Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Компьютерное моделирование физических эффектов в кремниевых силовых диодах Шоттки

Диссертация: Компьютерное моделирование физических эффектов в кремниевых силовых диодах Шоттки
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Публикации. Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 8-и печатных работах в виде статей и тезисов докладов. В совместных работах автору принадлежат результаты численного моделирования и экспериментальные результаты. Разработка программы моделирования осуществлялись совместно с доц. Прокопьевым А. И. Определение направления исследований, обсуждение результатов и подготовка… Читать ещё >

Компьютерное моделирование физических эффектов в кремниевых силовых диодах Шоттки (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СПИСОК ОБОЗНАЧЕНИЙ
  • ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ РАБОТЫ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ
    • 1. 1. Теории токо прохождения через барьер Шоттки
      • 1. 1. 1. Силы зеркального изображения и снижение барьера
      • 1. 1. 2. Диффузионная теория
      • 1. 1. 3. Теория термоэлектронной эмиссии
      • 1. 1. 4. Теория термоэмиссии-диффузии
    • 1. 2. Неосновные носители в диодах Шоттки и модуляция проводимости базы
    • 1. 3. ¿//-переход и низкоомная подложка
    • 1. 4. Переходные процессы в диодах Шоттки
    • 1. 5. Методы определения параметров диодов Шоттки
      • 1. 5. 1. Определение параметров диодов по ВФХ
      • 1. 5. 2. Определение параметров диодов по ВАХ
    • 1. 6. Моделирование полупроводниковых структур
  • Выводы по первой главе
  • ГЛАВА 2. ЧИСЛЕННАЯ МОДЕЛЬ ДИОДА ШОТТКИ
    • 2. 1. Система уравнений и методы дискретизации
    • 2. 2. Модели физических параметров
      • 2. 1. 1. Подвижность носителей заряда
      • 2. 1. 2. Темп генерационно-рекомбинационных процессов
      • 2. 1. 3. Эффективная ширина запрещенной зоны и собственная концентрация носителей
    • 2. 3. Метод решения
    • 2. 4. Постановка задачи
  • Выводы по второй главе
  • ГЛАВА 3. РЕЗУЛЬТАТЫ МОДЕЛИРОВАНИЯ ХАРАКТЕРИСТИК СИЛОВОГО ДИОДА ШОТТКИ
    • 3. 1. Статические характеристики силового диода Шоттки
      • 3. 1. 1. Область базы и граничное условие на омическом контакте
      • 3. 1. 2. Обратный контакт и подложка
    • 3. 1.3 Коэффициент инжекции
      • 3. 1. 4. Скорость рекомбинации
      • 3. 2. Динамические характеристики силового диода Шоттки
      • 3. 3. Границы применимости аналитических моделей силового диода Шоттки
      • 3. 3. 1. Модель Шарфеттера
      • 3. 3. 2. Модели Чуанга и Нга
  • Выводы по третьей главе
    • ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ВЕРИФИКАЦИЯ ЧИСЛЕННОЙ МОДЕЛИ
  • 4. 1. ВФХ диодов Шоттки
  • 4. 2. ВАХ диодов Шоттки
  • Выводы по четвертой главе

    • Актуальность темы

    В начале 80-х годов в отечественной и зарубежной микроэлектронике окончательно выделилось и оформилось в самостоятельное направление производство силовых полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Это направление, особенно в последнее время, приобрело устойчивую тенденцию к расширению класса выпускаемых микроэлектронных устройств и сейчас отличается многообразием их типов и направлений применения. Силовые диоды Шоттки (ДТТТ) являются перспективными быстродействующими элементами устройств силовой электроники. Несмотря на то, что эти приборы давно известны в электронике, производство и объем продаж силовых Д1П неуклонно возрастает, а конструкции и технология приборов продолжает развиваться. В частности, одно из важных применений этих приборовимпульсные блоки питания, где решающим фактором являются хорошие переключательные свойства. На мировом рынке полупроводниковых приборов силовые ДШ представлены такими известными фирмами, как International Rectifier, Motorola, Hitachi и другими. В условиях жесткой конкурентной борьбы возникает потребность в оптимизации параметров данных приборов. Конструирование конкурентоспособных приборов предполагает не только глубокое понимание физических процессов, протекающих в них, но и более того, порождает потребность в средствах адекватного количественного описания.

    К началу работы над диссертацией существовали три теории протекания тока непосредственно через барьер Шоттки (Шоттки, Бете и Кроуэлла-Зи). Было также установлено, что при высоких барьерах существует инжекция неосновных носителей, которая способна повлиять на прямое падение напряжения через эффект модуляции проводимости базы. Были опубликованы экспериментальные работы по модуляции проводимости базы, а также две аналитические модели, учитывающие данный эффект.

    Аналитический расчет становится возможным при ряде упрощающих предположений, г лавными из которых являются квазинейтральность базы и конечная скорость рекомбинации на омическом контакте. Численные модели требуют значительно меньших упрощений. Однако опубликованные численные модели рассматривали базу без подложки с омическим контактом с бесконечной скоростью рекомбинации. Возможное влияние подложки на электрические характеристики ДШ не было изучено. Между тем накопление неосновных носителей в базе влияет не только на формирование прямого падения напряжения, но и на динамические характеристики силового ДШ. Не было также численных расчетных оценок переключательных свойств ДШ.

    Поэтому настоящая работа посвящена изучению влияния изотопного п-п± перехода (¿-//-барьера) база-подложка, а также свойств самой подложки на электрические характеристики силового ДШ с помощью численных методик, поскольку этот вопрос ранее не изучался.

    Цель работы. На основании компьютерного численного эксперимента установить физические процессы, влияющие на электрические характеристики силовых ДШ в режиме высокого уровня инжекции, установить границы применимости упрощенных моделей, которые могут быть использованы в условиях массового производства для технологического контроля, и расширить границы их применимости. В соответствии с поставленной целью были сформулированы следующие основные задачи:

    1. Разработать компьютерную программу численного моделирования силового ДШ, основанную на решении системы дифференциальных уравнений диффузии-дрейфа носителей заряда в полупроводнике, отличающуюся высокой точностью и адекватностью в описании физических эффектов.

    2. Исследовать эффекты модуляции проводимости базы и поведение коэффициента инжекции при протекании через прибор высоких плотностей тока в прямом направлении.

    3. Исследовать влияние степени легирования и электрической толщины низкоомной подложки, а также ЬНперехода база-подложка на характеристики силового ДШ.

    4. Исследовать переходные процессы переключения в силовых ДШ при барьерах выше 0.7 эВ, находящихся в режиме высокого уровня инжекции.

    5. Произвести экспериментальную верификацию численной модели и ее программной реализации на силовых ДШ и структурах с барьером Шоттки с различными параметрами.

    6. Определить границы применимости упрощенных моделей, предназначенных для использования в автоматизированных тестерах для контроля параметров приборов в массовом производстве.

    Научная новизна диссертации состоит в следующем:

    1. Доказана роль ЬН-перехода база-подложка как отражательного барьера, определяющая прямое падение напряжения в режиме высокого уровня инжекции. Дано численное описание статических характеристик силового ДШ в присутствии модуляции проводимости базы.

    2. Установлено, что модуляция проводимости базы находится в зависимости от уровня инжекции, а не от коэффициента инжекции, и наиболее адекватным параметром для описания силовых ДШ является уровень инжекции.

    3. Установлено влияние электрофизических параметров подложки на прямое падение напряжения в типичных режимах работы и эффект модуляции проводимости базы силовых ДШ.

    4. Приведено численное описание переключательных свойств ДШ. Показана связь физико-топологических параметров диода с динамическими свойствами прибора.

    Практическая значимость. Полученные в работе новые результаты углубляют представления о физических процессах, протекающих в ДШ в режиме высокого уровня инжекции. Показано, что инжекция неосновных носителей в базу оказывает существенное влияние как на прямое падение напряжения, так и на переключательные характеристики приборов. Разработанная программа позволяет прогнозировать характеристики приборов в зависимости от физико-топологических параметров и может быть использована в процессе проектирования силовых ДШ. Программа также дает возможность определить границы применимости более простых моделей, а, следовательно, и режимы тестирования силовых ДШ. Это позволит рекомендовать те или иные методы и модели для использования на автоматических тестерах в массовом производстве для контроля выпускаемой продукции.

    Работа выполнялась в рамках госбюджетной темы кафедры «Полупроводниковая электроника» ВГТУ ГБ 34.96 «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах» и региональной научно-технической программы «Черноземье» на этапах 1996;1999 г. (распоряжение министерства науки и технической политики РФ № 686Ф от 24.04.96).

    Основные положения, выносимые на защиту. С помощью методики численного эксперимента установлены следующие физические закономерности:

    1. Низкоомная подложка, являясь неотъемлемой частью конструкции силового ДШ, оказывает существенное влияние на его электрические характеристики в режиме высокого уровня инжекции вследствие отражающей роли ¿-//-перехода база-подложка.

    2. Определяющим параметром модуляции проводимости базы является уровень инжекции, а не коэффициент инжекции.

    3. Низкоомная подложка способна влиять на прямое падение напряжения на структуре диода при токах порядка 100 А/см вследствие инжекции основных носителей в базу.

    4. Протекание переходных процессов в силовых ДШ определяется высотой барьера, степенью легирования и электрической толщиной базы при переключении из высокоинжекционного состояния для барьеров >0.72 эВ.

    Апробация работы. Результаты и положения работы докладывались и обсуждались на конференции «Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона» (Воронеж, 1997), Всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика — 98» (Зеленоград, 1998), Всероссийской научно-технической конференции «Микрои наноэлектроника — 98» (Звенигород, 1999), 4-й Всероссийской научно-технической конференции «Новые информационные технологии в научных исследованиях и образовании» (Рязань, 1999), а также на ежегодных отчетных научно-технических конференциях научно-преподавательского состава ВГТУ (Воронеж, 1997;1999).

    Публикации. Основные результаты, представленные в диссертации, опубликованы в 8-и печатных работах в виде статей и тезисов докладов. В совместных работах автору принадлежат результаты численного моделирования и экспериментальные результаты. Разработка программы моделирования осуществлялись совместно с доц. Прокопьевым А. И. Определение направления исследований, обсуждение результатов и подготовка работ к печати осуществлялись совместно с научным руководителем проф. Рембезой С. И. и доц. Прокопьевым А.И.

    Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы, включающего 110 наименований, и содержит 123 страницы печатного текста, 34 рисунка и 6 таблиц.

    ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

    Применение численных методик к силовым диодам Шоттки позволило получить следующие результаты и сделать выводы:

    1. При высотах барьера >0.72 эВ для кремниевых силовых ДШ характерна значительная инжекция неосновных носителей заряда и достижение режима высокого уровня инжекции. Величина прямого падения напряжения на открытом диоде определяется эффектом модуляции проводимости базы.

    2. Согласно результатам численного моделирования типичной структуры диода Шоггки, параметры подложки диода определяют его электрические характеристики, особенно в режиме высокого уровня инжекции при плотности тока более 10 А/см2. Отражательные свойства ¿-//-барьера база-подложка значительно влияют на эффект модуляции проводимости базы при высотах барьера >0.72 эВ.

    3. Модуляция проводимости базы инициирована неосновными носителями, скапливающимися в базе у ¿-//-барьера, что стимулирует повышение концентрации основных носителей. Несмотря на свою катализирующую роль, неосновные носители остаются почти неподвижными, и их вклад в суммарный ток не превышает единиц процентов при высотах барьера до 0.83 эВ, но может достигать величины 30% при высотах барьера порядка 0.9 эВ. Таким образом, эффект модуляции проводимости базы определяется в основном отношением концентраций носителей (уровнем инжекции), а не отношением токов (коэффициентом инжекции).

    4. Подложка, будучи наиболее низкоомной частью структуры, является источником основных носителей, и в этом качестве также определяет прямое падение напряжения. Расчеты показывают, что введение достаточно тонкой сильнолегированной подобласти, размещенной в любой части подложки, в частности со стороны омического контакта, снижает прямое падение напряжения. из.

    5. Накопление неосновных носителей в базе определяет не только прямое падение напряжения, но и динамику переключения прибора. Время переключения диода зависит от электрической толщины базы и высоты барьера и может составлять величину от 40 не для диодов с высотой барьера 0.7 эВ и до 100 не для высоты барьера порядка 0.9 эВ при значениях плотности прямого тока порядка 500 А/см2.

    6. Обнаруживая хорошее совпадение с экспериментальными данными для различных силовых ДШ в широком диапазоне температур, численная модель, основанная на решении дифференциальных уравнений диффузии-дрейфа, позволила установить границы применимости более простых аналитических моделей и модифицировать их, улучшив их адекватность.

    Показать весь текст

    Список литературы

    1. Л., Биксиди. Н, Карвер Д. Мощные диоды Шоттки — приборы для быстродействующих выпрямителей // Электроника. — 1976. — Т. 49. — № 3. -С. 35−38.
    2. Crowell C.R., Sze S.M. Current transport in metal-semiconductor barriers // Solid-St. Electron. 1966. — Vol. 9. — № 8. — P. 1035−1047.
    3. Rhoderick E.H. The physics of Schottky barrier // J. Appl. Phys. 1970. -Vol.3.-№ 8.-P. 1153−1167.
    4. Rhoderick E.H. Comments on the conduction mechanism in Schottky diodes // J. Phys. D: Appl. Phys. 1972. — Vol. 5. — № 10. — P. 1920−1929.
    5. Chang C.Y., Fang Y.K. Specific contact resistance of metal-semiconductor barriers //' Solid-St. Electron. 1971. — Vol. 14. -№ 7. — P. 541 550.
    6. Racko J.5 Grmanova A., Bresa J. Extended thermoionic emission-diffusion theory of charge transport through a Schottky diode // Solid-St. Electron. 1996. -Vol. 39. -№ 3. P. 391−397.
    7. Card H.C., Rhoderick E.H. The effect of an interfacial layer on minority carrier injection in forward-biased silicon Schottky diodes // Solid-St. Electron. -1973. Vol. 16. — № 3. — P. 365−374.
    8. Green M.A., Shewchun J. Current multiplication in metal-insulator-semiconductor (MIS) tunnel diodes // Solid-St. Electron. 1974. — Vol. 17. — № 4. -P. 349−366.
    9. Temple V.A., Shewchun J. An investigation of the effect of two-band model of the barrier on the tunneling characteristics of degenerate MIS diodes // Solid-St. Electron. 1974. — Vol. 17. — № 5. — P. 417−426.
    10. Green M.A., King F.D., Shewchun J. Minority carrier MIS tunnel diodes and their application to electron- and photo-voltaic energy conversion // Solid-St. Electron. 1974. — Vol. 17. — № 6. — P. 551−572.
    11. Green M.A., Temple V.A., Shewchun J. Frequenca response of the current multiplication process in MIS tunnel diodes // Solid-St. Electron. 1975. — Vol. 18. -№ 9. -P. 745−752.
    12. Card H.C. On the direct current through interface states in metal-semiconductor contacts // Solid-St. Electron. 1975. — Vol. 18. — № 10. — P. 881−883.
    13. В.В. Влияние поверхностных состояний на параметры диодов Шоттки // Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. № 3. — С. 53−56.
    14. Scharfetter D. L. Minority carrier injection and charge storage in epitaxial Schottky barrier diodes // Solid-St. Electron. 1965. — Vol. 8. — №> 8. — P. 299 311.
    15. Yu A.Y.C., Snow E.H. Minority carrier injection of metal-silicon contact // Solid-St. Electronics. 1969. — Vol. 12. — № 3. — P. 155−160.
    16. Green M.A., Shewchun J. Minority carrier effects upon the small signal and steady-state properties of Schottky diodes // Solid-St. Electron. 1973. — Vol. 16. — № 10.-P. 1141−1150.
    17. Jager H., Kosak W. Modulation effect by intense hole injection in epitaxial silicon Schottky-barrier diodes // Solid-St. Electron. 1973. — Vol. 16. — № 3. P. 357−364.
    18. Stolt L., Bohlin K., Tove P.A., Norde H. Schottky rectifiers on silicon using high barriers // Solid-St. Electron. 1983. — Vol. 26. — № 4. P. 295−297.
    19. Elfsten B., Tove P.A. Calculation of charge distributions and minority-carrier injection ratio for high-barrier Schottky diodes // Solid-St. Electron. 1985. — Vol. 28.-№ 7. P. 721−727.
    20. Chuang C.T. On the minority charge storage for an epitaxial Schottky-barrier diode // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983. — Vol. 30. — № 6. — P. 700−705.
    21. Chuang C.T. On the current-voltage characteristics of epitaxial Schottky-barrier diodes // Solid-St. Electron. 1984. — Vol. 27. — № 4. P. 299−304.
    22. Ng W.T., Liang S., Salama C.A.T. Schottky barrier diode characteristics under high level injection // Solid-St. Electron. 1990. — Vol. 33. — № 1. P. 39−46.
    23. E.B., Рыжиков И. В., Сидоров Ю. И. Омические контакты ре-комбинационного и антизапорного типа // Электронная техника. Сер.2. -1971.-№ 3,-С. 3−27.
    24. Э.Х. Контакты металл-полупроводник: Пер. с англ. / Под ред. Г. В. Степанова. -М.: Радио и связь. 1982. -208 с.
    25. Г. В. Переходные процессы в диодах с барьером Шоттки// Микроэлектроника. 1973. — Т. 2. — Вып. 3. — С. 232−238.
    26. Г. В. Быстродействие диодов с барьером Шоттки Ядерная электроника / Под ред. Т. М. Агохоняна. — М.: Атомиздат. — 1975. — Вып. 2. -С. 91−95.
    27. Г. В., Шаипов А. А. Переходные процессы в диодах Шоттки с учетом динамики границы области объемного заряда Ядерная электроника / Под ред. Т. М. Агохоняна. -М.: Атомиздат. — 1975. — Вып. 5. — С. 80−85.
    28. Г. В., Шаипов А. А. Время рассасывания неосновных носителей в диодах Шоттки с учетом динамики границы области объемного заряда -Ядерная электроника / Под ред. Т. М. Агохоняна. -М.: Атомиздат. 1977. -Вып. 7. — С. 59−62.
    29. Dubecky F., Olejniova В. C-V analysis of the Schottky barrier in semi-insulating semiconductors //J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69. -№> 3. — P. 1769−1771.
    30. Werner J.H. Schottky barrier and p n junction I-V plots small signal evaluation // Appl. Phys. A. — 1988. — Vol. 47. — № 3. — P. 291−300.
    31. Werner J.H., Guttler H.H. Temperature dependence of Schottky barrier heights on silicon /'/' J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73. — № 3. — P. 1315−1319.
    32. Lyakas M., Zaharia R. and Eizenberg M. Analysis of nonideal Schottky and p-n junction diodes-Extraction parameters from I-V plots // J. Appl. Phys. 1995. -Vol. 78. -№ 9. — P. 5481−5489.
    33. Woods N.J., Hall S. On the contribution of recombination currents in Schottky barrier diodes // Semicond. Sci Technol. 1994. — № 9. — P. 2295−2297.
    34. Werner J.H., Guttler H.H. Barrier inhomogeneities at Schottky contacts /7 J. Appl. Phys. 1991. — Vol. 69. — № 3. — P. 1522−1530.
    35. Osvald J., Dobrocka E. Generalised approach to the parameter extraction from I-V characteristics of Schottky diodes //' Semicond. Sci Technol. 1996. — № II.-P. 1198−1202.
    36. Chand S., Kumar J. Simulation and analysis of the I-V characteristics of a Schottky diode containing barrier inhomogeneities /'/' Semicond. Sci Techno! -1997. -№ 12.-P. 899−906.
    37. Aubry V., Meyer F. Schottky dioides with high series resistance: limitations of forward I-V metods // J. Appl. Phys. 1994. — Vol. 76. — № 12. — P. 7973−7984.
    38. Norde H. A modified forvard I-V plot for Schottky diodes with high series resistance //' J. Appl. Phys. 1979. — Vol. 50. — № 7. — P. 5052−5053.
    39. Sato K., Yasumura Y Study of forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 58. -№ 9. — P. 3655−3657.
    40. Hackan R., Harrop P. Electrical properties of mckel-low-dopped-n-type gallium arsenide Schottky-barrier diodes // IEEE Trans. Electron Dev. 1972. — Vol. 19. -№ 12.-P. 1231−1238.
    41. Aboelfotoh M.O. Temperature dependence of the Schottky-barrier height of tungsten on n-type and p-type silicon // Solid-St. Electron. 1991. — Vol. 34. — № l.-P. 51−55.
    42. Lee T.C., Chen T.P., Au H.L., Fung S. and Beling C.D. Temperature dependence of the ideality factor of GaAs and Si Schottky diodes // Phys. Stat. Sol. (a). -1995.-Vol. 152.-P. 563−571.
    43. McLean A.B. Limitations to the Norde I-V plot // Semicond. Sci. and Technoi. 1986. — Vol. 1. — № 3. — P. 177−179.
    44. Manifacier J.C., Brortryb N., Ardebili R. and Charles J.P. Schottky diode: comments concerning the diode parameters determination from the forward I-V plot // J. Appl. Phys. 1988. — Vol. 64. — № 5. — P. 2502−2504.
    45. Lien C.D., So F.C.T. and Nicolet M.A. An improved forward I-V method for nonideal Schottky diodes with high series resistance// IEEE Trans. Electron Dev. 1984. — v31. -№" 10.-P. 1502−1503.
    46. Bohlin K.E. Generalized Norde plot including determination of the ideality factor // J. Appl. Phys. 1986. — Vol. 60. — № 3. — P. 1223−1224.
    47. Cibils R.M., Buitrago R.H. Forward I-V plot for nonideal Schottky diodes with high series resistance // J. Appl. Phys. 1985. — Vol. 58. — № 2. — P. 10 751 077.
    48. Lee T.C., Fung S., Beling C.D., Au H.L. Asystematic approach to the measurement of ideality factor, series resistance and barrier height for Schottky diodes // J. Appl. Phys. 1992. — Vol. 72. — № 10. — P. 4739−4742.
    49. З.Ю., Голяка P.JI., Смеркло Л. М. Исследование распределения плотности тока в итегральной диодной структуре с барьером Шоттки при высоком уровне инжекции // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. 1990. — Вып. 6. — С. 40−42.
    50. З.Ю., Голяка Р. Л., Смеркло Л. М. Оптимизация площади выпрямляющего контакта металл полупроводник мощных интегральных диодов Шоттки // Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства. -1990.-Вып. 6.-С. 42−45.
    51. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ.- М.: Мир, 1984. -Кн. 1.-283 с.
    52. Т.Х., Удал А. Э. Численное моделирование диода Шоттки на ЭВМ // Труды таллинского политехнического института, 1982. С. 21−31.
    53. Franz A.F., Franz G.A. BAMBI a desing model for power MOSFET’s // IEEE Trans. Computer-Aided Desing. — 1985. — Vol. 4. № 3. P. 177−189.
    54. Martin M.J., Gonzalez Т., Pardo D., Velazquez J.E. Monte Carlo analysis of a Schottky diode with an automatic space-variable charge algorithm // Semicond. Sci. and Technoi. 1996. — № i 1. — P. 380−387.
    55. A.H. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высш. шк., 1989. — 320 с.
    56. С.Г. Численное моделирование микроэлектронных структур. -Мн.: Университетское, 1989. 368 с.
    57. De Mari A. An accurate numerical one dimensional solution of the p-n junction under arbitrary transient condition /7 Solid-St. Electron. 1968. — Vol.11. -№ 10.-P. 1021−1053.
    58. .С. Численное моделирование полупроводниковых приборов. Рига: Зинатне. 1986. -168 с.
    59. Scharfetter D.L., Gummel Н.К. Large-signal analysis of a silicon Read diode oscillator // IEEE Trans. Electron. Dev. 1969. — Vol. ED-16. — № 1. — P. 64−77.
    60. Л.Д., Лифшиц Е. М. Электродинамика сплошных сред. М.: Физматгиз, 1959. — 460 с.
    61. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С. Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977. — 672 с.
    62. Finetti М., Mazzoue A.M. Impurity effect on conduction in heavily doped n-type silicon // J. Appl. Phys. 1977. — Vol. 48. — № 11. — P. 4597^1600.
    63. Aurora N.D., Hauser J.R., Roulston D.J. Electron and hole mobilities in silicon as a function of concentration and temperature // IEEE Trans. Electron Dev. -1982. Vol. 29. — № 2. — P. 292−295.
    64. Masetti G., Severi M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentration in Arsenic-, Phosphorus- and Boron-doped silicon // IEEE Trans. Electron Dev. 1983. — Vol. 30. — № 7. — P. 764−769.
    65. Thornber K.K. Relation of drift velocity to low-field mobility and high-field saturation velocity// J. Appl. Phys. 1980. — Vol. 51. -№ 4. — P. 2127−2136.
    66. Shockley W., Read W.T. Statistic of the recombination of holes and electron // Phys. Rev. 1952. — Vol. 87. — № 9. — P. 835−842.
    67. Wieder A.W. Emitter effacts in shallow bipolar devices: measurements and consecuences // IEEE Trans. Electron Dev. 1980. — Vol. 27. — № 8. — P. 14 021 408.
    68. Dziewior J., Schmid W. Auger coefficients for highly doped and highly excited silicon // Appl. Phys. Lett. 1977. — Vol. 31. -№ 4. — P. 346−349.
    69. Beck J.D., Conradt R. Auger recombination in silicon // Solid-St. Commun. -1973. Vol. 13. — № Г. — P. 93−95.
    70. Fossum J.D., Lee D.S. A physical model for the dependence of carrier lifetime on doping density in nondegenerate silicon // Solid-St. Electron. 1982. -Vol. 25. — №> 7. — P. 741−747.
    71. VanOverstraten R., DeMan H. Measurement of the ionisation rates in diffused silicon p-n junction // Solid-St. Electron. 1970. — Vol. 13. -№ 6. — P. 583−608.
    72. Adler M.S. An operational nethod to model carrier degeneracy and band gap narrowing // Solid-St. Electron. 1983. — Vol. 26. — № 5. — P. 387−396.
    73. В.Л., Диркс X.K. Моделирование полупроводниковых приборов // ТИИЭР, 1983. Т. 71. — № 1. — С. 14−42.
    74. Lundstrom M.S., Schwartz R.J., Gray J.L. Transport equations for the analysis of heavily doped semicondyctor devices // Solid-St. Electron. 1981. — Vol. 24. -№ 3. — P. 195−202.
    75. Nakagawa A. One-dimensional device model on the n-p-n bipolar transistor including heavy doping effects under Fermi statistics /7 Solid-St. Electron. 1979. — Vol. 22. — № 12. — P. 943−949.
    76. Zagozdzon-Wosik W., Kuzmicz W. Physical mechanisms of bandgap-narrowing in silicon // Electron. Lett. 1983. — Vol. 19. — № 14. — P. 515−516.
    77. Gummel H.K. A self consistent iterative scheme for one-dimensional steady state transistor calculation // IEEE Trans. Electron. Dev. 1964. — Vol. ED-11. -№ 10.- P. 455165.
    78. П. Теория матриц. М.: Паука. 1982. — 272с.
    79. Mock M.S. On the convergence of Gummel’s numerical algorithm /7 Solid-St. Electron. 1972. — Vol.15. — Ж1. — P. 1−4.
    80. De Man A. An accurate numerical steady-state one dimensional solution of the p-n junction // Solid-St. Electron. 1968. — Vol.11. — № 1. — P. 33−58.
    81. Slotboom J.W. Computer aided two-dimensional analysis of bipolar transistor // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. — Vol. ED-20. — № 8. — P. 669−678.
    82. Heimeier H.H. A two-dimensional numerical analysis of a silicon n-p-n transistor // IEEE Trans. Electron. Dev. 1973. — Vol. ED-20. — № 8. — P. 708−714.
    83. Т.Т., Ростовцев И. Л., Филатов Н. И. Исследование численного алгоритма моделирования мощных полупроводниковых структур в проводящем состоянии // Электронное моделирование. 1986. — Т.8. — № 1. -С. 40—43.
    84. Э.Э., Удал А. Э., Фрейдин Б.П Исследование эффективности численных алгоритмов моделирования силовых полупроводниковых структур в проводящем состоянии // Электронное моделирование. 1981. -Т. 10. -№ 4. -С. 85−88.
    85. И.И., Мулярчик С. Г. Метод векторной релаксации систем в задачах многомерного численного анализа полупроводниковых приборов // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1981. — Т. 24. — № 6. — С. 59−67.
    86. Моделирование полупроводниковых приборов и технологических процессов. Последние достижения: Пер. с англ. / Под ред. Миллера. М.: Радио и связь, 1989.-280 с.
    87. Buturla Е.М., Cottrell Р.Е. Simulation of semiconductor transportusing coupled and decoupled solution techniques /'/' Solid-St. Electron. 1979. — Vol. 23. -JSIM. — P. 331−334.
    88. Manck ()., Heimeier H.H., Engl W.L. High injection in a two-dimensional transistor // IEEE Trans. Electron. Dev. 1974. — Vol. 21. — № 7. — P. 403−409.
    89. Manck О., Engl W.L. Two-dimensional computer simulation for switching a bipolar transistor out of saturation /7 IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. — Vol. 22. -№ 6.-P. 339−347.
    90. Bank R.E., Rose D.J., Fichtner W. Numerical method for semiconductor device simulation // IEEE Trans. Electron. Dev. 1983. — Vol. 30. — № 9. — P. 10 311 041.
    91. Akcasu O.E. Convergence property of Newton’s method for the solution of the semiconductor transport equations and hybrid solution techniques for multidimensional simulation of VLSI devices // Solid-St. Electron. 1984. — Vol. 17. — № 4. -P. 319−328.
    92. Hwang K., Navon D.H., Tang T.W., Osman M.A. Improved convergence of numerical device simulation iterative algorithms // IEEE Trans. Electron. Dev. -1985. Vol. 32. — № 6. — P. 1143−1145.
    93. Shieh A.S. On the solution of coupled system of PDE by a multigrid method // IEEE Trans. Electron. Dev. 1985. — Vol. 32. -№ 10. — P. 2083−2086.
    94. Rafferty C.S., Pinto M.R., Dutton R.W. Iterative method’s in semiconductor device simulation // IEEE Trans. Electron. Dev. 1985. — Vol. 32. — № 10. -P. 2018−2027.
    95. Wang C.T. Error analysis in Newton-SOR computer simulation of semiconductor devices /7 Solid-St. Electron. 1984. — Vol. 27. -№ 8/9. — P. 763−767.
    96. А.И., Мещеряков C.A. Сходимость итерационных методов при численном моделировании статических характеристик диодов Шоттки // Твердотельная электроника и микроэлектроника. Межвузовский сборник научных трудов. Воронеж 1997. С. 13−18.
    97. С.А., Прокопьев А. И. Влияние барьерных свойств низко-омной подложки на модуляцию сопротивления базы диода Шоттки /7 Изв. вузов. Электроника. 1998. — № 2. С. 27−29.
    98. Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-St. Electron. 1999. — v 43. -№ 9.-P. 1747−1753.
    99. А.И., Мещеряков С. А., Бойко В. И. Моделирование диодов Шоттки в режиме высоких плотностей токов // Микро- и наноэлектроника. Всероссийская научно-техническая конференция: Тезисы докладов, Звенигород 1998. Доклад РЗ-60.
    100. С.А., Прокопьев А. И., Обвинцев Ю. А. Модуляция сопротивления базы силового диода Шоттки // Реализация региональных научно-технических программ Центрально-Черноземного региона: Материалы конференции, Воронеж 1997. С. 135−136.
    101. С.А., Прокопьев А. И. Роль подложки в модуляции сопротивления базы силового диода Шоттки // Микроэлектроника и информатика 98. Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция: Тезисы докладов, Зеленоград 1998. С. 55.
    102. С.А., Прокопьев А. И., Рембеза С. И., Бойко В. И. Границы применимости моделей диода Шоттки в режиме высокого уровня инжекции // Изв. вузов. Электроника. 1999. — № 6 — С.
    103. Д.М., Кастрюлев А. Н. Силовые диоды Шоттки КД268-КД273 // Электронная промышленность. 1994. № 3. С. 45.
    104. A.A. Интерфейсы средств вычислительной техники. Справочник. М.: Радио и связь. 1993. — 352 с.
    Заполнить форму текущей работой

    Сессия? Спокойно!