Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Комплекс методов и средств автоматизации процессов электроискровой подгонки пленочных резисторов

Диссертация: Комплекс методов и средств автоматизации процессов электроискровой подгонки пленочных резисторов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Одним из перспективных методов является электроискровая подгонка (ЭИП), заключающаяся в воздействии на резистор электроискрового разряда. На электроды, один из которых фиксируется на выводе резистора, а другой устанавливается на некотором расстоянии от резистивной пленки, подаются импульсы напряжения, достаточного для пробоя разрядного промежутка. Электроискровой разряд приводит либо к эрозии… Читать ещё >

Комплекс методов и средств автоматизации процессов электроискровой подгонки пленочных резисторов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Перечень сокращений
  • 1. СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ В ОБЛАСТИ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ПОДГОНКИ РЕЗИСТОРОВ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Основные закономерности электроискровой подгонки резисторов
      • 1. 1. 1. Реализация метода электроискровой подгонки
      • 1. 1. 2. Механизм изменения сопротивления в результате воздействия электроискрового разряда на резистивный материал
      • 1. 1. 3. Входные п выходные показатели процесса подгонки
      • 1. 1. 4. Анализ проведенных исследований в области электроискровой подгонки
      • 1. 1. 5. Обзор оборудования электроискровой подгонки
    • 1. 2. Анализ методов повышения точности, производительности и управления направлением подгонки
      • 1. 2. 1. Методы повышения точности и производительности за счет изменения положения разрядного электрода
      • 1. 2. 2. Методы повышения точности и производительности за cmci управления параметрами разрядных импульсов
      • 1. 2. 3. Анализ по результатам обзора методов повышения выходных показателен подгонки
    • 1. 3. Анализ мсюлов оптимизации технологических процессов
    • 1. 4. Анализ алгори i мов адаптации параметров тех н ол о I’и чес к11х и роиессо в
    • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • 2. РАЗРАБОТКА Ml-ГОДОВ 1 ЮВЫ111Г.1 II1Я ВЫХОДНЫХ I I о Г > I I ЛЕИ
  • ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ I ЮДГ01 1КГ
    • 2. 1. I Ion ы ш ел не upon июли 1елыюети процесса ио.'Н он к и
      • 2. 1. 1. Повышение скорости подгонки за счет перемещения электрода в вертикальном направлении
      • 2. 1. 2. Повышение скорости подгонки за счет уменьшения количества циклов измерения
    • 2. 2. Повышение точности подгонки
      • 2. 2. 1. Повышение точности подгонки за счет уменьшения длительности разрядного импульса
      • 2. 2. 2. Повышение точности за счет реза специальной формы
    • 2. 3. Определение оптимальной формы подгоночных резов с использованием математической модели резистивной плёнки
      • 2. 3. 1. Формы подгоночных резов и методы расчета параметров резистивной пленки
      • 2. 3. 2. Разработка математической модели для анализа резов различной формы
      • 2. 3. 3. Определение влияния резов различной формы на показатели электроискровой подгонки
    • 2. 4. Повышение производительности для многорезистивных изделий за счёт расширения технологических возможностей оборудования
    • 2. 5. Выводы по главе 2
  • РАЗРАБОТКА И РЕАЛИЗАЦИЯ ОСНОВНЫХ ТРЕБОВАНИЙ К ОБОРУДОВАНИЮ ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ПОДГОНКИ
    • 3. 1. Основные требования к автоматизированному оборудованию электроискровой подгонки резисторов
    • 3. 2. Регистрация динамики изменения сопротивления резистора
    • 3. 3. Возможные варианты построения комплекса ЭИП
      • 3. 3. 1. Определение состава комплекса и структурной схемы установки ЭИП
      • 3. 3. 2. Измерение величины сопротивления
        • 3. 3. 2. 1. Определение параметров масштабирующей матрицы
      • 3. 3. 3. Управление параметрами процесса
      • 3. 3. 4. Реализация алгоритмов адаптации
      • 3. 3. 5. Реализация алгоритмов оптимизации
    • 3. 4. Выводы по главе 3
  • ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОИСКРОВОЙ ПОДГОНКИ НА ВЫХОДНЫЕ ПОКАЗАТЕЛИ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
    • 4. 1. Исследование кинетики подгонки
    • 4. 2. Исследование влияния электроискровой подгонки на ТКС и стабильность толстоплёночных резисторов
    • 4. 3. Исследование способов формирования высоковольтных разрядных импульсов на кинетику подгонки
    • 4. 4. Выводы по главе 4

Существующие на настоящий момент методы изготовления тонкои толстопленочных резисторов, как правило, не обеспечивают достаточной для современных требований воспроизводимости их номиналов. В лучшем случае удается обеспечить точность тонкопленочных резисторов ±5%, толстопленочных ±10%. Поэтому в зависимости от цели использования резисторов некоторая их часть подвергается операции корректировки сопротивления, именуемой часто термином «подгонка резисторов».

Существуют различные методы изменения величины сопротивления резисторов: механический, электронно-лучевой и лазерный, основанные на изменении геометрических размеров резистивной пленки, а также термический, электротермический и электрохимический методы, применяя которые можно изменять сопротивление за счет структурных изменений в пленке.

У каждого из перечисленных методов есть свои достоинства и недостатки. Так, наиболее распространенный метод лазерной подгонки, который обеспечивает точность порядка 0,01%, в связи с возникающими тепловыми нагрузками на резистивный материал приводит к его структурным изменениям, что выражается в дрейфовом изменении величины сопротивления после подгонки, возрастанием шумов резистора из-за неровности реза и трещин на кромке после подгонки. Значительной является также стоимость и энергопотребление лазерного оборудования. Таким образом, существует потребность в методах и оборудовании, которые явились бы альтернативой существующим методам и позволяли получать аналогичные или лучшие результаты при меньших аппаратных и финансовых затратах.

Одним из перспективных методов является электроискровая подгонка (ЭИП), заключающаяся в воздействии на резистор электроискрового разряда. На электроды, один из которых фиксируется на выводе резистора, а другой устанавливается на некотором расстоянии от резистивной пленки, подаются импульсы напряжения, достаточного для пробоя разрядного промежутка. Электроискровой разряд приводит либо к эрозии участков резистивной пленки, либо к ее структурным изменениям. Это обеспечивает изменение сопротивления резистора. Электроискровая подгонка имеет свою область применения в технологии производства пленочных резисторов, где применение других методов является либо экономически невыгодным, либо принципиально невозможным. Основными преимуществами данного метода являются: достаточно высокая точность подгонки — до 0,1%, возможность вести подгонку, как в сторону увеличения, так и в сторону уменьшения номинала (для толстопленочных резисторов), отсутствие изменения геометрических размеров при подгонке в сторону уменьшения номинала, малые энергоемкость и стоимость оборудования. Наибольшее применение ЭИП находит при единичном и мелкосерийном производстве, когда приобретение более дорогостоящего, например лазерного, оборудования экономически нецелесообразно. Такие важные преимущества электроискровой подгонки не были оставлены без внимания, что воплотилось в разработку соответствующих методов и средств.

Физические процессы при электроискровой подгонке исследовались в работах Yoshiaki Т., Haradome М., Игумнова В. Н., Стерховой Л. А., Демакова Ю. П., Жаркова П. И. и других. Вопросы, посвященные прикладным задачам, разработке аппаратуры электроискровой подгонки развивались в работах Одинцова М. А., Леухина В. Н., Гауса П. О., Зотова А. А., однако созданное оборудование реализовано в основном на дискретной элементной базе и отстает от уровня современной техники. Это сдерживает дальнейшее совершенствование метода и повышение показателей технологического процесса.

Существующее оборудование электроискровой подгонки разрабатывалось 10−20 лет назад, в основном с использованием аналоговых схем и дискретной логики. Оно нашло свое применение на таких ведущих предприятиях электронной и радиотехнической промышленности, как ПО «Эркон» (г.Нижний Новгород), Бердский радиозавод, Ижевский механический завод, Сарапульский радиозавод, ЦНИТИ (г. Москва) и ряда других. Данное оборудование и технология его использования разрабатывались в основном несколькими коллективами, работающими в г. Йошкар-Оле, г. Ижевске, г. Томске. Оно уже не в полной мере отвечает требованиям современного производства по таким показателям как производительность, точность, автоматизация процесса подгонки. Существует также необходимость в дополнительных исследованиях процессов электроискровой подгонки, связанных с выбором оптимальных режимов, апробацией новых методов подгонки, применимости метода к новым группам резистивных материалов (например, бездрагметалльных толстопленочных композиций) и т. д. Специализированного оборудования для исследований процессов ЭИП, позволяющего эффективно использовать возможности современной вычислительной техники, до настоящего момента не разрабатывалось. Особо следует отметить проблему выбора оптимальных параметров подгонки. Основные показатели процесса — точность и производительность в сильной степени зависят от режима подгонки: амплитуды и частоты следования разрядных импульсов, их длительности и полярности, соотношения длительности циклов измерения и подгонки, а также от формы и расположения электрода. Ввиду большого количества параметров подгонки, процесс нахождения их оптимальных значений становится очень трудоемким и может состоять из нескольких десятков или сотен экспериментов. Разработанное ранее оборудование, которое реализовано на жесткой логике, в слабой мере позволяет автоматизировать процессы поиска оптимальных параметров и определение влияния электроискровой подгонки на характеристики резисторов. В связи с этим существует потребность в разработке средств и методов, которые позволяли бы при небольших аппаратных затратах значительно ускорить процесс поиска оптимальных параметров, оценить достоверность полученных результатов. Таким образом, является актуальным проведение работ в перечисленных направлениях, что позволит повысить эффективность применения метода электроискровой подгонки в технологии производства пленочных резисторов.

Целью данной работы является разработка комплекса средств и методов для технологии производства пленочных резисторов, позволяющих автоматизировать процесс электроискровой подгонки резисторов, увеличить производительность и точность подгонки не менее чем в 2 раза, снизить трудоемкость и увеличить информативность исследовательских работ в этой области, определить влияние факторов электроискровой подгонки на ее выходные показатели.

Для достижения поставленной цели в работе решались следующие задачи:

— анализ существующих методов подгонки и характеристик имеющегося оборудования электроискровой подгонки, определение области проведенных исследований с целью выяснения возможности улучшить выходные параметры подгонки;

— проведение теоретических исследований, разработка методов и алгоритмов, повышающих показатели электроискровой подгонки;

— разработка требований к автоматизированному оборудованию для электроискровой подгонки и проведения исследований в этой области, разработка соответствующего оборудования и программного обеспечения;

— проведение исследований по влиянию параметров процесса подгонки на его выходные показатели и свойства резисторов, в том числе на ТКС толстопленочных рутениевых резисторов после подгонки.

Поставленные задачи решались путем сочетания теоретических и экспериментальных исследований, с использованием методов планирования эксперимента и статистического анализа. Экспериментальные исследования проводились с использованием разработанного оборудования электроискровой подгонки, оригинального контрольно-измерительного оборудования и универсального измерительного оборудования.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Разработан новый метод реализации электроискровой подгонки, обеспечивающий повышение производительности до 2-х раз, по сравнению с существующими методами, за счет уменьшения общего времени измерения сопротивления между циклами подгонки.

2. Впервые предложены способы повышения точности подгонки в 2 и более раз за счет изменения длительности разрядных импульсов и перемещения электрода вдоль резистора.

3. Разработана математическая модель резистивной пленки, позволяющая определить зависимость изменения сопротивления от расположения, формы и размеров подгоночного реза и распределение плотности тока по площади резистивной пленки.

4. Разработан новый программно аппаратный комплекс, позволяющий реализовывать адаптивные алгоритмы подгонки резисторов и выполнять оптимизацию параметров процесса подгонки.

5. Установлены закономерности влияния параметров высоковольтных разрядных импульсов на кинетику подгонки толстопленочных рутениевых резисторов, на основе которых сформулированы требования к аппаратному и программному обеспечению комплекса электроискровой подгонки.

Практическая значимость работы. Разработан, изготовлен и апробирован программно-аппаратный комплекс для использования в производстве изделий с пленочными резистивными элементами и для исследований процессов электроискровой подгонки, позволивший увеличить производительность подгонки резисторов и автоматизировать процесс исследований. Разработана математическая модель подгоночных резов различной конфигурации и программа для ее расчета, дающая возможность оценить влияние формы реза на скорость и точность подгонки, и получить распределение плотности тока по площади резистивной пленки. Разработана установка экспресс оценки ТКС резисторов. Даны рекомендации по выбору параметров разрядных импульсов для различных режимов подгонки, позволяющие совершенствовать технологию производства и параметры изготавливаемых резисторов.

Внедрение результатов работы. Разработанные методики и устройства подгонки резисторов защищены патентами РФ, внедрены в технологический процесс изготовления микросборок в ОАО «ЦНИТИ ТЕХНОМАШ» (г. Москва), использованы в опытном производстве микросборок на ФГУП «Завод полупроводниковых приборов» (г. Йошкар-Ола). Результаты работы внедрены в учебный процесс кафедры «Конструирования и производства радиоаппаратуры» Марийского государственного технического университета по дисциплине «Технология радиоэлектронных средств», использованы в дипломном и курсовом проектировании.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на международной научно-практической конференции «Микропроцессорные, аналоговые и цифровые системы: проектирование и схемотехника, теория и вопросы применения» (г. Новочеркасск, 2000 г.), международной научно-технической конференции «Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-2000)» (г. Саратов, 2000 г.), международной научно-технической конференции «Измерение, контроль, информатизация (ИКИ-2000)» (г. Барнаул, 2000 г.), международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике» (г. Йошкар-Ола, 2000 г.), международном симпозиуме «Тонкие пленки в электронике» (г. Харьков, ХФТИ 22−27 апреля 2002 г.), конференциях профессорско-преподавательского состава МарГТУ по итогам НИР (г. Йошкар-Ола, 1999, 2000, 2001 г. г.).

По результатам. завершенных и полностью опубликованных теоретических и экспериментальных исследований на защиту выносятся следующие положения:

1. Программно-аппаратный комплекс, позволяющий реализовывать адаптивные алгоритмы подгонки резисторов, исследовать кинетику подгонки, отрабатывать новые алгоритмы подгонки, проводить оптимизацию параметров процесса подгонки.

2. Методы электроискровой подгонки, обеспечивающие улучшение показателей скорости и точности не менее чем в 2 раза по сравнению с существующими методами.

3. Математическая модель резистивной пленки, позволяющая определить зависимость изменения сопротивления от формы и размеров подгоночного реза и распределение плотности тока по площади резистивной пленки.

4. Результаты экспериментальных исследований, позволившие установить влияние набора параметров высоковольтных разрядных импульсов на величину приращения сопротивления резистора и качество подгоночного реза для толстопленочных рутениевых резисторов.

Публикации. Основные результаты диссертационной работы изложены в 20 публикациях. Структура публикаций: патенты — 4, статьи в центральных реферируемых изданиях — 1, статьи в сборниках трудов — 8, доклады на международных конференциях и симпозиумах — 4, тезисы докладов — 2, методические указания к выполнению лабораторной работы — 1.

Объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы из 137 названий и приложения. Она изложена на 168 страницах и содержит 53 рисунка, 10 таблиц.

Результаты работы апробированы на изделиях Б19М, СПЗ-44а ПО «Контакт».

Таким образом, на основе вышеизложенного, поставленную в работе цель можно считать достигнутой.

В заключении отметим, что хотя в целом технология ЭИП достаточно проработана, тем не менее, можно выделить ряд вопросов, которые слабо освещены до настоящего времени:

— влияние ЭИП на шумы резисторов;

— зависимость стабильности сопротивления от коэффициента подгонки;

— анализ работы импульсного трансформатора высоковольтного преобразователя при формировании импульсов широкого диапазона частот, скважности и амплитуды.

Указанные задачи не входили в цели диссертационной работы и могут составить основу для отдельного диссертационного исследования.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность научному руководителю доценту кафедры конструирования и производства 0р радиоаппаратуры Марийского государственного технического университета, к.т.н. В. Н. Леухину за постановку задачи, полезные обсуждения результатов, помощь и поддержку в выполнении работы.

Автор выражает глубокую признательность: профессору кафедры радиотехнических систем Марийского государственного технического университета д.т.н Я. А. Фурману, профессору кафедры конструирования и производства радиоаппаратуры Марийского государственного технического университета д.т.н Н. М. Скулкину, доценту кафедры конструирования и ^ производства радиоаппаратуры Марийского государственного технического университета к.т.н. Н. И. Сушенцову, доценту кафедры высшей математики Марийского государственного технического университета д.т.н. В. В. Шумаеву за ценные замечания и поддержку в работе над диссертацией.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Основная направленность данной диссертационной работы — разработка комплекса средств и методов, для технологии производства пленочных резисторов, позволяющих автоматизировать процесс подгонки резисторов, увеличить производительность и точность подгонки не менее чем в 2 раза, снизить трудоемкость и увеличить информативность исследовательских работ в этой области, определение влияния электроискровой подгонки на ее выходные показатели. Поставленные в работе задачи решались путем теоретических и экспериментальных исследований с апробацией полученных результатов на различных изделиях.

Особое внимание в работе уделялось повышению наиболее важных показателей подгонки: скорости и точности. С этой целью разработана и апробирована система новых методов повышающих производительность подгонки до 2-х раз и точность подгонки в 2 и более раз по сравнению с известными решениями. Методы основаны на динамическом изменении длительности пачек разрядных импульсов, изменении длительности импульсов, изменении положения разрядного электрода в процессе подгонки. Предложены варианты увеличения производительности подгонки за счет расширения технологических возможностей оборудования, например хранения в памяти установки оптимальных параметров импульсов для конкретных резистивных материалов и номиналов подгоняемых резисторов.

Разработана математическая модель резистивной пленки для определения зависимости скорости подгонки от формы и размеров подгоночного реза и распределения плотности тока по площади резистивной пленки. На основе модели показано, что для увеличения скорости подгонки следует использовать треугольную форму подгоночного реза, а для минимизации локальной перегрузки по мощности резистивной пленки использовать рез полукруглой формы.

На основе анализа существующего оборудования и требований к технологическому процессу электроискровой подгонки, сформулированы требования к оборудованию для исследований процессов электроискровой подгонки и подгонке резисторов в условиях производства, разработаны структурные и принципиальные схемы установки, изготовлен и апробирован опытный образец. Разработано алгоритмическое и программное обеспечение комплекса для исследований электроискровой подгонки, включающее процедуры оптимизации входных параметров подгонки.

С применением разработанного оборудования проведен комплекс исследований по определению влияния параметров разрядных импульсов на кинетику подгонки толстопленочных рутениевых резисторов, по результатам которых получены зависимости относительного приращения сопротивления от амплитуды, частоты следования и длительности разрядных импульсов. Показано, что параметры количества импульсов в пачке и длительность импульса позволяют гибко и с высокой точностью управлять процессом подгонки.

Исследовано влияние электроискровой подгонки на ТКС толстопленочных рутениевых резисторов и показано, что для всех режимов подгонки ТКС резисторов остается в пределах, оговоренных техническими условиями на изделия данной группы. Разработано оригинальное оборудование экспресс оценки ТКС резисторов.

Впервые исследовано влияние способов формирования разрядных импульсов на выходные параметры подгонки. Наибольшая скорость подгонки получена для электрода с прямым включением выпрямительных диодов и положительной полярностью импульсов.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Готра З. Ю, Хромяк И. Я., Войтехов А. Н. Подгонка пленочных резисторов интегральных микросхем //Зарубежная электронная техника. — 1985, № 1. -С. 30−74.
  2. Усышкин A. JL, Рубинов В. И., Яковлев П. А. Импульсная токовая доводка тонкопленочных резисторов //Вопросы радиоэлектроники, сер. «Технология, производство, оборудование». 1975. — Вып. 1. -С. 52.
  3. Технологический процесс на электроэрозионную подгонку тонкопленочных резисторов на базе серийной установки «Зонд А-5». Учетн. № ВМШ 43.
  4. Ю.П., Стерхова JI.A. Электроискровая подгонка толстопленочных резисторов //Электронная обработка материалов. 1984. — № 5. -С.88−90.
  5. Yoshiaki Taketa and Miyoshi Haradome. High Frequency Discharge Trimming of Ru02 Based Thick-Film Resistors. Part II. Mechanism of Resistance Change //IEEE. Transactions of Parts. Hybrids and packaging. — 1973, v.9, № 2, -P.94 — 104.
  6. В.Н. Способы корректировки сопротивления и функциональной характеристики переменных непроволочных резисторов // Технология и Конструирование в электронной аппаратуре. 1992. — Вып.2. — С.52−54.
  7. В.Н. Электроискровая корректировка сопротивления толстопленочных переменных резисторов // Технология и конструирование в электроннойф аппаратуре. 1992. — Вып.З. — С.40−43.
  8. В.Н. Методы подгонки резистивных элементов в сторону уменьшения сопротивления // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1992. — Вып.2. — С.47−51.
  9. М.А., Леухин В. Н. Установка подгонки резисторов на подложке из бериллиевой керамики //Вторая Всесоюзная научно-техническая конференция «Технология и конструирование ГИС и вопросы их производства». Часть II. -Ярославль, 1988. С.88−89. .
  10. В.Н. Влияние тепловой и электроискровой обработки на структуру и свойства толстых рутений содержащих слоев: автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Ижевск, 1989. — 28 с.
  11. П.Стерхова А. В. Математическое моделирование механизмов электропроводности толстых резистивных пленок //Проектирование и технология электронных средств. 2001. — № 2. — С.6−7.
  12. Н.Игумнов В. Н., Усков В. А. Процессы электроискровой обработки толстых рутенийсодержащих слоев // Новые материалы и технологические процессы микроэлектроники и прецизионной металлургии: Тезисы докладов Ижевск, 1988.-С. 45−47.
  13. JI.A. Влияние электроискровой обработки на электрофизические характеристики толстых серебропалладиевых резистивных пленок: Автореф. дис.-Ижевск, 1987. -23 с.
  14. О.П., Семенова Т. И., Курной А. П. Подгонка сопротивления толстопленочных резисторов методом электроискровой обработки. Томск: ТИАСУР, 1988. — Деп. в Информ. приборе 10.01.89, № 4478.
  15. В.Н. Выбор режимов электроискровой подгонки толстопленочных резисторов // Техника средств связи сер.ТПО. 1990. Вып.2. — С. 36−45.
  16. Ю.П., Лекомцев В. В., Стерхова Л. А. Влияние электроискрового воздействия на характеристики толстопленочных резисторов //Физика и электроника твердого тела. Ижевск, 1982 — Вып. 5. — С. 169−176.
  17. Л.А. Исследование режимов электроискровой подгонки толстопленочных резисторов // Электронная обработка материалов. 1988.- № 1. С. 5−7.
  18. В.Н., Одинцов М. А., Усков В. А. Влияние электроэрозионной обработки на структуру и свойства резистивного материала //Электронная обработка материалов. 1989. — № 5. — С. 81−82.
  19. П.Н. Сочетание электроискровой и лазерной подгонки снижает брак при изготовлении толстопленочных резисторов //Техника средств связи, сер. ТПО. 1990. — Вып. 2. — С. 91−93.
  20. П.Н. Исследование совместных термических электрических и лазерных воздействий при подгонке серебропалладиевых резисторов в многослойных толстопленочных структурах: Автореф. дис. Ижевск, 1993. -20 с.
  21. М.А., Леухин В. Н., Игумнов В. Н. Установки электроискровой подгонки толстопленочных резисторов //Техника средств связи, сер. ТПО.1990. Вып. 1. — С.83−86.
  22. М.А., Леухин В. Н., Игумнов В. Н. Установка электроискровой подгонки резистивных элементов «Искра-5» // Электронная промышленность.- 1989. Вып.8.-С. 56.
  23. Установка электроискровой подгонки резисторов «Искра-5″. Инф. листок № 237−88 МарЦНТИ /Сост. В. Н. Леухин, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов. -Йошкар-Ола, 1988.
  24. Автоматическая электроискровая настройка тонкопленочных резисторов. Heinz Borner, Dieter Pforte /Automatischer funkenerosiver Abgleich von Dunnschichtwiderstanden //Radio fernsehen Elektronik 1979, 28, nl 1. — P. 92−694.
  25. Т.Д., Савова Ц. В., Фиминов Ф. И. Автоматизироване на установка за электроискрово настройване на резистори в хибридни интегрални схем чрез микропроцессорна система М6800 // Тродове институт микроэлектронике: Сб. 1982. 8. С. 279−284.
  26. А.с. 2 012 936 СССР, МКИ, НО 1С 17/22 Устройство для подгонки резисторов / М. Н. Пиганов, В. Г. Шопин, В. К. Буянов, Н. И. Буров.
  27. А.С. 2 063 082 СССР, МКИ Н01С. Устройство для подгонки резисторов / М. Н. Пиганов и др.
  28. А.С. 1 623 482 СССР, МКИ Н01С 17/24. Способ подгонки величины сопротивления толстопленочных резисторов / М. Н. Пиганов, Н. И. Буров, Н. Г. Чернобровкин, В. К. Буянов.
  29. А.с. 1 327 724 СССР, МКИ, НО 1С 17/00. Способ электроискровой подгонки толстопленочных резисторов в номинал. / JT.A. Стерхова и JI.H. Жарков.
  30. А.с. 16 774 634 СССР, МКИ, НО 1С 17/00. Устройство для подгонки ТПР. / П. Н. Жарков, JI.A. Стерхова, Г. А. Петухов, В. А. Стерхов, С. В. Худосов.
  31. А.с. 1 155 109 СССР, МПК Н01С 17/00 Способ индивидуальной подгонки резисторов в номинал / JI.A. Стерхова.
  32. А.с. 1 662 274 СССР, МКИ, НО 1С 17/26. Устройство для подгонки величины сопротивления ТПР / П. О. Гауе, Т. Н. Семенова, А. П. Курной.
  33. А.с. 1 419 378 СССР, МКИ Н01 17/22. Устройство для подгонки сопротивления пленочных резисторов / В. К. Смирнов, В. М. Горский.
  34. А.с. 1 468 287 СССР, МКИ, НО 1С. Устройство для подгонки величины сопротивления в номинал / И. О. Гауе, В. М. Ковин, Т. И. Семенова.
  35. А.с. 1 738 009 СССР, МКИ Н01С. Способ изготовления толстопленочных резисторов / В. Н. Игумнов, М. А. Одинцов, В. А. Усков, В. Н. Леухин .
  36. А.с. 1 482 462 СССР МКИ, НО 1С. Устройство для подгонки пленочных резисторов /В.Н.Леухин, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов, С. В. Смоленцев.
  37. А.с. 1 344 133 СССР, МКИ Н01С 17/00. Способ изготовления толстопленочных резисторов / Л. А. Стерхова, В. В. Юзвяк и В. В. Желтышев.
  38. А.с. 1 402 171 СССР, МКИ, НО 1С 17/26. Устройство для подгонки толстопленочных резисторов. / Ю. П. Демаков, А. А. Зотов., В. Н. Шихирин и Ю. В. Кашин.
  39. А.с. 1 385 888 СССР, МКИ Н01С 17/26. Устройство для подгонки величины сопротивления толстопленочных резисторов / А. А. Зотов и Ю. П. Демаков.
  40. А.с. 1 482 462 СССР, МКИ Н01С 17/24. Устройство для подгонки пленочных резисторов / В. Н. Леухин, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов, С. В. Смоленцев.
  41. А.с. 1 494 795 СССР, МКИ Н01С. Устройство для подгонки толстопленочных резисторов /В.Н. Леухин, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов, А. В. Москвичев.
  42. А.с. 1 562 282 СССР, МКИ, НО 1С. Устройство для подгонки величины сопротивления толстопленочных резисторов /В.Н. Леухин, С. А. Журавлев.
  43. А.с. 1 598 731 СССР, МКИ, НО 1С. Способ подгонки пленочных резисторов /В.Н. Леухин, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов.
  44. О.Е., Яковлев Я. В. Лазерная подгонка толстопленочных рутениевых резисторов //Приборы и системы управления. -1985. № 1.
  45. М.Н. Исследование взаимодействия факельного разряда с толстой пленкой // Реконструктивная томография: Сб. науч. трудов. Куйбышев /КуАИ. — 1987.-С. 88−91.
  46. А.П. Методы и алгоритмы вычислительной математики: Учеб. пособие для вузов. М.: Радио и связь. — 1999. — 408 е.: ил.
  47. . Методы оптимизации. Вводный курс: Пер. с англ. М.: Радио исвязь, 1988. 128 е.: ил.
  48. Э., Лундерштедт Р. Численные методы оптимизации: Пер. с нем. /Пер. Л
  49. Т.А. Летова- Под ред. В. В. Семенова М.: Машиностроение. — 1981, 192 е.: ил.
  50. О.П., Обичкин Ю. Г., Блохин В. Г. Статистические методы в технологии производства радиоэлектронной аппаратуры. /Под ред. В. Н. Черняева. М.: Энергия,. 1977. — 296 е.: ил.
  51. Численные методы условной оптимизации / Под ред. Ф. Гилла, У. Мюррэя. -М.: Мир, 1977. -290 с.
  52. Д.В., Дахнович А.А Оптимизация технологических процессов в Ф производстве электронных приборов: Учеб. пособие для студентов вузов спец.
  53. Промышленная электроника». -М.: Высш. шк., 1986. 191 е.: ил.
  54. Н.М. и др. Адаптивные системы автоматического управления сложными технологическими процессами / Под общей ред. Н. М. Александровского. -М.: Энергия, 1973. 272 е.: ил.
  55. В.И., Слепушкина О. А. Адаптивные радиоэлектронные системы: Учебное пособие. -М.: МАИ, 1986. -54 е.: ил.
  56. ЯЗ. Адаптация и обучение в автоматических системах -М.: * Наука, 1968.- 400 с.: ил.
  57. Ш. М., Леухин В. Н. Оптимизация процесса электроискровой подгонки резисторов с использованием моделей автоматического регулирования // Вопросы специальной радиоэлектроники. Сер. РЛТ. 1992. — Вып.2. — С. 37−39.
  58. А.Г. Оптимальные и адаптивные системы: Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш. шк., 1989. 263 е.: ил.
  59. А.С., Михайлов Д. Г. Анализ дефектности плоских резистивных слоев интегральных микросхем. //Вопросы радиоэлектроники, сер. ТПО. 1983. — Вып.1.-С. 32−35.
  60. К.И., Зайцев Ю. В., Тихонов А. И. Методы расчета резисторов. М.: Энергия, 1971. -208 с.
  61. .А., Шабат Б. В. Функции комплексного переменного и некоторые приложения. М.: Наука, 1964. -433 с.
  62. В.Н. Построение модели взаимодействия электроискрового разряда с пленочной структурой // Тонкие пленки в электронике: Материалы 7 международного симпозиума. Москва — Йошкар-Ола, 1996. — С. 305−308.
  63. A. Hofmann. Dostavovani vrstvovych odporu metodou pricnych rezu //Sdelovaci technica. 4/1974. P.135.
  64. В. Расчет электрических цепей на персональной ЭВМ: Пер. с нем. -М.: Энергоатомиздат, 1991. — 220 е.: ил.
  65. Установка для корректировки сопротивления толстопленочных переменных резисторов: Инф.л. № 90−4 МарЦНТИ /Сост. В. Н. Леухин. Йошкар-Ола, 1990.
  66. Установка электроискровой подгонки резисторов «Импульс»: Инф.л. № 66−90 Мар. ЦНТИ /Сост. С. А. Журавлев, В. Н. Леухин, М. А. Одинцов, В. М. Шарапов. -Йошкар-Ола, 1990.
  67. В.Н., Сухов A.M. Установка электроискровой подгонки резисторов «Искра-5М»: Инф. листок № 19−00 МарЦНТИ. Йошкар-Ола, 2000.
  68. А.с. 1 760 895 СССР, МКИ, НО 1С. Устройство для подгонки сопротивления толстопленочных резисторов на подложке / В. И. Митрофанов, С. В. Смоленцев, М. А. Одинцов, В. Н. Игумнов, В. Н. Леухин.
  69. А.с. 1 729 233 СССР, МКИ, НО 1С. Устройство для корректировки сопротивлений толстопленочных переменных резисторов /В.Н.Леухин.
  70. В.Н. Влияние электроискрового разряда на структуру толстопленочных резистивных пленок. // Тонкие пленки в электронике: V международная научно-техническая конференция. Москва — Йошкар-Ола, 1994. С.119−125.
  71. В.Н., Сухов A.M. Основные требования к автоматизации процессов электроискровой подгонки // Тр. науч. конф. по итогам науч.-исслед. работ,
  72. Йошкар-Ола, 25 марта 1999 /Map. гос. техн. ун-т. Йошкар-Ола. — 1999. — С. 27−31. — Деп. в ВИНИТИ 28.10.99 № 3205В99.
  73. CS101A/CS5102A 16-bit, 100 kHz / 20 kHz A/D Converters // DS45F2. Cirrus Logic, Inc. Crystal Semiconductor Products Division. 1997. — 47 p.
  74. А.Дж., Волш В. Аналоговая электроника на операционных усилителях М.: БИНОМ, 1994. — 352 е.: ил.
  75. Аш Ж. и др. Датчики измерительных систем: В 2-х кн. Кн. 1: Пер. с франц. -М.: Мир, 1992.-480 е., ил.
  76. Я. Теория измерений для инженеров: Пер. с польск. -М.: Мир, 1989. -335 е., ил.
  77. Муке Predko. Programming and Customising the 8051 Microcontroller. McGraw-Hill, 1999.
  78. Новочеркасск: НАБЛА, 2001. С. 40.
  79. Опыт применения автоматизированной системы для исследования режимов электроискровой подгонки // Труды научно-методической конф. МарГТУ, 2001.-С. 60−67. Деп. в ВИНИТИ 29.11.01 № 163−235/2001.
  80. A.M., Леухин В. Н. Автоматизированная система подгонки пленочных резисторов // Проектирование и технология электронных средств. 2002. — № 2. — С. 55−61.
  81. Игумнов В. Н, Одинцов М. А., Яблоков Ю. А., Митрофанов В. И. Электроимпульсная юстировка толстопленочных резисторов на основе рутения // Физические и технологические основы микроэлектроники: Региональная научно-техническая конференция. Йошкар-Ола, 1989.
  82. В.Н., Одинцов М. А., Усков В. А. Деградация параметров толстопленочных резистивных элементов после электроискровой обработки //Низкотемпературные технологические процессы в электронике: Тезисы докладов. Ижевск, 1990. — С. 118.
  83. В.Н. Исследование влияния разрядной среды на показатели электроискровой подгонки // Сборник научных работ к 125-летию Русского технического общества. Йошкар-Ола, 1991. — С. 14−15.
  84. Ю.П., Стерхова Л. А., Стерхов В. А. Прогнозирование постепенных отказов толстопленочных резисторов, подвергнутых электроискровойподгонке // Испытания и защита радиоаппаратуры: Межвузовский сборник. -М.: 1983.-С. 113−120.
  85. В.П. Влияние повышенного напряжения на электрические параметры толстопленочных резисторов на основе серебра и палладия //Электронная техника, сер. 5. 1976. — Вып. 1. — С. 26.
  86. В.Н., Сушка Ж. В., Пчелкин Ю. В. Исследование влияния электроимпульсного метода подгонки толстопленочных резисторов на их стабильность //Техника средств связи, сер. ТПО. 1978. — Вып. 2. — С. 19−25.
  87. Colin Marshall. Temperature Coefficients of Resistance: A New Approach //IEEE Transactions on Components, Hybrids, and Manufacturing Technology, Vol. CHMT-2, N0.2, June 1979, — P. 265 269.
  88. B.H., Григорьев О. В. Методы и средства измерения температурной зависимости сопротивления керметных резисторов. ДР 3372 пр. деп. в библ. указателе ВИНИТИ «Депонированные НИР», № 1 1, 1986, -С. 125.
  89. П.О., Семенова Т. И., Иванчик А. В. Возможность использования элементов температурной зависимости (ТЗС) в качестве высокоинформативных параметров надежности керметных пленочных резисторов. Деп. в ВИНИТИ, № ДР 4477, 1989.
  90. В.Н. Зависимость стабильности сопротивления толстопленочных резисторов от условий электроискровой подгонки // Техника средств связи, сер. ТПО. 1991. — Вып.2. — С. 41−48.
  91. A.M. Результаты исследования электроискровой обработки рутениевых резистивных пленок // Тонкие пленки в электронике и оптике. Ч. 1: Сборник докладов 14-го Междунар. симпозиума. Харьков: ННЦ ХФТИ, ИПЦ «Контраст», 2002. — С.256.
  92. A.M., Грачев А. В. Исследование процессов электроискровой подгонки резисторов // Материалы 54-й межвуз. Студ. науч.-технич. конф. (Йошкар-Ола, 16−26 апр 2001 г.). Вып. 9. -Йошкар-Ола, 2001,-С.325.
  93. А.К., Лопухин В. А., Шеханов Ю. Ф. Регулировка электронной аппаратуры в микроэлектронном исполнении Л.: Энергоатомиздат, 1983. -94 с.
  94. Л.И., Зеленин В. А., Жебин А. П., Вахрин Г. Л. Структура, топология и свойства пленочных резисторов. Минск: Наука и техника, 1987. 264 с.
  95. ЮбГКушенко Е. И. Автоматизированная система контроля и токовой подгонки резисторов толстопленочных ГИС //Электронная промышленность, 1981. -Вып. 3. С. 42.
  96. А.В., Пиганов М. Н. Подгонка сопротивления резисторов методом факельного разряда // Техника средств связи, сер. ТПО. 1985. — Вып. 2. -С. 29−35.
  97. М.Н., Буров Н. И., Лофицкий И. В. Автоматизированная установка для подгонки толстопленочных резисторов // Техника средств связи, сер. ТПО.- 1989. Вып. 2.-С. 50−53.
  98. Резисторы: Справочник /В.В. Дубровский, Д. М. Иванов, И. Я. Протусечвич и др.- Под ред. И. И. Четверткова. и В. М. Терехова. -М.: Радио и связь, 1991.- 528 с.
  99. Технология и автоматизация производства радиоэлектронной аппаратуры /И.П. Бушминский, О. Ш. Даутов, А. П. Достанко и др.- Под ред. А. П. Достанко, Ш. М. Чабдарова. М.: Радио и связь, 1989. — 624 с.
  100. Основы научных исследований / Под ред. В. И. Крутова, В. В. Попова. М.: Высшая школа, 1989. — 400 с.
  101. П.В., Зограф И. А. Оценка погрешностей результатов измерений. -Л.: Энергоатомиздат, 1991.-304 с.
  102. Ю.П. Математические методы интерпретации эксперимента М.: Высш. шк., 1989.-351 с.
  103. А.Н., Уфимцев М. В. Статистическая обработка результатов экспериментов: М.: Изд-во Моск. ун-та, 1988. — 174 с.
  104. А.А. Основы теории ошибок — Л.: Изд-во Ленингр. ун-та, 1972. 12 с.
  105. A.M., Ахматаев А. В. Программно-аппаратный комплекс для измерения температурного коэффициента сопротивления резисторов. // Измерение, контроль, информатизация: Материалы междунар. науч.-техн. конф. Барнаул: АГТУ, 2000. — С. 205.
  106. В.Н., Сальников В. К. Автоматизированный комплекс для исследования процесса электроискровой подгонки резисторов // Планирование и автоматизация эксперимента в научных исследованиях: IX Всесоюз. конф. -М.:, МЭИ, 1989.-С. 89.
  107. Резисторные и конденсаторные микросборки /Ю.В. Зайцев, А. Т. Самсонов, Н. М. Решетников и др. -М.: Радио и связь, 1991. -200 е.: ил.
  108. В.Д., Одинцов М. А., Леухин В. Н. Обеспечение точности резисторов микросборок электроискровой подгонкой // Состояние и перспективы развития основных направлений радиотехнологии и спецмашиностроения, Казань. 1989.-С. 167−169.
  109. В.Н., Соколов А. В. Многоканальный автоматизированный комплекс для исследования временной нестабильности сопротивления резисторов // Микропроцессорные системы автоматики: 11 Всесоюзная науч.-техн. конф.: Новосибирск, 1990.-С. 229−230.
  110. Ю.В., Леухин В. Н. Построение физической и математической модели процесса электроискровой подгонки резисторов // Электронная техника, сер.8. 1991. — Вып.З. — С. 39−43.
  111. В.Н. Оптимизация процесса электроискровой подгонки резистивных элементов по критериям точности и производительности // Сборник научных работ к 125-летию Русского технического общества. Йошкар-Ола, 1991. — С. 25−27.
  112. В.Н. Построение модели измерительной системы установок подгонки резисторов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. 1993. — Вып.1. — С.45−49.
  113. Электронный коммутатор-компаратор: Информационный листок № 60−99 МарЦНТИ /Сост. В. Н. Леухин, Е. В. Головин. Йошкар-Ола, 1999.
  114. Пат. 2 158 979 РФ, МКИ Н01С. Способ подгонки толстопленочных резисторов /В.Н.Леухин.
  115. В.Н., Сухов A.M. Исследование возможности применения электроискровой подгонки для тонкопленочных резистивных элементов // Тонкие пленки в электронике: 11 междунар. науч.-техн. конф. Йошкар-Ола, 2000. — С. 39−40.
  116. A.M. Автоматизированная установка экспресс-оценки ТКС резисторов // Труды научно-методической конф. МарГТУ, 2001. -С. 27−29. Деп. в ВИНИТИ 29.1 1.01 № 163−235/2001.
  117. A.M., Леухин В. Н. Повышение показателей электроискровой подгонки пленочных резисторов // Труды научно-методической конф. МарГТУ, 2001. -С. 68−78. Деп. в ВИНИТИ 29.1'1.01 № 163−235/2001.
  118. A.M. Способы повышения производительности и точности подгонки резисторов электроискровым методом / Map. гос. техн. ун-т. Йошкар-Ола, 2002.-11 е.: ил.-Деп. в ВИНИТИ 28.01.02, № 149-В2002.
  119. Пат. 2 185 674 РФ, МКИ HOIC. Способ подгонки величины сопротивления толстопленочных резисторов и устройство для его осуществления / В. Н. Леухин, А. М Сухов.
  120. Пат. 2 190 273 РФ, МКИ HOIC. Способ подгонки величины сопротивления пленочных резисторов / В. Н. Леухин, А. М Сухов.
  121. Пат. 2 190 274 РФ, МКИ, НО 1С. Способ электроискровой подгонки пленочных резисторов / A.M. Сухов.
  122. Пат. 2 199 756 РФ, МКИ Н01С. Способ корректировки характеристики датчика угла поворота резисторного типа /В.Н.Леухин, А. М. Сухов, 1. A.В. Ахматаев.
  123. Исследование процесса электроискровой подгонки резисторов: Методические указания к выполнению лабораторной работы /Сост.
  124. B.Н. Леухин, А. М. Сухов. Йошкар-Ола: МарГТУ, 2002. — 15с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!