Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии

Диссертация: Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В результате проведения настоящей работы получены важные характеристики электронной структуры поверхности соединений Я 2 В б • Исследование группы халькогенидов цинка и кадмия методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии позволило экспериментально определить особенности энергетического распределения плотности электронных состояний зоны проводимости ниже уровня вакуума — области… Читать ещё >

Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА I. ЭНЕРПЗТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА flzB
  • И ЕЕ ЭКСПЕРИЖНТАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ
    • I. I. Характер электронной связи и кристаллическая структура соединений fl2. Be Ю
      • 1. 2. Зонные структуры соединений АЛ
      • 1. 3. Особенности электронной структуры поверхности соединений Вб
      • 1. 4. Экспериментальное исследование электронной энергетической структуры объема и поверхности
        • 1. 4. 1. Исследование соединений оптическими методами
        • 1. 4. 2. Фотоэлектронные исследования
        • 1. 4. 3. Исследование соединений группы ^г^б методами вторично-электронной спектроскопии
      • 1. 5. Выводы и постановка задачи
  • ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОСКОПИИ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И УСЛОВИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
    • 2. 1. Физические основы методов низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии
      • 2. 1. 1. Проявление электронной структуры твердого тела в спектроскопии характеристических потерь энергии электронов
      • 2. 1. 2. Особенности проявления энергетической структуры зон в спектрах полного^тока
      • 2. 1. 3. Определение особенностей функции J/v (В) и j/z (Е) из совместного анализа данных ОПТ и СХПЭ
      • 2. 1. 4. Определение особенностей функции *Л/С (?) из совместного анализа данных ОПТ и фотоэмиссионной спектроскопии
      • 2. 1. 5. Особенности проявления в спектрах полного тока порогов возбу? кдения внутренних электронных уровней атомов
      • 2. 1. 6. Определение методом СПТ изменений работы выхода
    • 2. 2. Экспериментальная установка
      • 2. 2. 1. Вакуумная часть
      • 2. 2. 2. Электрическая схема спектрометра полного тока
      • 2. 2. 3. Спектрометр вторичных электронов
    • 2. 3. Выводы
  • ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СУЛЬФИДА КАДМИЯ МЕТОДАМИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
    • 3. 1. Исследование особенностей энергетической структуры плотностей валентных и незаполненных состояний
      • 3. 1. 1. Сравнительный анализ спектров различных поверхностей CdS
      • 3. 1. 2. Определение структуры плотностей состояний зоны проводимости CdS с использованием данных ФЭС
      • 3. 1. 3. Определение структуры плотности состояний зоны проводимости CdS из совместного анализа данных СПТ и СХПЭ
    • 3. 2. Проявление d- состояний кадмия в спектрах полного тока
    • 3. 3. Проблема регистрации сильносвязанных состояний атомов в методе СПТ
    • 3. 4. Электронная структура поверхности CJS со сниженной работой выхода П
    • 3. 5. Выводы I2Q
  • ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РЯДА СОЕДИНЕНИЙ ГРУППЫ Я2В6: CdSe, CdTe, 7nS, ZnSe
    • 4. 1. Исследование селенида и теллурида кадмия
    • 4. 2. Исследование халькогенидов цинка
    • 4. 3. Сводка результатов по исследованию распределения плотности состояний соединений
    • 4. 4. Выводы
  • ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ йг Вб, РАЗУП0РЯ-ДОЧЕННОЙ ПРИ ИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
    • 5. 1. Влияние разупорядоченности кристаллической структуры на распределение плотности электронных состояний
    • 5. 2. Исследование методом СПТ влияния ионной бомбардировки Йг на структуру электронных состояний
      • 5. 2. 1. Экспериментальные результаты
      • 5. 2. 2. Обсуждение результатов
    • 5. 3. Выводы

Исследование электронной структуры поверхности является важным направлением современной физики твердого тела. Это связано с одной стороны с определяющей ролью поверхности в ряде физических и физико-химических процессов (адсорбция, электронная эмиссия, катализ), а с другой — с миниатюризацией современных электронных приборов и с необходимостью учета в связи с этим специфики поведения электронов в приповерхностных слоях.

До настоящего времени усилия специалистов были в основном направлены на исследование традиционных базовых материалов электронных приборов — кремния и германия. В последние годы, однако, значительно возрос интерес к изучению электронной структуры поверхности широкого класса веществ, в том числе и полупроводниковых соединений группы /?2 В6. Соединения / считаются перспективными для создания приборов с зарядовой связью, барьеров Шоттки, различных гетероструктур, а также акустоэлектронных и оптоэлектронных преобразователей [i]. Халъ-когениды цинка, например, считаются наиболее перспективным-': материалам дош создания инжекционных излучателей с большим квантовым выходом в голубой и ультрафиолетовой областисульфид и селенид кадмия используются в фотоприемных устройствах, а теллу-рид кадмия применяется в детекторах Ж излучения.

Основными препятствиями более широкого применения соединений являются технологические сложности получения материалов с воспроизводимыми свойствами, а также явление дефектной самокомпенсации, затрудняющее инверсию типа проводимости при использовании традиционного метода термодиффузии легирующих примесей. В настоящее время наметились пути преодоления этих трудностей, причем поиск решения’проблемы ведется как в направлении получения образцов в виде эпитаксиальных пленок, так и в направлении изучения возможности использования ионного легирования для управления свойствами кристаллов. В связи с этим вызывает интерес исследование электронных свойств структур с разупорядоченной кристаллической решеткой.

Если объемные электронные энергетические структуры совершенных кристаллов изучены достаточно подробно [2], то исследование влияния поверхности, а также различных нарушений кристаллической решетки на спектр электронных состояний этих соединений еще только начинается. Использование современных методов квантово-химического описания взаимодействия валентных электронов позволяет рассчитывать электронные энергетические структуры твердых тел как в объеме, так и в приповерхностной области, при этом могут быть учтены эффекты релаксации и реконструкции поверхностных атомов [з] .

Проведенные расчеты показали, что электронная структура приповерхностной области шяет существенно отличаться от объемной, причем глубина слоя, в котором проявляется возмущающее действие поверхности зависит от характера электронной связи атомов кристалла. В случае Й2 Bg «дая которых характерен смешанный ионно-ковалентный тип связи можно ожидать проявления ряда специфических свойств.

В настоящее время становится актуальной задача эксперимен-тальногоисследования электронной структуры поверхности. Перспективно для этой цели использование низкоэнергетических вторично-электронных методов — спектроскопии характеристических потерь энергии и спектроскопии полного тока —, для которых характерна малая (несколько атомных слоев) глубина анализа и, следовательно, высокая чувствительность к свойствам поверхности. В обоих методах проявляется структура валентных и свободных состояний, что позволяет использовать их как инструмент анализа и контроля электронной структуры чистых и подвергнутых различного рода воздействиям поверхностей.

Комплексные исследования электронной структуры поверхности соединений группы методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии ранее не проводились.

Задачей настоящей работы было исследование вторично-электронными методами особенностей структуры валентных и незаполненных состояний вблизи уровня Ферми у ряда соединений Яг^Б, а также изучение влияния адсорбции и ионного воздействия на электронную структуру поверхности этих соединений.

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения. В главе I дается анализ известных из литературы экспериментальных и теоретических данных, касающихся исследования электронной структуры объема и поверхности соединений группы R2 В в «рассмотрены особенности проявления электронных состояний в оптических, фотоэлектронных и вторично-электронных измерениях.

5.3. Выводы.

1. Исследовано влияние бомбардировки й г*, 300 эВ на электронную структуру приповерхностной области соединений.

Й1 8б. Нарушение крист аллической структуры приводит к ослаблению контраста тонкой структуры спектров, что говорит о сглаживании формы энергетической зависимости плотности электронных состояний. Наиболее значительным, изменениям подвержены валентные состояния и состояния зоны проводимости, образованные гибридиз овэнными орбит алями.

2. Обнаружены отличия в характере изменения структуры спектров при ионном воздействии на различные грани CdS .В случае грани (0001) наблюдается формирование на поверхности фасеточной структуры.

3. Обнаружено, что ионная бомбардировка йг&в не привотс q дит к формированию аморфного слоя даже при дозах ~ 2.10 ем. Это связано с эффектом распыления поверхности ионными пучками, а также с низкой температурой отжига простейших точечных дефектов В £>б •.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проведения настоящей работы получены важные характеристики электронной структуры поверхности соединений Я 2 В б • Исследование группы халькогенидов цинка и кадмия методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии позволило экспериментально определить особенности энергетического распределения плотности электронных состояний зоны проводимости ниже уровня вакуума — области труднодоступной для экспериментального исследования. Наряду с изучением чистых поверхностей кристаллов и полученных in siXu пленок соединений /}2. 8g, проведено исследование влияния адсорбционного (Cs) и ионного воздействия на электронные состояния поверхности.

Анализ всего комплекса, полученных в настоящей работе данных позволяет заключить следующее.

1. На примере монокристаллических образцов сульфида кадмия показано, что совместное применение двух вторично-электронных методов — СПТ и СХПЭ — позволяет определить особенности энергетической структуры валентных и незаполненных состояний без привлечения данных фотоэмиссионных исследований.

2. Анализ спектров полного тока полярных граней и тонких пленок CclS показал, что в энергетическом диапазоне 0,5 -8 эВ спектры отражают электронную структуру «объема» соединения, в то время как при больших энергиях проявляются особенности электронной структуры поверхности.

3. Спектры полного тока всех исследованных соединений группы й^&б допускают единую трактовку особенностей на основании модели взаимного влияния каналов упругого и неупругого рассеяния.

Показано, что в зоне проводимости всех исследованных соединений AgBg имеются области экстремальной плотности электронных состояний и найдено их энергетическое положение. Отличие спектров полного тока халькогенидов кадмия и цинка связано с различным положением второго максимума плотности незаполненных состояний относительно уровня вакуума.

5. Структура спектров полного тока в энергетическом диапазоне 10 — 100 эВ связана с порогами эмиссии электронов внутренних уровней, а также с дифракционным рассеянием электронов. Значительное ослабление дифракционной структуры при нагревании и нарушении поверхности позволяет разделить особенности различной природы, что открывает возможность применения СПТ для элементного анализа состава поверхности.

6. Исследование цезированной поверхности сульфида кадмия показало, что наряду с электронной структурой адсорбата и подложки в спектрах полного тока проявляются индуцированные электронные состояния интерфейса.

7. Исследовано влияние ионного воздействия fir на электронную структуру поверхности соединений AgBg — показано, что нарушение кристаллической структуры приводит к сглаживанию тонкой структуры спектров полного тока.

8. Обнаружено, что ионная бомбардировка AgBg не приводит к образованию амортизированного слоя даже при дозах облучения~ 2. IQ16 см" 2.

В заключение автор выражает глубокую благодарность своему научному руководителю Сергею Александровичу Комолову за предоставление темы, постоянный интерес к работе, помощь и поддержку при выполнении исследований и обсуждении результатов.

Автор выражает благодарность руководителю лаборатории электроники поверхности твердого тела О. М. Артамонову за постоянное внимание и помощь в работе.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А.Н. Широкозонные полупроводники А^В^ и перспективы их применения. У®-, 1974, т. ПЗ, вып.1, с. 129 — 155.
  2. Физика и химия соединений AgBg. М., Мир, 1970.
  3. У. Электронная структура и свойства твердых тел. М., Мир, 1983.
  4. Л. Природа химической связи. М.-Л., Госхимиздат, 1947.
  5. Ч. Введение в физику твердого тела. М#, Наука, 1978.
  6. С.И., Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зонная структура соединений А^В^ . I. Расчет МОПВ методом и интерпретация. Физ. и Техн. полупроводников, 1980, т.14, с. 1315 1323.
  7. С.И., Фарберович О. В., Домашевская Э. П. Зонная структура соединений AgBg . П. Влияние d-состояний металла. Физ. и Техн. Полупроводников, 1980, т.14, с. 1412 1415.
  8. В.В., Алексеева С. А., Донецких В. И. Расчеты оптическихфункций по соотношениям Крамерса-Кронига. Кишинев, Штиинца, 1979.
  9. В.В. Зоны и экситоны соединений A^Bg. Кишинев, Штиинца, 1980.
  10. Дк. Теория фотоэмиссии. В кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М., Мир, 1981, с.9−60.
  11. А. Фотоэлектронная спектроскопия с угловым разрешением. В кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М., Мир, 1981, с.98−151.
  12. Т. Актуальные вопросы электронной Оже-спектроскопии. В кн. Электронная и ионная спектроскопия твердых тел. М., Мир, 198I, с.236−280.
  13. О.М., Смирнов О. М., Терехов А. Н. Отражение энергетической структуры приповерхностной области монокристалла вольфрама в спектре вторичных электронов. Изв. АН СССР, сер.физ., 1982, т.46, IS 7, с.1383−1388.
  14. Н.В., Кораблев В. В., Кочетов Н. И. Спектроскопия электронных состояний зоны проводимости с помощью электронов низких энергий. ФТТ, 1982, т.24, 1?5, с.1407−1410.
  15. С.А. Электронная структура и спектры полного тока тонких диэлектрических слоев SiOi и Sc5A/,. ФТТ, 1981, т.23, с.827−831.
  16. С.А., Пигулевский А.Ф. Исследование энергетической структуры свободных состояний поверхности соединений CotS ,
  17. CotSe, Cot Т. е. Поверхность. Физ., хим., мех., 1982, т.1, В 4, с.122−126.
  18. С.А. Особенности структуры плотности состояний поверхности Si (III) и их отражение в спектрах полного тока. ЖТФ, 198I, т.51, с.1909−1913.
  19. Я. Исследование поверхностей соединений методом спектроскопии полного тока. Канд. диссертация, Л., 1982.
  20. С.А., Пигулевский А. Ф. Изменение энергетической структуры поверхности монокристалла сульфида кадмия в процессе ионной очистки и термического отжига. ФТТ, 1979, т.21,1. Л 12, с.3618−3622.
  21. С. А. Основы электронной спектроскопии полного тока.
  22. В кн. Поверхность и межфазовые границы. Учен. зап. ЛГУ, М08, сер. физ. наук, вып.30, Л., Изд. ЛГУ, 1982, с.3−33.
  23. А.Н., Арсенин В. Я. Методы решения некорректных задач. М., Наука, 1979.
  24. И.М., Фрайман B.C. Вторичная электронная эмиссия. М., Наука, 1969.
  25. Методы анализа поверхности. Под ред. Зандерны A.M., Мир, 1979.
  26. М.В. Вторично-электронная спектроскопия поверхности твердого тела. 1976, т.46, C. II37-II70.
  27. С.А., Самарин С. Н., Яковлев И. К. Спектры полного тока тонких пленок За . 1У Всесоюзный симпозиум «Современные проблемы физики вторичной и фотоэлектронной эмиссии». Тезисы докладов по вторичной эмиссии. Л., 1981, с. 41.
  28. Т.Т., Комолов С. А., Лазнева Э. Ф. Влияние адсорбции кислорода и окиси углерода на величину потенциала поверхности CdS . Вестник ЛГУ, сер. физ., хим., 1976, JS22, с.57−60.
  29. О.М., Болотов Б. Б., Гелевер В. Д., Кремков М. В. Спектрометр медленных электронов для исследования поверхности твердого тела. ПТЭ, 1973, №, с.30−32.
  30. О.М., Васильев В. М., Смирнов О. Н., Терехов А. Н. Система регистрации спектрометра медленных электронов. Депо-ниров. рукопись, ВИНИТИ, JS 4692−80 деп.
  31. С.А. Спектры полного тока и энергетическая структура сульфида свинца. ЖТФ, 1979, т.49, с.2361−2367.
  32. С.А., Герасимова Н. Б. Длина свободного пробега медленных электронов в тонких пленках CdS . ФТТ, 1978, т.20, с. 3567−3569.
  33. К., Нордлинг К., Фальман А., Нордберг Р., Хамрин К., Хедман Я., Иоханссон Г., Бергмарк Т., Карлссон С., Линдгрен И., Линдберг Б. Электронная спектроскопия. М., Мир, 1971.
  34. С.А., Пигулевский А. Ф., Терехов А. Н. Исследование структуры плотности валентных и свободных состояний в сульфиде кадмия методами вторичной электронной спектроскопии. Вестник ЛГУ, сер. физ., хим., 1983, М, с.96−99.
  35. Р. Некоторые вопросы теории хемосорбции. В кн. Новое в исследовании поверхности твердого тела. Вып.1, 1977,1. М., Мир, с.189−210.
  36. Н.П., Фридрихов С. А. Проявление коллективных и индивидуальных взаимодействий медленных электронов (1-гЮО эВ) во вторичной электронной эмиссии SI, ФТТ, 1976, т.18,1. J5 II, с.3508−35II.
  37. С.А., Герасимова Н. Б., Пигулевский А. Ф., Шокр Э. Изменение электронной энергетической структуры поверхностей
  38. CdS и ц 6 при адсорбции Ь S .У Всесоюзный сшшозиум по ФЭЭ, ВЭЭ, ВИЭЭ. Тезисы докладов, Рязань, 1983, с.123−124.
  39. И.П., Алесковский В. Б., Симашкевич А. В. Эпитаксиаль-ные пленки соединений Я^ Be . Л., изд. ЛГУ, 1978.
  40. B.C., Кив А.Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., Наука, 1981.
  41. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред.
  42. Л.С. Новосибирск, Наука СО, 1977.
  43. Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллическихвеществах, т.т. 1,2, М., Мир, 1982.
  44. Phillips J.С. Ionicity of the chemical bond in crystals. Rev. Mod. Phys., 1970, v.42, p.317−356″
  45. Freeouf J.L. Far-Ultraviolet reflectance of II-VI compounds and correlation with Penn-Phillips gap. Phys. Rev., 1973, B7, p.3810−3830.
  46. Birman J.L. Simplified LCAO method for zincblende, wurt-zite, and mixed crystal structures. Phys. Rev., 1959, v. 115, p.1493−1505.
  47. Chelicowsky J., Chadi D.J., Cohen M.b. Nonlocal pseudo-potential calculation for the electron structure of eleven diamond & zinc-blende semicomductorg. Phys. Rev., 1976, B14, p.556−582.
  48. Stukel D.J., Euwema R.N., Collins T.C., Herman F., Kor-tum R.L. Self-consistent OPW and empirically refined OPW energy-band models for cubic ZnS, ZnSe, CdS, and CdSe. Phys. Rev., 1969, v.179, p.740−751.
  49. Eckelt P. Energy band structure of cubic ZnS, ZnSe, ZnTe, and CdTe (KKR method). Phys. St. Sol., 1967, v.23, p.307−312.
  50. Chadi D.J., Cohen M.b. Tight-binding calculations of thevalence bands of diamond and zincblende crystals. Phys. St. Sol., 1975, v.68, p.405−419.
  51. Tewari S. The electronic bandstructure of CdO by the augmented plane wave method. Sol.St.Comm., 1973, v.12, p.437−441.
  52. Wang C.S., Klein B.M. First-principle electronic structure of Si, Ge, GaP, GaAs, ZnS, ZnSe. Phys.Rev., 1981, B24,p.3393−3416.
  53. Pantelides S. THarris on 7/. A. Structure of the valence bands of zinc-blende-type semiconductors. Phys.Rev., 1975, B11, p.3006−3021.
  54. Lee D. H., Joannopoulos J.D. Renormalization scheme for the transfer-matrix method and the surfaces of wurtzite ZnO. Phys.Rev., 1981, B24, p.6899−6907*
  55. Shockley W. On the surface states associated with a periodic potential. Phys.Rev., 1939, v. 56, p.317−323.
  56. Chen A.B., Sher A. Electronic structure of III-V semiconductors and alloys using simple orbitals. Phys.Rev., 1980, B22, p.3886−3896.
  57. Duke C.B., bubinsky A.R., Lee B.W., Mark P. LEED intensity analysis and electron spectroscopy of ZnSe (110). J.Yac.Sci.Technol., 1977, v.14,p.294−296
  58. Duke С .B., Lubinsky A.R., Ьее B. 17., Mark P. Atomic geometry of cleavage surfaces of tetrahedrally coordinated compound semiconductors. J.Vac.Sci.Technol., 1976, v.13,Р"761−768.
  59. Takahashi T., Ebina A. Electronic surface states of II-VI compound semiconductors. Appl.Surf.Sci., 1982, v.11/12,p.268−287.
  60. Chang S.-C., Mark P. LEED analysis of the polar (0001)-Cd (0001)-S surfaces. of cadmium sulfide. J.Vac.Sci.Technol. 1975, v.12,p.629−634.
  61. Nishida M. Clusterm model approach for electronic structure of Si and Ge (111) and GaAs (110) surfaces. Surf.Sci. 1978, v.72, p.589−616
  62. Garcia-Moliner F., Flores F. Theory of electronic surface states in semiconductors.J.Phys. С, v3976, v.9, p. 1609−1633
  63. Pollmann J., Pant elides 8.T. Scattering-theoretic approach to the electronic structure of semiconductor surfaces: the (100) surface of tetrahedral semiconductors and 3i02. Phys.Rev., 1978, B18, p.5524−5544.
  64. Louie 3.G., «Ihelicovsky J.R., Cohen M.L. Theory of semiconductor surface states and metal-semiconductor interfaces. J.Vac.Sci.Technol., 1976, v.13,p.790−797»
  65. Chadi D.J., Cohen M.L. Intrinsic (111) surface states of Ge, GaAs, & Zn3e. Phys.Rev., 1975, 311, p.732−737
  66. Tchackpele K.P., Albert J.P., Gout C. Study of ideal vacancies in CdS (wurtzite). Phys.Rev., 1983, B27, p.1244−1250.
  67. Ivanov I., Pollmann J. Effects of surface relaxation on the electronic structure of Zn0(l010). J.Vac.Sci.Technol., 1981, v.19, p.344−346.
  68. Cardona M., Harbeke G. Optical properties and band structure of wurtzite-type crystals and Rutile. phys. Rev., 1965, v.137, p, A1467-A1476
  69. Lapeyre G-, Anderson J. Photoemission constant-initialstate spectra. Phys.Rev.Lett., 1975, v.35,P.117−120.
  70. Cardona M., Greenaway T).L. Optical proprties and band structure of group IV-VI and group V materials. Phys. Rev., 1964, v.133, P. A1685-A1697
  71. Smith F.V. Photoemission spectra and band structure of d-band metals. III. Model band calculation on Rh, Pd, Ag, lr, Pt, and Au. Phys.Rev., 1974, B9, p.1365−1376
  72. Berglund С-N., Spicer 7/. E. Phot oemission studies of copper and silver: theory. Phys.Rev., 1964, v.136,P•1030−1044A.
  73. Shevchick N. J., Tejeda J., Langer D. W., Cardona M. Photo-emission and dencity of valence states of the II-VI compounds. Phys.St.Sol.(b), 1973, v.60, p.345−355
  74. Vesely C.J., banger D. W. Electronic core levels of the II-VI compounds. Phys.Rev., 1972, B4, p.451−457
  75. Ley L., Pollak R.A., Mc-Feely F.R., Kowalchyk 3-P.,
  76. Shirley «O.A. Total valence-band density of states of the III-V and II-VI compounds. Phys.Rev., 1974, 39, л.600−621.
  77. Gopel 17., Pollmann J., Ivanov I., Reihl B. Angle-resolved photoemission from polar and nonpolar ZnO surfaces. Phys.Rev., 1982, B26, p.3144−3150.
  78. B6» Ebina A., Unno T., 3uda Y., Koinuma H., Takahashi T.
  79. Vesely С. J., Hengehold R.b., banger D. ?. Photoemission measurements of the upper d-levels in IIB-VIA compounds. Phys.Rev., 1972, B5, p.2296−2301.
  80. Shevchik N.J., Tejeda J., Cardona M., banger D.W. Photo-emission and density of valence states of the II-VI compounds. I. ZnTe, CdSe, СdTe, HgSe, and HgTe. Phys.St. Sol.(Ъ), 1973, v.59, p.87−100.
  81. Eastman D.E., Grobman W. D., Freeouf J.L., Erbudak M. Pho-toemission spectroscopy using synchrotron radiation. I. Overvews of valence band structure for Ge, GaAs, Gap, InSb, ZnSe, CdTe, Agl. Phys.Rev., 1974, B9,p.3473−3488.
  82. Ebina A., Asanо K., Suda Y., Takahashi T. Oxidation properties of II-VI compound surfaces studied by low-energy electron-loss spectroscopy and 21eV photoemission spectroscopy. J.Vac.Sci.Technol., 1980, v.17,p.1074−1079.
  83. Powell C.J. Attenuation lengths of low-energy electrons in solids. Surf.Sci., 1974, v.44,p.29−46
  84. Spicer W.E. Surface analysis by means of photoemission and other photon-stimulated processes. Сrit.Rev.Sol. St.Sci., 1976, v.6, p.317−336.
  85. Gatos C., Lagowski J., Surface Photovoltage Spectroscopy-a new approach to the study of high-gap semiconductor surfaces. J.Vac.Sci.Technol., 1973, v.10,p.130−135.
  86. Brillson L.J. Obsrevation of extrinsic surface states on (1120)CdS. Surf.Sci., 1975, v. 51, p.45−65.
  87. Brillson L.J. Surface electronic and chemical structureof (1120)CdSe: comparison with CdS. Surf.Sci., 1977, v.69, p.62−84.
  88. Brillson L.J. Chemical reactions and local charge redistribution at metal-Cds and CdSe interfaces. Phys. Rev., 1978, В18, p.2431−2446.
  89. Tagle J.A., Martinez V., Rojo J.M., Salmeron M. Obtaining density of states information from self-deconvolutionof Auger band-type spectra. Surf.Sci., 1978, v.79,p.77−93•
  90. Brockman R.H., Russell G.J., Density of states for cleaved Si (111) from L-jLg^V and Auger spectra. Phys.Rev., 1980, B22, p.6302−6307″
  91. Amelio G.F. Band structure of silicon by characteristic Auger electron spectrum analysis. Surf.Sci., 1970, v.22, p.301−318.
  92. Christensen N.E., Willis R. F. Secondary electron emission from tungsten. Observation of the electronic structure of the semi-infinite crystal.J.Phys.C, 1979, v. 12, p.167−207.
  93. Tomoda T., Mannami M. Characteristic energy-loss spectra of II-VI compounds. J.Phys.Soc.Jap., 1969, v. 27, p.1204−1207.
  94. Hengehold R.L., Pedrotti F. L• Electron energy-loss spectra of CdS, CdSe, CdTe. Phys.Rev., 1972, B6,p.2262−2268.
  95. Hengehold R.L., Pedrotti F.L. Electron energy-loss spectra of ZnS, ZnSe, ZnTe. Phys.Rev., 1972, B6,p.3026−3031•
  96. Komolov S.A., Chadderton L.T. Total current spectroscopy. Surf.Sci., 1979, v.90, p.359−380.
  97. Komolov S.A., Chadderton L.T. An experimental investigation of the reflection of low energy electrons from surfaces 2H-MoS2. Phyl.Mag.B, 1979, v. 39, p.13−20
  98. Rosier H., Brauer W. Theory of secondary electron emission. I. General theory for nearly-free electron metals. Phys. St. Sol. (b), 1981, v. Ю4, р.161−175.
  99. Kane E.O. Electron scattering by pair production in silicon. Phys.Rev., 1967, v.159, p.624−631.
  100. Willis R.F., Fitton В., Painter G.S. Secondary-electron emission spectroscopy and the observation of high-energy excited states in graphite: theory and experiment. Phys. Rev., 1974, B9, p.1926−1937
  101. Bauer E. Interaction of slow electrons with surfaces. J. Vac.Sci.Technol., 1970, v. 7, p.3−12.
  102. Bedell L.R., Farnsworth H.E. Astudy of the (OO)LEED beam intensity at normal incidence from CdS (0001), Cu (001), Cu (111), and Ni (111). Surf.Sci., 1973, v.41,p. 165−194.
  103. Swank R.K. Surface properties of II-VI compounds. Phys.
  104. Rev., 1967, v.153, p. 844−849. 115- Sanche L., Schulz G.J. Electron transmission spectroscopy: Rare gases. Phys.Rev., 1972, A5, p.1672−1 683 116* Gadzuk J.W. Coupled surface-plasmon modes in metalthin- film- vacuum sandwiches. Phys.Rev., 1970, B1,p.1267−1269.
  105. Surnev Ь. EEL spectroscopy of alkali-metal-covered
  106. Ge (111) surfaces. J.El.Spect.Rel.Phen., 1982, v.26,p.53−6'
  107. Skeath P., Su C-Y., Chye P. W., Pianetta Pt, Lindau J., Spicer W. E. Comparative studies of oxygen adsorption on (110)GaAs surfaces with ultrathin aluminium and cesium overlayers. J.Vac.Sci.Techn., 1979, v.16,p•1939−1946.
  108. Stern F. Polarizability of a two-dimensional electron gas. Phys.Rev.Lett., 1967, v.18, p.546−548.
  109. Braicovich L., Rossi G., Powell R.A., Spicer W.E. Oxidation of cadmiums an ultraviolet photoemission and electron-energy-loss investigation. Phys.Rev., 1980, B21, p.3539−3544.
  110. Y., Elam W. Т., Park R.L. Absolute c°re binding energies and work functions of 3d transition-metal surfaces. Phys.Rev., 1977, V. B16, p.3322−3329.
  111. Yao T., Makita Y., Maekawa S. Photoluminescence properties of ZnSe thin films grown by molecular beam epitaxy. Jap.J.Appl.Phys., 1981, v.20, p. L741-L744.
  112. Ludeke R. Anomalous. oxidation properties of the ZnSe (100) surfaces. Sol.St.Comm., 1977, v.24,p.725−728.
  113. Shay J.L., Spicer W.E. Photoemission study of the electronic structurernof wurtzite CdSe, CdS. Phys.Rev., 1968, v. 169, p.650−669.
  114. Chernow F., Eldridge G., Ruse G., Wahlin L. High conductivity p-type CdS. J.Appl.Phys.1*., 1968, v. 12, p. 339−341.
  115. Kalbitzer S., Oetzmann H. Ranges and range theories. Rad.Eff., 1980, v.47, p.57−72.
  116. Keller J. bong range order, short range order and energy gap. J.Phys.C, 1971, v.4, p.3143−3153.
  117. Kitagawa M., Bryant F.J. The low-temperature annealing of 200keV electron-induced defects in cudmium sulphide. Rad.Eff., 1S77, v.33, p.181−187″
  118. Carter G., Webb R., Collins R. The accumulation of disorder, subject to saturation and sputter limitation, in ion irradiated solids. Rad.Eff., 1978, v.37,p.21−32.
  119. H.В., Аркадьева E.H., Гусева М. И., Маслова Л. В. Некоторые особенности ионного легирования CdTe. В кн.: Физические процессы ионно-лучевого легирования, с. 227,Горький, 197?.
  120. А.И., Руденко Н. В. Влияние точечных дефектов поверхности металла на величину работы выхода электрона. ХУШ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике.Тез., с. 151,1981.
  121. Erbudak М., Fischer Т.Е. Relationship between atomic structure and electronic properties of (111) surfaces of silicon. Phys.Rev.Lett., 1972, v.29, p.732−735
  122. Besocke K-, Wagner H. Adsorption of W on W (110): work-function reduction and island formation. Phys.Rev., 1973, B8, p.4597−4600.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!