Примесные состояния иттербия в сплавах на основе теллурида свинца
Диссертация
Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, докладывались и обсуждались на Международных конференциях студентов и аспирантов по фундаментальным наукам «Ломоносов» (Москва, 1997, 1998, 1999, 2000 гг.), на II и III Международных школах-коференциях «Физические проблемы материаловедения полупроводников» (Черновцы, Украина, 1997, 1999 гг.), III Всероссийской конференции… Читать ещё >
Список литературы
- Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры. М., Мир, 1969, 360 с.
- Шкловский Б.И., Эфрос A.JI. Электронные свойства легированных полупроводников. М., Наука, 1979, 416 с.
- Маделунг О. Физика твердого тела. Локализованные состояния. М., Наука, 1985, 184 с.
- Бассани Ф., Пастори Парравичини Дж. Электронные состояния и оптические переходы в твердых телах. М., Наука, 1982, 391 с.
- Кикоин К.А. Электронные свойства примесей переходных металлов в полупроводниках. М., Энергоатомиздат, 1991, 303 с.
- Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М., Мир, 1977, 562 с.
- Физика и материаловедение полупроводников с глубокими уровнями. Сб. статей под ред. В. И. Фистуля. М., Металлургия, 1987, 232 с.
- Nimtz G., Schlicht В. Narrow-gap lead salts. Narrow Gap Semiconductors, Springer Tracts in Modern Physics, 1983, v.98, p. 1−117.
- Кайданов В.И., Равич Ю. И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI. УФН, 1985, т.145, в.1, с.51−86.
- Akimov В.А., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., and Ryabova L.I. Carrier transport and non-equilibrium phenomena in doped PbTe and related materials. Phys. Stat. Sol. (a), 1993, v.137, N1, p.9−55.
- Выграненко Ю.К., Слынько B.E., Слынько Е. И. Электрические свойства твердых растворов PbixGexTe, легированных иттербием. Неорг. матер., 1995, т.31, № 10, с.1338−1339.
- Grodzicka Е., Dobrowolski W., Story T., Slynko E.I., Vygranenko Yu.K., Willekens M.M.H., Swagten H.J.M., de Jonge W.J.M. Resonant state of 4f14/13 Yb ion in Pb^ xGexTe. Acta Phys. Polon. A, 1996, v.90, N4, p.801−804.
- Абрикосов H.X., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. М., Наука, 1975, 194 с.
- Равич Ю.И., Ефимова Б. А., Смирнов И. А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS. М., Наука, 1968, 383 с.
- Kawamura Н. Phase transition in IV-VI compounds. In: Lect. Notes in Phys., 1980, v.133, p.470−494.
- Goldak J., Barrett C.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe. J. Chem. Phys, 1966, v.44., N9, p.3323−3325.
- Жукова Т.Б., Заславский А. И. Исследование фазового превращения и структуры a-GeTe. Кристаллография, 1967, т. 12, в.1, с.37−41.
- Steigmeier E.F., Harbeke G. Soft phonon mode and ferroelectricity in GeTe. Solid State Commun., 1970, v.8, N16, p. 1275−1278.
- Takaoka S., Murase K. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn) Te alloys semiconductors. Phys Rev. B, 1979, v.20, N7, p.2823−2833.
- Suski Т., Takaoka S., Ishii K., Murase K. High-pressure investigations of ferroelectric phase transition in PbGeTe. J. Phys. C, 1984, v.17, N12, p.2181−2192.
- Маслов B.B., Барышников C.B., Казаков B.B., Драбкин И. А. Зависимость температуры фазового перехода в PbixGexTe от давления и концентрации носителей. В сб.: Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. Л., 1983, с.30−33.
- Лебедев А.И., Случинская И. А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические фазовые переходы в PbTeixSx и PbixGexTe. ФТТ, 1993, т.35, в. З, с.629−635.
- Sugimoto N., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of Pb. xGexTe at their structural phase transition. J. Phys. Soc. Jap., 1981, v.50, N5, p. 1555−1559.
- Лебедев А.И., Абдуллин X.A. Исследование электрических свойств Pbi"xGexTe с примесью индия в области фазового перехода. ФТП, 1984, т. 18, в.4, с.624−627.
- Martinez G., Schluter М., Cohen M.L. Electronic structure of PbSe and PbTe. I. Band structures, densities of states, and effective masses. Phys. Rev. B, 1975, v. 11, N2, p.651−659.
- Conklin J.B., Johnson L.E., Pratt G.W. Energy bands in PbTe. Phys. Rev., 1965, v.137, N4A, p.1282−1294.
- Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe, and PbTe. Phys. Rev, 1969, v. 180, N3, p.823−826.
- Rabii S. Energy-band structure and electric properties of SnTe. Phys. Rev, 1966, v.142, N2, p.478−489.
- Kohn S. E, Yu P. Y, Petroff Y, Shen Y. R, Tsang Y, Cohen M.L. Electronic band structure and optical properties of PbTe, PbSe, and PbS. Phys. Rev. B, 1973, v.8, N4, p.1477−1488.
- Dimmock J. O, Melngailis I, Strauss A.J. Band structure and laser action in PbbxSnxTe. Phys. Rev. Lett, 1966, v. 16, N26, p. l 193−1196.
- Butler J. F, Calawa A. R, Harman T.C. Diode lasers of PbixSnxSe and Pb! xSnxTe. Appl. Phys. Lett, 1966, v.9, N12, p.427−429.
- Dimmock J.O. K-p theory for the conduction and valence bands of Pb. xSnxTe and PbixSnxSe alloys. The physics of Semimetals and Narrow Gap Semiconductors, ed. D.L. Carter and R.T. Bate, Pergamon Press, N. Y, 1971, p.319−330.
- Preier H. Recent advances in lead-chalcogenide diode lasers. Appl. Phys, 1979, v.20, N3, p. 189−206.
- Kaszuba W, Rogalski A. The intrinsic carrier concentration in Pbi"xSnxTe,
- Pbi.xSnxSe and PbS^Se^ Acta Phys. Polon., 1981, v. A59, N3, p.397−402.
- Бир Г. Л., Пикус Г. Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М., Наука, 1972, 584 с.
- Lewis A.V., Nicholas R.J., Ramage G.C., Bauer G. Stradling R.A., Lopez-Otero A. Effective masses in n- and p-type Pbi.xGexTe. J. Phys. C, 1980, v. 13, N4, p.561−569.
- Takaoka S., Murase K. Band edge structure transformation due to ferroelectric transition in PbixGexTe alloy semiconductors. J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1857−1864.
- Bangert E. Bandstructure of Pbi. xGexTe in the C3v-phase. In: Lect. Notes in Phys., 1982, v.152, p.216−220.
- Burkhard H., Bauer G. Jantsch W., Lopez-Otero A. Magnetoplasma resistivity of PbixGexTe. Proc. 4th Int. Conf. Infrared and millimeter waves and their applications, 1979, p.248−249.
- Tsuji K., Takano S. Quantum oscillations of velocity of sound in p-Pb|xGexTe in rhombohedral phase. J. Phys. Soc. Jap., 1982, v.51, N6, p.1851−1856.
- Tsuji K., Kumashiro Y., Takano S. Energy surfaces and domain structure of Pbj xGexTe in the rhombohedral phase. J. Phys. Soc. Jap., 1984, v.53, N4, p.1397−1405.
- Bangert E., Bauer G., Fantner E.J., Pascher H. Magneto-optical investigations of phase-transition-induced band-structure changes of PbixGexTe. Phys. Rev. B, 1985, v.31, N12, p.7958−7978.
- Antcliffe G.A., Parker S.G., Bate R.T. CW operation and nitric oxide spectroscopy using diode lasers of Pb^GeJe. Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N10, p.505−507.
- Antcliffe G.A., Chapman R.A. Diffused junction photovoltaic infrared detectors using Pbi. xGexTe with 0.05
- Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. M., Наука, 1978, 328 с.
- Акимов Б.А., Вадхва P.C., Чудинов С. М. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве Pbi.xSnxTe. ФТП, 1978, т. 12, в. 10, с. 1927−1931.
- Аверкин А.А., Кайданов В. И., Мельник Р. Б. О природе примесных состоянийиндия в теллуриде свинца с примесью индия. ФТП, 1971, т.5, в.1, с.91−95.
- Вейс А.Н., Немов С. А. Температурная зависимость положения квазилокального уровня в РЬТе<1п>. ФТП, 1982, т.16, в.6, с.1130−1133.
- Akimov В.А., Brandt N.B., Ryabova L.I., Sokovishin V.V., Chudinov S.M. Band edge motion in quantizing magnetic field and nonequilibrium states in Pb. xSnxTe alloys doped with In. J. Low Temp. Phys., 1983, v.51, N½, p.9−32.
- Story Т., Grodzicka E., Witkowska В., Gorecka J., Dobrowolski W. Transport and magnetic properties of PbTe: Cr and PbSnTe: Cr. Acta Phys. Polon. A, 1992, v.82, N5, p.879−881.
- Story Т., Arciszewska M., Lazarczyk P., Lusakowski A., Gorska M., Dobrowolski W., Witkowska В., Grodzicka E., Galazka R.R. Transport and magnetic study of Gd ions in Pb."ySnyTe. Acta Phys. Polon. A, 1997, v.92, N5, p.997−1000.
- Feit Z., Eger D., Zemel A. Quasilocal impurity states in Pb|xSnxTe and PbSe0. o8Te0.92 liquid-phase epitaxial layers doped with group-Ill elements. Phys. Rev. B, 1985, v.31, N6, p.3903−3909.
- Кай данов В.И., Мельник Р. Б., Черник И. А. Исследование теллурида свинца с примесью индия. ФТП, 1973, т.7, в.4, с.759−762.
- Лыков С.Н., Черник И. А. Осцилляционные эффекты Шубникова-де Гааза в теллуриде свинца с примесью индия. ФТП, 1980, т. 14, в.1, с.47−57.
- Akimov В.А., Lvova N.A., Ryabova L.I. Quantum oscillatory properties of the semimagnetic semiconductor PbTe (Cr). Phys. Rev. B, 1998, v.58, N16, p. 10 430−10 434.
- Голубев В.Г., Гречко Н. И., Лыков C.H., Сабо Н. П., Черник И. А. Электрические свойства твердых растворов PbixInxTe при температурах жидкого гелия. ФТП, 1977, т.11, в.9, с.1704−1708.
- Story Т. IV-VI semimagnetic semiconductors: Recent developments. Acta Phys. Polon. A, 1998, v.94, N2, p.189−197.
- Denecke R., Ley L., Springholz G., Bauer G. Resonant photoemission studies of PbixEuxTe. Phys. Rev. B, 1996, v.53, N8, p.4534−4538.
- Dobrowolski W. Resonant states in narrow-gap semimagnetic semiconductors. Proc.9th Intern. Conf. on Narrow Gap Semiconductors, ed. N. Puhlmann, H.-U.Muller, M. von Ortenberg, Berlin, Germany, 1999.
- Андреев Ю.В., Гейман К. И., Драбкин И. А., Матвеенко A.B., Можаев Е. А., Мойжес Б. Я. Электрические свойства PbixSnxTe с примесью индия. ФТП, 1975, т.9. в.10, с.1873−1878.
- Драбкин И.А., Квантов М. А., Компанией, В.В. Магнитная восприимчивость РЬТе с примесью In. ФТП, 1979, т. 13, в.10, с.2064−2066.
- Сизов Ф.Ф., Пляцко C.B., Лакеенков В. М. Глубокие уровни в РЬТе. ФТП, 1985, т. 19, в.4, с.592−596.
- Зверева Е.А. Глубокие уровни точечных дефектов в сплавах на основе халькогенидов свинца. Канд. дисс., Москва, МГУ, 2000.
- Мойжес Б.Я., Драбкин И. А. Диссоциация нейтральных состояний гетеровалентной примеси (In, Ga, Т1) в РЬТе. Проблемы современной физики. Л., Наука, 1980, с. 128−145.
- Драбкин И.А., Мойжес Б. Я. Спонтанная диссоциация нейтральных состояний примесей на положительно и отрицательно заряженные состояния. ФТП, 1981, т.15, в.4, с.625−648.
- Grodzicka Е., Dobrowolski W., Story Т., Wilamowski Z., Witkowska B. A study of the resonant Cr donor in IV-VI lead compounds. Cryst. Res. Technol., 1996, v.31 S, p.651−654.
- Алексеева Г. Т., Ведерников M.B., Гуриева E.A., Константинов П. П., Прокофьева Л. В., Равич Ю. И. Донорное действие редкоземельных металлов в РЬТе. ФТП, 1998, т.32, в.7, с.806−810.
- Bauer G., Pascher H. In: Diluted Magnetic Semiconductors, ed. Mukesh Jain, World Scientific, Singapore, 1991.
- Ерасова H.A., Ефимова Б. А., Захарюгина Г. Ф., Кайданов В. И. Примесные состояния In в некоторых твердых растворах на основе РЬТе. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1978, т. 14, в.5, с.870−874.
- Акимов Б.А., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Чудинов С. М., Яценко О.Б.
- Переходы полупроводник-металл-полупроводник в сплавах Pbi. xSnxTe (In) под действием давления. ФТП, 1979, т.13, в.7, с.1293−1301.
- Акимов Б.А., Вадхва Р. С., Зломанов В. П., Рябова Л. И., Чудинов С. М. Переход в бесщелевое состояние под действием давления в сплаве PbixSnxTe с примесью In. ФТП, 1977, т. 11, в.6, с. 1077−1083.
- Das S.K., Suryanarayanan R. Structural, optical, and electrical properties of Pb,.xYbxTe films (0
- Троян Ю.Г., Сизов Ф. Ф., Лакеенков B.M. Фотоэлектрические свойства монокристаллов PbTe-Ga. ФТП, 1986, т.20, в. 10, с. 1776−1781.
- Акимов Б.А., Брандт Н. Б., Рябова Л. И., Хохлов Д. Р. Фотопроводимость сплавов Pbi.xSnxTe, легированных Al, Ga, In, Cd. Письма в ЖТФ, 1980, т.6, в.20, с.1269−1273.
- Акимов Б.А., Брандт Н. Б., Никифоров В. Н. Доменная электрическая неустойчивость в сплавах PbixSnxTe(In). Письма в ЖТФ, 1983, т.9, в.23, с.1438−1442.
- Акимов Б.А., Брандт Н. Б., Богословский С. А., Рябова Л. И., Чудинов С. М. Неравновесное металлическое состояние в сплавах PbixSnxTe(In). Письма в ЖЭТФ, 1979, т.29, в.1,с.11−14.
- Волков Б. А., Панкратов О. А. Ян-теллеровская неустойчивость кристаллического окружения точечных дефектов в полупроводниках А4В6. ДАН СССР, 1980, т.255, в.1, с.93−97.
- Волков Б.А., Осипов В. В., Панкратов О. А. Перестройка дефектов и долговременные релаксации неравновесных носителей в узкозонных полупроводниках. ФТП, 1980, т.14, в.7, с.1387−1389.
- Story Т. Correlations between electronic and magnetic properties in semimagnetic semiconductors. Acta Phys. Polon. A, 1997, v.91, N1, p.173−180.
- Dugaev V.K., Litvinov V.I., Lusakowski A. Mixed-valence states in narrow-gap IV-VI semiconductors with rare-earth ions. Phys. Rev. B, 1999, v.59, N23, p.15 190−15 196.
- Story Т., Gorska M., Lusakowski A, Arciszewska M., Dobrowolski W, Grodzicka E., Golacki Z, Galazka R.R. New mechanism off-f exchange interactions controlled by Fermi level position. Phys. Rev. Lett, 1996, v.77, N16, p.3447−3450.
- Story T, Gorska M, Arciszewska M, Golacki Z, Galazka R.R. Magnetic and electronic properties of Sni"xGdxTe. Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 1995, v.140−144, p.2041−2042.
- Заячук Д. М, Иванчук Д. Д, Иванчук Р. Д, Микитюк В. И, Старик П. М. Магнитная восприимчивость теллурида свинца, легированного гадолинием. ФТП, 1989, т.23, в.9, с.1654−1657.
- Story Т, Wilamowski Z, Grodzicka Е, Witkowska В, Dobrowolski W. Electron paramagnetic resonance of Cr in PbTe. Acta Phys. Polon. A, 1993, v.84, N4, p.773−775.
- Story T, Wilamowski Z, Grodzicka E, Dobrowolski W, Witkowska B. PbSe: Cr -new resonant donor system. Acta Phys. Polon. A, 1995, v.87, N1, p.229−232.
- Mac W., Story T, Twardowski A. Magnetization of РЬ^СгДе semimagnetic semiconductor. Acta Phys. Polon. A, 1995, v.87, N2, p.492−494.
- Васильев A. H, Волков Б. А, Волошок Т. Н., Кувшинников С. В. Неравновесная парамагнитная восприимчивость примесных центров галлия в теллуриде свинца. ЖЭТФ, 1998, т.114, в.5(11), с.1859−1867.
- Васильев А. Н, Волков Б. А, Волошок Т. Н., Кувшинников С. В. Природа и зарядовые состояния примеси Ga в РЬТе. Письма в ЖЭТФ, 1995, т.61, в.9, с.768−773.
- Волков Б. А, Ручайский О. М. Температурная зависимость магнитной восприимчивости в полупроводниках А4В6. ФТТ, 1998, т.40, в.1, с.57−62.
- Jennings L. D, Swenson С.А. Effects of pressure on the superconducting transition temperatures of Sn, In, Та, Tl, and Hg. Phys. Rev, 1958, v. l 12, N1, p.31−43.
- Фальковский JI. А, Бродовой A. B, Лашкарев Г. В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. ЖЭТФ, 1981, т.80, в.1, с.334−348.
- Matyas М. The susceptibility of selenides and tellurides of heavy elements. Czechosl. Journ. Phys, 1958, v.8, p.309−314.
- Matyas M. The susceptibility of lead telluride PbTe. Czechosl. Journ. Phys, 1958, v.8, p.301−308.
- Заячук Д. М, Микитюк В. И, Старик П. М. Влияние собственных дефектов на магнитные и оптические свойства n-РЬТе. ФТП, 1986, т.20, в.9, с. 1679−1684.
- Старик П. М, Микитюк В. И, Заячук Д. М, Иванчук Р. Д. Магнитные свойства монокристаллов PbixSnxTe (х=0, 0.18) и их зависимость от электрически нейтральных собственных дефектов. ФТП, 1984, т.18, в. 11, с.2101−2104.
- Вонсовский С.В. Магнетизм. М, Наука, 1971, гл. 12, с. 243.
- Андроник К. И, Бойко М. П, Лужковский А. В. Влияние примесной полосы таллия на магнитную восприимчивость теллурида свинца. ФТП, 1988, т.22, в. 10, с.1878−1880.
- Кайданов В. И, Немов С. А, Равич Ю. И. Резонансное рассеяние носителей тока в полупроводниках типа AIVBV! (обзор). ФТП, 1992, т.26, в.2, с.201−222.
- Gratens X, Charar S, Averous M, Isber S, Deportes J, Golacki Z. Magnetic properties of Сe in Pb. xCexSe: Kondo and crystal-field effect. Phys. Rev. B, 1997, v. 56, N13, p. 8199−8203.
- Gorska M, Anderson J. R, Kido G, Golacki Z. Magnetization and susceptibility of PbixEuxTe. Solid State Commun. 1990, v.75, N4, p.363−367.
- Nagata S, Galazka R. R, Mullin D. P, Akbarzadeh H, Khattak G. D, Furdyna J. K, Keesom P.H. Magnetic susceptibility, specific heat, and the spin-glass transition in- 137
- Hgi.xMnxTe. Phys. Rev. B, 1980, v.22, N7, p. 3331−3343.
- Фальковский JI.A., Бродовой A.B., Лашкарев Г. В. Магнитная восприимчивость узкощелевых полупроводников. ЖЭТФ, 1981, т.80, в.1, с.334−348.
- Литвинов В.И., Дугаев В. К. Особенность магнитной восприимчивости вблизи точки сегнетоэлектрического фазового перехода в узкощелевых полупроводниках А4В6. ЖЭТФ, 1979, т.77, N1(7), с.335−340.
- Багинский В.М., Кикодзе P.O., Лашкарев Г. В., Слынько Е. И., Товстюк К. Д. Влияние структурного перехода на магнитные свойства SnTe. ФТТ, 1977, т. 19, в.2, с.588−590.
- Золотухина В.В., Мисюра И. В. Магнитная восприимчивость при структурном фазовом переходе в узкощелевых полупроводниках PbixSnxSe. ФТП, 1989, т.23, в.4, с.728−729.
- Я очень благодарна доктору физико-математических наук Евгению Илларионовичу Слынько за предоставление образцов для исследования и сотрудничество с профессором Витольдом Добровольским, в лаборатории которого проводился анализ образцов.
- Благодарю Леонида Пономаренко и Евгения Овченкова за помощь в освоении методики магнитных измерений и постоянную поддержку при их проведении.