Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование начальной стадии развития полос скольжения в щелочно-галоидных кристаллах

Диссертация: Исследование начальной стадии развития полос скольжения в щелочно-галоидных кристаллах
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведено моделирование цроцесса образования тонких полос скольжения в рамках модели прямоугольных дислокационных петель при учете возможностей торможения дислокаций. Получены численные значения средних величин — длины свободного пробега дислокаций, линейной плотности дислокаций в полосах скольжения, скорости бокового расширения полосы, которые согласуются с имеющимися экспериментальными данными… Читать ещё >

Исследование начальной стадии развития полос скольжения в щелочно-галоидных кристаллах (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБРАЗОВАНИЕ И РАЗВИТИЕ ТОНКИХ ЛИНИЙ СКОЛЬШЗНШ В
  • КРИСТАЛЛАХ
    • 1. Двойное поперечное скольжение как способ размножения дислокаций
    • 2. Описание процесса пластической деформации кристаллов, обусловленного механизмом двойного поперечного скольжения дислокаций
    • 3. Методы определения величин, характеризующих размножение дислокаций путем двойного поперечного скольжения
  • ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТЕЙ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ЛИНИЙ СКОЛЬЖЕНИЯ С ПОМОЩЬЮ МОДЕЛИРОВАНИЯ
    • 1. Описание модели

    § 2. Закономерности формирования дислокационной структуры, обусловленные единичным актом размножения дислокаций. а) Расчетные формулы и алгоритм вычислений геометрических характеристик дислокационных петель в тонкой линии скольжения. б) Результаты моделирования.

    § 3. Закономерности процесса множественной генерации дислокационных петель. а) Связь количества генерированных петель с величинами, характеризующими процессы размножения дислокаций. б) Исследование распределения плотности дислокаций в зависимости от координаты по глубине кристалла

    ШВА 3. АНАЛИТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ПРОЦЕССА РАЗМНОЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ.

    § 1. Общие соотношения.

    § 2. Результаты расчета для случая прямоугольных петель.

    § 3. Различие кинетики процессов размножения дислокаций в полуограниченном и бесконечном кристаллах

    ГЛАВА 4. МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ ПОЛОСЫ СКОЛЬЖЕНИЯ С УЧЕТОМ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ.

    § 1. Модель прямолинейных дислокаций. а) Описание модели. б) Влияние процесса образования неподвижных конфигураций на накопление дислокаций в кристалле в) Исследование размещения дислокаций по длине полосы скольжения.

    1. Плотность дислокаций в полосе скольжения для случая невзаимодействующих прямолинейных дислокаций. Ю

    2. Влияние взаимного торможения дислокаций на их плотность. Распределение подвижных и неподатных дислокаций по длине полосы скольжения г) Исследование средних длин пробега прямолинейных дислокаций. Скорость бокового расширения полосы.

    § 2. Модель прямоугольных петель. а) Описание модели. б) Структура полосы скольжения и ее количественные характеристики.

    1. Средние значения результативных выбросов. Скорость бокового расширения полосы

    2. Линейная плотность дислокаций в тонких полосах скольжения. Значения средних длин свободного пробега. в) Исследование тонкой структуры мультиполей.. 140 ШВА 5. ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ДВОЙНОГО ПОПЕРЕЧНОГО СКОЛЬЖЕНИЯ ДИСЛОКАЦИЙ ПО ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫМ ДАННЫМ

    § 1. Способы определения значений величин CJ.', CJ и р

    § 2. Метод определения времени запаздывания t^

    § 3. Определение некоторых характеристик процесса двойного поперечного скольжения дислокаций по экспериментальным данным.

Одной из важнейших задач, стоящих перед народным хозяйством в настоящее время, является получение материалов с заранее заданными свойствами. Дня решения этой задачи необходимо построение детальной физической теории прочности и пластичности. Последнее требует знания закономерностей протекания различных этапов процесса пластического деформирования реальных кристаллов.

Известно, что пластическая деформация начинается с образования и развития полос скольжения. Этот процесс, в свою очередь, можно условно разделить на две стадии: начальную, включающую в себя образование тонкой линии скольжения, и стадию расширения полос скольжения, когда плотность дислокаций в центральной части полосы стабилизируется, а весь процесс расширения разыгрывается в основном на ее краях. Хотя перерастание первой стадии во вторую происходит постепенно, а само разделение является условным, этап, который соответствует начальной стадии, можно выделить вполне определенно. Важность изучения этого этапа связана с тем, что он во многом предопределяет дальнейшее развитие пластической деформации. За время формирования тонкой линии скольжения происходит сравнительно небольшое число актов размножения дислокаций, поэтому представляется целесообразным рассмотреть линии скольжения как объекты, несущие информацию о процессах размножения дислокаций. Изучение начальной стадии пластической деформации позволяет выявить закономерности, справедливые и для последующих этапов. Тем не менее приходится констатировать, что именно начальная стадия пластической деформации изучена наиболее слабо. Отчасти это связано с большими и зачастую пока непреодолимыми экспериментальными трудностями. В связи со всем вышесказанным очевидно, что изучение закономерностей начальной стадии развития полос скольжения является в настоящее время весьма актуальной задачей. Этим проблемам и посвящена настоящая диссертация.

Основным способом исследования являлся метод моделирования процессов образования и развития тонких линий скольжения при помощи ЭВМ. Ценность его состоит в том, что он позволяет выделить различные факторы, влияющие на эти процессы, и установить степень их влияния. Результаты моделирования могут представлять самостоятельный интерес, а также могут указать дальнейшие пути экспериментальных и теоретических исследований. Использование в данной работе различных моделей, отвечающих процессам образования и развития дислокационной структуры линий скольжения, позволило установить количественные соотношения между величинами, характерными для процессов размножения дислокаций, а также между величинами, характеризующими процессы развития полос скольжения на начальной стадии. Моделирование образования и развития тонкой полосы скольжения позволило, кроме того, оценить значения ряда величин, характеризующих ее структуру и недоступных пока прямому экспериментальному определению. Кроме того, были проведены аналитические расчеты кинетики процесса размножения дислокаций в полосе скольжения. На основании установленных закономерностей предложены новые методы определения по экспериментальным данным ряда величин, характеризующих процессы размножения дислокаций, приведены их оценки по имеющимся в литературе экспериментальным данным.

Исследования проводились применительно к щелочно-галоидным кристаллам. Выбор именно таких кристаллов был обусловлен тем, что они исследованы к настоящему времени наиболее полно и обладают рядом уникальных свойств. Щелочно-галоидные кристаллы важны также в практическом отношении. Так, например, они широко используются в радиоэлектронике, ядерной энергетике, оптических и других современных приборах. Следует, однако, отметить, что отдельные выводы, сделанные в данной работе, справедливы для любых монокристаллов.

Научная новизна настоящего исследования состоит в том, что впервые были получены статистические соотношения между величинами, характеризующими процессы размножения дислокаций, и геометрией расположения фигур травления на ранних стадиях развития тонких линий скольжениямежду полным числом дислокационных петель в объеме кристалла и количеством петель, имеющих выходы на поверхность. Предложены общие методика и аналитические соотношения для расчета зависимости полного числа дислокационных петель в линии скольжения и количества петель, имеющих выходы на поверхность, от времени действия нагрузки. Возможности данной методики проиллюстрированы для случая петель прямоугольной формы. Впервые предложен способ оценки времени движения дислокации в поперечной плоскости на основании полученной из моделирования математической связи этой величины с геометрическими характеристиками расположения дислокаций в тонкой линии скольжения. Приведены количественные оценки. В рамках модели прямоугольных дислокационных петель, размножающихся по механизму двойного поперечного скольжения, впервые оценены значения средних величин выбросов, приводящих к размножению дислокаций, средних расстояний между параллельными плоскостями движения дислокаций в тонкой полосе скольжения. Получены также соотношения между суммарными длинами подвижных и неподвижных дислокаций, мультиполей различной ориентации, различной кратности в полосе скольжения. В рамках модели взаимодействия дислокаций — их взаимного торможения — определена тонкая структура мультиполей. На основе полученных из моделирования и аналитически соотношений между геометрическими характеристиками дислокационных петель в линии скольжения и параметрами Видерзиха предложены новые способы определения последних.

Полученные результаты по изучению процессов, происходящих на начальных стадиях развития линий скольжения, могут быть использованы для построения более полной теории пластического деформирования кристаллов, а также для предсказания эволюции дислокационной структуры в процессе эксплуатации щелочно-галоидных кристаллов.

На защиту выносятся следующие основные положения,.

1. Методика моделирования процессов образования и развития тонких линий скольжения на начальных этапах пластической деформации,.

2. Статистические соотношения, связывающие геометрические характеристики дислокационных петель в линии скольжения с параметрами процесса размножения дислокаций путем двойного поперечного скольжения.

3. Связь между полным числом петель в линии скольжения и количеством петель, имеющих выходы на поверхность.

4. Методика аналитического описания кинетики процесса размножения дислокационных петель произвольной формы. Вид временных зависимостей для количества петель, имеющих выходы на поверхность, и их полного числа в кристалле, для случая петель прямоугольной формы.

5. Новые способы оценки параметров двойного поперечного скольжения дислокаций.

В обсуждении результатов работы на всех этапах ее развития принимал участие кандидат физико-математических наук Г. И.Ничуговс-кий.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.

1. Разработаны физическая модель и методика моделирования процессов образования и развития тонких линий скольжения на начальных этапах пластической деформации.

2. Для наиболее ранней стадии развития линии скольжения, обусловленной реализацией единичного акта размножения дислокаций путем двойного поперечного скольжения, установлен вид соотношений, связывающих средние значения геометрических характеристик дислокационных петель в линии скольжения, с величинами, характеризующими процесс размножения дислокаций: Ц — числом актов поперечного скольжения участков дислокаций на единице заметаемой площадир — вероятностью возврата участка дислокации из плоскости поперечного скольжения в плоскость, параллельную первоначальной — t^ - суммарным временем движения дислокации в поперечной плоскости и формирования источника Франка-Рида. Показано, что для момента времени выхода вторичной петли на поверхность кристалла средние значения расстояний между выходами первичной петли L, вторичной петли (. и расстояния между петлями X являются функциями одинаковых комбинаций параметров р, Ц и внешнего напряжения Т. Установлено, что от t^ зависит только.

L I причем L прямо пропорционально «Ц .

3. С помощью моделирования процесса развития линии скольжения на этапе множественной реализации актов размножения дислокаций установлена связь между средними значениями числа петель, имеющих выходы на поверхность кристалла, и полного количества петель в линии скольжения. Установлена зависимость отношения этих величин от длины полосы и параметров процесса двойного поперечного скольжения. С учетом наличия поверхности получено распределение плотности дислокаций в зависимости от координаты по глубине кристалла, на основании которого предложена интерпретация экспериментально наблюдаемого уменьшения плотности дислокаций в его приповерхностном слое.

4. Разработана методика аналитического описания кинетики размножения дислокационных петель произвольной формы, сводящаяся к расчету числа петель каждого поколения через значения суммарных площадей петель предыдущего поколения. На основе этой методики для числа прямоугольных дислокационных петель, имеющих выходы на поверхность, и их полного количества в линии скольжения получены выражения в виде рядов по степеням величин, содержащих время. Показано, что поверхность кристалла, даже если она учитывается лишь в качестве геометрического фактора, оказывает существенное влияние на кинетику цроцесса размножения дислокаций.

5. В рамках модели прямолинейных дислокаций с помощью моделирования показано, что их торможение вследствие взаимодействия, начиная с некоторого момента времени, существенно уменьшает скорость накопления дислокаций в полосе скольжения и приводит к изменению распределения плотности дислокаций по ее длине. Установлено, что неподвижные дислокационные конфигурации располагаются цреимущественно в центре полосы, а подвижные дислокации — вблизи движущихся фронтов.

6. Проведено моделирование цроцесса образования тонких полос скольжения в рамках модели прямоугольных дислокационных петель при учете возможностей торможения дислокаций. Получены численные значения средних величин — длины свободного пробега дислокаций, линейной плотности дислокаций в полосах скольжения, скорости бокового расширения полосы, которые согласуются с имеющимися экспериментальными данными. Оценены значения средней величины эффективного выброса участка дислокации в поперечной плоскости и среднего расстояния между плоскостями движения дислокационных петель в полосе скольжения. В рамках данной модели рассчитана тонкая структура адультиполей.

7. На основании соотношений, полученных из моделирования и аналитически, предложены новые способы определения величин р, С[ «С}' и tj по экспериментальным данным о числе и расположении дислокаций, достигших поверхности кристалла. На основе этих методов впервые проведена количественная оценка величины времени запаздывания, а также определены значения (J и q'. Последние согласуются с оценками, полученными при помощи других методов.

В заключение считаю необходимым отметить, что исключительно важное влияние на развитие данной работы и на меня лично оказали мои научные руководители — Анатолий Александрович Предводителев и Наталья Александровна Тяпунина.

А.А.Предводителеву я обязан постановкой задачи и обучению основным методам исследований. Он всегда был для меня примером как в научном, так и в чисто человеческом отношении. Я выражаю также глубокую благодарность Н. А. Тяпуниной. Ее руководство на завершающем этапе работы было для меня очень важным. Я признателен ей также за то, что научная строгость и бескомпромиссность сочетались в ее руководстве с бережным отношением к идеям, развивавшимся под руководством А. А. Предводителева.

Я благодарен Геннадию Ивановичу Ничуговскому за плодотворное участие в обсувдении результатов, а также сотрудникам проблемной лаборатории дислокаций за внимательное отношение ко мне в период выполнения работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. . И. Дислокационная структура и упрочнение кристаллов. — Л.: Наука, 1981. — 235с.
  2. Mughrabt И. Investigations of pPasticaldy deformed copper stngEe crystals in the stress-applied state. 1. A study of the dislocation behaviour in the surface-region and in the bulk. Phys. status SoSidi, <970, v. 39, M 4, p. 317−327.
  3. MughrabL H. Some concecjuences of surface and Size effects in pEastlea?? y deformed copper Single Crystals. Phys. status SoEidL (b), 1971, v. 44, гЛ. p. 391−402.
  4. Т. Поверхностные источники и пластическое течение в кристаллах КС8 . В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.151−168.
  5. Н.Н. Напряжение пластического течения и плотность дислокаций в хлористом натрии и хлористом калии. Изв. высших учеб. заведений. Физика, 1967, № 6, с.108−113.
  6. Л.Г. Влияние поверхностного натяжения на гетерогенное зарождение дислокаций в кристаллах. Физ. твердого тела, 1972, т. 14, М2, с.3691−3693.
  7. В.П. Физические закономерности микропластической деформации и разрушения поверхностных слоев твердого тела: Автореф. дисс. на соискание ученой степени докт. физ.-мат. наук. Киев, 1978. 50с.
  8. Mott N.F. The mechanicai properties of metals.-Proc. Physical! Society. Sec. B. 1951^.64384, p. 729- 744.
  9. Дж. Призматические петли как источники Франка-Рида. -В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.362−365.
  10. Кульман-Виндсдорф Д. 0 происхождении дислокаций. В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.395−412.
  11. Дж. Возникновение дислокаций в LlF при низких напряжениях. В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.391−392.
  12. В.З. Скорость размножения и источники подвижных дислокаций. В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.315−333.
  13. Ashby M. FtGelles S.H., Tanner L.E. The stress at which dislocations are generated at a partlcPe-Matrix Interface. Phil Mag., <969, v. 49. rt 460, p. 757−77*.
  14. А.В., Милькаманович Е. А. Явление искусственного сдви-гообразования. 1У. Рост зародышей сдвигов. ЖЭТФ, 1951, т.21, № 3, с.401−408.
  15. Grfman J.J. Dislocation sources in crystals.-J. AppB. Phys., -1959, v. 30, rsl W, p. <785 4792.
  16. Бенгус B.3., Коваленко Т. П., Куклев В. А. Корреляция кривых де- 182 формационного упрочнения монокристаллов Bl и LLF со спектрами напряжений зарождения полос скольжения. Докл. АН СССР, 1979, т.247, Я6, с.1372−1376.
  17. KoehEer J.S. The nature of work-hardening. Phys. Rev., Second series, 1952,^.86, rfj, p. 52−59.
  18. Orovan Б. Dislocations and mechanical properties In: Dislocations in metafs. Ed. By M.Cohen. New York, <954, p. 69−488.
  19. Дж. Механические свойства ионных кристаллов. Успехи физич, наук, 1963, т.80, ЖЗ, с.455−503.
  20. Bassett G.A. A new technique for decoration of cleavage and slip steps on ionic crystal surfaces.-PhlE. Mag., <958, v. 3, isl 33, p. Ю42 Ю46.
  21. Johnston W.G., Giiman JJ. Dislocation muHiplication Lh Jlthlum fluoride crystals. J. AppP. Phys., I960, v. 3Jft44f p.632−643.
  22. George A., Champier G. Doufcte cross-slip in silicon.-PhiC. Mag., <975, v. 34, p. 961 967.
  23. Mlnarl F., Pichaud В., CapeUa L. X-ray topographicobservation of dislocation multipUcation By cross-Slip Ln Си crystals. PhlB. MagW?5, v. 31, i<2, p. 2.75−28k.
  24. Strunk H. Investigation of cross-sflp events in NaCi crystals by transmission electron micro-Scopy. Phys. Status SoEldl (a), 1975, v. 28, di, p. ШЧ26.
  25. Matucha K-H. Efiectronenmlcroscople von GEelt
  26. Btnen auf vermformtem NaCP. Phys. status SoEldl, <968, v. 26, nH, p. 291- 340.
  27. Bethge H. OBerfPachenstructu ren and. Kristallbaufehter Im eBectronehmlcroskoplschen BlEd, Untersucbt am Ma CI. Phys. status solidi, <962,v.2, rH, p. 3−27.
  28. Ф., Мессершмидт У., Смирнов Б. И. Закономерности двойного поперечного скольжения винтовых дислокаций в кристаллах NaC0 . В кн.: Проблемы физики твердого тела и материаловедения. М., 1976, с.51−55.
  29. Appel F. f Grube Н., Messerschmidt U., Smlrnov B.I. Cross siip of screw dislocations during the deformation of sodium chloride crystals at room temperature. Crystal lattice defects, 4 977, v. 7, rf 2, P. 65−70.
  30. А.И., Боржковская B.M. Механизм огибания стопоров как один из возможных механизмов образования полос скольжения. -Кристаллография, 1965, т. 10, № 5, с.693−700.
  31. О.И., Новиков Н. Н., Ландау А. И. Исследование процесса размножения дислокаций при расширении одиночных дислокационных полупетель в монокристаллах Na CI. Физ. твердого тела, 1981, т.23, № 8, с.2298−2304.
  32. RosenfleBd A.R., Hahn G.T. Linear arrays of moving dislocations emitted by a source.-In: Dislocation dynamics. Materia? science and engineering series. Ed. By A.R.Rosenfiefd a.o. New York a. o, 1968, p. 255- 273.
  33. Ka nnlnen M. F, Rosenflefd A.R. Dynamics of dislocation piBe-up formation. Phil. Mqg., 1969,^20, hi G5, P. 569−587.
  34. С.И., Надгорный Э. М. Движение дислокаций в полосах скольжения в кристаллах NaC? . Физ. твердого тела, 1970, т.12, Я6, с.1846−1848.- 184
  35. С.И. Исследование процесса расширения полос скольжения в кристаллах типа NaCP с помощью моделирования. Дисс. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. — М., 1978.-158с.
  36. Adetman N.T., Dundurs J. Instability of serew distocation plPe-up formation. Phil Mag., 4969, v. 20, t4l65, p. 569−587.
  37. Argon A.C. Cross-step In tonic crystais. Acta metaHurcfica, 196Z, v. 10, «5, p. 574−578.
  38. Buttough R» Sharp J.V. The forest dislocation as a source of cross- sQip. PhiL Mag., 4965, v.44,p.605-№.
  39. Bacon D.J., Bates S.J. The shape of a screw dislocation in the presence of an ortogonat edge dlsEocatlon. PhiE. Mag., <972,*. 2G, «42, p. 457−464.
  40. И.Н., Самойлова T.B., Смирнов Б. И. Влияние дислокационного леса на коэффициент размножения винтовых дислокаций.
  41. В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.339−345.
  42. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М.: Атомиздат, 1972. -599с.
  43. А.А., Ничуговский Г. И., Веселов В. И. Моделирование движения дислокации через дислокационный лес. В кн.: Материаловедение (Физика и химия конденсированных сред). Часть 2. Воронеж, 1975, с.33−48.
  44. Preclvodlte (!ev A. A., Nlchugovsktl Gr.I., Vesetov V.I. Simulation of distocation motion through a dislocation forest. Phys. status sotidi (a), 4984, v. 65, iJ2, p. 469−475.
  45. Steeds J.W. Dislocation arrangement Ln copper- 185
  46. Single crystals as a function of a strew Proc. RoyaB Society, <966, v. A 292, H1430, p. 343−373.
  47. А.С. Статистическая теория легкого скольжения. В кн.: Физика прочности и пластичности. М., 1977, с.186−214.
  48. E$.smann U. EEektronenmikroskopische l/htersuchung der Verseizungsanordnung verformter Kupfereihkri-staffe. Phys. status soEidi, № 5, v. 2, 2, p. 707- 747.
  49. Sadananda K. f Marclnkovskl M.J. Mutua-E cross-sEip of dislocation bops. Phys. status SoEidi (a), 1975, v. 27, р.4МЧ54.
  50. Sadananda K., Marcinkovski M.J. Cross slip of an extehded dislocation loops. Crystal Eattice defects, W5, v.6,m3, p.46M75.
  51. Yoshida S., Yomogita K. Statistical treatment of dislocations. Crystal! lattice defects, 1973, v. 4, nH, p. 37−43.
  52. Minarl F., Plckaud &., CapeEEa L. У-ray topographic observation of dislocation multiplication By cross-sEipin Си crystaEs. PhlE. Mag. 9 <975,v.li9t42,p.275−284.
  53. Ptchaud В., Minary F. Cross -slip o-t very (?ow stresses In hlgKEy perfect Си crystals. PWd. Mag., 1976, v. 34, N6, p. H2I-H28.
  54. Minarl F., Plc/iaud В., CapetEa L. У-ray topographic analysis of a particular dislocation-dislocation Interaction Inducing cross slip. Phil. Mag. A, 1980, p-281 -289.
  55. Ll J.C.M. Cross shp and cross climb of dislocations Induced fly a locked dislocation. J. Appl. Phys., 32, rJ 6, p. 593 -599.
  56. Mendelson S. G? ide band -formation and Broaderung In ionic singEe crystals. Phil. Mag., 4963, v.8, tJ94, p.
  57. Li J.C.M, Needkam C.D. Some elastic properties Of a screw dislocation waEE. J. AppE. Phys. ,<960,v. 34, isl 8, p. <318 -1330.
  58. В.Г. Формирование полос скольжения в монокристаллах кремнистого железа. В кн.: Физические процессы пластической деформации при низких температурах. Киев, 1974, с.107−112.
  59. De Lange 0. L., Jackson P.J., Nathanson P. D. K. Stresses and secondary slip between overlapping groups of dislocations. Acta Metallurgica, 1980, v. 28, d7, p.833−839.
  60. Fleischer R.L. Cross slip and dislocation sources.-Acta MetaEfurgica, 1958, v. 6, Ы 8, p. 553 554.
  61. Hirsch P.B. The interpretation of the sicp pattern m terms of dislocation movement. J. Inst. MetaEs, 957, v. 86,^4, p. 744.
  62. Humphreus F. J., Martin J.W. The effect of dispersed phases upon dislocation distributions in plastically deformed copper crystaEs. Phil. Mag., 4967, v.<43, p. 927−957.
  63. Humphreus F .J., Hirsch P. B>. The de-form at ioh of Single crystaEs of copper and copper-zink alloys containing aEumina particEes. Proc. Royaf? Society 4970, v. A3<8, ri <532, p. 73- 92.
  64. П.В., Хэмпфри Ф.Дж. Пластическая деформация двухфазных сплавов, содержащих малые недеформируемые частицы. В кн.: Физика прочности и пластичности. М., 1972, с.158−186.
  65. Gleiter И. Theorie der prismatischen Quergleitungvor Versetzungen in der Umge&ung von Aus-schetdungen. Acta Meta?? urgica, 49Q? t v. <5, «4 7, pA23~22.
  66. Gfelter H., Horn&ogen E. Precipitation hardening By coherent particles. Mater. Set. and Eng., W&, v.2, rfff, p. 285−302.
  67. Gleiter H. Experimented Untersuchungen der prlsmatischen Quergfeltung von Versetzungen In der Umgetung von koharenten, verspannten Ausscheidungen. Acta Metaffurgica, *9G7, v. <5, M7, p. <223−122
  68. А.А., Шестаков А. Д. Взаимосвязь поперечного скольжения и переползания петель Орована. Физ. металлов и металловедение. 1981, т.52, № 3, с.634−639.
  69. А.А., Шестаков А. Д. Взаимосвязь поперечного скольжения и переползания петель Орована. В кн.: Взаимодействие дефектов кристаллической решетки и свойства металлов. Сб. науч. тр. Тула, 1982, с.94−98.
  70. Арре? F., Messerschmldt U. Surface-induced cross gpide of screw dislocationsPhys. status SO0idl, 1969, v. 35, r4 2, p. 10D3 ~W08 .
  71. A.H., Переверзенцев B.H. Расщепление дислокации на две полные как механизм размножения. Физ. металлов и металловедение, 1972, т.33, № 3, с.463−468.
  72. Ф., Аргон А. Деформация и разрушение материалов. -М.: Мир, 1970. 443с.
  73. George A., Champier 0. On the cross-s2ip of isolated dislocation at -the surface of silicon crystals.- Scripta MetallurgLca, 49&0, v. M,, p. 399 -403.
  74. Aktmov ?.Ya., SlreBtsov V.A., Zaitsev VI. Effect- 188 of hydrostatic pressure on dislocation structure parameters of s6lp bands in Ma CI crystals. Phys. Status sotldL (a), 4980, v.57,/14, p. 439−447.
  75. Lohne 0., Rustad 0. A dislocation multiplication mechanism operating cPose to a surface. Phil1. Mag., 3, p. 529−536.
  76. Wiederslch H. A quantitative theory for the dislocation multiplication during the early stages of the formation of gPide bands.- J. AppP. Phys., 19G2, v. JM3, p. 85b-859.
  77. Johnston W.G., Gilman J.J. Dislocation veloslties, dislocation densities, and plastic ffow in Piihium fluoride crystals. J. AppP. Phys., /959,v.30f rJ2, p. <29444.
  78. Vfodimirov V.I., OrEov A.N., Petrov V.A., Smlrnov B.I. Cfide band Broadening in crystals. Phys. status SoBidi, 4969, v. 33, Ni, p. 477−484.
  79. .И., Самойлова Т. В., Елехер Е. В. Влияние примеси на параметры дислокационной структуры кристаллов LlF : Mg2+, деформированных одиночным скольжением. Физ. твердого тела, 1971, т.13, Ml, с.3295−3302.
  80. KPyavLn 0. v., Ntklforov A.V., Smlrnov B.I., Chernov Yu.M. The dislocation structure of gPide bands tn LiF crystals stressed at T = 300 to, ц°<. Phys. sta-tus SoEidi, 1969, v. 35, til, p.427−434.
  81. Р.П., Клявин О. В., Смирнов Б. И. Влияние Jf -облучения на механические характеристики и дислокационную структуру кристаллов LiF, деформированных при 4,2+300К. Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук, 1972, № 3, с.15−21.
  82. М.Б., Самойлова Т. В., Смирнов Б. И. Влияние напряженийна параметры дислокационной структуры полос скольжения в кристаллах LiF . Тр. ЛПИ /Ленингр. политехнич. ин-т, 1975, № 341. Физика металлов и металловедение, с. ПО-ПЗ.
  83. .И., Самойлова Т. В., Изаксон М. Б. Влияние содержания и состояния примеси на подвижность и размножение дислокаций в кристаллах LiF : Mg. В кн.: Динамика дислокаций. Киев, 1975, с.333−338.
  84. Q’MiS P. R. GtPman J.J. Dy rxomical dislocationtheory of crystal plasticity. J.AppS. Phys., 4965, v.3G, tJ 44, p.3370−3380.
  85. .И. Механические характеристики и дислокационная структура кристаллов Li. F, деформированных по одной системе кристаллографических плоскостей. Физ. твердого тела, 1968, т. 10, J&9, с.2689−2696.
  86. Г. Я., Стрельцов В. А., Зайцев В. И. Об интенсификации двойного поперечного скольжения в условиях гидростатическогодавления в щелочно-галоидных кристаллах. Физ. твердого тела, 1980, т.22, № 5, с.1547−1549.
  87. В.И., Барбашов В. И., Дулин М. А., Ткаченко Ю. Б. Подвижность винтовых дислокаций в гидростатически сжатых кристаллах NaCd. -Физ. твердого тела, 1978, т.20, № 8, с.2407−2411.
  88. В.И., Стрельцов В. А., Ткаченко Ю. Б. Подвижность винтовых дислокаций в гидростатически сжатых кристаллах К С£ различной чистоты. Физ. твердого тела, 1982, т.24, М, с.1187−1192.
  89. StrePtsov V.A., Barbashov V. I., Tkachenko Yu.B. Effect of hydrostatic pressure on dislocation mobility ih KC8 crystals. PhуS. status Solidi (a)t 4982, v/. 69, г4 2, p. 497−503.
  90. Zaitsev V.I., BarBashov V. ITkachen ко Yu.B. Effect of high hydrostatic pressure Oh the dislocation mobility in NolCE crystals. Phys. status 9olidi (a), 9?7, v. 44, d 4, K39-K44.
  91. А.А., Игонин С. И. Формирование полос скольжения при пластической деформации кристаллов. В кн.: Элементарные цроцессы пластической деформации кристаллов. Киев, 1978, с. 1735.
  92. А.й., Мартыщенко О. И., Новиков Н. Н. Экспериментальное определение коэффициентов в формуле Видерзиха путем двукратного последовательного нагружения кристалла. Укр. физический журнал, 1981, т.26, ЖЕ1, с.1849−1855.
  93. О.И., Новиков Н. Н. Оценка параметров поперечного скольжения дислокаций в хлористом натрии. Изв. вузов. Физика. 1982, т.25, № 3, с.80−84.
  94. О.И., Новиков Н.Н. Влияние температуры на процесс размножения дислокаций при расширении одиночных полупетель в
  95. Na C?. Изв. вузов. Физика. 1981, т.24, № 2, с. 107−109.
  96. О.И., Новиков Н. Н. Исследование процесса размножения одиночных дислокаций в # -облученных кристаллах NaCB под действием статической нагрузки. Укр. физический журнал, 1982, т.27, № 6, с.898−901.
  97. В.И., Ничуговский Г. И., Предводителев А. А. Закономерности формирования дислокационной структуры линий скольжения.-Изв. вузов. Физика, 1983, т.26, Ы, с.65−69.
  98. Дж., Джонстон В. Зарождение и рост полос скольжения в кристаллах фтористого лития. В кн.: Дислокации и механические свойства кристаллов. М., I960, с.82−116.
  99. Н.Н., 1!уденко О.В. Изучение конфигурации перемещающихся под действием напряжений разной величины и длительности винтовых дислокационных полупетель в ЩГК. Изв. вузов. Физика, 1980, т.23, МО, с.89−90.
  100. Метод статистических испытаний (метод Монте-Карло). /Н.П.Еус-ленко, Д. И. Голенко, И. М. Соболь и др. М.: Физматгиз, 1962.-332с.
  101. Ю.И., Шаскольская М. П. Основы кристаллофизики. М.: Наука, 1975. — 680с.
  102. Е., Боас В. Пластичность кристаллов, в особенности металлических. М.- Л.: ГОНТИ, 1938. — 316с.
  103. В.Л. Первичная обработка экспериментальных данных. Л.: Наука, 1969. — 82с.
  104. Т.В., Смирнов Б. И. Влияние поверхности на плотностькраевых компонент дислокаций в деформированных щелочно-гало-идных кристаллах. Физ. твердого тела, 1976, т. 18, $ 7, с.2075−2077.
  105. Ю8. Самойлова Т. В., Смирнов Б. И. Распределение дислокаций в деформированных кристаллах у поверхности, параллельной вектору Еюргерса. Физ. твердого тела, 1978, т.20, № 9, с.2645−2648.
  106. В.И., Кусов А. А. Моделирование кинетики развития дислокационной структуры вблизи поверхности кристалла. -Физ. твердого тела, 1978, т.20, МО, с.3171−3173.
  107. ПО. Веселов В. И., Ничуговский Г. И. Кинетика процесса размножения дислокаций вблизи поверхности кристалла. М., 1983. — 30с.-Рукопись представлена Моск. ин-том нар. х-ва им. Г. В. Плеханова. Деп. в ВИНИТИ 07 апреля 1983 г., J6I838−83.
  108. В.И., Ничуговский Г. И. Начальные стадии развития полос скольжения в кристаллах. В кн.: Пластическая деформация и актуальные проблемы прочности сплавов и порошкообразных материалов: Тез. докл. семинара. Томск, 1982, с.46−47.
  109. .И. Эволюция дислокационной структуры и стадийность кривых упрочнения кристаллов. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1973, т.37, Ш, с.2427−2432.
  110. Т.В., Смирнов Б. И. Параметры парного расположения дислокаций в деформированных кристаллах LiF . Физ. твердого тела, 1981, т.23, № 8, с.2311−2314.
  111. T.V., Smlrnov В.I., Chernov Е. Е. Electron microscopy observation of dislocation muEtipoEes ih sElp Bands of LlF crystals. Phys. states SoEidi, 1968, v. 28,, K4-K3.
  112. Т.В., Смирнов Б. И., Нарышкина Т. Г. Электронномикро-скопическое исследование дислокационной структуры деформированных кристаллов LlF . Физ. твердого тела, 1969, т. II, 165, C. II88-II92.
  113. В.И., Ничуговский Г. И., Предводителев А. А. Моделирование процесса образования полосы скольжения. Изв. высш. учебных заведений. Физика, 1981, т.24, № 9, с.82−86.
  114. Q’dman J.J., Johnston W.G. Dislocations in tithium fluoride crystals. Soiid State Phys., 1962, v. 43, p. 447−222.
  115. Neumann P.D. The Interaction Between dislocations and. dislocation dlpodes. Acta MetaPEurg lea, 4974. v.49, d 44, P- 4233−4241.
  116. Sadananda K., Marcinkovskl M.J. The equilibrium Between disEocations and dislocation dcpoBes. I. Stcxtics. Phуstatus soBtdi (a), 4975, v. 29, rl 4, p. 34−39.
  117. Sadanancla k., MarclnUovskl MJ. The equh&rium Betw&en dislocations and disEocatlon dipoEes. П. Dynamics. Phys. status soEidl (a), <975, v.29, Ы2, p. 424−430.
  118. А.А. Взаимодействие дислокаций с диполем. Физ. металлов и металловедение. 1977, т.43, J?5, с.1Ю8-ПЮ.
  119. Bengus V.Z., Kovalenko Т.Р. Distributions of dislocations in gPide bands of KCB singSe crystals. Phys. Status soPidi (a), 1974, v. 26, ы2, p. 703−709.
  120. А.А., Ракова Н. К., Нан Хун-бинь. Исследование движения краевых дислокаций при низких напряжениях в кристаллах хлористого натрия. Физ. твердого тела, 1967, т.9, М, с. 300−308.
  121. А.А., Степанова В. М., Носова Н. А. Исследование прохождения одиночных дислокаций через полосы скольжения в кристаллах NaC? . Кристаллография, 1966, т. II, М, с.632−641.
  122. Н.Р. Дислокационная структура и деформационное упрочнение монокристаллов окиси магния. Дисс. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. — М., 1978. — 203с.
  123. Н.Р., Бережкова Г. В., Говорков В. Г., Перстнев П. П. Исследование структуры линий скольжения в монокристаллах МдО электронномикроскопическим методом реплик. Изв. АН СССР, Сер. физ., 1978, т.42, М, с.216−219.
  124. И.Н., Самойлова Т. В., Смирнов Б. И. Механические свойства и дислокационная структура щелочно-галоидных кристаллов при одиночном скольжении. Физ. твердого тела, 1972, т.14, $ 2, с.583−586.
  125. В.Д., Чишко К. А. Динамика и звуковое излучение источника Франка-Рида. Физ. твердого тела, 1975, т. 17, Ш, с.342−345.
  126. В.Д., Чшпко К. А. Динамика и звуковое излучение дислокационного источника Франка-Рида. I. Начальная стадия работы источника. Тр. ФТИНТ АН УССР /Физико-технический ин-т низких температур, 1974, вып. 33. Физика конденсированного состояния, с.44−57.
  127. К.А. Дислокационные механизмы акустической эмиссии пластически деформируемых кристаллов: Автореф. дисс. на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук. Харьков, 1977.-16с.
  128. Г. В., Мартыщенко О. И., Новиков Н. Н. Об изменении вероятности размножения дислокаций в подвергшихся ударному нагру-жениго кристаллах NaCf . Физ. твердого тела, 1982, т.24, $ 5, с.1559−1561.
  129. А.А., Бушуева Г. В., Вронская Т. В., Епишина Н. И. Взаимодействие дислокаций и его особенности, выявляемые при электронномикроскопических исследованиях тонких фольг. Изв. АН СССР. Сер. физ., 1968, т.32, 167, с.1232−1241.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!