Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами
Диссертация
А13] Исследование оже-рекомбинации в лазерных наноструктурах с Sb-содержащими квантовыми ямами / М. О. Машко, М. Я. Винниченко, Д. А. Фирсов, JI.E. Воробьев // XII всероссийская молодежная конференция по физике полупроводников и наноструктур, полупроводниковой оптои наноэлектронике. Санкт-Петербург — 2010. — С. 36. Влияние оже-рекомбинации на время жизни неравновесных носителей заряда… Читать ещё >
Список литературы
- Данилов, Л. В. Теоретическое исследование процессов оже-рекомбинации в глубоких квантовых ямах / JI.B. Данилов, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. — 2008.— Т. 42, № 5. С. 566- 572.
- Данилов, Л. В. Пороговые характеристики ИК лазера на основе глубоких квантовых ям InAsSb/AlSb / JI.B. Данилов, Г. Г. Зегря // Физика и техника полупроводников. — 2008.— Т. 42, № 5.— С. 573 -578.
- Wavelength Chirp and Dependence of Carrier Temperature on Current in MQW InGaAsP-InP Lasers / G.E. Shtcngel, R.F. Kazarinov, G.L. Be-lenky, C.L. Reynolds // IEEE Journal of. Quantum Electronics. — 1997. — Vol. 33, no. 8, — Pp. 1390−1402.
- Hot-carrier effects in 1.3-/J, In (l-x)Ga (x)As (y)P (l-y) light emitting diodes / J. Shah, R.F. Leheny, R.E. Nahory, H. Tcmkin /./ Applied Physics Letters. 1981. — Vol. 39, no. 8. — Pp. 618−620.
- Room temperature continuous wave operation of quantum cascade lasers with 12.5% wall plug efficiency / Y. Bai, S. Slivken, S.R. Darvish. M. Razcghi // Applied Physics Letters.— 2008.- Vol. 93, no. 2.— Pp. 21 103−21 103.
- Short wavelength (Л ~ 3.4/im) quantum cascade laser based on strained compensated InGaAs/AlInAs / J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco et al. // Applied physics letters. — 1998. — Vol. 72. — P. 680.
- High-power CW quantum cascade lasers: How short can we go? / M. Razeghi, A. Evans, S. Slivken, J.S. Yu // Proc. SPIE.- Vol. 5738.2005. — Pp. 1−12.
- Quantum cascade laser / J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco et al. // Science. 1994. — Vol. 264, no. 5158. — Pp. 553−556.
- High power mid-infrared (Л ~ 5/ли) quantum cascade lasers operating above room temperature / J. Faist, F. Capasso, C. Sirtori et al. // Applied physics letters. 1996. — Vol. 68. — P. 3680.
- Ecuna, Н.П. Электроино-дырочиые переходы в арсеииде индия / Н. П. Есина, Н. В. Зотова, Д. Н. Наследов // Радиотехника и электропика. 1963. — Т. 8, № 9. — С. 1602−1606.
- Ecv.ua, Н. Д. Электролюминесценция р-n переходов в арсеииде индия / Н. Д. Есина, Н. В. Зотова, Д. Н. Наследов // Физика и техника проводников. 1969. — Т. 3, № 9. — С. 1370−1373.
- Design of high-power room-temperature continuous-wave GaSb-based type-1 quantum-well lasers with A> 2.5 ?im / L. Shterengas, G.L. Be-lenky, J.G. Kim, R.U. Martinelli // Semiconductor science and technology. 2004. — Vol. 19. — P. G55.
- Физическая энциклопедия / Под ред. А. М Прохоров. — М.: Советская энциклопедия, 1988−1998, — Т. 2, — С. 183.
- Room temperature operated 3.1 цт type-1 GaSb-based diode lasers with 80 mW continuous-wave output power / L. Shterengas, G. Belenky, G. Kip-shidze, T. Hosoda // Applied Physics Letters.— 2008.— Vol. 92, — P. 171 111.
- Shim. K. Band gap and lattice constant of GalnAsSb / K. Shim, H. Rabitz, P. Dutta // Journal of Applied Physics. 2000. — Vol. 88. — P. 7157.
- Othonos, Andreas. Probing ultrafast carrier and phonon dynamics in semiconductors / Andreas Othonos // Journal of Applied Physics. — 1998. — Vol. 83, no. 4, — Pp. 1789−1830.
- Рывкии. C.M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках / С. М. Рывкии, — М.: Физматгиз, 1963, — С. 496.
- Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках / В. Н. Абакумов, В. И. Перель, И. Н. Яссиевич, СПб.: Изд-во ПИЯФ, — 1997.
- Markvart, Т. Recombination in Semiconductors / Т. Markvart, Р.Т. Landsberg. — Cambridge University Press, Cambridge, 1991.
- Auger, P. CR Acad. Sci., Paris 180 65 Auger P 1925 / P. Auger //J. Physique. 1925. — Vol. 6, no. 205. — P. 192C.
- Beattie, A.R. Auger effect in semiconductors / A.R. Bcattie, P.T. Landsberg // Proceedings of the Royal Society of London. Series A. Mathematical and Physical Sciences. 1959. — Vol. 249, no. 125G. — Pp. 1C-29.
- Gel’Mont, B.L. Three-band Kane model and Auger recombination /
- B.L. Gel’Mont // Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics. 1978. — Vol. 48. — P. 258.
- Haug, A. Auger recombination in direct-gap semiconductors: band-structure effects / A. Haug // Journal of Physics C: Solid State Physics. — 1983,-Vol. 16, — P. 4159.
- Takeshima, M. Unified theory of the impurity and plionon scattering effects on Auger recombination in semiconductors / M. Takeshima // Physical Review B. 1982. — Vol. 25, no. 8. — P. 5390.
- Зегря, Г. Г. Механизмы оже-рскомбипации в квантовых ямах / Г. Г. Зегря, А. С. Полковников // ЖЭТФ, — 1998, — Т. 133, № 4.—1. C. 1491−521.
- Природа температурной зависимости пороговой плотности тока длинноволновых лазеров на основе ДГС InAsSbP/InAs и InAsS-bP/InAsSb / М. Айдаралиев, Г. Г. Зегря, Н. Б. Зотова и др. // Физика и техника полупроводников. — 1992. — Т. 26. — С. 249.
- Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах / JI.E. Воробьев, С. Н. Данилов, Г. Г. Зегря и др.- Под ред. В. И. Ильин, СПб.: Наука, 2001, — С. 248.
- Andreev, A.D. Tliresholdless Auger recombination mechanism in semiconductors in a quantizing magnetic field / A.D. Andreev, G.G. Zegrya // Soviet Journal of Experimental and Theoretical Physics. — 1994. — Vol. 78. — Pp. 539−545.
- Dutta, N.K. Calculation of Auger rates in a quantum well structure and its application to InGaAsP quantum well lasers / N.K. Dutta // Journal of Applied Physics. 1983. — Vol. 54, no. 3. — Pp. 1236−1245.
- Temperature sensitivity of auger-recombination effects in compressively strained In (x)Ga (l-x)As/In (x)Ga (l-x)As (l-y)P (y) quantum-well lasers / W.W. Lui, T. Yamanaka, Y. Yoshikuni et al. // Physical Review D. — 1993. Vol. 48, no. 12. — P. 8814.
- Auger recombination in a quantum-well-lieterostructure laser / R.I. Taylor, R.A. Abram, C. Smith, M.G. Burt // Optoelectronics, IEE Proceedings JIET. Vol. 132. — 1985. — Pp. 364−370.
- Zegrya, G.G. New mechanism of Auger recombination of nonequilibri-um current carriers in semiconductor heterostructures / G.G. Zegrya, V.A. Kharchenko // Soviet physics, JETP.- 1992.- Vol. 74, no. 1.-Pp. 173−181.
- Krier, A. Powerful interface light emitting diodes for methane gas detection / A. Kricr, V.V. Sherstnev // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2000, — Vol. 33, no. 2, — P. 101.
- Type-II quantum-well lasers for the mid-wavelength infrared / J.R. Meyer, C.A. Hoffman, F.J. Bartoli, L.R. Ram-Mohan // Applied Physics Letters. — 1995. Vol. 67, no. 6. — Pp. 757−759.
- Mnhr, H. An optical up-conversion light gate with picosecond resolution / H. Malir, M.D. Hirsch // Optics Communications.— 1975.— Vol. 13, no. 2. Pp. 96−99.
- Shah, J. Ultrafast luminescence spectroscopy using sum frequency generation / J. Shah // IEEE Journal of Quantum Electronics. — 1988. — Vol. 24, no. 2. Pp. 276−288.
- Kane, E.O. Band structure of indium antimonide / E.O. Kane // Journal of Physics and Chemistry of Solids. — 1957. Vol. 1, no. 4. — Pp. 249−261.
- Размерное квантование. Часть 1. Энергетический спектр наноструктур / В. Э. Гасумянц, С. Н. Лыков, Д.А. Пшеиай-Ссверин и др.- Под ред. С. Н. Лыков. — СПб.: Изд-во Политехнич. ун-та, 2008. — С. 258.
- Vurgaftman, I. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys / I. Vurgaftman, JR Meyer, LR Ram-Mohan // Journal of applied physics. 2001. — Vol. 89. — R 5815.
- Interplay of cxciton and clcctron-holc plasma recombination on the plio-toluminescence dynamics in bulk gaas / A. Amo, M. D. Martin, L. Vina et al. // Phys. Rev. B. 2006. — Jan. — Vol. 73. — P. 35 205.
- Шик. А. Я. Электродинамика двумерных электронных систем / А. Я. Шик // Физика и техника полупроводников.— 1995.— Т. 29, № 8, — С. 1345−1381.
- Воробьев, Л.Е. Оже-лазер среднего ИК диапазона на межподзопных переходах носителей заряда в квантовых ямах / Л. Е. Воробьев, Д. А. Фирсов, Г. Г. Зегря // Известия РАН. Серия физеческая. — 2001. Т. G5, № 2. — С. 230−233.
- Continuous-wave room temperature operated 3.0 цт. type I GaSb-bascd lasers with quinternary AlInGaAsSb barriers / T. Hosoda, G. Belenky, L. Sliterengas et al. // Applied Physics Letters. — 2008. — Vol. 92, no. 9. — P. 91 106.
- Гельмоит, B.JI. Функция распределения и потери энергии горячими электронами при взаимодействии с оптическими фонопами / Б. Л. Гельмонт, Р. И. Лягущенко, И. Н. Яссиевич // Физика твердого тела. 1972. — Т. 14, № 2. — С. 533 — 542.
- Кинетические и оптические явления в сильных электрических полях в полупроводниках и наноструктурах / Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. Л. Ивченко и др.- Под ред. Л. Е. Воробьев. — СПб.: Наука, 2000. — С. 160.
- Воробьев, Л.Е. Кинетические и оптические явления в полупроводниках в сильных электрических полях / Л. Е. Воробьев, Д. А. Паршин,
- B.А. Шалыгин- Под ред. Л. Е. Воробьев, — Ленинград: ЛПИ, 1988. —1. C. 103.
- Оптические свойства наноструктур / Л. Е. Воробьев, Е. Л. Ивченко, Д. А. Фирсов, В.А. Шалыгин- Под ред. Л. Е. Воробьев, — СПб.: Наука, 2001.- С. 188.
- Shah, J. Semiconductors probed by ultrafast laser spectroscopy / J. Shah, R.F. Leheny // Academic Press, New York — 1984, — P. 45.
- Shah, J. Radiative recombination from photoexcited hot carriers in GaAs / J. Shah, R.C.C. Lcitc // Physical Review Letters.- I960, — Vol. 22, no. 24. Pp. 1304−1307.
- Picosecond dynamics of hot carrier relaxation in highly excited multiquantum well structures / C.V. Shank, R.L. Fork, R. Yen et al. // Solid state communications. — 1983. — Vol. 47, no. 12. — Pp. 981−983.
- Energy-loss rates for hot electrons and holes in gaas quantum wells / J. Shah, A. Pinczuk, A.C. Gossard, W. Wiegmann // Physical review letters. 1985. — Vol. 54, no. 18. — Pp. 2045−2048.
- Absorption, emission, and gain spectra of 1.3 дга InGaAsP quaternary lasers / C. Henry, R. Logan, H. Tcmkin, F. Merritt // IEEE Journal of Quantum Electronics. 1983. — Vol. 19, no. 0. — Pp. 941−940.
- Разогрев электронов сильным продольным электрическим полем в квантовых ямах / Л. Е. Воробьев, С. Н. Данилов, В. Л. Зсрова, Д. А. Фирсов // Физика и техника полупроводников. — 2003.— Т. 37, № 5, — С. 604−611.
- Gupta, R. Hot-electron transport in GaAs quantum wells: effect of non-drifting hot phonons and interface roughness / R. Gupta, N. Balkan, B.K. Ridley // Semiconductor Science and Technology. — 1992.— Vol. 7, no. 3B. P. B274.
- Ridley, B.K. Hot phonons in high-field transport / B.K. Ridley // Semiconductor Science and Technology. — 1989. — Vol. 4, no. 12. — P. 1142.
- Huang, K. Long-wavelength optic vibrations in a superlattice / K. Huang, B.F. Zhu // Physical Review B. 1988. — Vol. 38, no. 3. — P. 2183.
- Пожела, Ю. Подвижность и рассеяние электронов на полярных оптических фононах в гетероструктурных квантовых ямах / Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцспе // Физика и техника полупроводников. — 2000. — Vol. 34, по. 9. — Pp. 1053−1057.
- К ash, J. A. Subpicosecond time-resolved Raman spectroscopy of LO phonons in GaAs / J.A. Kash, J.C. Tsang, J.M. Hvam // Physical review letters. 1985. — Vol. 54, no. 19. — Pp. 2151−2154.
- Гуревич, В.JI. Поглощение света свободными носителями при участии оптических фононов в квазидвумерных системах / B. J1. Гуревич, ДА. Паршин, К. Э. Штенгель // Физика твердого me.na. — 1988. — Т. 30, — С. 1466−1475.
- Оптические явления при разогреве электронов в системе квантовых ям GaAs/AlGaAs продольным электрическим полем / JI.E. Воробьев, С. Н. Данилов, Е. А. Зибик и др. // Физика и техника полупроводников. — 1995. — Т. 29, № 6. — С. 1136−1148.
- Мопетаг. В. Some optical properties of the Al (x)Ga (l-x)As alloys system / B. Monemar., K.K. Shih, G.D. Pettit // Journal of Applied Physics. 1976. — Vol. 47, no. 6. — Pp. 2604−2613.
- Strait on, R. The influence of interelectronic collisions on conduction and breakdown in polar crystals / R. Stratton // Proc. R. Soc. bond. A. — 19 August 1958. Vol. 246, no. 1246. — Pp. 406−422.
- Shah, Jagdeep. Photoexcited hot electrons and excitons in CdSe at 2 К / Jagdccp Shah // Phys. Rev. B. 1974. — Jan. — Vol. 9, no. 2. — Pp. 562 567.
- Соколова, З.Н. Расчеты вероятностей излунательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах / З. Н. Соколова, В. Б. Халфин // Физика и техника полупроводников. — 1989.— Т. 23, № 10. С. 1806−1812.
- Webster, W.M. On the variation of junction-transistor current-amplification factor with emitter current / W.M. Webster // Proceedings of the IRE. 1954. — Vol. 42, no. 6. — Pp. 914−920.
- Илуридзе, Г. H. Внутризониое поглощение антимопида галлия р-типа, / Г. Н. Илуридзе, А. Н. Титков, Е. М. Чайкина // Физика и техника полупроводников. — 1987. Т. 21, № 1. — С. 80−83.
- Continuous wave operated 3.2 mkm type-г quantum-well diode lasers with the quinary waveguide layer / G. Belenky, L. Shterengas, D. Wang et al. // Semiconductor science and technology. — 2009. — Vol. 24. — P. 115 013.
- Fraizzoli. S. Shallow donor impurities in GaAs-GaixAlxAs quantum-well structures: Role of the dielectric-constant mismatch / S. Fraizzoli, F. Bassani, R. Buczko // Phys. Rev. В. 1990.-Mar. — Vol. 41.- Pp. 50 965 103.