Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия

Диссертация: Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведена идентификация основных эмиссионных максимумов в спектрах излучения плазмы при травлении ваЛв. Проанализирована возможность контроля состава плазмы и кинетики травления ваАБ по излучению активных частиц и продуктов взаимодействия. Обнаружена линейная корреляция между скоростью травления и интенсивностью излучения резонансных линий ва 403.3 нм и 417.3 нм. Практическая ценность работы… Читать ещё >

Кинетические закономерности взаимодействия неравновесной низкотемпературной плазмы смесей HCl-Ar, HCl-Cl2 и HCl-H2 с арсенидом галлия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
    • 1. 1. Применение арсенида галлия в электронной технике
    • 1. 2. Особенности плазмохимического травления арсенида галлия, обзор плазменных смесей, применяемых для его травления
    • 1. 3. Обзор данных по травлению арсенида галлия в хлористом водороде, его преимущества по сравнению с хлором
    • 1. 4. Обзор данных по травлению арсенида галлия в смесях хлорсодержащих газов с инертными и молекулярными газами
    • 1. 5. Анализ влияния состава газовой смеси на скорость плазмохимического травления арсенида галлия

Актуальность работы. Арсенид галлия (ваАБ) является одним из наиболее востребованных материалов современной микрои наноэлектроники благодаря сочетанию большой ширины запрещенной зоны и высокой подвижности носителей заряда. На его основе создается широкий спектр высокочастотных быстродействующих приборов и фотоэлектронных устройств. Этот материал также является базой для квантовой наноэлектроники на основе гетеропереходов в системе АЮаАв.

Очевидно, что вышеуказанные применения требуют высокоточного размерного структурирования поверхности подложек, что достижимо использованием только1 методов плазменного травления. В этой области широко применяется неравновесная низкотемпературная плазма галогеноводородов (и, в частности, НС1). В сравнении с фреонами (СРХС1У), ВС13, СС14 и С12 плазма НС1 обеспечивает лучшие показатели чистоты, анизотропии, селективности и топологических характеристик процесса травления.

В технологии и литературе в последнее время большое внимание стали уделять бинарным газовым смесям. Используются как смеси активных газов друг с другом, так и их смеси с инертными (Не, Аг, Хе) и молекулярными (N2, 02, Н2) газами. Это обусловлено как достижением дополнительных технологических эффектов (стабилизация плазмы, снижение коррозии откачных средств, повышение экологической чистоты производства), так и появлением дополнительного канала контроля параметров плазмы за счет возможности варьирования начального состава смеси. В опубликованных работах отмечается, что Аг и Не в смесях с С12 оказываются не просто инертными разбавителями, но и заметно влияют на кинетику плазмохимических процессов через изменение электрофизических параметров плазмы. Подобные исследования для плазмы НС1 не проводились — отсутствует информация по механизмам физико-химических процессов, формирующих стационарные параметры и состав плазмы в смесях НС1 с инертными и молекулярными газами. Это затрудняет разработку и оптимизацию технологических процессов на основе таких систем.

Цель работы. Выявление кинетических закономерностей и анализ возможных механизмов взаимодействия неравновесной низкотемпературной газоразрядной плазмы смесей НС1-Аг, НС1-С12 и НС1-Н2 с арсенидом галлия. Работа выполнена по следующим направлениям:

1) Измерение электрофизических параметров плазмы (приведенная напряженность электрического поля, температура газа) в широком диапазоне внешних параметров разряда.

2) Модельный анализ влияния внешних параметров разряда на стационарный состав плазмы и плотности потоков нейтральных и заряженных частиц на обрабатываемую поверхность.

3) Установление взаимосвязей между задаваемыми параметрами плазмы (давление, ток разряда, начальный состав плазмообразующей смеси), скоростью травления и топологическими характеристиками обрабатываемой поверхности. Накопление данных по кинетическим характеристикам взаимодействия, анализ возможных механизмов травления.

4) Исследования спектров излучения плазмы в процессе травления. Установление взаимосвязей между интенсивностями излучения как активных частиц плазмы, так и продуктов травления с кинетическим характеристиками взаимодействия.

Научная новизна работы. При выполнении работы получены следующие новые результаты:

1) Проведен сравнительный анализ стационарных электрофизических параметров и состава плазмы смесей НС1-Аг, Н2, СЬ. Установлено, что разбавление НС1 аргоном и водородом сопровождается монотонным снижением плотности потока атомов хлора (Гсг), а в смеси НС1-С12 имеет место обратная ситуация. Показано также, что добавка аргона к 5.

НС1 вызывает рост плотности потока ионов (Г+), добавка С12 -снижение, а добавка Н2 не приводит к существенным изменениям этой величины.

2) Проведен сравнительный анализ кинетических закономерностей плазмохимического травления GaAs в плазме смесей НС1-Аг, Н2, С12. Найдено, что во всем исследованном диапазоне условий основными химически активными частицами являются атомы хлора. Показано, что при любом фиксированном составе смеси взаимодействие атомов хлора с GaAs протекает стационарно, по первому кинетическому порядку по их концентрации в газовой фазе.

3) Установлено, что в смесях НС1-Аг при 0−100% Аг и НС1-С12 при 0−70% С12 тенденции изменения эффективной вероятности взаимодействия (у) и величины Г+ являются противоположными. Причиной этого может быть изменение скорости ионно-стимулированной десорбции атомов хлора. Снижение величины у в смеси HCI-CI2 при [С12] > 70% предположительно связано с заполнением активных центров не реагирующими молекулами С12. Найдено, что в смеси НС1-Н2 имеет место резкое снижение величины у при Г+ «const. В условиях роста плотности потока атомов водорода, данный эффект может быть обусловлен конкуренцией процессов взаимодействия с поверхностью и рекомбинации атомов хлора.

4) Найдено, что во всех исследованных смесях температурные зависимости скоростей и вероятностей взаимодействия подчиняются закону Аррениуса. Эффективные энергии активации взаимодействия не зависят от начального состава смесей (8.8±0.4 кДж/моль в смеси НС1-Аг, 11.2±1.3 кДж/моль в смеси НС1-Н2 и 14.6±4.1 кДж/моль в смеси НС1-С12) и являются характерными для реакций, лимитируемых гетерогенными адсорбционно-десорбционными процессами.

5) Показано, что шероховатость обработанной в плазме поверхности.

GaAs коррелирует с величиной, обратной скорости взаимодействия. б.

Установлено, что технологически оптимальное сочетание скорости травления и шероховатости поверхности достигается в смеси НС1-Аг.

6) Проведена идентификация основных эмиссионных максимумов в спектрах излучения плазмы при травлении ваЛв. Проанализирована возможность контроля состава плазмы и кинетики травления ваАБ по излучению активных частиц и продуктов взаимодействия. Обнаружена линейная корреляция между скоростью травления и интенсивностью излучения резонансных линий ва 403.3 нм и 417.3 нм. Практическая ценность работы. Полученные результаты могут использоваться при разработке, автоматизации, оптимизации и моделировании процессов плазмохимического травления, а также при построении механизмов и теоретических моделей физико-химических процессов в неравновесной низкотемпературной плазме смесей хлороводорода с аргоном, хлором и водородом.

Личный вклад автора. Все основные экспериментальные результаты по кинетике взаимодействия плазмы смесей с арсенидом галлия и эмиссионной спектроскопии получены лично автором. Автор принимал непосредственное участие в обработке результатов и подготовке публикаций. Он также принимал участие в обсуждении результатов по диагностике и моделированию плазмы смесей.

Апробация работы и публикации. Основные положения, результаты и выводы диссертационной работы докладывались на Российской конференции «Современные методы диагностики плазмы и их применение для контроля веществ и окружающей среды» (Москва, 2010), I Всероссийской электронной научно-практической конференции-форуме молодых ученых и специалистов «Современная российская наука глазами молодых исследователей — 2011» (Красноярск, 2011), Всероссийской молодежной конференции «Успехи химической физики» (Черноголовка, 2011) и VI Международном симпозиуме по теоретической и прикладной плазмохимии (Зеленый городок, Ивановская область, 2011).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 9 работ, в том числе 3 статьи в рецензируемых журналах (2 статьи в журналах из Перечня, рекомендованного ВАК) и тезисы 6 докладов на конференциях различного уровня.

Структура и объём работы. Диссертационная работа состоит из введения, обзора литературы, методической части, обсуждения результатов, выводов и списка цитируемой литературы (90 наименований). Материалы работы изложены на 111 страницах рукописного машинного текста и включают 11 таблиц и 58 рисунков.

выводы.

1) При совместном использовании методов зондовой диагностики и математического моделирования получены данные по влиянию начального состава смесей НС1-Аг, Н2, С12 на стационарные электрофизические параметры плазмы и концентрации активных частиц. Установлено, что увеличение доли газа-добавки в смеси с НС1 приводит к монотонным изменениям плотностей потоков атомов хлора (снижение для НС1-Аг и НС1-Н2, рост для НС1-С12) и положительных ионов (рост для НС1-Аг, постоянство для НС1-Н2 и снижение для НС1-С12).

2) Во всем исследованном диапазоне параметров разряда и состава смесей основными химически активными частицами являются атомы хлора. Показано, что взаимодействие атомов хлора с ваАв протекает стационарно, по первому кинетическому порядку по их концентрации в газовой фазе. Установлено, что при любом фиксированном составе смесей и температуре обрабатываемого материала характер изменения скорости травления ваАБ при варьировании тока разряда и давления газа определяется поведением плотности потока атомов хлора на обрабатываемую поверхность.

3) Разбавление НС1 аргоном или водородом вызывает монотонное снижение скорости травления ваАБ. В смеси НС1-Аг противоположные тенденции изменения эффективной вероятности взаимодействия и величины и плотности потока ионов на поверхность могут быть связаны с изменением скорости ионно-стимулированной десорбции атомов хлора. В смеси НС1-Н2 имеет место резкое снижение вероятности взаимодействия при постоянстве плотности потока ионов. В условиях роста плотности потока атомов водорода, данный эффект может быть обусловлен изменением вкладов процессов взаимодействия с поверхностью и рекомбинации атомов хлора.

Разбавление НС1 хлором приводит к немонотонной зависимости скорости травления от начального состава смеси. Аналогичный немонотонный характер изменения вероятности взаимодействия может быть связан с заполнением активных центров не реагирующими молекулами С12. Показано также, что шероховатость обработанной в плазме поверхности ваАз коррелирует с величиной, обратной скорости взаимодействия.

4) Во всех исследованных смесях температурные зависимости скоростей и вероятностей взаимодействия подчиняются закону Аррениуса. Эффективные энергии активации взаимодействия не зависят от начального состава смесей (8.8±0.4 кДж/моль в смеси НС1-Аг, 11.2±1.3 кДж/моль в смеси НС1-Н2 и 14.6±4.1 кДж/моль в смеси НС1-С12) и являются характерными для реакций, лимитируемых гетерогенными адсорбционно-десорбционными процессами.

5) Идентифицированы основные эмиссионные максимумы в спектрах излучения плазмы при травлении ваАз. Обнаружена линейная корреляция между скоростью травления и интенсивностью излучения резонансных линий Оа 403.7 нм и 417.3 нм. Этот эффект может быть положен в основу спектрального контроля кинетики травления ваАв.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Айнспрука Н., Брауна Д. М.: Мир. — 1987. — 420 с.
  2. Baca, A.G. Fabrication of GaAs Devices / Albert G. Baka, Ashby Carol // UK: The Institution of Engineering and Technology. 2005. — 370 p.
  3. , JI.H. Технология материалов и изделий электронной техники: уч. пособие / Л. Н. Орликов // Томск: ТГУСУиР. 2006. — 364 с.
  4. , Д.В. Материаловедение для микро- и наноэлектроники / Д. В. Громов, А. А. Краснюк // М.: МИФИ. 2008. — 156 с.
  5. Термические константы веществ- под редакцией. В. П. Глушко. М.: 1971.-Вып. 5.-530 с.
  6. Susa, N. Comparison of GaAs, tungsten and photoresist etch rates and GaAs surfaces RIE with CF4, CF4 + N2, SF6 + N2 mixtures / N. Susa // J. Electro-chem. Soc. 1985. -V. 132. — № 11. — P. 2762−2767.
  7. Peterson, S.J. High density, low temperature dry etching in GaAs and InP device technology / S. J. Peterson, C.R. Abernalty, F. Ren // J. Vac. Sci. Technol. 1995. — V. 13.-№ 3.-P. 849−852.
  8. Shul, R.J. High rate reactive ion etch and electron cyclotron resonance / R. J. Shul, M. L. Lovejoy, J.C. Word, A. J. Howard, D. J. Rieger and S.H. Kravitz // J. Vac. Sci. Technol. 1997. -V. 15. — № 3. — P. 657 — 664.
  9. Gerhard, F. High-rate etching of GaAs in chlorine atmosphere doped with a Lewis acid / F. Gerhard // J. Vac. Sci. Technol. 1998. — V. 16. — № 3. — P. 1542−1546.
  10. Gerhard, F. Analysis of chlorine-containing plasmas applied in III/V semiconductor processing / F. Gerhard, A. Kelp, P. Messerer // J. Vac. Sci. Technol. 2000. — V. 18. — № 5. — P. 2053 — 2061.
  11. McLane, G.F. Magnetron reactive ion etching of GaAs in a BC13 discharge / G.F. McLane, M. Meyyappan, H.S. Lee, M.W. Cole and etc // J. Vac. Sci. Technol. 1993. — V. 11. — № 2. — P. 333 — 336.
  12. Hays, D.C. High selectivity Inductively Coupled Plasma etching of GaAs over InGaP / D.C. Hays, H. Cho, J.W. Lee and etc // App. Surface Sei. -2000.-№ 156.-P. 76−84.
  13. Maeda, T. Inductively coupled plasma etching of III V semiconductors in BCl3-based chemistries. Part I. GaAs, GaN, GaP, GaSb and AlGaAs// T. Maeda, J.W. Lee, R.J. Shul and etc // App. Surface Sei. — 1999. — № 143. -P. 174−182.
  14. Pearton, S.J. Reactive ion etching of GaAs, AlGaAs and GaSb in Cl2 and SiCl4 / S.J. Pearton, U.K. Chakrabarti, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Sei. Technol. 1990. — V. 8. — № 4. — P. 607 — 617.
  15. Meyyappan, M. Magnetron etching of GaAs: Etch characteristics and surface characterization / M. Meyyappan, G.F. McLane, M.W. Cole, R. Laraeu and etc // J. Vac. Sei Technol 1992. — V. 10. — № 4. — P. 1147 -1151.
  16. Murad, S.K. Very low damage etching of GaAs / Murad S.K., C.D.W. Wikinson, P.D. Wang, W. Parkes, C.M. Sotomayor-Torres // J. Vac. Sei. Technol. 1993. — V. 11. — № 6. -P. 2237 — 2243.
  17. Smolinsky, G. Time-dependence etching of GaAs and InP with CCI4 and HCl plasmas: electrode material and oxidant addition effects / G. Smolinsky, R.A. Gottscho, M. Abys // J. Appl. Phis. 1983. — V. 54. — № 6. — P. 35 183 523.
  18. Donelly, V.M. Temperature dependence of GaAs etching in a chlorine plasma / V.M. Donelly, D.L. Flamm, C.W. Tu, D.E. Ibbotson // J. Electro-hem. Soc. 1982. -V. 129. -№.1. p. 2533−2537.
  19. Law, V.J. Investigation of modulated radio frequency plasma etching o GaAs using Langmur probes / V.J. Law, N.St.J. Braithwaite, S.G. Ingram, D.C. Clary, G.A.C. Jones // J. Vac. Sei. Technol. 1994. — V. 12. — № 6. -P. 3337−3339.
  20. McLane, G.F. Magnetron enhanced reactive ion etching of GaAs in СН4/Н2АГ / G.F. McLane, W.R. Buchwald, L. Casas, M.W. Cole // J. Vac. Sci. Technol. 1994. — V. 10.-P. 1356- 1359.
  21. Pearton, S.J. High microwave power electron cyclotron resonance etching of III V semiconductors in CH4H2Ar / S.J. Peatron, J.W. Lee, E.S. Lambers and etc // J. Vac. Sci. Technol. — 1996. — V. 14. — № 1. — P. 118 — 125.
  22. Ко, K.K. Surface Damage on GaAs Etched Using a Multipolar Electron Cyclotron Resonance Source / K.K. Ко, S.W. Pang // J. Electrochem. Soc. -1994.-V. 141-P. 255−258.
  23. Pang, S.W. Comparison between etching in Cl2 and BC13 for compound semiconductors using a multipolar electron cyclotron resonance source / S.W. Pang, K.K. Ко // J. Vac. Sci. Technol. B. 1992. — V. 10 — P. 2703 -2708.
  24. Pearton, S.J. Dry processed, through-wafer via holes for GaAs power devices / S.J. Pearton, F. Ren, A. Katz, J.R. Lothian, T.R. Fullowan, B. Tseng//! Vac. Sci. Technol. B.-1993.-V. 11.-P. 152−158.
  25. Pearton, S.J. Dry etching characteristics of III-V semiconductors in microwave BC13 discharges / S.J. Pearton, W.S. Hobson, C.R. Abernathy, F. Ren, T.R. Fullowan, B. Tseng // Plasma Chem. Plasma Process. 1993. — V. 13. -P. 311 -315.
  26. Pearton, S.J. Surface Damage on GaAs Etched Using a Multipolar Electron Cyclotron Resonance Source / S.J. Pearton, C.R. Abernathy, R.F. Kopf, F. Ren// J. Electrochem. Soc. 1994. — V. 141. -P. 2250 -2256.
  27. Shul, R.J. High density plasma etching of compound semiconductors / R.J. Shul, G.B. McClellan, R.D. Briggs, D.J. Rieger, S.J. Pearton, C.R. Abernathy, J.W. Lee, C. Constantine, C. Barratt // J. Vac. Sci.Technol. A (USA). 1997. — V. 15. — P. 633 — 637.
  28. Constantine, C. Plasma etching of III-V semiconductors in CH4/H2/Ar electron cyclotron resonance discharges / C. Constantine, D. Johnson, S.J.
  29. Pearton, U.K. Chakrabarti, A.B. Emerson, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Sci. Technol. B. 1990. — V. 8. — P.596 — 605.
  30. Law, V.J. Alkane based plasma etching of GaAs / V.J. Law, M. Tewordt, S.G. Ingram, G.A.C. Jones // J. Vac. Sci. Technol. B. 1991. — V. 9. — P. 1449- 1456.
  31. Chaochin, Su. Identification of the volatile reaction products of the Cl2 +GaAs etching reaction / Su Chaochin, Hui-qui Hou, Gang Ho Lee, Zi-Guo Dai, Weiang Luo, Matthew F. Vernon, Brain E. Bent // J. Vac. Technol. -1993.-V. 11. -№ 4. P. 1222−1241.
  32. Tunez, F. M. Thermogravimetric study of GaAs chlorination between -30 and 900 °C / M. Fernando, Jorge A. Gonzales, Maria del C. Ruiz // Thermochimia Act. 2011. — № 523. — P. 124 — 136.
  33. Howard, R.E. Reactive ion etching of GaAs in chlorine plasma / R.E. Howard // J. Vac. Sci. Technol. 1984 — V. 2. — № 1. — P. 85 — 88.
  34. Senga, T. Chemical dry etching mechanism of GaAs surface by HC1 and Cl2 / T. Senga, Y. Matsumi, M. Kawasaki // J. Vac. Sci. Technol. 1996. — V. 14. -№ 5. — P. 3230−3238.
  35. Hu, D.G. Chlorine and HC1 radical beam ion etching of III V semiconductors / David G. Hu, Lishan and Evelin L. Hu // J. Vac. Sci. Technol. — 1990. -V. 8. -№ 6. -P. 1951 — 1955.
  36. Ibbotson, D.E. Plasma and gaseous etching of compounds of groups III-V // Pure Appl.Chem. 1988. — V. 60. — № 5. — P. 703−708.
  37. , A.B. Кинетика и механизмы плазмохимического травления GaAs в хлоре и хлороводороде / А. В. Дунаев, С. А. Пивоваренок, С. П. Капинос, О. А. Семенова, A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Физика и химия обработки материалов. 2010. — № 6. — С. 42 — 46.
  38. Pearton, S.J. Reactive ion etching of GaAs, AlGaAs and GaSb in Cl2 and SiCU / S.J. Pearton, U.K. Chakrabarti, W.S. Hobson, A.P. Kinsella // J. Vac. Technol. 1990. — V. 6. — № 4. — P. 607 — 617.
  39. Yoshikawa, Т. Smooth etching of III / V and II / IV semiconductors by СЬ reactive ion beam etching / T. Yoshikawa, Y. Sugimoto, Y. Sakata, T. Takeunchi, M. Yamamoto, H. Hotta, S. Kohmoto // J. Vac. Sei. Technol.1996.-V. 14. -№ 3. P. 1764−1772.
  40. Burton, R.H. CCI4 and Cl2 plasma etching of III-V semiconductors and role of added 02 / R.H. Burton, G. Smolinsky // J. Electro-hem. Soc. 1982. -V. 129. — №. 7. — P. 1599 — 1604.
  41. Semura, S. Hydrogen mixing effects on reactive ion etching of GaAs in chlorine containing gases / Shigeru S., Hiroshi S. //J. Vac. Sei. Technol. -1984. V. 2. — № 2. — P. 474 — 476.
  42. Kahaian, D.J. In situ monitoring of GaAs etched with a Cl2/Ar discharge in an electron cyclotron resonance source / D.J. Kahaian, S. Thomas III, S.W. Pang // J. Vac. Sei. Tehnol. 1995. — V. 13. — № 2. — P. 253 — 257.
  43. Shul, R.J. High Density plasma etching of compound semiconductors / R.J. Shul, G.B. McCleallan, R.D. Briggs, D.J. Rieger // J. Vac. Sei. Technol.1997. V. 15. — № 3. — P. 633 — 637.
  44. Semura, S. Reactive ion etching of GaAs in CC14/H2 and CCl4/02 / S. Semura, H. Saitoh, K. Asakawa // J. Vac. Sei. Technol. 1984. — V. 55. -№ 8.-P. 3181−3185.
  45. Vodjdani, N. Reactive ion etching of GaAs with hight aspect ratios with Cl2-CH4-H2- Ar mixtures / N. Vodjdani, P. Parrens // J. Vac. Sei. Technol -1987. V. 5 — № 6. — P. 1591−1598.
  46. , A.M. Параметры плазмы и травление материалов в смесях хлора с инертными и молекулярными газами / A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Материалы 9 Школы по плазмохимии для молодых ученых России и стран СНГ. Иваново, 1999. — С. 89 — 101.
  47. Tomas, S. Monitoring InP and GaAs etched in Cl2/ Ar using optical emission spectroscopy and mass spectrometry / K.K. Ко, S.W. Pang // J. Vac. Sei. Technol. 1995. — V. 13. — № 3. — P. 894 — 899.
  48. Shul, R.J. Temperature dependent electron cyclotron resonance etching of InP, GaP, and GaAs / R.J. Shul, A.J. Howard, C.B. Vartuali, P.A. Barnes, W. Seng // J. Vac. Sci. Technol. 1996. — V. 14. — № 3. — P. 1102 — 1106.
  49. Hahn, Y.B. Effect of inert gas additive specoes on Cl2 high density plasma etching of compound semiconductors. Part I / Y.B. Hahn, D.C. Hays, H. Cho, K.B. Jung, C.R. Abernathy, S.J. Pearton, R.J. Shul // App. Surf. Sci. 1999. — № 147. — P. 207 — 214.
  50. Yoon, S.F. Optimization of GaAs ECR etching in chemically assisted ion beam process using Cl2 / Ar plasma / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Materials Science in Semiconductor Processing. 2000. — № 3. — P. 207 -213.
  51. Chen, Y. W. Dry via hole etching of GaAs using high-density Cl2/Ar plasma // Y.W. Chen, B. S. Ooi, G. I. Ng, K. Radhakrishnan, and C. L. Tan // J. Vac. Sci. -2000. -V. 18. -№ 5. P. 2509−2512.
  52. Yoon, S.F. Study of GaAs and GalnP etching in Cl2/Ar electron cyclotron resonance plasma / S.F. Yoon, Т.К. Ng, H.Q. Zheng // Thin Solid Films. -2001.-№ 394.-P. 250−255.
  53. Sitanov, D.V. Dissosiation of Chlorine molecules in a Glow Discharge plasma in Mixtures with Argon, Oxygen, Nitrogen / D.V. Sitanov, A.M. Efremov, V.I. Svettsov // High Energy Chemistry. 1998. — V. 32. — № 2. -P. 148−151.
  54. Franklin, R. N. Electronegative plasmas diluted by rare gases / R. N. Franklin // J. Phys. D: Appl. Phys. 2003. — № 36. — P. 2655−2659.
  55. , A.M. О механизмах влияния аргона на скорость плазмохимического травления металлов и полупроводников в плазме хлора / A.M. Ефремов, А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // ХВЭ. -1993. Т. 27. — № 1. — С. 88−91.
  56. Suzuki, К. Light emission from chlorine atoms formed in the dissociative excitation of HCI in a flowing afterglow of discharged argon / K. Suzuki, J. Nishiyama// Chem. Phys. Lett. 1990. -№ 58. — P. 145 — 148.
  57. Fuller, A. Optical actinometry of Cl2, CI, C1+ and Ar+ densities in inductively coupled C12-Ar plasmas / Fuller, Herman, Donnelly // J. Appl. Phys. 2001. — V. 90. — № 7. — P. 3182 — 3191.
  58. Eddy, C.R. Characterization of Cl2/Ar high density plasmas for semiconductor etching / C.R. Eddy, Jr. D. Leonhardt, S.R. Douglass, B.D. Thoms, V.A. Shamamian, and J.E. Butler // J. Vac. Sci. Technol. A. 1999. -V. 17. -№ 1. — P. 38−51.
  59. , Ю.В. Чистые химические вещества / Ю. В. Корякин, И. И. Ангелов. -М.: Химия, 1974.-408 с.
  60. , А.И. Измерение температуры газа в тлеющем разряде термопарным методом / А. И. Максимов, А. Ф. Сергиенко, Д. И. Словецкий // Физика плазмы. 1978. — Т. 4. — № 2. — С. 347−351.
  61. , Г. Н. Газоразрядные источники света / Г. Н. Рохлин. Изд.2, -М.-Л.: Энергия. 1991,-720 с.
  62. , Ю.А. Методы контактной диагностики в неравновесной плазмохимии / Ю. А. Иванов, Ю. А. Лебедев, Л. С. Полак. М.: Наука, 1981.- 142 с.
  63. Lochte-Holtgreven, W. Plasma Diagnostics / W. Lochte-Holtgreven- AIP Press. New York, 1995. — 928 p.
  64. Lide, D.R. Handbook of Chemistry and Physics / D.R. Lide- CRC Press, New York, 1998−1999. 940 p.
  65. , А.П. Физические величины: справочное издание / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский- под ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.
  66. Таблицы физических величин. Справочник / под ред. И. К. Кикоина. -М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
  67. Efremov, A.M. A comparative study of plasma parameters and gas phase compositions in Cl2 and HC1 direct current glow discharges / A.M. Efremov, V.I. Svettsov, D. V. Sitanov, D.I. Balashov // Thin Solid Films. 2008. — V. 516.-P. 3020−3027.
  68. Lee, С. Global model of Ar, 02, Cl2, and Ar/02 high-density plasma discharges / C. Lee, M.A. Lieberman // J. Vac. Sci. Technol. A 1995. — V. 13.-P. 368−372.
  69. Chantry, P.J. A simple formula for diffusion calculations involving wall reflection and low density / P.J. Chantry // J. Appl. Phys. 1987. — V. 62. -P. 1141.
  70. Seebocka, R. Surface modification of polyimide using dielectric barrier discharge treatment // R. Seebocka, H. Esroma, M. Charbonnierb, M. Romandb, U. Kogelschatzc // Surface and Coatings Technology, 2001. -V. 142−144.-P. 455−459.
  71. Roosmalen, A.J. Dry etching for VLSI / A.J. Roosmalen, J.A.G. Baggerman, S.J.H. Brader// Plenum Press. New-York, 1991. — P. 450.
  72. , A.M. Параметры плазмы и кинетика образования и гибели активных частиц в разряде в хлоре / A.M. Ефремов, В. И. Светцов, Д. В. Ситанов // ТВТ. 2008. — Т. 46. — № 1 — С. 1−8.
  73. Efremov, A.M. Plasma parameters and chemical kinetic in an HC1 DC glow discharge / A.M. Efremov, G.H. Kim, D.I. Balashov, C.I. Kim // Vacuum. -2006.-V. 81.-P. 244−250.
  74. , A.M. Кинетика и механизмы плазмохимического травления меди в хлоре и хлороводороде / A.M. Ефремов, С. А. Пивоваренок, В. И. Светцов // Микроэлектроника. 2007. — Т. 36. — № 6. — С. 409 — 417.
  75. Efremov, A.M. Plasma parameters and etching mechanisms of metals and semiconductors in hydrogen chloride / A.M. Efremov, S.A. Pivovarenok, V.I. Svettsov// Russian Microelectronics. 2009. — V. 38. — P. 147 — 159.
  76. Efremov, A.M. Kinetics and Mechanisms of Cl2 or HC1 Plasma Etching of Copper / M. Efremov, S. A. Pivovarenok, and V. I. Svettsov // Russian Microelectronics. 2007. — V. 36. — № 6. -P. 358 — 365.
  77. , A.M. Параметры плазмы HC1 и HBr в условиях тлеющего разряда постоянного тока / A.M. Ефремов, А. А. Смирнов, В. И. Светцов // Химия высоких энергий. 2010. — Т. 44. — № 3. — С. 277−281.
  78. Efremov, A.M. The Parameters of Plasma and the Kinetics of Generation and Loss of Active Particles under Conditions of Discharge in HC1 / A.M. Efremov, V.I. Svetsov // High Temperature. 2006. — V. 44. — № 2. — P. 189−198.
  79. , А.П. Механизмы образования и разрушения активных частиц в галогенной плазме / А. П. Куприяновская, В. И. Светцов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1983. — Т. 26. — № 12. — С. 1440.
  80. , A.M. Электрофизические параметры плазмы тлеющего разряда постоянного тока в смеси HCl/Ar / A.M. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Изв. Вузов. Химия и хим. технология. 2011. — Т. 54. № 3. — С. 15−18.
  81. , A.M. Кинетика атомно-молекулярных реакций и концентрации нейтральных частиц в плазме НС1 и его смесей с хлором и водородом / A.M. Ефремов, А. В. Юдина, В. И. Светцов // Микроэлектроника. 2011. — Т. 54. — № 3. — С. 15 — 18.
  82. , Д.И. Потоки УФ квантов на поверхность в условиях плазмохимического травления в хлоре/ Д. И. Балашов, Ю. В. Кириллов // Химия высоких энергий. 1998. — Т. 32. — № 4. — С. 346 — 348.
  83. , А.Д. Физическая химия: Учебник для вузов / А. Д. Зимон // М.: Агар. 2003. — 320 с.
  84. Scherer, A. Gallium arsenide reactive ion etching in boron trichloride/argon mixture / A. Scherer, H.G. Craighead, E.D. Beebe // J. Vac. Sci. Technol. -1987.-V. 5. -№ 6. P. 1599.
  85. , A.M. Плазмохимическое травление арсенида галлия в хлоре / A.M. Ефремов, H.JI. Овчинников, В. И. Светцов // ФХОМ. 1997. -№ 1. -С. 47−51.
  86. , С.А. Электрофизические параметры и эмиссионные спектры плазмы тлеющего разряда в хлористом водороде / А. С. Пивоваренок, А. В. Дунаев, Д. Б. Мурин, A.M. Ефремов, В. И. Светцов. //
  87. Изв. ВУЗов: Хим. и хим. технология. 2011. — Т. 54. — № 3. — С. 48 -52.
  88. , И.Н. Кинетические характеристики образования и гибели атомов водорода в положительном столбе тлеющего разряда в Н2 / И. Н. Бровикова, Э. Г. Галиаскаров, В. В. Рыбкин, А. Б. Бессараб // ТВТ. -1998.-Т. 35.-С. 706.
  89. , Н.М. Оптическое излучение и ионизация атомов водорода при гетерогенных экзотермических реакциях в электрическом поле / Н. М. Блашенков, Г. Я. Лаврентьев // Журнал технической физики. -2009. Т. 79. — № 9. — С. 125 — 128.
  90. , Г. Н. Оптические спектры бинарных смесей инертных газов / Г. Н. Герасимов // Успехи физически наук. 2004. — Т. 174. — № 2. — С. 155- 175.
  91. , Д.И. Гетерогенные реакции в неравновесной низкотемпературной плазме / Д. И. Словецкий // Химия плазмы. 1989. -Вып. 15.-С. 208−266.
  92. , С.П. Спектральный контроль процесса травления арсенида галлия в плазме хлороводорода / С. П. Капинос, A.B. Дунаев, С. А. Пивоваренок, A.M. Ефремов, В. И. Светцов // Нанотехника. 2012. — № 1 (29).-С. 93−95.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!