Конструктивно-технологические особенности разработки гибридных силовых модулей
Диссертация
Основные результаты работы, имеющие научно-техническую новизну, следующие: разработана паяная конструкция силового модуля на ДШ, отличающаяся от аналогичных зарубежных конструкций модулей в пластмассовых корпусах применением отдельных керамических таблеток вместо сплошной керамикиразработаны технологические маршруты сборки модулей на ДШ и МОП ПТразработана и написана на языке Turbo Pascal… Читать ещё >
Список литературы
- Флоренцев С. Н., Ковалев Ф. И. Современная элементная база силовой электроники// Электротехника. 1996. № 4. С. 2−8.
- Флоренцев С. Н. Состояние и перспективы развития приборов силовой электроники на рубеже столетий// Электротехника. 1999. № 4. С. 2−8.
- Флоренцев С. Н. Состояние и тенденции развития силовых IGBT-модулей// Электротехника. 2000. № 4. С. 2−9.
- Ковалев Ф. И. Тенденции развития силовой электроники// Электротехника. 1991. № 6. С. 2−5.
- Флоренцев С. Н., СавкинА. И. Гибридные силовые интегральные схемы и модули//Электротехника. 1991. № 6. С. 5−9.
- Костычев Г. И. Мощные интегральные схемы// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1987. № 28. С. 2−7.
- Высоконадежная интегрированная электроника большой мощности// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1990. № 47. С. 10−12.
- Гудинаф Ф. Симпозиумы по мощным ИС// Электроника (рус. пер.). 1990. № 9. С. 96−97.
- ГОСТ 20 859.1−89. Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические требования.
- Силовые полупроводниковые приборы: Справочник/ О. Г. Чебовский, Л. Г. Моисеев, Р. П. Недошивин.— М.: Энергоатомиздат. 1985. 400 с.
- Флоренцев С. Н. Силовые гибридные интеллектуальные модули// Электротехника. 1994. № 3. С. 5−9.
- Андриенко П. Д., Масленникова Н. С., Остренко В. С., Павлынив Я. И. Гибридно-интегральные модули на основе запираемых тиристоров// Электротехника. 1991. № 6. С. 9−11.
- Dewar S., Zehringer R., Francis R., binder S., Stockmeier Т., Kaminski N. Стандартные модули XXI века// Электротехника. 2000. № 4. С. 9−15.
- ЛайменД. Функциональные модули— простой способ реализации мощных гибридных ИС // Электроника (рус. пер.). 1988. № 7. С. 53−55.
- Силовые полупроводниковые приборы. International Rectifier. Application Handbook/ Под ред. В. В. Токарева.— Воронеж: ТОО МП Элист. 1995.662 с.
- Отблеск А. Е., Челноков В. Е. Физические проблемы в силовой электронике. — JT.: Наука. 1984. 234 с.
- Розанов Ю. К. Основы силовой электроники.— М.: Энергоатомиздат. 1992. 296 с.
- Зильберштейн В. Б., Манин С. В., Потанчук В. А. и др. Силовые полупроводниковые модули за рубежом// Электротехническая промышленность. Сер. 05: Силовая преобразовательная техника. 1988. Вып. 18. С. 1−44.
- Semikron International. Power electronics. 1998.
- Application Note. IGBT module. Hitachi, Ltd. 1998.
- International Rectifier. Shottky diode designer’s manual. Applications and product data. 1992.
- International Rectifier. Power solutions. Product digest 48. SFC-96. 1996.
- International Rectifier. Short form catalog. SFC-98. 1998.
- Semiconductor technical data. Motorola Ltd. 1998.
- Джексон Дж. Вэст. Представляем компанию «IR"// Электротехника. 1996. № 12. С. 48−50.
- Чернышов А. А., Максимова Э. А., Рыбакова И. В., Сычев Г. Л., Челноков Е. И. Состояние и перспективы развития производства керамики для подложек и корпусов ИС// Зарубежная электронная техника. 1990. № 9. С. 3−37.
- Чернышов А. А., Чистяков Ю. Д. Корпуса для сборки интегральных микросхем// Зарубежная электронная техника. 1988. № 9. С. 17−18.
- Куликов В. И., Прохоров Л. Н., Коньков Н. В., Парилова Г. А., Сытилин С. Н. Нитридная керамика для изделий силовой электроники// Электротехника. 1995. № 2. С. 51−56.
- Балкевич В. Л. Техническая керамика.— М.: Стройиздат. 1968. 198 с.
- Красов В. Г., Петраускас Г. Б., Чернозубов Ю. С. Толстопленочная технология в СВЧ микроэлектронике.— М.: Радио и связь. 1985. 168 с.
- Бойко В.И., Коваленко П. Ю. Многокристальный модуль на диодах Шоттки// Материалы докладов международного научнотехнического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». Москва. 2000. С. 413−417.
- ОСТ 11 336.905−78. Транзисторы биполярные. Методы установления максимальных статических и импульсных режимов.
- Карслоу Г. Егер Д. Теплопроводность твердых тел.— М.: Наука. 1964. 487 с.
- Перельман Б. Л., Придорогин В. М. Многократный нагрев маломощных транзисторов рассеиваемой в них электрической мощностью// Электронная техника. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1979. Вып. 1(127). С. 96−104.
- Чистяков Ю. Д., Яковлев Г. А. Физико-химические пути повышения надежности соединений, паянных легкоплавкими припоями// Обзоры по электронной технике. Сер. 7: Технология, организация производства и оборудование. 1979. Вып. 2(625). 41 с.
- Краткий справочник паяльщика/ под общ. ред. И. Е. Петрунина.— М.: Машиностроение. 1991. 224 с.
- Лашко С. В., Лашко Н. Ф. Пайка металлов.—М.: Машиностроение. 1988. 376 с.
- Яковлев Г. А. Пайка материалов припоями на основе свинца// Обзоры по электронной технике. Сер. 7: Технология, организация производства и оборудование. 1978. Вып. 9(556). 73 с.
- Коледов Л. А., Заводян А. В., Королькевич В. А. Поверхностный монтаж компонентов— новое направление в конструировании и производстве микроэлектронной аппаратуры// Зарубежная электронная техника. 1988. № 4(323). С. 14−17.
- Lang G. A., Fehder В. I., Williams W. D. Thermal fatique in silicon transistors. IEEE Transactions on Electron Devices. 1970. Vol. ED-17. № 9. P. 787−793.
- Баюков A.B., Минц В. И., Петухов В. М., Хрулев А. К. Полупроводниковые приборы в пластмассовых корпусах// Зарубежная электронная техника. 1979. № 7(202). 63 с.
- Попова Г. Е. Использование эпоксидных компаундов для герметизации полупроводниковых приборов и микросхем// Обзоры по электронной технике. Сер. 6: Материалы. 1985. Вып. 11(1156). 48 с.
- Разработка составов компаундов и оптимальной технологии их применения, обеспечивающих требования по герметизации микросборок (взамен металлических корпусов) в условиях вакуума Ю-2 мм рт. ст. в интервале -60++80°С. Отчет о НИР. ВНТИЦ. 1983. 53 с.
- Теверовский А. А., Епифанов Г. И., Константинов А. А. Надежность полупроводниковых приборов, герметизированных в пластмассу// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1979. Вып. 10(611). 45 с.
- Моряков О. С. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Сборка.—М.: Высш. шк. 1990. 126 с.
- Минскер Ф. Е. Справочник сборщика микросхем.—М.: Высш. шк. 1992. 144 с.
- Готра 3. Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник.— М.: Радио и связь. 1991. 528 с.
- Тагер А. А. Физико-химия полимеров.—М.: Химия. 1968. 536 с.
- Роздзял П. Технология герметизации элементов РЭА/ пер. с польского под ред. В. А. Волкова.— М.: Радио и связь. 1981. 304 с.
- Изучение механизма возникновения отказов при термомеханических испытаниях микросхем и микротранзисторов в пластмассовых корпусах. Отчет о НИР. ВНТИЦ. 1984. 77 с.
- Балашов Ю. С., Зенин В. В., Сегал Ю. Е. Сборочные операции и их контроль в микроэлектронике.— Воронеж: Изд-во ВГТУ. 1999. 160 с.
- Конев Ю. И., Машуков Е. В. Параллельное включение транзисторов// Электронная техника в автоматике: Сб. статей. Вып. 12/ Под ред. Ю. И. Конева.— М.: Радио и связь. 1981. С. 204−222.
- Григоренко В. П., Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Мнацаканов Т. Т. Моделирование и автоматизация проектирования силовых полупроводниковых приборов.— М.: Энергоатомиздат. 1988. 280 с.
- Конструирование корпусов и тепловые свойства полупроводниковых приборов/ Под ред. Н. Н. Горюнова.— М.: Энергия. 1972. 120 с.
- Regnault J. Les defaillances des transistors de puissance. Les parametres de detection des defectuosites. 3e Congres national fiabilite. Perros-Guirec-Tregastel. 1976. P. 268−282.
- Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Отбраковочные технологические испытания— средство повышения надежности ИС// Петербургский журнал электроники. 1999. № 3. С. 59−66.
- Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Технологические тренировки интегральных схем// Микроэлектроника. 2000. Том 29. № 5. С. 395−400.
- Портной С. Е., Тепман И. А., Сурин А. В. Вопросы эксплуатационной надежности силовых полупроводниковых приборов и ускоренной оценки ее// Электронная техника. Сер. 8: Управление качеством и стандартизация. 1975. Вып. 9(39). С. 53−60.
- Кузнецов О. А., Погалов А. И., Сергеев В. С. Конструктивные и технологические способы повышения прочности паяных соединений элементов ИС при теплосменах// Обзоры по электронной технике. Сер. 3: Микроэлектроника. 1984. Вып. 3(1025). 35 с.
- Мазель Е. 3. Мощные транзисторы.— М.: Энергия. 1969. 280 с.
- Махлин Б. Ю. Надежность мощных транзисторов при переменных во времени нагрузках// Надежность и контроль качества. Экспресс-информация. 1973. № 30. С. 16−24.
- Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Ежов В. С., Ремнев А. М. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. Ч. 2. Области применения// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 4. С. 13−15.
- Машуков Е. В., Конев Ю. И., Леоненко И. М. Процессы переключения силовых МДП-транзисторов в импульсных регуляторах мощности // Электронная техника в автоматике: Сб. статей. Вып. 13/ Под ред. Ю. И. Конева.— М.: Радио и связь. 1982. С. 8−16.
- Окснер Эдвин С. Мощные полевые транзисторы и их применение/ Пер. с англ. — М.: Радио и связь. 1985. 288 с.
- Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Отбор мощных МОП-транзисторов для параллельной работы в силовых модулях// Тезисы докладов всероссийской межвузовской научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-98». 4.2. Москва. 1998. Подсекция 4.4.
- Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Измерение теплового сопротивления силового модуля на полевых транзисторах// Тезисы докладов всероссийской научно-технической конференции «Микро- и наноэлектроника-98». Том. 2. Звенигород. 1998. Доклад № Р2−64.
- Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Исследование работы мощных МДП-транзисторов на индуктивную нагрузку// Материалы докладов научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». Москва. 1999. С. 396−399.
- Горлов М. И., Коваленко П. Ю. Испытание мощных полевых транзисторов на устойчивость к индуктивной нагрузке// Машиностроитель. 2000. № 6. С. 17.
- ОСТ 11.336.938−83. Приборы полупроводниковые. Методы ускоренных испытаний на безотказность и долговечность.
- Захаров A. JL, Асвадурова Е. И. Расчет тепловых параметров полупроводниковых приборов: метод эквивалентов.—М.: Радио и связь. 1983. 184 с.
- ОСТ 11 0944−96. Микросхемы интегральные и полупроводниковые приборы. Методы расчета, измерения и контроля теплового сопротивления.
- Могилевский В. М., Чудновский А. Ф. Теплопроводность полупроводников. —М.: Наука. 1972. 536 с.
- Никишин В. И., Петров Б. К., Сыноров В. Ф. и др. Проектирование и технология производста мощных СВЧ- транзисторов. —М.: Радио и связь. 1989. 144 с.
- Горохов В. А., Щедрин М. Б. Физические основы применения тиристоров в импульсных схемах. —М.: Сов. радио. 1972. С. 111−114.
- ОСТ 11 073.026−74. Микросхемы интегральные гибридные. Конструирование. Обеспечение тепловых режимов.
- Жилейкин Я. М., Боскис И. А., Федосеева Ю. И. Программа для расчета температурного поля двухслойной пластины при поверхностном нагреве. Программы решения прикладных математических задач. Выпуск 17. 1971.
- Боскис И. А., Жилейкин Я. М. Программа для расчета температурного поля изотропной пластины при поверхностном нагреве. Программы решения прикладных математических задач. Выпуск 16. 1971.
- Коваленко П. Ю. Расчет температуры элементов гибридных интегральных схем// Государственный фонд алгоритмов и программ Российской Федерации (регистрационный номер 50 990 000 133 от 3.08.99).
- Чебовский О. Г., Моисеев JI. Г. Испытания силовых полупроводниковых приборов.— М.: Энергоатомиздат. 1985. 400 с.
- Аксенов А. И., Глушкова Д. Н., Иванов В. И. Отвод тепла в полупроводниковых приборах.— М.: Энергия. 1971. 176 с.
- Блихер А. Физика силовых биполярных и полевых транзисторов.— J1.: Энергоатомиздат. 1986. 247 с.
- Бачурин В. В., Дьяконов В. П., Ежов В. С. и др. Мощные переключающие МДП-транзисторы и их применение. 4.1. Проблемы конструирования// Обзоры по электронной технике. Сер. 2: Полупроводниковые приборы. 1983. Вып. 10(996). 68 с.
- Тугов Н. Г., Глебов Б. А., Чарыков Н, А. Полупроводниковые приборы.— М.: Энергоатомиздат. 1990. 576 с.
- Черноусов Н. П., Петров В. С., Бессонов Ю. J1. Материалы электронной техники.— М.: Радио и связь. 1992. 208 с.
- ОСТ 11 073.073−82. Методы контроля температуры биполярных транзисторов и интегральных микросхем.
- Закс Д. И. Параметры теплового режима полупроводниковых микросхем,— М.: Радио и связь. 1983. 128 с.
- Баранов И. А., Савватин Н. Н. Диагностирование полевых транзисторов с затвором Шоттки по тепловому сопротивлению// Электронная промышленность. 1990. № 6. С. 52−53.
- Бойко В. И., Коваленко П. Ю. Конструктивно-технологические особенности силового модуля// Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Воронеж.1997. С. 10−12.
- Бойко В. И., Коваленко П. Ю., Григорьева Н. С. Многокристальный силовой модуль на основе полевых транзисторов// Материалы докладов научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». Москва.1998. С. 338−341.