Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов свинца, серебра и твердых растворов замещения на их основе для создания датчиков экологического контроля

Диссертация: Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов свинца, серебра и твердых растворов замещения на их основе для создания датчиков экологического контроля
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Настоящая работа является результатом систематических исследований, проведенных в Уральском государственном техническом университете — УПИ по разработке гидрохимического метода синтеза пленок полупроводниковых материалов. Работа выполнена в соответствии с тематикой исследований в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению «Датчики» в соответствии с научно-техническим планом Министерства… Читать ещё >

Гидрохимическое осаждение пленок сульфидов свинца, серебра и твердых растворов замещения на их основе для создания датчиков экологического контроля (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Обзор литературы
    • 1. 1. Проблема экспресс-контроля в экологии
    • 1. 2. Определение и характеристики сенсоров, их типы и материалы
    • 1. 3. Применение химически осажденных тонких пленок халькогенидов 17 металлов в качестве материалов химических сенсоров
    • 1. 4. Методы получения сенсоров
    • 1. 5. Гидрохимический метод синтеза тонких пленок сульфидов металлов
      • 1. 5. 1. Получение пленок сульфида свинца
      • 1. 5. 2. Получение пленок сульфида серебра
      • 1. 5. 3. Гидрохимическое получение пленок твердых растворов замещения 28 сульфидов металлов
    • 1. 6. Выводы
  • 2. Методы исследования условий получения и свойств пленок сульфидов 30 металлов
    • 2. 1. Методика гидрохимического осаждения пленок PbS, Ag2S и твердых 30 растворов замещения на их основе
    • 2. 2. Получение цианамида
    • 2. 3. Методика исследования кинетических закономерностей химического 34 осаждения сульфидов свинца и серебра
    • 2. 4. Методы исследования состава, структуры и свойств пленок сульфидов 36 металлов
  • 3. Анализ условий образования тонких пленок PbS, Ag2S и твердых 39 растворов замещения на их основе при гидролитическом разложении -тиомочевины
    • 3. 1. Расчет температурных зависимостей произведений растворимости 39 сульфидов свинца, серебра, гидроксида свинца и константы нестойкости тиомочевинного комплекса серебра
      • 3. 1. 1. Температурная зависимость произведения растворимости сульфида 39 свинца
      • 3. 1. 2. Температурная зависимость произведения растворимости 43 гидроксида свинца
      • 3. 1. 3. Температурная зависимость произведения растворимости сульфида 45 серебра
      • 3. 1. 4. Температурная зависимость константы нестойкости тиомочевинного 45 комплекса серебра
      • 3. 1. 5. Температурная зависимость констант ионизации воды и 46 сероводородной кислоты
    • 3. 2. Определение констант ионизации цианамида в интервале температур 46 298−343К
    • 3. 3. Расчет условий образования сульфидов металлов
      • 3. 3. 1. Расчет условий образования сульфида свинца в плюмбитной 55 системе
      • 3. 3. 2. Расчет условий образования сульфида свинца в 59 цитратно-аммиачной системе
      • 3. 3. 3. Расчет условий образования сульфида серебра
      • 3. 3. 4. Расчет условий образования примесных фаз (гидроксида свинца и 66 цианамидов свинца и серебра)
      • 3. 3. 5. Определение области образования твердых растворов замещения 67 A&Pbi-^S
    • 3. 6. Выводы
  • 4. Исследование гидрохимического осаждения пленок PbS, Ag2S, твердых 74 растворов замещения на их основе, их состава, структуры и электрофизических свойств
    • 4. 1. Химическое осаждение сульфидов свинца и серебра в условиях 74 самопроизвольного зарождения твердой фазы
      • 4. 1. 1. Исследование кинетики химического осаждения Ag2S
      • 4. 1. 2. Кинетика осаждения PbS
    • 4. 2. Исследование кристаллической структуры химически осажденных 94 пленок
    • 4. 3. Исследование элементного, фазового состава и морфологии 99 осажденных пленок
    • 4. 4. Исследование полупроводниковых свойств пленок твердого раствора 102 AgxPbi-jS
    • 4. 5. Выводы
  • 5. Исследование сенсорных свойств химически осажденных пленок 109 сульфида свинца и твердых растворов замещения Ag^Pbi-^S
    • 5. 1. Исследование фоточувствительных свойств пленок сульфида свинца и 109 твердых растворов Ag. TPbi^S
    • 5. 2. Исследование чувствительности полученных пленок к присутствию в 113 воздухе оксидов азота и углерода
      • 5. 2. 1. Взаимодействие газов с поверхностью полупроводниковой пленки
      • 5. 2. 2. Исследование чувствительности пленок PbS и AgTPbi^S к 118 присутствию в воздушной среде диоксида азота
      • 5. 2. 3. Исследование чувствительности полученных пленок к присутствию 136 в воздушной смеси оксида азота
      • 5. 2. 4. Исследование чувствительности пленок PbS и Ag^Pbi^S к 143 присутствию в воздухе монооксида углерода
    • 5. 3. Использование пленочных элементов на основе сульфидов свинца для 146 определения в водных растворах ионов РЬ и РО
    • 5. 4. Выводы
  • Заключение
  • Список литературы
  • Приложение

Актуальность работы. Под воздействием производственной деятельности человека природная среда изменяется в неблагоприятную для общества сторону. Одними из основных загрязняющих веществ являются оксиды серы, углерода, азота, тяжелые металлы. В связи с чем особую значимость приобретает контроль за загрязнениями объектов окружающей среды, включая многочисленные виды вод (поверхностных, морских, речных, озерных), воздушный бассейн (аэрозоли, пыли, туманы, дымы), почвы, растения, продукты питания, живые организмы. В решении этой проблемы важную роль играют приборы, а также методы обнаружения и количественного определения загрязняющих веществ.

Однако, приборы, построенные на традиционных методах измерения, изначально не всегда предназначены для решения экологических задач, нередко сложны в изготовлении и эксплуатации, имеют высокую стоимость. Таким образом, возникла необходимость в создании простых и удобных в эксплуатации, недорогих устройств, позволяющих осуществлять экспресс-контроль за состоянием окружающей среды, технологическими выбросами, содержанием вредных веществ в организме человека. В частности актуальной является проблема экспресс-анализа оксидов азота и углерода в дымовых газах тепловых электростанций и других топливосжигающих устройств, содержания фосфат-ионов и ионов свинца в водоемах, а также ионов свинца в физиологических жидкостях с целью профилактики отравлений.

Последнее десятилетие характеризуется интенсивным развитием работ в области исследования, создания и применения химических сенсоров [1—15]. Материалами для них, как правило, являются простые и сложные оксиды металлов, требующие повышенных рабочих температур. Наряду с требованиями природоохранного Законодательства стимулируют исследования в этой области запросы различных отраслей промышленности, медицины, биологии.

В научной литературе приводятся сведения о перспективности использования в качестве материалов чувствительных элементов различных полупроводников, в том числе на основе халькогенидов металлов. Общими требованиями к ним являются [16]: высокая чувствительность, малое время отклика, достаточные термическая и механическая прочность. Одной из важнейших характеристик сенсора является селективность. Весьма важны требования стабильности показаний и устойчивости работы. Полупроводниковые химические сенсоры позволяют получать информацию о составе среды без отбора и предварительной подготовки пробы, обычно в непрерывном режиме и с малым временем отклика. Получаемая с их помощью информация не требует длительной и сложной обработки, что значительно упрощает анализ, позволяя быстро и легко контролировать содержание тяжелых металлов в воде или токсичных газов в атмосфере.

Материалами, имеющими широкие перспективы в сенсорной технике, могут стать новые соединения на основе тонкопленочных сульфидов металлов. Особенно большой интерес представляют твердые растворы замещения на их основе, которые позволяют в значительных пределах варьировать физико-химические характеристики соединений.

Об интересе, проявляемом к полупроводниковым сульфидам металлов, свидетельствует большое число исследований, посвященных изучению их электрофизических и адсорбционных свойств [17−36]. В последнее время они все более широко используются в различных оптических и электронных приборах, ИК-детекторах, солнечных элементах, а также для изготовления ионоселективных электродов [20, 23, 37−46]. Обладая выраженными поверхностно-активными свойствами, тонкие пленки сульфидов находят применение в качестве сорбентов по отношению к ряду металлов и газов [47−50]. Получение твердых растворов на основе халькогенидов металлов позволяет расширить номенклатуру материалов [51−54]. Одним из наиболее перспективных методов их получения является химическое осаждение из водных сред. Метод универсален, прост в исполнении, позволяет получать высокую однородность наносимых пленок сульфидов и селенидов металлов. В процессе химического синтеза возможно легирование слоя различными добавками.

Одними из наиболее перспективных материалов с широким набором сенсорных свойств являются пленки сульфидов свинца и серебра. Если гидрохимическое осаждение индивидуальных пленок PbS достаточно изучено, то получение легированных слоев сульфида свинца, а также пленок сульфида серебра и их свойства исследованы мало. Особый интерес представляет получение и сенсорные свойства твердых растворов замещения в системе PbS-Ag2S. Существуют потенциальные возможности их низкотемпературного синтеза в широком диапазоне составов с получением новых сенсорных свойств.

Несмотря на большое количество известных работ по гидрохимическому синтезу, в них, как правило, отсутствует научно-обоснованный подход и анализ проходящих процессов. Кафедрой физической и коллоидной химии УГТУ-УПИ накоплен большой экспериментальный материал в области разработки химического метода осаждения пленок халькогенидов металлов из водных сред, разработан кинетико-термодинамический подход для нахождения областей их образования, метод прогнозирования синтеза твердых растворов замещения заданного состава.

Настоящая работа является результатом систематических исследований, проведенных в Уральском государственном техническом университете — УПИ по разработке гидрохимического метода синтеза пленок полупроводниковых материалов. Работа выполнена в соответствии с тематикой исследований в рамках единого заказ-наряда УГТУ-УПИ по направлению «Датчики» в соответствии с научно-техническим планом Министерства общего и профессионального образования РФ (1998;1999гг.), программы Министерства образования РФ № 04.01 «Научно-технические исследования высшей школы по приоритетным направлениям науки и техники» (2000;2001гг.) по направлению.

Охрана атмосферного воздуха" (ГРНТИ 44.01.94- 87.17.81- 59.35.35.20). Исследования были поддержаны Российским фондом фундаментальных исследований (грант № 01−03−96 518 РФФИ-Урал, 2000;2002 гг.), Американским фондом CRDF (грант REC-005 НОЦ «Перспективные материалы», 2001;2004гг.).

Цель работы. Исследование гидрохимического синтеза, состава, структуры и функциональных свойств полупроводниковых пленок сульфидов свинца, серебра, а также твердых растворов замещения на их основе с целью создания ИК-датчиков и химических сенсоров для экспресс-обнаружения в воздухе токсичных газов, а также микроконцентраций некоторых вредных веществ в воде и физиологических жидкостях.

Научная новизна.

1. Впервые методом потенциометрии определены температурные зависимости констант ионизации продукта разложения тиомочевиныцианамида по первой и второй ступени в интервале 298−343К. Определена величина теплового эффекта реакции ионизации цианамида.

2. По результатам кинетических исследований осаждения сульфидов свинца и серебра в цитратно-аммиачной системе выведены формально-кинетические уравнения скоростей процессов, учитывающие роль концентрации солей металлов, лигандов, халькогенизатора, щелочного агента и температуры синтеза.

3. Впервые гидрохимическим методом синтезированы слои, содержащие в своем составе пересыщенный твердый раствор Ag. rPbi^S (0 <х < 0.18).

4. Исследована кристаллическая структура, фазовый состав и морфология пленок как индивидуальных сульфидов свинца и серебра, так и твердых растворов AgjPbi-jS.

5. Выявлена поверхностная чувствительность и исследованы сенсорные свойства пленок легированного галогенидами PbS и твердых растворов замещения AgrPbi^S к оксидам азота и монооксиду углерода. Исследованы релаксационные свойства пленок.

6. Установлена чувствительность тонких пленок сульфида свинца к присутствию в воде микроконцентраций фосфат-ионов в воде и к присутствию ионов свинца в физиологическом растворе.

Практическая значимость работы.

1. Установлены условия получения пленок Ag2S и Ag^Pbi^S (0 < jc < 0.18) из цитратно-аммиачной реакционной смеси с использованием тиомочевины.

2. Получены справочные данные по температурной зависимости констант ионизации цианамида по первой и второй ступени в интервале 298−343К.

3. Выведены формально-кинетические уравнения скоростей образования сульфидов свинца и серебра в цитратно-аммиачной системе, позволяющие рассчитывать состав твердого раствора Ag^Pbi^S, исходя из конкретных условий синтеза.

4. Разработаны и изготовлены экспериментальные образцы сенсорных элементов на основе пленок твердых растворов Ag^Pbi^S, обладающих поверхностной чувствительностью к оксидам азота и монооксиду углерода.

5. Установлена возможность определения с помощью пленочных элементов на основе PbS фосфат-ионов в воде и ионов свинца в физиологическом растворе.

Положения диссертации, вынесенные на защиту.

1. Результаты определения температурных зависимостей констант ионизации цианамида по первой и второй ступени в интервале 298−343К.

2. Результаты гидрохимического синтеза пленок сульфидов свинца, серебра и твердого раствора Ag^Pbi^S (0 < х < 0.18).

3. Результаты исследований микроструктуры, элементного и фазового состава осажденных пленок PbS, Ag2S, Ag^Pbi^S.

4. Результаты исследований фоточувствительных и сенсорных свойств пленок PbS и твердого раствора замещения Ag^Pbi^S к окислам азота, монооксиду углерода, микроконцентрациям ионов свинца и фосфат-ионов.

5.4. Выводы.

1. Изучено влияние добавок в реакционную смесь солей иодистого аммония и серебра на величину фоточувствительности синтезируемых пленок PbS. Установлено, что введение серебра и йодида аммония способствует повышению фоточувствительности осажденных слоев. Образование твердого раствора Ag^Pb^S в пленке приводит к противоположному результату.

2. Исследовано влияние добавок в реакционную смесь галогенидов аммония на чувствительность пленок на основе сульфида свинца к диоксиду азота. Выявлено, что наибольшее увеличение чувствительности пленки происходит при использовании иодистого аммония.

3. Исследована чувствительность пленок сульфида на основе сульфида свинца и твердых растворов Ag^Pbi^S, полученных при различном содержании в реакционной смеси NH4J и соли серебра. Установлено, что наибольшей чувствительностью к диоксиду азота обладают слои, полученные при совместной добавке 0,2 моль/л йодистого аммония и МО-3 моль/л нитрата серебра, а к оксиду азота — 0,2 моль/л йодистого аммония и 3-Ю" 4 моль/л нитрата серебра.

4. Определены концентрационные и температурная зависимость чувствительности пленок к оксидам азота. Полученные экспериментальные результаты удовлетворительно описываются линейной формой изотермы Ленгмюра, что предполагает мономолекулярный механизм адсорбционного взаимодействия газов с пленкой.

5. Исследованы релаксационные свойства осажденных пленок на основе PbS Показано, что чувствительные элементы обеспечивают хорошую воспроизводимость результатов в процессе реализации 200−300 последовательных циклов «измерение — регенерация», без значительного изменения электрофизических характеристик слоя.

6. Изучена чувствительность пленок твердого раствора Ag^Pbi^S к монооксиду углерода в зависимости от его состава.

7. Получены предварительные экспериментальные результаты по использованию тонких пленок сульфидов свинца для анализа ионов РЬ в физиологическом растворе и экологически значимых концентраций РО4 «в воде.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

1. Потенциометрическим методом впервые определены температурные зависимости констант ионизации цианамида по первой и второй ступени в интервале температур 298−343К. Определен тепловой эффект реакции ионизации цианамида.

2. На основе расчета ионных равновесий с использованием термодинамических констант найдены условия образования сульфидов свинца и серебра, а также примесных фаз (гидроксида свинца и цианамидов свинца и серебра) в исследуемых реакционных смесях, в том числе с учетом температурного фактора. Установлена область совместного осаждения сульфидов свинца и серебра в «AgN03-Pb (CH3C00)2-CS (^2)2-NH40H-Na3C6H507″ и AgN03- Pb (СН3СОО)2 — CS (NH2)2 — NaOH» системах перспективная для образования твердого раствора AgrPbj^S.

3. По результатам исследований кинетики химического осаждения сульфидов серебра и свинца в зависимости от условий процесса определены частные порядки реакции по компонентам реакционной смеси. Рассчитаны константы скорости и энергии активации процессов осаждения Ag2S, PbS. Составлены формально-кинетические уравнения скоростей осаждения Ag2S, PbS, учитывающие роль компонентов реакционной смеси на скорость процесса в пределах установленных концентрационных интервалов. Предложено уравнение, позволяющее расчетным путем прогнозировать состав твердых растворов AgjPbi-jS. Составлены формально-кинетические уравнения скорости осаждения Ag2S, PbS, учитывающие роль компонентов реакционной смеси на скорость процесса в пределах установленных концентрационных интервалов. Предложено уравнению, позволяющее расчетным путем прогнозировать состав твердых растворов Ag^Pbi-^S.

4. С использованием рентгеновского, элементного анализа, КР-спектроскопии показано, что при совместном гидрохимическом осаждении сульфидов свинца и серебра образуются пленки, содержащие в своем составе пересыщенные твердые растворы Ag^Pbi-^S (О <х < 0.18). Исследованы их фазовый состав, структура, морфология и температурная проводимость.

5. Выявлено влияние добавок в реакционную смесь иодистого аммония на морфологию и уровень фоточувствительности синтезируемых пленок на основе PbS. Установлена чувствительность пленок на основе сульфида свинца и твердых растворов AgxPbi-^S, выражающаяся в изменении их омического сопротивления, к N0* и СО.

6. Определены концентрационные и температурная зависимость чувствительности пленок к оксидам азота. Исследованы релаксационные свойства осажденных пленок на основе сульфида свинца. Полученные пленки PbS и Ag*PbijS могут быть использованы для создания химических сенсоров для экспресс-обнаружения в воздухе микроконцентраций оксидов азота и угарного газа.

7. Получены предварительные экспериментальные результаты, показавшие перспективность полученных пленок для изготовления на их основе ионоселективных электродов для определения ионов РЬ в физиологическом.

•7 растворе и анализа экологически значимых концентраций РО4 ~ в воде.

Показать весь текст

Список литературы

  1. .Ф., Давыдов А. В. Химические сенсоры: возможности и перспективы // Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1259−1278.
  2. Власов Ю. Г. Твердотельные сенсоры в химическом анализе // Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1279−1293.
  3. Власов Ю. Г. Химические сенсоры, история создания и тенденции развития // Журн. аналит. химии. 1992. Т. 47. № 1. С. 114−121.
  4. Власов Ю. Г. Твердотельные сенсоры для анализа жидких сред // Рос. хим. журн. 1994. Т. 38. № 1. С. 32−36.
  5. Ю.А. Химические сенсоры // Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1255−1258.
  6. Solsky R.L. Ion-Selective Electrodes // Anal. Chem. 1988. V. 60. № 12. P. 106R -113R.
  7. Frew J.E., Allen H., Hill O. Electrochemical Biosensors // Anal. Chem. 1987. V. 59. № 15. P. 933A-944A.
  8. Alkok C.B. Solid state sensors and process control // Solid State Ionics. 1992. V. 5356. P. 3−17.
  9. Janata J., Josowicz M., Vanysec P. Chemical Sensors // Anal. Chem. 1998. V. 70. № 12. P. 179R-208R.
  10. Galan-Vidal C., Munoz J., Pominguez C., Alegrat S. Chemical sensors, biosensors and thick film technology // Trends Anal. Chem. 1995. V. 14. № 5. P. 225−231.
  11. П.Власов Ю. Г., Ермоленко Ю. Е., Легин А. В. и др. Мультисенсорные системы для технологических растворов // Журн. аналит. химии. 1999. Т. 54. № 5. С. 542−549.
  12. Baker М., Vadgama P. Chemical sensors and their relevance to clinical measurement //Meas.+Contr. 1988. V. 21. № 2. P. 53−59.
  13. В.П., Буренко Г. С., Маркова О. Л., Бродская Л. И. Применение потенциометрии с ионоселективными электродами в гигиенических и токсикологических исследованиях // Современные физико-химические методы исследования в гигиене. М.: 1988. С. 44−50.
  14. Г. К. Что такое химические сенсоры // Соросовский образовательный журнал. 1998. № 3. С. 72−76.
  15. Н.В. Ионоселективные электроды // Соросовский образовательный журнал. 1999. № 5. С. 60−65.
  16. И.А., Сухарев В. Я., Куприянов А. Ю., Завьялов С. А. Полупроводниковые сенсоры в физико-химических исследованиях. М.: Наука. 1991. 327 с.
  17. В.А., Герасютенко В. А., Корнеева С. А. Влияние легирования на адсорбционно-десорбционную чувствительность пленок селенида кадмия // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1989. Т. 25. № 5. С. 856−859.
  18. В.А., Сенкевич А. И., Герасютенко В. А. и др. Влияние природы дефектов на электронно-молекулярные процессы на кристаллах селенида кадмия//Журн. физ. химии. 1989. Т. 63. № 6. С. 1517−1521.
  19. А.В., Зотов В. В., Игнатов А. В. и др. Влияние водяных паров на темновую проводимость и фотоотклик тонких пленок p-PbS // Поверхность. Физика, химия, механика. 1994. № 1. С. 110−112.
  20. Minceva-Sukarova В., Najdoski М., Channilall C.J. Raman spectra of thin solid films of some metal sulfides // J. Molekular Strukture. 1997. V. 410−411. P. 267−270.
  21. Meherzi-Maghraoui H., Dachraoui M., Belgacem S. et. al Structural, optical and transport properties of Ag2S films deposited chemically from aqueous solution // Thin Solid Films. 1996. V. 288. P. 217−223.
  22. Mangalam M.J., Nagaraja Rao K., Rangarajan N., Suryanarayana C.V. Electrical and photoconductive properties of silver sulphide cells // Brit. J. Appl. Phys. 1969. Ser. 2. V. 2. P. 1643−1647.
  23. Ю.Г., Ермоленко Ю. Е. Ионная и электронная проводимость Ag2S-мембран ионоселективных электродов // Электрохимия. 1981. Т. 17. № 9. С. 1301 1307.
  24. Espevik S., Wu С., Bube R.H. Mechanism of photoconductivity in chemically deposited lead sulfide layers //J. Appl. Phys. 1971. V. 42. № 9. P. 3513−3529.
  25. JI.H., Осипов B.B. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок PbS. I Модель, проводимость и эффект Холла // Физика и техн. полупроводников. 1986. Т. 20. № 1. С. 59
  26. Л.Н., Осипов В. В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок PbS. II Фотопроводимость. Сравнение с экспериментом // Физика и техн. полупроводников. 1986. Т. 20. № 1. С. 66
  27. Быкова Т. Т, Комолов С. А., Лазнева Э. Ф. Изменение фотопотенциала и потенциала поверхности CdS в процессе термодесорбции кислорода // Журн. техн. физики. 1976. Т. 46. № 3. С. 632−634.
  28. В.В., Сердюк В. В., Стыс Л. Е. и др. Механизм сорбции кислорода на поверхности поликристаллических пленок сульфида кадмия // Укр. физ. журн. 1988. Т. 33. № 3. С. 390−395.
  29. Г. Б., Склянкин А. А., Зарифьянц Ю. А. О механизме взаимодействия кислорода с атомарно-чистой поверхностью сульфида свинца // Вестник МГУ, физика, астрономия. 1976. Т. 17. № 6. С. 737−738.
  30. Т.Т. Влияние адсорбированного кислорода на электрофизические свойства сернистого свинца // Вопросы электроники твердого тела. ЛГУ. (Ученые записки) Сб.1. 1968. № 336. С.86−88.
  31. Ю.А., Сердюк В. В., Смынтына В. А. Влияние поверхностного легирования индием пленок селенида кадмия на адсорбционно-десорбционное взаимодействие их с кислородом // Журн. физ. химии. 1982. Т. 56. № 2. С. 198 200.
  32. А.Ф. Полупроводники в современной физике. М., Л.: Изд-во АН СССР. 1954. 356 с.
  33. Nair Р.К., Garcia V.M., Hernandez А.В. et.al. Photoaccelerated chemical deposition of PbS thin films: novel applications in decorative coatings and imaging techniques // J. Phys. D: Appl. Phys. 1991. V. 24. P. 1466−1472.
  34. Nair P.K., Nair M.T.S. PbS solar control coatings: safety, cost and optimization // J. Phys. D: Appl. Phys. 1990. V. 23. P. 150−155.
  35. Nair P.K., Nair M.T.S., Fernandez A. and Ocampo M. Prospects of chemically deposited metal chalcogenide thin films for solar control applications // J. Phys. D: Appl. Phys. 1989. V. 22. P. 829−836.
  36. Г. А., Болыцикова Т. П. Осаждение зеркальных пленок сульфида серебра на поверхности стекла химическим способом // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1966. Т. 2. № 1. С. 65−69.
  37. Lokhande C.D. Chemical deposition of metal chalcogenide thin films // Mater. Chem. Phys. 1991. V. 27. P. 1−43.
  38. Dhumure S.S., Lokhande C.D. Studies on the preparation and characterization of chemically deposited Ag2S films from an acidic bath // Thin Solid Films. 1994. V. 240. P. 1−6.
  39. Nair P.K., Nair M.T.S., Garcia V.M. et. al Semiconductor thin films by chemical bath deposition for solar energy related applications // Sol. Energy Mater. Sol. Cells 1998. V. 52. P. 313−344.
  40. Zhang W., Zhang L., Hui Z. et. al Synthesis of nanocrystalline Ag2S in aqueous solution // Solid State Ionics. 2000. V. 130. P. 111−114.
  41. Т.П., Китаев Г. А., Двойнин В. И. и др. Состав и строение тонких пленок Ag2S, полученных методом химического осаждения из водных растворов //Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1980. Т. 16. № 3. С. 387−390.
  42. Н.Н., Мовчан Н. И., Юсупов Р. А. и др. Расчет коэффициента диффузии при ионном обмене Pb (II)/Ag (I) на тонкопленочном сорбенте PbS // Журн. физ. химии. 2000. Т. 74. № 9. С. 1707−1709.
  43. Golovan N., Smyntya V. The sensitization of semiconductor gas sensors // Sensors and Actuators. B. 1992. V. 6. P. 289−292.
  44. B.B., Гудин А. Я., Смынтына B.A. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора на основе сульфида кадмия // Журн. аналит. химии. 1991. Т. 46. № 12. С. 2374−2379.
  45. В.Ф., Маскаева JI.H. Полупроводниковый чувствительный элемент газоанализатора оксидов азота на основе сульфида свинца // Журн. аналит. химии. 2001. Т. 56. № 8. С. 546−850.
  46. Г. А., Марков В. Ф., Маскаева Л. Н. и др. Синтез и исследование пленок твердых растворов Cd^Pbi^S // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1990. Т. 26. № 2. С. 248−250.
  47. Л.Н., Марков В. Ф., Виноградова Т. В. и др. Гидрохимический синтез и свойства пересыщенных твердых растворов замещения Ag^Pbi^S // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2003. № 9. С. 35−42.
  48. Л.Н., Марков В. Ф., Иванов П. Н. Получение твердых растворов замещения PbixCuxSis осаждением из водных растворов // Неорган, материалы. 2002. Т. 38. № 9. С. 1037−1040.
  49. Л.Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Пленки, содержащие пересыщенные по цинку твердые растворы замещения Zn^Pbi-^S: синтез, структура, состав // Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования. 2004. № 2. С. 100−109.
  50. Электроаналитические методы в контроле окружающей среды / под ред. Неймана Е. Я. М.: Химия. 1990. 240 с.
  51. В.М. Микроэлектронные технологии магистральный путь для создания химических твердотельных сенсоров // Микроэлектроника. 1991. № 4. С. 337−355.
  52. А.И., Габузян Т. А., Крутоверцев С. А. и др. Датчики для контроля содержания примесей в атмосфере // Зарубежная электронная техника. 1983. № 2. С. 95−111.
  53. А.И., Габузян Т. А., Голованов Н. А. и др. Газочувствительные датчики на основе металлоксидных полупроводников // Зарубежная электронная техника. 1983. № 10. С. 3−39.
  54. Г. Датчики. М.: Мир. 1989. 196 с.
  55. Аш Ж. Датчики измерительных систем. Кн. 1. М.: Мир. 1992. 480 е., кн. 2. М.: Мир. 1992. 424 с.
  56. Э.И. Полупроводиковые пленки и миниатюрные измерительные преобразователи. Минск. Наука и техника. 1981. 214 с.
  57. JI.C., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения. М.: Энергия. 1973. 296 с.
  58. А.А., Тимошенко В. И., Кузин А. С. Современное состояние и перспективы развития толстопленочных датчиков // Зарубежная электронная техника. 1991. № 7. С. 36−47.
  59. .П., Матерова Е. А. Ионоселективные электроды. Л.: Химия. 1980. 240 с.
  60. В. Принципы работы ионоселективных электродов и мембранный транспорт. М.: Мир. 1985. 280 с.
  61. Справочное руководство по применению ионоселективных электродов / под ред. Петрухина О. М. М.: Мир. 1986. 231 с.
  62. Ионоселективные электроды / под редакцией Дарста Р. М.: Мир. 1972. 430 с.
  63. И., Штулик К. Ионоселективные электроды. М.: Мир. 1989. 272 с.
  64. Н. Мембранные электроды. Л.: Химия. 1979. 360 с.
  65. К. Работа с ионоселективными электродами. М.: Мир. 1980. 283 с.
  66. Marko R.D. Response of copper (II) ion-selective electrodes in seawater // Anal. Chem. 1994. V. 66. № 19. P. 3202−3207.
  67. Р.Д., Радченко А. Д., Коиьшина E.A. и др. Выбор условий ионометрического определения меди в сточных водах // Журн. аналит. химии. 1984. Т. 39. № 3. С. 437−441.
  68. Ю.Г., Михайлова С. С., Колодников В. В., Ермоленко Ю. Е. Потенциометрическое определение меди в травильных растворах с помощью ионоселективных электродов // Заводская лаборатория. 1995. Т. 61. № 12. С. 58.
  69. А.В., Штерман B.C., Сырченков, А .Я. и др. Разработка и исследование селективных мембранных электродов // Журн. аналит. химии. Т. 27. № 11. С.2170−2174.
  70. Ю.Г., Ермоленко Ю. Е., Исхакова О. А. Свинецселективные электроды на основе сульфидов свинца и серебра // Журн. аналит. химии. 1979. Т. 34. № 8. С. 1522−1526.
  71. В.А., Илющенко М. А. Потенциометрические датчики как полиэлектроды. Алма-Ата: Наука. 1983. 134 с.
  72. М.Б., Карликович-Раич К., Чирич И. С. Сравнение потенциометрических методов определения свинца в бензине с использованием ИСЭ (PbS/Ag2S) // Журн. аналит. химии. 1995. Т. 50. № 12. С. 1315.
  73. Л.В. Ионометрическое определение хлорид-ионов в водных средах // Аналитические методы контроля окружающей среды: материалы семинара. М.: 1990. С. 56−61.
  74. Ю.Е., Власов Ю. Г., Узбекова Т. У. Нитратселективный электрод с кристаллической мембраной // Журн. аналит. химии. 1993. Т. 48. № 12. С. 2008−2011.
  75. Mascini М., Liberti A. Ion-selective electrodes for measurements in fresh water // Sci. Total Environ. 1984. V. 37. № 1. P. 121−128.
  76. A.M., Лукьянов Ю. С., Милашова М. С. и др. Исследование возможности применения сульфидного ИСЭ для определения сероводорода в природных водах // Вестник С-Петербургского университета. Сер.4. Физика. Химия. 1992. № 1. С.73−75.
  77. О.В., Гороховская В. И. Определение сульфидной серы в пластовых водах методом ионометрии с сульфидселективным электродом / в кн. Химическая технология переработки нефти и газа. Межвузовский сборник. Казань: КХТИ. 1981. С.55−56.
  78. И.П., Цингарелли Р. Д., Макулов М. А. Ионометрическое определение меди в гальванических ваннах и сточных водах гальванопроизводства // Журн. аналит. химии. 1985. Т. 40. № 6. С. 1067−1070.
  79. Н.П., Каскевич O.K., Сморчков В. И. Полупроводниковые датчики для контроля состояния воздушной среды // Измерения, контроль, автоматизация (Москва). 1989. № 4. С.50−58.
  80. С.И., Беспальченко В. М. Сенсор для обнаружения сероводорода в атмосфере промышленных и лабораторных помещений // Заводская лаборатория. 1995. Т. 61. № 9. С. 12−13.
  81. Ю.Г. Ионоселективные полевые транзисторы (ИСПТ) новый вид электродов для химического анализа и биомедицинских исследований // Журн. прикл. химии. 1979. Т. 52. № 1. С. 3−17.
  82. Р.Д., Табакова О. М., Николенко И. П. Определение серебра (I) с помощью твердофазного сульфидсеребрянного электрода // Журн. аналит. химии. 1984. Т. 39. № 4. С. 622−625.
  83. Schmidt Е., Marton A., Hlavay J. Determination of the total dissolved sulphide in the pH range 3−11.4 with sulphide selective ISE and Ag/Ag2S electrodes II Talanta. 1994. V. 41. № 7. P. 1219−1224.
  84. С.А., Сорокин С. И., Крутоверцева С. Л. Методы контроля концентрации кислорода в выхлопных газах двигателей внутреннего сгорания // Журн. аналит. химии. 1995. Т. 50. № 3. С. 319−322.
  85. Н.П., Дышель Д. Е., Еремина Л. Э. и др. Полупроводниковые сенсоры для контроля состава газовых сред // Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 1312-.
  86. А.В., Угай Я. А., Лабо М., Яценко О. Б. Синтез газочувствительных пленок Sn02 с добавкой Pt для детектирования СО при комнатной температуре // Неорган, материалы. 1999. Т. 35. № 4. С. 464−470.
  87. Т.Д., Апарнев А. И., Егоров Ю. П., Юхин Ю. М. Полупроводниковые сенсоры монооксида углерода на основе Sn02-Bi203 // Журн. прикл. химии. 2001. Т. 74. № 11. С. 1808−1812.
  88. С. А., Сухарев В. Я., Завьялова Л. М. и др. Определение селеноводорода в газовых и жидких средах с использованием полупроводниковых химических сенсоров // Журн. аналит. химии. 1990. Т. 45. № 7. С. 133 8-.
  89. Н.Д., Ипатова Е. Г., Егоров Ю. В. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. VI Синтез и физико-химические свойства на основе сульфида свинца // Радиохимия. 1982. Т. 24. № 3. С. 363−368.
  90. Н.Н., Мовчан Н. И., Юсупов Р. А., Сопин В. Ф. Влияние комплексообразующих агентов на ионный обмен Ag(I)/Pb (II) в тонких поликристаллических пленках PbS // Журн. физ. химии. 2002. Т.76. № 8. С. 1485−1488.
  91. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия. 1971. 200 с.
  92. В.П., Точицкий Э. И. Структура тонких металлических пленок. Минск. Наука и техника. 1968. 212 с.
  93. Parvathy N.N., Venkateswara Rao A., Pajonk G.M. Effect of temperature and sol-gel parameters on PbS crystalline size and their spectral and physical properties in a porous silica matrix // J. Non-Cryst. Solids. 1998. V. 241. P. 79−90.
  94. Armelio L., Colombo P., Fabrizio M. et.al. Sol-gel synthesis and characterization of Ag2S nanocrystallites in silica thin film glasses // J. Mater. Chem. 1999. V. 9. P. 2893−2898.
  95. Н.В. Синтез и оптические свойства пленок, сформированных золь-гель-методом в мезопористых матрицах (обзор) // Журн. прикл. спектроскопии. 2002. Т. 69. № 1. С. 1−21.
  96. Guglielmi М., Martucci A., Menegazzo Е. et. al Control of Semiconductor Particle Size in Sol-Gel Thin Films //J. Sol-Gel Sci. & Techn. 1997. V. 8. P. 1017−1021.
  97. Chavez H., Jordan M., McClure J.C. et. al Physical and electrical characterization of CdS films deposited by vacuum evaporation solution growth and spray pyrolysis // J. Mater. Sci.: Mater, in Electronics. 1997. V. 8. P. 151 154.
  98. B.H., Авербах E.M., Угай Я. А. О взаимодействии солей свинца с тиомочевиной при получении пленок PbS методом пульверизации // Журн. прикл. химии. 1980. Т. 53. № 1. С. 30−34.
  99. В.Н., Наумов А. В. Процессы напрвленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. С. 50−54.
  100. Н.А., Бурлак А. В., Мандель В. Е. и др. Фоточувствительные слои сульфида свинца, полученные методом пульверизации // Неорган, материалы. 1999. Т. 35. № 4. С. 406−409.
  101. К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир. 1986. 177 с.
  102. Saloniemi Н. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe thin films. EXPOO 2000. Thechnical Research Centre of Finland. VTT Publications 423. 82 p.
  103. Dhumure S.S., Lokhande C.D. Chemical deposition of Ag2S films from acidic bath//Mater. Chem. Phys. 1991. V. 28. P. 141−144.
  104. Физика тонких пленок. Т. VII / под ред. Хасса Дж., Франкомба М. Х., Гофмана Р. У. М.: Мир. 1977. 443 с.
  105. Stanic V., Etsell Т.Н., Pierre А.С. et. al Sol-gel processing of ZnS // Mater. Lett. 1997. V. 31. P. 35−38.
  106. C.B. Некоторые свойства и методы получения сульфидов элементов периодической системы // Сб. Халькогениды. Киев. Наукова думка. 1967. С. 18−25.
  107. Pop I., Nascu C., Ionescu V. et. al Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition // Thin Solid Films. 1997. V. 307. P. 240−244.
  108. T.B., Косарева JI.A., Шульман B.M. К вопросу о тиомочевинном методе получения сульфидов // Сб. Халькогениды. Киев. Наукова думка. 1967. С. 86−93.
  109. Grozdanov I. Solution growth and characterization of silver sulfide films // Appl. Surf. Sci. 1995. V. 84. P. 325−329.
  110. T.A., Юсупов P.A. Получение тонких пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида // Журн. физ. химии. 1974. Т. 48. № з. С. 724−725.
  111. Wang С., Zhang W.X., Qian X.F. et. al A room temperature chemical route to nanocrystalline PbS semicondactor//Mater. Lett. 1999. V. 40. P. 255−258.
  112. Г. А., Фофанов Г. М., Лундин А. Б. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 3. С. 473−478.
  113. Л.Г., Мещененко К. К., Богомолов Ю. И. Выбор оптимальных условий осаждения пленок сульфида свинца // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1970. Т. 6. № 7. С. 1337−1338.
  114. Г. А., Мокрушин С. Г., Урицкая А. А. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, журнал. 1965. Т. 27. № 1. с. 51−56.
  115. Pavaskar N.R., Menezes С.М., Sinha А.Р.В. Photoconductive CdS films by chemical bath deposition process // J. Electrochem. Soc. 1977. V. 124. № 5. P. 743 -748.
  116. Dona J.M., Herrero J. Process and Film Characterization of Chemical-Bath-Deposition ZnS Thin Films // J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. № 1. P. 205−210.
  117. Г. А., Урицкая A.A., Ятлова Л. Е., Миролюбов В. Р. Осаждение сульфида цинка из раствора N-аллилтиомочевиной // Журн. прикл. химии. 1994. Т .67. № 10. С. 1612−1615.
  118. К.К., Позигун Е. А. Нанесение тонких слоев сернистого серебра на различные изоляционные материалы // Тр. Одесского гос. университета. 1952. Т. 16. С. 105−107.
  119. И.Т. Исследование реакций разложения и синтеза тиомочевины в водных растворах. Дис. .канд. хим. наук. Свердловск. У ПИ. 1975. 131 с.
  120. Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов металлов в водных растворах тио-селеномочевины и селеносульфата натрия. Дис. .докт. хим. наук. Свердловск: У ПИ. 1971. 431 с.
  121. Г. А., Болыцикова Т. П., Фофанов Г. М. и др. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов // Труды УПИ. Сб. № 170. 1968. С. 113−126.
  122. П.Я., Разумова Г. П. Тиоацетамид заменитель сероводорода в анализе металлов. М.: Металлургиздат. 1963. 158 с.
  123. К.К. Механизм реакций и строение органических соединений. М.: ИЛ. 1959. 673 с.
  124. Show W.H.R., Walker D.G. The decomposition of tiourea in water solution// J. Amer. Chem. Soc. 1956. Vol. 78. № 22. P. 5769−5772.
  125. Т.Ф., Белозерская B.B., Черницын А. И. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1964. Т. 7. № 6. С. 898−903.
  126. Р.А., Попель А. А., Сальников Ю. И. и др. Образование сульфидов свинца (II) и таллия (I) в щелочных растворах тиосемикарбазида и тиомочевины // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1979. Т. 22. № 5. С. 515−519.
  127. Ю.Н., Двойнин В. И., Китаев Г. А. Влияние иона гидроксида на скорость осаждения сульфидов металлов // Журн. физ. химии. 1977. Т. 51. № 1. С. 94−97.
  128. А.А., Китаев Г. А., Мокрушин С. Г. Кинетика и механизм образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, журнал. 1965. Т. 27. № 5. С. 767−770.
  129. Hauser О., Biesalski E. Chemiker-Ztg. 34. 1079. (1910).
  130. Kicinski F. The preparation of photoconductive cell by chemical deposition of lead sulphide // Chem. Ind. 1948. V. 17. № 2. P. 54−57.
  131. Bruckmann G. Dasstellung und Eigenschaften dunner Bleisulfid Schichten under bsonderer Beruchsichtigung intrer Detektorwirkung // Koll. Ztachr.1933. V. 61. № 1. S. 1−11.
  132. M.C., Дегтева Л. В., Иванов А. И. и др. Исследование кристаллизации халькогенидов свинца из водных растворов // Изв. АН СССР, серия физическая. 1972. Т. 36. № 9. С. 1971−1973.
  133. В.Р. Об особенностях кинетики осаждения сульфида свинца из водных растворов // Труды вузов РФ «Физико-химия процессов на межфазных границах». Свердловск: Издание УПИ. 1976. С. 15−18.
  134. Najdoski М., Minceva-Sukarova В., Drate A. et. al Optical properties of thin solid films of lead sulfide // J. Molecular Structure. 1995. V. 349. P .85−88.
  135. Г. А., Урицкая A.A., Белова H.C. Анализ условий образования сульфидов металлов в водных растворах тиосульфата натрия // Журн. прикл. химии. 2000. Т. 73. № 9. С. 1433−1437.
  136. В.И., Кононов Ю. А., Миролюбов В. Р. Влияние условий осаждения на микроструктуру тонких пленок PbS // Труды вузов РФ «Физико-химия процессов на межфазных границах». Свердловск: Издание УПИ. 1976. С.39−43.
  137. Orozco-Teran R.A., Sotelo-Lerma М., Ramirez-Bon R. et. al PbS-CdS bilayers prepared by the chemical bath deposition technique at different reaction temperatures // Thin Solid Films. 1999. V. 343−344. P. 587−590.
  138. Nair P.K., Ocampo M., Fernandez A., Nair M.T.S. Solar control characteristics of chemically deposited lead sulfide coatings // Sol. Energy Mater. 1990. V. 20. P. 235 -243.
  139. Meldrum F.C., Flath J., Knoll W. Formation of patterned PbS and ZnS films on self-assembled monolayers // Thin Solid Films. 1999. V. 348. P. 188−195.
  140. Pintilie I., Pentia E., Pintilie L. et. al Growth and characterization of PbS deposited on ferroelectric ceramics // Appl. Phys. 1995. V. 78. № 3. P. 1713−1718.
  141. А.Б., Китаев Г. А. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела PbS-раствор // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1967. Т. 10. № 4. С. 408−411.
  142. Smith H.L.// J. Scient. Instrum., 4, 115 (1927).
  143. А.Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца. Дис.. канд. хим. наук. Свердловск. УПИ. 1967. 133 с.
  144. К. Получение полупроводников. М.: Мир. 1964. 206 с.
  145. Г. А., Макурин Ю. Н., Двойнин В. И. Сб. «Квантовая химия», Кишинев, «Штиинца», 1975, к-115.
  146. Salim S.M., Hamid О. Growth and characterization of lead sulfide films deposited on glass substrates // Renewable Energy 2001. V.24. P. 575−580.
  147. Г. И., Дарюсина C.A. Электронномикроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца // Кристаллография. 1962. Т. 7. № 1. С. 107−113.
  148. А.А. Химическое осаждение из растворов тонких пленок сульфида кадмия на поверхность стекла. Дис.. канд. хим. наук. Свердловск. УПИ. 1966. 106 с.
  149. Dhumure S.S., Lokhande C.D. Solution growth of silver sulphide thin films // Mater. Chem. Phys. 1991. V. 27. P. 321−324.
  150. Г. А., Болыцикова Т. П., Устьянцева Т. А. Условия химического осаждения пленок сульфида серебра на твердую поверхность // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1967. Т. 3. № 6. С. 1080−1082.
  151. Г. А., Жуковская А. С. Исследование сорбционных процессов на пленках сульфида серебра // Журн. физ. химии. 1975. Т. 49. № 2. С. 478−480.
  152. Т.П. Использование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди. Дис.. канд. хим. наук. Свердловск. УПИ. 1969. 163 с.
  153. Г. М., Китаев Г. А., Сулейманова Н. А., Бетенеков Н. Д. Сорбционный метод осаждения халькогенидов металлов // Труды вузов РФ «Физико-химия процессов на межфазных границах». Свердловск: Издание УПИ. 1976. С.92−97.
  154. Т.П., Китаев Г. А. К кинетике химического осаждения пленок сульфида серебра//Труды УПИ. Сб. № 170. 1968. С.129−131.
  155. Deshmukh L.P., Rotti С.В., Garadkar К.М., Hankare P.P. Electrical transport properties of (Cd, Zn) S thin films // Ind. J. Pure and Appl. Phys. 1996. V. 34. P. 893−397.
  156. Sharma N.C., Panadya D.K., Schgal H.K., Chopra K.L. Electroless deposition of epitaxial Pbi^H&S //Thin Solid Films. 1979. V. 59. № 2. P. 157−164.
  157. И.А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов Cd^Pbi^S химическим осаждением. Дис. .канд. хим. наук. Свердловск. УПИ. 1980. 174 с.
  158. В.Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред. Дис.. докт. хим. наук. Екатеринбург. УПИ. 1998. 366 с.
  159. Maskaeva L.N., Markov V.F., Voronin V.I., Gusev A.I. Hydrochemical synthesis, structure and properties of films of supersaturated substitutional Cu^Pbi^S solid solutions // Thin Solid Films. 2004. V. 461. P. 325−335.
  160. JI.H. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения Me^Pbi^S (Me Zn, Cd, Cu, Ag) Дис.. докт. хим. наук. Екатеринбург. 2004. 386 с.
  161. Г., Флашка Г. Комплексонометрическое титрование. М.: Химия. 1970. 360 с.
  162. Г. Методы аналитической химии. Количественный анализ неорганических соединений. М., Л.: Химия. 1965. 976 с.
  163. КД. Органическая химия. Т.1.М.: ИЛ. 1962. С. 831.
  164. Л. Введение в курс химического равновесия и кинетики. М.: Мир. 1984. 484 с.
  165. Г. Б., Рыженко Б. Н., Ходаковский И. Л. Справочник термодинамических величин (для геологов). М.: Атомиздат. 1971. 240 с.
  166. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия. 1989. 447с
  167. Ю.В., Ангелов И. И. Чистые химические вещества. М.: Химия. 1974. 408 с.
  168. В.А., Хавин З. Я. Краткий химический справочник. Л.: Химия. 1978. 392 с.
  169. Краткий справочник физико-химических величин / под ред. Равделя А.А.и Пономаревой. A.M. Л.: Химия. 1983. 232 с.
  170. А.И., Харламов И. П., Яковлев П. Я., Яковлева Е. Ф. Справочник химика-аналитика. М.: Металлургия. 1976. 184 с.
  171. Н.П. Основы качественного химического анализа. Харьков: Изд-во ХГУ. 1955. 448 с.
  172. К.Б., Васильев А. П. Константы нестойкости комплексных соединений. М.: Изд-во АН СССР. 1959. 206 с.
  173. И.Т., Назаренко Ю. П., Некряч Е. Ф. Краткий справочник по химии. Киев. Наукова думка. 1974. 992 с
  174. А., Сержент Е. Константы ионизации кислот и оснований М., Л.: Химия. 1964. 179 с.
  175. Дж.Н. Ионные равновесия. Л.: Химия. 1973. 448 с
  176. В.Г., Иванов М. Г. Кинетика и механизм реакции цианамида с гидразином // Кинетика и катализ. 1968. Т. 9. № 2. С. 240−244.
  177. Кашеуша//Trans. Am. Electrocemical Soc. 1921. V. 40. P. 131.
  178. Ф., Бергес К., Олкок Р. Равновесия в растворах. М.: Мир. 1983. 360 с.
  179. Химическая энциклопедия. Т.4. М.: Большая российская энциклопедия. 1995. С. 1140.
  180. Norr М.К. The lead salt-thiourea reaction // J. Phys. Chem. 1961. V. 65. № 7. P. 1278 1279.
  181. Л.Н., Шаммасов Р. Э., Шакиров Ю. И. Изучение стабильности цианамида в различных средах // Узб. хим. журн. 1971. № 3. С. 69−71.
  182. В.Г., Кузнецова Л. В. Кинетика образования аммиака в цианамиде // ЖВХО им. Д. И. Менделеева. 1971. Т. 16. №. С.233−234.
  183. В.Г., Иванов М. Г. О поведении цианамида в водных щелочных растворах // Тр. по химии и хим. технологии (Горький). 1968. Вып. 1. С.86−89.
  184. Г. А., Голов В. Г. Кинетика и механизм реакции димеризации цианамида//Журн. прикл. химии. 1962. Т. 35. № 7. С. 1592−1597.
  185. Ю.И., Финкелыптейн А. И. Разложение дицианамида в водно-щелочных средах // Кинетика и катализ. 1966. Т. 7. № 2. С. 219−223.
  186. В.Ф., Маскаева Л. Н., Виноградова Т. В., Березюк В. Г. Температурная зависимость констант ионизации цианамида и ее влияние на область образования халькогенидов металлов // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. Т. 4. № 1. С. 84−86.
  187. В.Ф., Маскаева Л. Н., Дивинская Г. Г., Морозова И. М. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины // Вестник УГТУ-УПИ, серия химическая, 2003. № 3. С. 120−125.
  188. В.Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Кинетика химического осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, микроструктура и электрофизические свойства//Журн. прикл. химии. 2000. Т. 73. № 8. С. 1256−1259.
  189. Н.С., Урицкая А. А., Китаев Г. А. Исследование кинетики осаждениясульфида свинца из цитратных растворов тиомочевины // Журн. прикл. химии.2002. Т. 75. № 10. С. 1598−1602.
  190. В.Ф., Маскаева J1.H., Китаев Г. А. Особенности микроструктуры и свойства пленок сульфида свинца, осажденных из галогенидсодержащих растворов // Неорган, материалы. 2000. Т. 36. № 7. С. 792−795.
  191. JI.H., Марков В. Ф., Иванов П. Н., Петухова Т. А. Роль аниона при гидрохимическом осаждении твердых растворов замещения сульфидов металлов // Вестник УГТУ-УПИ, серия химическая. 2003. № 3. С. 59−63.
  192. Г. А., Соколова Т. П. Растворимость цианамида свинца в кислых и щелочных средах // Журн. неоган. химии. 1975. Т.20. № 3. С.839−841.
  193. Г. А., Больщикова Т. П., Ятлова JI.E. К вопросу о растворимости солей цианамида с некоторыми металлами // Журн. неорган, химии 1971. Т. 16. № 12. С.3173−3175.
  194. А.Б., Саранов Е. А., Булатов Н. К. О механизме реакции солей свинца с тиомочевиной и ее производными // Изв. вузов. Химия и хим. технология. 1971. Т. 14. № 12. С. 1798−1801.
  195. . Кинетика гетерогенных реакций. М.: Мир. 1972. 554 с.
  196. Л. Е., Томашик В. Н., Грицив В. И. Диаграммы состояния в полупроводниковом материаловедении (системы на основе халькогенидов Si, Ge, Sn, Pb). M.: Наука, 1991. 256 с.
  197. А.И. Физическая химия тугоплавких нестехиометрических соединений. М.: Наука. 1991. 286 с.
  198. В.Ф., Маскаева Л. Н., Китаев Г. А. Прогнозирование состава твердых растворов CdrPbi-jS при химическом осаждении из водных растворов // Неоган. материалы. 2000. Т. 36. № 12. С. 1421−1423.
  199. А. В., Сипавина Л. В. Рентгенометрические параметры твердых растворов / Справочник. М.: Наука, 1982. 171 с.
  200. Sadanaga R., Sueno S. X-ray study on the a /3 transition of Ag20 // Mineralog. J. 1967. V.5. P. 124−148. (in Japanese)
  201. В. С., Таусон В. Л., Акимов В. В. Геохимия твердого тела. М.: ГЕОС, 1997. 500 с.
  202. К. ИК спектры и спектры КР неорганических и органических соединений. М.: Мир. 1991. С. 128, 256.
  203. Л. Н., Марков В. Ф., Гусев А. И. Температурный диапазон распада и дегидрадация пересыщенных твердых растворов CdxPbixS // Докл. Акад. наук. 2003. Т. 390. № 5. С. 639−643.
  204. Puiso J., Tamulevicius S., Laukaitis G., Lindroos S., Leskela M., Snitka V. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique // Thin Solid Films. 2002. V. 403−404. P. 457−461.
  205. H. X., Шелимова Л. E. Полупроводниковые материалы на основе соединений А^В71. М.: Наука. 1975. 195 с.
  206. Blakemore J. S. Solid State Physics. Second Edition. Cambridge: Cambridge University Press, 1987. 506 pp.
  207. B.M., Кельнер А. И., Соловьев A.M. // Кристаллография. 1957. T.2. № 4. С. 947.
  208. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции. М.: Наука. 1987. 345 с.
  209. Е. Фотопроводимость в дальней инфракрасной области: Пер. с англ. М.: Наука. 1967. С.82−151.
  210. В.И., Немов С. А., Равич Ю. И., Дереза А. Ю. Особенности компенсации донорного действия в теллуриде свинца // Физика и техн. полупроводников. 1985. Т. 9. № 10. С. 1857−1860.
  211. В.Р. Оксиды азота в дымовых газах котлов. М.: Энергоиздат. 1987. 144 с.
  212. Ю.Г. Курс коллоидной химии. (Поверхностные явления и дисперсные системы): учебник для вузов. М.: Химия. 1982. 400 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!