Магнитотранспорт и терагерцовый отклик в двумерных полупроводниковых структурах

Развитие современной полупроводниковой электроники связано как с прогрессом технологии, так и с разработкой новых типов приборов. В свою очередь, развитие современной физики и технологии полупроводников определяется прогрессом в понимании и управлении электронными и оптоэлектронными свойствами низкоразмерных систем. Интенсивные исследования квантоворазмерных полупроводниковых систем, которые проводились в течение последних двух десятилетий, уже привели к созданию целого ряда новых приборов от одноэлектронных транзисторов до источников и приемников излучения различных диапазонов с рекордными характеристиками. Основными эффектами, за счёт которых происходит выигрыш по сравнению с традиционными приборами на основе объёмных полупроводников, являются пространственное разделение и ограничение носителей, и изменение электронного спектра носителей вследствие квантования.

Эффективным методом для определения зонной структуры полупроводников и полупроводниковых гетероструктур является исследование циклотронного резонанса (ЦР), которое даёт информацию об эффективных массах и механизмах рассеяния. С помощью ЦР можно выявлять непараболичность закона дисперсии носителей заряда, и тем самым, получать информацию о зонной структуре материалов.

Чаще всего ЦР наблюдают в терагерцовом диапазоне длин волн, поскольку для наблюдения ЦР необходимо выполнения условия сост"1, где сос — циклотронная частота, х — характерное время рассеяния. В этот же диапазон могут попадать энергии межуровневых переходов в мелких примесных центрах, что позволяет использовать методику ЦР для изучения последних. На ЦР электронов в условиях квантового эффекта Холла созданы высокочувствительные селективные приемники терагерцового диапазона.

Приборы на основе квантового эффекта Холла являются чувствительными детекторами излучения дальнего ИК или терагерцового диапазона [1, 2]. Поглощение электромагнитного излучения в условиях ЦР приводит к возрастанию продольного сопротивления вследствие фотовозбуждения электронов и дырок в делокализованные состояния вблизи центров уровней Ландау над и под уровнем Ферми соответственно. Это позволяет использовать двумерный (2D) электронный газ в условиях квантового эффекта Холла (КЭХ) для приема излучения в ДИК диапазоне. Максимальная фоточувствительность такого приемника (10s В/Вт при эквивалентной мощности шума NEP (noise equivalent power) ~ 10~13 Вт/Гц½[1]) реализуется вблизи минимумов продольного сопротивления по магнитному полю, поскольку в этом случае любое увеличение числа делокализованных носителей заряда дает заметный вклад в сигнал фотопроводимости. Такие приемники являются узкополосными и перестраиваемыми в небольшом диапазоне с помощью магнитного поля и в более широком интервале при одновременном изменении магнитного поля и концентрации двумерных электронов [1].

Другими перспективными системами для развития электроники и оптоэлектроники являются структуры на основе «узкозонных» материалов, в частности, на 1пАя. Такие структуры могут быть перспективными для создания детекторов [3, 4] и лазеров ИК диапазона [5], высокочастотных транзисторов [6,7], резонансно-туннельных диодов [8]. Структуры на основе ]пАу являются многообещающими для создания «спиновых» приборов [9], поскольку в таких структурах сильно проявляется эффект Рашбы [10], §—фактор электронов в? пАв, составляет -15 (в то время как ОаАв он равен -0,4).

Одним из наиболее интересных представителей систем на основе 1пАэ являются гетероструктуры 1пАз/А18Ь. Квантово-размерные гетероструктуры на основе 1пАэ представляют интерес для создания высокочастотных транзисторов, резонансно-туннельных диодов, оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона и спинтроники.

Исследуемая в данной работе гетеросистема 1пА5/А18Ь характеризуется большой величиной разрыва зоны проводимости на гетерогранице, составляющей 1.35 эВ, высокой подвижностью электронов1 в квантовой яме (КЯ) 1пАэ (достигающей 9−105см2/В-с при 7'= 4.2К, щ ~ 1012сш" 2), которые присутствуют даже в номинально нелегированных структурах [11]. Одной из специфических особенностей рассматриваемой гетеросистемы является биполярность остаточной фотопроводимости при низких температурах. При освещении гетероструктур ИК излучением наблюдается положительная остаточная фотопроводимость (ОФП), при освещении видимым излучением наблюдается отрицательная остаточная фотопроводимость [11,12,13]. Кроме того, известно, что эффективный фактор Ланде электронов в двумерных системах может быть значительно больше чем в объемных полупроводниках (см, например, [14,15,16]). В работе [17] наблюдаемое увеличение^{-фактора} в инверсионных слоях на 81 было связано в обменным взаимодействием электронов, теория которого была развита в работе [18]. Если количество электронов со спинами вверх и вниз неодинаковы вследствие зеемановского расщепления, обменные энергии каждого сорта электронов становятся различными, что приводит к увеличению расщепления, т. е. к так называемому обменному усилению ^-фактора.

Другим типом гетеросистем, рассматриваемым в настоящей работе, является структуры Се/Ое1.х8к Интерес к гетероструктурам на основе Ое и связан с их I совместимостью с приборами кремниевой электроники, получившим широкое распространение за последние два десятилетия. Несоответствие постоянных решёток Si и Ge составляет 4%, что позволяет выращивать гетероструктуры со «встроенной» деформация в слоях, что, в свою очередь, рассматривается как дополнительный инструмент, позволяющий модифицировать спектр носителей в нужном направлении.

Поскольку в гетероструктурах на основе Si и Ge квантовые ямы для дырок всегда реализуются в слоях с большим содержанием германия, то для создания «дырочных» приборов весьма привлекательными являются гетероструктуры Ge/Ge 1. xSix, где дырки находятся в слоях чистого Ge, (в отличие от структур Si/SiGe, где ямы для дырок находятся в сплаве Si Ge, в котором подвижность ограничивается сплавным рассеянием).

На основе гетероструктуры Ge/Gei-Six можно создавать примесные приёмники дальнего инфракрасного (ИК) диапазона. Как показано в работе [19], такой приёмник имеет полосу чувствительности, смещенную относительно полосы приёмника на объёмном p-Ge в длинноволновую сторону дальнего ИК диапазона, причём такой приёмник може т перестраиваться магнитным полем.

Напряжённые гетероструктуры Ge/GeixSix обладают свойствами, недостижимыми в объёмном материале: в германиевых слоях гетероструктур может быть реализовано достаточно большое по величине (5 н- 6 кбар) «растягивающее» напряжениеэнергетический спектр дырок может контролироваться с помощью изменения параметров гетероструктуры (толщины слоев и деформации Ge) — благодаря большому отношению поверхности к объёму теплоотвод в гетероструктурах происходит быстрее. Однако для развития этих идей требуется детальное изучение энергетического спектра и механизмов рассеяния носителей в напряженных слоях Ge в гетероструктурах Ge/Gei.xSix, влияния на спектр эффектов встроенной деформации и размерного квантования, сильных электрического и магнитного полей. Целями диссертационной работы являлись:

1 Исследование зеемановского расщепления уровней Ландау двумерных электронов в гетероструктурах InAs/AlSb и определение эффективного g-фактора.

2 Исследование влияния ширины квантовой InAs/AlSb ямы на закон дисперсии электронов.

3 Определение влияния латерального электрического поля на поглощение на ЦР электронов и дырок на кинетику релаксации в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами при импульсном оптическом возбуждении носителей.

4 Детальное изучение механизма фотоотклика приемника на ЦР в условиях КЭХ на основе гетероструктуры ОаАз/АЮаАэ по эволюции релаксации отклика при изменении магнитного поля.

Научная новизна.

Научная новизна полученных в работе результатов заключается в следующем:

1 Значения эффективного фактора Ланде электронов в гетероструктурах 1пАз/А18Ь с квантовыми ямами определены при различных значениях концентрации двумерных электронов и при различных толщинах квантовых ям ¡-пАэ в отличие от предшествующих работ, где исследовались только структуры с шириной квантовой ямы 15 нм при фиксированной концентрации электронов. Для трех значений толщин квантовых ям 12 нм, 15 нм и 18 нм показано, что наблюдаемые значения эффективных циклотронных масс электронов удовлетворительно согласуются с результатами расчетов в рамках модели Кейна для непараболичной зоны проводимости.

2 В спектрах циклотронного резонанса объемного кремния в квантующих магнитных полях при межзонном оптическом возбуждении носителей обнаружена предсказываемая теорией линия перехода с одного из нижних уровней Ландау тяжелых дырок, которую ранее не удавалось разрешить в спектрах.

3 Показано, что разогрев в латеральном электрическом поле приводит к укорачиванию как «быстрого», так и «медленного» времени релаксации сигнала циклотронного резонанса электронов и дырок в гетероструктурах Се/ОеБ! II типа при импульсном межзонном возбуждении носителей. Обнаружено, что на общую тенденцию укорочения времен релаксации с электрическим полем накладывается резкий рост «медленного» времени релаксации при пробое очень мелких акцепторов (энергия связи ~ 2 мэВ).

4 Обнаружено, что «быстрое» время релаксации отклика на терагерцовое излучение детектора на циклотронном резонансе электронов в гетероструктуре ОаАэ/АЮаАв имеет глубокий минимум в центре плато квантового эффекта Холла, что обусловлено фундаментальным свойством выключения экранирования случайного потенциала примесей в условиях квантового эффекта Холла, в то время как «медленное» время релаксации практически не зависит от магнитного поля. Показано, что 300-градусная фоновая подсветка приводит к уменьшению времен релаксации на 2 порядка, что связано с большой концентрацией неравновесных носителей, генерируемых фоновым излучением.

Научная и практическая значимость работы.

Научная значимость полученных результатов заключается в экспериментальном обнаружении зависимости обменного усиления фактора Ланде электронов и их циклотронных масс в гетерострукгурах InAs/AISb от ширины квантовой ямы. Проведенные исследования циклотронного резонанса дырок в кремнии в квантующих магнитных полях позволили уточнить значение одного из параметров Латтинджера. Обнаруженное увеличение времени «медленной» релаксации концентрации возбуждаемых светом неравновесных носителей в гетероструктурах Ge/GeSi при ударной ионизации очень мелких акцепторов подтверждает предложенный ранее механизм долговременной релаксации через рекомбинацию свободных дырок, термически возбуждаемых с этих примесных центров. Обнаруженная сильно немонотонная зависимость от магнитного поля времени быстрой релаксации отклика на терагерцовое излучение детектора на циклотронном резонансе электронов в гетероструктуре GaAs/AlGaAs свидетельствует об определяющей роли случайного потенциала в механизме фотоотклика.

Полученные в диссертации результаты могут быть использованы при создании электронных и оптоэлектронных приборов на основе квантоворазмерных структур InAs/AISb и Ge/Si.

Содержание работы.

Диссертация состоит из Введения, четырех глав и Заключения. Во Введении обоснована актуальность темы исследований, показана её научная новизна, сформулированы цели работы и приведены положения, выносимые на защиту.

Заключение

.

В заключение сформулируем основные результаты работы:

1. Впервые исследована эволюция осцилляций Шубникова — де Гааза в гетероструктурах InAs/AlSb с двумерным электронным газом в квантовой яме InAs шириной 15 нм при значительном изменении концентрации (3−8)* 1011 см" 2 за счет эффекта отрицательной остаточной фотопроводимости. По спиновому расщеплению осцилляций определены значения эффективного фактора Ланде электронов g* = -(15 -г- 20), которые оказались значительно больше, чем расчетные значения в рамках модели Кейна для квантовых ям (g* ~ - 9), что связывается с обменным взаимодействием. Из сопоставления зеемановского расщепления осцилляций ШдГ в нормальном и наклонном (под 45°) магнитном поле сделана оценка анизотропии эффективного ¿-**-фактора gy/ g± = 0.8.

2. Проведено сравнительное исследование зеемановского расщепления в гетероструктурах InAs/AlSb с тремя различными толщинами квантовых ям InAs 12 нм, 15 нм и 18 нм при концентрации 2D электронов ns ~ 6><1011 см" 2. Показано, что в образце с самой широкой квантовой ямой 18 нм величина наблюдаемого зеемановского расщепления осцилляций Шубникова — де Гааза соответствует [g* | > 35, тогда в образце с узкой квантовой ямой 12 нм величина расщепления позволяет сделать оценку | g* | < 16. Обнаруженная зависимость фактора Ланде от ширины квантовой ямы может быть связана как с соответствующей зависимостью одноэлектронного g-фактора, так и с уменьшением перекрытия уровней Ландау с противоположным спином в более широкой (лучшего качества) квантовой яме, что должно приводить к росту обменного усиления g-фактора.

3. В спектрах циклотронного резонанса объемного кремния Н|([001] в квантующих магнитных полях при межзонном оптическом возбуждении носителей обнаружена линия ЦР дырок, связываемая с переходом с нижнего уровня Ландау тяжелых дырок, которую ранее не удавалось разрешить в спектрах. Полученный результат позволяет уточнить константу Латтинджера у2 =0.31.

4. В гетероструктурах Ge/GeSi II типа с остаточными мелкими примесями (как акцепторами, так и донорами) исследована релаксация сигнала ЦР 1L электронов (квантовые ямы GeSi) и дырок (квантовые ямы Ge) в терагерцовом диапазоне при импульсном оптическом возбуждении при Т- 4.2 К. Обнаружено, что в отличие от ЦР дырок, релаксация сигнала которого всегда происходит с двумя характерными временами (быстрым и медленным), характер релаксации линии циклотронного резонанса электронов зависит от толщины слоя Ое. В образце с широкими (800 А) слоями Ое релаксация сигнала ЦР электронов также происходит с двумя временами, в то время как в образце с более узкими (330 А) слоями Ое релаксация ЦР электронов происходит только с одним (быстрым) временем. В случае ЦР дырок медленное время релаксации определяется скоростью рекомбинации очень мелких (2 мэВ) нейтральных акцепторов, «поставляющих» дырки в валентную зону за счет термической ионизации на втором этапе рекомбинации. Отсутствие медленно релаксирующего сигнала ЦР электронов объясняется большей энергией связи доноров (10 мэВ), не отдающих таким образом электроны в зону проводимости. Появление долговременной релаксации линии ЦР электронов в образце с широкими слоями Ое связано с рекомбинацией электронов в слоях Ое81 на нейтральных акцепторах, находящихся в слоях Ое на расстоянии от интерфейса, многократно превышающем боровский радиус (~ 50 А).

5. Исследовано влияние латерального электрического поля на релаксацию сигнала ЦР электронов и дырок в гетероструктурах Ое/ОеЗь Показано, что разогрев в электрическом поле приводит к укорачиванию как быстрого, так и медленного времени релаксации, что обусловлено ростом темпа рекомбинации свободных носителей на нейтральных примесях и ускорением потока частиц из примесей в зону соответственно. Обнаружено, что на общую тенденцию укорочения времен I релаксации с электрическим полем накладывается резкий рост длинного времени релаксации вблизи поля пробоя очень мелких акцепторов (энергия связи ~ 2 мэВ). Последний эффект связывается с наличием иерархии энергии связи акцепторов от сравнительно глубоких в центре квантовой ямы Ос (6−7 мэВ) до очень мелких (2 мэВ) в случае расположения примесного иона в центре барьера ОеБ! Наблюдаемый примесный пробой связан с ударной ионизацией наиболее мелких акцепторов, расположенных вблизи гстерограницы, что приводит к уменьшению темпа генерации дырок за счет термоионизации оставшихся более глубоких примесей и к увеличению длинного времени' рекомбинации электронов.

6. Определены значения эффективных циклотронных масс электронов в гетероструктурах ЬгАэ/А^Ь с тремя различными толщинами квантовых ям 1пАэ 12 нм, 15 нм и 18 нм при значительном (до трех раз) изменении концентрации двумерных электронов за счет эффекта остаточной фотопроводимости.

Показано, что зависимости эффективных масс от концентрации и толщины ям удовлетворительно согласуются с результатами расчетов в рамках модели Кейна для непараболичной зоны проводимости.

7. Исследована релаксация отклика на терагерцовое излучение детектора на циклотронном резонансе электронов в гетероструктуре ОаАэ/АЮаЛя (щ =.

11 9.

3.6×10 см", Т ~ 2.4 — 4.2 К) в условиях квантового эффекта Холла (КЭХ) вблизи четных значений фактора заполнения уровней Ландау v = 2, 4. Установлено, что релаксация фотоотклика происходит с двумя характерными временами. Показано, что зависимость «быстрого» времени отклика от магнитного поля имеет глубокий минимум в центре плато КЭХ и два острых максимума на краях плато. Падение времени отклика за пределами плато КЭХ связывается с равновесной заселенностью уровня Ландау над/под уровнем Ферми электронами/дырками соответственно, что увеличивает вероятность рекомбинации фотовозбужденных носителей. Минимум в центре плато обусловлен фундаментальным свойством выключения экранирования случайного потенциала примесей в условиях КЭХ.

8. Впервые исследованы временные характеристики фотоотклика на ЦР 2D электронов в условиях квантового эффекта Холла при подсветке образца 300-градусным фоновым излучением. Измерения проводились с использованием пикосекундных импульсов терагерцового излучения, генерируемых излучением фемтосекупдного лазера. Обнаружено, что подсветка приводит к уменьшению времен релаксации на 2 порядка (при V = 4. Т = 4.2 К), что объясняется большой концентрацией неравновесных носителей, генерируемых фоновым излучением. Продемонстрировано, что в условиях фоновой подсветки многократно возрастает относительная величина фотоотклика в минимумах рх*, соответствующих большим значениям фактора заполнения уровней Ландау (V = 6 — 14), что обусловлено сильным влиянием «фоновых» носителей на время релаксации в условиях хорошо развитого плато КЭХ (V = 4) и слабым влиянием в меньших магнитных полях в условиях сильного перекрытия уровней Ландау. Детально исследован биэкспоненциальный характер релаксации сигнала фотоотклика вблизи V = 4. Обнаружено, что «быстрое» время релаксации, как и в отсутствие фонового излучения, имеет острый максимум на краю плато КЭХ, в то время как «длинное время» и связанная с ним часть фотоотклика практически не зависят от магнитного поля, что указывает на иную природу «медленного» фотоотклика.

В заключение автор считает приятным долгом поблагодарить своего научного руководителя В. И. Гавриленко за интересную тему, постоянное внимание к работе и терпение, помощь в проведении экспериментов и ценные обсуждения полученных результатов. Автор благодарен Ю. Г. Садофьеву за предоставленные образцы ЬгАв/АШЬ, О. А. Кузнецову за изготовление ОеЛЗе81 гетероструктур, С. Комияму — за предоставленные образцы ОаАв/АЮаАзприемников, необходимых для исследований,.

B. Я. Алёшкину теоретические расчёты и многочисленные полезные дискуссии,.

C. С. Криштопенко за предоставление результатов, Д. Б. Векслеру, А. В. Антонову, С. В. Морозову и Д. Б. Курицыну за помощь в проведении экспериментов, А. Н. Панину за предоставленные источники излучения на основе ЛОВ и помощь при работе с ними.

Основные публикации автора по теме диссертации.

Al. Векслер, Д. Б. Циклотронный резонанс дырок в кремнии в квантующих магнитных полях / Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, К. Е. Спирин // ФТТ. — 2004 -Т.46, Вып.1, — С.150−151.

А2. Алешкин, В. Я. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // ФТТ. -2005. — Т. 47, вып. 1. — С. 74−79.

A3. В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин. Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InAs/AlSb. ФТПт.42, стр.846−851 (2008).

A4. Spirin, К. Е. Magnetic field dependence of the photoresponse time of GaAs/AlGaAs quantum Hall effect device / К. E. Spirin, S. V. Morozov, V. I. Gavrilenko, Y. Kawaguchi, S. Komiyama// Semicond. Sei. Technol. 2008 -23 -9 5014(5pp).

A5. Векслер, Д. Б. Циклотронный резонанс дырок в кремнии в квантующих магнитных полях / Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, К. Е. Спирин // Нанофотоника: Материалы всероссийского совещания, Нижний Новгород, Россия, 2003. -Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2003. — С. 486−488.

А6. Алешкин, В. Я. Очень мелкие акцепторные состояния в многослойных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами: А±центры и А°-центры с пространственным разделением иона примеси и дырки / В. Я. Алешкин, Д. Б. Векслер, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, К. Е. Спирин, О. А. Кузнецов. // Нанофотоника: Материалы всероссийского совещания, Нижний Новгород, Россия, 2−6 мая 2004. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2004.-С. 129−132.

А7. Алешкин, В. Я. Примесное магнитопоглощение гетероструктур Ge/GeSi с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // Нанофизика и наноэлекгроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2005. — Нижний Новгород: ИФМ РАН 2005. — С. 397—398.

А8. Ikonnikov, А. V. Differential shallow impurity absorption in Ge/GeSi QW heterostructures in THz range at pulsed bandgap photoexcitation / A. V. Ikonnikov, К. E. Spirin, O. A. Kuznetsov [et al.] // Nanostructures: Physics and technologies:

Proc. 13th Int. Symp., St. Petersburg, June 20—25, 2005. — St. Petersburg: Ioffe Institute, 2005. — P. 246−247.

A9. Gavrilenko, V. I. Positive and negative persistent photoconductivity in InAs/AlSb QW heterostructures: control of 2DEG concentration and built-in electric field / V. I. Gavrilenko, A. V. Ikonnikov, К. V. Marem’yanin, S.V.Morozov, K.E.Spirin, Yu.G.Sadofyev, S.R.Jonhson, Y.-H.Zhang. // Nanostructures: Physics and technologies: Proc. 13th Int. Symp., St. Petersburg, June 20−25, 2005. — St. Petersburg: Ioffe Institute, 2005. — P.396−398.

A10. Marem’yanin, К. V. Spectral study of persistent photoconductivity in InAs/AlSb QW heterostructures / К. V. Marem’yanin, К. E. Spirin, A. V. Ikonnikov [et al. j // Narrow Gap Semiconductors: Abstr. of 12th Int. Conf. Toulouse, France, July 3−7, 2005. -P. 21.

All. Ikonnikov, A. V. Cyclotron resonance study of InAs/AlSb QW heterostructures /.

A. V. Ikonnikov, V. I. Gavrilenko, K.E.Spirin [et al.] // Narrow Gap Semiconductors: Abstr. of 12th Int. Conf. Toulouse, France, July 3—7, 2005. — P. 101.

A12. Гавриленко, В. И. Положительная и отрицательная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с квантовыми ямами /.

B.И.Гавриленко, А. В. Иконников, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, К. Е. Спирин, Ю. Г. Садофьев, J. Bird, Y.-H. Zhang // VII Росс. конф. по физике полупроводников: Тез. докл., Звенигород, Россия, 18—23 сентября 2005. — М.: ФИАН. — С. 99.

А13. Алешкин, В. Я. Дифференциальное примесное магнитопоглощение в ТГц-диапазоне в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами при импульсном межзонном возбуждении / В. Я. Алешкин, В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // VII Росс. конф. по физике полупроводников: Тез. докл., Звенигород, Россия, 18—23 сентября 2005. — М.: ФИАН. — С. 197.

А14. Алешкин, В. Я. Примесное поглощение гетероструктур Ge/GeSi с квантовыми ямами в квантующих магнитных полях / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, И. В. Ерофеева, А. В. Иконников, Д. В. Козлов, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // VII Росс. конф. по физике полупроводников: Тез. докл., Звенигород, Россия, 18−23 сентября 2005. -М.: ФИАН. — С. 307.

А15. Marem’yanin, К. V. Spectral study of persistent photoconductivity in InAs/AlSb QW heterostructures / К. V. Marem’yanin, К. E. Spirin, A. V. Ikonnikov [et al.] // Narrow Gap Semiconductors, Institute of Physics Conference Series No. 187. — New York, 2006.—P. 137—142.

А16. Ikonnikov, А. V. Cyclotron resonance study of InAs/AlSb QW heter о structures / A. V. Ikonnikov, S. S. Krishtopenko, К. E. Spirin [et al.] // Narrow Gap Semiconductors, Institute of Physics Conference Series No. 187. — New York, 2006. — P. 579—584.

A17. Алешкин, В. Я. Исследование примесного магнитопоглощения в гетероструктурах Ge/GeSi при импульсном фотовозбуждении / В. Я. Алешкин, А. В. Иконников, В. И. Гавриленко, О. А. Кузнецов, К. Е. Спирин // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, ИФМ РАН, 2006. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2006. — Т. 2. — С. 328— 329.

А18. Морозов, С. В. Эволюция времени фотоотклика приемника на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла / С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, К. Е. Спирин // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 13 — 17 марта 2006. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2006. — С. 445−446.

А19. Гавриленко, В. И. Особенности магнетотранслорта в гетероструктурах InAs/AlSb в условиях остаточной фотопроводимости / В. И. Гавриленко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы всероссийского симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 2006. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2006. — С. 453−454.

А20. Spirin, К.Е. Evolution of the photoresponse time of GaAs/AlGaAs QHE device / K.E.Spirin. S.V.Morozov, V.I.Gavrilenko [et al.] // Proc. 14th Int. Symp., St. Petersburg, June 26—30, 2006. — St. Petersburg: Ioffe Institute, 2006. — P. 254−255.

A21. Гавриленко, В. И. Обменное усиление g-фактора в гетероструктурах InGaAs/GaAs с двумерным электронным газом / В. И. Гавриленко, С. С. Криштопенко, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин [и др.] // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы международного симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 2007. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007. —С. 313−314.

А22. Антонов, А. В. Развитие методов спектроскопии полупроводниковых наноструктур с использованием терагерцового излучения, генерируемого импульсами фемтосекундного лазера / А. В. Антонов, В. И. Гавриленко, З. Ф. Красильник, Д. И. Курицын, С. В. Морозов, К. Е. Спирип // Нанофизика и наноэлектроника: Материалы международного симпозиума, Нижний Новгород, Россия, 10 — 14 марта 2007. — Нижний Новгород: ИФМ РАН, 2007. — С. 408−409.

А23. Алешкин, В. Я. Циклотронный резонанс 2D электронов и дырок в квантующих магнитных полях/В.Я.Алешкин, Ю. Б. Васильев, В. И. Гавриленко, Б. Н. Звонков,.

А.В.Иконников, Д. В. Козлов, С. С. Криштопенко, М. Л. Орлов, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин, M.L.Sadowski, M. Goiran, W. Knap // VIII Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, Екатеринбург, Россия, 30 сентября -5 октября 2007.

А24. Гавриленко, В. И. Влияние электрического поля на магнитопоглощение в ТГц диапазоне в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами при межзонном фотовозбуждении носителей / В. И. Гавриленко, A.B. Иконников, О. А. Кузнецов, К.Е. Спирин// «Полупроводники 2007»: Тезисы докладов, Екатеринбург, Россия, 30 сентября — 5 октября 2007.

А25. Гавриленко, В. И. Эволюция времени фотоотклика на циклотронном резонансе 2D электронов в GaAs/AlGaAs в условиях квантового эффекта Холла / В. И. Гавриленко, К. Е. Спирин, С. В. Морозов [и др.] // VIII Российская конференция по физике полупроводников: Тезисы докладов, Екатеринбург, Россия, 30 сентября — 5 октября 2007.