Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Магнитные взаимодействия в спиновых системах полупроводниковых гетероструктур

Диссертация: Магнитные взаимодействия в спиновых системах полупроводниковых гетероструктур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В гибридных системах ферромагнетик/полупроводник (ФМ/ПП) спин электронов полупроводника используется в роли детектора, считывающего информацию о состоянии магнитной пленки. Например, при инжекции через контакт ферромагнитный металл/полупроводник электроны полупроводника приобретают неравновесный спин, содержащий информацию о спине электронов в ферромагнетике. Электронный спин полупроводника… Читать ещё >

Магнитные взаимодействия в спиновых системах полупроводниковых гетероструктур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • I. Магнитные взаимодействия в полупроводниках и гибридных системах ферромагнетик/полупроводник (обзор литературы)
    • 1. 1. Основы оптической ориентации электронов и ядер в объемных полупроводниках типа GaAs
    • 1. 2. Тонкая структура экситонов в низкоразмерных полупроводниковых системах на основе арсенида галлия
    • 1. 3. Сверхтонкое взаимодействие и динамическая поляризация ядер в квантово-размерных системах
    • 1. 4. Магнитные взаимодействия в гибридных системах ферромагнетик/полупроводник
  • II. Методика эксперимента
    • II. 1. Объект исследования
    • II. 2. Экспериментальная установка поляризационной спектроскопии
  • III. Взаимосвязь спиновых систем ферромагнетика и полупроводника в гибридной системе ферромагнетик/полупроводник
    • III. 1. Детектирование рассеянных магнитных полей, обусловленных доменной структурой ферромагнитной пленки, с помощью «меченых» по спину электронов полупроводника
    • III. 2. Управление магнитными свойствами ферромагнитной пленки с помощью полупроводника. Явление фотокоэрцитивности
      • 111. 2. 1. Магнитопьезоэлектрический эффект

      111.2.2 Обменное взаимодействие электронов ферромагнетика и полупроводника.80 III.2.3. Фотоиндуцированная обменная анизотропия при циркулярно поляризованном освещении в гибридной системе ферромагнетик/полупроводник.

      IV. Тонкая структура квазинульмерных экситонов.

      IV. 1. Модель псевдоспина Vi светлых экситонов. Эксперименты по оптической ориентации и выстраиванию нульмерных экситонов.

      IV.2. Коллективные эффекты в ансамбле экситонов.

      IV.3. Тонкая структура темных экситонов. Ее проявление в легированных квантовых точках.

      V. Сверхтонкое взаимодействие в квантовых точках.

      V.l. Сверхтонкое взаимодействие экситонов, локализованных в нелегированных квантовых точках.

      V.2. Динамическая самополяризация ядер.

      V.3- Спонтанный циркулярный дихроизм в квантовой точке. 167 V.4. Легированные квантовые точки. Динамическая поляризация ядер и ее влияние на тонкую структуру светлых и темных экситонов.

Актуальность темы

Последние несколько лет отмечены небывалым ростом интереса к спиновым системам в полупроводниках и гибридах ферромагнетик/полупроводник. Успехи технологии сделали реальной перспективу интеграции магнитных материалов в полупроводниковую микроэлектронику. В результате в физике твердого тела возникло новое направление, получившее название «спинтроника». Главной фундаментальной задачей нового направления является изучение магнитных взаимодействий в полупроводниках и гибридных системах на их основе.

В гибридных системах ферромагнетик/полупроводник (ФМ/ПП) спин электронов полупроводника используется в роли детектора, считывающего информацию о состоянии магнитной пленки. Например, при инжекции через контакт ферромагнитный металл/полупроводник электроны полупроводника приобретают неравновесный спин, содержащий информацию о спине электронов в ферромагнетике. Электронный спин полупроводника перспективен и для хранения полученной информации, поскольку обладает долгим временем спиновой релаксации (порядка сотни наносекунд). С другой стороны интересно использовать полупроводник для управления магнитными свойствами магнитных пленок. Для решения этих задач крайне важно понимание физики магнитных взаимодействий вблизи интерфейса ФМ/ПП.

Другим направлением «спинтроники» является изучение возможности создания квантового компьютера, работа которого принципиальным образом отличается от работы обычного классического компьютера. В качестве базового элемента полупроводникового квантового компьютера предполагается использовать спин электрона, локализованного в квантовой точке (квантовый бит или кубит информации). Для успешной работы нового компьютера необходимо управлять спином одиночного электрона с помощью магнитных полей различной природы (однокубитные операции), равно как и обменным взаимодействием пары электронов (двухкубитные операции). При этом на первый план выходит сверхтонкое взаимодействие с ядрами решетки, которое существенно влияет на динамику ансамбля электронных спинов в квантовых точках. Статические флуктуации сверхтонкого поля ядер вызывают дефазировку электронной спин-системы. Дефазировку можно подавить, переведя ядра в полностью поляризованное состояние с помощью оптической накачки. Другой способ заключается в использовании эффекта спонтанного упорядочения спинов ядер (самополяризация ядер).

Работа спиновых устройств существенно связана с анизотропией магнитных взаимодействий, которая, в свою очередь, определяется симметрией островов, локализующих носители заряда. Информацию о симметрии точек можно получить с помощью метода поляризационной спектроскопии. Ключевым моментом в этом случае является анизотропия обменного взаимодействия электрона и дырки, создаваемых поляризованным светом в квантовой точке. Она тесно связана с симметрией квантовой точки и определяет поляризационные свойства излучения.

Научное направление, которое сформировалось в процессе выполнения комплекса исследований, легших в основу диссертации, — фотомагнетизм полупроводниковых гетероструктур и гибридных систем ферромагнетик/полупроводник.

Целью настоящей работы является экспериментальное и теоретическое исследование магнитных взаимодействий вблизи интерфейса ферромагнетик/полупроводник, сверхтонкого взаимодействия ядер с квазинульмерными электронами и экситонами, а также анизотропного обменного взаимодействия между электроном и дыркой, локализованными в квантовой точке.

В качестве объектов исследований были выбраны арсенид галлия п-типа для создания гибридных структур ферромагнетик/полупроводник и квантово-размерные структуры типа ОаАз/АЮаАв, 1пР/1пОаР, ТпА^/АЮаАБ.

В настоящей работе мы использовали метод поляризационной спектроскопии, позволяющей измерять все параметры Стокса, характеризующие поляризованную люминесценцию. В свою очередь, знание поляризации люминесценции позволяет судить о поляризации носителей заряда и экситонов в полупроводниках. При анализе экспериментальных результатов были использованы теория магнетизма магнитоупорядоченных систем, метод эффективного спина (псевдоспина) и теория динамической поляризации ядер.

Научная новизна работы заключается в том, что в ней впервые.

— обнаружен ферромагнетизм интерфейса в гибридной системе ЫЬЧЗаАзрассеянные магнитные поля интерфейса были детектированы с помощью метода оптической ориентации электронов в полупроводнике;

— обнаружено воздействие полупроводника на ферромагнетик, заключающееся в явлении фотокоэрцитивности — изменении коэрцитивной силы интерфейса МЬ^ЗаАз при оптическом возбуждении арсенида галлия;

— предложена модель обменной связи полупроводника и ферромагнетика, позволившая описать явление фотокоэрцитивности и предсказать эффект намагничивания ферромагнетиков оптически ориентированными электронами полупроводника;

— предложена модель, описывающая оптически активные квазинульмерные экситоны как квазичастицы с псевдоспином Уг и позволяющая наглядно интерпретировать их тонкую структуру и полный набор экспериментов по поляризационной спектроскопии экситонов в нелегированных наноструктурах;

— обнаружена тонкая структура оптически неактивных экситонов в легированных квантовых точках с помощью оптической ориентации комплексов из двух электронов и дырки (трионов);

— предложена модель динамической поляризации ядер квазинульмерными экситонами, объясняющая гигантское подавление эффекта Оверхаузера в квантовых точках;

— предсказан эффект самополяризации ядер, взаимодействующих с экситонами в квантовых точках, в основе которого лежит пересечение спиновых уровней экситона в эффективном поле ядер;

— обнаружено влияние ядерного поля на оптически активные и неактивные экситоны в легированных квантово-размерных островах 1пР, что позволило определить ц-фактор тяжелой дырки в острове.

Научная и практическая значимость работы заключается в том, что полученные в ней результаты имеют фундаментальное значение для построения теории магнетизма гибридных систем ферромагнетик/полупроводник, а также теории магнитных взаимодействий в полупроводниковых наноструктурах. Результаты, полученные в диссертации, могут стать основой новых устройств спиновой электроники. На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Ферромагнитный интерфейс в гибридной системе ШваЛв создает рассеянные магнитные поля, которые влияют на оптическую ориентацию электронов в полупроводнике ваАз.

2. Полупроводник воздействует на ферромагнетик, что приводит к явлению фотокоэрцитивности — изменению коэрцитивной силы интерфейса №/ОаАз при оптическом возбуждении полупроводника в гибридной структуре ферромагнетик/полупроводник.

3. Модель обменной связи полупроводника и ферромагнетика позволяет описать явление фотокоэрцитивности и предсказать эффект намагничивания ферромагнетиков оптически ориентированными электронами полупроводника.

4. Теоретическая модель, описывающая оптически активные квазинульмерные экситоны как квазичастицы с псевдоспином 1А, позволяет наглядно интерпретировать их тонкую структуру и полный набор экспериментов по поляризационной спектроскопии экситонов в нелегированных наноструктурах.

5. Тонкая структура оптически неактивных экситонов проявляется в легированных квантовых точках при оптической ориентации комплексов из двух электронов и дырки (трионов).

6. Модель динамической поляризации ядер квазинульмерными экситонами объясняет гигантское подавление эффекта Оверхаузера в квантовых точках.

7. Пересечение спиновых уровней экситона в квантовой точке в эффективном магнитном поле ядер приводит к спонтанной поляризации (самополяризации) ядер.

8. Сверхтонкие поля динамически поляризованных ядер в квантово-размерных островах, действующие на оптически активные и неактивные экситоны, различаются в меру экситонных g-факторов, что позволяет определить g-фактор тяжелой дырки в острове.

Апробация работы. Результаты диссертации докладывались на International Magnetics Conference (San Antonio 1995), 15th General Conf. of the Condensed Matter Division (Baveno-Stresa 1996), 23rt International Symposium on Compound Semiconductors (S.Petersburg 1996), Optics of excitons in Condensed Matter International Conference (St.Petersburg, 1997), 24th International Conference on Physics of Semiconductors (Jerusalem, 1998), NATO Advanced Research Workshop (Ustron-Jaszowiec 1999), International Conference on Semiconductor Quantum Dots (Munich 2000), APS meeting (Seattle 2001), 9th International Symposium «Nanostructures: Physics and Technolodgy» (St. Petersburg, 2001), а также на семинарах в лабораториях отечественных и зарубежных научных учреждений.

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 21 печатной работе [А1-А21], перечень которых приведен в конце диссертации.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка работ автора из 21 наименований и списка цитированной литературы из 87 наименований. Объем диссертации — 200 страниц, включая 36 рисунков.

Основные результаты опубликованы в работах [А1-А21] и сводятся к следующему:

1. Обнаружен ферромагнетизм интерфейса в гибридной системе МЛЗаАБрассеянные магнитные поля интерфейса были детектированы с помощью метода оптической ориентации электронов в полупроводнике.

2. Обнаружено воздействие полупроводника на ферромагнетик, заключающееся в явлении фотокоэрцитивности — изменении коэрцитивной силы интерфейса КИ/ОаАэ при оптическом возбуждении арсенида галлия.

3. Предложена модель обменной связи полупроводника и ферромагнетика, позволившая описать явление фотокоэрцитивности и предсказать эффект намагничивания ферромагнетиков оптически ориентированными электронами полупроводника.

4. Предложена модель, описывающая оптически активные квазинульмерные экситоны как квазичастицы с псевдоспином 14 и позволяющая наглядно интерпретировать их тонкую структуру и полный набор экспериментов по поляризационной спектроскопии экситонов в нелегированных наноструктурах.

5. Обнаружена тонкая структура оптически неактивных экситонов в легированных квантовых точках с помощью оптической ориентации комплексов из двух электронов и дырки (трионов).

6. Предложена модель динамической поляризации ядер квазинульмерными экситонами, объясняющая гигантское подавление эффекта Оверхаузера в квантовых точках.

7. Предсказан эффект самополяризации ядер, взаимодействующих с экситонами в квантовых точках, в основе которого лежит пересечение спиновых уровней экситона в эффективном поле ядер.

8. Обнаружено влияние ядерного поля на оптически активные и неактивные экситоны в легированных квантово-размерных островах 1пР, что позволило определить д-фактор тяжелой дырки в острове.

Работа выполнена в лаборатории оптики полупроводников Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе и соответствует тематике исследований, проводимых в институте.

Я искренне признателен заведующему лабораторией академику Б. П. Захарчене за активную поддержку работы и за интересные обсуждения.

Особую признательность я хотел бы выразить Р. И. Джиоеву, совместно с которым проведены эксперименты, а также И. А. Меркулову, теоретическую поддержку которого трудно переоценить.

Сердечно благодарю В. К. Калевича и В. Г. Флейшера, под руководством которых начиналась моя научная деятельность в ФТИ им. Иоффе.

Мне хотелось бы персонально поблагодарить за тесное сотрудничество и плодотворные обсуждения И. Г. Аксянова, JI.C. Власенко, М. И. Дьяконова, E.JI. Ивченко, К. В. Кавокина, Ю. Г. Кусраева, A.B. Кудинова, М. В. Лазарева, В. Ф. Сапегу и М. Н. Ткачука. Большое спасибо моим коллегам из Naval Research Lab (USA) Д. Гэмону (D. Gammon), Ал.Л. Эфросу (ALL. Efros), Д. Тишлеру (J. Tishler), А. Брэкеру (A. Bracker) за сотрудничество, которое стало особенно плодотворным в последние годы.

Я приношу глубокую благодарность соавторам работ, составивших содержание диссертации, коллективу лаборатории и моим коллегам по ФТИ, чье дружеское внимание и поддержка способствовали выполнению работы.

Я благодарен Российскому фонду фундаментальных исследований, Американскому фонду гражданских исследований и фонду «Физика твердотельных наноструктур» за поддержку проведенных исследований.

Заключение

.

В настоящей работе проведен цикл исследований магнитных взаимодействий вблизи интерфейса ферромагнетик/полупроводник, сверхтонкого взаимодействия ядер с квазинульмерными электронами и экситонами, а также анизотропного обменного взаимодействия между электроном и дыркой, локализованными в квантовой точке. Нами использовался метод поляризационной спектроскопии, позволяющей измерять все параметры Стокса, характеризующие поляризованную люминесценцию. В свою очередь, знание поляризации люминесценции позволяет получить исчерпывающую информацию о спиновой поляризации носителей заряда и экситонов в полупроводниках, а также о магнитных взаимодействиях в полупроводниках и полупроводниковых гибридах. При анализе экспериментальных результатов мы опирались на теорию оптической ориентации и динамической поляризации ядер, теорию магнитоупорядоченных систем, а также метод эффективного спина (псевдоспина).

Показать весь текст

Список литературы

  1. А1. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, П. А. Иванов, В. Л. Коренев. Детектирование намагничешюсти ферромагнитной пленки в структуре Ni/GaAs по поляризации электронов полупроводника Письма в ЖЭТФ 60, в.9, с.650−654 (1994)
  2. А2. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев Исследование тонких ферромагнитных пленок в структуре ферромагнетик/полупроводник методом оптической ориентации ФТТ 37, в.11, с.3510−3522 (1995).
  3. A4. В. Л. Коренев Влияние обменного связывания ферромагнитной пленки с полупроводником на коэрцитивную силу пленки. ФТТ 38, в. З, с.910−917 (1996).
  4. A7. V.L.Korenev Photoinduced exchange anisotropy in a ferromagnet/semiconductor hybrid. Solid State Communications 102, n. l, p.13−16 (1997).
  5. A9. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, Е. Л. Ивченко, В. Л. Коренев, Ю. Г. Кусраев, Н. Н. Леденцов,
  6. B.М.Устинов, А. Е. Жуков, А. Ф. Цацульников. Тонкая структура экситонов в квантовых точках. Письма в ЖЭТФ 65, в. 10, с.766−771 (1997).
  7. A12. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, Е. Л. Ивченко, В. Л. Коренев, Ю. Г. Кусраев, Н. НЛеденцов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, А. Ф. Цацульников. Оптическая ориентация и выстраивание экситонов в квантовых точках. ФТТ 40, в.5, с.858−861 (1998).
  8. А13. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, ВЛ. Коренев, П. Е. Пак, Д. А. Винокуров, О. В. Коваленков, И. С. Тарасов. Оптическая ориентация экситонов, связанных на донорах, в квантово-размерных островах InP/InGaP. ФТТ 40, в.9, с.1745−1752 (1998).
  9. Nanostructures, NATO Science Series Eds M. Sadowski, M. Potemski, M. Grynberg, Series 3. High Technology 81, p.431−434 (1999).
  10. A16. В. Л. Коренев. Динамическая самополяризация ядер в низкоразмерных системах. Письма в ЖЭТФ 70, в.2, с. 124−129 (1999).
  11. А17. Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев, М. В. Лазарев. Взаимодействие экситонной и ядерной спиновых систем в самоорганизованном ансамбле кванотово-размерных островов InP/InGaP. ФТТ 41, в.12, с.2193−2199 (1999).
  12. A20. D. Gammon, T.A. Kennedy, M. Rosen, D.S. Katzer, S.W. Brown, ALL. Efros, V.L. Korenev, I.A. Merkulov Electron and nuclear spin interactions in the optical spectra of single GaAs quantum dots Phys.Rev.Lett. 86, N.22, p.5176−5179 (2001).
  13. G. Lampel. Nuclear dynamic polarization by optical pumping and electronic saturation in semiconductors. Phys. Rev. Lett. 20 491−493 (1968).
  14. R.R. Parsons. Band-to-band optical pumping in solids and polarized photoluminescence. Phys. Rev. Lett. 23 1152−1154 (1969).
  15. Б.П. Захарченя, В. Г. Флейшер. Оптическая ориентация и охлаждение системы спинов в полупроводниках. Природа 5 56−67 (1978)
  16. Р.И.Джиоев, Б. П. Захарченя, В. Л. Коренев, М. Н. Степанова. Диффузия спина оптически ориентированных электронов и переизлучепие в арсениде галлия п-типа. ФТТ 39 (11) 1975−1979(1997).
  17. М.И. Дьяконов, В. И. Перель. Оптическая ориентация в системе электронов и ядер решетки в полупроводниках. Теория. ЖЭТФ 65, в.1 с.362−376 (1973)
  18. S.I. Erlingsson, Yu.V. Nazarov, and V.I. Fal’ko. Nucleus-mediated spin-flip transitions in GaAs quantum dots Phys. Rev. В 64, 195 306 (2001).
  19. М.И. Дьяконов, В. И. Перель. Охлаждение системы ядерных спинов при оптической ориентации электронов в полупроводниках. ЖЭТФ 68 1514−1519 (1975).
  20. С. Weisbuch, С. Hermann. Optical detection of conduction-electron spin resonance in GaAs, GalnAs, and GaAlAs. Phys.Rev.B 15 816−822 (1977).
  21. C. Weisbuch and B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures: Fundamentals and applications. Academic Press, 1991.
  22. S.V. Goupalov, E.L. Ivchenko, A.V. Kavokin, Fine structure of localized exciton levels in quantum wells J. Exp. andTheor. Phys. 86,388−394 (1998) — JETP Lett. 65, 804 (1997).
  23. D. Gammon, E.S. Snow, B.V. Shanabrook, D.S. Katzer, and D. Park, Fine structure splitting in the optical spectra of single GaAs quantum dots Phys. Rev. Lett. 76,3005−3008 (1996).
  24. M.Z. Maialle, E.A. Andrade de Silva, L.J. Sham. Exciton Spin Dynamics in Quantum Wells Phys. Rev. В 47,15 776−15 778 (1993).
  25. E. Blackwood, M.J. Snelling, R.T. Harley, S.R. Andrews, C.T.B. Foxon, Exchange interaction of excitons in GaAs heterostructures Phys. Rev. В 50,14 246−14 254 (1994).
  26. H.W. Van Kesteren, E.C. Cosman, W.A.J.A. van der Poel, C.T. Foxon, Fine structure of excitons in type-II GaAs/AlAs quantum wells Phys. Rev. В 41, 5283−5292 (1990).
  27. S. Glasberg, H. Shtrikman, I. Bar-Joseph, P.C. Klipstein, Exciton exchange splitting in wide GaAs quantum wells Phys. Rev. В 60, R16295-R16298 (1999).
  28. M. Bayer, O. Stern, A. Kuther, and A. Forchel, Spectroscopic study of dark excitons in InxGaj-xAs self-assembled quantum dots by a magnetic-field-induced symmetry breaking Phys. Rev. В 61, 7273−7276 (2000).
  29. J. Puls, M. Rabe, H.-J. Wunsche, and F. Henneberger, Magneto-optical study of the exciton fine structure in self-assembled CdSe quantum dots Phys. Rev. В 60, R16303-R16306 (1999).
  30. E.L. Ivchenko, Fine structure of excitonic levels in semiconductor nanostructures Phys. Stat. Sol. (a) 164,487−492 (1997).
  31. Т. Takagahara, Theory of exciton doublet structures and polarization relaxation in single quantum dots Phys. Rev. В 62, 16 840−16 855 (2000).
  32. П.Г. Баранов, B.A. Ветров, Б. Р. Намозов, Н. Г. Романов. Оптическая ориентация экситонов, индуцированная антикроссингом энергетических уровней и кросс-релаксацией в сверхрешетках GaAs/AlAs типа I. Письма в ЖЭТФ 61 774−779 (1995).
  33. В.К.Калевич, ВЛ. Коренев, О. М. Федорова. Оптическая поляризация ядер в GaAs/AlGaAs квантово-размерных структурах. Письма в ЖЭТФ 52, в.6 с.964−968 (1990).
  34. В.К. Калевич, B.JI. Коренев. Анизотропия электронного g-фактора в квантовых ямах GaAs/AlGaAs. Письма в ЖЭТФ 56 257−263 (1992)
  35. G.Salis, D.D.Awschalom, Y. Ohno, H.Ohno. Origin of enhanced dynamic nuclear polarization and all-optical nuclear magnetic resonance in GaAs quantum wells. Phys. Rev. B 64 195 304 (2001)
  36. A. Malinowski, M.A. Brand, R.T. Harley. Nuclear effects in ultrafast quantum well spin dynamics. Physica E 10 13−16 (2001).
  37. S.W. Brown, T.A. Kennedy, D. Gammon, E.S. Snow. Spectrally resolved Overhauser shifts in single GaAs/AlGaAs quantum dots. Phys. Rev. В 54 R17339-R17342 (1996)
  38. D. Gammon, S.W. Brown, E.S. Snow, T.A. Kennedy, D.S. Katzer, D. Park. Nuclear spectroscopy in single quantum dots: nanoscopic Raman scattering and nuclear magnetic resonance Science 277, 88 (1997).
  39. G.A. Prinz. Magnetoelectronics. Science 282, 1660−1663 (1998)
  40. D. Grundler. Spintronics. Physics World April p.39 (2002)
  41. J.M.Kikkawa, D.D.Awschalom. Resonant spin amplification in n-type GaAs. Phys.Rev.Lett. 80 4313−4316 (1998) — Р. И. Джиоев, Б. П. Захарченя, B.JI. Коренев, и др. Долгие времена спиновой памяти электронов в арсениде галлия. Письма в ЖЭТФ 74 200−204 (2001)
  42. Р.И. Джиоев. Перенос спина и долгие времена спиновой релаксации в полупроводниках. Диссертация на соискание ученой степени доктрора физ.-мат. наук. С. Петербург, 2003
  43. R.K. Kawakami et al. Ferromagnetic imprinting of nuclear spins in semiconductors. Science 294 131−134 (2001).
  44. C. Ciuti, J.P. McGuire, L.J. Sham. Spin polarization of semiconductor carriers by reflection off a ferromagnet. Phys.Rev.Lett. 89 156 601 (2002)
  45. И.А. Меркулов, Г. Г. Самсонидзе. Влияние циркулярно поляризованного света на доменную структуру магнитных полупроводников. ФТТ22,2437 (1980)
  46. М.М. Афанасьев, М. Е. Компан, И. А. Меркулов. Оптическая ориентация в ферромагнитном сульфиде европия. ЖЭТФ 71 2068−2076 (1976)
  47. S.Koshihara, A. Oiwa et al. Ferromagnetic order induced by photogenerated carriers in magnetic III-V semiconductor heterostructures of (In, Mn) As/GaSb. Phys.Rev.Lett. 78 4617−4620 (1997).
  48. A.Shen et al. Epitaxy of (Ga, Mn) As, a new diluted magnetic semiconductor based on GaAs J. Crystal Growth 175/176 1069 (1997)
  49. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц. Электродинамика сплошных сред. Т. VIII, Наука (1992) — Л. Д. Ландау, Е. М. Лифшиц. К теории дисперсии магнитной проницаемости ферромагнитных тел. Phys. Zs. Sowjet., 8 153 (1935).
  50. С. Тикадзуми Физика ферромагнетизма: Пер. с япон. / Под ред. Р. В. Писарева. М.:Мир, т.2 (1987).
  51. А.Ф. Цацульников и др. Модуляция потенциала квантовой ямы с помощью массива квантовых точек. ФТП31 109−113 (1997)
  52. О.В. Коваленков, Д. А. Винокуров, Д. А. Лившиц, И. С. Тарасов, Н. А. Берт, С. Г. Конников, Ж. И. Алферов. 2-ая Российская конференция по физике полупроводников, 26 февраля-1 марта 1996 года,(Зеленогорск, Россия), Тезисы докладов, Т. 1, с. 41.
  53. Р.И.Джиоев и др. Исследование диффузионного и излучотельного электронного транспорта в p-GaAs методом оптической ориентации. ФТТ 36 2752−2762 (1994).
  54. S.NJasperson, S.E.Shnattarly. An improved method for high reflectivity ellipsometry based on a new polarization modulation tecnique. Rev. Sci. Instruments 40 761−767 (1969).
  55. В.Д.Кульков, В. К. Калевич. Высокочувствительный анализатор циркулярной поляризации света. ПТЭ 5 196−198 (1980)
  56. К.Блум. Теория матрицы плотности и ее приложения. Москва, Мир 1984.
  57. A. Lahav, М. Eizenberg, Y. Komem, Interfacial reactions between Ni films and GaAs. J.Appl.Phys. 60, 991−1001 (1986).
  58. G. Bochi, H. J. Hug, D. I. Paul, B. Stiefel, A. Moser, I. Parashikov, H.-J. Guntherodt, and R. C. O’Handley. Magnetic domain structure in ultrathin films. Phys. Rev. Lett. 75 1839−1842 (1995).
  59. ЭЛ.Нагаев, Физика магнитных полупроводников, М.:Наука, 1979.
  60. Зи. С. Физика полупроводниковых приборов: Пер. с англ. / Под ред. Р. А. Суриса. М.:Мир, 1984.
  61. Акустические кристаллы / под ред. М. П. Шаскольской. М.: Наука 1982.
  62. Г. С. Кринчик. Физика магнитных явлений, 2-е изд., дополн. М.:Изд-во МГУ, 1985
  63. Р. Бозорт. Ферромагнетизм: Пер. с англ. / Под ред. Е. И. Кондорского и Б. Г. Лившица. М.:ИЛ, 1956.
  64. М.А.Кривоглаз, Флуктуонные состояния электронов. УФН 111 617−654 (1973).
  65. ВЛ.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников, Физика полупроводников, М.:Наука, 1977.
  66. Л.Д. Ландау, Е. М Лифшиц. Механика М., Наука, 1979.
  67. M.W.J.Prins, RJansen, H. van Kempen, Spin-polarized tunneling with GaAs tips in scanning tunneling microscopy. Phys. Rev. В 53, 8105−8113 (1996).
  68. R.P. Feynman, F.L. Vernon, R.W. Helwarth, Geometrical representation of the Schrodinger equation for solving maser problems. J. Appl. Phys. 28,49−52 (1957).
  69. Р.Ф.Фейнман, РЛейтон, М.Сэндс. Фейнмановские лекции по физике. 8−9 с. 105 Москва: Мир (1978)
  70. У. Шерклифф. Поляризованный свет, Мир (1965).
  71. М. Paillard, X. Marie, P. Renucci, Т. Amand, A. Jbeli, J.M. Gerard, Spin Relaxation Quenching in Semiconductor Quantum Dots Phys.Rev.Lett. 86, 1634−1637 (2001).
  72. A.F. Tsatsulnikov, A.Yu. Egorov, A.E. Zhukov, A.R. Kovsh et al., Modulation of a quantum well potential by a quantum dot array. Semiconductors 31 88 (1997).
  73. Л.Д. Ландау, E.M. Лифшиц. Теоретическая физика. Квантовая механика. Нерелятивистская теория. Том III, Наука 1989.
  74. А.В.Ларионов, В. Б. Тимофеев и др. Коллективное поведение межъямных экситонов в GaAs/AlGaAs двойных квантовых ямах. Письма в ЖЭТФ 71 174−181 (2000).
  75. L.Vina, M.D.Martin, G.Aichmayr. Spin dynamics and spin-dependant interactions in semiconductor heterostructures. PhysicaB 298 376−383 (2001)
  76. J. Fernandez-Rossier et al. Polarized interacting exciton gas in quantum wells and bulk semiconductors. Phys. Rev. В 54 11 582 (1996)
  77. E.P. Wohlfarth. Ferromagnetic Materials. V.1,2 North Holland Publishing Co., Amsterdam, 1980.
  78. L.G.Lagoudakis, et al. Stimulated spin dynamics of polaritons in semiconductor microcavities Phys.Rev. В 65 R161310 (2002)
  79. P. Castrillo, D. Hessman, М.-Е. Pistol, С. Pryor, N. Carlsson, W. Seifert, and L. Samuelson. 23rd International Conf. on the Phys. of Semicond. Optical properties of individual InP quantum dots. 2 1421−1424 (1996), Berlin.
  80. Л) 80. A.A.Sirenko, T. Ruf, A. Kurtenback and K.Eberl. 23rd International Conf. on the Phys. of Semicond. Spin-flip Raman scattering in InP/InGaP quantum dots. 2 1385−1388 (1996) Berlin.
  81. М.И.Дьяконов, В. И. Перель. Динамическая самополяризация ядер в твердых телах. Письма в ЖЭТФ 16, в. Ю с.563−566 (1972).
  82. М.И.Дьяконов. Об оптической регистрации динамической самополяризации ядер в полупроводниках. ЖЭТФ 67, в.4, с.1500−1505 (1974).
  83. И.А. Меркулов. Спиновые системы квантовых точек. УФН 172, в. 12 с. 1−4 (2002)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!