Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка

Диссертация: Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

При плотности тока менее 1 А/см" не происходит изменений в 2 облучаемом объемепри плотности тока от 1 А/см" до 3,5 А/см — формируются точечные дефекты и нанокластеры кремния малых размеров менее 4 нм) — более 3,5 А/см2 — происходит формирование нанокластеров кремния (линейный размер около 4 нм), их рост и затем образование кластеров кремния с линейными размерами более 10 нм. Таким образом… Читать ещё >

Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. МЕТОДЫ РОСТА И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА СИСТЕМЫ 8Ю2/81.И
    • 1. 1. Методы формирования структур 8Ю2/
      • 1. 1. 1. Пористый кремний
      • 1. 1. 2. Методы осаждения
      • 1. 1. 3. Ионно-синтезированные нанокластеры и нанокристаллы
    • 1. 2. Люминесцентные свойства системы 8Юг/
      • 1. 2. 1. Люминесцентные свойства диоксида кремния
  • Структура диоксида кремния
  • Собственные дефекты в аморфном диоксиде кремния
    • 1. 2. 2. Катодолюминесценция аморфного диоксида кремния
  • КЛ объемного диоксида кремния
    • 1. 2. 3. Кремний, люминесценция кремния
  • Катодолюминесценция объемного кремния
    • 1. 2. 4. Механизмы люминесценции, связанной с нанокристаллами 81 в 8ЮХ
    • 1. 2. 5. Люминесценция структур 8Юг/
  • Пленки диоксида кремния на кремнии
  • К Л пленок диоксида кремния на кремнии
  • Люминесценция диоксида кремния с нанокластерами кремнием
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
    • ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА, ИССЛЕДУЕМЫЕ ОБРАЗЦЫ
    • 2. 1. Используемые методы
    • 2. 1. 1. Локальная катодолюминесценция
  • Глубина области генерации катодолюминесценции
  • Определение количества люминесцирующих центров
    • 2. 1. 2. Просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ)
    • 2. 1. 3. Методы определения состава
  • РСМА
  • Изображения ПЭМ
    • 2. 2. Образцы
    • 2. 3. Определение условий модификации диоксида кремния электронным пучком
  • Проведение расчета локальной температуры нагрева объемного аморфного диоксида кремния
  • Расчет температуры нагрева для образцов ПЭМ
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
    • ГЛАВА 3. ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА С ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТЬЮ ТОКА НА АМОРФНЫЙ ДИОКСИД КРЕМНИЯ
    • 3. 1. Облучение пленок диоксида кремния
    • 3. 2. Облучение объемного диоксида кремния
    • 3. 2. 1. Изменение катодолюминесценции при облучении электронным пучком
    • 3. 2. 2. Аморфный диоксид кремния после длительного облучения электронным пучком
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
    • ГЛАВА 4. ОСОБЕНОСТИ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ ПРИ ВАРЬИРОВАНИИ ПАРАМЕТРОВ ЭКСПЕРИМЕНТА И НАЧАЛЬНОГО СОСТАВА ДИОКСИДА КРЕМНИЯ
    • 4. 1. Исследование влияния плотности тока на процесс формирования нанокластеров кремния
    • 4. 1. 1. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ < 20°С)
    • 4. 1. 2. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ=50−200°С)
    • 4. 1. 3. Средняя плотность тока электронного пучка (Тон=250−800°С)
    • 4. 1. 4. Высокая плотность тока электронного пучка (Т0|, >900°С)
    • 4. 2. Исследование влияния содержания ОН-групп, а диоксиде кремния на процесс формирования нанокластеров кремния
    • 4. 2. 1. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ < 20°С)
    • 4. 2. 2. Средняя плотность тока электронного пучка (Т0ь =250°С)
    • 4. 2. 3. Высокая плотность тока электронного пучка (Т0ь =1000°С).85 4.3. Формирование нанокластеров кремния в диоксиде кремния имплантированном ионами кремния, кислорода и водорода
    • 4. 3. 1. Низкая плотность тока электронного пучка (ТоЬ =50°С)
    • 4. 3. 2. Высокая плотность тока электронного пучка (Т0и =700°С)
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 4
    • ГЛАВА 5. ФОРМИРОВАНИЕ НАНОКЛАСТЕРОВ КРЕМНИЯ В АМОРФНОМ ДИОКСИДЕ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ЭЛЕКТРОННОГО ПУЧКА
    • 5. 1. Формирование свободного кислорода в диоксиде кремния
    • 5. 2. Диффузия кислорода
    • 5. 3. Рост нанокластеров
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 5

С начала 60-х годов прошлого столетия и по сегодняшний день кремний остается основным полупроводниковым материалом микроэлектроники. В совершенстве отработаны методы получения, очистки и обработки монокристаллического кремния, а также планарная технология на его основе, используемая в производстве интегральных схем. В настоящее время традиционные полупроводниковые элементы микроэлектроники уже вплотную приблизились к физическим ограничениям по размерам активных элементов. Такой важнейший параметр, как быстродействие интегральных схем, лимитируется задержками, обусловленными сопротивлением и емкостями металлических межсоединений, общая длина которых резко возрастает с ростом степени интеграции. Эта проблема может быть решена путем замены электрических межсоединений оптическими. Соответственно, встает вопрос о возможности применения кремния в изготовлении интегральных схем, реализующих функции генерации, передачи и обработки электрических и оптических сигналов. Одним из способов решения данной проблемы является использование структур на основе наноразмерного кремния. В настоящее время не удается создать структуры с достаточно интенсивной люминесценцией в видимом диапазоне, поэтому необходимы дальнейшие исследования в этой области.

Еще одна не менее важная проблема — это улучшение характеристик (уменьшение размеров, уменьшение рабочего напряжения и повышение надежности) элементов энергонезависимой памяти. Наиболее перспективным в данной области является использование нанокристаллов кремния, погруженных в тонкие диэлектрические слои.

В связи с этим были опробованы различные способы формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния: ионная имплантация с последующим отжигом, отжиг осажденных 8ЮХ пленок и пр. Основными недостатками метода ионной имплантации являются сложность создания тонких слоев (менее 10 нм) с нанокластерами кремния и дороговизна оборудования. Метод осаждения из газовой фазы позволяет формировать тонкие пленки, но слои выращенные таким методом обладают высокой пористостью и низкой адгезией. В обоих методах для формирования нанокластеров кремния необходим последующий высокотемпературный отжиг. Также эти методы не позволяют изучать рост нанокласторов кремния in situ.

Соответственно, разработка нового метода роста нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния и исследование изменения люминесцентных свойств при формировании нанокластеров кремния являются актуальными. Данная работа посвящена изучению формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Такой метод позволяет не только создавать нанокластеры кремния в облучаемом микрообъеме, но и контролировать изменения структуры аморфного диоксида кремния и процесс роста нанокластеров кремния методом локальной катодолюминесценции in situ.

Целью диссертационной работы являлось установление основных закономерностей процесса формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка высокой удельной мощности.

Были поставлены следующие основные задачи:

1. Разработка метода формирования нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния при облучении электронным пучком и исследование изменения катодолюминесцентных свойств облучаемого объема in situ.

2. Оценка температуры локального нагрева при облучении электронным пучком объемного аморфного диоксида кремния и пленок диоксида кремния.

3. Выявление основных этапов модификации аморфного диоксида кремния электронным пучком с разной удельной мощностью.

4. Исследование влияния количества точечных дефектов и примеси ОН-групп в исходном аморфном диоксиде кремния на процесс его модификации. Научная новизна.

• Впервые показана принципиальная возможность формирования нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Определены условия формирования нанокластеров кремния при облучении аморфного диоксида кремния электронным пучком. Получены распределения по размерам и структурные параметры нанокластеров кремния.

Впервые проведена оценка температуры объемных стекол и тонких пленок диоксида кремния в области облучения электронным пучком.

Впервые установлены пороговые значения параметров эксперимента. При превышении этих значений характер динамики катодолюминесцентных свойств диоксида кремния под воздействием электронного пучка принципиально изменяется.

Впервые показано влияние ОН-групп в исходном диоксиде кремния на процесс модификации электронным пучком аморфного диоксида кремния.

Впервые предложена модель процесса формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Научная и практическая значимость работы.

Научная значимость данной работы заключается в установлении основных закономерностей роста нанокластеров кремния в аморфном диоксиде кремния под воздействием электронного пучка. Практическая значимость работы определяется возможностью использовать предложенный метод роста нанокластеров кремния при создании элементов энергонезависимой памяти нового поколения и оптоэлектронных элементов. Данный метод роста совместим с современными планарными технологиями. Основные положения, выносимые на защиту.

При облучении аморфного диоксида кремния электронным пучком с плотностью тока более 1 А/см" в диоксиде кремния формируются нанокластеры кремния. Нанокластеры кремния представляют собой монокристаллы с тетрагональной Р-Бп структурой со средним размером 2−4 нм.

При плотности тока менее 1 А/см" не происходит изменений в 2 облучаемом объемепри плотности тока от 1 А/см" до 3,5 А/см — формируются точечные дефекты и нанокластеры кремния малых размеров менее 4 нм) — более 3,5 А/см2 — происходит формирование нанокластеров кремния (линейный размер около 4 нм), их рост и затем образование кластеров кремния с линейными размерами более 10 нм. Таким образом, выявлены два пороговых значения мощности облучения диоксида кремния электронным пучком.

3. Высокое содержание ОН-групп (более 1000 ррт) в исходном диоксиде кремния стимулирует формирование точечных дефектов и нанокластеров кремния в объеме диоксида кремния при более низких значениях плотности тока электронного пучка, чем в диоксиде кремния с низким содержанием ОН-групп. Нанокластеры в диоксиде кремния с низким содержанием ОН-групп имеют меньший размер (2 нм) и меньшее отклонение от среднего размера, чем нанокластеры кремния в диоксиде кремния с высоким содержанием ОН-групп.

Основные результаты и выводы.

1. Определены условия формирования нанокластеров кремния в диоксиде кремния под воздействием электронного пучка.

2. Проведена оценка температуры перегрева аморфного диоксида кремния при облучении электронным пучком высокой удельной мощности для объемных образцов и тонких пленок.

3. Установлены два пороговых значения параметров облучения диоксида кремния электронным пучком. При плотности тока менее 1 А/см не происходит изменений в облучаемом объемепри плотности тока от 1 А/см.

•у до 3,5 А/см — формируются точечные дефекты и нанокластеры кремния малых размеровболее 3,5 А/см" - происходит формирование нанокластеров кремния (линейный размер около 4 нм), их рост и затем образование крупных кластеров кремния (линейные размеры более 10 нм).

4. Определены распределения по размерам и кристаллическая структура нанокластеров кремния, сформировавшихся при облучении диоксида кремния электронным пучком.

5. Исследовано влияние содержания ОН-групп в исходном диоксиде кремния на процесс модификации электронным пучком. В диоксиде кремния с содержанием ОН-групп около 1000 ррш пороговые значения плотности тока ниже, чем в стекле с содержанием ОН-групп 1−2 ррш.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Silicon quantum wire array fabrication by electrochemical and chemical dissolution of wafers / L.T. Canham // Appl. Phys. Lett, 1990, Vol.57, № 10, P.1046−1048.
  2. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett, 1997, Vol.82, № 3, P.909−965.
  3. Visible photoluminescence from oxidized Si nanometer-sized spheres: Exciton confinement on a spherical shell / Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda // Phys. Rev. B, 1993. -Vol.48, № 7, P.4883−4886.
  4. Luminescence properties of nanometer-sized Si crystallites: Core and surface states / Yoshihiko. Kanemitsu // Phys. Rev. B, 1994, Vol.49, № 23, P. 1 684 516 848.
  5. Photoluminescence spectrum and dynamics in oxidized silicon nanociystals: A nanoscopic disorder system / Yoshihiko Kanemitsu // Phys. Rev. B, 1996, Vol.53, № 20, P.13 515−13 520.
  6. Photoluminescence mechanism in surface-oxidized silicon nanociystals / Y. Kanemitsu, S. Okamoto, M. Otobe, S. Oda // Phys. Rev. B, 1997, Vol.55, № 12, P. R7375-R7378.
  7. Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and Hpassivated porous Si / S. Schuppler et al. // Phys. Rev. B, 1995, Vol.52, № 7, P.4910- 4925.
  8. Quantum confinement effect in self-assembled, nanometer silicon dots / S.A. Ding, M. Ikeda, M. Fukuda, S. Miyazaki, M. Hirose // Appl. Phys. Lett, 1998, Vol.73, № 26, P.3881−3883.
  9. Self-trapped excitons in silicon nanociystals with sizes below 1.5 nm in Si/Si02 multilayers / B.V. Kamenev, A.G. Nassiopoulou // J. Appl. Phys, 2001, Vol.90, №ll, P.5735−5740.
  10. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, № 25, P.4834−4836.
  11. Changes in the electronic properties of Si nanocrystals as a function of particle size / T. van Buuren, L.N. Dinh, L.L. Chase, W.J. Siekhaus, L.J. Terminello // Phys. Rev. Lett, 1998, Vol.80, № 17, P.3803−3806.
  12. Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys.- 2000, Vol.87, № 8, P.3829−3837.
  13. Кинетика экситонной фотолюминесценции в низкоразмерных структурах кремния /А.В. Саченко, Э. Б. Каганович, Э. Г. Манойлов, С. В. Свечников // ФТП, 2001, Т.35, № 12, С.1445−1451.
  14. Optical properties of Si clusters and Si nanocrystallites in high-temperature annealed SiO* films / T. Inokuma, Y. Wakayama, T. Muramoto, R. Aoki, Y. Kurata, S. Hasegawa // J. Appl. Phys, 1998, Vol.83, № 4, P.2228−2234.
  15. Nucleation and growth of nanociystalline silicon studied by ТЕМ, XPS and ESR / K. Sato, T. Izumi, M. Iwase, Y. Show, H. Morisaki, T. Yaguchi, T. Kamino // Appl. Surf. Sci, 2003, Vol.216, P.376−381.
  16. Optical gain in Si/Si02 lattice: Experimental evidence with nanosecond pulses / L. Khriachtchev, M. Rasanen, S. Novikov, J. Sinkkonen // Appl. Phys. Lett, 2001, Vol.79, № 9. P.1249−1251.
  17. Blue photoluminescence and local structure of Si nanostructures embedded in Si02 matrices / Q. Zhang, S.C. Bayliss, D.A. Hutt // Appl. Phys. Lett, 1995, Vol.66, № 15. -P. 1977−1979
  18. The structural and luminescence properties of porous silicon / A.G. Cullis, L.T. Canham, P.D.J. Calcott // Appl. Phys. Lett, 1997, Vol.82, № 3, P.909−965.
  19. Influence of light intensity on the photoluminescence of silicon nanostructures / D. Amans, O. Guillois, G. Ledoux, D. Porterat, C. Reynaud // J. Appl. Phys, 2002, Vol.91, № 8. -P.5334−5340.
  20. Visible light emissions and single-electron tunneling from silicon quantum dots embedded in Si-rich Si02 deposited in plasma phase / Keunjoo Kim // Phys. Rev. B, 1998, Vol.57, № 20, P. 13 072−13 076.
  21. Evidence of light-emitting amorphous silicon clusters confined in a silicon oxide matrix / H. Rinnert, M. Vergnat, A. Burneau // J. Appl. Phys, 2001, Vol.89, №l, P.237−243.
  22. Raman scattering and photoluminescence from Si nanoparticles in annealed SiOx- thin films / D. Nesheva, C. Raptis, A. Perakis, I. Bineva, Z. Aneva, Z. Levi, S. Alexandrova, H. Hofmeister// J. Appl. Phys, 2002, Vol.92, № 8, P.4678−4683.
  23. Si rings, Si clusters, and Si nanocrystals, different states of ultrathin SiOx layers / L.X. Yi, J. Heitmann, R. Scholz, M. Zacharias // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.81, № 22, P.661−663.
  24. Nanoprecipitation in transparent matrices using an energetic ion beam / T. Mohanty, A. Pradhan, S. Gupta, D. Kanjilal // Nanotechnology, 2004, Vol.15, P.1620−1624.
  25. , Д.Н. Образование нановыделений при распаде пересыщенных твердых растворов в треках быстрых тяжелых ионов / Д. Н. Королев, А. Е. Волков // ЖТФ, 2004, Т.74, № 10, С.64−68.
  26. Photoionization of silicon particles in Si02 / V.V. Afanas’ev, A. Stesmans// Phys. Rev. B, 1999, Vol.59, № 3, P.2025−2034.
  27. Silicon nanocrystal memory devices obtained by ultra-low-energy ion-beam synthesis / P. Dimitrakis et al. // Solid-State Electronics, 2004, Vol.48,1. P.1511−1517.
  28. Electroluminescence generated by a metal oxide semiconductor light emitting diode (MOS-LED) with Si nanocrystals embedded in Si02 layers by ion implantation / M. Kulakci, U. Serincan, R. Turan // Semicond. Sci. Technol, 2006, Vol.21, P.1527−1532.
  29. Visible photoluminescence in Si±mplanted silica glass / T. Shimizu-Iwayama, K. Fujita, S. Nakao, K. Saitoh, T. Fujita, N. Itoh // J. Appl. Phys, 1994, Vol.75, № 12, P.7779−7783.
  30. Characterization of Si nanocrystals grown by annealing Si02 films with uniform concentrations of implanted Si / S. Guha, S.B. Qadri, R.G. Musket, M.A. Wall, T. Shimizu- Iwayama // J. Appl. Phys, 2000, Vol.88, № 7, P.3954−3961.
  31. Effect of different preparation conditions on light emission from silicon implanted SiC>2 layers / G. Ghislotti, B. Nielsen, P. Asoka-Kumar, K.G. Lynn, A. Gambhir, L.F. Di Mauro, C.E. Bottani // J. Appl. Phys, 1996, Vol.79, № 11, P.8660−8663.
  32. О формировании нанокристаллов кремния при отжиге слоев SiO?, имплантированных ионами Si / Г. А. Качурин, С. Г. Яновская, В. А. Володин, В. Г. Кеслер, А. Ф. Лейер, М.-О. Ruault // ФТП, 2002, Т.36, № 6, С.685−689.
  33. В.И. Гавриленко, A.M. Грехов, Д. В. Корбутяк, В. Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников// Киев, Наукова думка, 1987, (608стр.)
  34. Н.А. Основы технологии электронных приборов// М. Высшая школа, 1980, (стр.288)
  35. В.А. Гриценко Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах// Новосибирск, 1993, (280 стр.)
  36. Ближний порядок и микропористость в термических и пиролитических слоях двуокиси кремния.// Репникова Е. А, Алешина Л. А, Гуртов В. А, Фофанов А. Д. -Петрозаводск, 1987-Деп. в ВИНИТИ 12.08.87,№−8301-В87
  37. В.А. Парамагнитные центры на поверхности раскола кварца. Взаимодействие с молекулами Н2 и D2 //Кинетика и катализ, 1979, Т.20 № 2, стр. 448−455
  38. A model for the non-bridging oxygen center in fused silica./ Skuja L.N., Silin A.R. //Phisica Status Solidi (a)., 1982., V. 70, issue 1, pp 43−49
  39. H.-J. Fitting, T. Barfels, A.N. Trukhin, B. Schmidt, A. Gulans, A. Von Czarnovski, Journal ofNon-Crystalline Solids 303, p.218−231, (2002)
  40. А.Н.Трухин, А. Р. Силинь, Ю. Р. Закис «Собственная люминесценция кристаллов и стекол диоксида кремния» Тарту, 1989, т.63, стр. 93−105
  41. A New Intrinsic Defect In Amorphous Si02: Twofold Coordinated Silicon / L.N.Skuja, A.N.Streletsky, A.B.Pakovich // Solid State Communication, 1984, V.50, № 12, p. 106 943. Gee C. M, Kastner M, Journal of Non-Crystalline Solids p.557−586 (1980)
  42. A.A. и Радциг В.А. Физика и химия стекла, Т. 14, № 4 стр. 501 507 (1988)45. /M.V.Zamoryanskaya, V.I.Sokolov, V.Plotnikov. //Applied Surface Science -2004 V.234,1.1−46- P.214−217
  43. А.И. Введение в теорию полупроводников // М, Наука, 1978, (615стр.)
  44. Exciton energy levels in germanium and silicon./ McLean T.P., Loudon R. //J. Phys. Chem. Solids., 1960, V. 13, № 1, pp. 1−9
  45. Оптические свойства и структура пленок a-Si, свободных от подложки./ Акимченко И. П., Бармин Ю. В., Вавилов В. С., Гавриленко В. И., Золотухин И. В., Литовченко В. Г. //ФТП, 1984, Т. 18, № 12, стр. 2138−2141
  46. Зависимость ширины оптической щели кремниевых квантовых точек от их размера/В.А. Бурдов // ФТП, 2002, Т.36, № 10, С.1233−1236.
  47. Т. Theory of quantum confinement effect on excitons in quantum dots of indirect-gap materials / T. Takagahara, K. Takeda // Phys. Rev. B, 1992, Vol.46, № 23, P.15 578−15 581.
  48. Theoretical aspects of the luminescence of porous silicon / C. Delerue, G. Allan, M. Lannoo //Phys. Rev. B, 1993, Vol.48, № 15, P. l 1024−11 036.
  49. Nature of luminescent surface states of semiconductor nanocrystallites / G. Allan, C. Delerue, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett, 1996, Vol.76, № 16, P.2961−2964.
  50. Quantum confinement and optical gaps in Si nanocrystals / S. Ogut, J.R. Chelikowsky, S.G. Louie // Phys. Rev. Lett, 1997, Vol.79, № 9, P.1770−1773.
  51. The band gap in silicon nanocrystallites / V. Ranjan, M. Kapoor, V.A. Singh // J. Phys.: Condens. Matter, 2002, Vol.14, P.6647−6655.
  52. Excitonic and quasiparticle gaps in Si nanocrystals / C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan // Phys. Rev. Lett, 2000, Vol.84, № 11, P.2457−2460.
  53. Photoluminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett. -2002, Vol.80, № 25, P.4834−4836.
  54. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime / S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // Phys. Rev. B, 2000, Vol.62, № 24, P. 16 820−16 825.
  55. Absorption and emission of light in nanoscale silicon structures. M.S. Hybertsen//Phys. Rev. Lett, 1994, Vol.72, № 10, P. 1514−1517.
  56. Electronic states and luminescence in porous silicon quantum dots: The role of oxygen / M.V. Wolkin, J. Jorne, P.M. Fauchet, G. Allan, C. Delerue // Phys. Rev. Lett, 1999, Vol.82, № 1, P.197−200.
  57. Surface control of optical properties in silicon nanoclusters / A. Puzder, A J. Williamson, J.C. Grossman, G. Galli // J. Chem. Phys, 2002, Vol.117, № 14, P.6721−6729.
  58. Silicon nanostructures for photonics / P. Bettotti, M. Cazzanelli, L. Dal Negro, B. Danese, Z. Gaburro, C.J. Oton, G. Vijaya Prakash, L. Pavesi // J. Phys.: Condens. Matter, 2002, Vol.14, P.8253−8281.
  59. Size, shape, and composition of luminescent species in oxidized Si nanocrystals and Hpassivated porous Si / S. Schuppler et al. // Phys. Rev. B, 1995, Vol.52, № 7, P.4910−4925.
  60. Photo luminescence of size-separated silicon nanocrystals: Confirmation of quantum confinement / G. Ledoux, J. Gong, F. Huisken, O. Guillois, C. Reynaud // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, № 25, P.4834−4836.
  61. Size-controlled highly luminescent silicon nanocrystals: A Si0/Si02 superlattice approach / M. Zacharias, J. Heitmann, R. Scholz, U. Kahler, M. Schmidt, J. Biasing // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.80, № 4, P.661−663.
  62. Resonantly excited photoluminescence from porous silicon: Effects of surface oxidation on resonant luminescence spectra / Y. Kanemitsu, S. Okamoto // Phys. Rev. B, 1997. Vol.56, № 4, P. R1696-R1699.
  63. Sidebands in nontunable photoluminescence of Si±implanted Si02 / H.E. Porteanu, E. Lifshitz, Th. Dittrich, V. Petrova-Koch // Phys. Rev. B, 1999, Vol.60, № 23, P.15 538- 15 541.
  64. Breakdown of the k-Conservation Rule in Si Nanocrystals / D. Kovalev, H. Heckler, M. Ben-Chorin, G. Polisski, M. Schwartzkopff, F. Koch // Phys. Rev. Lett, 1998, Vol.81, № 13. P.2803−2806.
  65. Photoluminescent spectrum and dynamics of Si±ion-implanted and thermally annealed Si02 glasses / Y. Kanemitsu, N. Shimizu, T. Komoda, P.L.F. Hemment, B.J. Sealy // Phys. Rev. B, 1996, Vol.54, № 20, P.14 329−14 332.
  66. Simulation of IR and VIS-NIR spectra of Si+ implanted Si02 glass / U. Herrmann, H.H. Dunken, E. Wendler, W. Wesch. //Journal of Non-Crystalline Solids, 1996, vol. 204, n3, pp. 273−281
  67. В. Высокочувствительная система для катодолюминисцентных исследований к электронно-зондовому микроанализатору КАМЕБАКС / М. В. Заморянская, С. Г. Конников, А. Н. Заморянский.//Приборы и техника эксперимента, 2004 № 3 — с. 1−8
  68. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets / Kanaya K, Okayama S. // J. Phys. D. 1972. V. 5. № 1. P. 43−58.
  69. Saturation effects of cathodoluminescence in rare-earth activated epitaxial Y3A15012 layers. / Fan M, der Weg W. F, Fan Tol M.V. //J. Appl.Phys.Lett, 1981, V.63−64, p.333
  70. Cathodoluminescence of Si02/Si system. / Zamoryanskaya M.V. // Solid State Phenomena, 2010, vol. 156−158, 487−492
  71. Г. Томас, М.Дж. Гориндж. Просвечивающая электронная микроскопия материалов, 1983, стр. 11−64, 120−190, 275−281 (345 стр.)
  72. Study of Si Nanocrystals Formed by Electron-Induced Reduction of Si02 at High Temperature / M. Takeguchi, K. Furuya, K. Yoshinara Structure //Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, 12B, 7140 7143
  73. Исследование температурных полей, наводимых в образцах нитрида галлия электронным зондом/ С. К. Обыден, Г. А. Перловский, Г. В. Сапарин, С.И.Попов// Известия Академии Наук СССР, Сер. Физ. 1984, т.48, 12, 2374
  74. Palik E.D. Handbook of optical constants of solids.// New York, 1985, P. 280
  75. Inelastic collision of kV electrons in solids./ Ding Z.-J. and Shimizu R // Surf. Sci, 222,313−331 (1989)
  76. Расчет теплового воздействия электронного зонда на образец нитрида галлия/ Л. А. Бакалейников, Е. В. Галактинов, В. В. Третьяков, Э.А.Тропп// ФТТ, 2001 том 43 — вып.5 — стр. 779−785
  77. Crystal data for high-pressure phases of silicon/ Hu Jing Zhu, Merkle Larry D, Memoni C. S, Spain I.L. // Psys. Rev. B, 1986, vol.34, n 7, pp. 4679−4684
  78. П.А. Термическая диссоциация соединений, Металлургия Москва 1969 (573 стр.)
  79. Взаимодействие пористого кремния с водой: хемографический эффект/ Тутов Е. А, М. Н. Павленко, И. В. Протасова. В. М. Кашкаров, // Письма ЖТФ, 2002, Т.28, В. 17, стр.45−50
  80. Р.Ш. Малкович Математика диффузии в полупроводниках, Санкт-Петербург, 1999, (390 стр.)
  81. О кинетике распада пересыщенных твердых растворов / И. М. Лифшиц, В. В. Слезов //ЖЭТФ, 1958, Т.35, вып.2, № 8, р.479−492.
  82. Three-dimensional domain growth on the size scale of the capillary length: Effective growth exponent and comparative atomistic and mean-field simulations / M. Strobel, K.-H. Heinig, W. Moller // Phys. Rev. B, 2001, Vol.64, P.245 422.
  83. Моделирование формирования нанопреципитатов в Si02, содержащем избыточный кремний / А. Ф. Лейер, Л. Н. Сафронов, Г. А. Качурин // ФТП, 1999, Т. ЗЗ, № 4, С. З 89−394.
  84. Size and location control of Si nanocrystals at ion beam synthesis in thin Si02 films / T. Muller, K.-H. Heinig, W. Moller // Appl. Phys. Lett, 2002, Vol.81, № 16, P.3049- 3051.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!