Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Импульсная радиационно-стимулированная проводимость галогенидов серебра

ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В связи с вышеизложенным, целью данной работы было исследование импульсной радиационно-стимулированной проводимости AgBr и АгП при возбуждении нано и пикосекундными импульсами электронного ускорителя. С целью обнаружения каких либо особенностей в импульсной проводимости А? Вг и AgCl, по сравнению с классическими ионными кристаллами, которые можно было бы связать с проблемой аномально высокого… Читать ещё >

Импульсная радиационно-стимулированная проводимость галогенидов серебра (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Зонная структура и электронная проводимость AgBr и AgCl (обзор литературных данных)
    • 1. 1. Зонная структура
      • 1. 1. 1. Структура и собственные дефекты
      • 1. 1. 2. Зонная структура
      • 1. 1. 3. Экситонные переходы
      • 1. 1. 4. Свободные и автолокализованные экситоны и дырки
    • 1. 2. Электронная проводимость
      • 1. 2. 1. Дрейфовая и холловская подвижность
      • 1. 2. 2. Квантовый выход внутреннего фотоэффекта
      • 1. 2. 3. Средняя энергия радиационного создания электронно дырочной пары
    • 1. 3. Квантовый выход создания атомарного серебра в центрах скрытого изображения
    • 1. 4. Постановка задачи исследования
  • ГЛАВА 2. Техника и методика эксперимента
    • 2. 1. Объекты исследования
    • 2. 2. Экспериментальные установки для измерения импульсной проводимости галогенидов серебра
      • 2. 2. 1. Экспериментальная установка на базе наносекундного ускорителя
      • 2. 2. 2. Экспериментальная установка на базе пикосекундного ускорителя
      • 2. 2. 3. Блок импульсной подачи напряжения на образец
    • 2. 3. Методика обработки токовых импульсов
    • 2. 4. Измерение поглощенной дозы в образце и подбор конвертора
  • ГЛАВА 3. Импульсная проводимость
  • §-С1 при возбуждении наносекундными импульсами
    • 3. 1. Возбуждение наносекундными электронными импульсами
      • 3. 1. 1. Осциллограммы токовых импульсов
      • 3. 1. 2. Вольтамперные характеристики (ВАХ)
      • 3. 1. 3. Влияние полярности напряжения на форму токового импульса
    • 3. 2. Возбуждение наносекундными импульсами тормозного излучения
      • 3. 2. 1. Осциллограммы токовых импульсов
      • 3. 2. 2. Вольтамперные характеристики
    • 3. 3. Кинетика радиационно-стимулированной проводимости AgCl при наносекундном возбуждении
    • 3. 4. Основные результаты главы
  • ГЛАВА 4. Импульсная проводимость AgCl и AgBr при возбуждении пикосекундными импульсами тормозного излучения
    • 4. 1. Импульсная проводимость при Т = 300 К
      • 4. 1. 1. Осциллограммы токовых импульсов
      • 4. 1. 2. Вольтамперные характеристики
    • 4. 2. Кинетика радиационно-стимулированной проводимости при пикосекундном возбуждении
    • 4. 3. Температурная зависимость радиационно-стимулированной проводимости
      • 4. 3. 1. Общий характер температурной зависимости
      • 4. 3. 2. Расчет температурной зависимости дрейфовой подвижности
    • 4. 4. Основные результаты главы
  • ГЛАВА 5. Анализ аномалий в импульсной проводимости AgCl и AgBr
    • 5. 1. Анализ некоторых актуальных проблем метода
      • 5. 1. 1. Подход «физики твердого тела»
      • 5. 1. 2. Подход «ионизационной камеры»
        • 5. 1. 2. 1. Смещение единичного электрона
        • 5. 1. 2. 1. 1. Теорема Рама-Шокли
        • 5. 1. 2. 1. 2. Работа по перемещению заряда
        • 5. 1. 2. 1. 3. Энергия заряженного конденсатора и ток смещения
        • 5. 1. 2. 1. 4. Влияние начального положения электрона
        • 5. 1. 2. 2. Однородное возбуждение образца S-образным импульсом ионизирующего излучения (ИИ)
        • 5. 1. 2. 2. 1. Блокирующие контакты
        • 5. 1. 2. 2. 2. Омические контакты
    • 5. 2. Аномальное нарастание проводимости
    • 5. 3. Анализ аномалий в амплитуде токовых импульсов
      • 5. 3. 1. Оценка концентрации электронов, создаваемых возбуждающим импульсом
      • 5. 3. 2. Оценка концентрации электронов регистрируемых в токовом импульсе
    • 5. 4. Оценка средней энергии создания электронно-дырочной пары
    • 5. 5. Основные результаты главы

Состояние вопроса и актуальность проблемы.

Проблема уникальной фотографической чувствительности галогени-дов серебра на протяжении, по крайней мере, полувека привлекала пристальное внимание исследователей [1−4]. Наиболее принципиальным и физически интересным вопросом при этом был и остается вопрос о природе и особенно механизме образования центров скрытого изображения-ЦСИ [5].

Считается установленным, что центр скрытого изображения состоит из небольшого количества атомов серебра, по различным оценкам от нескольких атомов до нескольких десятков атомов [5,6].

В настоящее время насчитывается не менее десятка «общепринятых» механизмов образования ЦСИ [4−6]. Все эти механизмы включают чередование электронных и ионных процессов и в той, или иной степени опираются на основополагающие идеи Мотта [7], Митчелла [8], Френкеля [9, 10]. Во всех этих механизмах начальной стадией процесса является внутренний фотоэффект, запускающий цепочку процессов, приводящих к образованию ЦСИ [5]. Поразительной является эффективность этой цепочки процессов. Квантовый выход, то есть число атомов серебра в ЦСИ, образующихся при поглощении одного фотона, может достигать Г| =0,5−1 [4, 5]. Такой эффективности не удается достигнуть даже в более простом процессе — в рекомбинационной люминесценции [11−13].

Действительно, Г| = 1 предполагает отсутствие конкурирующих каналов, что в реальных кристаллах практически недостижимо. Однако в действительности ситуация с квантовой эффективностью образования атомов серебра в ЦСИ является еще более драматической. Анализ обширного экспериментального материала, проведенный В. Л. Картужанским [14], позволил сделать вывод, что в ряде случаев величина г| составляет несколько единиц! Кроме того, анализ результатов по фотопроводимости AgHal, приведенный П. В. Мейкляром [4], привел автора к выводу, что квантовый выход фотопроводимости в этих системах также может превышать единицу. Подчеркнем, что речь идет о квантовом выходе, а не о квантовой эффективности проводимости, включающей хорошо известный эффект «усиления фотопроводимости» [15−18].

Эти факты позволяют предположить, что особенности галогенидов серебра, обуславливающие их уникальную фотографическую чувствительность, могут быть связаны не только с инерционными стадиями процесса образования ЦСИ, включающими ионные процессы, но и с ранними электронными стадиями.

Наиболее простым и достаточно информативным методом изучения этих стадий является исследование импульсной проводимости с достаточно высоким (нано и пикосекундным) временным разрешением [19, 20].

Именно это обстоятельство и послужило основанием для постановки данной работы.

Цель работы.

В связи с вышеизложенным, целью данной работы было исследование импульсной радиационно-стимулированной проводимости AgBr и АгП при возбуждении нано и пикосекундными импульсами электронного ускорителя. С целью обнаружения каких либо особенностей в импульсной проводимости А? Вг и AgCl, по сравнению с классическими ионными кристаллами [21−24], которые можно было бы связать с проблемой аномально высокого квантового выхода атомарного серебра в ЦСИ.

Задачи работы.

Достижение поставленной цели потребовало решения следующих конкретных задач.

1. Исследование кинетики импульсной проводимости AgBr и AgCl при наносекундном возбуждении.

2. Исследование кинетики импульсной проводимости А§ Вг и AgCl при пикосекундном возбуждении.

3. Сопоставление полученных результатов с данными для классических ионных кристаллов и анализ существенных различий в случае их обнаружения.

Научная новизна,.

К моменту начала настоящих исследований имелся большой объем данных по фотопроводимости А? На1 при стационарном возбуждении [4]. Импульсная проводимость исследовалась только в 5(К60 годы в связи с проблемой кристаллических счетчиков [25, 26]. Такая постановка задачи, а также уровень измерительной техники того времени обусловил невысокое временное разрешение регистрирующей аппаратуры (~1мкс) [27, 28].

В связи с вышеизложенным, все данные по импульсной проводимости А§ На1, с нано и пикосекундным временным разрешением, полученные в нашей работе, а также сделанные на их основании выводы являются новыми.

Основные результаты.

1. Получены экспериментальные данные по кинетике импульсной радиа-ционно-стимулированной проводимости AgBr и AgCl в пико и наносекундном диапазоне в широкой температурной области (12-КЗОО К).

2. Обнаружены аномалии в импульсной проводимости AgHal, резко отличающие импульсную проводимость этих систем от импульсной проводимости классических ионных кристаллов: а) проводимость А§ Вг и AgCl при пикосекундном возбуждении нарастает в течении нескольких наносекунд, после окончания возбуждающего импульсаб) амплитуда импульса проводимости А? Вг и А§ С1 значительно (по крайней мере, на 2 порядка!) превышает амплитуду импульсов проводимости классических ионных кристаллов в аналогичных условияхв) сопоставление амплитуды импульсной проводимости AgBr при пикосекундном возбуждении с данными дозиметрических измерений показывает, что число электронов, регистрируемых по проводимости, значительно (~ на порядок!) превышает число электронов, создаваемых в образце возбуждающим импульсом.

3. Анализ обнаруженных аномалий показывает, что в исследуемых системах идет неизвестный ранее процесс размножения электронных возбуждений длительностью ~ 1СГ9 с.

4. Размножение электронных возбуждений в AgBr и А§ С1, обнаруженное в работе, носит, по-видимому, цепной характер и может быть причиной аномального квантового выхода фотопроводимости (г| > 1) и одной из причин рекордной фотографической чувствительности этих материалов. Это положение на данном этапе исследований является гипотезой.

Научная и практическая значимость.

Научная значимость работы определяется обнаружением аномалий в импульсной проводимости AgHal, свидетельствующих о наличии в этих системах нового механизма размножения электронных возбуждений.

Практическая значимость определяется возможностью использования обнаруженных явлений при разработке и совершенствовании фотоматериалов.

На защиту выносятся:

1. Экспериментальные данные по кинетике импульсной радиационно-стимулированной проводимости AgBr и AgCl в нано и пикосекундном диапазоне в температурном интервале 12−300 К.

2. Обнаружение аномалий в кинетике и амплитуде импульсной радиаци-онно-стимулированной проводимости AgBr и AgCl: а) нарастание проводимости после прекращения возбуждающего импульсаб) аномальная амплитуда токовых импульсов, соответствующая концентрациям электронов, значительно превышающим концентрации, создаваемые возбуждающим импульсом.

3. Вывод о связи обнаруженных аномалий с процессом размножения электронных возбуждений длительностью ~ 10″ 9 с, отличающихся по своей природе от известных процессов ударного размножения, характерное.

1 J время которого «10» «с.

Объем и структура.

Диссертация содержит 128 страниц печатного текста, включающего 49 рисунков, 3 таблицы и список цитируемой литературы, состоящий из 119 названий.

Диссертация состоит из введения, 5 глав и заключения. Первая глава содержит обзор литературных данных по зонной структуре и электронной проводимости AgCl и AgBr, которые необходимы для формулировки задачи исследования и анализа полученных результатов.

Основные результаты работы, вынесенные на защиту сводятся к следующему:

1. Получены экспериментальные данные по кинетике импульсной радиа-ционно-стимулированной проводимости AgBr и AgCl в пико и наносекундном диапазоне в широкой температурной области (12-КЗОО К).

2. Обнаружены аномалии в импульсной проводимости AgHal, резко отличающие импульсную проводимость этих систем от импульсной проводимости классических ионных кристаллов: а) проводимость AgBr и А? С1 при пикосекундном возбуждении нарастает в течении нескольких наносекунд, после окончания возбуждающего импульсаб) амплитуда импульса проводимости А§ Вг и AgCl значительно (по крайней мере на 2 порядка!) превышает амплитуду импульсов проводимости классических ионных кристаллов в аналогичных условияхв) сопоставление амплитуды импульсной проводимости AgBr при пикосекундном возбуждении с данными дозиметрических измерений показывает, что число электронов, регистрируемых по проводимости, значительно (~ на порядок!) превышает число электронов, создаваемых в образце возбуждающим импульсом.

3. Анализ обнаруженных аномалий показывает, что в исследуемых системах идет неизвестный ранее процесс размножения электронных возбуждений длительностью ~ 10″ 9 с.

4. Размножение электронных возбуждений в AgBr и А§ С1, обнаруженное в работе, носит, по-видимому, цепной характер и может быть причиной аномального квантового выхода фотопроводимости (г| > 1) и одной из причин рекордной фотографической чувствительности этих материалов. Это положение на данном этапе исследований является гипотезой.

Продолжение исследований, начатых в данной работе, наиболее целесообразно проводить в следующих направлениях.

1. Дополнение измерений импульсной проводимости синхронным измерением люминесценции и оптического поглощения.

2. Проведение аналогичных исследований при импульсном фотовозбуждении.

3. Поиск аналогичных эффектов в других широкощелевых системах.

4. Разработка моделей (на первом этапе хотя бы спекулятивных!) цепного размножения электронно-дырочных пар.

ОТ АВТОРА.

Автор выражает глубокую и искреннюю благодарность научным руководителям д.ф.-м.н., зав. каф. физической химии КемГУ профессору Алукеру Эдуарду Давыдовичу и д.ф.-м.н., зав. лаб. физико-химии быстро-протекающих процессов ПНИЛ СТТ КемГУ Адуеву Борису Петровичу за постановку задач, постоянное внимание, всестороннюю помощь в работе и большую моральную поддержку.

Хочется выразить благодарность с.н.с. ПНИЛ СТТ КемГУ Швайко Вячеславу Николаевичу за помощь в проведении экспериментов и работе над диссертацией.

Искренне благодарю к.ф.-м.н., с.н.с. ПНИЛ СТТ КемГУ Белокурова Геннадия Михайловича за большую помощь в подготовке экспериментов, к.ф.-м.н., докторанта КемГУ Кречетова Александра Георгиевича, аспиранта КемГУ Митрофанова А. Ю., аспиранта Дробчика А. Н., аспиранта Тупи-цина Е.В. за помощь в проведении экспериментов.

Автор сердечно благодарит Наумкину Ирину Павловну за моральную поддержку, оказанные в период работы над диссертацией.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Целью данной работы являлось исследование импульсной радиаци-онно-стимулированной проводимости AgHal при возбуждении нано и пи-косекундными импульсами электронного ускорителя. При этом автор надеялся обнаружить какие-либо особенности в импульсной проводимости AgHal, по сравнению с классическими ионными кристаллами [78, 79], которые можно было бы связать с проблемой аномально высокого квантового выхода атомарного серебра в ЦСИ.

Достижение этой цели потребовало решения следующих конкретных задач.

1. Исследование кинетики импульсной проводимости AgBr и AgCl при наносекундном возбуждении.

2. Исследование кинетики импульсной проводимости AgBr и AgCl при пикосекундном возбуждении в температурном интервале 12300 К.

3. Сопоставление полученных результатов с данными для классических ионных кристаллов и анализ существенных различий в случае их обнаружения.

4. Анализ обнаруженных аномалий в импульсной проводимости AgBr и АёС1.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж.У. Фотографическая чувствительность//Успехи физическихнаук. -1959. -T.LXVII, В. 2, -С, 293−337- -1959. -T.LXVII, В. 3, -С. 505 541.
  2. Т.Х., Миз К. Теория фотографического процесса. Пер. с англ. под ред. Картужанского A.JI. и Свинцова В. Н. -JL: Химия. 1973, -576с.
  3. Физические основы фотографической чувствительности/Под ред. К.В.
  4. Чибисова. -М.: Изд-во иностр. лит. 1953, -412с.
  5. П.В. Физические процессы при образовании скрытого фотографического изображения. -М.: Наука. 1972, -400с.
  6. Hamilton J. F. The silver holide photographic process//Advances in Physics.1988. -V. 37, № 4. -P. 359−441.
  7. К.В. Природа фотографической чувствительности. -ML: Наука.1980, -404с.
  8. Moot Н, Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. Пер. сангл. -М.: Изд-во иностр. лит. 1960, -304с.
  9. Mitchell J. W. Fundamental mechanisms of photographic sensitivity. -London,-1951.-P. 242.
  10. Frenkel J. Some remarks on the theory of the photoelectric effect//Phys. Rev.-1931. -V. 38. -P. 309−320.
  11. Frenkel J. On pre-breakdown phenomena in insulation and electronics semi-conductor//Phys. Rev. -1938. -V. 54. -P. 647−648.
  12. Д. Люминесценция кристаллов. Пер. с фр. -М.: Изд-во иностр. лит. 1961. -200с.
  13. Фок М. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. -М.: Наука. 1964. -283 с.
  14. Антонов Романовский В. В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров. -М.: Наука, 1966. -324с.
  15. Кортужанский A. J1., Кехва Т. Э., Плаченов Б. Т. и др. Термодинамическое равновесие дефектов и запись оптической информации в галоге-нидах серебра//Изв. СО АН СССР сер. хим. наук -1982. -Вып. 6. -С.22−27.
  16. А. Введение в теорию фотопроводимости. -М: Мир. 1966. -142с.
  17. B.C. Действие излучения на полупроводники. -ML: Физматгиз. 1963. -264с.
  18. Аут И., Генцов Д., Герман К. Фотоэлектрические явления. Пер. с нм. -М.: Мир. 1980. -208с.
  19. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. Пер. с англ. -М.: Мир. 1984. -718с.
  20. Высокоэнергетическая электроника твердого тела. Под ред. Д.И. Вайс-бурда. -Н.: Наука. 1982. -227с.
  21. Э.Д., Гаврилов В. В., Дейч Р. Г., Чернов С. А. Быстропротекаю-щие радиационно-стимулированные процессы в щелочногалоидных кристаллах. -Рига: Зинатне. 1987. -183с.
  22. Aduev В.P., Aluker E.D., Belokurov G.M., Shvayko V.N. Radiation-Stimulated Conductivity of Some Alkali Halides Induced by 50 ps Electron Pulse Irradiation//Physica Status Solidi (b). -1998. -V .208. P. 137−143.
  23. .П., Алукер Э. Д., Фомченко В. М., Швайко В. Н. Радиационно-стимулированная импульсная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа NaCl/ADTT. 2001. — Т.43, № 2. — С. 246−247.
  24. Э., Нейерт Г. Счетчики излучений. Пер. с нем. -М: Гос. изд. лит. в обл. атомной науки и техники. 1961. -404с.
  25. Дж., Нортрон Д. Полупроводниковые счетчики ядерных излучений. Пер. с англ. -М.: Мир. 1966. -360с.
  26. Hofstadter R. Crystal counters//Nucleonics. -1949, -V. 4, № 5.-Р. 29.
  27. Voorhis H.G., Street J.С. Star production by negative |i-mesons in a AgCl//Phys. Rev. -1949. -V. 76. -P. 1100.
  28. Berry С. B. Lattice defects in silver bromide//Phys. Rev. -1951. -V. 82, -P. 422.
  29. А. Ионная проводимость ионных кристаллов. -М.: Изд-во иностр. лит. 1962, -222с.
  30. О., Тельтов И. Два новых экспериментальных доказательства существования смешанных дефектов и их ассоциации в бромиде сереб-ра./Физические основы фотографической чувствительности/Под ред. К. В. Чибисова. -М.: Изд-во иностр. лит. 1953, -С. 73−78.
  31. Schulman J., Compton D. Color Centers in Alkali Halides. New York: Pergamon Press. 1963.
  32. Ч.Б. Электронные возбуждения и электронные процессы в лю-минесцирующих ионных кристаллах//Труды ИФА АН ЭССР. -1966.-№ 31, -С. 19−83.
  33. Ч.Б., Денкс В. П., Ильмас Э. Р. и др. Электронные возбуждения ионных кристаллов и явления фото-, катодо- и радиолюминесцен-ции//Труды ИФА АН ЭССР. -1966, — № 34, -С. 89−114.
  34. Brandt R., Brown F. Induced infrared absorption due to bound charge in the silver halides//Phys. Rev. -1969. -V. 181. -P. 1241−1250.
  35. Sakuradi S., Kanzaki H. Identification of shallow electron centers in silver halides//Phys. Rev. Letters. -1977. -V. 38, -P. 1302−1305.
  36. ICunz A.B. Electronic structure of AgF, AgCl, AgBr//Phys. Rev. (b), -1982. -V. 26, -P. 2070−2075.
  37. Gordienko А.В., Zhuravlev Yu.N., Poplavnoi A.S. Electronic structure of AgCl, AgBr, and Agl//Physic Status Solid (b). -1991. -V. 168. -P. 149−155.
  38. Bassani F.R., Knox R.S., Fowler W.B. Band structure and electronic properties of AgCl and AgBr//Phys. Rev. -1965. -V. 137, № 4(a). -P. 12 171 225.
  39. Osten W., von der. Electronic properties of silver halides. Lecture held at: Int. Symp. On the Physics of Latent Image Formation in Silver Halides. -Trieste, 1983.
  40. E.B., Вацанов С. С. Эффективные заряды на атомах в кристаллах неорганических соединений//Журнал. структур, химии. -1983. -Т. 10, Вып. 1,-С. 154−156.
  41. Ermoshkin A.N., Evarestov R.A., Kuchinskii S.A., Zakharov V.K. The quasi-molecular approach to the electronic structure calculations for silver and capper halides//Physic Status Solid (b). -1983. -V. 118. -P. 191−203.
  42. Tejeda J., Shevchik N.J., Braun W., Goldman A. Valence bands of AgCl and AgBr: uv photoemission and theory//Phys. Rev. (b), -1975.-V. 12, -P. 15 571 566.
  43. M.M. О собственном поглощении в галоидном сереб-ре//ЖНиПФиК. -1959. -Т. 4, № 5. -С.329−332.
  44. Urbach F. The long wavelength edge of photographic sensitivity and of absorption of solids//Phys. Rev. -1953. -V. 92. -P. 1324.
  45. П.В. Фундаментальное поглощение галогенидов сереб-ра//ФТТ. -1962. -Т. 4, № 1. -С. 148−153.
  46. Агату F., Maxia., Spano G. Depth of electron traps in silver halides by the thermoluminescence spectra method//J. Fuminescence. -1974. -V. 9, № 2. -P. 104−112.
  47. А.Г., Кехва Т. Э., Плаченов Б. Т. Возбуждение люминесценции бромида серебра непрямыми экситонами/Юптика и спектроскопия. -1984. -Т. 56, Вып. 3. -С. 565−670.
  48. А.Г., Кехва Т. Э., Окунева Н. М., Плаченов Б. Т., Церковный С. И. Роль френкелевских дефектов в термо- и радиационно-стимулированных процессах в бромиде серебра//ФТТ. -1983. -Т. 25, Вып. 12. -С. 3698−3700.
  49. Osten W., von der. Electronic properties of silver halides. Physics of Polar Semiconductors and Ionic Crystals. -Int. And. Study Inst., Antwerp. 1982.
  50. Osten W., von der., Weber I. Exciton recombination in silver bromide//Solid State Commun. -1974. -V.14. -P. 1133−1137.
  51. Ч.Б., Куусман И. Л., Плеханов В. Г. Люминесценция ионных кристаллов с автолокализующимися экситонами, дырками и электро-нами//Изв. АН СССР. Сер. физ. -1979. -Т.43, № 6. -С. 1162−1168.
  52. Hayes W. ODMR of silver halides using recombination radiation//Semicond. Insul. -1983. -V. 5, № 3−4. -P. 533−542.
  53. Kabler M. N., Patterson D. A. Evidence for a triplet state of the self-trapped exciton in alkali-halide crystals// Phys. Rev. Lett. -1967. -V. 19. -P. 652−655.
  54. Д.К., Григорьев Л. Г., Котомин E.A. и др. Радиационно-стимулированные процессы в кристаллах и световодах из галогенидов серебра. ЛГУ им П. Стучки, -Рига, 1988. -70 с.
  55. В.М., Барда Н. Г., Долбинова Э. А. и др. Электронные возбуждения, люминесценция и образование скрытого изображения в галогени-дах серебра//ЖНиПФиК. -1959. -Т. 23, № 6. -С.329−332.
  56. Smith G. S. Luminescence and Photoconductivity in Silver Halides//Phys. Rev. -1965. -V. 140. -P. A221-A226.
  57. Картужанский А. Л, Кудряшова Л. К., Резников В. А. и др. Спектроскопия структурного фазового перехода и размерных эффектов в микрокристаллах галогенидов серебра/Юптика и спектроскопия. -1990. -Т. 69. -Вып. 6. -С.1323−1328.
  58. Brown F. Electron mobility in AgCl//Phys. Rev. -1957. -V. 108, № 2. -P. 281−284.
  59. Masumi Т., Anrenkiel R.K., Brown F. Holl mobility of slow electrons in AgCl//Phys. stat. sol. -1965. -V. 11. -P. 163−174.
  60. Haynes J.R., Shockley W. The mobility of electrons in silver chloride//Phys. Rev.-1951.-V. 82.-P. 935−943.
  61. Р. Фотопроводимость твердых тел. М: Изд-во иностр. лит. 1962. -360с.
  62. Van Heyningen R.S. Electron drift mobility in silver chloride//Phys. Rev. -1962.-V. 128.-P. 2112−2118.
  63. E.K., Мейкляр П. В. Фотоэлектрические и оптические свойства кристаллов галоидного серебра//ЖЭТФ. -1951. -V. 21. -Р. 341−349.
  64. Brown F. Temperature dependence of electron mobility in AgCl//Phys. Rev. -1955. -V. 97. -P. 355−362.
  65. Van Heyningen R.S., Brown F. Transient photoconductivity in silver chloride at lowtemperatures//Phys. Rev. -1958. -V. 111. -P. 462−471.
  66. Burnham D.C., Brown F., Knox R.S. Electron mobility and scattering processes in AgBr at low temperatures//Phys. Rev. -1960. -V. 119. -P. 15 601 570.
  67. Brown F., Wainfan N. Photolytic darkening and electronic range in AgCl//Phys. Rev. -1957. -V. 105. -P. 93−99.
  68. O.B., Дарзнек С. А., Елисеев П. Г. Полупроводниковые лазеры. М.: Наука. 1976. -415с.
  69. Э.Р., Лущик Ч. Б. Элементарные процессы размножения электронных возбуждений в ионных кристаллах//Труды ИФА АН ЭССР. -1966. -№ 34. -С. 5−29.
  70. Э.Д., Лусис Д. Ю., Чернов С. А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. -251с.
  71. Pang Y., Vasil’ev A.N., and Mikhailin V.V. Theory of x-ray photoacoustic spectroscopy//Appl. Phys. (a). -1995. -V. 60. -P. 333.
  72. Pang Y., Vasil’ev A.N., and Mikhailin V.V. Density of the generalized oscillator strength of atomic hydrogen: A semiclassical approach/Phys. Rev. (a). -1998. -V. 58. -P. 3683.
  73. Vasil’ev A.N., Fang Y., and Mikhailin V.V. Impact production of secondary electronic excitations in insulators: multiple-parabolic-branch band model. Препринт НИИЯФ МГУ 99−12/570.
  74. A.A., Михайлов В. Н., Стаселько Д. И. и др. Исследование образования скрытого изображения в галогенсеребряных эмульсиях при освещении моноимпульсами актиничного и неактиничного лазерного из-лучения//ЖНиПФиК. -1985. -Т. 30. -В. 6. -С.450−454.
  75. .П., Белокуров Г. М., Швайко В. Н. Релаксация проводимости Csl после возбуждения субнаносекундными импульсами электро-нов//ФТТ. -1995. -Т. 37, № 8. С.2537−2539.
  76. .П., Фомченко В. М., Швайко В. Н. Пикосекундная радиацион-но-индуцированная проводимость щелочногалоидных кристаллов с решеткой типа ЫаС1//Известия ТПУ, -2000. -Т. 303, № 2. -С. 26−34.
  77. Ю.И. Краткий справочник по фотографическим процессам и материалам. -М.: Искусство, 1990. -352с.
  78. .М., Месяц Г. А., Шпак В. Г. Генератор высоковольтных субнаносекундных электронных пучков//ПТЭ. -1976, № 6. -С. 73−76.
  79. В.И., Москвичев В. А. Генератор быстрых электронов субна-носекундной длительности//ПТЭ. -1985, № 5. -С. 143−145.
  80. .П., Фомченко В. М., Швайко В. Н. Влияние температуры на импульсную проводимость кристалла КС1 при возбуждении пикосекунд-ными пучками электронов//ФТТ. 1999. — Т. 41, № 3. — С. 429−430.
  81. А.И., Казанский Ю. А., Матусевич Е. С. Основы экспериментальных методов ядерной физики. -М.: Атомиздат, 1977. -525с.
  82. Tabata Т., Itoh R., Okaba S. Generalised Semiempirical Egnations for the Extapolated Range of Electrons//Nucl. Instr. End Meth. -1972. -V. 103. -P. 85−91.
  83. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Сечкарев Б. А. Фомченко В.М. Аномальная кинетика импульсной проводимости AgBr/ЛГез. докл. конф.: I Всероссийский симпозиум «Твердотельные детекторы ионизирующих излучений». -Екатеринбург, 1997. -С. 6.
  84. В.М., Швайко В. Н. Импульсная радиационно-стимулиро-ванная проводимость монокристаллов AgBr//Teз. докл. 10-ой Межд. конф. «Радиационная физика и химия неорганических материалов». -Томск, 1999. -С.319−320.
  85. В.М., Швайко В. Н. Импульсная проводимость кристаллов А§ С1 при пикосекундном рентгеновском возбуждении/ЛГруды I Всероссийской научной молодежной школы молодых ученых «Радиационная физико-химия неорганических материалов». -Томск, 1999. -С. 114.
  86. .П., Алукер Э. Д., Алукер Н. Л., Белокуров Г. М., Фомченко В. М., Швайко В. Н. Импульсная радиационно-стимулированная проводимость бромида серебра//ЖниПФ. -2000. -Т. 45, № 3. -С. 59−65.
  87. В.М., Швайко В. Н. Импульсная радиационно-индуцирован-ная проводимость А§ На1 при пикосекундном рентгеновском возбужде-нии//Материалы Уральского семинара «Сцинтилляционные материалы и их применение». -Екатеринбург, 2000. -С. 56−58.
  88. .П., Алукер Э. Д., Фомченко В. М., Швайко В. Н. Аномальная импульсная проводимость бромида серебра//Письма в ЖТФ, -2001. -Т. 27, № 7. -С.63−67.
  89. .П., В.Н. Швайко. Неравновесная проводимость кристаллов АЬОз при возбуждении импульсами электронов//1 Всероссийский симпозиум по твердотельным детекторам ионизирующих излучений ТТД-97. -Екатеринбург, 1997. -С. 15−16.
  90. .П., Алукер Э. Д., Швайко В. Н. Радиационно-индуцированная проводимость кристаллов а-А1203//ФТТ. 1997. — Т. 39, № 11.- С. 19 951 996.
  91. Aduev В.P., Aluker E.D., Belokurov G.M., and Shvayko V.N. Radiation-Stimulated Conductivity of Some Alkali Halides Induced by 50 ps Electron Pulse Irradiation//Phys. stat. sol. (b). 1998. -V. 208. -P. 137−143.
  92. Collinge В. Hydrogen filled Geiger counter//Proc. Phys. Soc. -1950. -V. 63. -P. 665.
  93. Высокоэнергетическая электроника твердого тела/Под ред. Д.И. Вайс-бурда. -Н.: Наука. -1982. -227с.
  94. Физический энциклопедический словарь. -М.: Советская энциклопедия. -1984. С. 697, 762.
  95. М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. -М.: Мир. 1973. -416с.
  96. С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: Гос. изд. физ. мат. лит. 1963. -495с.
  97. Физика электролитов. Под ред. Дж. Хладик. пер. с англ. -М.: Мир. 1978. -556с.
  98. Ф. Физика электронной проводимости в твердых телах. -М.: Мир. 1971. -470с.
  99. Aduev В.Р., Aluker E.D., Belokurov G.M., Krechetov A.G. Kinetics of explosive decomposition of silver azide iniated by a laser pulse// Chem. hys. Reports, -1997. -V. 16, № 8. -P. 1479−1487.
  100. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Захаров Ю. А., Кречетов А. Г. Взрывное разложение азидов тяжелых металлов//ЖЭТФ. -1999. -Т.116, Вып. 5(11). -С.1676−1693.
  101. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Кречетов А. Г., Митрофанов А. Ю. Кинетика предвзрывной проводимости азида серебра//Письма в ЖТФ. -1999. -Т.25, Вып. 22. -С.44−48.
  102. Aduev В.Р., Aluker E.D., Kuklja М.М., Kunz A.B., Younk E.H. Luminescence of Lead Azide Induced by the Electron Accelerator Pulse//J. of Luminescence. -2000. -V. 91, № 1−2. -P. 41−48.128
  103. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Дробчик А. Н., Захаров Ю. А., Кречетов А. Г., Митрофанов А. Ю. Предвзрывные явления в азидах тяжелых металлов//Физика горения и взрыва. -2000. -Т.36, № 5. -С.78−89.
  104. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Дробчик А. Н., Кречетов А. Г. Кинетика предвзрывной люминесценции AgN3//XII симпозиум «Химическая физика процессов горения и взрыва». -Черноголовка, 2000, Ч. 3. -С.79−80.
  105. .П., Алукер Э. Д., Белокуров Г. М., Дробчик А. Н., и др. Закономерности развития взрыва азидов тяжелых металлов//Известия ТПУ. -2000, -Т. 303, Вып. 2. -С. 92−103.
  106. H.H. О некоторых проблемах химической кинетики и релаксационной способности. -М.: Изд. АН СССР. 1958. -682с.
  107. .П. Быстропротекающие процессы в щелочно-галоидных кристаллах и азидах тяжелых металлов при импульсном возбуждении. Ав-тореф. док. дис. физ.-мат. наук. -Кемерово, 1999. -48с.
  108. Физические величины/Справочник под ред. Григорьева И. С., Мейли-хова Е.З. -М.: Энергоатомиздат. 1991. -1230с.
Заполнить форму текущей работой