Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов

Диссертация: Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследуемые образцы пленок оксидов переходных металлов были получены анодным окислением соответствующих металлов (V, Nb, Ti, Та). Для анодирования использовались жесть, фольга, а также тонкие слои металлов, полученных методами термического напыления с электронно-лучевым (ЭЛ) разогревом и магнетронного распыления. Процессы ЭЛ напыления и магнетронного распыления были реализованы в промышленных… Читать ещё >

Лазерная и корпускулярная модификация свойств оксидов переходных металлов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ЛАЗЕРНОГО И ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЙ С ТВЕРДЫМИ ТЕЛАМИ (ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Лазерная обработка при изготовлении компонентов электронной техники
      • 1. 1. 1. Тепловой механизм лазерного воздействия
      • 1. 1. 2. Селективные (нетермические) воздействия
      • 1. 1. 3. Влияние лазерного излучения на рост и структуру кристаллов и окислительно-восстановительные процессы
    • 1. 2. Свойства оксидов переходных металлов
      • 1. 2. 1. Особенности состава оксидов переходных металлов
      • 1. 2. 2. Анодное окисление- способ получения тонких пленок оксидов переходных металлов
      • 1. 2. 3. Фазовый переход металл-изолятор
      • 1. 2. 4. Эффект переключения
        • 1. 2. 4. 1. Переключение в УОг
        • 1. 2. 4. 2. Модели переключения
    • 1. 3. Модификация свойств оксидов переходных металлов под действием лазерного и электронного излучений
  • Выводы из литературного обзора
  • Глава 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 1. Приготовление образцов
    • 2. 2. Аппаратура для фотонной и корпускулярной модификации
    • 2. 3. Лазерный комплекс
    • 2. 4. Аппаратура для фотостимулированного анодного окисления
    • 2. 5. Измерительные методики
      • 2. 5. 1. Спектрофотометрический метод
      • 2. 5. 2. Электрофизические измерения
  • Глава 3. СОСТАВ, СТРУКТУРА И ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИСХОДНЫХ ПЛЕНОК ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
    • 3. 1. Анодное окисление ванадия
    • 3. 2. Оптические свойства тонких пленок анодных оксидов ванадия
    • 3. 3. Исследование структуры и стехиометрии анодного оксида ванадия
  • Глава 4. МОДИФИКАЦИЯ СВОЙСТВ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ФОТОННОГО И ЭЛЕКТРОННОГО ОБЛУЧЕНИЙ
    • 4. 1. Лазерная модификация свойств оксидов переходных металлов
      • 4. 1. 1. Модификация оптических свойств
      • 4. 1. 2. Модификация химических свойств
      • 4. 1. 3. Модификация электрических свойств
    • 4. 2. Электронно-лучевая модификация свойств оксидов переходных металлов
  • Глава 5. ФОТОСТИМУЛИРОВАННОЕ АНОДНОЕ ОКИСЛЕНИЕ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
  • Глава 6. МЕХАНИЗМ ТРАНСФОРМАЦИИ СВОЙСТВ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ФОТОННОГО И ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ОБЛУЧЕНИЙ
  • Глава 7. ПРАКТИЧЕСКОЕ ПРИМЕНЕНИЕ ПЛЕНОЧНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ
    • 7. 1. Среды для записи, хранения и отображения оптической информации на основе пленочных структур с оксидами переходных металлов
    • 7. 2. Резист для ультрафиолетовой и электронно-лучевой субмикронной литографии

Актуальность работы: Лазерное и корпускулярное излучение широко используется для управления свойствами поверхностных слоев твердых тел. Высокая плотность энергии, моноэнергетичность, возможность локальной обработки с высоким разрешением позволяет использовать данное излучение на разных стадиях технологического процесса производства интегральных схем [2,22]. Однако широкого внедрения лазерной обработки в технологию производства различных оптических, оптоэлектронных и электронных компонентов не происходит. Причина этого заключается в необходимости конкурировать с эффективными и отработанными традиционными технологическими приемами обработки полупроводниковых материалов.

В полной мере возможности лазерной и корпускулярной обработки можно продемонстрировать на примере новых материалов. Одним из перспективных классов материалов, с этой точки зрения, являются оксиды переходных металлов (ОПМ). Причина высокой чувствительности соединений переходных металлов к такого рода воздействиям связана с электронным строением атомов (¿—элементов. Наличие недостроенной (1-оболочки приводит к тому, что переходные металлы проявляют в соединениях широкий набор валентных состояний, образуя целый ряд фаз. Причем существуют окислы, не отвечающие формально какому-то целочисленному значению валентности металла. Для большинства оксидов переходных металлов характерны также значительные отклонения от стехиометри-ческого состава в пределах достаточно широкой области гомогенности [9]. Следствием указанных особенностей электронного строения является также то, что энергии различных химических и структурных преобразований в оксидах <1-металлов относительно невелики. Это открывает возможность селективного (управляемого, например, выбором длины волны или энергии излучения) воздействия на материал лазерной или электронной обработками с целью модификации физико-химических свойств.

Особый интерес представляет проведение таких исследований в материалах с различными электронными и фононными неустойчивостями. Фазовые переходы такого рода типичны для ОПМ. Во многих из них при изменении внешних параметров наблюдается, например, фазовый переход металл-полупроводник (ФПМП) с резким различием физико-химических свойств металлической и диэлектрической фаз [13]. Подобные неустойчивости могут стимулироваться фотонным и корпускулярным излучениями. Отметим также, что исследования модификации свойств оксидов переходных металлов имеют важное прикладное значение в плане поиска новых высокоэффективных фоточувствительных сред для записи оптической информации (как в голографической, так и в цифровой форме) и разработке неорганических фотои электронорезистов для субмикронной литографии.

Таким образом исследование лазерной и корпускулярной модификации свойств оксидов переходных металлов представляет собой актуальную задачу как с научной, так и с практической точки зрения.

Отметим, что определенные преимущества может дать использование в качестве объектов исследования не объемных образцов, а тонких пленок. Успехи, достигнутые в технологии и материаловедении тонких оксидных пленок, позволяют в настоящее время получать высококачественные слои заданной толщины на различных подложках, не уступающие по уровню совершенства «идеальным» монокристаллам. В то же время при взаимодействии с коротковолновым лазерным излучением или электронными и ионными пучками, малая толщина образца имеет важное значение для однородного распределения поглощенной энергии. Кроме того, оксидные пленки, полученные, например, методом анодного окисления, являются, как правило, аморфными [18], что, с одной стороны определяет дополнительный механизм изменения свойств материала при облучении за счет кристаллизации, а с другой — обеспечивает потенциально высокое разрешение фото (электроно) чувствительных сред на основе оксидов переходных металлов.

Цель работы. Исследование модификации структуры, состава, и физикохимических свойств тонких пленок оксидов переходных металлов (V, №>, Та, Т1) под действием лазерного и корпускулярного излучений, а также возможности использования обнаруженных эффектов в различных приложениях.

Научная новизна диссертационной работы определяется тем, что в ней впервые детально исследован эффект сильной модификации свойств аморфных ОПМ, полученных методом анодного окисления, под действием лазерного и электронного облучений.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. Под действием лазерного и электронно-лучевого излучений в тонких пленках ОПМ, полученных анодным окислением, наблюдается существенная модификация физико-химических свойств материалов — изменение оптических констант, рост проводимости, снижение электрической прочности, изменение химической активности.

2. Наибольшей чувствительностью обладают анодные оксиды ванадия, химические и структурные особенности которых, а также наличие электронных фазовых переходов (ФПМП), делают их метастабильными объектами с пороговыми энергиями и дозами начала модификации свойств Е0< 1 мДж/см для фотонов и ~1 мкКл/см2 для электронов.

3. Механизм модификации определяется процессами кристаллизации аморфных пленок и окислительно-восстановительных реакциями на внутренних и внешних границах пленочных структур, формирующихся в ходе анодного окисления. В случае оксида ванадия сильное влияние на модификацию свойств оказывает фото — и электроностимулированный фазовый переход металл-полупроводник.

4. В рассмотренном классе оксидных материалов реализуется процесс фотости-мулированного анодного окисления, обладающего универсальными свойствами. В частности, для эффективного фотостимулированного окисления энергия квантов света должна превышать ширину запрещенной зоны оксидного материала.

5. Обнаруженные эффекты могут найти применение при разработке элементов интегральной оптики, эффективных оптических сред и фотои электроноре-зистов в литографических процессах с разрешением менее 200 нм.

Практическая значимость определяется тем, что эффект модификации свойств аморфных пленок ОПМ под действием лазерного и корпускулярного излучений может быть использован при разработке неорганических фотои электронорезистов и оптических сред с высокими характеристиками — чувствитель.

2 2 ностью ~ 0,5−1 мДж/см для дальнего ультрафиолета и ~1мкКл/см для электронов и субмикронным разрешением (до 200нм). Обнаруженные эффекты перспективны также для разработки элементов интегральной оптики.

Апробация работы: Основные результаты диссертации доложены на:

— I международной научно-технической конференции «Химия -97». Международный семинар «Анодная электрохимическая обработка металлов» ., г. Иваново, 1997.

— Международной конференции «Проблемы преподавания математики и физики в высшей и средней школе» ., Петрозаводск, 1998 г.

— Международной научно-технической конференции по физике твердых диэлектриков «Диэлектрики -97», С.-Петербург, 1997 г.

— International conference on solid state crystals., Zakopane, Poland, 1998.

— 7th Nolamp conference, 7th Nordic conference in laser processing of materials., Lappeenranta, Finland 1999.

— VII Международная конференция по физике и технологиям тонких пленок, г. Ивано-Франковск, Украина 1999 г. и опубликованы в виде статей и тезисов докладов конференций:

1) F.A. Chudnovskii, D.O. Kikalov, A.L. Pergaraent, and G.B. Stefanovich Electrical transport properties and switching in vanadium anodic oxides: effect of laser irradiation // Phys. stat. sol.(a). 172, 391−395 (1999).

2) G.B. Stefanovich, A.L. Pergament, F.A. Chudnovskii, and D.O. Kikalov Laser modification of the electrical properties of vanadium oxide thin films // Opto-electronics review 7(2), 131−134 (1999).

3) Кикалов Д. О., Малиненко В. П., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б Оптические свойства тонких пленок аморфных оксидов ванадия // Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 8, с. 81−87.

4) Кикалов Д. О., Пергамент A.JI., Стефанович Г. Б Лазерная модификация электрических и оптических свойств оксидов переходных металлов// Тезисы докладов международной научно-технической конференции по фи-зике твердых диэлектриков «Диэлектрики -97м, С. Петербург, 1997, с. 36.

5) Кикалов Д. О., Пергамент А. Л., Стефанович Г. Б Фотостимулирован-ное окисление переходных металлов //Тезисы докладов 1 международной научно-технической конференции «Химия -97». Международный семинар «Анодная электрохимическая обработка металлов» ., г. Иваново, 1997, с.ЗО.

6) Valerii Gurtov, Dmitrii Kikalov, Alexandr Pergament, Genrikh Stefanovich Laser and e-beam modification of the properties of transition metal oxides films// Сборник докладов конференции Teaching Mathematics and physics in secondary and higher education. Proceedings of the Third Inter-Karelian Conference, Petrozavodsk, 1998, p. 300−303.

7) G.B. Stefanovich, A.L. Pergament, F.A. Chudnovskii, and D.O. Kikalov Laser modification of the electrical properties of vanadium oxide thin films// Тезисы докладов International conference on solid state cristals., Zakopane, Poland, 1998, p. 42.

8) G.B. Stefanovich, A.L. Pergament, V.P. Malinenko, D.O. Kikalov Laser modification of the properties of transition metal oxides //Сборник докладов 7th Nolamp conference, 7th Nordic conference in laser processing of materials., Lappeenranta, Finland 1999, Vol. 2, p. 552−557.

9) Стефанович Г. Б., Величко A.A., Кикалов Д. О., Пергамент А. Л. Лазерная и электронно-лучевая модификация свойств тонких пленок оксидов металлов// Тезисы докладов VII Международная конференция по физике и технологиям тонких пленок, г. Ивано-Франковск, Украина 1999 г., с. 22.

Выводы из литературного обзора.

Резюмируя вышеприведённый обзор работ, посвященных исследованию взаимодействия лазерного и корпускулярного излучения с веществом, можно сделать следующие выводы.

Лазерные и корпускулярные технологии позволяют эффективно и целенаправленно управлять физико-химическими свойствами материалов. Это подразумевает широкое использование подобных технологических приемов в производстве элементной базы микрои оптоэлектроники и интегральной оптики, чего на самом деле не происходит. Причина этого, заключается в необходимости конкурировать с эффективными и отработанными традиционными технологическими приемами обработки полупроводниковых материалов.

В полной мере возможности лазерной и корпускулярной обработки могут проявиться при обработке новых материалов. Перспективными с этой точки зрения являются оксиды переходных металлов, особенно в виде тонких пленок, имеющих аморфную структуру. Краткий анализ физико-химических свойств, приведенный в литературном обзоре, показывает, что химический состав, структурные особенности, сложные энергетические диаграммы, а также низкие энергии активации электронных и кристаллографических перестроек, дает возможность эффективно модифицировать свойства тонких пленок оксидов.

Исходя из этих выводов, а также в соответствии с целью, сформулированной в Введении, в работе решались следующие задачи: систематическое исследование изменения структуры, химического состава и свойств тонких аморфных пленок оксидов переходных металлов при лазерной обработкеизучение модификации свойств, состава и структуры оксидных пленок при электронно-лучевом воздействииизучение влияния фотонного излучения на процесс анодного окисления переходных металловпостроение теоретических моделей исследованных эффектовпоиск путей практического применения обнаруженных эффектов;

Выбор объектов исследования и методов решения данных задач определяется следующими условиями.

Толщина материала, в котором происходит эффективное поглощение фотонов и электронов, лежит в микронном и субмикронном диапазоне. Это приводит к тому, что наибольшее изменение свойств при экспонировании будет наблюдаться в случае использования тонкопленочных объектов. Для получения тонких пленок, в плане решаемых в данном исследовании задач, целесообразно применение анодного окисления.

Метод анодного окисления, позволяя получать однородные тонкие плёнки с воспроизводимыми характеристиками, обладает некоторыми технологическими преимуществами, т.к. является низкотемпературным, не требует использования высоковакуумной техники, даёт возможность легко осуществлять контроль толщины по напряжению анодирования. Кроме того, анодные пленки имеют, как правило, аморфную структуру и сложное химическое строение. Данный способ получения пленок позволяет получать сложные многослойные структуры — на внешней границе в основном присутствуют высшие оксиды, тогда как внутренние области представляют собой низшие оксидные фазы. В этом случае возможно фотонное или корпускулярное стимулирование окислительно-восстановительных реакций на внутренних и внешних границах анодного оксида.

Именно поэтому в настоящей работе объектами исследования были выбраны аморфные пленки оксидов переходных металлов, получаемые методом анодного окисления.

Глава 2. Методики экспериментальных исследований.

2.1. Приготовление образцов.

Исследуемые образцы пленок оксидов переходных металлов были получены анодным окислением соответствующих металлов (V, Nb, Ti, Та). Для анодирования использовались жесть, фольга, а также тонкие слои металлов, полученных методами термического напыления с электронно-лучевым (ЭЛ) разогревом и магнетронного распыления. Процессы ЭЛ напыления и магнетронного распыления были реализованы в промышленных вакуумных постах ВУП-5 (ЭЛ напыление) и ВУП-5М (магнетронное распыление). ЭЛ напыление производилось из модернизированного 2 кВт испарителя, организованного по принципу «свободной капли» [67]. Режимы магнетронного распыления ионами Аг+ на постоянном токе были оптимизированы для каждого конкретного металла подбором значений разрядного напряжения и давления аргона. Напряжение, Up, изме.

3 2 нялось в диапазоне 300 — 550 В, а давление, Рр, — 5−10″ - 2−10″ мм.рт.ст. (для V, например, Up «500 В, Рр «1−10» мм.рт.ст., разрядный ток при этом 1р «450 мА).

Все исходные металлы (фольга, жесть, мишени для распыления ванадия) содержали, как правило, не более 0,1% примесей.

В случае использования жести или фольги, образцы перед анодированием подвергались механической шлифовке, очистке, химической и электрохимической полировке в соответствии с рекомендациями, приводимыми в справочной литературе [26,68,69]. Так для ванадия состав электролита для полировки представлял собой 40%-ый раствор H2S04 в этаноле при плотности тока 0,5 А/см2. Титановая жесть подвергалась химической полировке в смеси концентрированных кислот (HN03,HF и H2SO4) [70]. Качество поверхности оценивалось визуально — по зеркальному блеску. Для финишной обработки применялась очистка и обезжиривание поверхности кипячением в дистиллированной воде и в ацетоне.

Анодное окисление (или анодирование) проводилось в установке, схема которой изображена на рис. 2.1. При пропускании тока через электрохимическую ячейку, в которой окисляемый образец является анодом, происходит перенос ионов кислорода из электролита в металл и образование на его поверхности анодной оксидной пленки (АОП). Анодирование осуществлялось как в гальваностатическом (ГС), так и в вольтстатическом (ВС) режимах, т. е. при постоянном токе или при постоянном напряжении на ячейке, соответственно.

В качестве электролитов использовались водные растворы солей и кислот, а также растворы на основе органических растворителей. Составы электролитов приведены в табл.2.1. Для приготовления электролитов использовались дистиллированная вода и химические реактивы марок ХЧ и ЧДА.

После окисления в электролите образцы промывались в дистиллированной воде (или в чистом ацетоне, в случае АОП V) и высушивались в потоке горячего воздуха.

Заключение

и выводы.

В соответствии с поставленной задачей и целью данной работы по исследованию модификации структуры, состава и физико-химических свойств тонких пленок оксидов переходных металлов под действием лазерного и корпускулярного излучений, можно сделать ряд выводов о влиянии лазерного и корпускулярного излучений на свойства данного класса материалов, а также о возможности практического применения обнаруженных эффектов.

1. При воздействии лазерного и электронного излучений на тонкие пленочные структуры оксидов переходных металлов, наблюдается существенное изменение физико-химических свойств данных материалов.

2. При достижении пороговой энергии, величина которой различна для разных оксидов, наблюдается изменение оптических констант материала, что приводит к сдвигу интерференционного спектра в коротковолновую область и изменению цвета пленки.

3. Одновременно происходит изменение электрических свойств материаланаблюдается рост проводимости, снижение электрической прочности, формовка каналов с электрическим переключением.

4. Обнаружен эффект селективного химического, плазменного (ионы Аг+) и плазмохимического (фторосодержащие газы) травления. Скорости травления образцов, подвергнутых лазерной или электронно-лучевой обработке, значительно меньше исходных образцов.

5. Установлено, что наибольшую чувствительность к различного рода воздействиям проявляют анодные оксиды ванадия, химические и структурные особенности которых, а также наличие фазового перехода металл-полупроводник, делают их метастабильными объектами с низкими пороговыми энергиями и дозами, необходимыми для начала модификации. Так для фотонов энергия начала модификации составляет величину меньшую 1 мДж/см2, а для электронов доза облучения должна быть порядка 1 мкКл/см .

6. Специфика механизма модификации свойств анодных оксидов переходных металлов заключается в возбуждении сложных взаимосвязанных окислительно-восстановительных реакций, происходящих на внутренних и внешних границах пленочных структур, стимулирующих при больших энергетических.

115 воздействиях кристаллизацию аморфных пленок. Необходимо также отметить, что в случае оксида ванадия сильное влияние на модификацию оказывает фотои электроностимулированный фазовый переход металл-полупроводник.

7. В рассмотренных пленочных структурах наблюдается эффект фотостиму-лированного анодного окисления, при котором состав и структурные особенности пленок, выращенных в «темновых» условиях и при фотонном облучении не меняются. Наблюдается увеличение скорости роста толщины оксида при фотонной стимуляции.

8. Полученные в данной работе результаты и представления позволяют рассматривать пленочные структуры на основе оксидов переходных металлов как перспективный класс материалов для разработки элементов интегральной оптики, сред для записи, хранения и отображения оптической информации, а также в качестве фотои электронорезиста в литографических процессах.

Показать весь текст

Список литературы

  1. С.И., ИмасА.Я., Романов Г. С., Ходыко Ю. В. Действие излучения большой мощности на металлы. М.: Наука, 1970. — 348 с.
  2. Дж. Промышленное применение лазеров. М.: Мир, 1981. 465 с.
  3. A.A., ГладушГ.Г. Физические процессы при лазерной обработке материалов. М.: Энергоатомиздат, 1983. 232 с.
  4. Duley W.W. Laser processing and analysis of materials. New York, London: Plenum press, 1983. p. 243.
  5. P.B., Баранов В. Ю., Большое Jl.A. и др. Воздействие лазерного излучения на материалы. М.: Наука, 1989. 365 с.
  6. H.H., Углов A.A., Зуев И. В., Кокора А. Н. Лазерная и электроннолучевая обработка материалов. М.: Машиностроение, 1985. 172 с.
  7. И.В., Шапарев Н. Я., Шкедов И. М. Оптимальные лазерные воздействия. Новосибирск: Наука, 1989, 32 с.
  8. B.C.Stuart, M.D.Feit, А. М Rubenchik, B.W.Shore, and M.D.Perry. Laser-induced Damage in Dielertrics with Nanosecond to Subpicosecond Pulses.-Physical review letters. Vol.74(12), 1995, pp.2248 2251.
  9. C.M., Семёнов И. Н. Краткое пособие по химии переходных элементов. Изд. ЛГУ, 1972. 141 с.
  10. С.А., Иванникова Г. Е. Электронная техника. Полупроводниковые приборы № 4, т.29 (1970).
  11. Н.В., Кириченко H.A., Лукьянчук Б. С. Макроскопическая кинетика термохимических процессов при лазерном нагреве: состояние и перспективы. -Успехи химии 62(3). 1993. с. 223 246.
  12. A.M., Шибко А. Н. Влияние лазерного излучения с hv = 1,96 эВ на пленки ванадия при термическом отжиге. Неорганические материалы, 1993, т.29, № 11, с. 1477- 1479.
  13. A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. Л.: Наука, 1979. 183 с.
  14. А.Л., Стефанович Г. Б., Чудновский Ф. А. Фазовый переход металл-полупроводник и эффект переключения в оксидах переходных металлов. -Физика твёрдого тела, 1994, т.36, № 10, с. 2988 3001.
  15. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов. М: Мир, 1975. 396 с.
  16. Н.Ф. Переходы металл-изолятор. М.: Наука, 1979. 342 с.
  17. Физико-химические свойства окислов. Справочник. Под редакцией Самсо-нова Г. В. М.: Металлургия, 1978. 472 с.
  18. Л.Л., Орлов В. П. Анодные окисные плёнки. Л.: Наука, 1990.-200 с. — Одынец Л. Л., Ханина Е. Я. Физико-химические процессы в анодных оксидных плёнках. Петрозаводск, 1994. 84 с.
  19. Р.А., Давыдов А. Д. Диэлектрические анодные пленки на металлах: Итоги науки и техники. Коррозия и защита от коррозии. М.: ВИНИТИ, 1990, т. 16, с. 89- 143.
  20. Honig J.M. Electrical transition in metal oxides. J. Solid State Chem., 1982, v.45, № 1, 1 — 13.
  21. B.M. Кинетические явления в кислородосодержащих ванадиевых соединениях . дисс. докт. физ.- мат. наук. — Вильнюс, 1991. — 305 с.
  22. А.А., Гукетлев Ю. Х., Гарицын А. Г., Федоренко В. В. Лазерография основа перспективных технологий создания СБИС. — Электронная промышленность, 1991. В.6, с.3−17.
  23. F. A. Chudnovskii and G. В. Stefanovich, «Metal-insulator phase transition in disordered V02», J. Solid State Chem., v. 98, n. 1, pp. 137 143, (1992).
  24. F.A.Chudnovskii, V.P.Malinenko, A.L.Pergament, G.B.Stefanovich, «Electrochemical oxidation of Y-Ba-Cu-0 high-Tc superconductors», Electrochimica Acta, v.43, n.12−13, pp.1779 1784 (1998).
  25. Г. Б. Фазовый переход металл-полупроводник в структурно ра-зупорядоченной двуокиси ванадия. дисс. канд. физ.-мат. наук. — Петрозаводск, 1986. — 185 с.
  26. Юнг Л. Анодные окисные пленки. Л.: Энергия, 1967. 232 с.
  27. .И., Андрющенко Ф. К. Электрохимия вентильных металлов. Харьков: Вища школа, 1985. 143 с.
  28. С.Д. Кинетические явления в аморфных металлооксидных диэлектриках и конденсаторных структурах на их основе: дисс. доктора физ.-мат. наук. -С.-Петербург, 1992. — 280 с.
  29. В.Н., Аронов А. Г., Чудновский Ф. А. Фазовый переход полупроводник металл в сильном поле в V2O3.- ЖЭТФ, 1971, т.61, № 2(8), с. 705 — 713.
  30. A.A., Гудялис В. В., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Селективность фотовозбужденного фазового перехода металл полупроводник в V02 при инициировании его пикосекундными импульсами. — Письма в ЖТФ, 1981, т. 34, № 8, с. 452 -455.
  31. P.O., Кузьмин Е. В., Овчинников С. Г. Основные представления о переходах металл изолятор в соединениях 3d — переходных металлов. — УФН, 1986, т. 148, № 34, с. 603 — 636.
  32. Резницкий Л. А. Химическая связь и превращения оксидов. М.: МГУ, 1991. -168с.
  33. И.М., Стафеев В. И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с.
  34. С.А., ШкутВ.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова думка, 1978. 203 с.
  35. В.Б., Суханов A.A. Явления электрической неустойчивости (переключение) в стеклообразных полупроводниках. Зарубежная радиоэлектроника, 1976, № 9, с.68−101.
  36. МеденА., ШоМ. Физика и применение аморфных полупроводников. М.: Мир, 1991. 670 с.
  37. Adler D., Henisch Н.К., Mott N.F. Threshold switching in amorphous alloys -Rev. Mod. Phys, 1978, v.50, p. 208 221.
  38. .Т., Лебедев Э. А., Цэндин К. Д. Электронно-тепловая природа низкоомного состояния, возникающего при переключении в ХСП. ФТП, 1981, Т.15, № 2, с. 304 — 310.
  39. Al-Ramadhan F.A.S., Hogarth С.А. Observation and compositional studies of the metallic conduction filaments in the ON state of Si02/V205 thin films used as memory elements. J. Mater. Sei., 1984, v.19, p.1939 — 1946.
  40. ДирнлейДж., СтоунхэмА., Морган Д. Электрические явления в аморфных пленках окислов. УФН, 1974, Т.112, № 1, с. 83 — 128.
  41. Oxley D.P. Electroforming, switching, and memory effects in oxide thin films. -Electrocompon. Sci. Technol., 1977, v.3, № 4, p.217−224.
  42. Ray A.K., Hogarth C.A. A critical review of the observed electrical properties of M1M devices showing YCNR. Int. J. Electronics, 1984, v.57, № 1, p. 1 — 78.
  43. Pagnia H., Sotnik N. Bistable switching in electroformed MIM devices. Phys. Status Solidi (a), 1988, v.108, № 1, p.11−65.
  44. E.M., Гольцман Г. Н., Дзарданов А. Л., Елантьев А. И., Зорин М. А., Маркин А. Г., Семенов А.Д. S N — переключение сверхпроводниковых пленок ниобия и YBCO. — СФХТ, 1992, т.5, № 12, с.2386−2402.
  45. Козырев А. Б, Самойлова Т. Б., Шаферова С. Ю. Быстрое токовое S N — переключение пленок УВа2Сиз07х и его применение для амплитудной модуляции СВЧ сигнала. — СФХТ, 1993, т.6, № 4, с. 823 — 837.
  46. А.В., УшаткинЕ.Ф., УрсулякН.Д., ТагерА.С. Отрицательное дифференциальное сопротивление контакта сверхпроводящих керамик. -СФХТ, 1989, т.2, № 5, с.91−96.
  47. Mansingh A., Sihgh R. The mechanism of electrical threshold switching in V02 crystals. J. of Phys. C. 1980, v. 13, № 33, p. 5725 — 5733.
  48. B.B., Корнетов B.H. Полевые эффекты в пленках двуокиси ванадия. ФТТ, 1974, т. 16, № 10, с. 3106 — 3107.
  49. Т.П., Сербинов И. А., Рябова Л. А. Переключение в системе V02 -диэлектрик полупроводник. — Письма в ЖТФ, 1977, т. З, № 8, с.342−344.
  50. В.П., Малиненко В. П., Стефанович Г. Б., ТерманМ.Ю., Чуднов-ский Ф. А. Переключение в MOM структурах на основе двуокиси ванадия. -Письма в ЖТФ, 1985, т.11, вып. 2, с.108−110.
  51. .К. Эффект переключения в ванадии, окисленном на воздухе при лазерном облучении. Украинский Физический Журнал. 1979, т.24, № 11, с. 1753 — 1755.
  52. Higgins J.K., Temple В.К., Lewis J.E. Electrical properties of vanadat-glass threshold switches. J. Non — Cryst. Solids, 1977, v.23, p. 187 — 215.
  53. Zhang J.G., Eklund P.C. The switching mechanism in V205 gel films. J. Appl. Phys., 1988, v.64, № 2, p.729- 733.
  54. Bullot J., Gallias O., Gauthier M., Livage J. Threshold switching in V205 layers deposited from gels. Phys. Status Solidi (a), 1982, v.71, № 1, p. K1-K4.
  55. Taketa Y., Furugochi R. Switching and oscillation phenomena in Sn02 VOx -PdO ceramics. — Appl. Phys. Lett. 1977, v.31, № 7, p.405 — 406.
  56. P.M., Бондаренко B.M., Волков B.JT. Явление переключения в монокристаллах (3 Ago^^Gs- - Изв. АН СССР, Неорганические материалы, 1991, т.27, № 2, с. 429−431.
  57. Warren А.С. Reversible thermal breakdown as a switching mechanism in chalco-genide glasses. IEEE Trans. Electron Dev., 1973, v. ED — 20, № 2, p.123 — 131.
  58. Thomas D.L., Male J.C. Thermal breakdown in chalcogenide glasses. J. Non -Cryst. Solids, 1972, v.8−10, p.522 — 530.
  59. Kroll D.M. Theory of electrical instabilities of mixed electronic and thermal origin. Phys. Rev. B, 1974, v.9, № 4, p.1669 — 1706.
  60. А.Л. Эффект переключения в оксидах переходных металлов. -дисс. канд. физ.-мат. наук. Петрозаводск, 1994. — 212 с.
  61. Kinawy N.I., Nanai L., VajtaiR., Hevesi I. Mechanical properties of V205 polycrystals grown by laser light irradiation. J. Alloys and Compounds. 1992.-Vol. 186(1), c. Ll -L5.
  62. Katsuya Okabe, Tomokuni Mitsuishi and Yosisato Sasaki. Reduction and Sintering of Vanadium Oxide Films by Laser-Beam Irradiation. Japanese Journal of Applied Physics., Vol.26(10), 1987, pp.1802 — 1803.
  63. A.A., Еаврилюк А. И., Еурьянов A.A., Захарченя Б. П., Чудновский Ф. А. Метастабильная металлическая фаза в плёнках двуокиси ванадия.- Письма в ЖТФ, т.4, вып. 2., 1978, с. 65 68.
  64. Л.М., Леонтьева О. В. Особенности кристаллизации оксидов переходных металлов под действием электронов. Письма в ЖТФ, т. 16, вып.24, 1990.
  65. Ф.Х., Панченко В. Я., Шелепин Л. А. Лазерное управление процессами в твёрдом теле. Успехи физических наук, т.166, № 1. 1996. с. 3−32.
  66. Данилин Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия, 1967, — 237 с.
  67. Е.Е. Справочник по анодированию. М.: Машиностроение, 1988. -224 с.
  68. СЛ., Тихонов К. И. Электролитические и химические покрытия: теория и практика. Л.: Химия, 1990. 228 с.
  69. В.П., Воробьева Н. Б., Морачевский А. П., Иванов А. Е., Риски-на Е.Д. Оксидирование титана в расплавленных солях. Журнал прикладной химии, 1979, т.52, в.2, с. 241 — 245.
  70. Исследование возможности создания тензочувствительных элементов на базе окислов металлов (отчет о НИР). Петрозаводский государственный университет, рук. Малиненко В. П., Петрозаводск, 1988. — 58 с.
  71. К. Электрохимическая кинетика. М.: Химия, 1967. 856 с.
  72. Arora M.R., Kelly R. The structure and stoichiometry of anodic films on V, Nb, Та, Mo and W.-J. Mater. Sci., 1977, v.12, p.1673 1684.
  73. Aleshina L.A., Malinenko V.P., Phouphanov A.D., Jakovleva N.M. The shot-range order of anodic oxide films of Та and Nb. J. Non — Cryst. Solids, 1986, v.87, p.350 — 360.
  74. B.A. Краткий химический справочник. Jl.: Химия, 1978. 392 с.
  75. Chopra K.L. Avalanch induced negative resistance in thin oxide films. — ibidem, 1965, V.36, № 1, p.184 -187.
  76. В.И., Абаев М. И., Лызлов Н. Ю. Эллипсометрия в физико-химических исследованиях. Л.: Химия, 1982, — 152с.
  77. Ord J.L., Bishop S.D., DeSmet D.J. An optical study of hydrogen insertion in the anodic oxide of vanadium. J. Electrochem. Soc., 1991, v.138, № 1, p.208 -214.
  78. F. A. Chudnovskii, A. L. Pergament, G. B. Stefanovich, «Anodic oxidation of vanadium,» Seventh international symposium on passivity. Passivation of metals and semiconductors. Abstracts, Clausthal, Germany, 1994, p. 149.
  79. Д.О., Малиненко В. П., Пергамент А. Л., Стефанович Г.Б Оптические свойства тонких пленок аморфных оксидов ванадия. Письма в ЖТФ, 1999, том 25, вып. 8, с. 81- 87.
  80. В.Г., Сарайкин В. В. Изменение оптических свойств двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник металл. — ФТТ. 1976, т. 18, № 7, с. 1801 — 1805.
  81. Nyberg G. A., et al. High optical contrast in VO2 thin films due to improved stoi-chiometry. Thin Solid Films. 1987. V.147. № 2. p. 111−116.
  82. Chudnovskii F.A., Stefanovich G.B. Metal-insulator phase transition in disordered V02. J. Sol. St. Chem.- 1992. — V. 98. — p.137−145.
  83. JI.А. в сб. Применение лазеров М.: Мир, 1974 235 с.
  84. В.Г., Волькенштейн Ф. Ф. Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. М.: Наука, 1978,-288с.
  85. Г. М., Калюжная Г. А., Мамедов Т. С., Шелепин Л. А. ЖЭТФ, № 77, 1979, с. 85 — 88.
  86. Г. М., Калюжная Г. А., Мирзоев Ф. Х., Шелепин Л. А. О механизмах внешних воздействий на рост кристаллов. Тр. ФИАН, № 177, 1985, с. 85 — 98.
  87. Г. А., Киселева К. В. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2 В6 и А4 В6 . Тр. ФИАН, № 177, 1987, с. 5 — 84.
  88. Boyd I.W. A review of laser beam application for processing silicon. J. Con-temp. Phys. № 24, 1983, p.461 — 490.
  89. Boyd I.W. Laser-enhanced oxidation of Si. Appl. Phys. Lett. № 42, 1983, p.728 -730.
  90. С.Я. Оксидные и фосфатные покрытия металлов. Л.: Машиностроение, 1978. 102 с.
  91. ХаррисонУ. Теория твердого тела. М.: Мир, 1972. 616 с.
  92. LalevicB., FuschilloN., Slusark W. Switching in Nb Nb02 — Nb devices with doped Nb205 amorphous films. — IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. V. ED — 22.10. P. 965 -967.
  93. B.A., Свердлов A.M. Эффекты отрицательного сопротивления, переключения и генерации в МОП структурах с пленками оксидов редкоземельных элементов. Письма в ЖТФ, 1981, т.7, в.6, с. 335 — 339.
  94. Okada Genji et al. The switching phenomena of reanodized Al oxide films. -Denki kagaku, 1980, v.48, № 9, p.495 499.
  95. Khan M.I., Hogarth C.A., Khan M.N. Memory switching in Ge02 films. Int. J.
  96. Electronics, v.46, p.215−216.
  97. В.И., Калыгина В. М., Николаев А. И. Электрические свойства структур полупроводник РЬ — металл. — Физика окисных пленок. Тез. докл. 2-й Все-союз. науч. конф. — Петрозаводск, 1987, 4.1, с. 53.
  98. Cook E.L. Model for the resistive conductive transition in reversible resistance switching solids. — J. Appl. Phys., 1970, v.41, № 2, p.551.
  99. B.A., Разуменко M.B., Топоров Д. К. Эффект переключения в монокристаллах р Nb205. — ФТП, 1975, т.9, № 12, с. 2384 — 2387.
  100. Johansen Н.А., Adams J.B., van Russelberghe P. J. Electrochem. Soc., 1958, v.104, p. 339.
  101. Keil R.G., Solomon R.E. Anodization of vanadium in acetic acid solutions. -ibidem, 1971, v.118, p.860.
  102. Pelleg J. J. Less — Common Metals, 1974, v.35, p.299.
  103. Huster D., Gruss L., Mackus T. Electrical properties of anodic oxide films of Та, Nb, Zr, Ti, W and V formed by the ion-cathode method. J. Electrochem. Soc., 1971, v.118, № 12, p.1989 — 1992.
  104. M., Вольф Э. Основы оптики. M.: Наука, 1973, 720 с.
  105. A.M., Конов В. И., Урсу И., Михайлеску И. Взаимодействие лазерного излучения с металлами. М.: Наука, 1988, -242 с.
  106. Kenny N. et al. J. Phys. Chem. Solids. 1966. V. 27. № 8, p. 1237 — 1246.
  107. JI.А., Малиненко В. П., Стефанович Е. Б., Чудновский Ф. А. Исследование ближнего порядка атомной структуры аморфной двуокиси ванадия.- ФТТ, 1988, т. ЗО, № 3, с.914 916.
  108. А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1989, 556 с.
  109. Yethiraj М. Pure and doped vanadium sesquioxide: a brief experimental rewiew.- J. Solid State Chem., 1990, v.88, № 1, p.53 69.
  110. Lewis M.B. and Perkins R.A. The source of oxigen in the anodization of vanadium. J. Electrochem. Soc.: Electrochemical science and technology. 1979, vol. 126, № 4, p.544 547.
  111. А.Л., Стефанович Е. Б., Чудновский Ф. А. Влияние термических обработок на фазовый переход металл полупроводник в аморфной УОг-- Физика окисных плёнок: Межвузовский сборник научных трудов Петрозаводск, 1988, с.3−7.
  112. И.И., Чернышёв Н. А. Оптические средства хранения информации.- Зарубежная электронная техника. 1987. в.1. с. 69−79.
  113. Peter N.Dunn. «Sematech Looking beyond the 193-nm lithography horizon», Solid State Technology, v.39, n.5, May 1996, pp.66−68.
  114. Elsa Reichmanis (Editor), Microelectronics Technology: Polymers for Advanced Imaging Packaging, ACS Symposium Series, American Chemical Society: Washington DC (1995). Section: «Novel Chemistries and Approaches for sub-0.25-j.im Imaging».
  115. R. Brunsvold, D.M. Crockatt, G.J. Hefferon, C.F.Lyons. «Resist technology for submicrometer lithography.» Optical Engin., v.26, n.4, pp. 330−336 (1987).
  116. Ivor Brodie and Julius J. Muray. The Physics of Micro/Nano-Fabrication. Plenum Press, New York and London, (1992).
  117. Handbook of VLSI Microlithography: Principles, Technology and Application. (Edited by William B. Glendinning). Noyes Publication, Park Ridge, New Jersey, USA (1991).
  118. J. Lercel, G.F. Redinbo, F.D. Pardo, M. Rooks, R.C. Tiberio, P. Simpson, C.W. Sheen, A.N. Parikh, D.L. Allara. «Electron beam lithography with monolayers of alkylthiols and alkilsiloxanes.» J. Vac. Sci. Technol. B, v. 12, n. 6, pp. 36 633 667.
  119. J. Lercel, H.G. Graighead, A.N. Parikh, K. Seshadri, D.L. Allara. «Sub-lOnm lithography with self-assembled monolayers.» Appl. Phys. Lett., v. 68, n. l 1, pp. 15 041 506 (1996).
  120. Dawen Wang, Liming Tsau, K.L. Wang, Peter Chow. «Nanofabrication of thin chromium film deposited on Si (100) surfaces by tip induced anodization in atomic force microscopy.» Appl. Phys. Lett., v. 67, n. 10, pp.1295−1297 (1995).
  121. Wayne M. Moreau. Semiconductor Lithography. Principles, Practices, and Materials, Plenum Press, New York and London, (1988).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!