированной электронами, ионами, фотонами и поверхностными волнами. В кн.: Новое в исследовании поверхности твердого тела. М., Мир, 1977, с. 104 105.
  3. Дж. Действие мощного лазерного излучения. М., Мир, 1974, 468 с.
  4. В.П., Имас Я. А., Либенсон М. Н. 0 нагреве материалов излучением ОКГ.- Физика и химия обработки материалов, 1967, № 1,с. 27 32.
  5. Бонч-Бруевич A.M., Имас Я. А., Либенсон М. Н., Спиридонов Б.Н.• 0 пороге разрушения тонких металлических слоев излучением ОКГ. ЗШ, 1970, KS3, с. 668 — 65У.
  6. А.З., Зубарев И. П. Взаимодействие полупроводников с интенсивными световыми потоками. ФТП, 1969, т. З, № 5, с.677−680.
  7. В.Н., Ионов Н. И., Устинов Ю. К. Применение импульсного масс-спектроскопа для изучения характеристик адсорбции методом вспышки.- ЖТФ, 1964, т. 34, с. 546−557.
  8. Агеев В. Н, Ионов Н. И., Устинов Ю. К. Исследование хемосорбции водорода на поликристаллических вольфрамовых нитях методом вспышки с помощью импульсного масс-спектроскопа. ЖТФ, 1964, т.34, с. 2056−2066.
  9. В.Н. Адсорбционно-десорбционные процессы на поверхности твердого тела. Поверхность, 1984, № 3, с. 5−26.
  10. Э.Ф., Александров И. Н., Сергеева Л. И. Десорбция атомови молекул с поверхности селенида кадмия под действием освещения.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т.46, с. 2248−2251.
  11. Ф., Вахман Г. Динамика рассеяния газа поверхностью. М., Мир, 1980, 423 с.
  12. Ф.Ф. Электронные уровни атомов, адсорбированных на поверхности кристалла. ЖШХ, 1947, т. 21, с. I3I7-I334.
  13. Волькенштейн К вопросу о взаимодействии адсорбированных молекул в связи с теорией адсорбции на неоднородных поверхностях. ЖФХ, 1947, т.21, с. 163−178.
  14. Ф.Ф. Химическая адсорбция на ионных кристаллах.- ЯМ, 1952, т.26, WL0, с. 1462−1471.
  15. Ф.Ф. О задачах, стояи^их перед теорией полупроводников в свя! зи с проблемой катализа. Изв. АН СССР, сер. физ., 1997, с. 176−178.
  16. Волькенштейн Физико-химия поверхности полупроводников. М., Наука, 1973, 399 с.
  17. Ф.Ф. О заряжении поверхности полупроводников при адсорбции. Вестник МГУ, 1997, № 4, с. 79−94.
  18. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводника при хемосорбции. УФЫ, 1966, т.90, № 2, с. 275−289.
  19. С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М., Мир, 1970, 407 с.
  20. Ф.Ф., Карпенко И. В. К теории фотоадсорбционного эффекта на полупроводниках. Кинетика и катализ, 1962, т. З, PI, с. 72−80.
  21. Ф.Ф., Карпенко И. В. О знаке фотодесорбционного эффекта на полупроводниках при экситонном механизме поглощения света. ФТТ, 1967, т.9, № 2, с. 403−410.
  22. Магомедов М. А", Магомедов Х. А. Исследование адсорбционной активности к кислороду полярных граней эпитаксиальных слоев CdSe. ЖФХ, 1981, т.55, с. I83I-I832.
  23. Т.Т., Лазнева Э. Ф., Тавасиев А. Ф., Чебраков Ю. В. Исследование процессов происходящих при взаимодействии лазерного излучения с поверхностью слоев селенида кадмия в условиях высокого вакуума. Вестник ЛГУ, 1978, № 16, с. 61−66.
  24. Л.Л., Котельников В. А., Лисаченко А. А., Рапопорт В. Л., Солоницын Ю. Л. Фотодесорбция простых газов и фотодиссоциация адсорбированных молекул на окисных адсорбентах. В кн.:Успехи фотоники, сб. I, Л., ЛГУ, 1969, с. 78-III.
  25. М.А., Магомедов Х. А. Кинетические параметры адсорбции Og на монокристаллических пленках CdSe-.- ШХ, 1980, т.54, с. 1738−1740.
  26. М.А., Магомедов М. А., Магомедов Х. А. Энергия Активации чисто термической и фотостимулированной десорбции с поверхности CdSe Письма в ЖТФ, т.32, № 6, с. 416−419.
  27. М.А., Магомедов М. А., Магомедов Х. А. Зависимостьэнергии активации чисто термической и фотостимулированной десорбции с поверхности CcLS^Se^x от их состава, — Поверхность., 1982, N53, с. 128−131.
  28. В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1970, 399 с.
  29. А.А., Вилесов Ф. И., Теренин А.Н, Масс-спектрометри-ческое исследование фотосорбционных процессов в системе кислород окись цинка. — ДАН СССР, 1965, т.160, № 4, с.864−866.
  30. А.А., Спорянов Ю. Р. Фотодесорбция кислорода с окиси цинка в условиях сверхвысокого вакуума. Поверхность, 1982,9, с. 54−59.
  31. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Изменение адсорбционного равновесия на поверхности сульфида кадмия под действием светового импульса. ФТП, 1971, т.5, с. 774−776.
  32. Лазнева Э.Ф., Исследование десорбции кислорода и фотопроводимости слоев сульфида кадмия при интенсивном кратковременном освещении. Диссертация, Л., ЛГУ, 1972.
  33. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Роль неравновесных неосновных носителей заряда в процессе фотодесорбции кислорода с- ФТП, 1972, т.6, с. 1369−1372.
  34. Т.Т., Лазнева Э. Ф., Савельева Н. Я. Исследование взаимо действия молекул пар-бензохинона с поверхностью сульфида кадмия. Кинетика и катализ, 1975, т.16, с.756−760.
  35. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Фотоактивированная десорбция кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия. Изв.
  36. АН СССР, 1979, т.43, с. 474−477.
  37. Э.Ф., Быкова Т. Т., Сергеева Л. А., Харламов Ю. А. Исследование фотодесорбции кислорода с поверхности слоев сульфида кадмия различной структуры. В кн.: Вопросы электроники твердого тела. Л., ЛГУ, 1974, в.4, с. З .
  38. Т.Т., Комолов С. А., Лазнева Э. Ф. Изменение фотопотенциала и потенциала поверхности CoL S в процессе термодесорбции кислорода. ЖГФ, 1976, т. 46, с. 632−634.
  39. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Фотодесорбция и адсорбционные состояния на поверхности в системе CoiS- Og.- Вестник ЛГУ, 1981, № 4, с. 52−55.
  40. В.В., Капаев Ю. В., Молотков С. Н. Нетепловой механизм лазерного отжига полупроводников и образование сверхструктуры. Микроэлектроника, 1983, т.12, № 6, с. 499−511.
  41. Г. Я., Тальнова Г. Н. Особенности испарения монокристаллов сульфида кадмия в вакууме. ФТТ, 1970, т.12, с.1355−1362.
  42. Г. Я., Чайка Г. Е. Роль электронных процессов в механизме испарения и в формировании состава бинарных полупроводниковых соединений с ионной связью. УШ, 1973, т.18, с. 933−945.
  43. Г. Я., Тальнова Г. Н. Концентрация свободных электронов и кинетика термического разложения кристаллов CcLS в вакууме.- ФТТ, 1976, т.18, с. 2934−2936.
  44. Г. Я., Тальнова Г. Н., Тычкина С. В. Кинетика испарения и состав кристаллов CoLSe при отжиге в вакууме. Изв. АН СССР, сер. неорг. матер., 1976, т.12, с. 1955−1959.
  45. В.Е., Любченко А. В., Шейнкман М. К. Комплексное исследование кинетики процессов рекомбинации и инфракрасного гашения фототока в сульфиде кадмия. ФТТ, 1965, т.7, с.1717−1732.
  46. Л.Н., Мунблит В. Я., Казанский В. Б. Лазерная флеш- десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа. Кинетика и катализ, 1980, № 2, с. 472−481.
  47. Л.Н., Мунблит В. Я. Лазерная флеш-десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа.- Кинетика и катализ, 1981, т.22, №, с. 710−715.
  48. Л.Н., Мунблит В. Я. Лазерная флеш-десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа.- Кинетика и катализ, 1981, т.22, № 4, с. 991−998.
  49. Л.Н., Мунблит В. Я. Лазерная флеш-десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа. Кинетика и катализ, 1981, т.22, Р5, с. 1232−1239.
  50. Л.Н., Мунблит В. Я. Лазерная флеш-десорбция и ее применение в исследованиях гетерогенного катализа. Кинетика и катализ, 1981, т, 22- № 6, с. I511-I518.
  51. Т.Т., Ефимов Ю. П., Тютиков П. М. Эмиссия положительных ионов с поверхности фтористого лития при воздействии лазерного излучения. Письма в ЖТФ, 1975, т.1, с. 872−875.
  52. Т.Т., Ефимов Ю. П., Тютиков П. М. Особенности эмиссии с прозрачных диэлектриков при лазерном облучении. Изв. АН СССР, сер. физ., 1979, т.43, № 3, C.60IP605.
  53. Т.Т., Ефимов Ю. П., Тютиков П. М. Задержка эмиссии при облучении L i F лазерным излучением. ЖГФ, 1979, т.49, с.885−886.
  54. Ю.П., Лазнева Э. Ф., Тютиков П. М. Энергетическое распределение ионов галия, эмитируемых с поверхности при воздействии лазерного излучении. В кн.: У Всесоюзный симпозиум по физике поверхности. Тез. докл. Киев, 1983, с. 41.
  55. Ю.П., Лазнева Э. Ф., Тютиков П. М., Синиченко В. В. Десорбция ионов с различных граней монокристалла лития при световом воздействии. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т.46,с.2300−2302.
  56. А.А., Моисеенко И. Ф., Глебовский А. А. Неравновесная десорбция атомарного кислорода с окиси цинка. Изв. АН СССР, сер. физ., 1982, т.46, № 12, с. 2274−2278.
  57. Е.М. и др. Оптические материалы для инфракрасной техники. М., Наука, 1965.
  58. А.В., Иоффе А. Ф. Теплопроводность твердых растворов полупроводников. ФТТ, I960, т.2, № 5, с. 781−792.
  59. С.С. Свойства переноса. В кн.: Физика и химия соединений А2Вб. М., Мир, 1970, с. 418−464.
  60. С.В., Масюта Ю. В., Пикус Г. Я. Десорбция атомов и молекул с поверхности кристалла CdSe Т^.ХУШ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Тез. докл., М., 1981, с. 124.
  61. Р. Вакуумное испарение. В кн.: Технология тонких пленок. М., Советсткое радио, 1977, с. 9−174.
  62. A.M., Михайлов В. И., Гельман Ю. А., Любитов Ю. Н., Чернов А. А. Конденсация и аккомодация молекулярного пучка /система: хлорид натрия на тантале/. Рост кристаллов, 1975, т. II, с. 93−100.
  63. Ю.А., Виноградов В. Ф., Любитов Ю. Н. Распределение в пространстве частиц при испарении монокристалла цинка.- Кристаллография, 1973, т.18, № 4, с. 879−881.
  64. А. Основы теории фотопроводимости. М. Мир, 1966, 192 с.
  65. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963, 494 с.
  66. . Оптические процессы в полупроводниках, М., Мир, 1973, 456 с.
  67. X. Электронная структура и свойства твердых тел. М., Мир, 1983, 332 с.
  68. Г. Я., Карбовский С. В., Масюта Ю. В. Поверхностный механизм образования молекул неметалла при испарении кристаллов группы АрВс в вакууме. УФЖ, 1983, т.28, с. 1236−1242.
  69. Т.Т., Лазнева Э. Ф. Влияние нагрева на стимулированную светом десорбцию кислорода со слоев US и Cd Se ЖТФ, 1979, т.49, с. 828−831.
  70. Т.Т., Лазнева Э. Ф., Тавасиев А.3>. Десорбция кислорода в поверхности слоев сульфида кадмия, стимулированная лазерным излучением. Письма в И, 1977, т. З, № 10, с. 467−471.
  71. Н.Р., Лисица М. П., Мазниченко А. Ф., Булах Б. М. Насыщение оптического поглощения в CdSe. ФТП, 1978, т.12, с. 987−990.
  72. Физика и химия соединений A2Bg. Пер. с англ. Под редакцией A.M. Медведева. М., Мир, 1970, 642 с.
  73. Н.Г., Грасюк А. З., Зубарев И. Г., Катулин В. А. Генерация в CdS при двухфотонном возбуждении излучением ОКГ на рубине. ФТТ, 1965, т.7, с. 3639−3640.
  74. В.Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М., Наука, 1979, 234 с.
  75. В.Ф., Крылов О. В. Адсорбционные явления на поверхности полупроводников и диэлектриков. М., Наука, 1978, 255 с.
  76. Т.Т., Лазнева Э. Ф., Комолов С. А. Влияние адсорбции кислорода и окиси углерода на величину потенциала поверхности U S . Вестник ЛГУ, 1976, № 22, с. 97−60.
  77. Г. Хемосорбция и катализ на металлах. В кн.: Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М., Мир, 1981, с. 152 -194.
  78. Ready J.F. Effects due to adsorption of laser radiation. J. of Appl.Phys., 1965, v.36, p.462−468.
  79. Hall К.Б., De Santolo. Pulsed laser induced excitation of metal surfaces. Surf.Sci., 1984, v.137> p.421−441.
  80. Wedler G., kuhman H. Laser induced tbrermodesorption CO from Fe (110). Surf.Sci., 1982, v.121, p.464−486
  81. Strizker B., Pospiezczyk A., Tangle J.A. Measurement of lattice temperature of silicon duaring pulsed laser an-neling. Phis.Rev.Lett., v.47, p.356−358.
  82. Namiki A., Watabe K., Fukana H., Nishigaki S., Noda T. Ejection of atoms and molecules from highly exited CdS. Surf.Sci., 1983, v.128, p. L243-L248.
  83. Lo H.W., Compaan A. Raman measurement of lattice temperature during pulsed laser heating of silicon. j? hys.Rev. Lett., 1980, v.47, рИ604−1607.
  84. Weber E.H. Surface photoconductivity of CdS influenced by chemisorption and desorption of oxygen. Phys.Stat. Sol., 1968, v.28, p.649−662.
  85. Mark P. Photo-induced chemisorption on insulating CdS crystals. J.Phys.Chem.Solids, 1964, v.25, p.911−920.
  86. Sebenne C., Balkanski M. Cinetiques de chimisorption de I’oxygene sur le CdS monocristallin. Surf.Sci., 1964, v.1, p.22−41.
  87. Shappir J., Many A. The effect of oxygen adsorption on the surface barrier height of CdS. Surf.SSi., 1968, v. 14, p.169−180.
  88. Mark P. The role of chemisorption incurrent flow in insulating CdS crystals. J.Phys.Chem.Solids, 1965, v.26, p.959−972.
  89. Hughes D.M., Garter G. The effects of oxygen adsorption and low energy ion bombardment on the electrical prope-ties of cadmium sulhide thin films. Phys.Stat.Sol., 1968, v.25, p.449−453
  90. Mark The energy of desorption of fotochemisorbed oxy gen and nitrous oxide on insulated CdS crystals. J. Phys Chem. Solids, 1965, v.25, p.1767−1772.103″ Ludeke R., Koma A. Low-energy-loss spectroscopy of Ge surfaces. Phys.Rev.B., 1976, v.13, p.739−749.
  91. Campebell B.D., Farnsworth H.E. Studies of structure and oxygen adsorption of 0001 CdS surf as es by LEED.
  92. Surf.Sci., 1968, v.10, p.197−214.
  93. Y., Сох 3.M., Lichman D. Photodesorption from zink oxide. Surf.Sci., 1975, v.50, p.503−514.106* Shapira Y., Cox S.M., Lichman D. Chemisorption, photodesorption and conductivity measurements on ZnO surface Surf.Sci., 1976, v.54, p.43−59.
  94. Baidyrov S., Bottoms W.R., Mark P. Photodesorption from CdS. Surf.Sci., 1971, v. 28, p.517−524.
  95. Van. Vechten J.A., Tsu R., Suris F.W. Nontrermal pulsed laser annelihg of Sis plasma anneling. Phys.Rev.Lett., 1979, v.74A, p.422−426.
  96. Van Vechten.A., Wauletet M. Variation of semiconductor band gaps with lattice temperature and with carrier temperature when there are not equal. Phys.Rev.B., 1981, v.23, p.5543−5550.
  97. Kakayama Т., Ichikawa H., It on K. Non-linear photoindu-ced desorption of Gap. Surf.Sci., 1982, v.123, p. Lg93-L697
  98. It on N., Uakayama T. Mechanism of neutral particle emi ssion from electron-hole plasma near solid surface. Phys.Lett., 1982, v.92A, p.471−475.
  99. Wauletet M. Role of electron-hole pairs in the mechanism of desorption from semiconductors surfaces. Surf. Sci., 1983, v.133,p.L437-L440.
  100. Holland M. G. Photon scattering in semiconductors from thermal conductivity studies. Phys.Rev.A., 1964, v. 134 p. A471-A480.
  101. Marx W.F., Sell ГГ.J., Lester J.E. Angular distribution of reaction and vaporization products of 3odium chloride single cristals. J.Chem.Phys., 1971, v.55,p. 5835−5836.
  102. Cosma G, David R., Shumacher B.J. Fast deuterium molecules desorbing from metals. Surf.Sci., 1980, v. 95, р. Ь210-Ь216″
  103. Goodman F.O., Garcia N. Hon equilibrium desorption of atoms and molecules from surfaces. Surf.Sci., 1982, v.120, p.251−261.
  104. Van Willigen. Angular distribution of hydrogen molecules desorbed from metal surfaces. Phys.bett., 1968, v. 28, p.80−81.
  105. Horton D.R., Banholser W.F., Masel R.I. Derected desor ption as a probe of the structure of desorption site. Surf.Sci., 1982, v.116,p.22−32.
  106. Goodman F.O. Review of the scattering of gas atoms by solid surfaces. Surf.Sci., 1971, v.26,p.327−362.
  107. Bensoussan M., Moison J.M. electron-energy distribution in silicon under pulsed-laser exitation. Phys.Rev. В., 1983, v.27, p.5192−5195.123* Braunstein R., Ockman U. Optical double-photon adsorption in CdS. Phys.Rev., 1964, v. 134, p. A499-A507. '
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!