Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование)
Диссертация
Цель настоящей работы заключалась в следующем. С помощью разработанных нами компьютерных моделей установить взаимосвязь между характеристиками диффузионных перемещений отдельных атомов и преобразованиями микрорельефа поверхностных слоев, растущих на кристаллической подложке, в широком диапазоне параметров атомной диффузии, исходного рельефа подложки и технологических условий. Выяснить ключевые… Читать ещё >
Список литературы
- Growth and properties of ultrathin epitaxial layers. Edited by D.A.King,
- D.P.Woodruff, //The chemical physics of solid surfaces, V.8 Elsevier 1997, 682 p.
- К.Биндер, Методы Монте Карло в статистической физике //М. Наука, 1982,400с.
- W.Kossel, //Naturwissenschaften 1930 V.18 Р.901- W. Kossel, //Nachr.Gesell.
- Wissen. Goettingen//Math. Phys. Klasse 1927, 135 P. Цитируется: G.Ehrlich. Atomic events at lattice steps and clusters: a direct view of crystal growth processes //Surf.Sci. 1995, V.331−333, P.865−877.
- ХуангК. Статистическая механика //M. Мир, 1966, 432 с.
- G.H.Gilmer, P. Bennema, Simulaton of Crystal Growth with Surface Diffusion. //
- J.Appl Phys. 1972, V.43, P.1347−1360
- R.L.Schwoebel, EJ. Shipsey, Step motion on crystal surfaces //J.Appl.Phys. 1966, v.37, p. 3682−3686.
- J.A Venables, Atomic processes in crystal growth. //Surf.Sci 1994, 299/300 P.798 817.
- С.А.Кукушкин, В. В. Слезов, Дисперсные системы на поверхности твердых тел: механизмы образования тонких пленок (эволюционный подход). //Наука 1996,310 с.
- В.И.Трофимов, В. А. Осадченко, Рост и морфология тонких пленок //М,
- Энергоатомиздат, 1993, 272 с.
- Т Shitara, D.D.Vvedensky, M.R.Wilby, J. Zhang, J.H.Neave, B.A.Joyce Step-densityvariations and reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during epitaxial growth on vicinal GaAs (OOl). //Phys.Rev.B, 1992, V.46, P.6815−6824
- J.N.Neave, H. A Joyce, P, J, Dobson and N.Norton. Dynamics of film growth of GaAsby MBE from Rheed observation. // Appl.Phys. 1983, V. A31, P. 1 -7.
- A.I. Nikiforov, V.A. Markov, V.A. Cherepanov, O.P. Pchelyakov. The influence ofgrowth temperature on the period of RHEED oscillations during MBE of Si and Ge on Si (lll) surface. //Thin Solid Films, 1998, V.336, P.183−187.
- B.Voigtlander, A. Zinner, T. Weber, H.P.Bonzel, Modification of growth kinetics insurfactant-mediated epitaxy. // Phys.Rev.B, 1995, Vol. 51, No. 12, P. 7583−7591.
- A.A.Shklyaev, M. Shibata, M.Ichikawa. Ge islands on Si (l 11) at coverages near thetransition from two-dimensional to three-dimensional growth. // Surf.Sci. 1998, V.416, P. 192−199
- Y.Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizava, Sublimation of a heavily boron-dopped
- Si (lll) surface. //Phys.Rev.B Phys.Rev.B 1998, V.58 P.13 146−1315
- Yasumatsu Y., Ito Т., Nishizawa H., Hiraki A. Ultrathin Si films grown epitaxiallyon porous silicon. // Appl.Surf.Sci. 1991. V.48/49. P.414−418
- Romanov S.I., Mashanov V.I., Sokolov L.V., Gutakovski A., Pchelyakov O.P. GeSifilms with reduced dislocation density grown by molecular-beam epitaxy on compliant substrates based on porous silicon. // Appl.Phys.Lett., 1999. V.75. P.4118−4120
- Бакланов M.P., Кручинин B.H., Репинский C.M., Шкляев А. А., Критическиеусловия при взаимодействии закиси азота с поверхностью кремния при низких давлениях. //Поверхность. Физика, химия, механика, 1986. № 10 С.79−86.
- Алиев В.Ш., Бакланов М. Р. Энергетические и угловые зависимости химического распыления кремния в дифториде ксенона. //Поверхность. Физика, химия, механика. 1991, Том 2, С.96−102
- Ермаков С.М. Метод Монте-Карло и смежные вопросы //Наука М.1971, 328с.
- Ермаков С.М., Михайлов Г. А. Статистическое моделирование //М. Наука, 1982, 296 с.
- Metropolis N., Rosenbluth A.W., Rosenbluth M.N., Teller A.H., Teller E. Statistic
- Modeling. //J.Chem.Phys. 1953, V.21, P. 1087−1098
- Ч.Киттель, Статистическая термодинамика, М. «Наука», 1977, 336 с.
- А.З.Паташинский, В. Л. Покровский, Флуктуационная теория фазовых переходов //М. Наука, 1982,381с.
- Я.Г.Синай, Теория фазовых переходов. Строгие результаты //М. Наука, 1980,207с.
- Makoto Ito, Takahisa Ohno Atomic-scale Monte Carlo study of step growth modeson GaAs (001)-(2×4). //Phys.Rev.B 2001, V.63, P.125 301 (1−11).
- Heyn Ch., Franke Т., Anton R., Harsdorf M. Correlation between island-formationkinetics, surfaces roughening, and RHHED oscillation dumping during GaAs homoepitaxy //Phys.Rev.B, 1997−11, v.56, № 20, p.13 483−13 488
- Бартон В. Кабрера H. Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура ихповерхности. //Элементарные процессы роста кристаллов. М. ИЛ 1959. С.11−109.
- Л.Н.Александров, Монте Карло моделирование процессов роста //Новосибирск, Наука, 1994 156 стр.
- Д.Кнут, Искусство программирования, т.2 //М. МИР 1977 г. 725стр.
- G.Ehrlich. Atomic events at lattice steps and clusters: a direct view of crystal growthprocesses //Surf.Sci. 1995, V.331−333, P.865−877
- C.Roland, G.H.Gilmer, Epitaxy on surfases vicinal to Si (100). I. Diffusion of siliconadatoms over the terraces. //Phys.Rev.B., 1992, Vol. 46, No. 20, P. 13 428 13 436
- В.П.Жданов, Элементарные физико-химические процессы на поверхности.
- Новосибирск, «Наука», 1988, 320с.
- D.A.Reed, G. Ehrlich, Surface diffusion atomic jump rates and thermodynamics
- Surf.Sci. 1981, V.105, N2, P.603−628.
- M.I.Larsson, G.V.Hansson. Initial stages of Si molecular beam epitaxy on Si (lll)studied with reflection high-energy electron diffraction intensity measurements and Monte Carlo simulations // Surf.Sci.Lett., 1994, V. 321, No. 3, P.1261−1266.
- А.А.Чернов, Е. И. Гиваргизов, Х. С. Багдасаров, В. А. Кузнецов, Л. Н. Демьянец,
- А.Н.Лобачев Современная кристаллография, т.З. Образование кристаллов //. «Наука» М 1980.408 стр.
- C.Alfonso, J.C.Heyaud, J.J.Metois About the sublimation of Si Surfaces vicinal of111. // Surf.Sci.Lett. 291(1993) L745-L749
- A.V.Latyshev, A.B.Krasilnikov, A.L.Aseev, In situ reflection electron microscopeobservation of two-dimentional nucleation on Si (l 11) during epitaxial growth. //Thin solid films, 1996, V. 281−282, P. 20−23.
- К.Хогарта, М. МИР, 1968, с. 350.
- P.J.Bedrossian, R.D.Meade, K. Mortensen, D.M.Chen, J.A.Golovchenko, D.Vanderbilt. Surface Doping and Stabilization of Si (lll) with Boron. //Phys.Rev.Lett., 1989, V.63, No. 12, P. 1257−1260
- W.S.Verwoerd, V. Nolting, P. Badziag, Adatom-based (2x2n) reconstruction on
- Ge (l 11). //Surf.Sci., 1991, V.241, P.135−145
- B.Voigtlander, M. Kastner, P. Smilauer, Magic Islands in Si/Si (lll) Homoepitaxy.
- Phys.Rev.Lett., 1998, V.81, No.4, P.858−861
- J.D.Torre, M.D.Rouhani, R. Malek, D. Esteve, G. Landa Beyond the solid on solidmodel: An atomic dislocation formation mechanism //J.Appl.Phys. 1998, V.84 P.5487−5494.
- Гегузин Я.Е., Кагановский Ю. С. Диффузионные процессы на поверхностикристалла /ПЛ., Энергоатомиздат, 1984
- Савенко В.Н., Насимов Д. А., Латышев А. В., Асеев А. Л. Упорядочениенанокластеров золота на поверхности кремния. //Изв. РАН, Сер. физ., 2001, Т. 65, С. 171−175
- T.T.Tsong Atomic, molecular and cluster dynamics on flat and stepped surfaces.
- Progress in Surf.Sci., 2000, V. 64, P. 199−209
- I.-S.Hwang, Mon-Su Ho, T.T.Tsong Dynamic Behavior of Si Magic Clasters on
- Si (l 11) Surfaces. //Phys.Rev.Lett., 1999, V. 83, No. 1, P. 120−123
- H.J.W.Zandvliet, T.M.Galea, E. Zoethout, B. Poelsema, Diffusion Driven Motion of
- Surface Atoms: Ge on Ge (001) //Phys.Rev.Lett., 2000, V. 84, No. 7, P. 1523−1526
- R.van Gastel, E. Somfai, S.B.van Albada, W. van Saarloos J.W.M.Frenken. Nothing
- Moves a Surface: Vacancy Mediated Surface Diffusion. //Phys.Rev.Lett., 2001, V.86, No. 8, P. 1562−1565
- Itoh M. Kinetic Monte Carlo study of step asymmetry and stable step orientations on
- GaAs (OOl). //Phys. Rev. B, 2001, V. 64, P. 45 301−1-6.
- B.Voighlender, A. Zinner, T. Weber, H.P.Bonzel, Modification of growth kinetics insurfactant-mediated epitaxy //Phys.Rev.B., 1996, V.61, P.7683−7691
- T.Sato, S. Kitamura, M. Iwatsuki Initial adsorbtion process of Si atoms on an
- Si (lll)7X7surface studied by scanning tunneling microscopy. //Surf.Sci. 2000, V.445, P. 130−137.
- Bert Voigtlander, Fundamental processes in Si/Si and Ge/Si epitaxy studied byscanning tunneling microscopy during growth. //Surf.Sc.Reports 2001 V.43, P. 127−254
- Y.Homma, H. Hibino, T. Ogino, N.Aizawa. Sublimation of a hevily boron-dopped
- Si (l 11) surface. //Phys.Rev.B 1997−11, 55, R10237- R10241
- Q.-M.Zhang, C. Roland, P. Boguslavski, J.Bernholc. «Ab initio» studies of thediffusion barries at single-height Si (100) steps //Phys.Rev.Lett., 1995, V.75, No. l, P.101−104
- Sakir Erkoc, Empirical many-body potential energy functions used in computersimulations of condenced matter properties. //Physics Reports, V.278 1997, P.79−105
- J.Tersoff, New empirical approach for the structure and energy of covalent systems.
- Phys.Rev.B. 1988, V.37, No.21, P.6991−7000
- D.J.Chadi, Stabilities of Single-Layer and Bilayer Steps on Si (001) Surfaces.
- Phys.Rev.Lett., 1987, V.59, No.15, P.1691−1694
- С.М.Репинский, Г. В. Гадияк, Ю. Н. Мороков, А. С. Кушкова, Расчет атомнойперестройки грани германия (100). //ЖЭТФ, 1981, Вып. 9, С. 1838−1839
- E.Kaxiras, Surface-reconstruction-induced geometries of Si clusters. //Phys. Rev. B, 1997-И, V. 56, P. 13 455−13 463
- T.Kato, Y. Saigo, M. Uchibe, H. Tochihara, W.Shimada. Cell model of Si (l 11)7x7structure. //Surf.Sci. 1998, V.416, P. 12−120.
- V.M.Burlakov, G.A.D.Briggs, A.P.Sutton, Y. Tsukahara, Monte Carlo Simulation of
- Growth of Porous SiOx by Vapor Deposition. //Phys.Rev.Let. 2001, V.86, N 14, P.3052−305
- A.Natori, M. Baba, N.Maruyama. Micro-cluster kinetics on surfaces: a Monte Carlosimulation with waiting time// Surf.Sci. 1990, V.233, P.392−398
- Gilmer J.H. Computer models of crystal growth //Science, 1980, V.208, No.4442,
- P.355−363- Перевод: Дж. Гилмер Машинные модели роста кристаллов //УФН, 1981, Т.135, В.2, С.317−335
- Л.Н.Александров, Р. В. Бочкова, А. Н. Коган, Н. П. Тихонова, Моделированиероста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло //Новисибирск, Наука, 1991 257 с.
- P.Meakin, Claster growth process on a two-dimensional lattice //Phys.Rev.B, 1983,1. V.28, No 12, P.6718−6732
- A.Sadiq, K. Binder, Diffusion of absorbed atoms in ordered and disorderedmonolayers at surfaces. //Surf.Sci. 1983, V.128, P.350−382
- Brune H., Bales G.S., Jacobsen J., Boragno C., Kern K. Measuring surface diffusionfrom nucleation islands densities. // Phys.Rev. B. 1999. V.60. N 8. P.5991−6006
- J.Krug, P. Politi, Th. Michely, Island nucleation in the presence of step-edge barriers:
- Theory and applications. // Phys.Rev.B. 2000, V.61, No.20, P.14 037−14 046
- J.H.Neave, P.J.Dobson, B.A.Joyce, Reflecting high-energy electron diffractionoscillation from vicinal surfaces a new approach to surface diffusion measurements //Appl.Phys.Lett. 1985, V.47, P. 100−102
- S.A.Barnet, A. Rocket, Monte Carlo simulations of Si (001) growth and reconstruction during molecular beam epitaxy //Surf.Sci. 1988, V.198, P.133−150
- Sh.Clarke, D.D.Vvedensky Growth mechanism for molecular-beam epitaxy ofgroup-IV semiconductors //Phys.Rev.B, 1988−1, V.37, No. l 1, P.6559−6562
- Sh.Clark, D.D.Vvedenski Influence of surface morphology upon recovery kineticsduring interrupted epitaxial growth //J.Cryst.Growth 1989, V.95. P.28−31
- A.Natori, M. Baba, H. Yasunaga Time evolution of heterogeneous thin films duringannealing //Surf.Sci. 1989, V.220, P.165−180
- T.Irisava, A. Ichima, T. Kuroda Periodic changes in the structures of surface growingunder MBE condition and RHEED oscillation //Surf.Sci. 1991, V.242, P. 148−151
- J.W.Evans, R.S.Nord, J.A.Rabaey Nonequilibrium c (2×2) island formation duringchemosorption: Scaling of spatial correlations and diffracted intensity //Phys.Rev.B, 1988−1 V.37, No.15, P.8598−8611
- M.V.R.Murty, B.H.Cooper Instability in molecular beam epitaxy due to fast edgediffusion and corner diffusion barriers // Phys. Rev. 1999 V.83, N 2, P.352−355
- И.Л.Алейнер, Р. А. Сурис, Морфологическая стабильность вицинальной поверхности при молекулярной эпитаксии //ФТТ 1992 т.34 с. 1522−1540
- E.Scholl, S. Bose, Kinetic Monte Carlo simulation of the nucleation stage of the selforganized growth of quantum dots //Sol.St.Electr. 1998 V.42, N 7−8, P. 1587−1591
- S.Bose, E. Scholl Optimization of the size distribution of self-organized quantumdots //Proceedings of 7th Int.Symp. «Nanosructures: Physics and Technology» St Peterburg, Russian, June 14−18 1999, Ioffe Institute
- Yonei E., Arima Y., Irisawa Т. Diffusion field and two dimentional nucleation onthe vicinal surface under MBE condition. //Proc. of the Sixth Topical Meeting on Crystal Growth Mechanism, 1992, Jan. 20−22,Awara, Fukui Prefect, p.29−34.
- Мао H.B., Lu W., Shen S.C. Nucleation and growth processes during molecularbeam epitaxy of GaAs (001).//J. Crystal Growth, 1995, v.151, p.31−37
- L.N.Aleksandrov, R.V.Bochkova, G.B.Kiselev, I.A.Entin, Study of film crysyallization kinetics initial stage by Monte Carlo simulation //Cryst.Res.Technol. 1994, V. l, P.25−31
- Resnyanskii E.D., Latkin E.I., Myshlyavtsev A.V., Elokhin V.I. Monomolecularadsorption on rough surfaces with dynamically changing morphology. //J.Chem.Phys. Lett., 1996, V.248, P.136−140
- Heinrichs S., Rottler J., Maass Ph. Nucleation on top of islands in epitaxial growth,
- Phys. Rev. В, 2000−11, V.62, P.8338−8359
- Woodraska D.L., Jaszczak J.A. A Monte Carlo simulation method for {111}surfaces on silicon and other diamond-cubic materials. //Surf. Sci., 1997, V.374, P.319−332
- Kersulis S., Mitin V. Molecular beam epitaxy growth of Si (001): a Monte Carlostudy. // Semicond. Sci. Technol., 1995, V.10, P.653−659
- Plotz W.M., Hingerl K., Sitter H. Monte Carlo simulation of epitaxial growth.
- Phys. Rev. B, 1992−11, V.45, P. 12 122−12 125
- Toh C.P., Ong C.K. Diffusion of a Si atom on the Si (001)-2xl surface: a Monte
- Carlo study.- //Phys.Rev.B, 1992−11, V.45, P. 11 120 11 125
- Новиков П.Jl., Александров Л. Н., Двуреченский А. В., Зиновьев В.А.
- Моделирование эпитаксии на поверхности пористого кремния //ЖЭТФ, 1998, т.67, с.512−517
- Tsong Т. Monte Carlo simulation of atomic process on solid surfaces. //Surf.Sci., 1982, V.122, P.99−118
- Ferron J. Transition from two to three dimensions in homoepitaxial thin-filmsgrowth: The effect of a repulsive barrier at descending steps. //Phys.Rev.B, 1992-II, V.46, P. 10 457- 10 459
- Marmorkos I.K., Sarma S.D. Atomistic numerical study of molecular beamepitaxial growth kinetics. //Phys.Rev.B, 1992−1, V.45, P. 11 262 11 272
- L.Dong, J. Schnitker, R.W.Smith, D.J.Srolovitz Stress relaxation and misfitdislocation nucleation in the growth of misfitting films: A molecular dynamics simulation study. //J.Appl.Phys. 1998, V.83, No. l, P.217−227
- T.Irisawa, Y. Arima, T. Kuroda, J.Cryst.Growth (1990) V.99, P.491 (ссылка иуказание на эту формулу взяты из работы H. Nakahara, A. Ichimia Structural study of Si growth on a Si (l 11)7×7 surface. //Surf.Sci., 1991, V.241, P.124−134)
- P.A.Maksim, Fast Monte Carlo simulation of MBE growth. //Semicond.
- Sci.Technol. 1988, V.3, P.594−596
- Э.Зенгуил, Физика поверхности M, «Мир» 1990, с.536
- Latyshev A.V., Krasilnikov A.B., Aseev A.L. UHV reflection electron microscopyinvestigation of monoatomic steps on the silicon (111) surface at homo- and heteroepitaxial growth. //Thin Sol. Films 1997, V.306 P.205−213
- M.Fouchier, M.T. McEllistrem, J.J. Boland, Novel adatom-terminated step structure on the Ge (l 1 l)-(lxl):Br surface //Surf. Sci. 1997, V.385 P. L905-L910
- Jain S.C., Hayes W. Structure, properties and applications of Ge (x)Si (l-x) strainedlayers and superlattices //Semicond. Sci. Technol., 1991, V.6, P.547−576
- V.A.Shchukin, D. Bimberg, Spontaneous ordering of nanostructures on crystal surfaces. //Reviews of Modem Physics, 1999, V.74, No.4, P. l 125−1171
- J.E.Van Nostrand, S.L.Chey, D.G.Chahill, Low-Temperature growth morphology of singular and vicinal Ge (001). //Phys.Rev.B. 1998, V.57, No. 19, P. 1253 6−12 543
- D.Bimberg, Quantum dots: paradigm changes in semiconductor physics. //Semiconductors, 1999, V 33, № 9, P. 1044−1048
- И.Г.Неизвестный, С. П. Супрун, В. Н. Шумский, А. Б. Талочкин, Т. М. Бурбаев, В. А. Курбатов, Получение и свойства в ненапряженной гетеросистеме GaAs/ZnSe/Ge квантовых точек Ge. //Изв. АН. Сер. физ., 2002, Т. 66, N 2, С. 286−288
- K.J.Caspersen, C.R.Stoldt, A.R.Layson, M.C.Bartelt, P.A.Thiel, J.W.Evans, Morphology of multilayer Ag/Ag (100) films versus deposition temperature: STM analysis and atomistic lattice-gas modeling. //Phys.Rev. B, 2001, V.63, P.86 401 (1−15)
- R.Kern, P. Muller, Elastic relaxation of coherent epitaxial deposits. // Surf.Sci., 1997, V.392, P. 103−133
- Г. С.Жданов. Кинетика роста островков конденсированной фазы. // ФТТ, 1984.1. Т.26. N.10. С.2937
- S.N.Filimonov, Yu.Yu.Hervieu, The dopant incorporation and surface segregation during 2D islands grown in MBE: a computer simulation study. //Phys.Low Dim.Struct. 1998, V. 9/10, P.141−143
- Р.Ш.Малкович, Математика диффузии в полупроводниках. //С-Пб, Наука, с.390
- J.Tersoff Stress-Driven Alloy Decomposition during Step-Flow Growth. //Phys. Rev.Lett., 1996, V.77, No. 10, P.2017−2020
- Vostokov N.V., Gusev S.A., Drozdov Y.N., Krasilnik Z.F., Lobanov D.N., Mesters
- J.F.Sage, William Barvosa-Carter, Michael J. Aziz, Morphological instability of growth front due to stress-induced mobility variation. //Appl.Phys.Lett. 2000, V.77, P.516−518
- В.И.Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста. //ДАН, 1996, Т. 347, N.4. С.469−471
- O.P.Pchelyakov, V.A.Markov, L.V.Sokolov, Investigation and control of surface processes during semiconductor nanostructures formation by MBE. //Brazilian Journal of Phys., 1994, V.24, P.77−85
- Yanovitskaya Z.Sh., Neizvestny I.G., Shwartz N.L., Katkov M.I., Ryzhenkov I.P.1.vestigation of the desynchronization mode of 2D-island creation on the stepped surface during MBE-growth (simulation). //Phys. Low-Dim. Struct. 1996, V.7/8, P.47−54
- M.N.Popescu, J.G.Amar, F.Family. Rate-equation approach to island size distributions and capture numbers in submonolayer irreversible growth. //Phys. Rev. B, 2001, V.64, P.205 404−1-13
- Amar J.G., Popescu M.N., Family F. Rate-equation approach to island capture zones and size distributions in epitaxial growth. //Phys.Rev.Lett., 2001, V.86, P.3092−3095
- Amar J.G., Family F. Critical Cluster Size: Island Morphology and Size Distribution in Submonolayer Epitaxial Growth. //Phys.Rev.Lett., 1995, V.74, No. 11, P.2066−2069
- Bales G.S., Zangwill A. Self-consistent rate theory of submonolayer homoepitaxy with attachment/detachment kinetics. //Phys.Rev B, 1997, V.55, No.4, P. R1973-R1976
- Voigtlender, T. Weber Nucleation and growth of Si/Si (l 11) observed by scanning tunneling microscopy during epitaxy //Phys.Rev.B 1996, V.54 P.7709.
- Spitzmueller J., Fehrenbacher M., Rauscher H., Behm R.J. Nucleation and growth kinetics in semiconductor chemical vapor deposition. //Phys. Rev. B, 2001, V.63, P.41 302−1-4
- Venables J.A. Rate equation approaches to thin film nucleation kinetics //Phil. Mag., 1973, V.27, P.697−738
- J.A.Venables, G.D.T.Spiller, M. Hanbucken Nucleation and Growth of Thin Films.
- Rep.Progr.Phys. 1984, V.47, P.399−459
- N.Popescu, Amar J. G, F. Family Self-consistent rate-equation approach to transitions in critical islands size in metal (100) and metal (111) homoepitaxy. //Phys.Rev.B. 1998, V.58, No.3, P.1613−1619
- S.Stoyanov, D. Kashiev, //in «Current topics in material science» V.7 ed. E. Kaldis (North Holland, Amsterdam, 1981)
- J.Villian, A. Pimpinelly, D Wolf. Layer by layer growth in molecular beam epitaxy. //Comments Cond.Mat.Phys. 1992 V.16,N 1 P. l-18
- Я.Е.Гегузин, Ю. С. Кагановский. Диффузионный перенос массы в островковыхпленках. //УФН, 1978, т. 125, в. З, с.489−525
- Alexander A. Shklyaev, Motoshi Shibata, and Masakazu Ichikawa High-density ultrasmall epitaxial Ge islands on Si (lll) surfaces with a Si02 coverage //Phys. Rev. B, 2000, V.62,P.1540.
- Ю.Г.Галицын, В. Г. Мансуров, С. П. Мощенко, А. И. Торопов Неадиабатическая реакция встраивания атомов мышьяка в решеточные узлы при гомоэпитаксии арсенида галлия. //Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2001, N 10, С. 107−110
- J.Myslivecek, T. Jarolimek, P. Smilauer, B. Voigtlander, M. Kastner Magik islands and barriers to attachment: A Si/Si (l 11)7×7 growth model. //Phys.rev.B. 1999, V.60, No. 19, P. 13 869−13 873
- В.И.Трофимов, В. Г. Мокеров Модель кинетики слоевого эпитаксиальноо роста в присутствии барьеров Швебеля. //ДАН, 1999, Т. 367, П 6, С. 749−752
- В.И.Трофимов, В. Г. Мокеров Кинетическая модель гетероэпитаксиального роста в присутствии барьеров Швебеля. // ДАН, 2000 Т. 375, П 4, С. 465−468
- V.I.Trofimov, V.G.Mokerov, A.G.Shumyankov Kinetic model for molecular beamepitaxy growth on a singular surface. //Thin Solid Films, 1997, V.306, P. 105−111
- J.G.Amar, Mechanisms of mound coarsening in unstable epitaxial growth. // Phys.Rev.B, 1999, V.60, No. 19, P. R11317-R11320
- S.Stoyanov, I.Markov. Critical Island Size for Layer-by-Layer Growth. //Surf.Sci., 1982, V.116, РЛ13−115.
- Tersoff, A.W.Denier van der Gon, R.M.Tromp Critical Island Size for Layer-by-Layer Growth. //Phys.Rev.Lett., 1994, V.72, No.2, P.266−269
- S.N.Filimonov, Y.Y.Hervieu Statistics of second layer nucleation in heteroepitaxialgrowth //Surf. Sci., 2002, V.507−510, P.270−275
- J.Chadi Stabilities of Single-Layer and Bilayer Steps on Si (001) Surfaces. //Phys.Rev.Lett. 1987, V.59, No. 15, P.1691−1694
- Orme, B.G.Orr, Surface evolution during MBE growth. //Surf.Rev.Lett. 1997, V.4,1. No. l, P.71−105
- T.Komeda, Y. Kumagai, Si (001) surface variation with annealing in ambient H2. //Phys.Rev.B., 1998, V.58, No.3, P.1385−1391
- H.J.W.Zandvliet, Determination of Ge (OOl) step free energies. //Phys.Rev.B., 2000, V.61, No. 15, P.9972−9974
- K.Kyuno, G. Ehrlich, Cluster Diffusion and Dissosiation in the Kinetics of Layer Growth: An Atomic View. //Phys.Rev.Lett. 2000, V.84, No.12, P.2658−2661
- K.Kyuno, G. Ehrlich, Step-edge barriers: truths and kinetic consequences. //Surf.Sci, 1997, V.394, P. L179−187
- K.Kyuno, G. Ehrlich, Step-Edge Barriers on Pt (lll): An Atomic View. //Phys.Rev.Lett., 1999, V.81, No.5, P.5592−5595
- S.-M.Oh, S.J.Koh, K. Kyuno, G. Ehrlich, Non-nearest-neighbor jumps in 2D diffusion: Pd on W (110) //Phys. Rev. Lett., 2002, V.88, P.236 102−1-4
- S.Clarke and D.D.Vvedensky, Growth kinetics and step density in reflection high energy electron diffraction during MBE. //J.Appl.Phys. 1988, V.263, P.2272−2283
- M.Ichikawa, T.Doi. Observation of Si (lll) surface topography changes during Si molecular beam epitaxial griwth using microprobe reflection high-energy electron diffraction //Appl.Phys.Lett. 1987, V.50, No 17, P. l 141−1143
- A.L.Aseev, A.V.Latyshev, A.B. Krasilnikov, S.I.Stein., Reflection Electron Microscopy Study of the Structure of Atomic Clean Silicon Surface, in «Defectes in Crystals"//Ed. E. Mizera, World Scientific Publ. Co. Singapore, 1987, P.231−237
- Y.Horio, A. Ichima, Dynamical diffraction effect for RHEED intensity oscillations: phase shift of oscillations for glanscing angles. //Surf.Sci. 298 (1993) 261−272
- G.Rosenfeld, B. Poelsema, G. Comsa, Epitaxial growth modes far from equilibrium.
- The Chemical Physics of Solid surfaces Edited byD.A.King and D.P.Woodruff, 1997, P.66−99. Volume 8. Growth and properties of ultrathin epitaxial layers
- V.A.Markov, L.V.Sokolov, O.P.Pchelyakov, S.I.Stenin, S. Stoyanov, Undamped RHEED oscillations during Ge and Si homoepitaxy. //Superlattices and Microstructures. 1991, V. 10. N2. P. 135−137
- Pchelyakov O.P., Markov V.A., Sokolov A.L. Investigation and control of the surfaces processes during semiconductor nanostructures formation by MBE //Braz.J.Phys. 1994, V.24, № 1, P.77−85
- M.I.Larsson, G.V.Hansson. Initial stages of Si molecular beam epitaxy on Si (l 11) studied with reflection high-energy electron diffraction intensity measurements and Monte Carlo simulations. // Surf.Sci.Lett., 1994, V. 321, No. 3, P. 1261−1266
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, Direct REM observation of stucturalprocesses on clean silicon surface during sublimation, phase transition and epitaxy. //Appl.Surf.Sci. 1992, V.60/61, P.397−404
- Торопов А.И. Частное сообщение.
- Larsson M.I., Ni W.X., Hansson G.V. Manipulation of nucleation by growth rate modulation. //J.Appl.Phys 1995, v.78(6), 3792−3796
- S.Clarke, M.R.Wilby, D.D.Vvedensky, T. Kawamura Monolayer to bilayer transition in reflection diffraction intensity oscillations during Si (001)molecular beam epitaxy //Appl.Phys.Lett. 1989, V.54, P.2417−2418
- Dentel D., Bischop J.L., Bolmont D., Kubler L. Reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during Si growth on Ge (001) by solid source/molecular beam epitaxy. //Surf.Sci., 1998 V.402−404, P.304−307
- О.П.Пчеляков В. А. Марков, частное сообщение
- НA.Joyce at al. Applications of RHEED to the study of growth dynamics and surface chemistry during MBE //Surf.Sci. 1993, V.298 P.399−407
- A.I.Nikiforov, V.A.Markov, V.A.Cherepanov, O.P. Pchelyakov, The influence of growth temperature on the period of RHEED oscillations during MBE of Si and Ge jn Si (l 11) surface. //Thin Solid Films, 1998, V.336, P.183−187
- Nikiforov A.I., Markov V.F., Pchelyakov O.P., Yanovitskaya Z.Sh. The influenceof the epitaxial growth temperature on the period of RHEED oscillations. //Phys.Low-Dim. Struct. 1997, V.7, P. 1−10
- S.Clarke, D.D.Vvedensky, Origin of reflection hi-energy electron-diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy: A computational modeling approach. //Phys.Rev.Lett., 1987, V. 58, No. 21, P. 2235−2238
- Nikiforov A.I., Markov V.A., Pcheliakov O.P., Yanovitskaya Z.Sh. The influenceof the epitaxial growth temperature on the period of RHEED oscillations. //Phys.Low-Dim.Struct. 1997, V 7, P. 1−98
- Марков В.А., Пчеляков О. П., Молекулярная эпитаксия пленок GexSi(l-x) на
- Si (l 11): Исследование методом дифракции быстрых электронов. //ФТТ Т.38, 1996, С.3152−3160
- A.V. Latyshev, А.В. Krasilnikov, A.L.Aseev, UHV reflection electron microscopyinvestigation of the monoatomic steps on the silicon (111) surface at homo- and heteroepitaxial growth. //Thin Solid Films, 1997, V. 306, P. 205−213
- Неизвестный И.Г., Шварц H.JI., Яновицкая З. Ш., Связь формы ДБЭ-осцилляций с преобразованием поверхностного рельефа в процессе МЛЭ. //Известия АН. Серия физическая. 1999, Т.63, П 2, С.244−248
- Голобокова Л.Ю., Марков В. А., Пчеляков О. П., Яновицкая З. Ш., Диффузионное сглаживание микрорельефа пленок германия при остановке процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. //Поверхность. Физика, химия, механика, 1991, N. 2, С. 145−147
- Sakaki Н., Tanaka М. J. Yoshino, One Atomic Layer Heterointerface Fluctuationsin GaAs-AlAs Quantum Well Structures and Theur Suppression by Insertion of Smoothing Period in Molecular Beam Epitaxy // Japan. J. Appl. Phys. 1985. V. 24. P. L417
- T.Doi, M. Ishikawa, Anisotropic diffusion of Si adsorbates on a Si (001) surface. //Jpn.J.Appl.Phys. 1995, V.34, P.3637−3641
- K.Ohta, T. Nakagawa, and T. Kojima, Anisotropic surface migration og Ga atomson GaAs (OOl). //J.Crystal Growth, 1989 V.95 P.71−74
- Y.W.Mo, J. Kleiner, M.B.Webb, M.G.Lagally, Activation energy of surface diffusion of Si on Si (001): A Scanning-Tunneling-Microscopy Study. //Phys.Rev.Lett. 1991, V.66, No.15, P.1998−2001
- A. Shen, Y. Horikoshi, H. Ohno, and S. P. Guo, Reflection high-energy electrondiffraction oscillations during growth of GaAs at low temperatures under high As overpressure // Appl. Phis. Lett. 1997 V.71 (11) P. 1540−1542.
- Латышев A.B., Асеев А. Л., Моноатомные ступени на поверхности кремния. //УФН, 1998, Т. 168, С. 1117−1127
- C.Alfonso, J.C.Heyraud, J.J.Metois, About the sublimation of Si surfaces vicinal of111. // Surf.Sci.Lett. 1993, V.291, P. L745-L749
- Degawa M., Minoda H., Tanishiro Y., Yagi K., In-phase step wandering on Si (l 11) vicinal surfaces: Effect of direct current heating tilted from the step-down direction. // Phys. Rev. B, 2001, V.63, P.4 5309(l-8)
- P.Finnie, Y. Homma Dynamics, Interactions and Collisions of Atomic Steps on Si (l 11) in Sublimation. //Phys.Rev.Lett. 1999, V.82, No. 13, P.2737−2740.
- Y.Homma, H. Hibino, Y. Kunii, T. Ogino, Tranformation of surface structures on vicinal Si (l 11) during heating. //Surf.Sci. 2000, V.445, P.327−334
- S.A. Teys and B.Z. Olshanetsky, Formation of the wetting layer in Ge/Si (l 11) epitaxy at low growth rates studied with STM. //Phys.Low Dim. Struct. 2002 V. l/2, P.37−39
- Boland J.J., Scanning tunneling microscopy of the interaction of hydrogen with silicon surfaces. //Advances in Physics, 1993, V.42, N 2, P. 129−171.
- W.G.Schmidt, J. Bernholc, Step-induced optical anisotropy of Si (l 11):H surfaces. //
- Phys.Rev.B, 2000, V.61. No. l 1, P.7604−7608
- M.Fehrenbacher, H. Rauscher, U. Memmert, RJ. Behm, SiH4 chemical vapor deposition on Si (ll l)-(7×7) studied by scanning tunneling microscopy. //Surf.Sci., 1997, V.385, P.1213−145
- Латышев A.B. Атомные ступени на поверхности кремния в процессах сублимации, эпитаксии и фазовых переходов. Диссертация на соискание степени д.ф.-м.н. //Новосибирск, 1998, 412 с.
- J.M.Bermond, J.J.Metois, J.C.Heyraud, C. Alfonso, Reflection electron microscopystudies of the step meandering and evaporation on vicinal surface of silicon. //Surf.Sci. 1995, V.331−333, P.855−864
- J.J.Metois, D.E.Wolf, Kinetic surface roughening of Si (001) during sublimation. //
- Surf.Sci. 1993, V.298, P.71−78
- A.V. Latyshev, A.B. Krasilnikov, A.L. Aseev, Direct REM observation of stucturalprocesses on clean silicon surface during sublimation, phase transition and epitaxy. //Appl.Surf.Sci. 1994, V.60/61, P.397−404
- Homma Y., H. Hibino, T. Ogino, Aizawa N. Phys.Rev.B., Sublimation of the Si (lll) surface in ultrahigh vacuum //Phys. Rev. B 1997−11, V.55, P. R10237−10 240
- A.Pimpinelli, J. Villain, What does an evaporating surface look like? //Physica A., 1994, V.204, P.521−542
- Y.Homma, H. Hibino, T. Ogino, N. Aizava, Sublimation of a hevily boron-dopped Si (lll) surface. //Phys.Rev.B. 1998, V.58, No.19, P.13 146−13 150
- P.Finnie, Y. Homma, Dynamics, Interactions and Collisions of Atomic Steps on Si (l 11) in Sublimation. // Phys.Rev.Lett. 1999, V.82, No.13, P.2737−2740
- С.С.Косолобов, А. В. Прозоров, А. В. Латышев, А. Л. Асеев, Взаимодействие кислорода с поверхностью кремния (111). //Тез.докл. Совещания по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния, Новосибирск, Кремний-2002,9−12 июля 2002 г. с. 132
- T.Sinno, R.A.Braun, W. Ammon, E.Domberger. Point defect dynamics and the oxydation-induced stacking-fault ring in Czochralski-grown silicon crystals. //J.Electrocem.Soc. 1998 V.145, P.302- 318
- A.J.Mayne, F. Rose, C. Bolis, G. Dujardin An scanning tunneling microscopy studyof the diffusion of a single or a pair of atomic vacancies //Surf. Sci. 2001, V.486, P.226−238.
- Yu.N.Devyatko, S.V.Rogozhkin, A.V.Fadeev, Point defects at low-index surfacesof fee metals: formation energies of vacancies and adatom-vacancy pairs. //Phys.Rev.B, 2001 V.63. N1, 193 401 (1−4)
- K.Sumitomo, H. Hibino, Y. Homma, T. Ogino Observation of Incomplete Surface Melting of Si Using Medium-Energy Ion Scattering Spectroscopy. //Jpn.J.Appl.Phys. 2000, V.39, P.4421−4424
- E.AJagla, S. Prestipino, E. Tosatti Phase transitions at the early stages of surface melting. //Surf. Sci. 2000, V.454−456, P.608−612
- A.V.Latyshev, H. Minoda, Y. Tanishiro, K. Yagi, Dynamical step edge stiffness on the Si (l 11) surface. // Phys.Rev.Lett. 1996 V.76, N 1, P. 94−97
- H.Hibino, K. Sumotomo, T. Fukuda, Y. Homma, T. Ogino Disordering of Si (lll) at high temperatures. //Phys.Rev.B. 1998, V.58, No. 19, P. 12 587−12 589
- Homma Y., Aizawa N. Electric-cuccent-induced step bunching on Si (lll) //Phys.
- Rev. B, 2000−11, V.62, P.8323−8329
- Y.Fukaya, Y. Shigeta Precursor to surface melting of Si (lll) at high temperature //Phys.Rev. B, 2002 V.65, N 19, 195 415 (p. 1−8)
- D.Kandel, E. Kaxiras, Microscopic Theory of Electromigration on Semiconductor
- Surfaces. //Phys. Rev. Lett. 1996, V.76, P. l 114−1119
- S.I.Romanov, V.I.Mashanov, L.V.Sokolov, A.K.Gutakovski, O.P. Pchelyakov, //Appl.Phys.Lett. 1999 V.75 P.4118
- N.Sato, K. Sakaguchi, K. Yamagata, Y. Fujiyama, T. Yonehara, //J. Electochem. Soc. 1995 V.142. N 9 P.3116
- S.Jin, H. Bender, L. Stalmans, R. Bilyalov, J. Poormans, R. Loo, M. Caymax, //J.Cryst.Growth. 2000, V.212 P. l 19
- Kovalev D., Timoshenko V.Yu., Gross E., Kunzner R., Koch F. Strong explosiveinteraction of gidrogenated porous silicon with oxygen at cryogenic temperatures, //Phys.Rev.Lett. 2001, V.87, P.68 301.
- K.Maex, M.R.Baklanov, D. Shamiiyan and F. Iacopi, S.H.Brongersma,
- Z.S.Yanovitskaya, Low dielectric constant materials for microelectronics. //J.Appl.Phys. 2003 V.93, N 11, P.8793−8841.
- J.Rouquerol, D. Avnir, C.W.Fairbridge, D.H.Everett, J.H.Haynes, N. Pernicone, J.D.F.Ramsay, K.S.W.Sing and K.K.Unger. название //Pure & Appl.Chem. 1994 V.66, P. 1739−1758
- В.Ю.Васильев Заполнение ультрамалых зазоров в интегральных микросхемахосажденными из газовой фазы тонкослойными диэлектрическимиматериалами на основе диоксида кремния. //Микроэлектроника, 2000 т.31б № 4, с. 263−273
- S.K.Dew, T. Smy, M.J.Brett Simulation of elevated temperature aluminium metallization using SIMBAD. //IEEE Trans.El.Dev. 1992, V.39, No.7, P. 15 991 606
- L.N.Aleksandrov, P.L.Novikov Mechanisms of formation and topological analysis of porous silicon computuional modeling. //Computentional Materials Science, 1998, Vol.10, P.406−410
- T.Ito, T. Yasumatsu, A. Hiraki, Homoepitaxial growth of silicon on anodized poroussilicon. //Appl.Surf.Sci. 1990, V.44, P 97−102
- Y.Yasumatsu, T. Ito, H. Nishizawa, A. Hiraki, Ulrtathin Si films grown epitaxially on porous silicon. //Appl.Surf.Sci, 1991 V.48/49 P.414−416
- Sato N., Sakaguchi K., Yamagata K., Fujiyama Y., Yonehara Т., Epitaxial growthon porous Si for a new bond and etchback silicon-on-insulator. //J. Electrochem. Soc., 1995, V.142, P.3116−3122
- R.L.Smith, S.D.Collins, Porous silicon formation mechanisms. //J.Appl.Phys., 1992, V.71, No. 8, P. R1-R22
- S.Jin, H. Bender, L. Stalmans, R. Bilyalov, J. Poormans, R. Loo, M. Caymax, Transmission electronmicroscopy investigation of the crystallographic quality of silicon films grown epitaxially on porous silicon. //J.Cryst.Growth, 2000, V.212, P. 119−127.
- Отжиг пористой поверхности D. Buttard, G. Dolino, C. Faivre, A. Halimaoui, F. Comin, V. Formoso, L. Ortega, Porous silicon strain during in situ ultrahidh vacuum thermal annealing. //J.Appl.Phys. 1999, V.85, No.10, P.7105−7111
- D.Shamiryan, Z.S.Yanovitskaya, F. Iacopi, and K.Maex. Barrier deposition on porous low-k films. //Proceedings of Advanced Metallization Conference (AMC), 1−3 October 2002, San Diego, California (published by IEEE)
- Y.H.Kim, S.K.Lee and H.J.Kim. Low-/: Si-O-C-H composite films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition using bis-trimethylsilylmethane precursor//J. Vac. Sci. Tecnol. A. 2000, V.18 P. 1216−1219
- D. Shamiryan, M. R. Baklanov, K. Maex Diffusion barrier integrity evaluation byellipsometric porosimetry //J. Vac. Sci. Technol. В 2003, V. 21(1) P.220−226
- M. R. Baklanov, K. P. Mogilnikov, V. P. Polovinkin, and F. N. Dultsev, J.
- Techniques for porosity and porous structure characterization //Vac. Sci. Technol. В 2000, V.18, 1385−1388 .
- Бакланов M.P., Кручинин B.H., Репинский C.M., Шкляев А. А., Критические условия при взаимодействии закиси азота с поверхностью кремния при низких давлениях.//Поверхность. 1986, № 10. с.79−86
- A.A.Shklyaev, Interaction of 02 and N20 with Si during the early stages of oxideformation //E.Garfunkel et al. (eds.) Fundamental aspects of ultrathin dielectrics on Si-based devices, 1998, Kluwer Academic Publishers. Netherlands. P.277−278
- A.A.Shklyaev, M. Aono, T. Suzuki, Influence of growth conditions on subsequent submonolayer oxide decomposition on Si (lll). //Phys.Rev.B, 1996, V.54, P. 10 890−10 895
- Кантер Ю.О., Кручинин B.H., Елисеев B.M., Шкляев А. А., Исследование форм адсорбции закиси азота на кремнии методом РФЭС //Поверхность. Физика, химия, механика, 1986, № 8. с.66−69
- U. Memmert, M.L.Yu, Comparison between Si (OOl) and Si (lll) in the reaction with oxigen at high temperatures. // Surf Sc. Lett. 1991, V.245, L185-L189, Lander J.J., Morrison J. //J. Appl. Phys. 1962, V.33. № 6. P.2089−2092
- Алгазин Ю.Б., Блюмкина Ю. А., Свиташев K.K. Кинетика термодесорбции тонких и субтонких окисных покрытий с поверхности монокристаллического кремния: эллипсометрическое исследование. //ЖТФ, 1980,. Т.50. с.2152−2155
- A.A.Frantsuzov, N.I.Macrushin Growth of an oxide film on a clean silicon surfaceand the kinetics of its evaporation. //Thin Solid Films (1976) V.32, P.247−249 Французов A.A., Макрушин Н. И. // ЖТФ, 1975. Т.45. Вып.З. с.600−605
- Шкляев А.А., Петренко И. П. Амфорные полупроводники и диэлектрики на основе кремния в электронике // Под ред. Коваленко И. П. Одесса: 1989 347 с
- H.F. Winters, J.W. Coburn, Surfaces science aspects of etching reactions //Sur.Sci.Rep. 1992 .
- Бадмаева И.А., Бакланов M.P. Константы скорости реакций взаимодействия Ge и Si с атомарным м молекулярным фтором и дифторидом ксенона //Поверхность. Физика, химия, механика. 1989, № 8 с.92−95
- Бакланов М.Р. Гетерогенные реакции в процессах травления материалов микроэлектроники Si, Ge и Si02. //Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук. Новосибирск: 1991
- D.E. Ibbotson, D.L. Flamm, J.A. Mucha and V.M. Donnelly, Comparison of XeF2and F-atom reactions with Si and Si02 //Appl. Phys. Lett. 1984 V.44 P. l 129
- D.W. Squire, J.A. Dagata, D.S.Y. Hsu, C.S. Dulcey and M.C. Lin, //J.Phys.Chem.1988 V.92 P.2827
- Бакланов M.P., Алиев В. Ш., Бадмаева И. А., Кинетика и механизм взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью твердых тел. //Препринт СОАН СССР, ИФП, 3−86, Новосибирск, 1990
- Алиев В.Ш. Исследование взаимодействия дифторида ксенона с поверхностью кремния при воздействии ионного облучения. //Диссертацияна соискание ученой степени кандидата химических наук. Новосибирск: 1990
- H.F. Winters, I.C.Plumb, Etching reactions for silicon with F atoms: Product distributions and ion enhancement mechanisms //J.Vac.Sci.Technol. 1991, V.9 P.197−205
- J.A.Yarmoff, F.R.McFeely, Effect of sample doping level during etching of siliconby fluorine atoms //Phys.Rev.B, 1988, V.38, P. 2057−2063
- Baklanov M.R., Kistanov A.I., Mogilnikov K.P. Sokolova O.V., Shamiryan D.G.,
- Yanovitskaja Z.Sh. Interaction of silicon with xenon difluoride //Surf.Invest. 1997, V.12, P.1217−1226.