Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана

Диссертация: Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Ь = — (ПО), ограничивающие ростовой барьер Ломера-Коттрелла (БЛК), в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g-b = 2/3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Если БЛК ограничен вершинной — ^ дислокацией с b = —(llO), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста вдвое… Читать ещё >

Исследование ростовых дефектов упаковки монокристаллического кремния рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Современное состояние исследований дефектов упаковки (обзор литературы)
    • 1. 1. Основные параметры, физические свойства, получение и применение кремния
    • 1. 2. Плоскостные дефекты в монокристаллах с решёткой алмаза
    • 1. 3. Прямые методы обнаружения и исследования дефектов структуры (селективного травления, декорирования, электронной просвечивающей микроскопии, ИК-микроскопии, рентгеновской топографии)
    • 1. 4. Динамическая теория рассеяния рентгеновских лучей — основа рентгенотопографических методов
    • 1. 5. Контраст интенсивности от плоскостных дефектов
    • 1. 6. Рентгенотопографические изображения дефектов упаковки. Проблемы теории дифракционного контраста
    • 1. 7. Выводы и постановка задач диссертационного исследования
  • Глава 2. Аппаратура и методики эксперимента
    • 2. 1. Аппаратура и камеры для рентгенотопографического анализа дефектов в
    • 2. 2. Розеточная методика исследования дефектов структуры в
    • 2. 3. Приготовление и контроль качества поверхности образцов
    • 2. 4. Определение природы ДУ в случае сферической волны
    • 2. 5. Определение природы ДУ в случае плоской волны
    • 2. 6. Выводы
  • Глава 3. Теоретические модели дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой алмаза
    • 3. 1. Теоретические модели простых ростовых дефектов упаковки в монокристаллах 3.2 Теоретические модели сложных ростовых дефектов упаковки в монокристаллах
    • 3. 3. Модель тетраэдрического ДУ типа внедрения
    • 3. 3. Выводы
  • Глава 4. Компьютерное моделирование бормановского контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния
    • 4. 1. Расчет контраста интенсивности от дефектов кристалла с медленно изменяющимися полями деформации
    • 4. 2. Расчет контраста интенсивности от частичной 30-градусной дислокации Шокли
    • 4. 3. Расчет контраста интенсивности от частичных краевых дислокаций Шокли и Франка
    • 4. 4. Расчет контраста интенсивности от вершинных дислокаций в барьерах Ломера-Коттрелла и Хирта
    • 4. 5. Выводы
  • Глава 5. Исследование рентгенотопографического контраста от дефектов упаковки в монокристаллах в случае эффекта Бормана
    • 5. 1. Бормановский контраст интенсивности от плоскости ДУ
    • 5. 2. Экспериментальный бормановский контраст интенсивности от частичных 30-градусных дислокаций Шокли
    • 5. 3. Экспериментальный контраст интенсивности от частичных краевых дислокаций
    • 5. 4. Экспериментальное исследование сложных ростовых ДУ в монокристаллах кремния
    • 5. 5. Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом Ланга
    • 5. 6. Исследование дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом двухкристальной топографии
    • 5. 7. Выводы

Кремний относится к наиболее распространенным полупроводниковым материалам микроэлектроники. На его основе созданы как различные дискретные полупроводниковые приборы, так и интегральные микросхемы, включая и сверхбольшие. Этот материал определял и определяет на сегодняшний день уровень достижений в области микроэлектроники и радиоэлектроники. Качество и надежность изделий микроэлектроники во многом связаны с совершенством структуры монокристаллических материалов, используемых в полупроводниковом производстве. Известно, что наличие в активных областях приборов и микросхем дефектов структуры приводит к деградации их параметров и характеристик.

Кремний можно отнести к наиболее изученным полупроводниковым материалам как с точки зрения получения бездислокационных монокристаллов большого диаметра, так и с точки зрения разработки технологии изготовления широкого класса приборов и микросхем. Тем не менее, остаются не до конца решенные вопросы, к которым можно отнести природу и образование дефектов упаковки (ДУ). Известно, что дефект упаковки является стоком для примесных атомов и на них происходит сильная рекомбинация носителей заряда. Требования к кремнию электронного качества жёстко регламентируют плотность ДУ, что делает весьма актуальной задачу получения монокристаллов с заданной плотностью ДУ.

К наиболее распространенным методам исследования структурного совершенства монокристаллических материалов, включая и исследование ДУ можно отнести топографические методы, которые являются прямыми и неразрушающими, а также обладают высокой чувствительностью и информативностью. Другими методами, нашедшими применение в диагностике монокристаллов, являются метод селективного травления, метод ИК-микроскопии, фотоупругости (поляризационно-оптический анализ), электронная просвечивающая микроскопия. Как показывают исследования, проведенные в Совместной с ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследования материалов электронной техники, среди топографических методов наибольшей информативностью и чувствительностью при исследовании малодислокационных и бездислокационных монокристаллических полупроводников обладает метод, основанный на явлении аномального прохождения рентгеновских лучей — метод АГГРЛ и розеточные методики на его основе. Большой вклад в развитие метода АПРЛ и создание розеточных методик сделал Л. Н. Данильчук, который помимо многочисленных технических решений установил общие закономерности формирования бормановского контраста интенсивности от дефектов структуры с медленно меняющимися полями деформации и предложил ряд новых качественных и количественных методик обнаружения и изучения дефектов структуры. Л. Н. Данильчуком и его учениками проведен при использовании модифицированных уравнений Инденбома-Чамрова расчет теоретического контраста от основных типов дефектов в кремнии, германии, арсениде галлия и карбиде кремния. Сопоставление экспериментального контраста с теоретическим позволяет надежно идентифицировать дефект и локализовать его в объеме монокристалла. Поэтому при исследовании дефектов упаковки в кремнии основным методом их исследования выбран именно этот метод и его методики.

Цель работы.

Целью диссертационной работы является исследование контраста интенсивности, структуры и природы ростовых дефектов упаковки в кремнииидентификация простых и сложных дефектов упаковки путем сопоставления теоретического и экспериментального контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих дефект упаковки.

Методы исследования.

Основным методом исследования дефектов упаковки в монокристаллах кремния выбран метод АПРЛ и розеточные методики на его основе. В качестве контрольного и дополнительного метода использовались методы секционной и проекционной топографии Ланга и двухкристальной топографии.

Моделирование теоретического контраста интенсивности от частичных и вершинных дислокаций, входящих в состав дефектов упаковки, проводилось с помощью модифицированных уравнений Инденбома-Чамрова. Научная новизна.

1. Впервые экспериментально исследован бормановский контраст интенсивности от плоскости дефекта упаковки.

2. Теоретически и экспериментально исследован контраст интенсивности в случае эффекта Бормана от отдельных частичных дислокаций (типа Франка и типа Шокли), ограничивающих простые ростовые дефекты упаковки при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей.

3. Впервые обнаружен, теоретически и экспериментально исследован контраст интенсивности от вершинных дислокаций барьеров Ломера-Коттрелла и Хирта в монокристаллах кремния при распространении волнового рентгеновского поля вдоль их осей.

4. Определена природа простых ростовых дефектов упаковки путём идентификации частичных дислокаций.

5. Определена природа и структура сложных ростовых дефектов упаковки путём идентификации вершинных дислокаций.

6. Составлен атлас теоретических и экспериментальных изображений ростовых дефектов упаковки.

Практическая значимость. Результаты проведённых теоретических и экспериментальных исследований ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния представляют практический и научный интерес для специалистов, работающих в области физического материаловедения и структурного анализа, используются в Совместной с ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследования материалов электронной техники при подготовке диссертаций, дипломных работ, чтении спецкурсов для студентов физических и инженерных специальностей в НовГУ им. Ярослава Мудрого.

Предложена новая методика идентификации природы ростовых дефектов упаковки в монокристаллах с решёткой типа алмаза.

Составлен атлас расчетных и экспериментальных топографических изображений ростовых дефектов упаковки и ограничивающих их частичных и вершинных дислокаций при различных условиях дифракции, что обеспечивает надежную идентификацию ростовых ДУ в полупроводниках с решёткой алмаза.

Научные положения, выносимые на защиту.

Результаты теоретического и экспериментального исследований ростовых дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии в случае эффекта Бормана, подтвержденные контрольными методами, позволяют сформулировать следующие научные положения, выносимые на защиту:

1. Использование разработанной и внедренной розеточной методики, основанной на явлении аномального прохождения рентгеновских лучей, позволяет установить природу простых и сложных ростовых дефектов упаковки, путём идентификации частичных и вершинных дислокаций их ограничивающих.

2. Дефекты упаковки, располагающиеся в монокристалле под углом к рентгеновскому пучку, контраст интенсивности в виде широких полос отрицательного контраста без биений интенсивности. В районе выхода дефекта на поверхность при совпадении или близости плоскости ДУ с волновым вектором Кй наблюдается яркая кайма с положительным контрастом. Дефекты упаковки имеют отрицательный контраст интенсивности, постепенно спадающий к фону по мере углубления в монокристалл прослойки дефекта упаковки. В случае двух или более близко расположенных дефектов упаковки наблюдается ослабление контраста интенсивности для одного дефекта упаковки из-за наложения контраста интенсивности от других ДУ.

3. Дефекты упаковки, располагающиеся параллельно рентгеновскому пучку, формируют изображение в виде узкой полосы черно-белого контраста.

4. Частичные дислокации Шокли винтового типа с векторами Бюргерса.

Ь = — (П2), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта Бормана 6 при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g-b = l/3 формируют симметричные 2-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных винтовых дислокаций.

5. Частичные краевые дислокации Франка с векторами Бюргерса b = —(ill), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта Бормана 3 х при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g • Б = 4/3 формируют несимметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных краевых дислокаций. В случае g • b = О формируются несимметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста.

6. Вершинные краевые дислокации Томпсона с векторами Бюргерса.

Ь = — (ПО), ограничивающие ростовой барьер Ломера-Коттрелла (БЛК), в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и g-b = 2/3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Если БЛК ограничен вершинной | ^ дислокацией с b = —(llO), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста вдвое большего диаметра, а в случае g • b = О — симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

7. Вершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса b = -j^l00) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и условии g • b = 0 формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста, а в случае g-b = 2/3 -симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Плоскость симметрии розетки совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розетки совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

Апробация работы.

Результаты работы докладывались и обсуждались на 7 конференциях и 3 семинарах: XXXVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс», Новосибирск (1999) — Вторая национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-99), Москва (1999) — III Международный семинар «Карбид кремния и родственные материалы», Великий Новгород (2000) — Седьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-7), С.-Петербург.

2001) — III Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-2001), Москва (2001) — Восьмая Всероссийская научная конференция студентов-физиков и молодых учёных (ВНКСФ-8), Екатеринбург.

2002) — Международный семинар «Современный методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород (2002) — Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»), Москва (2003) — IV Национальная конференция по применению Рентгеновского,.

Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов (РСНЭ-2003), Москва (2003) — Второй научный семинар с международным участием «Современный методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)», Великий Новгород (2004).

Публикации.

По материалам диссертации опубликовано 14 работ, из них 2 статьи в академических журналах.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация содержит введение, 5 глав, заключение, список литературы из 189 наименований. Объем диссертации составляет 212 страниц, 59 рисунков, 5 таблиц.

Основные результаты диссертационного исследования опубликованы в следующих работах:

1. Анисимов В. Г., Буйлов А. Н., Данильчук Л. Н., Окунев А. О. Изучение дефектов упаковки в монокристаллах кремния методом рентгеновской топографии // XXXVII Международная научная студенческая конференция «Студент и научно-технический прогресс»: Тезисы докладов. — Новосибирск, 1999.

2. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н. Исследование дефектов упаковки в монокристаллах // Вторая национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-99: Тезисы докладов. — Москва, 1999. -с. 176.

3. Анисимов В. Г., Данильчук JT.H. Природа дефектов упаковки в монокристаллах с решеткой алмаза // III международный научный семинар ISSCRM «Карбид кремния и родственные материалы»: Тезисы докладов -2000. — Великий Новгород. 2000. — С. 28−29.

4. Анисимов В. Г., Данильчук JI.H. Природа гигантских ДУ в монокристаллах кремния // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III международный научный семинар ISSCRM — 2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. — Великий Новгород. 2000 г. — С. 63−74.

5. Анисимов В. Г., Данильчук JI.H. Изучение природы гигантских дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Седьмая всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых учёных ВНКСФ-7: Тезисы докладов. — С.-Петербург. 2001. с. 142.

6. Анисимов В. Г., Данильчук JI.H. Дефекты упаковки в монокристаллах кремния // Третья национальная конференция по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов РСНЭ-2001: Тезисы докладов. -Москва, 2001.-С.37.

7. Анисимов В. Г., Данильчук JI.H. Дефекты упаковки в монокристаллах кремния // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2002, № 7, с.92−95.

8. Анисимов В. Г. Рентгенотопографические исследования ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния // Восьмая всероссийская научная конференция студентов физиков и молодых учёных ВНКСФ-8: Тезисы докладов. — С.-Петербург. 2002. с. 164.

9. Анисимов В. Г., Данильчук JI.H., Окунев А. О., Ткаль В. А. Исследование ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского // Международный научный семинар «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. — Великий Новгород, 2002. — С. 27−29.

10. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н. Рентгенотопографическое исследование ростовых дефектов упаковки в монокристаллическом кремнии // Третья Российская конференция по материаловедению и физико-химическим основам получения легированных кристаллов кремния и приборных структур на их основе («Кремний-2003»). МИСиС: Тезисы докладов. — Москва, 2003. — С. 31−32.

И. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н., Окунев А. О., Шульпина И. Л., Ткаль В. А. Сравнение методов секционной топографии и аномального прохождения рентгеновских лучей пр исследовании дефектов упаковки // IV Национальная конференция по применению Рентгеновского, Синхротронного излучений, Нейтронов и Электронов для исследования материалов РСНЭ-2003: Тезисы докладов. — Москва, 2003. — С. 435.

12. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н., Дроздов Ю. А., Окунев А. О., Ткаль В. А. Исследование сложных дефектов упаковки в монокристаллах кремния. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования (принята к печати в 2004 г.).

13. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н., Определение природы ростовых дефектов упаковки методом аномального прохождения рентгеновских лучей // Второй научный семинар с международным участием «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. — Великий Новгород, 2004. — С.

14. Анисимов В. Г., Данильчук Л. Н., Определение природы ростовых дефектов упаковки методами секционной и двухкристальной топографии // Второй научный семинар с международным участием «Современные методы анализа дифракционных данных (рентгенотопография, дифрактометрия, электронная микроскопия)»: Тезисы докладов. — Великий Новгород, 2004. — С.

Автор выражает благодарность научному руководителю профессору Данильчуку Л. Н., сотрудникам Совместной лаборатории НовГУ с ФТИ им.

А.Ф. Иоффе РАН научно-учебной лаборатории рентгенотопографических методов исследований материалов электронной техники Ткалю В. А., Окуневу А. О., Буйлову А. Н., Дроздову Ю. А. за поддержку и помощь в проведении исследований, её научному руководителю со стороны ФТИ Шульпиной И. Л., а также сотрудникам ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН и Санкт-Петербургского электротехнического университета за помощь в обсуждении основных результатов работы.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе рассмотрены результаты применения метода АПРЛ, секционного и проекционного метода Ланга, двухкристальной топографии для исследования простых и сложных ростовых дефектов упаковки в монокристаллах кремния.

Показаны возможности метода АПРЛ по определению характера природы и структуры дефектов упаковки в монокристаллах кремния. Изучены и определены особенности бормановского контраста интенсивности от плоскости ДУ, частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих ДУ.

С помощью секционного и проекционного метода Ланга, а также двухкристальной топографии были подтверждены результаты рентгенотопографического исследования природы ростовых ДУ с помощью метода АПРЛ на основе идентификации частичных и вершинных дислокаций их ограничивающих. Применение этих методов исследования позволило однозначно установить природу и структуру исследуемых ДУ в монокристаллах кремния.

Полученные теоретические и экспериментальные результаты с учетом литературных данных по практическому применению метода АПРЛ позволяют считать целесообразным дальнейшее развитие частных методик на основе эффекта Бормана для контроля структурных несовершенств различных полупроводниковых материалов, и их внедрение в сочетании с методами селективного травления и ИК-микроскопии в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий.

В ходе выполнения диссертационной работы автором были получены следующие основные результаты и выводы.

1. Разработана новая методика определения природы и структуры ДУ путём идентификации ограничивающих их частичных и вершинных дислокаций в монокристаллах кремния на основе «розеточной» методики ретгенотопографического метода АПРЛ.

2. Показана возможность идентификации частичных и вершинных дислокаций входящих в состав ДУ на основе розеточной методики в рамках феноменологической теории бормановского контраста интенсивности от дефектов с медленно изменяющимися полями деформаций.

3. Проведено экспериментальное исследование контраста интенсивности от плоскости ДУ и в общем случае, когда ДУ находится под углом к рентгеновскому лучу, и когда ДУ параллелен рентгеновскому лучу, в случае эффекта Бормана.

4. Проведено исследование (теоретическое и экспериментальное) природы частичных и вершинных дислокаций, ограничивающих дефекты упаковки в монокристаллах кремния в случае эффекта Бормана.

5. Составлены атласы теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций, входящих в ДУ. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений частичных и вершинных дислокаций показало их хорошее качественное совпадение.

6. В монокристаллах 81 впервые были обнаружены дефекты упаковки, ограниченные частичными дислокациями с осями <211 >. Ни в одной теоретической работе даже не предполагалось существование частичных дислокаций с такими кристаллографическими направлениями.

7. Дефекты упаковки, располагающиеся параллельно рентгеновскому пучку, формируют бормановское изображение в виде узкой полосы черно-белого контраста без биений интенсивности.

8. Частичные краевые дислокации Франка с векторами Бюргерса.

Ь = у (111), ограничивающие простой ростовой ДУ, в случае эффекта.

Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и ^•Ь = 4/3 формируют несимметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, совпадающие по профилю с изображением полных краевых дислокаций. В случае § • Б = О формируются несимметричные шестилепестковые розетки интенсивности чередующегося чёрно-белого контраста. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений частичных краевых дислокаций показало их хорошее качественное соответствие.

9. Вершинные краевые дислокации Томпсона с векторами Бюргерса.

Б = —(110), ограничивающие барьер Ломера-Коттрелла, в случае АРПЛ при 6 распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и-Ь = 2/3 формируют симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста, а в случае-Б = 0 — формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста.

Если БЛК ограничен вершинной дислокацией с Ь = -^(110), то формируются симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста вдвое большего диаметра, а в случае § • Б = О — симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого контраста тоже вдвое большего диаметра. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса.

10. Вершинные краевые дислокации с векторами Бюргерса Б = ^-(100) с тупым углом, ограничивающие ростовые барьеры Хирта, в случае эффекта Бормана при распространении рентгеновских лучей вдоль оси дислокации и условии ё • Б = 0 формируют симметричные 6-лепестковые розетки интенсивности чередующегося черно-белого (положительно-отрицательного) контраста, а в случае §—Б = 2/3 — симметричные 4-лепестковые розетки интенсивности черно-белого контраста. Плоскость симметрии розеток совпадает с положением экстраплоскости. Плоскость антисимметрии розеток совпадает с плоскостью скольжения, в которой лежит вектор Бюргерса. Сопоставление теоретических и экспериментальных изображений краевых дислокаций для этого случая показало их хорошее качественное соответствие.

11. В монокристаллах кремния обнаружены ростовые дефекты упаковки, которые идентифицировались сопоставлением теоретических и экспериментальных изображений, как ДУ типа вычитания и типа внедрения.

12. Показана высокая информативность и достоверность рентгенотопографического метода на основе эффекта Бормана (метода АПРЛ) по выявлению ростовых дефектов упаковки различной природы в монокристаллах кремния.

13. Следует считать целесообразным дальнейшее развитие частных методик на основе эффекта Бормана для контроля структурных несовершенств различных полупроводниковых материалов и их внедрение в сочетании с методами селективного травления и ИК-микроскопии в практику научно-исследовательских и производственных лабораторий.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Дж. Дислокации в решетке алмаза // Дефекты в кристаллах полупроводников. М.: Мир, 1969. — С. 15−37.
  2. Ю.С., Васильев Б. В. Элементарные полупроводники // Справочник по электротехническим материалам / Под ред. Корицкого Ю.В.и др. Л.: Энергоатомиздат, 1988. — С. 446−472, — С. 411−445.
  3. Лебедев A. A. SiC электроника в новом веке // Карбид кремния и родственные материалы: Сборник докладов / III Междунар. семинар ISSCRM-2000 / НовГУ им. Ярослава Мудрого. Великий Новгород, 2000 г. — С.7−11.
  4. М.Г. Полупроводниковые материалы в современной электронике. М.: Наука, 1986. — 143 с.
  5. Authier A. Dinamical Theory of Х- Ray Diffraction. Oxford, 2003. P.675.
  6. Heidenreich R. D., Shockley W., Report on Strength of Solids. Bristol, 1948. P. 57.
  7. Frank F.C., Phil. Mag. 1951. — V. 42. — P. 809.
  8. Рид B.T. Дислокации в кристаллах. M.: Металлургиздат, 1957.
  9. Дж., Лоте И. Теория дислокаций. М: Атомиздат, 1972, — 599 с.
  10. А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах.- М: Мир, 1974,-496 с.
  11. Lomer W.M., Phil.Mag. 1951. — V. 42. — P. 1327.
  12. А. Теория дислокаций. М., 1969, — 95с.
  13. . Дислокации. М.: Мир, 1967. — 626 с.
  14. Whelan M. J., Proc. Roy. Soc. 1958. — V. A249. — P. 114.
  15. Hirth J. P., J. Appl. Phys. 1961. — V. 32. — P. 192.
  16. Frank F.C., Nicholas J.F., Phil. Mag. 1953. — V.44. — P. 1213.
  17. Д. Халл. Введение в дислокации. М: Атомиздат, 1968, 300 с.
  18. Aerts T., Delavignette Р., Siems R., Amelinckx S., J. Appl. Phys. 1962. -V.33.-P. 3078.
  19. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистратова. М.: Мир, 1965. — 351 с.
  20. Г. Ф. Количественная рентгенотопография дефектов и дифрактометрия многослойных эпитаксиальных систем полупроводников А3 В5, А2 В6 и твердых растворов на их основе. Дис. на соискание уч. ст. докт. физ.-мат. Наук. — М.: -1990. — 296с.
  21. Booyens Н., Basson J.H. The application of elastobirefringence to the study of strain fields and dislocations in III-V compounds // J. Appl. Phys. 1980. -V. 51, № 8. — P. 4368−4374.
  22. П., Николсон P., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. М.: Мир, 1968. — 574 с.
  23. К. Травление кристаллов: теория, эксперимент, применение. -М.: Мир, 1990.-492 с.
  24. Травление полупроводников / Под редакцией B.C. Хангуловой М.: Мир, 1965.-382 с.
  25. JI.C. Дислокационная структура полупроводников и методы её исследования // Дислокации и физические свойства полупроводников / Под ред. А. Р. Регеля. Д.: Наука, 1967. — С. 5−29.
  26. В. Т., Дубровина А. Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. М.: Металлургия, 1978. — 272 с.
  27. Driscoll C.V.H., Willoughby A.F.W. Study of point defects in gallium arsenide precision lattice parameter measurements // J. Materials Sci. -1974.- V.9, -P.l 615−1623.
  28. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах. -М.: ИЛ, 1962. 584с.
  29. С. Методы прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968.-440 с.
  30. С.С., Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. «Проекционное» травление как метод исследования дефектов структуры кристаллов полупроводников//Кристаллография. 1982. — Т. 27, вып. 4. — С. 712−721.
  31. М.Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984. — 256 с.
  32. Nikitenko V.J., Dedukh L.H. Application of the photoelasticity method to the investigation of stresses around individual dislocations and their influence on crystal properties // Phys. Stat. Sol. (a). 1970. — V. 3. — P. 383−392.
  33. Г. Электроника дефектов в полупроводниках / Пер. с англ. под ред. Медведева С. А. М.: Мир, 1974. — 463 с.
  34. В.И., Осипьян Ю. А. Влияние дислокации на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов // Проблемы современной кристаллографии / Под ред. Вайнштейна Б. К., Чернова A.A. -М.: Наука, 1975. -С. 239−261.
  35. JI.H. Бормановская рентгеновская топография дефектов в кристаллах с медленно изменяющимися полями деформации. Дис. на соискание уч. ст. докт. физ. — мат. наук. — К.: ИМФАН Украины, 1992. — 361 с.
  36. Инденбом B. JL, Томиловский Г. Е. Макроскопические краевые дислокации в кристалле корунда// Кристаллография. 1957. — Т. 2, № 1. — С. 190 194.
  37. В.И., Осипьян Ю. А. Влияние дислокаций на оптические, электрические и магнитные свойства кристаллов. В кн.: Проблемы современной кристаллографии. -М.: Наук. 1975. С. 240.
  38. Л.Н., Никитенко В. И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. — Т. 9, № 7. — С. 2027−2034.
  39. И.Л. Рентгеновская дифракционная топография. Этапы и тенденции развития. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования, 2000. — № 4. — С. 3−18.
  40. У. Рентгеновское изображение поля нарушений решетки вокруг отдельных дислокаций // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах. М.: Мир, 1965. — С. 184−204.
  41. И.Л. Рентгеновская дифракционная плосковолновая топография. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, 1999. — Т.66, № 2. — С. 25 — 37.
  42. Authier A. Observation des dislocations dans le silicium a l’aide des rayons X dans le cas la transmission anomale // J. Phys. Radium. 1960. — V. 21, № 8/9.-P. 655−661.
  43. Lang A.R. The projection topograph: a new method in X-ray diffraction microradiography // Acta Cryst. 1959. — V. 12, № 3. — P. 249−250.
  44. Lang A.R. Studies of individual dislocations in crystals by X-ray diffraction microradiography // J. Appl. Physic. 1959. — V. 30, № 11. — P. 17 481 755.
  45. А. Применение «ограниченных проекционных топограмм» и «топограмм прямого пучка» в дифракционной топографии // Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Под ред. A.M. Елистратова. М.: Мир, 1965.-351 с.
  46. Authier A. Contrast of dislocation images in X-ray transmission topography // Adv. in X-ray Analisis. 1967. — V. 10, № 1. — P. 9−31.
  47. Tanner B.K. X-ray diffraction topography. New-York: Pergamon Press, 1976. — 176 p.
  48. А. Контраст изображений в рентгеновской топографии. // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С. и др. М., 1984 — С.- 446−470.
  49. А.Р. Рентгеновская топография методы и интерпретация. // Дифракционные и микроскопические методы в материаловедении / Под ред. Амелинкса С. и др. — М., 1984 — С.- 364−446.
  50. И.Л. Контраст дефектов в проекционной топографии сильнопоглощающих кристаллов // Кристаллография. -1994.-Т.39, № 2. С. 270−277.
  51. Л.И. Ренгешвска дифракцшна топограф1я як 3aci6 контролю структур н o"i досконалост1 нашвпровщниковых прилад1 В у npouecci 'ix виробництва. // BicHHK АН УРСР 1974. — № 8, С.71−77.
  52. Г. Ф. Неразрушающий рентгенотопографический контроль ростовых и производственных дефектов подложек монокристаллических материалов А3В5 // Электронная техника, 1978, вып. З (65), -С. 39−65.
  53. Schwutke G.H. Silicon material problems in semiconductor device technology // Microelectronics and Reliability. Pergamon press, 1970. V.9, P.397−412.
  54. Borrmann G. Uber Exinktion der Rontgenstrahlen von Quarz // Physik Zeit. 1941. — Bd. 42, № 9/10. — S. 157−162.
  55. Borrmann G. Die Absorption von Rontgenstrahlen im Fall der Interferenz //Physik Zeit. 1950. — Bd. 127, № 4. — S. 297−323.
  56. Hirsch P.B. The reflexion and transmission of X-rays in perfect absorbing crystals // Acta Crystallographica. 1952. — V. 5, № 3. — P.176−181.
  57. Laue M. Die Energiesstromung bei Rontgenstrahl Interferenzen im Kristallen // Acta Crystallographica. — 1952. — Bd. 5, № 8. — S. 619−625.
  58. Zachariasen W.H. On the anomalous transparency of thick crystals to X-rays // Proc.N.A.S., USA. 1952. — V. 38, № 4. — P. 378−382.
  59. З.Г. Рентгеновская кристаллооптика. -M.: Наука, 1982, — 392с.
  60. В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: изд. МГУ, 1978. — 277 с.
  61. О.Н. Влияние различного типа нарушений периодичности на аномальное прохождение рентгеновских лучей в монокристаллах германия. -Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. Ленинград, 1964.
  62. Л.И. Исследование дефектов и их взаимодействия в монокристаллах германия методом аномального прохождения рентгеновских лучей. Дис. на соискание уч. ст. канд. физ.-мат. наук. — Киев, 1966.
  63. И.Л. Исследование дефектов в монокристаллах кремния и германия методами рентгеновской дифракционной топографии. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. — Ленинград, 1968.
  64. Borrmann G., Hildebrandt G., Wagner H. Rontgenstrahl-Facher im Kalkspat // Physik Zeit. 1955. — Bd. 142, № 3. — S. 406−414.
  65. Л.В. О возможностях трансмиссионной рентгеновской топографии при использовании косонесимметричных и кососимметричных съемок//Укр. физ. ж. 1971. — Т. 16, № 1. — С. 137−149.
  66. Borrmann G., Hartwig W., Jrmler H. Schatten von Versetzngslinien im Rontgen-Diagramm // Zeit Naturforsch. 1958. — Bd. 13A, № 5. — S. 423−425.
  67. Barth H., Hosemann R. Use of parallel beam transmission method for the X-ray examination of crystal structure II Zeit. Naturforsch. 1958. — V. 13 A, № 4. -P. 792.
  68. Gerold V., Meier F. Der Rontgenographische Nachweis von Versetzungen in Germanium // Zeit. Physik. 1959. — Bd. 155, № 4. — S. 387−394.
  69. Л.И., Скороход М. Я. Рентгеновская камера для исследования дефектов структуры полупроводниковых кристаллов. Кристаллография, 1964. — Т.8, № 2. С. 284 — 287.
  70. Bonse U.K., Hart М., Newkirk J.B. X-ray diffraction topography // Adv. In X-ray Analisis. -1967.- V. 10, № 1. P. 1−8.
  71. Penning P., Polder D. Anomalous transmission of X-rays in elastically deformed crystals // Philips Res. Repts. 1961. — V. 16, № 2. — P. 419−440.
  72. Takagi S. Dynamical theory of diffraction applicable to crystals with any kind of small distortion//Acta Cryst. 1962.-V. 15, № 10. — P. 1311−1312.
  73. Taupin D. Prevision de queloques Images de Dislocations par Transmission des Rayons X (Cas de Laue symetrique) // Acta Cryst. 1967. — V. 23, № l.-P. 25−35.
  74. Balibar F., Authier A. Etude theorique et experimentale du contraste des images de dislocations // Phys. stat. sol. 1967. — V. 21, № 2. — P. 413−422.
  75. Sauvage M., Malgrange C. Observation of X-ray stacking fault fringes in the plane wave case // Phys. stat. sol. 1970. — V. 37, № 3. — P. 759−771.
  76. B.JI., Чуховский Ф. Н. Проблема изображения в рентгеновской оптике // Украинский физический журнал. 1972. — Т. 107, № 6. -С. 229−265.
  77. Е.А. Теория бормановского дислокационного контраста // Украинский физический журнал. 1976. — Т. 21. — С. 709−734.
  78. Э.В., Инденбом B.JI. Рентгеновский дислокационный контраст // 4-я Международная школа специалистов по росту кристаллов. Конспект лекций. Суздаль: АН СССР, 1980. — Ч. 2. — С. 229−249.
  79. Chukhovskii F.N., Stolberg А.А. On the dynamical theory of X-ray images of real crystal // Phys. stat. sol. 1970. — V. 41, № 3. — P. 815−825.
  80. Suvorov E.V., Indenbom V.L., Dislocation contrast in the case of anomalous X-ray transmission // Phys. stat. sol.(a). 1980. — V. 60, № 1. — P. 27−35.
  81. Jl.H., Смородина T.A. Наблюдение полей напряжений вокруг отдельных дислокаций методом АПРЛ // Физика твердого тела. 1965. -Т. 7, № 4.-С. 1245−1247.
  82. Л.Н., Никитенко В. И. Прямые наблюдения винтовых дислокаций, перпендикулярных поверхности монокристалла кремния // Физика твердого тела. 1967. — Т. 9, № 7. — С. 2027−2034.
  83. Л.Н. Рентгеновское наблюдение полей деформаций вокруг краевых дислокаций в монокристаллах германия // Физика твердого тела. 1969. — Т. 11, № 11 — С. 3085−3091.
  84. В.Л., Чуховский Р. Н. Геометрическая оптика рентгеновых лучей // Кристаллография. 1971. — Т. 16, № 6. — С. 1101 — 1109.
  85. Дислокационный контраст / Суворов Э. В., Мухин К. Ю. и др. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград, изд. АН СССР, 1977. — С. 31−35.
  86. Р.Н., Штольберг A.A. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей на дислокациях // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1973. — Т. 64, № 3. — С. 1033 — 1041.
  87. Kambe К. Theorie der Schattenbildung von Verset-zungenslinien in Rontgen -Durchstrahlungsdagrammen // Zeit. Naturforsch., Ser. A, -1963.- V.18A, № 7, S.1010−1011.
  88. И.Л., Даценко Л. И. Об изображении линейных дефектов в методе АПРЛ // Украинский физический журнал. 1967. — Т. 12, № 9. — С. 14 741 482.
  89. В.Л., Чамров В. А. Однолучевая электронная микроскопия тонких кристаллов // Кристаллография. -1980.- Т.25, № 7. С. 465−472.
  90. В.Л., Чамров В. А. Ореольный контраст дислокационных петель // Металлофизика. -1980.- Т.2, № 3. С. 3−9.
  91. А.О. Рентгенотопографический анализ дефектов структуры монокристаллического карбида кремния. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. — Новгород, 1999. — 263с.
  92. А.Ю. Белов, В. А. Чамров. О влиянии поверхности на упругие поля и электронно-микроскопические изображения наклонных дислокаций // Металлофизика. 1987. — Т.9, № 3, — С. 68−78.
  93. Kaganer V.M., Mohling W. Characterization of dislocations by double crystal X-ray topography in back reflection // Phys. stat. sol. (a). 1991. — V. 123. — P. 379−392.
  94. A.H. Исследование структурных дефектов монокристаллического арсенида галлия рентгенотопографическим методом на основе эффекта Бормана. Дис. на соискание уч. степени канд. физ.- мат. наук. — В. Новгород, 2001. — 242с.
  95. Indenbom V.L., Kaganer V.M. The formation of X-ray images of microdefects // Phys. stat. sol. (a). 1985. — V. 87, № 1. — p. 253−265.
  96. Выявление и исследование микродефектов в кремнии методами рентгеновской топографии / Крылова Н. О., Мелинг В., Шульпина И. Л., Шейхет Э. Г. // Физика твердого тела. 1986. — Т. 28, № 2. — С. 440−446.
  97. Л.Н. Ростовые включения второй фазы в кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // 6-я Международная конференция по росту кристаллов. М.: АН СССР, 1980. — Т. 4. — С. 294 — 296.
  98. Л.Н. О природе A-кластеров в бездислокационном кремнии, выращенном по методу Чохральского: Тез. докл. // IV Всесоюзное совещание по дефектам структуры в полупроводниках. Новосибирск: АН СССР, 1984. -Ч. 1.-С. 28.
  99. Л.Н. Бормановский контраст интенсивности от когерентных включений второй фазы в монокристаллах полупроводников: Тез. докл. // Второе совещание по Всесоюзной межвузовской комплексной программе «Рентген». Ереван: изд. ЕГУ, 1987. — С. 40−41.
  100. Kato N., Usami К., Katagawa Т. The X-ray diffraction image a stacking fault // Adv. in X-ray Analisis. 1967. — V. 10, № 1. — P. 46−66.
  101. Authier A. Contrast of the stacking fault on X-ray topographs // Phys. stat. sol. 1968. — V. 27, № 1. — P. 77−93.
  102. Epelboin Y., Mater. Sel. Eng. 1985.V. 73. — P. 1- 43.
  103. Epelboin Y., Progr. Crysnal Growth Characnerizanion. 1987. — V. 14. -P. 465−506.
  104. Kowalski G., Lang A.R., Makepeace A.P.W. and Moore M. J., Appl. Crystallogr. 1982. — V. 22. — P. 410−430.
  105. Lang A.R., Z. Naturforsch. (a). 1972. — V. 27. — P. 461−468.
  106. Lang A.R. Phys. Stat. Sol. (a). 1983. — V.76. — P. 595−599.
  107. Patel J.R., Authier A. X-ray topography of defects produced after heat treatment of dislocations free silicon containing oxygen // J. Appl. Physic. — 1975. -V. 46, № l.-P.l 18−125.
  108. Authier A., Patel J.R. X-ray topographic determination of the intrinsic or extrinsic nature of stacking fault // Phys. stat. sol.(a). 1975. — V. 27, № 1. — P. 213 222.
  109. Yang P., Jiang S.S. and Feng DM Phys. stat. sol.(a). 1990. — V. 122, — P. 475−479.
  110. B.Jl., Чуховский Ф. Н. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. I // Кристаллография. 1974. — Т.19, № 1. — С. 35−41.
  111. В.Л., Слободецкий И. Ш. Рентгеновское изображение дефекта упаковки, перпендикулярного поверхности кристалла. И // Кристаллография. 1974. — Т.19, № 1. — С. 42−53.
  112. Indenbom V.L., Slobodetskii I.Sh. Image of stacking fault // Phys. stat. sol. (b). 1975. — V. 71, № 2. — P. 751−756.
  113. Epelboin Y., J. Appl. Phys. 1979.-V. 50.-P. 1312−1317.
  114. Schlenker M., Brissonnean P. and Perrier I.P., Pull. Soc. Fr. Miner. Crystal. 1968.-V. 91.-p. 653−665.
  115. Wierzchowski W., Moore M., Acta Crystallogr. A. 1995. — V. 51. — P. 831−840.
  116. Gabrielyan K.T., Kubena I. and Holy V., Phys. Stat. Sol. (a). 1986. -V. 95. — P. 579−588.
  117. Capelle В., Malgrange C., J. Appl. Phys. 1982. V. 53. — P. 6762−6766.
  118. Capelle В., Malgrange C., in Applications of X-ray topographic methods to material science. Ed. S. Weissmann, F. Balibar and J.F. Petroff. Plenum Press, New York. 1984. P. 511−522.
  119. Capelle В., Malgrange C., J. Physique. 1984. — V. 45. — C. 1827−1834.
  120. Capelle В., Epelboin Y., Malgrange C., J. Appl. Phys. 1982. V. 53. -P. 6767−6771.
  121. Authier A., Phys. Stat. Sol. 1968. — V. 27. — P. 77−93.
  122. Bonse U., Hart M., Acta Crystallogr. A. 1968. — V. 24. — P. 240−245.
  123. Tanemura S. and Lang A.R., Z. Naturforsch. (a). 1973. — V. 28. — P. 668−676.
  124. Bezirganyan P. Kh., Kocharyan A.K., Truni K.G., Phys. Stat. Sol. (a). -1981.-V. 64.-P. 431−434.
  125. Authier A. and Petroff J.F., C. R. Acad. Sci. Paris. 1964. — V. 258.1. P. 2438.
  126. Chikawa J.I., Appl. Phys. Lett. 1965. — V. 7. — P. 193−195.
  127. Lang A.R. and Miuscov F.V., Appl. Phys. Lett. 1965. — V. 7. — P. 213—216.
  128. Bonse U., Hart M., Z. Phys. 1966. — V. 190. — P. 455 — 467.
  129. Bradler J. and Lang A.R., Acta Crystallogr. A. 1968. — V. 24. — P. 246 247.
  130. Lang A.R., Nature, London. 1968. — V. 220. — P. 652−657.
  131. Fedorov A.A., Trukhanov E.M., Vasilenko A.P., Kolesnikov A.V. and Revenko M.A., J. Phys. D: Appl. Physics. 2003. — V. 36. — P. A44-A48.
  132. Hashimoto H., Mannami M and Naiki T., Philoph. Trans. Roy. Soc. London. 1961.-V. 253.-P. 490−516.
  133. Gevers R., Phyl. Mag. 1962.-V. 7. — P. 1681−1720.
  134. Chikawa J.I., J. Phys. Chem. Solids. 1967. — V. 28 (Suppl.l). — P. 817 823.
  135. Simon D., Authier A., Acta Crystallogr. A. 1968. — V. 24. — P. 527 534.
  136. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1978. — V. 46. — P. 179−186.
  137. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1978. — V. 47. — P. 567−575.
  138. Polcarova M., Phys. Stat. Sol. (a). 1980. — V. 59. — P. 779−785.
  139. Yoshimura J., Acta Crystallogr. A. 1996. — V. 52. — P. 312−325.
  140. Haroutyunvan V.S., Sedrakyan A.G., Acta Crystallogr. A. 1997. — V. 53.-P. 410−414.
  141. Ohler M., Hartwig J., Acta Crystallogr. A. 1999. — V. 53. — P. 199−201.
  142. Lang A.R., Adv. X-ray Anal. 1967. — V. 10. — P. 91 -107.
  143. Phakey P.P., Phys. Stat. Sol. (a). 1969. — V. 34. — P. 105−119.
  144. Chikawa J.I., Austerman S.B., J. Appl. Cryst. 1968. — V.l. — P. 165.
  145. Kato N., In X-Ray diffraction (ed. L.V. Azaroff, R. Kaplov, N. Kato, R.J. Weiss, A.J.C. Wilson and R.A. Young). 1974. P. 176−438. McGraw-Hill, New York.
  146. Katagawa Т., Ishikawa H. and Kato N., Acta Crystfllogr. A. 1975. — V. 31.-P. 246.
  147. Klapper H., In Crystals: growth, properties and applications. 1991. -V. 13 (ed. N. Karl). — P. 109−162. Springer-Verlag, Berlin.
  148. Yang P., Jiang S.S., Zhou H.N. and Feng DM Phys. stat. sol.(a). 1986. -V. 97,-P. 411−420.
  149. Yang P., Jiang S.S. and Feng D.// Phys. stat. sol.(a). 1991. — V. 123, — P.51.60.
  150. Gonzalez-Manas M., Caballero M.A., Capelle В. and Epelboin Y., J. Appl. Crystallogr. 1993. — V. 26. — P. 122−127.
  151. Authier A., Sauvage V., J. Physique. 1966. — V. 27. — C. 3−137.
  152. Yang P., Jiang S.S., Zhou H.N. and Feng D.// Phys. stat. sol.(a). 1991. -V. 124,-P. 57−66.
  153. Yoshimatsu M., Jap. J. Appl. Phys. 1965. — V. 4. — P. 619−620
  154. Authier A., In X-Ray optics: Topics in Applied Physics (ed. H.J. Queisser). 1977. — V. 22. — P. 145−188. Springer-Verlag, Berlin.
  155. Sauvage M., Lefaucheux F., Robert M.C. and Ribet M., Phys. Stat. Sol. (a). 1982.-V. 71.-P. 5−7.
  156. Leon S., Lefaucheux F., Robert M.C., Malgrange C. and Lorin J.C., J. Cryst. Growth. 1989. — V. 97. — P. 631−644.
  157. С. Зарождение дефектов упаковки в эпитаксиальных пленках кремния, выращиваемых на подложках с различной ориентацией. В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969, — 235.
  158. Г. Р., Стиклер Р. Кристаллографические несовершенства в эпитаксиальном кремнии- В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969, — 181.
  159. Р., Квейссер X., Томас Г., Уошберн Д. Структура и происхождение дефектов упаковки в эпитаксиальном кремнии, — В кн.: Дефекты в кристаллах полупроводников.- М.: Мир, 1969, 181.
  160. Г., Силе В. Рентгеновский анализ структур дефектов упаковки в эпитаксиально наращенном кремнии.- В кн.: Прямые методы исследования дефектов в кристаллах.- М.: Мир, 1965, 246−258.
  161. А.И., Данильчук Л. Н. Изучение дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Изв. АН СССР. Сер. неорг. материалы. -1968. — Т. 4, № 10. — С. 1627−1632.
  162. У., Ходос И. И., Ковальчук М. Н., Рихтер В. Частичные дислокации и дефекты упаковки в кубическом SiC. Кристаллография, 2001, т.46, № 6, с. 1089−1097.
  163. Jordan A. S., Garuso R., Von Neida A. R. // Beii System Technic. Journ. 1980.- V. 59.-P. 593−637.
  164. Jordan A. S. Determination of the total emittance of n-type GaAs with aplication to Chochrialski growth // J. Appl.Phys.- 1980.- V. 51, № 4. P. 2218−2227.
  165. Л.Н. Исследование дислокационной структуры монокристаллов с решёткой алмаза методом АПРЛ // Ученые записки Петрозаводского госуниверситета им. О. В. Куусинена, Петрозаводск, 1968, Т. 16, вып.6. С. 37−46.
  166. А.И., Данильчук Л. Н., Смородина Т. А. Сопоставление метода АПРЛ и химического травления поверхности германия при изучениидефектов упаковки // Вопросы радиофизики и спектроскопии. М.: Сов. радио, — 1966.-Вып. 2.-С. 306−310.
  167. А.И., Данильчук Л. Н. Применение методов АПРЛ и химического травления при изучении дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Ученые записки Новгородского пединститута, 1967. Т. 19. -С. 51−59.
  168. Е.И., Шефталь H.H. О различных формах дефектов упаковки в нарощенных слоях германия. Кристаллография, 1964, т. 9, № 6, С. 933−937.
  169. А.И. О влиянии отжига и пластической деформации на дефекты упаковки в эпитаксиальных слоях германия // Кристаллография, 1968, -т. 13, № 1.-С. 153−157.
  170. H.H., Кокориш Н. П., Красилов A.B. Кристаллизация монокристаллических слоёв кремния и германия из газовой фазы // Изв. АН СССР. Сер. неорг. материалы. — 1957. — Т. 21, № 1. — С. 147−153.
  171. К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. М: Мир, 1984,-472 с.
  172. Р.И., Кравцов A.A. Образование окислительных дефектов упаковки в кремнии, выращенном методом Чохральского. Материалы электронной техники, № 3, 2002. с. 11−17.
  173. Kohra К. and Yoshimatsu M., J. Phys. Soc. Japan. 1962. — V. 17. — P.1041.
  174. Yoshimatsu M., J. Appl. Phys. Japan. 1964. — V 3. — P. 95.
  175. Kato N. Acta. Crystallogr. 1961. — V. 14. — P. 526.
  176. Э.В., Мухин К. Ю. Секционное изображение дефекта упаковки. // Материалы IV Совещания по динамическим эффектам рассеяния рентгеновских лучей и электронов. Ленинград: АН СССР, 1977. — С. 42−45.
  177. Wonsiewicz В. С and Patel J.R., J. Appl. Phys. 1976. — V. 47. — P. 1837−1845.
  178. Sourek Z., Bubakova R. Deformation by stress relaxation at the edge dislocation // Phys. stat. sol. (a). 1982. — V. 70. — P. 641−648.
  179. H.M. Методы исследования оптических свойств кристаллов. М.: Наука, 1970. 156 с.
  180. Данильчук J1.H. Рентгеновская топография дислокаций в кристаллах на основе эффекта Бормана // Субструктурное упрочнение металлов и дифракционные методы исследований. Киев: Наукова думка, 1985. — С. -185−186.
  181. Л.Н., Дроздов Ю. А., Окунев А. О., Ткаль В. А., Шульпина И. Л. Рентгеновская топография дефектов структуры монокристаллических полупроводников на основе эффекта Бормана. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, т.68, № 11, 2002, с. 24−33.
  182. С.П. Теория упругости: учебник для вузов. Мю: Высшая школа, 1979.-С. 15−16.
  183. И.Л. Применение АПРЛ для обнаружения и исследования дефектов в достаточно совершенных кристаллах // Рост кристаллов. М.: Наука, 1965. — Т. 5. — С. 285−299:
  184. E.H. Ioffe. A dislocation at free surface // Phil. Mag. 1961. — V. 6, № 69.-P. 1147−1150.
  185. Bowen D.K. and Tanner В. K. High resolusion x-ray diffractometry and topography. London. UK. 1998. — P. 252.
  186. Ю.А., Окунев A.O., Ткаль В. А., Шульпина И. Л. Применение компьютерной обработки рентгенотопографических изображений для идентификации дефектов структуры монокристаллов. Заводская лаборатория. Диагностика материалов, Т. 68, № 12, 2002. С. 30−36.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!