Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик

Диссертация: Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем. I) Показано, что температурная зависимость проводимости сильнолегированного и компенсированного (СЛК) германия, легированного мелкими примесями в расплаве, подчиняется закону проводимости вида СГ (Т) = (Тс ехр[-, где /ь = 0,5, а и 77 постоянные. 2) Впервые в щдасталлическом материале экспериментально обнаружена предсказанная Моттом… Читать ещё >

Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ОБЗОР РАБОТ ПО ПРОВОДИМОСТИ СЛАБОЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ
    • 1. 1. Локализованные состояния
    • 1. 2. Прыжковая проводимость слаболегированного германия
    • 1. 3. Температурная зависимость проводимости с непрерывно убывающей энергией активации. Закон Мотта
  • ГЛАВА 2. ПРЫЖКОВАЯ ПРОВОДИМОСТЬ В СИЛЬНОЛЕГИРОВАННЫХ И
  • КОМПЕНСИРОВАННЫХ (СЛК) ПОЛУПРОВОДНИКАХ
    • 2. 1. Вид энергетической зоны в СЛК полупроводниках и ожидаемая температурная зависимость проводимости
    • 2. *2. Исследование низкотемпературной омической проводимости СЛК германия, полученного из расплава
      • 2. 3. Кулоновская щель в кристаллических полупроводниках. Закон Шкловского-Эфроса
      • 2. 4. Проводимость СЛК Ge в сильных электрических полях
  • Выводы
  • ГЛАВА 3. ПЕРЕХОД ДИЭЛЕКТРИК-МЕТАЛЛ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
  • ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ О ПЕРЕХОДЕ МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК
  • З.Х. Концепция минимальной металлической проводимости Мотта
    • 3. 2. Скейлинговый подход к решению проблемы минимальной металлической проводимости
    • 3. 3. Скейлинговая теория локализации
    • 3. 4. Сравнение теории с экспериментом
  • ГЛАВА 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИТИЧЕСКИХ ИНДЕКСОВ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК
  • Постановка задач исследований
    • 4. 1. Теория положительного магнитосопротивления в случае прыжковой проводимости
    • 4. 2. Техника эксперимента и методика приготовления образцов
    • 4. 3. Ацробация метода определения и эе
    • 4. 4. Экспериментальное определение критических индексов перехода металл-диэлектрик
    • 4. 5. Исследование проводимости в точке перехода металл-диэлектрик
  • Выводы
  • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ МАГНИТОПРОВОДИМОСТИ ВБЛИЗИ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-ДИЭЛЕКТРИК НА МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ СТОРОНЕ ЛЕГИРОВАННОГО ГЕРМАНИЯ
  • Часть I.
    • 5. 1. История проблемы аномального магнитосопротивления
  • Выводы
  • Часть
    • 5. 2. Квантовые поправки к проводимости невзаимодействующих электронов
    • 5. 3. Сравнение теории с экспериментом а) Постановка экспериментальных задач б) Влияние контактов на измерение магнитосо-цротивления. в) Экспериментальные результаты и их обсуждение
    • 5. 4. Аномальное магнитосопротивление в
    • 5. 5. Аномальное магнитосопротивление в p-Ge. эксперимент)
  • Выводы
  • ГЛАВА 6. ЭЛЕКТРОН-ЭЛЕКТРОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СИСТЕМАХ
    • 6. 1. Магнитопроводимость при учете взаимодействия между электронами
    • 6. 2. Исследование магнитопроводимости p-Ge
    • 6. 3. Проводимость взаимодействующих электронов
    • 6. 4. Сравнение с экспериментом
    • 6. 5. Исследование температурной зависимости проводимости в p-Ge
    • 6. 6. Квантовые поправки к постоянной Холла
  • Выводы
  • ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Переход металл-диэлектрик (ПМД) в неупорядоченных системах уже долгое время находится в центре внимания исследователей. Из-за отсутствия малого параметра это одна из труднейших теоретических проблем. Прогресс здесь идет по пути создания теоретических моделей и проверке предсказаний этих моделей на эксперименте. Среди многочисленного класса неупорядоченных систем (аморфных, жидких, стеклообразных, поликристаллических и т. д.) особое место занимают легированные кристаллические полупроводники со случайным распределением примесей. Это особое место они занимают в силу того, что являются одной из простейших неупорядоченных систем с легко регулируемыми параметрами, определяемыми уровнем легирования и степенью компенсации. Поэтому такие материалы являются наиболее удобным объектом для экспериментальной проверки теоретических моделей.

В настоящее время теоретически и экспериментально хорошо изучен случай слабого легирования (, где N концентрация примесей, Лборовский радиус), когда примесная зона отделена от зоны проводимости. При низких температурах, поскольку имеется конечное перещштие волновых функций электронов между ближайшими центрами, электрон может перемещаться между ними без активации в зону проводимости. Такое явление, получившее название примесной прыжковой проводимости (ПП), интенсивно изучалось в 60−70-х гг. Д-8/. Однако в области, примыкающей к ПМД, характер температурной зависимости проводимости <зг (Т) и влияние на нее электрических и магнитных полей были практически не исследованы к моменту начала выполнения нашей работы. Это сделало актуальным исследование С и магнитрпроводимости на диэлектрической стороне ПМД.

С увеличением концентрации примесей в примесной стороне происходит переход в металлическое состояние, после которого ¦ Этот переход из диэлектрической в металлическую проводимость происходит в узкой области концентраций, но проводимость при этом, например при Т = 2 К, возрастает на 6−7 порядков по величине. С другой стороны, находясь в металлическом состоянии, можно перейти в диэлектрическое, если увеличивать степень разупорядочения, например, введением компенсирующей примеси.

Как происходит ПМД в полупроводниках — плавно или резко, т. е. является переходом первого или второго рода? Долгое время господствующей точкой зрения была концепция Мотта о существовании минимальной металлической проводимости для двумерных и трехмерных систем /9−11/. Это означало, что ПМД — переход первого рода.

В 1978 г. появилась работа группы авторов (Абрахаме, Андерсон, Личчарделло, Рамакришнан Д2/), которые развили скей-линговую теорию локализации. Основные выводы новой теории состоят в следующем: I) В трехмерных системах ПМД является переходом второго рода. 2) В двумерных системах должен быть переход от сильной локализации к слабой, что соответствует переходу от экспоненциальной температурной зависимости проводимости к логарифмической. Это означает, что в двумерных системах металлической проводимости не должно быть. Действительно, эксперименты подтвердили основные выводы скейлинговой теории, а именно: в трехмерных системах не существует минимальной металлической проводимости по Мотту /13−15/, а в двумерных сопротивление логарифмически возрастает с понижением температуры.

16/. Однако многие предсказания теории оставались не проверенными и, в частности, поведение радиуса локализации волновой функции электрона вблизи ПМД.

Скейлинговая теория локализации стимулировала решение других вопросов физики твердого тела, таких как поведение диэлектрической проницаемости вблизи перехода и увеличение проводимости в магнитном поле. Последний эффект, известный в литературе как отрицательное магнитосопротивление (ОМС), был обнаружен в полупроводниках около 30 лет назад /17/. Здесь необходимо отметить, что современный прогресс в понимании проводимости и маг-нитопроводимости на металлической стороне в неупорядоченных полупроводниках, помимо скейлинговой теории локализации, обязан также подходу, основанному на многоэлектронной задаче при учете взаимодействия между электронами, развитому Альтшулером и Аро-новым (электрон-электронное взаимодействие, ЭВВ) /18−21/. В двумерных системах обе теории предсказывают локализованные состояния и возрастание сопротивления по логарифмическому закону с понижением температуры. Эти предсказания, как уже отмечалось, хорошо согласуются с экспериментомОднако для трехмерных систем эти теории предсказывают различное поведение как для температурной зависимости проводимости, магнитопроводимости, так и постоянной Холла" Эти обстоятельства делают актуальной постановку экспериментальных исследований не только на диэлектрической, но и на металлической стороне перехода.

В качестве объекта исследований был выбран легированный мелкими примесями германий. Выбор германия был обусловлен как всесторонними обширными знаниями об этом материале, так и совершенной технологией введения примесей. В последнем случае имеется в виду метод нейтронного легирования (НЛ) и его модификации.

Цель работы заключалась в последовательном экспериментальном исследовании новых явлений вблизи ПМД в неупорядоченных системах, таких как I) активационной проводимости с переменной длиной прыжка в сильнолегированном и сильнокомпенсированном германии- 2) безактивационной прыжковой проводимости в сильных электрических полях- 3) расходимости радиуса локализации волновой функции и диэлектрической проницаемости вблизи ПМД и одновременно проверки справедливости закона прыжковой проводимости Шкловского-Эфроса- 4) явлений, связанных с аномальным маг-нитосопротивлением- 5) явлений, обусловленных влиянием электрон-электронного взаимодействия на проводимость, магнитопроводи-мость и постоянную Холла.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем. I) Показано, что температурная зависимость проводимости сильнолегированного и компенсированного (СЛК) германия, легированного мелкими примесями в расплаве, подчиняется закону проводимости вида СГ (Т) = (Тс ехр[-, где /ь = 0,5, а и 77 постоянные. 2) Впервые в щдасталлическом материале экспериментально обнаружена предсказанная Моттом безактивационная проводимость в сильных электрических полях- 3) В рамках модели активационной проводимости с переменной длиной прыжка с кулонов-ской щелью Шкловского-Эфроса на уровне Ферми применена методика определения радиуса локализации (а) волновой функции электрона и диэлектрической проницаемости). 4) Показано, что в окрестности перехода металл-диэлектрик по мере уменьшения разупорядоченности <Х и расходятся по степенному закону с определенными значениями критических индексов и их отношения. 5) Показано, что непосредственно в переходе металл-диэлектрик температурная зависимость проводимости подчиняется степенному закону в широком температурном интервале, 6) Обнаружен минимум сопротивления в температурной зависимости проводимости р-бе. с металлической проводимостью. Показано, что низкотемпературная добавка к проводимости p-Ge. обусловлена электрон-электронным взаимодействием по теории Альтшулера и Аронова. 7) Выяснена роль различных вкладов в магнитопроводимость в недеформированном германии ртипа. Обнаружено аномальное положительное магнитосо-противление в деформированном и показано, что оно обусловлено спиновым расщеплением свободных дырок (Ли, Рамакришнан). 8) Обнаружена корреляция между поведением магнитосопротивления и температурной зависимости проводимости p-Ge. с металлической проводимостью. 9) Показано, что большая разница в абсолютных значениях магнитопроводимости у Gzlflz^ и обусловлена разной интенсивностью процессов междолинного переброса электронов, что находится в согласии с новой теорией аномального магнитосопротивления. 10) Показано, что анизотропия магнитопроводимости однооснодеформированного /i-Ge. обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы. II) Впервые исследована низкотемпературная зависимость постоянной Холла Аи p-0)Q. с металлической проводимостью. Показано, что как в Л-, так и в р- ^ f постоянная Холла пропорциональна Т½, что согласуется с теорией ЗЭВ. Показано, что в изменение постоянной Холла примерно в 2 раза больше, чем изменение проводимости в одном и том же температурном интервале, что согласуется с теорией ЭЭВ.

Практическая ценность. Результаты исследования проводимости и магнитосопротивления в сильнолегированном и компенсированном германии на диэлектрической стороне перехода использованы при создании щшогенных преобразователей температуры, получивших широкое применение в различных областях техники. Результаты экспериментальных исследований стимулировали развитие теории аномальной магнитопроводимости, а такке теории проводимости на диэлектрической стороне ПМД кристаллических полупроводников. Предложенная методика определения CL и эв может быть использована в других неупорядоченных системах.

На защиту выносятся следующие основные положения диссертации:

1. Показано, что в сильнолегированном и сильнокомпенсиро-ванном мелкими примесями германии наблюдается прыжковая проводимость с непрерывно убывающей энергией активации при уменьшении температуры, подчиняющаяся зависимости где /I = 0,5.

2. Эффект безактивационной прыжковой проводимости в СЛК-в сильных, неомических электрических полях, подчиняющийся зависимости тока, где /2 имеет то же значение, что и в случае омической проводимости.

3. Методика и результаты определения радиуса локализации CL и Ж. для с активационной проводимостью, подчиняющейся закону Шкловского-Эфроса.

Показано, что большая разница в абсолютных значениях магнитопроводимости у 6>е.<^> и обусловлена разной интенсивностью процессов меадолинного переброса электронов.

5. Показано, что анизотропия магнитопроводимости одноосно-деформированного fi-fte. обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы,.

6. Показано, что вклад в общее МС за счет ЭЭВ в куперовском канале для не деформированного p-Ge. незначителен,.

7. В деформированном />-£е с понижением температуры и ростом магнитного поля обнаружен переход от ОМС в аномальное ПМС. Показано, что аномальное ПМС обусловлено ЭЭВ при учете спинового расщепления уровней свободных дырок.

8. Показано, что в температурной зависимости проводимости p-Ge. с металлической проводимостью имеется минимум сопротивления. При этом низкотемпературная добавка к проводимости обусловлена электрон-электронным взаимодействием в соответствии с теорией Альтшулера и Аронова.

9. Показано, что на металлической стороне ПМД в области гелиевых температур постоянная Холла пропорциональна Т½ как в А-, так и в, что согласуется с теорией ЭЭВ.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, шести глав, заключения и списка цитируемой литературы. Объем диссертации составляет /33 страниц*/ машинописного текста, включая 38 рисунков и 6 таблиц.

Список литературы

содержит /87 наименований .

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.

Г. Исследованы законы проводимости в омических и неомических электрических полях сильно легированного и сильно компенсированного мелкими примесями германия. Показано, что: а) Имеется анизотропия проводимости по отношению к направлению роста слитка СЖ-германия, полученного по методу Чохраль-ского с одновременным введением донорной и акцепторной примеси в расплав. б) В плоскости вдоль оси роста слитка активационная проводимость шунтируется металлической при Т ^ I К. в) В плоскости перпендикулярной оси роста имеет место прыжковая цроводимость с непрерывно убывающей энергией активации при понижении температуры, подчиняющаяся зависимости.

Tj^J J «где ft = 0,5. Такая зависимость свидетельствует о существовании параболической щели в спектре плотности состояний на уровне Ферли. г) В сильных неомических электрических полях в кристаллическом германии обнаружен предсказанный Моттом эффект безактивационной прыжковой проводимости, подчиняющийся зависимости f^jr') J t где Jt имеет то же значение, что и в случае омической проводимости.

2. Разработана методика определения радиуса локализации волновой функции электрона CL и диэлектрической проницаемости в случае проводимости с переменной длиной прыжка и кулоновской щелью на уровне Ферми. Показано, что: а) С приближением к переходу в металлическое состояние <Х и Зё расходятся по степенному закону а. ^ и а, ф-0,69+0,03? причем между критическими индексами ЩЦ выполняется соотношение Jyj =2,3. б) Для образцов с однородным распределением цримесей и.

К < 0, найденные значения)=0,6и ^=1,38 удовлетворительно согласуются со значениями, найденными с помощью независимых методик на металлической стороне перехода. Это дает основания считать применимой модель кулоновской щели Шкловского-Эфроса. в) Обнаружена и исследована с помощью методики одноосного сжатия в о1фестности ПЩ степенная зависимость проводимости.

4. Исследована магнитопроводимость, А <5*(Н) и ее анизотропия в Ли р- (ле. на металлической стороне ПЩ. Показано, что: а) Отсутствие анизотропии Д в зависимости от угла между направлением магнитного поля и кристаллографической осью в при kpt^yl указывает на то, что за возникновение эффекта ОМС ответственно орбитальное движение электронов, а не подавление спинового рассеяния. Кроме того, для Ge. это означает, что долины зоны цроводимости не вносят аддитивного вклада в магнитопроводимость. б) Большая разница в абсолютных значениях магнитоцроводи-мости у и 6? е<^/> обусловлена разной интенсивностью цроцессов переброса электронов из долины в долину для рассматриваемых цримесей. в) Анизотропия л ^(н) в обусловлена анизотропией коэффициента диффузии, а не эффективной массы. г) В недеформированном р>-6к в слабых магнитных полях в сильных, причем л с1(Н)<0 и в области больших И дс^ не зависит от температуры. д) В р-&е. с металлической проводимостью по мере снятия вырождения валентной зоны наблюдается переход от ПМС к ОМС.

5. Исследовано влияние ЭЭВ на магнитопроводимость, на температурную зависимость проводимости и на постоянную Холла на металлической стороне 1ВД. а) Обнаружен минимум сопротивления в температурной зависимости g (T) p-Ge. с металлической проводимостью. Показано, что низкотемпературная добавка к проводимости обусловлена ЭЭВ. б) Показано, что вклад в общее МС за счет ЭЭВ в куперов-ском канале для недеформированного p-Ge. незначителен. в) В деформированном p-Ge. обнаружен с понижением температуры и ростом магнитного поля переход от ОМС в аномальное ПМС. Показано, что аномальное ПМС обусловлено ЭЭВ при учете спинового расщепления уровней свободных электронов. г) Показано, что ъ Аж p-Ge постоянная Холла.

Яу ^ Т^, что согласуется с теорией ЭЭВ. Для jo-Ge. показано, что % • Это является независимым доказательством того, что температурная зависимость проводимости: p-Gaобусловлена ЭЭВ. д) Из анализа поведения /^(Т) и для сделан вывод, что в области гелиевых температур наряду с эффектами взаимодействия существенны и эффекты локализации. х х х.

В заключение выражаю благодарность моему научному руководителю Исаю Семеновичу Шлимаку за поддержку и всестороннюю помощь в работе, Б. Л. Альтшулеру, Б. И. Шкловскому, А. Л. Эфросу за стимулирующие обсуждения, а также соавторам по работам А.Г.За-бродскому, Л. И. Зарубину, Ф. М. Воробкало, И. Ю. Немишу и И. К. Измайловой.

Показать весь текст

Список литературы

  1. , Twose W.Б. The theory of imparity conduction. -Adv. Phys., 1961, V.10, p.107. — Перевод: УШ, 1963, т.79, с .691−740.2″ Шкловский Б. И. Прыжковая проводимость слаболегированных полупроводников. ФТП, 1972, т.6, с.1197−1226.
  2. .И., Эфрос А. Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
  3. Бонч-Бруевич В.Л., Звягин И. П., Кайнер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников. М.: Наука, 1981.
  4. И.О. Электронные переходы между локализованными состояниями в полупроводниках. Автореферат докт. диссерт., Ленинград, ФТИ, 1979, 17- с.
  5. Mott N.F. Electrons in disordered structures. Adv. Phys., 1967, v.16, p.49−52.
  6. Mott N.F. Metal-insulator transition. London: Taylor-Francis. Ltd., 1976. Русский перевод: Мотт Н. Ф. Переход металлизолятор. М.: Наука, 1979.
  7. Mott H.F. The minimum metallic conductivity in three dimensions. Phil. Mag*, 1981, V. B44″ p.265−284*
  8. Hubbard J. Eleotron correlations in narrow energy bands. II" The degenerate band oase. Proo.Roy.Soc., 1964″ v. A277, p.237−259.23* Anderson P.W. Absence of diffusion in certain random lattice. Phys.Rev., 1958, v.109, p.1492−1505.
  9. Fritzsche H. Resistivity and Hall coefficient of antimony-doped germanium at low temperatures. J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.6, p.69−75.
  10. E.M., Гольщан Г. Н., Мельников А. П. 06 энергии связи носителя заряда с нейтральным примесным атомом в германии. Письма в ЖЭТФ, 1975, т.14, с.281−284.
  11. Miller A., Abrahams Е. Impurity conduction at low concentrations. Phys.Rev., 1960, v.120, p.745−751.
  12. В.И., Эфрос A.I. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников'. ЖЭТФ, 1971, т.60, с.867−878.
  13. Shlimak I.S., Emtzev V.V. Dependence of the activation energy of conductivity on the compensation degree in germanium. -Phys. stat. Sol. (b), 1971, v.47, p.325−328.
  14. И.С., Никулин Е. И. Проводимость легированного германия при сверхнизких температурах. Письма в ЖЭТФ, 1972, о*.15, с.30−33.
  15. Redfield Р., Crandoll R.S. Energy dependence of conductionin band tails. Proo. X Internet. Conf• on Phys. of Semicond., Boston, 1970, p*574−575″
  16. .И., Эфрос А. И. Примесная зона и проводимость компенсированных полупроводников. Материалы У1 Зимней школы ФТИ им. А. Ф. Иоффе по физике полупроводников, 1971, с.438−454.
  17. С.М. Обработка поверхности полупроводниковых приборов. М.-Л.: Энергия, 1966, с. 72.
  18. В.И. Сильнолегированные полупроводники. М.: Наука, 1967, с. 278.
  19. И.В., Кожух М. Л., Рыбкин С. М., Трупов В. А., Шлимак И. С. Взаимодействие примесей и дислокаций в легированном, пластически деформированном h. -германии. Письмав ЖЭТФ, 1979, т.29, с.268−272.
  20. Hill R.M. On the observation of variable range hopping. -Phys. stat. Sol. (a), 1976, v.35, p. K29.
  21. А.Г. Прыжковая проводимость и ход плотности локализованных состояний в окрестности уровня Ферми. ФТП, 1977, т. И, с.595−598.
  22. Efros А.Ь., Shklovskii B.I. Coulomb gap and low temperature conductivity of disordered systems. J.Phys., ser. C, 1975″ v.8, p. L49.
  23. .Л., Эфрос А'. Л. Кулоновская щель в неупорядоченных системах5. Материалы УШ Зиглней школы ФТИ им. А. Ф. Иоффе по физике полупроводников, 1977, с.5−44.
  24. .И. Прыжковая цроводимость полупроводников в сильных электрических полях. ФТП, 1972, т.6, с.2335−2340.
  25. Fritzsche Н. Resistivity and Hall coefficient of antimony-doped germanium at low temperatures. J.Phys.Chem.Solids, 1958, v.6, p.69.
  26. Chao K.A. Theory of impurity states in heavily doped semiconductors. In: Modern trends in the theory of condensed matter. — Springer-Verlags 1980. Ed.A.Pekalski, J. Praystawa, p.339−365.
  27. Rosenbaum T.F., Milligan R.F., Thomas G.A., Lee P.A., Rama-krishnan T.V., Bhatt R.N. Low-temperature magnetoresistance of a disordered metal* Phys.Rev. Lett., 1981, v.47, p.1758−1761.
  28. Thomas G.A., Kawabata A*, Ootuka Y., Eatsumoto S., Kobayashi S., Sasaki W. Phys.Rev., 1982, V. B26, p.2113−2119.
  29. Cappizzi M., Thomas G.A., DeRosa F., Bhatt R.H., Rice T.M.
  30. Observation of the approach to a polarisation catastrophy.
  31. Ue H., Maekawa S. Electron-spin resonance studies of heavily phosphorus-doped silicon. Phys.Rev., 1971, vB3, N 12, p.4232−4238.
  32. Ioffe A.F., Regel A.R. Non-crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors. Progr. Semicond., 1960, v.4,p.237−245.
  33. Anderson P.W. The size of localized states near the mobility edge. Proc. Nat.Acad.Sci* USA, 1972, v.69, p#1097−1099.
  34. M.B. Локализация электронов в неупорядоченных системах. Порог подвижности и теория критических явлений. -ЖЭТФ, 1976, т.70, c. I936-I940.
  35. .Л., Аронов А. Г. Теория подобия перехода Андерсона для взаимодействущих электронов. Письма в ЖЭТФ, т.37, с.349−351.
  36. Rosenbaum T.F., Andres К", Thomas G.A. Non-Ohmic conductivity of barely localized electrons in three dimensions. Solid State Commun., 1982, v.35, p.663−666.
  37. Thomas G.H., Paalanen M", Rosenbaum T.F. Measurements of conductivity near the metal-insulator critical point.
  38. Bosenbaum T.F., Milligan R.F., Paalanen М.А., Thomas G.A., Bhatt R.H., bin ?. Metal-insulator transition in a doped semiconductor. Phys.Rev., 1983″ V. B27, p.7509−7523.
  39. Townsend P. Infrared adsorption in phosphorus doped silicon and the D-band. J.Phys., 1978, v. C11, p.1481−1489*
  40. Harald F.H., DeConde К., Rosenbaum T.F., Thomas G. A* Gigant dielectric constants at the approach to the insulator-metal transition. Phys.Rev., 1982, V. B25, N 8, p.5578−5580.
  41. E.M., Ильин В. А., Литвак-Горская 1.Б. Влияние магнитного поля на прыжковую проводимость в. ФТП, 1974, т.8, с.295−297.
  42. Chrohoczek J .A., Sladek R.J. Magnetoresistance of p-type germanium in the phonon-assisted hopping conduction range athigh magnetic fields. Phys.Rev., 1966, v.151, p.595−599.
  43. A.P., Шлимак И. О. Влияние магнитного поля на прыжковую проводимость p-Ge г. ФТП, 1972, т.6, с.1582−1594.
  44. О.В., Масагутов К. Г., Наследов Д. Н., Тимченко И. Н. Прышсовая проводимость по примееягл в n-inP v -ФТП, 1975, т.9, с.503−512.
  45. Mikoshiba N. Strong-field magnetoresistance of impurity conduction in n-type germanium. Phys.Rev., 1962, v.127″ р.19б1−1969.
  46. .И. Прыжковая проводимость в сильном магнитном поле'. ЖЭТФ, 1971, т.61, с.2033−2047.
  47. .И. К теории экспоненциального магнитосопротивления полупроводников. ФТП, 1973, т'.8, с.416−422.
  48. .И., Нгуен Ван Лиен. Прыжковое магнитосопротивле-ние п -германия. ФШ, 1978, т. 12, с-.1346−1354.
  49. Rose-Innes А.С. bow temperature techniques. 1964. The English Universities Press btd.
  50. Перевод: А. Роуз-йнс. Техника низкотемпературного экспериментам М.: Мир, 1966.
  51. .Н., Швец А. Д., Березняк Н. Г. Прибор для полученияотемператур до 0,3 К с использованием Не . ПТЭ, 1961, т.6, с.123−124.
  52. Beer А.С. Galvanomagnetic effects in semiconductors.N.Y.London, Acad. Press, 1966, 418 p.
  53. Ларк-Горовиц К. Бомбардировка полупроводника нуклонами.
  54. В кн-: Полупроводниковые материалы. Перевод с англ-, под ред. В.М.1Учкевича. М.: М, 1954, с.62−95.
  55. Юз Р., Шварц Bl. Атлас нейтронных сечений. М.: Атомизда, 1959.
  56. Brockhause. National laboratory 325″ ED-3 $ 1973.
  57. Thomas H.C., Covington B. Impurity conduction in transmutation doped germanium. — J. Appl. Phys., 1977, v.48,p.3434−3440.
  58. А.Г. Экспериментальное определение степени компенсации нейзронно-лещрованного германия- Письма в ЖЭТФ, 1981, Т.ЗЗ, & 5, с.258−262.
  59. Беда А. Г-* Вайнберг В. В., Воробкало Ф. М., Зарубин Л. И. Определение степени компенсации в трансмутационно легированном германии- ФШ, 1981, т-15, с-1546−1549.
  60. А.Б., Вайнберг В. В., Воробкало Ф. М., Зарубин Л.й. Отрицательное магнитосопротивление p-Ge в области црыжковой проводимости моттовекого типа. Письма в ЖЭТФ, 1982, т. 35, с. I3-I4-.
  61. Шлимак И-Сг, Емцев В-В. Активационная проводимость почти полностью компенсированного n-Ge. Письма в ЖЭТФ, 1971, тЛЗ, с.153−157.
  62. А.Г. Электропроводность сильнолегированного компенсированного германия п -типа, полученного путем нейтронного легирования- ФШ, 1980, т’Л4у с.1130−1139.
  63. Thomas G.A., Outuka Y., Katsumoto S., Kobayashi S., Sasaki W. Evidence for localization effect in compensated semiconductors. — Phys.Rev., 1982, V. B25, N 6, p.4288−4290.
  64. Imry Y. Possible role of incipient Anderson localization in the resistivities of highly disordered metals. Phys. Rev.Lett., 1980, v.44, p.469−471.
  65. Toyozawa Y. Theory of localized spins and negative magneto-resistance in metallio impurity conduction. J.Phys.Soc. Jggan, 1962, v.17, p.986−1004*
  66. Fritzsche H. Effect of stress on the donor wave function in germanium. Phys.Rev., 1962, v.125, p.1560−1568.
  67. Katz M.J. Electrical conductivity in heavily doped n-type germanium: temperature and stress-dependence. Phys.Rev., 1965, v.140, p.1323−1344.
  68. .М. Теория явлений переноса в полупроводниках- -Баку: Изд£ АН УзССР, 1963.по. Вонсовский С .В. Магнетизм^ М.: Наука, 1971.
  69. Beal-Manod М.Т., Weiner R.A. Negative magnetoresistivity in dilute alloys. Phys.Rev., 1968, v.170, p.552−559.
  70. Sasaki W., Kanai Y. Galvanomagnetic effect of a heavily doped Ge-crystal. J.Phys.Soc.Japan, 1956, v.11, p.894 895.
  71. Обухов C. A1- Переход полупроводник-металл, индуцированный магнитным полем, в одноосно деформированном антимониде индия р-типа1. ФТТ, 1979, т.21, с.59−65.
  72. Anderson P.W. Localized magnetic states in metals. Phys. Rev., 1961, v.124, p.41−53*
  73. Ш. М., Емельяненко О .В., Лагунова Т. О., Наследов Д. Н. О природе отрицательного магнитосопротивления в арсениде галлия. ФШ, 1972, т.6, с.2010−2014.
  74. Katayama Y., Tanaka S. Resistance anomaly and negative magnetoresistance in n-type InSb at very low temperatures.
  75. Phys.Rev., 1967, v.153, p.873−882.
  76. Ю.В., Шеидер Е. Ф., Полянская Т.Аъ Отрицательное магнитосопротивление и локализованные магнитные состояния в полупроводниках5. ФШ, 1970, т.4, с.2311−2321.
  77. Alexander М.Ы., Nuclear-magnetic resonance study of heavilynitrogen-doped silicon carbide* Phys. Rev", 1968, v.172, p.331−340.
  78. Hedgcock F.T., Mathur D.P. Localized spins in heavily doped n-type germanium exhibiting metallic conduction. Can. J. Phys., 1963, v.41, p.1226−1229.
  79. Sasaki W., Kinoshita J. Piezoresistanoe and magnetic susceptibility in heavily doped n-type silicon. J.Phys.Soc. Japan, 1968, v.25″ р.1б22−1б29#
  80. Alexander M.N., Holoomb D.F. Semiconductor-to-metal transition in n-type group IV semiconductors. — Rev.Mol. Phys*, 1968, v.40, p.815−829.
  81. Hedgcock F.H., Randorf T.W. Two band model for negative magnetoresistance in heavily doped semiconductors. Sol. St. Commun., 1980, v.8, p.1819−1822.
  82. Furukawa Y. Magnetoresistance of heavily doped germanium at low temperature. J.Phys.Soc.Japan, 1963″ v.18, p.737.
  83. Roth H., Straub W.O., Bernard W., Mulhern I.E. Empirical characterization of low-temperature magnetoresistance effects in heavily doped Ge and Si. Phys.Rev.Lett., 1963, v.11, p.328−331.
  84. Sugiyama K., Kobayashi A. Piezoresistance and magnetoresistance in impurity conduction of germanium. J.Phys.Soc. Japan, 1963, v.18, p.163−174.
  85. Бир Г. JT., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972, 584
  86. Woods J.F., Chen C.Y. Negative magnetoresistance in impurity conduction. Phys.Rev., 1964, v. 1 355, p. A1462−1466.145* Sasaki W. Negative magnetoresistance in the metallic impurity conduction. J.Phys.Soc.Japan, 1966, v.21, Supplement, p.543−548.
  87. Kondo J. Resistance minimum in dilute magnetic alloys. -Progr. Theoret.Phys. (Kyoto), 1964, v.32, p.37−49.147* Khosla R.P., Fischer I.R. Magnetoresistance in degenerate CdSs localized magnetic moments. Phys.Rev., 1970, v. B2, p.4084−4097*
  88. Ионов АЖ" Жлимак И-С. Эффект Кондо в вырожденном германии, легированном немагнитными примесями- ФШ, 1977, Till, с.741−747−149* Абрикосов А. А. %гнитнне примеси в немагнитных металлах? -УШ, 1969, т. 97, c403−426i
  89. Nagai S., Kondo J. Resistivity of dilute magnetic alloys in the presence of external magnetic fields. J.Phys.Soc. Japan, 1975, v.38, p.129−136.151* Ootuka Y., Kondo J., Kobayashi S., Ikehata S., Sasaki W.
  90. Anomalous magnetoresistance in heavily antimony doped germanium. Solid State Commun., 1979″ v.30, p.169−172.
  91. Khosla R.P., Sladek R.T. Thermoelectrical power anomalyin n-type InSb at low temperatures. Phys.Rev.Lett., 1965, v.15, p.521−523.
  92. Hedgeook F.T., Mathur D.P. Low-temperature thermoelectricpower of heavily doped n-type germanium. Can. J, Phys., 1965, v. 43, p.2008−2020.
  93. Ионов A. H- К вопросу о природе аномального магнитосоцротив-ления в сильнолегированном германии р-типа. Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, с.76−79-
  94. А.Н. Проводимость и аномальное магнитосопротивлениеn-Ge в области перехода полупроводник-металл^ ФШ, 1980, т.14, с.1287−1292.
  95. Kawaguchi У., Kitahara Н., Kawaji S. Negative magnetoresis-tance in a two-dimensional impurity hand in cesiated p-Si (HI)surface inversion layers. Surface Sci. 1978, v.73, p.520−527- %
  96. Л.П., Ларкин А. И., Хмельницкий Д. Е. Проводимость частицы в двумерном случайном потенциале^ Письма в ЖЭТФ, 1979, т.ЗО- с.248−252.
  97. Hikami S., barkin А." Nagaoka J. Spin-orbit interaction and magnetoresistance in two dimensional random systems. -Progr. Theoret. Phys., 1980, v.63, p.707
  98. Ларкин А. И^ Магнитосопротивление двумерных систем. Письма в ЖЭТФ, 1980, T.3I, с.239−243.
  99. Kawabata A. Theory of negative magnetoresistance I. Application to heavily doped semiconductors J.Phys.Soc.Japan, 1980, v.49″ p.628−637.
  100. БД., Аронов А. Г., Ларкин А. И., Мельницкий Д. Е. Об аномальном магнитосопротивлении в полупроводниках'.3 -ЖЭТФ, 198 Г, т.81, с.768−783.
  101. Anderson Р.¥-., Abrahams Е. Ramakrishnan T.V. Possible explanation of NO linear conductivity in thin film metal wires. Phys.Rev.Lett., 1979, v.43, p.718−720.
  102. Rose-Innes А.С., Rhoderick Е.Н. Introduction to superconductivity. Pergamon Press, 1969.
  103. Русский перевод: Роуз-Инс А., Родерик Е. Введение в физику сверхпроводимости- М-:Иир, 1972, С. Г76.
  104. Вул Б.М., Заварицкая Э. И., Заварицкий Н. В. Туннельный эффект в диодах из арсенида галлия при низких температурах. ФТТ, 1966, т.8, с.888−893.
  105. Li Р. Ь", Paton В.Е. The influence of superconducting contacts on magnetoresistanoe measurements. J.Phys., 1977, v. E-10, p.1222−1224.
  106. Sugiama K. Magnetoresistanoe of uniaxially stressed germanium in impurity hand conduction region. J.Phys.Soc. Japan, 1967, v.22, p.109−117.
  107. B.C., Мирзабаев М. М., Рыжков B.B., Сандов A.C., Тучкевич B.Mw, Шмарцев Ю. В. Влияние упругой деформациина продольное и поперечное магнитосопротивление в германии П -типа". ФТП, 1968, т.2, сг.447−449.
  108. Altshuler B.L., Khmelnitskii D., barkin A.I., Lee Р.А. Magnetoresistance and Hall effect in a disordered two-dimensional electron gal. Phys.Rev., 1980, V. B22, p.5142−5143.
  109. Fukuyama H., Effects of interactions on non-metallic behaviours in two-dimensional disordered systems. J.Phys. Soc. Japan, 1980, v.48, p.2169−2170.179* Abrahams E., Anderson P.W., Lee P.A., Ramakrishnan T.V.
  110. Quasiparticle lifetime in disordered two-dimensional metals. Phys.Rev., 1981, V. B24, p.6783−6794.
  111. Lee P.A., Ramakrishnan T.V. Magnetoresistance of weakly disordered electrons. Phys.Rev., 1982, v. B26, p.4009−4012.
  112. Altshulter B.L., Aronov A.G., Zuzin A.Yu. Spin relaxation and interaction effects in the disordered conductors.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!