Проверка гипотезы о законе распределения случайной величины по критерию Пирсона

КонтрольнаяПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

1333. 0476. 0387. 0333. 0309. 0238. 0190. 0167. 0142. 0048. 0024. R=2. 079. 9; 9; 9; 9; 9; 9; 9; 9; 9; 9; 9. 9. 8; 8; 8; 8; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7; 7. 7. 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6; 6. 6. 6. 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5; 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 5. 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4; 4. 4. 3; 3; 3; 3; 3; 3; 3; 3; 2; 2; 2… Читать ещё >

Проверка гипотезы о законе распределения случайной величины по критерию Пирсона (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

1. Случайная выборка объема

Под случайной выборкой объема n понимают совокупность случайных величин, не зависимых между собой. Случайная выборка есть математическая модель проводимых в одинаковых условиях независимых измерений.

Таблица 1


42,7;	37,6;	45,1;	55,4;	50,7;	30,7;	31,9;	43,8;
47,5;	42,1;	57,7;	21,3;	45,5;	45,3;	46,2;	50,9;
33,2;	40,4;	40,0;	59,6;	46,0;	44,0;	37,0;	44,7;
64,6;	58,9;	31,3;	59,2;	45,5;	53,3;	43,6;	37,5;
33,0;	42,6;	39,6;	51,5;	47,4;	48,6;	33,8;	29,2;
33,7;	48,5;	44,4;	37,6;	45,1;	36,0;	26,4;	38,0;
49,7;	52,1;	42,7;	49,0;	31,9;	52,2;	60,6;	44,6;
43,9;	59,4;	53,7;	45,9.

2. Упорядоченная выборка

Упорядоченной статистической совокупностью будем называть случайную выборку величины в которой расположены в порядке возрастания

Таблица 2


21,3;	26,4;	29,2;	30,7;	31,3;	31,9	31,9;	33,0;
33,2;	33,7;	33,8;	36,0;	37,0;	37,5	37,6;	37,6;
38,0;	39,6;	40,0;	40,4;	42,1;	42,6	42,7;	42,7;
43,6;	43,8;	43,9;	44,0;	44,4;	44,6	44,7;	45,1;
45,1;	45,3;	45,5;	45,5;	45,9;	46,0	46,2;	47,4;
47,5;	48,5;	48,6;	49,0;	49,7;	50,7	50,9;	51,5;
52,1;	52,2;	53,3;	53,7;	55,4;	57,7	58,9;	59,2;
59,4;	59,6;	60,6;	64,6.

Определим шаг или длину интервала, по формуле Стерджесса

(1)

Таблица 3



[18; 25)	21,5	0,0167	0,0024
[25; 32)	28,5	0,1	0,0142
[32; 39)	35,5	0,1667	0,0238
[39; 46)	42,5	0,3333	0,0476
[46; 53)	49,5	0,2167	0,0309
[53; 60)	56,5	0,1333	0,0190
[60; 67)	63,5	0,0333	0,0048

где ,

— частота;

— относительная частота;

— плотности относительных частот.

Рис. 1. Гистограмма плотности относительных частот По построенной гистограмме (рис.1) можно предположить, что данное распределение подчиняется нормальному закону. Для подтверждения выдвинутой гипотезы проведем оценку неизвестных параметров, для мат. Ожидания

(2)

для несмещенной оценки дисперсии

(3)

Функция плотности имеет вид

(4)

где ,

Пользуясь приложением 3 в учебнике Вентцель Е. С. — «Теория вероятностей» — М.: Высшая школа, 1998., получим значения

(5)

(6)

. (7)

Полученные значения занесем в таблицу 4

Таблица 4



21.5	0.0025
28.5	0.0114
35.5	0.0291
42.5	0.0425
49.5	0.0351
56.5	0.0165
63.5	0.0044

3. Критерий согласия (Пирсона)

Найду соответствующие вероятности для каждого разряда

Из ТВ для нормальной случайной величины

(8)

Значения функции Лапласа, находим в приложении 2, учебника Вентцель Е. С., Овчаров Л. А., теория вероятностей и её инженерные приложения. Учеб. пособие для вузов. — 2-е изд., стер. — М.: Высш. шк., 2000.

Таблица 5




0,12 567	0, 20 289	0,29 017	0,24 263	0,15 245
7,5402	12,1734	17,4102	14,5578	9,1470
— 0,5402	— 2,1734	2,5898	— 1,5578	0,8530
0,2918	4,7237	6,7071	2,4267	0,7276
0,0387	0,3880	0,3852	0,1667	0,079

. (9)

— расчетное Найдем число степеней свобод

(10)

Где k=5; s=3;

r=2

Для

Получили:

Гипотеза о нормальном распределении генеральной совокупности, из которой сформирована выборка, не противоречит экспериментальным данным.

4. Нахождение доверительного интервала

4.1 Оценка математического ожидания

4.2 Оценка дисперсии .

4.3 Среднеквадратичное отклонение оценки

(11)

4.4 По функции Лапласа, определим t

;

(12)

где

4.5 Точность оценки

(13)

4.6 Доверительный интервал

При достаточно большом числе выборок, из них имеет такие доверительные интервалы. А в 5% оценив параметры математического может выходить за пределы доверительного интервала.

Показать весь текст

Заполнить форму текущей работой

Другие работы

Исследование полупроводниковых эпитаксимальных слоев и квантово-размерных структур в системах Ga-In-P-As и Al-Ga-As методом фотопропускания

Современный этап развития полупроводниковой микрои нано-электроники характеризуется переходом к многослойным и низкоразмерным структурам, таким, как различного рода гетеропереходы, структуры с квантовыми ямами, сверхрешетки, квантовые нити и точки. Взаимодействие размерно-квантованных электронных состояний в сверхтонких эпитаксиальных слоях толщиной от единиц до сотен межатомных расстояний…

Диссертация