Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений

Диссертация: Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Исследованиям б области разработки конструктивно-технологических решений производства МШ посвящены работы Е. С. Бугайца, В.Н. В. Н. Пырченкова и Б. И. Черного. Ими исследованы процессы создания многокристальных планарных структур ШМ различного типа. Однако, в этих работах не решались научно-технические задачи прикладного характера, возникающие при изготовлений конкретных устройств… Читать ещё >

Создание многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межэлементных соединений (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • СПИСОК ПРИНЯТЫХ СОКРАЩЕНИЙ И УСЛОВНЫХ ОБОЗНАЧЕНИЙ
  • ГЛАВА 1. МНОГОКРИСТАЛЬНЫЕ МОДУЛИ (АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР)
    • 1. 1. Состояние технологии изготовления многокристальных модулей за рубежом
    • 1. 2. Отечественные технологии создания многокристальных модулей
    • 1. 3. Конструктивно-технологические решения многокристальных модулей
      • 1. 3. 1. Многокристальные модули с межэлементными соединениями на подложке
      • 1. 3. 2. Многокристальные модули с планарной рабочей поверхностью
      • 1. 3. 3. Объемные многокристальные модули
    • 1. 4. Материалы теплоотводов
      • 1. 4. 1. Материалы теплоотводов, используемые в устройствах электронной техники
      • 1. 4. 2. Материалы теплоотводов, применяемые в многокристальных модулях
    • 1. 5. Конструктивные особенности оборудования для осаждения и обработки пленок алмазоподобного углерода
      • 1. 5. 1. Типовые системы, используемые для осаждения пленок алмазоподобного углерода
        • 1. 5. 1. 1. Диодные системы осаждения
        • 1. 5. 1. 2. Системы с индукционным возбуждением разряда
        • 1. 5. 1. 3. Системы осаждения пленок алмазоподобного углерода ионным пучком
        • 1. 5. 1. 4. Магнетронные распылительные системы
        • 1. 5. 1. 5. СВЧ-системы
      • 1. 5. 2. Типовые системы для обработки пленок
      • 1. 5. 3. Элементы оборудования для осаждения и обработки пленок алмазоподобного углерода
    • 1. 6. Обоснование выбора направления работ
    • 1. 7. Основные задачи и этапы выполнения работы
  • ГЛАВА 2. ИЗГОТОВЛЕНИЕ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ С ПЛАНАРНОЙ РАБОЧЕЙ ПОВЕРХНОСТЬЮ
    • 2. 1. Особенности конструкции многокристальных модулей с планарной рабочей поверхностью
    • 2. 2. Методы и оборудование для создания многокристальных модулей с планарной рабочей поверхностью
      • 2. 2. 1. Общая схема технологического процесса
      • 2. 2. 2. Формирование планарной рабочей поверхности многокрисгального модуля
        • 2. 2. 2. 1. Монтаж элементов многокристального модуля
        • 2. 2. 2. 2. Пайка элементов многокристального модуля
        • 2. 2. 2. 3. Строение рабочей поверхности микромодуля
        • 2. 2. 2. 4. Механизм образования ступеньки на границе перехода керамическая рамка — пропой
      • 2. 2. 3. Создание многослойной системы межэлементных соединений 90 2.2.3.1. Модернизация технологического оборудования для групповой обработки рабочих поверхностей многокристальных модулей

      2.2,3,2. Условия восстановления многоуровневой системы межэлементных соединений в устройствах 100 2.2.3.3. Результаты исследований по локальному восстановлению межэлементных соединений микромодуля с помощью лазерной обработки

      2.3. Оценка механической устойчивости активных элементов многокристального модуля к термическому воздействию

      2.4. Выбор конструкции устройства для исследования межэлементных соединений с повышенными теплоотводящими свойствами

      ГЛАВА 3. ПЛЕНКИ АЛМАЗОПОДОБНОГО УГЛЕРОДА В КАЧЕСТВЕ ТЕПЛООТВОДЯЩЕГО МЕЖСЛОЙНОГО ДИЭЛЕКТРИКА

      3.1. Оценка влияния конструктивных особенностей многокристального модуля на температуру перегрева его активных элементов

      3.2. Особенности технологии создания микромодуля аналого-цифрового преобразователя для видеопамяти

      3.3. Получение пленок алмазоподобного углерода

      3.3.1. Ионно-плазменное нанесение

      3.3.2. Плазмохимическое осаждение из парогазовой фазы

      3.4. Анализ состава и изучение строения пленок алмазоподобного углерода, полученных методом плазменного ВЧ-разряда, близкого к электронно-циклотронному резонансу

      3.5. Размерная обработка пленок алмазоподобного углерода

      ГЛАВА 4. УСТРОЙСТВА НА ОСНОВЕ МНОГОКРИСТАЛЬНЫХ МОДУЛЕЙ

      4.1. Оперативное запоминающее устройство

      4.2. СВЧ-усилитель

      4.3. Устройство предварительной обработки сигналов

      4.4. Аналого-цифровой преобразователь для видеопамяти

Актуальность темы

Совершенствование радиоаппаратуры, повышение ее технических возможностей осуществляются с помощью разработки новых кшструктивно-технолоп^ческих решений, создания как радиоэлектронных устройств в целом, так и их элементной базы. Ведущими зарубежными фирмами (DSP Group, Santa Clara (США) — - OKI Efectric Industry Co. Ltd., Hachioji (Япония) — SGS-Tbomson, PMips (Западная Европа) и др.) при создании полупроводниковых интегральных схем (ИС) достигнуты минимальные размеры элементов ИС -0,35 мкм при размерах кристаллов ИС более 10×10 мм. Это поставит сложные конструктивно-технотшчесше проблемы перед разработчиками и произйодителями электронной аппаратуры в области сборки ИС.

Одна из проблем — создание надежных электрических соединений кристаллов ИС между собой и с другими элементами. При показателе надежности сборочного оборудования для создания проволочных соединений Xq — 0,99, вероятность получения годного узла ру = 0,005, т. е. для ИС, у которых 100 внешних контактных площадок, возможно получение лишь 5 годных изделий из 1000 собранных. Следовательно, существующие традиционные негрупповые методы сборки узлов такой сложности становятся практически неприемлемыми для современного производства. Одним из направлений, позволяющих решить указанную проблему, является создание многокристальных модулей (МКМ), в которых я|"шня!0тся бескорпусные кристаллы ИС, шшиально гюдготойленные для сборки. Это позволяет применить групповые методы создания электрических связей между кристаллами и повысить ру до 0,99: Многокристальные модули способствуют повышению быстродействия, существенному расширению функциональных возможностей электронных устройств, уменьшению количества внешних выводов шкроэлектронных элементов, монтируемых на печатную плату.

Повышение степени интеграции аппаратуры, достигаемое при использовании МШ, стаей* задачу обеспечения эффективного отвода рассеиваемой мощности от активных элементов схемы. Эта задача тесно связана с конструктивно-технологическими решениями по созданию радиоэлектронных устройств, с подбором и использованием материалов, обладающих высокой теплопроводностью.

Исследованиям б области разработки конструктивно-технологических решений производства МШ посвящены работы Е. С. Бугайца, В.Н. В. Н. Пырченкова и Б. И. Черного. Ими исследованы процессы создания многокристальных планарных структур ШМ различного типа. Однако, в этих работах не решались научно-технические задачи прикладного характера, возникающие при изготовлений конкретных устройств микроэлектроники. В частности, не исследовался характер влияния элементов конструкций, создаваемых на базе МКМ, на тепловые режимы работы устройств и их функциональные возможности.

Исследованиям в области синтеза и анализа свойств материалов, обладающих высокой (> 200 Вт/м-К при комнатной температуре) теплопроводностью, посвящены работы В. В. Слепцова, Б. В. Спицына. Полученные ими результаты в области формирования слоев алмаза и алмазоподобного углерода позволяют провести оценку эффективности использования этих материалов для отвода рассеиваемой мощности от активных элементов МКМ.

Таким образом, необходимость исследований в области разработки конструктивно-технологических решений по созданию радиоэлектронных устройств на основе МШ очевидна.

Цель работы. Разработка конструкций, технологии и оборудования для создания многокристальных модулей, позволяющих использовать при изготовлении тонкопленочных проводников групповую технологиюисследование возможности применения в МКМ в качестве теплоотводящего межслойного диэлектрика алмазоподобного углеродавнедрение МКМ с лланарной рабочей поверхностью в процесс создания элементной базы микроэлектроники.

Для достижения поставленной цели решались следующие основные задачи:

— разработка конструкции МКМ, имеющей пленарную рабочую поверхность, пригодную для применения групповых методов формирования тонкопленочных проводников;

— модернизация существующего и создание специального технологического оборудования для формирования планарной рабочей поверхности и электрических соединений в МКМ;

— математическое моделирование, проведение исследований и анализ результатов экспериментов с тонкопленочными проводниковыми и теплоотводящими диэлектрическими структурами, используемыми в МКМ;

— изготовление и испытания устройств микроэлектроники, созданных на основе МКМ с планарной рабочей поверхностью (оперативное запоминающее устройство динамического типа с емкостью памяти 64Кх8- устройство предварительной обработки сигналовСВЧ-усилитель);

— формирование, изучение строения и свойств, а также размерная обработка пленок алмазоподобного углерода, как теплоотводящего межслойного диэлектрика.

Научная новизна.

1. Теоретически обоснована возможность формирования МКМ с планарной рабочей поверхностью в составе нескольких кристаллов интегральных схем, обеспечивающая применение групповых методов изготовления тонкопленочных проводников.

2. Экспериментально обоснована возможность создания неразрушающего контакта для контроля в динамическом режиме многовыводных (более 100 контактных площадок) бескорпусных кристаллов микросхем. Впервые предложены метод и устройство для его реализации.

3. Разработана математическая модель оценки механической устойчивости к термическому воздействию активных элементов МКМ с пленарной рабочей поверхностью.

4. Изучено влияние на температуру перегрева активных элементов МКМ материала межслойного диэлектрика, подложки и метода посадки кристаллов.

5. Впервые слой алмазоподобного углерода использован в качестве межслойного теплоотводящего диэлектрика в МКМ.

Достоверность экспериментальных результатов обеспечивается использованием современных методов и техники физического эксперимента, таких как: растровая электронная микроскопияоже-электронная спектроскопияспектроскопия вторичных ионовспектроскопия комбинационного рассеяниярентгеновская дифрактометрия и рентгеноспектральный анализпрецизионное измерение и построение профилограмм поверхности.

Представленные в диссертации исследования выполнены в соответствии с планами научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ ОАО Центральный научно-исследовательский технологический институт «ТЕХНОМАШ» и ГУП Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «ПРОГРЕСС», а также по темам и договорам «Рост», «Монолит», «Модуль», «Домокл» и др., выполненных в области фундаментальных и прикладных исследований совместно с Физико-технологическим институтом РАН (г. Москва), Институтом физической химии РАН (г. Москва), ГУП НПП «ВОЛНА» (г. Москва), Научно-исследовательским институтом телевидения (г. Санкт-Петербург), Научно-исследовательским институтом точных приборов {г. Нижний Новгород), Научноисследовательским институтом точной механики и вычислительной техники (г. Москва) и другими предприятиями и организациями.

На защиту выносятся:

1. Конструктивно-технологические решения создания МКМ с планарной рабочей поверхностью.

2. Результаты экспериментальных исследований процесса создания МКМ и пленок алмазоподобного углерода как теплоотводящего межспойного диэлектрика в МКМ.

3. Результаты изготовления и испытаний ряда устройств микроэлектроники на основе МКМ.

Практическая ценность работы.

1. Разработаны и внедрены технические требования к проектированию МКМ с планарной рабочей поверхностью.

2. Даны рекомендации по возможным направлениям использования пленок алмазоподобного углерода при изготовлении устройств микроэлектроники.

3. Разработан способ и изготовлено устройство для создания неразрушающего контакта при контроле в динамическом режиме многовыводных (более 100 контактных площадок) бескорпусных кристаллов микросхем.

4. Спроектированы, изготовлены и внедрены оперативное запоминающее устройство динамического типа с емкостью памяти 64Кх8- устройство предварительной обработки сигналовСВЧ-усилитель и другие устройства микроэлектроники, созданные на базе МКМ с планарной рабочей поверхностью.

5. Спроектированы, изготовлены и внедрены специальное технологическое оборудование и технологическая оснастка, используемые при создании МКМ с планарной рабочей поверхностью.

Внедрение результатов работы. Материалы диссертационной работы использованы в следующих организациях:

1. Научно-производственное предприятие «ВОЛНА» Государственное унитарное дочернее предприятие «КОНСТРУКТОРСКОЕ БЮРО ИНФОРМАТИКИ, ГИДРОАКУСТИКИ и СВЯЗИ» (г. Москва) — применение устройства предварительной обработки сигналов (УПОС), созданного на базе МШ с планарной рабочей поверхностью, в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.

2. Закрытое акционерное общество «МЭНТИС» (г. Москва) — применение оперативных запоминающих устройств динамического типа с емкостью памяти 64Кх8, созданных на базе МКМ с планарной рабочей поверхностью.

3. Акционерное общество закрытого типа «ТЕХНОМАШ МТ» (г. Москва) -применение специального технологического оборудования и технологической оснастки, используемых при создании МКМ с планарной рабочей поверхностью.

4. Закрытое акционерное общество Центр новых технологий «ОПТРОН» (г. Москва) — использование магнетрона и блока питания к нему при модернизации установки КАТОД-1М под процесс создания теплоотводящего диэлектрика.

5. Общество с ограниченной ответственностью «ГЛЭМОРИНГ (г. Москва) -применение устройства и способа неразрушающего контроля в динамическом режиме многовыводных (более 100 контактных площадок) бескорпусных кристаллов микросхем, реализованных на базе планарной структуры.

6. Кооператив «ВЕКТОР» (г. Москва) — использование технических требований к проектированию МКМ с планарной рабочей поверхностью и к изготовлению комплекта фотошаблонов.

7. Физико-технологический институт РАН (г. Москва) — применение специального технологического оборудования для плазмохимического осаждения плёнок алмазоподобного углерода, основанного на эффекте электронно-циклотронного резонанеаприменение технологического процесса создания многослойных систем межэлементных соединении с повышенными теплоотводящими свойствами. к.

8. Институт физической химии РАН (г. Москва) — применение установок для выращивания пленок алмаза методом дугового разряда и осаждения пленок алмазоподобного углерода и других алмазоподобных материалов методом ВЧ-магнетронного распыления и магнетронного распыления на постоянном токе.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на 3-м Всесоюзном семинаре «Микролитография», Черноголовка (1990) — Всесоюзном совещании по лазерно-плазменной микротехнологии «Микротехнология — 91», Лазаревское (1991) — Межотраслевой научно-практической конференции «МКМ-технология. Состояние и перспективы», Звенигород (1993) — VI-VIII, X Международных симпозиумах «Тонкие пленки в электронике»: Херсон, Украина (1995), Йошкар-Ола (1996), Харьков, Украина (1997), Ярославль (1999) — 1−3-м Международных симпозиумах «Вакуумные технологии и оборудование»: Харьков, Украина (1995, 1998, 1999) — 1-й Научно-практической конференции «Новые высокие технологии производства радиоэлектронной аппаратуры», Москва (1996) — 2-й, 3-й и 5-й Международных научно-технических конференциях «Высокие технологии в промышленности России», Москва (1997, 1999) — 1-й Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем», Иваново (1999) — 4-м Международном симпозиуме по алмазным пленкам и родственным материалам, Харьков, Украина (1999).

Публикации. По теме диссертации опубликованы 21 печатная работа (20 статей и 1 информационный листок) и 6 отчетов по НИОКР, получено 3 патента РФ на изобретения.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов, списка литературы из 237 наименований, приложений. Работа содержит 221 страницу основного текста, в котором имеется 22 таблицы и 82 рисунка.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах [101−103, 109, 116, 124,132−134, 138, 142, 145, 148, 157−159, 178, 211, 215, 223, 228−230, 237].

Следует отметить, что в создании многокристальных модулей с использованием групповой технологии формирования межзлементных соединений, остаются нерешенные проблемы. Не рассмотрены и не исследованы припои, имеющие различную температуру плавления и физико-химические характеристики близкие А1. Припои с низкой температурой плавления необходимы в устройствах контроля с неразрушающим контактом к кристаллам ИС.

В технологии формирования многоуровневых межэлементных соединений с использованием пленок алмазоподобного углерода в качестве теплоотводящего диэлектрического слоя, за рамками решаемых задач диссертационной работы, остались, вопросы изучения зависимости теплопроводности пленок от параметров процесса их формирования. Для этой цели необходимо разработать простой и дешевый метод контроля теплопроводности тонких пленок.

Весь экспериментальный материал получен автором лично.

Автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность и признательность научному руководителю заведующему лабораторией ионно-плазменной технологии и вакуумных процессов ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ» к.х.н. ст.н.с. А. Ф. Белянину, научному консультанту Генеральному директору ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ» к.т.н. профессору В’Д. Житковскому за постановку задачи, полезные обсуждения результатов, постоянный интерес, помощь и поддержку в выполнении работы.

Автор выражает глубокую признательность: заведующему лабораторией микроэлектроники НИИТМиВТ им. С. А. Лебедева к.т.н. В. Н. Пырченкову за помощь в проведении исследований устройств, созданных на основе многокристальных модулей с пленарной: структуроймладшему научному сотруднику лаборатории микроструктурирования и субмикронных приборов ФТИ РАН С. Н. Аверкину за помощь в проведении экспериментов по осаждению пленок алмазоподобного углеродаст.н.с. лаборатории ионно-плазменной технологии и вакуумных процессов ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ» к.т.н. П. В. Пащенко за помощь в проведении экспериментов по определению теплопроводности пленок алмазоподобного углерода и лазерной обработке тонкопленочных структурзаведующему лабораторией лазерной модификации тонких пленок ИОФ РАН к.ф.-м.н. В. Г. Ральченко и ст.н.с. той же лаборатории к.ф.-м.н. И. И. Власову за помощь в определении структуры пленок алмазоподобного углерода методом спектроскопии комбинационного рассеянияст.н.с. лаборатории поверхностных процессов при радиационном воздействии ИФХ РАН к.ф.-м.н. Р. Х. Залавутдинову за помощь в определении содержания примесей и Си в пленках алмазоподобного углерода методом электронно-зондового спектрального микроанализа.

Автор выражает признательность: заведующему аспирантурой ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ» к.т.н. профессору Н. П. Глушкову, заведующему лабораторией кристаллизации алмазных покрытий ИФХ РАН д.х.н. Б. В. Спицину, ученому секретарю диссертационного совета ОАО ЦНИТИ «ТЕХНОМАШ» к.т.н. ст.н.с. Э. А. Сахно, начальнику отдела проектирования полузаказных БИС НИИМА «ПРОГРЕСС» к.т.н. В. А. Пучкову, директору Харьковского конструкторского и t.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В диссертации рассмотрены следующие вопросы:

— исследован процесс создания многокристальных модулей, позволяющих использовать при изготовлении тонкопленочных проводников групповую технологию;

— исследована возможность применения в МКМ в качестве теплоотводящего межслойного диэлектрика алмазоподобного углерода;

— внедрены МКМ с пленарной рабочей поверхностью в процесс создания элементной базы микроэлектроники.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ajluni С. Libraries and 1С design kits support migration to 0,35-цт technology // Electronic Design. 1997. № 6. P.61.
  2. Bursky D. DSP functions, memory generators, top semicon industry licensing deals // Electronic Design. 1997. № 6. P.82.
  3. BaierlH, Siemens Semiconductor Group. The architecture for the millennium // Electronic Engineering. 1997. № 850. P.32−40.
  4. Презент-карточка с образцом кристалла БИС фирмы DEC (Digital Equipment Corporation) USA.
  5. Thin-film multichip module packages for high-end IBM servers // Реферативный журнал 23. Электроника. 1999. № 6. 6Б235.
  6. Д. Проблемы проектирования систем одна из ведущих тем конференции по многокристальным модулям // Электроника. 1992. № 15−16. С.5−7.
  7. DoaneA. and Franzon P. Multi-Chip Module Technologies and Alternatives. !SBN#: 0442−1 236−5. Availability: Stock. 1993. 648 p.
  8. Д. Разработка недорогой поверхностной структуры для технологии МКМ // Электроника. 1993. № 9−10. С.3−4.
  9. Дайджесты. Перспективы применения многокристальных модулей в автомобильной электронике // Электроника /Наука, технология, бизнес/. 1997. № 3−4. С. 114.
  10. Leonard М. Micromachining Technology Strives to Create Electro-Fluidie Controllers on MCMs // Electronic Design. 1993. № 22. P.34.
  11. С. Многокристальные модули перспективное направление в области СБИС // Электроника. 1989. № 7. С.63−71.
  12. PeterJ., Gielisse and Halina Niculescu. Macro and Micro Structural Factors in Thin Film Growth of lll-V Compounds // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series, 3. High Technology. 1995. V. 1. P.401−420.
  13. Johnson H. Ten Reasons Why I Love the BGA // Electronic Design. 1997. № 6. P. 191.
  14. Allan R. Vertically-stacked Multichip Modules Promise Low-cost Miniaturization of Electronics in 3D // Electronic Design. 1997. № 6. P.36.
  15. Патент США № 4 766 670. кл, H 05 К 3/34. 1988.
  16. Патент США № 5 534 466 МПК6 Н 01 L 21/18. 1.998.
  17. Патент США № 5 559 316. МПК6 Н 01 L 23/02. 1998.
  18. Патент Великобритании № 1 426 539 А. 1976.
  19. Патент Франции № 2 549 641 А1, 1995.
  20. Патент Европейского союза № 461 316 А1, 1991.
  21. Патент США № 4 984 731 А, 1991.
  22. Патент США № 4 972 988 А, 1990.
  23. Патент Европейского союза № 361 715 А1, 1990.
  24. Патент Германии № 3 138 718 А1, 1982.
  25. Патент Советского Союза № 1 674 293 А1, 1991.
  26. Производство изделий специальной микроэлектроники. Сборник обзорно-аналитических материалов. Москва. МГП «Рельеф». 1993. Т.2. 214 с.
  27. Патент США № 5 578 934 МПК6 G 01 R 31/02, 1996.
  28. Патент США № 5 559 444 МПК6 G 01 R 1/02, 1996.
  29. BogatinE. High-performance'packaging increases system speed and density // Electronic Design. 1991. № 22. P.97−98, 100−103, 106, 107.
  30. Сборка. Справочник по материалам для электроники (Electronic Materials Handbook). Изд. «ASM International» (Матариале-Парк, США). 1989. Т.1. 539 с.
  31. ЛайменД. Многокристальные модули высокоэффективное средство сборки новых поколений СБИС//Электроника. 1989. № 6. С. 10−13.
  32. В.И., ПетровА.С. Многоканальные матрицы на объемных интегральных схемах СВЧ // Микроэлектроника. МАИК «Наука». 1995. Т.24. № 6. С.419−434.
  33. В. Н. Гибридная интегральная схема / Патент SU 1 808 148АЗН01 L 27/12. Дата регистрации: 07.04.93. Бюллетень № 13.
  34. Информационное сообщение. Многокристальные модули. // Информационно-коммерческое издание «Рельеф». 1993. № 9−10 (57−58). С. 6.
  35. ВалиевК., Орликовский А. Технологии СБИС. Основные тенденции развития // «Электроника. Наука, технология, бизнес». 1997. № 1. С.3−14.
  36. MattosP.G., SGS-Thomson. The integration of GPS into car systems // Electronic Engineering. 1997. № 850. P.43−46, 48.
  37. Lapides J & Parry D, ESSEX Corporation, USA. Optoelectronic co-proccessing systems // Electronic Engineering. 1997. № 850. P.74, 76, 78.
  38. Phillippov Ph., Arnaudov R., Yordanov N., Gospodinova M. A new concept for the use Al-shut as integrated substrate for one of multichip module package // Microelectronics Int. 1998. 15 № 3. P.36−41.
  39. K.A. Квантовые компьютеры: их настоящее и будущее // Материалы X Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Ярославль. Изд. ИМ РАН. 1999. 4.1. С.8−18.
  40. Краткий справочник конструктора радиоэлектронной аппаратуры. Под редакцией Р. Г. Варламова. Москва. «Советское Радио». 1973. 852 с.
  41. Ю.Н. Высокотеплопроводные материалы в электронике СВЧ // Обзоры по электронной технике. 1988. Сер.6. Материалы. Вып.4(1349). 40 с.
  42. Gobrecht J. Metallurgical bonding technology for power hibn’ds // DVS. 1983. V.102. P.65−68.
  43. Л.Г. Микроминиатюризация элементов и устройств СВЧ. Москва. «Советское радио». 1976. 216 с.
  44. Карбид кремния. Под ред. Хенимана Г. и Роя Р. Москва. «Мир». 1972. 278 с.
  45. Химическая энциклопедия. Москва. «Советская энциклопедия». 1990. Т.2. 671 с
  46. Алюминий. Свойства и физическое металловедение. Справочник под редакцией Дж.Е. Хэтча. Перевод с английского. Москва. «Металлургия». 1989. 421 с.
  47. Banholzer W., Spiro C.L. Nontraditional applications of diamond made possible by CVD // Diamond Films and Technol., 1991. V.1. № 2. MYU. Tokyo. P.115−126.
  48. Ю.В., Митрофанов E.А. Комплекс вакуумного оборудования для получения углеродных алмазоподобных пленок // Труды Международной конференции «Алмазы в технике и электронике». Москва. «Полярон». 1998. С. 107−110.
  49. Muggleton A.H.F. Deposition techniques for preparation of thin film nuclear targets // Vacuum. 1987. V.37. № 11/12. P.785−817.
  50. В.Д., Созин Ю. И., Ткач В.H., Семенович В. А. Морфология и структура углеродных образований, осажденных в тлеющем разряде // Сверхтвердые материалы. 1984. № 4. С.25−29.
  51. В.А., Ляшко В. А., Пархоменко А. В., Дорошенко А. А. Получение алмазоподобных пленок и их антифрикционные свойства // Техника средств связи. 1991. Сер. ТПО. Вып.4. С.166−170 * :
  52. А.П. Техника нанесения тонких пленок распылением ионным пучком (обзор) // Приборы и техника эксперимента. 1990. № 4. С.26−42.
  53. В.М., Семенов A.B. Ионно-лучевая установка для осаждения алмазоподобных пленок углерода // Материалы V Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1994. С.34−38.
  54. Д.А. Электронно-ионное оборудование технологического назначения. Томск: Издательство Томского государственного университета. 1973. 118 с.
  55. БелянинА.Ф., ПащенкоП.В., СеменовА.П., Смирнягина H.H., Спицын Б. В., БуйловЛ.Л., АлексенкоА.Е. Осаждение и травление пленок алмазоподобного углерода ионным пучком // Техника средств связи. 1991. Сер. ТПО. Вып.4. С.55−69.
  56. БелянинА.Ф., СеменовА.П., ПащенкоП.В., КалмыковД.А. Получение пленок алмазоподобного углерода методами ионно-плазменного распыления // Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания «Тонкие пленки в электронике». Ижевск. 1991. С.36−39.
  57. СеменовА.П. Техника распыления ионными пучками. Улан-Удэ: Изд. БНЦ СО РАН. 1996. 119 с.
  58. БелянинА.Ф., ПащенкоП.В., СеменовА.П. Устройство высокочастотного магнетронного распыления для выращивания тонких пленок // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 3. С.220−222.
  59. Рот А. Вакуумные уплотнения. Москва: Энергия. 1971. 464 с.
  60. Проспект фирмы ALCATEL. SCM650. From development to production thin films. Creation Agena Annesy 09/85.
  61. Sokolowski М., Sokolowska А., Gokielli В., MichalskiA., RusekA., Romanowski Z. Reactive pulse plasma crystallization of diamond and diamond-like carbon // J. of Crystal Growth. 1979. V.47. P.421−426.
  62. Bonetti R.S., Tobler M. Industriel hergestellte diamantartige Schichen // Oberflache + JOT. 1988. B.28. № 9. P.15−19.
  63. WagalS.S., Jungerman E.M., Collins C.B. Diamond-like carbon films prepared with laser ion source // Appl. Phys. Lett. 1988. V.53. № 3. P. 187−188.
  64. Плазменная технология в производстве СБИС. Перевод с англ. под ред. Н. Айнспрука, Д.Брауна. Москва. Мир. 1987. 469 с.
  65. Дж. Р. Система травления в плазме с электромагнитным стимулированием // Электроника. 1988. № 9. С.3−5.
  66. Катоднораспылительная установка A550VZK. Перевод материала фирмы LEYBOLD-HERAEUS. Материал ГПНТБ 80/20 902. 1980.
  67. Проспект фирмы ELECTROTECH. Electron beam evaporation systems. Prince of Wales Industrial Estate. Gwent NP1 5AR. Great Britain.
  68. Источник питания УВ40−02. Руководство по эксплуатации ДЛЖМЗ.508.020 РЭ. 1983.
  69. Материал фирмы LEYBOLD-HERAEUS. Источники питания системы распыления серии SSV. Инструкция по обслуживанию и эксплуатации. Перевод ГПНТБ 88/38 756. 1988.
  70. Г. И. Теоретические основы электротехники (в трех частях). 4.1. Линейные электрические цепи. М.-Л: Энергия. 1966. 320 с.
  71. БелянинА.Ф., Пащенко П. В., Житковский В. Д., Елисеев А. Ю. Блок питания постоянного тока для магнетронных распылительных систем // Материалы V Международной научно-технической конференции «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1994. С.45−47.
  72. Kuzmichev A.I., BevzaO.N., Sidorenko S.B. The magnetron sputtering system with pulse-modulated power supply // Материалы конференции «Физика плазмы и плазменные технологии». Минск. Белоруссия. 1997. Т.4. Секция 5. С.718−720.
  73. А.И. Модуляторы для импульсного питания магнетронных распылительных систем II Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1996. С.237−240.
  74. Блок электропитания постоянного тока MDC5-J с питанием от трехфазной сети переменного тока. Перевод материала фирмы ALCATEL. Материал ГПНТБ 88/4 111. 1988.
  75. Публикация фирмы ALCATEL. Генератор модели ARF300/600. Перевод ГПНТБ 88/42 173. 1988.
  76. Публикация фирмы ALCATEL. Генератор ARF250W. Техническая инструкция. Перевод ГПНТБ 87/57 749. 1987.
  77. Публикация фирмы BALZERS. Высокочастотный генератор 4 кВт RFS-204, высокочастотный генератор 5 кВт RFS-205. Перевод ГПНТБ 88/59 996. 1988.
  78. D.M., Сох G.A. Radio frequency sputtering equipment: design consideration for the disk and annulus system//Vacuum. 1981. V.31. № 1. P.24−31.
  79. Kaltofen R, Thiemt K, Reinhard D. Aufbau eines asymmetrischen Diodensystem fur die Hochfrequezplazmazer staubung // Experimentelle technik in der physik. 1976. № 5. P.479−487.
  80. Материал фирмы ALCATEL. Технические характеристики устройства для высокочастотного катодного распыления. Перевод ГПНТБ 81/8854. 1981.
  81. Установка для нанесения тонких пленок АУБ289.00.000 МАГНЕТРОН. Эксплуатационная документация. Генератор ВЧ дЕМ.3.541.002. 1990.
  82. БелянинА.Ф., Бесогонов В. В., Елисеев.А.Ю., Житковский В. Д., Пащенко П. В. Применение ВЧ-автогенераторов в установках распыления и травления // Материалы II Всесоюзного межотраслевого совещания «Тонкие пленки в электронике». Ижевск. 1991. С.47−52.
  83. БелянинА.Ф., Пащенко П. В. Конструирование магнетронных распылительных систем, используемых для производства ГИС и устройств функциональной микроэлектроники // Техника средств связи. 1992. Сер. ТПО. Вып. 1,2. С.28−47.
  84. М.И. Высокочастотные генераторы. Москва. Связь. 1975. 26 с.
  85. Модель 3.И., Невяжский И. Х. Радиопередающие устройства. Москва. Связьиздат. 1949. 484 с.
  86. Lurch E.N. Fundamentals of Electronics. New York: John Willey & Sons. 1960. 631 p.
  87. Termen F.E. Radio Enginetring. New York London: McGrow-Hill. 1943. 1019 p.
  88. С.И. Ламповые генераторы. Москва. Связь. 1967. 384 с.
  89. IEEE Std 1149.1. 1990. Standard Test Port and Boundary. Scan Architecture. 200 p.
  90. НайдаС.М., Пащенко П. В. Многокристальные модули. Конструктивно-технологические решения // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.265−270.
  91. НайдаС.М., Пырченков В. Н. Многокристальный модуль с планарно-мозаичной структурой // Материалы X Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Ярославль. 1999. С.163−168.
  92. НайдаС.М., Гладков П. В., Пырченков В. Н. Устройство для контроля электрических параметров безвыводных интегральных микросхем / Патент RU 2 083 024 С1 6 H 01 L 21/66. Дата регистрации 27 июня 1997 г. Бюллетень № 18.
  93. Найда С М., Пырченков В. Н. Контактное устройство для контроля кристаллов микросхем монтируемых в многокристальный модуль // Материалы X Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Ярославль. 1999. С. 118−124.
  94. Л.А., Калоша Е. П., Качан И. В. и др. Метод граничного сканирования и его использование для тестирования цифровых устройств // Автоматика и телемеханика. 1994. № 1. С:3−31.
  95. Tegethoff M.M.V., Parker K.P. IEEE Std P1149.1: Where are we? Were Here? // Design ang Test. 1995. V.12. № 2. P.53−59.
  96. В.М., Рыбаков В. В. Специализированный JTAG-тестер межсоединений печатных плат // Электроника /Известия высших учебных заведений/. Москва. 1997. O.68−76.
  97. HillaS.C. Boundary Scan Testing for Multichip Modules // International Travel Catering. 1992. P.224−231.
  98. B.H., Найда С.M. Многокристальный модуль / Патент RU 2 140 688 C1 6 H 01 L 27/12. .Дата регистрации: 27 октября 1999 г.
  99. Авторское свидетельство СССР № 1 065 930, кл. H 01 L 21/66. 1988.
  100. Авторское свидетельство Японии № 63 250 833, кл. H 01 L 21/66. 1988.
  101. Авторское свидетельство Японии № 630 202 929, кл. H 01 L 21/66. 1988.
  102. Авторское свидетельство Японии № 63 250 145, кл. H 01 L 21/66. 1988.
  103. Авторское свидетельство Японии № 63 220 539, кл. H 01 L 21/66. 1988.
  104. Авторское свидетельство Великобритании № 2 177 253, кл. H 01 L 21/66. 1983.
  105. Публикация фирмы «Alcatel»: «Depositif de pulverisation catodique HF Caracteristques Techniques». Перевод ГПНТБ 81/8854. 1981.
  106. Электровакуумные приборы. Справочник / Под редакцией A.M. Бройде. Москва Ленинград. «Госэнергоиздат». 1949. 422 с.
  107. Norstom R. Experimental and lesign information for calculating impendance matching networks for use in RF sputtering and plasma chemistry // Vacuum. 1979. V.29. № 10. P.341−349.
  108. ГейлерЛ.Б. Введение в теорию автоматического регулирования / Минск. «Наука и техника». 1967. 526 с
  109. М.А. Магнитные усилители. Москва. «Советское радио». 1960. Т. 1 -2. 824 с.
  110. Mikolajczyk P. Universal vade-mecum // Panstowe wydawnictwa techniczne. Warszawa. 1960.
  111. P., ДэвисД., Альбрехт А. Справочник радиоинженера. Москва -Ленинград. «Госэнергоиздат». 1961. 704 с.
  112. А.Ф., Найда С. М., Пащенко П. В. Магнетронная распылительная высокочастотная система на основе вакуумного поста ВУП-5 II Труды Украинского вакуумного общества. Киев. Украина. 1995. Т.1. С.217−220.
  113. А.П., Батуев Б-Ш.Ч. Планарный магнетрон для вакуумного универсального поста ВУП-5 // Приборы и техника эксперимента. 1991. № 5. С. 192−195.
  114. КухлингХ. Справочник по физике. Перевод с немецкого под ред. Е. М. Лейкина. Москва. «Мир». 1982. 519 с.
  115. F.A., а.о. Phys. Chem. Solids. 1959. V.11. Р.239−245: Trumbore F.А. Bell System Techn. J. V.89. P.205−233.
  116. M., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Москва. Металлургиздат. 1962. Т. 1. 608 с.
  117. Дайджест. Винтовые клеммы Phoenix Contact для печатных плат: руководство по применению // «Новости электроники». 1997. № 2. С.20−22.
  118. П.В. Магнетронные методы выращивания пленок AIN для устройств электронной техники. Автореферат диссертации. Москва. 1998. 26 с.
  119. С.М., Елисеева Н. П. Технологический процесс изготовления фотошаблонов с элементами микронных и субмикронных размеров // Информационный листок о научно-техническом достижении № 87−0316. ВИМИ. 1987.
  120. В.Н., Найда С. М. Способ изготовления полупроводникового модуля / Патент RU 2 139 598 С1 6 Н 01 L 21/70. .Дата регистрации: 10 октября 1999 г.
  121. С.М. Механизм образования дефектов в виде «ступенек» планарно-мозаичной структуры многокристального модуля // Материалы V Международной научно-технической конференции «Высокие технологии в промышленности России». Москва. 1999. С.378−382.
  122. B.C., Кузнецов O.A., Захаров Н. П., Летягин В. А. Напряжения и деформации в элементах микросхем. Москва. «Радио и связь». 1987. 89 с.
  123. Химическая энциклопедия. Москва. «Советская энциклопедия». 1988. Т.1. 623 с.
  124. В.П. Интегрированные ионные процессы (ИИП) в тонкопленочных технологиях микроэлектроники // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.67−72.
  125. A.C. Ламповые генераторы для высокочастотного нагрева. Ленинград. Машиностроение. 1990. 246 с. :
  126. Материал фирмы Leybold-Heraeus. Катоднораспылительная установка A550VZK. Перевод ГПНТБ 80/20 902, 1980.
  127. Стандарт предприятия СТП. КП0.054.119, ред. 1−78. Нанесение металлических покрытий. Центральный научно-исследовательский технологический институт. Москва. Исполнитель: Найда С.М.
  128. В.В. Состояние разработки и производства средств вакуумных измерений в России и странах СНГ // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.6−10.
  129. П.В., Житковский В. Д., Найда С М., Елисеев А. Ю. Теплоэлектрический вакууметр для установок тонкопленочной технологии // Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Москва Йошкар-Ола. 1996. С.258−260.
  130. Материал фирмы «Edwards»: «Edwards Pirani Vacuum Gauge Model B5″. 1966.
  131. Материал фирмы „Edwards“: „Edwards Pirani Vacuum Gauge Heads“. 1966.
  132. Магнитные усилители. /Перевод с английского/. Советское радио. Москва. 1952. 546 с.
  133. Scoles G.J. Handbook of rectifier circuits // Ellis Horward Limited. Chicester. 1980.
  134. Е.П. Пора сделать решительный шаг // Окружная газета СЗАО Москвы „Октябрьское поле и весь Северо-Запад“. 1999. № 16 (248). С.3−4.
  135. Kuzmichev A.I., BevzaO.N., Sidorenko S.B. The magnetron sputtered system with pulse-modulated power supply // Материалы конференции „Физика плазмы и плазменные технологии“. Минск. Беларусь. 1997. Т.4. С.718−720.
  136. Публикация фирмы NRC. Ионизационный вакууметр 91−840. Перевод ГПНТБ 76/58 663. 1976.
  137. ЛеккДж. Измерение давления в вакуумных системах. М. Мир. 1966. 202 с.
  138. БелянинА.Ф., ЕлисеевА.Ю., Найда С. М., Пащенко П. В. Осаждение пленок алмазоподобного углерода на модернизированной установке ВУП-4 // Материалы X Международного симпозиума „Тонкие пленки в электронике“. .Ярославль. 1999. С.216−221.
  139. С.М., Пащенко П. В. Лазерная пантография и лазерно-стимулированные процессы // Научно-технический сборник „Высокие электронные технологии в народном хозяйстве“. Москва. 1997. С.76−79.
  140. С.М. Исследование лазерно-стимулированных процессов локального создания коммутационных соединений // Труды 3-го Международного симпозиума „Вакуумные технологии и оборудование“. Харьков, Украина. 1999. Т.1. С.163−167.
  141. Treiger L.M. and Popov A.A. Laser direct writing of aluminum multilevel interconnects for VLSI applications // Microelectronic Engineering 19. 1992. P. 729−732.
  142. McKenzie D R., MullerD.A., Kravtchinskaia E., et al. Synthesis, structure and applications of amorphous diamond // Thin Solid Films. 1991. V.206. P. 198−203.
  143. Ю.П., Шевчук С. Л. Ионно-лучевая технология для осаждения и травления алмазоподобных пленок // Материалы X Международного симпозиума „Тонкие пленки в электронике“. Ярославль. 1999. 4.1. С.84−92.
  144. В.П., Дорфман В. Ф., Глушко Т. Н., Кузьмичев А. В., Пыпкин Б. Н. // Известия АН СССР. Серия: „Физика“. 1991. Т.55. вып.7. Р.1374.
  145. AgeevV., Chapliev N., KononenkoT., Konov V, — KiizmichovA., PimenovS., Ral’chenkoV., Smolin A. and Spitzyn B. // Proc. Of International Symp. On Carbon. Takuba. Japan. 1990. P.932.
  146. AgeevV. P., Glushko T.N., Dorfman V.F., KuzmichovA. V. and Pypkin B.N. // Proc. Of the 4th Europ. Congress on Optics. Hague. Netherlands. 1991.
  147. Mahan G.D., Cole H.S., LiuY.S. and PhilippH.R. //Applied Physics Letters. 1988. V.53. P.2377.
  148. Sauerbrey R. and Pettit G.H. // Applied Physics Letters. 1989. V.55. P.421.
  149. Spiess W. and Strack H. Structuring of polyimide by ArF excimer laser ablation // Semiconductor science and technology. 1989. V.4. № 6. P.486−490.
  150. Black J.G., Doran S.P., Rothschild M. and Ehrlich D.J. //Appl. Physics Letters. 1987. V.50. P.1016.
  151. Baum Т.Н., Larson C.E. and Jackson R.L. // Appl. Physics Letters. V.55. 1989. P. 1264.
  152. TreigerL.M. and Gavrilenko V.V. // Proclamation VII International Conf. MICROELECTRONICS-90. Minsk. USSR. 1990. P.2. 197.
  153. Л.Д., Лифшиц Е. М. Теория упругости (Теоретическая физика). T.VII. Москва. „Наука“. 1987. 246 с.
  154. Физические величины. Справочник. Под редакцией И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. Москва. „Энергоатомиздат“. 1991. 1232 с.
  155. Энциклопедия полимеров. Под редакцией В. А. Кабанова. Москва. „Советская энциклопедия“. 1974. Т.2. 1032 стб.
  156. A.M. Перспективы применения аморфных углеродных пленок в микроэлектронике // Материалы V Международной научно-технической конференции „Высокие технологии в промышленности России“. Москва. 1999. С.364−368.
  157. Н.И. Слоистые структуры на основе нитрида алюминия // Автореферат диссертации. Москва. 1998. 26 с.
  158. ДульневГ.Н., Семяшкин Э. М. Теплообмен в радиоэлектронных аппаратах. „Энергия“. 1968. 288 с.
  159. В.П., Осипов В. А., Сукомел А. С. Теплопередача. Москва."Энергия». 1969.439 с.
  160. ДульневГ.Н., Парфенов В. Г., СигаловА.В. Методы расчета теплового режима приборов. Москва. «Радио и. связь». 1990. 312 с.
  161. ДульневГ.Н. Тепло- и массообмен в радиоэлектронной аппаратуре (Учебник для студентов ВУЗ). «Высшая школа». 1984. 247 с.
  162. Энциклопедия полимеров. Под редакцией В. А. Кабанова. Москва. «Советская энциклопедия». 1977. Т.З. 1152 стб.
  163. .М. и Детлаф А.А. Справочник по физике для инженеров и студентов ВУЗов. Москва. «Наука». 1965. 847 с.
  164. Novikov N.V., Ositinskaya T.D., PodobaA.P. and Shmegera S.V. Prediction of diamond film thermal conductivity // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series. 3. High Technology. 1995. V.1. P.81−88.
  165. Anthony T.R., Banholzer W.F. Diamond and Related Materials. 1992. V.1. P. 717−726.
  166. Touloukian Y.S., Powell R.W., Ho C.Y. Klemens P.G. // Termophisical properties of matter (IFI/Plenum, N.Y.). 1970. V.2. P.12.
  167. Geis M.W., Efremow F.F., Rathman D.D. Device applications of diamonds // J. Vac. Scien. and Technol., 1988. V.6. P.1953−1954.
  168. БелянинА.Ф. Получение пленок AIN /Обзору II Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1996. С. 167−212.
  169. Н.М. Все об алмазах и алмазоподобных материалах: по страницам информационного бюллетеня «АЛМАЗ DIAMOND» II Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1996. С. 163−166.
  170. ЖирновВ.В. Эмиссионные свойства алмаза // Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1996. С. 107−133.
  171. MituraS., Szmidt J., Sokolowska A. Doping of Diamond-Like Carbon Films // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series, 3. High Technology. 1995. V.1. P.235−242.
  172. Spear K. Diamond ceramic coating of the future // J. Amer. Ceramic Soc. 1989. V.72. P.171−191.
  173. Nazarov A.V. Simulation of diffusion in an amorphouse structure // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series, 3. High Technology. 1995. V1. P.249−256.
  174. Maschenko V.E., PuzikovV.M., SemenovA.V. Extended and localized electronic states in tetrahedral carbon films // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series, 3. High Technology. 1995. V1. P.271−284.
  175. В.Ф., Горячев A.A., Наумов В. В., Трушин О. С. Установка для получения пленок ионно-плазменным методом // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.33−35.
  176. Н.И., Одинцов М. А., Щепин О. М. Получение пленок методами магнетронного распыления // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина.1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.30−31.
  177. БелянинА.Ф., Найда С. М., Пащенко П. В. Получение пленок алмазоподобного углерода методом высокочастотного магнетронного распыления II Материалы ! Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем». Иваново. 1999. С.98−100.
  178. MorosanuC., TomozeiuN., Cordos С.,. Stoica Т. Unhydrogenated DLC films obtained by magnetron sputtering // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO ASI Series, 3. High Technology. 1995. V.1. P.243−248.
  179. Е.Ф., Михайлов Г. М., РедькинА.Н., ФиошкоА.М. Зондовая нанолитография на пленках аморфного гидрогенизированного углерода // Микроэлектроника, 1998. Т.27. № 2. С.32−48.
  180. Stoica Т., DragomirA., Gartner М., Morosanu С., Pavelescu G. Optical properties of sputtering and glow discharge a: C:H films // Wide Band Gap Electronic Materials. NATO AS! Series, 3. High Technology. 1995. V.1. P.285−290.
  181. М.Н., Грунский Д. И., Достанко А. П., ЖукД.В. Осаждение пленок a-Si:H в тлеющем разряде II Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.215−216.
  182. В.В., ПаршуковЛ.И. Методика расчета напряженного состояния тонких пленок // Материалы 2 Российской конференции с участием зарубежных специалистов «Высокие технологии в промышленности России (Техника средств связи)». Москва. 1997. С. 113−117.
  183. Ю. В. Выбор параметров оборудования и режима нанесения тонких пленок в вакууме с помощью базы данных И Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С. 190−191.
  184. Алмаз. Справочник. Киев. Наукова думка. 1981. 78 с.
  185. Д.М. Физическая кристаллография. М. Металлургия. 1972. 279 с.
  186. В.Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М. Металлургия. 1978. 272 с.
  187. БуйловЛ.Л., Алексенко А. Е., БотевА.А., Спицын Б. В. Некоторые закономерности роста слоев алмаза из активированной газовой фазы II Доклады Академии наук СССР. 1986. Т.287. № 4. С.888−891.
  188. Yoshikawa M. Application of CVD diamond to tools and machine components // Diamond Films and Technology. 1991. V.1. № 1. P. 1−46.
  189. Bhushan В., Subramaniam V.V., Gupta B.K. Polishing of diamond films // Diamond Films and Technology. 1994. V.4. № 2. P.71−97.
  190. KyunoT., Saitoh Н., Urao R. Sputtering rate of polycrystalline diamond films using argon ion beam // Advances in New Diamond Science and Technology. MYU. Tokyo. 1994. P.489−492.
  191. А.Ф., Найда С. M., Пащенко П. В., БуйловЛ.Л. ВЧ-магнетронное травление алмазных пленок // Материалы 7 Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронике». Йошкар-Ола. 1996. С.89−99.
  192. А.Ф., Найда С. М. Магнетронная обработка пленок алмаза и алмазоподобного углерода // Материалы I Всероссийской научной конференции «Молекулярная физика неравновесных систем». Иваново. 1999. С. 100−103.
  193. Kalish R. Transformation in а-С:Н (diamond-like) films induced by laser, ion and electron beams II E-MRS Proc. 1987. V.XVII. P.323.
  194. МаргаевД.В. К вопросу: возможности глубинной модификации материалов потоком низкоэнергетических атомов и ионов // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина. 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.205−207.
  195. Buchkremer-Hermanns Н., Long С., Weib Н. ECR Plasma polishing of CVD diamond films // Presented at Diamond Films'95. 1995.
  196. С.С., Бобков В. В., Рябчиков Д. Л. Вакуум-плазменное нанесение тонкопленочных покрытий на порошки // Вопросы атомной науки и техники. Харьков. Украина 1998. Серия: Вакуум, чистые материалы, сверхпроводники. Выпуск 6(7), 7(8). С.96−98.
  197. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТГ117 218, Москва, ул. Красикова, д. 25а телефакс 129−31−41, телетайп 207 065 РЕГАТА Расчетный счет № 608 912 в ОПЕРУ
  198. Промстройбанка, МФО 299 082, 103 867, Москва, Тверской бульвар, 13отна № от
  199. Акт об использовании материалов диссертации Найды С. М.
  200. Закрытое акционерное общество
  201. ЦЕНТР НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ"ОПТРОН"105 318,Россия, Москва^^Щ^^^швская, 53 тел.366−2447
  202. Центр Л Ы новых Д «УТВЕРЖДАЮ»
  203. Ц технологий г Йральный директорновых технологиихуч,. «Оптрон"1. В.А.Усачев1. АКТвнедрения магнетрона для выращивания пленок диэлектрических материалов.
  204. ТЕХНОМАШ» и предназначенный для выращивания диэлектрических пленок различных материалов (A1N, А12 Оз, Si02, ZnO и др.) методом реактивного ВЧ-распыления.
  205. Потребность нашего предприятия в таких подложках, используемых для изготовления интегральных схем, десятки тысяч в месяц.
  206. Ожидаемый экономический эффект от внедрения магнетрона в технологическом процессе изготовления теплоотводящих подложек -32 млн руб. в год. Полный экономический эффект в разработках такого рода трудно оценить.
  207. Руководитель программы ^^ А.Н.Понькин
  208. Закрытое акционерное общество
  209. ЦЕНТР НОВЫХ ТЕХНОЛОГИЙ"0ПТРОН"105 318,Россия, Москва, ул. Щербаковская, 53 тел.366−24 471. АКвнедрения двухканального блока питания для магнетроновпостоянноготока.
  210. Экономический эффект от внедрения блока составил 12 млн. руб (в ценах 1996 года).1. Руководитель программы1. А.Н.Понькин
  211. Ведущий инженер, кандидат технических наук1. ЩОНЕРНШ1. JOINT-STOCK1. ОБЩЕСТВОшшошш мт1. COMPANY
  212. Утверждаю" ж директор МГ" БаннахянКА 199 г.
  213. Оборудование и ошастка применяются при изготовлении элементов и узлов > программе «Суперкомпьютер».
  214. Директор по научно-технической ррботе,.-^ г-—"начальник отдела № 5 I ^ '' Казарьян В.К.ton. «Вектор»
  215. ул. В8 121 552 Россия1. VECTOR, Ltd27/2 Yartsevskaya St. Moscow 121 552 RussiaN1. УТВЕРМДАЮ1. Кооп. «Вектор"1. Ю. И. Литвинов 1998 г.1. АКТ ВНЕДРЕНИЯтехнических требований к проектированию коммутации шМ ПМС и комплекту фотошаблонов для её реализации
  216. Указанный комплект документации применяется при изготовлении партии фотошаблонов по заказам предприятий, занимаю- -- щихся разработкой и изготовлением микромод^лей.
  217. Закрытое Акционерное Общество «МЭНТИС»
  218. АКТ ВНЕДРЕНИЯ ОЗУ ГВИТ6. 036. 011 СБ в научно-технические разработки ЗАО «МЭНТИС»
  219. Общество с Ограниченной Ответственностью1. ГЛ ЭМО РИНГ"1. АКТ ВНЕДРЕНИЯтройства и способа неразрушающего контроля бескорпусных кристаллов микросхем.
  220. Использование выше указанных научно-технических решений способствовало экращению сроков выполнения работ и повышению надежности создаваемых изделий.1. Директор1. Н.А. Субботин
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!