Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Микроструктура химически осажденных нанокристаллических пленок и осадков сульфидов свинца и кадмия

Диссертация: Микроструктура химически осажденных нанокристаллических пленок и осадков сульфидов свинца и кадмия
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на следующих научных конференциях: II международная научно-техническая конференция «На передовых рубежах науки и инженерного творчества» (Екатеринбург, 26−29 сентября 2000), научно-практическая конференция «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 3−4 октября, 2000), Всероссийская… Читать ещё >

Микроструктура химически осажденных нанокристаллических пленок и осадков сульфидов свинца и кадмия (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СТРУКТУРА, СВОЙСТВА И ПОЛУЧЕНИЕ PbS И CdS
    • 1. 1. Свойства нанокристаллических халькогенидов свинца и кадмия
      • 1. 1. 1. Фазовые превращения
      • 1. 1. 2. Полупроводниковые свойства
    • 1. 2. Фазовые равновесия в системах Pb — S и Cd — S
    • 1. 3. Кристаллическая структура сульфидов свинца и кадмия
    • 1. 4. Методы получения сульфидов свинца и кадмия
    • 1. 5. Химия процесса образования сульфидов металлов в виде порошков и тонких пленок при химическом осаждении из водных растворов
    • 1. 6. Развитие представлений о механизме зарождения пленок сульфидов металлов при химическом осаждении из водных растворов
    • 1. 7. Постановка задачи диссертационной работы
  • 2. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЯ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДИКИ
    • 2. 1. Получение образцов сульфидов свинца и кадмия
    • 2. 2. Рентгено-структурные методы исследования порошков и тонких пленок
    • 2. 3. Оптическая микроскопия. Сканирующая и просвечивающая электронная микроскопия высокого разрешения
    • 2. 4. Метод электронно-позитронной аннигиляции
    • 2. 5. Физико-химические методы исследования
      • 2. 5. 1. Магнитная восприимчивость
      • 2. 5. 2. Оптические измерения
      • 2. 5. 3. Высокотемпературный вакуумный отжиг
  • 3. МЕТОД ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ВОДНЫХ РАСТВОРОВ ДИАМИДА ТИОУГОЛЬНОЙ КИСЛОТЫ
    • 3. 1. Анализ начальных условий получения сульфидов свинца и кадмия
      • 3. 1. 1. Состояние диамида тиоугольной кислоты в водных растворах
      • 3. 1. 2. Определение начальных условий процесса образования сульфидов металлов. Расчет ионного произведения
      • 3. 1. 3. Расчет долевых концентраций всех форм существования свинца в системе «растворимая соль свинца — цитрат натрия — щелочь — вода»
      • 3. 1. 4. Расчет долевых концентраций всех форм существования кадмия в системе «растворимая соль кадмия — аммиак — щелочь — вода»
    • 3. 2. Анализ кинетических закономерностей получения сульфидов свинца и кадмия в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы
      • 3. 2. 1. Определение равновесных условий процесса образования сульфидов двухвалентных металлов
      • 3. 2. 2. Кинетика процесса химического осаждения сульфида свинца
      • 3. 2. 3. Кинетика процесса химического осаждения сульфида кадмия
  • 4. ОПРЕДЕЛЕНИЕ РАЗМЕРА ЧАСТИЦ И ИЗУЧЕНИЕ МИКРОСТРУКТУРЫ ПОРОШКОВ И ПЛЕНОК СУЛЬФИДОВ СВИНЦА И КАДМИЯ
    • 4. 1. Дифракционный метод определения размера частиц PbS и CdS
      • 4. 1. 1. Исследование порошков сульфида свинца
      • 4. 1. 2. Исследование порошков сульфида кадмия
    • 4. 2. Определение кристаллической структуры пленок сульфидов свинца и кадмия методом рентгеновской дифракции под скользящим лучом
    • 4. 3. Электронно-микроскопическое исследование микроструктуры порошков и пленок сульфида свинца и кадмия
    • 4. 4. Количество зародышей и образовавшихся из них частиц, определенное на основе кинетических закономерностей процесса и дифракционных данных
  • 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СУЛЬФИДОВ СВИНЦА И КАДМИЯ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ
    • 5. 1. Исследование дефектной структуры сульфидов свинца и кадмия методом аннигиляции позитронов
      • 5. 1. 1. Время жизни позитронов в PbS и CdS
      • 5. 1. 2. Определение химического окружения вакансий методом двух-детекторной доплсровской спектроскопии
    • 5. 2. Результаты оптических измерений — абсорбция и люминесценция
    • 5. 3. Результаты огжиговых экспериментов

Актуальность темы

Сульфиды свинца и кадмия являются типичными представителями халькогенидов тяжелых металлов. Наряду с другими халькогенида-ми они заняли достойное место среди узкозонных и широкозонных полупроводников в качестве фото детекторов инфракрасного и видимого диапазона. В последнее время благодаря развитию нанотехнологий этим сульфидам уделяется пристальное внимание как потенциальным материалам для оптических устройств на квантовых точках.

Сульфиды свинца и кадмия имеют принципиально различные кристаллические структуры: первый является соединением с октаэдрической, а второй — с тет-раздрической координацией, что приводит к существенно различным свойствам этих соединений, а таюке к необходимости создания различных условий синтеза и нанесения дискретных пленок. Выяснение условий получения дискретных на-нокристаллических пленок, определение их свойств, установление корреляций между условиями синтеза и микроструктурой полученных пленок являются актуальными задачами физической химии, важными для теории и практики. Действительно, для прикладных задач, также как для фундаментальной науки важно знать, каковы кристаллическая структура сульфидных пленок и размеры частиц в них, имеются ли в пленках коагуляция, агломерация и дискретность.

Актуальность выполненных исследований подтверждается их включением в координационные планы Российской Академии наук на 2001;2003 гг. в рамках темы «Исследование строения и свойств сильно нестехиометрических соединений переходных металлов и твердых растворов карбидов, нитридов и оксидов в неупорядоченном, упорядоченном и нанокристаллическом состоянияхразработка термодинамических моделей указанных соединений и методов расчета их фазовых диаграмм» (Гос. регистрация 01.200.1 16 401) и на 2004;2006 гг. в рамках темы «Синтез, исследование строения и свойств нестехиометрических соединений (карбидов, нитридов, оксидов и сульфидов переходных и халькогенидообра-зующих металлов, сложных оксидов переходного и щелочного металлов) в состояниях с разной степенью порядка и разным масштабом микроструктурымоделирование ближнего и дальнего порядка и создание методов расчета фазовых диаграмм двойных и многокомпонентных систем с нестехиометрией, замещением и упорядочениемразработка методов анализа дефектной структуры нестехио-метрических соединений». Выполненные исследования соответствуют приоритетному направлению развития науки РФ «Новые материалы и химические технологии», критической технологии РФ «материалы для микрои наноэлектрони-ки», основным направлениям фундаментальных исследований РАН по пунктам 4.1 (теория химического строения, кинетика и механизм химических реакций, кристаллохимия), 4.2 (синтез и изучение новых веществ, разработка материалов и наноматериалов с заданными свойствами), 4.11 (химия и физикохимия твердого тела, расплавов и растворов).

Синтез исследованных образцов PbS и CdS осуществлен на кафедре физической и коллоидной химии УГТУ-УПИ.

Экспериментальное исследование PbS и CdS методам аннигиляции позитронов и высокоразрешающей электронной микроскопии выполнено в Институте теоретической и прикладной физики Штутгартского университета (Германия, Штутгарт) и Бельгийском институте атомной энергии (Бельгия, Моль) в рамках совместного с Российской Академией наук проекта «Исследование вакансий в бинарных соединениях методом двух-детекторной доплеровской спектроскопии» .

Цель работы. Целью настоящей работы является исследование микроструктуры пленок и осадков сульфидов свинца и кадмия в зависимости от величины сродства химической реакции при осаждении из водных растворов, изучение дефектной структуры, оптических свойств и температурной стабильности полученных сульфидов. Для достижения этой цели были поставлены следующие задачи: обосновать условия выбора областей образования сульфидов свинца и кадмия как в виде пленок, так и в виде осадков. Предложить кинетические уравнения, описывающие гетерогенные процессы образования сульфидов в водном растворе и позволяющие проводить процесс синтеза с заданной скоростьюпровести химическое осаждение сульфидов свинца и кадмия при различных величинах химического сродства реакциина образцах осадков и пленок провести исследование кристаллической структуры методом рентгеновской дифракции. Для исследования осадков использовать метод порошка — Брэгг-Брентано, а для исследования пленок использовать метод дифракции под скользящим лучем (glancing incident diffraction) и метод полного внешнего отражения (reflectivity) — с помощью полнопрофильного анализа рентгеновских дифракционных спектров установить размеры кристаллитов или областей когерентного рассеяния в осадках и пленкахисследовать микроструктуру осадков и пленок методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешенияс помощью высокотемпературного вакуумного отжига и измерения магнитной восприимчивости in situ изучить температурную стабильность сульфидоватомные вакансии и дефекты исследовать двумя методами аннигиляции позитронов — методом времени жизни позитронов и методом доплеровского устарения линии гамма-квантовисследовать оптические свойства пленок.

Научная новизна. Впервые детально изучена микроструктура не только пленок, но и осадков, полученных при одних и тех же условиях химического осаждения. Выполнен анализ числа зародышей и размера частиц, выпадающих в осадок и кристаллизующихся на пленке. Показано, что частицы, вырастающие из каждого зародыша, являются монокристаллами.

Для сульфида свинца в области размеров частиц от 100 до 300 нм впервые установлена корреляция между величиной химического сродства и размером осаждаемых частиц.

При осаждении CdS впервые обнаружено явление самоорганизации наноча-стиц сульфида кадмия в агломераты правильной формы и одинаковых размеров.

Впервые для исследования дефектной структуры нанокристаллических сульфида свинца и кадмия применены методы времени жизни позитронов и доплеровского уширения линии гамма-квантов и установлено, что позитроны в сульфидах захватываются вакансиями металлической подрешетки.

Практическая ценность работы. Методика расчета начальных и равновесных условий осаждения и обработки экспериментальных данных, обсуждаемая в данной работе, может быть использована для оптимального нанесения пленок не только сульфидов свинца и кадмия, но и сульфидов однои трехвалентных металлов, а также твердых растворов на их основе.

Установленная зависимость между сродством химической реакции и размером частиц сульфида свинца дает возможность вести направленный синтез сульфидов с заданными размерами частиц.

Обнаруженная зависимость между оптической абсорбцией и дискретностью пленок сульфидов может быть использована при разработке оптических устройств на квантовых точках.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на следующих научных конференциях: II международная научно-техническая конференция «На передовых рубежах науки и инженерного творчества» (Екатеринбург, 26−29 сентября 2000), научно-практическая конференция «Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий» (Томск, 3−4 октября, 2000), Всероссийская научно-техническая конференция (Казань-Менделеевск, 1922 июня 2001), семинар СО РАН-УрО РАН (Новосибирск, 23−25 сентября, 2001), VI Bilateral Russian-German Symposium «Physics and Chemistry of Advanced Materials» (Novosibirsk, August 18−27, 2002), второй семинар CO CO РАН-УрО РАН (Екатеринбург, 24−26 сентября, 2002), X АРАМ Topical Seminar and III Conference «Nanoscience and technology» (Novosibirsk, June 2−6, 2003), Менделеевский съезд по общей и прикладной химии «Материалы и нанотехпологии» (Казань, 2126 сентября, 2003), 13th International Conference on Positron Annihilation (Kyoto, Japan, September 7−12, 2003), научно-практическая конференция УГТУ-УПИ «Технология электрохимических производств» (Екатеринбург, 22−25 октября 2003), третий семинар СО РАН-УрО РАН «Термодинамика и материаловедение» (Новосибирск, 3−5 ноября, 2003).

Публикации. Материалы диссертации опубликованы в 16 печатных работах, в том числе в 5 статьях. •.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ.

1. На основе представления об обратимом гидролитическом распаде диамида тиоугольной кислоты в водных щелочных растворах рассчитаны концентрационные области образования сульфидов свинца и кадмия в водных растворах N2H4CS, содержащих различные комплексные соединения свинца и кадмия, соответственно. В результате экспериментальной проверки результатов анализа ионных равновесий экспериментально подтверждена предсказанная расчетами область образования сульфидов свинца и кадмия, ограниченная концентрациями металла, лиганда, тиомочевины и рН реакционной смеси. Вычислены значения химического сродства для каждой реакционной смеси. Сродство химической реакции при получении образцов сульфида свинца варьировалось в пределах 31−39 кДж/моль, а при получении сульфида кадмияв пределах 52−66 кДж/моль.

2. Описана кинетика процессов получения PbS и CdS в водных щелочных растворах N2H4CS: экспериментально определены порядки реакции по компонентам и энергия активации. Опираясь на полученные уравнения, можно задавать условия проведения процесса синтеза сульфидов свинца и кадмия с желаемой скоростью, от которой зависит микроструктура осадка и пленки образующихся соединений.

3. Аппроксимация рентгеновских дифракционных спектров порошков сульфидов свинца и кадмия и определение уширения дифракционных отражений позволили установить размеры частиц и зарегистрировать существенные микродеформации в этих веществах. Показано, что размеры частиц в PbS варьируются в пределах 100−300 нм, а в CdS составляют 6±4 нм.

4. Установлено, что при уменьшении сродства химической реакции осаждения от 39 до 31 кДж/мол размер частиц сульфида свинца уменьшается в три раза. Корреляцию между сродством химической реакции и размером образующихся частиц можно использовать в технологии производства оптических устройств на квантовых точках.

5. Методами сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии установлена микроструктура химически осажденных порошков и пленок сульфидов свинца и кадмия. Показано, что субмикрокристаллические частицы сульфида свинца в порошках склонны к агломерированию, а в пленках образуют дискретную структуру. Установлено, что нанокристаллические частицы сульфида кадмия образуют коагуляты размером 100−200 нм, которые в свою очередь агломерируют.

6. Обнаружено явление самоорганизации нанокристаллических частиц сульфида кадмия в агломераты правильной формы и одинаковых размеров. Явление самоорганизации обусловлено слабыми взаимодействиями между частицами сульфида кадмия и может быть использовано в новых нанотехнологиях производства устройств на квантовых точках.

7. Комбинацией двух методов аннигиляции позитронов — время жизни позитронов и доплеровское уширение — установлено, что позитроны в нанокристаллических сульфидах свинца и кадмия аннигилируют в узлах кристаллической решетки, окруженных атомами серы. Анализ спектров времени жизни позитронов показал, что концентрация металлических вакансий в исследуемых сульфидах составляет порядка 10″ 3- 10″ 4 на атом.

8. Измерения оптической абсорбции и люминесценции показали, что образцы сульфида свинца является узкозонными, а сульфида кадмия — широкозонными полупроводниками. Кроме того, подтверждено, что край зоны поглощения фотонов из-за нанометрового размера частиц в сульфиде кадмия смещен в область высоких энергий, т. е. наблюдается синее смещение.

9. Высокотемпературные вакуумные отжиги при измерении магнитной восприимчивости in situ позволили установить, что рекристаллизация, т. е. укрупнение частиц, в субмикрокристаллическом сульфиде свинца начинается при температуре 600−800 К, что составляет приблизительно 0.5ГПЛ, а в нанокри-сталлическом сульфиде кадмия при температуре 500−600 К, что составляет приблизительно 0.3ГПЛ.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Сульфиды свинца и кадмия являются важными объектами при исследовании химического осаждения и нанесения сплошных и дискретных пленок для современных оптических устройств: фотодиодов, фотодетекторов и лазеров с заданной длиной волны излучения в широком оптическом диапазоне. При создании устройств на квантовых точках возникает проблема получения пленок, частицы которых не только имеют нанометровый размер, но и регулярно расположены на подложке.

В данной работе подробно изучена микроструктура пленок и осадков сульфидов свинца и кадмия, полученных химическим осаждением из водных растворов при различных величинах химического сродства реакции осаждения. Обнаружены важные закономерности и явления, в частности, для сульфида свинца установлена корреляция между величиной химического сродства реакции и размером выпадающих частиц, а для сульфида кадмия обнаружено явление самоорганизации. Оба эти эффекта могут быть с успехом использованы в новых нанотехноло-гиях по производству современных оптических устройств.

Однако для решения фундаментальных и практических проблем в дальнейшем необходимо установить кинетические и микроскопические причины наблюдаемых эффектов. Необходимо выяснить, почему число зародышей сульфида свинца существенно увеличивается при уменьшении сродства химической реакции. Важным вопросом является установление движущих сил при самоорганизации частиц сульфида кадмия. Такими силами могут быть как силы Ван-дер-Ваальса, так и снижение поверхностной энергии правильных по форме и размеров агломератов.

Автор признателен ныне покойному Георгию Авенировичу Китаеву, профессору, доктору химических наук, под руководством которого была начата работа над диссертацией. Автор выражает искреннюю признательность и благодарность своему научному руководителю доктору физико-математических наук Андрею Андреевичу Ремпелю, а также консультанту кандидату химических наук Алле Александровне Урицкой.

Автор благодарен профессору, доктору физико-математических наук А. И. Гусеву за полезные советы и постоянный интерес к работе, а также сотрудникам лаборатории тугоплавких соединений Института химии твердого тела УрО РАН к. х. н. А. А. Валеевой, к. х. н. С. 3. Назаровой и А. С. Курлову за помощь в аттестации образцов, проведении экспериментов и полезные дискуссии.

Автор выражает искреннюю благодарность профессору Г. Э. Шеферу, докторам В. Шпренгелю и дипломированному физику X. Вайганду из Института теоретической и прикладной физики Штутгартского университета (Германия, Штутгарт), докторам наук С. ван-дер-Бергу, В. Рентергхену и А. Ленардс из Бельгийского института по атомной энергии (Бельгия, Моль).

Автор признателен и благодарен ближайшим коллегам из лаборатории тугоплавких соединений ИХТТ УрО РАН и с кафедры физической и коллоидной химии УГТУ-УПИ, своим родителям, мужу и свекрови за чуткость, понимание и поддержку.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications / Eds. A.S.Edelstein, R.C.Cammarata. — Bristol: 1. P, 1996. — 596.
  2. A.M., Ремпель А. А. Нанокристаллические материалы. M.: ФИЗМАТЛИТ, 2001. — 224 с.
  3. Murayama Y. Mesoscopic systems. Fundamentals and applications. Weinheim: Wiley-VCH, 2001. — 241 p.
  4. В.И. Квантоворазмерные металлические коллоидные системы // Успехи химии. 2000. — Т. 69, № 10. — С. 899−923.
  5. Магнитная восприимчивость пластически деформированного палладия / А. А. Ремпель, А. И. Гусев, С. З. Назарова, Р. Р. Мулюков // ДАН. 1995. — Т. 345, № З.-С. 330−333.
  6. Примесный суперпарамагнетизм в пластически деформированной меди / А. А. Ремпель, А. И. Гусев, С. З. Назарова, Р. Р. Мулюков // ДАН. 1996. — Т. 347, № 6. — С. 750−754.
  7. А.А., Гусев А. И. Наноструктура и атомное упорядочение в карбиде ванадия // Письма в ЖЭТФ. 1999. — Т. 69, № 6. — С. 436−442.
  8. P. Ф. Химия полупроводниковых наночастиц // Успехи химии. -1998.-Т. 67, № 2.-С. 125−139.
  9. Alivisatos А. P., Haase М. Arrested solid-solid phase transition in 4-nm-diameter CdS nanocrystalls // J. Phys. Chem. 1992. -V. 96, No. 16. — P. 6756−6762.
  10. Tolbert S. H., Alivisatos A. P. Size dependence of a first order solid-solid transition: The wurtzite to rock salt transformation in CdSe nanocrystals // Science. 1994. -V. 265, No. 5170.-P. 373−376.
  11. Pressure induced structural transitions in nanometer size particles of PbS / S.B.Qadri, J. Yang, B.R.Ranta, et al // Appl. Phys. Lett. 1996. — V. 69, No. 15. — P. 2205−2207.
  12. Goldstein A. N., Echer С. M., Alivisatos A. P. Melting in semiconductor nanocrystals // Science. 1992. — V. 256, No. 5062. — P. 1425−1427.
  13. Optical characterization and applications of semiconductor quantum dots / N. Peyghambarian, E. Hanamura, S.W.Koch, etc. // In: Nanomaterials: Synthesis, Properties and Applications / Ed. A.S.Edelstein, R.C.Cammarata. IOP, Bristol, 1996.-596 p.
  14. Brus L.E. Electron-electron and electron-hole interactions in small semiconductor crystallites: The size dependence of the lowest excited electronic state // J. Chem. Phys. 1984. — V. 80, No. 9. — P. 4403−4409.
  15. Wang Y., Herron N. Nanometer-sized semiconductor clusters: materials synthesis, quantum size effects, and photophysical properties // J. Phys. Chem. 1991. -V. 95, No. 2.-P. 525−532.
  16. Haase M., Horst Weller H., Henglein A. Photochemistry of colloidal semiconductors. 26. Photoelectron emission from cadmium sulfide particles and related chemical effects // J. Phys. Chem. 1988. — V. 92, No. 16. — P. 4706−4712.
  17. Semiconductor photophysics. 7. Photoluminescence and picosecond charge carrier dynamics in cadmium sulfide quantum dots confined in a silicate glass / T. Rajh, O.I.Micic, D. Lawless, N. Serpone // J. Phys. Chem. 1992. — V. 96, No. 11. — P.4633−4641.
  18. Alivisatos A. P. Semiconductor clusters, nanocrystals and quantum dots // Science. -1996. V. 271, No. 5251. — P. 933−937.
  19. Fonoberov V.A., Pokatilov E.P., Balandin A.A. Exciton states and optical transitions in colloidal CdS quantum dots: Shape and dielectric mismatch effects // Phys. Rev. B. 2000. — V. 66, No. 8. — P. 85 310−1 — 85 310−13.
  20. Effects of crystal shape on the energy levels of zero-dimensional PbS quantum dots / Z. Hens, D. Vanmaekelbergh, E.J.AJ.Stoffels, H. van Kempen // Phys. Rev. Lett. -2002. V. 88, No. 23. — P. 236 803−1 -236 803−4.
  21. Binary Alloy Phase Diagrams / Ed. T.B.Massalski, H. Olcamoto, P.R.Subramanian, L.Kacprzak. ASM International, printed in USA, 1992. — V. 2. — P. 1020−1021 (second edition, 3 volumes, total pages number in three Volumes 3542 pp.).
  22. А.П., Симонова M.B. К вопросу о применении метода электродвижущих сил для исследования чисел переноса дииодида свинца и отклонения от стехиометрии в халькогенидах свинца // Ж. физической химии. 1974. — Т. 48, № 5. — С. 1187−1189.
  23. Ф. Химия несовершенных кристаллов / Пер. с англ. под ред. О.М. Пол-торака. М.: Мир, 1969. — 654 с.
  24. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Н. Х. Абрикосов, В. Ф. Банкина, Л. В. Порецкая и др. М.: Наука, 1975. — 220 с.
  25. Woodbury Н.Н. Measurement of the Cd-CdS liquidus // J. Phys. Chem. Solids. -1963. V. 24, No. 7. — P. 881- 884.
  26. Spectroscopic investigations of CdS at high pressure / Xue-Shu Zhao, J. Schroeder, T.G.Bilodeau, Luu-Gen Hwa // Phys. Rev. B. 1989. — V. 40, No. 2. — P. 12 571 264.
  27. Raman studies in CdS thin films in the evolution from cubic to hexagonal phase // O. Zelaya-Angel, F. de L. Castillo-AIvarado, J. Avendano-Lopez, et al // Solid State Commun. 1997. — V. 104, No. 3. — P. 161−166.
  28. Raman studies in CdS thin films in the evolution from cubic to hexagonal phase / O. Zelaya-Angel, F. de L. Castillo-AIvarado, J. Avendano-Lopez, et al // Solid State Commun. 1997. — V. 104, No. 3. — P. 161−166.
  29. Low resistivity cubic phase CdS films by chemical bath deposition technique / O. de Melo, L. Hernandez, O. Zelaya-Angel, et al // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 65, No. 10. — P. 1278−1280.
  30. Band-gap shift in CdS semiconductor by photoacoustic spectroscopy: Evidence of a cubic to hexagonal lattice transition / O. Zelaya-Angel, J.J.Alvarado-Gil, R. Lozada-Morales, et al // Appl. Phys. Lett. 1994. — V. 64, No. 3. — P. 291−293.
  31. Nakanishi Т., Ito K. Properties of chemical bath deposited CdS thin films // Solar Energy Mater. Solar Cells. 1994. — V. 35. — P. 171−178.
  32. Temperature dependence of atomic thermal parameters of lead chalcogenides, PbS, PbSe, and PbTe / Y. Noda, K. Masumoto, S. Ohba, et al // Acta Crystallogr. 1987. -Sec. С 43. — P. 1443−1445.
  33. Charge distribution and atomic thermal vibration in lead chalcogenide crystals / Y. Noda, S. Ohba, S. Sato, Y. Saito // Acta Crystallogr. 1983. — Sec. В 39. — P. 312 317.
  34. А.И., Ремпель A.A. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле. Екатеринбург: УрО РАН, 2001. — 580 с.
  35. Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971. — 400 с.
  36. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1984. — 376 с.
  37. Zinc-blende wurzite polytypism in semiconductors / Chin-Yu Yeh, Z.W.Lu, S. Froyen, A. Zunger // Phys. Rev. B. — 1992. — V. 46, No. 16. — P. 10 086−10 097.
  38. Stevenson A.W., Milanko M., Barnea Z. Anharmonic thermal vibrations and the position parameter in wurtzite structures. I. Cadmium sulphide // Acta Crystallogr. -1984.-Sec. В 40.-P. 521−530.
  39. JI. Нанесение тонких пленок в вакууме / Пер. с англ. М.-Л.: Гос-энергоиздат, 1963. — 608 с.
  40. К.Ф., Оксли Д. Н., Блотчер Д. М. Осаждение из газовой фазы / Пер. с англ. М. И. Юрченко. М.: Атомиздат, 1970. — 471 с.
  41. Growth of PbS and CdS thin films by low-pressure chemical vapour deposition using dithiocarbamates / N.I.Fainer, M.L.Kosinova, Yu.M.Rumyantsev, et al // Thin Solid Films. 1996. — V. 280. No. 1−2. — P. 16−19.
  42. Chamberlin R.R., Sharman J.S. Chemical spray deposition process for inorganic films // J. Electrochem. Soc. 1966. — V. 113, No. 1. — P. 86−89.
  43. Thangaraju В., Kaliannan P. Polycrystalline lead tin chalcogenide thin films grown by spray pirolysis // Cryst. Res. Technol. 2000. — V. 35, No. 1. — P. 71−75.
  44. В.Н., Наумов А. В. Процессы направленного синтеза пленок сульфидов металлов из тиокарбамидных координационных соединений // Вестник ВГУ. Серия химия, биология. 2000. — С. 50−54.
  45. А.В., Семенов В. Н., Гончаров Е. Г. Свойства пленок CdS, полученных из координационных соединений кадмия с тиомочевинной // Неорганические материалы. 2001. — Т. 37, № 6. — С. 647−652.
  46. Das S. К., Morris G. С. Preparation and characterisation of electrodeposited n-CdS/p-CdTe thin film solar cells // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1993. — V. 28, No. 4.-P. 305−316.
  47. Saloniemi H. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe Thin Films. Espoo 2000. Technical Research Centre of Finland, VTT Publications. — 423 p.
  48. К.JT., Дас С.Р. Тонкопленочные солнечные элементы /Пер. с англ. И. П. Гавриловой под ред. М. М. Колтуна. М.: Мир, 1986. — 440 с.
  49. Comparison of CdS thin films prepared by different techniques for application in solar cells as window materials / O.A.Ileperuma, C. Vithana, K. Premaratne, et al // J. Mater. Sci.: Mater, in Electronics. 1998. — V. 9. No. 5. — P. 367−372.
  50. Physical and electrical characterization of CdS films deposited by vacuum evaporation, solution growth and spray pyrolysis / H. Chavez, M. Jordan, J.C.McClure, et al // J. Mater. Sci.: Materials in Electronics. 1997. — V. 8. — P. 151−154.
  51. Т.Ю., Юсупов P.A. Получение токих пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида // Ж. физической химии. 1974. — Т. 48, № 3. — С. 724−725.
  52. Н.А. Дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: УПИ, 1972. — 157 с.
  53. Осаждение сульфида цинка из раствора N-аллилтиомочевины / Г. А. Китаев, А. А. Урицкая, Л. Е. Ятлова, В. Р. Миролюбов // Ж. прикладной химии. 1994. — Т. 67, № 10. — С. 1612−1615.
  54. Л.Е., Китаев Г. А. Условия химического осаждения тонких пленок сульфида кадмия на твердую поверхность с помощью ацетилтиомочевины // Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология. 1969. — Т. 12, № 6. — С. 709−713.
  55. Исследование осаждения сульфида ртути методом вольтамперометрии с пас-товым электродом / А. А. Урицкая, М. Б. Видревич, И. М. Хаимова и др. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1987. — Т. 23, № 5. — С. 739−741.
  56. Г. А., Урицкая А. А. Анализ условий осаждения сульфида кадмия из водных растворов тиосульфатом натрия // Ж. прикладной химии. 1999. — Т. 72, № 4. — С. 569−572.
  57. Г. А., Урицкая А. А., Белова Н. С. Анализ условий образования сульфидов металлов в водных растворах тиосульфата натрия // Ж. прикладной химии. 2000. — Т. 73, № 9. — С.1433−1436.
  58. Chemical bath deposition of mercury (II) sulfide thin layers / M.Z.Najdoski, I.S.Grozdanov, S.K.Dey, B.B.Siracevska // J. Mater. Chem. 1998. — V. 8, No. 10. -P. 2213−2215.
  59. Masaya I., Fumitaka G., Eisuke A. Photochemical deposition of CdS from aqueous solutions // J. Electrochem. Soc. 1999. — V. 146, No. 3. — P. 1028−1034.
  60. Brtikmann G. Dasstellung und Eigenschaften dunner Bleisulfid-Schichten unter bsonderer Beruchsichtigung inter Detectorwirkung // Kolloid Zs. 1933. — Bd. 61, No. l.-S. 1−11.
  61. Pick H. Herstellung speigelnder Neider Schlage durch chemische Reaction // Zs. Phys. 1949. — Bd. 126, No. 1. — S. 12−19.
  62. Kisinski F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of PbS // Chemistry and Industry. 1948. — V. 67, No. 4. — P. 54−57.
  63. Г. И., Дарсюнина C.A. Электронно-микроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца // Кристаллография. 1962. — Т. 7, № 1. -С. 107−113.
  64. Г. И., Дарсюнина С. А., Герасимов Ю. М. Ранние стадии кристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей // ДАН СССР. 1964. — Т. 154, № 6. — С. 1328−1330.
  65. В.Ф., Белозерская В. В., Черницын В. В. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца // Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология. 1964. — Т. 7, № 6. — С. 898−903.
  66. В.А., Прокофьева И. В. К вопросу образования тиомочевинных комплексных соединений // Тр. Института общей и неорганической химии АН СССР. Изв. сектора платины. 1952. — № 27. — С. 62−79.
  67. В.Н., Авербах Е. М., Михеева JI.A. ИК-спектроскопическое изучение взаимодействия тиомочевины с хлоридом кадмия при получении слоев CdS пульверизацией // Ж. неорганической химии. 1979. — Т. 24, № 4. — С. 911−915.
  68. Исследование взаимодействия солей кадмия с тиомочевинной при получении тонких пленок сульфида кадмия / Я. А. Угай, В. Н. Семенов, Е. М. Авербах, И. Л. Шамшеева // Ж. прикладной химии. 1988. — Т. 61, № 11. — С. 2409−2414.
  69. В.Н., Авербах Е. М., Угай Я.А, О взаимодействии солей свинца с тиомочевинной при получении пленок PbS методом пульверизации // Ж. прикладной химии. 1980. — Т. 53, № 1. — С. 30−34.
  70. В.Н. Моделирование состава раствора для осаждения пленок CdS из иодида кадмия и тиомочевины // Ж. прикладной химии. 1991. — Т. 64, № 1. -С. 173−175.
  71. В.Н. Моделирование состава раствора для осаждения пленок CdS из хлорида кадмия и тиомочевины // Ж. прикладной химии. 1992. — Т. 65, № 7. -С. 1489−1493.
  72. М.И., Мелликов Э. Я., Сорк Э. Э. Образование сульфида кадмия при термораспаде продуктов взаимодействия тиомочевины с хлоридом кадмия // Ж. неорганической химии. 1985. — Т. 30, № 6. — С. 1373−1376.
  73. O’Brien P., Nomura R. Single-molecule precursor chemistry for the deposition of chalcogenide (S or Se)-containing compound semiconductors by MOCVD and related methods//J. Mater. Chem. 1995.-V. 5, No. 11. — P. 1761 — 1773.
  74. К. Получение полупроводников / Пер. с англ. Е. И. Ярембаша. Под ред. Н. П. Лужной. М.: Мир, 1964. — 206 с.
  75. Bauer R., Wehling I. Thiohanstoffals Fallungsmittel sur Schwermetallsulfide // Zs. Analyt. Chem. 1964. — Bd. 199. — S. 171−173.
  76. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов / Г. А. Китаев, Т. П. Болыцикова, Г. М. Фофанов и др. // Кинетика и механизм образования твердой фазы. Сб. 170. — Свердловск: УПИ, 1968. — С.113−126.
  77. Г. М. Дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: УПИ, 1968. — 121 с.
  78. Л.Е. Дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: УПИ, 1972. — 163 с.
  79. БолыциковаТ.П. Дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: УПИ, 1967. — 163 с.
  80. Г. А., Романов И. Т. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах // Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология. 1974. — Т. 17, № 9. — С. 1427−1428.
  81. Определение температурных зависимостей констант гидролитического разложения тио- и селеномочевины / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Г. Г. Дивинская, И. М. Морозова // Вестник УГТУ-УПИ. Серия химическая. 2003. — С. 120−125.
  82. Промежуточный комплекс в химических реакциях / Ю. Н. Макурин, Р. Н. Плетнев, Д. Г. Клещев, Н. А. Желонкин // Свердловск: УрО АН СССР, 1990. 197 с.
  83. Расчет электронных структур молекул тиомочевины и аллилтиомочевины / Г. А. Китаев, Ю. Н. Макурин, В. И. Двойнин, В. Р. Миролюбов // Ж. физической химии. 1975.-Т. 49, № 4.-С. 1011−1013.
  84. Г. А., Макурин Ю. Н., Двойнин В. И. Квантовохимический расчет электронных структур и сравнение индексов реакционной способности тиомочевины и ее производных // Ж. физической химии. 1976. — Т. 50, № 12. — С. 3074−3077.
  85. Ю.Н., Двойнин В. И., Китаев Г. А. Расчет относительных энергий активации для реакций получения сульфидов металлов // Теоретическая и экспериментальная химия. 1976. — Т. 12, № 2. — С. 267−270.
  86. Ю.Н., Двойнин В. И., Китаев Г. А. Влияние иона гидроксила на скорость осаждения сульфидов металлов // Ж. физической химии. 1977. — Т. 51, № 1. — С. 94−97.
  87. O’Brien P., McAleese J. Developing an understanding of the process controlling the chemical bath deposition of ZnS and CdS // J. Mater. Chem. 1998. — V. 8, No. 11. -P. 2309−2314.
  88. Norr M.K. The lead salt thiourea reaction // J. Phys Chem. — 1961. — V. 65, No. 7. -P. 1278−1279.
  89. С.Г., Ткачев Ю. Д. Ступенчатая адсорбция коллоидных частиц сернистого кадмия на стекле // Коллоид, ж. 1961. — Т. 23, № 4. — С. 438−441.
  90. Т.Г., Крамарев Т. В., Шульман В. М. Ступенчатая адсорбция коллоидных частиц сернистого кадмия на стекле // Коллоид, ж. 1968. — Т. 30, № 1. — С. 61−64.
  91. А.Б., Китаев Г. А. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS раствор // Изв. ВУЗов. Химия и химическая технология. — 1967. — Т. 10, № 4. — С. 408−411.
  92. Г. А., Урицкая А. А., Мокрушин-С.Г. Условия химического осаждения тонких пленок сульфида кадмия на твердой поверхности // Ж. физической химии. 1965. — Т. 39, № 8. — С. 2065−2066.
  93. А.А., Китаев Г. А., Мокрушин С. Г. Кинетика и механизм образования пленок сульфида кадмия на поверхности стекла // Коллоид, ж. 1965. — Т. 27, № 5. — С. 767−772.
  94. Г. А., Урицкая А. А. Кинетика процесса химического осаждения пленок сульфида кадмия // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1966. — Т. 2, № 9.-С. 1554−1559.
  95. А.А. Дисс.. канд. хим. наук. Свердловск: УПИ, 1965. — 121 с.
  96. Электронографическое и электронномикроскопическое исследование начальных стадий формирования слоев из сульфида и селенида свинца / Л. Н. Биллер, В. Н. Верцнер, М. С. Давыдов и др. // Изв. АН СССР. Серия физическая. 1966. -Т. 30, № 5. — С. 799−802.
  97. Н.Д., Медведев В. П., Китаев Г. А. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1. Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла // Ж. радиохимии. 1978. — Т. 20, № 3. — С. 431−437.
  98. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 11. Кинетика роста сульфида кадмия на поверхности стекла / Н. Д. Бетенеков, В. П. Медведев, А. С. Жуковская, Г. А. Китаев // Ж. радиохимии. 1978. — Т. 20, № 4. — С. 608−616.
  99. Deshmukh L.P., Palwe А.В. Deposition and characterisation CdS and CdS: As thin films // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1990. — V. 20, No. 4. — P. 341−348.
  100. Исследование кинетики осаждения сульфида кадмия / Л. ЕЛтлова, А. А. Урицкая, Г. А. Китаев, Т. И. Дзюба // Ж. прикладной химии. 1993. — Т. 66, № 9. — С. 1995−2000.
  101. Froment М., Lincot D. Phase formation processes in solution at the atomic level: Metal chalcogenide semiconductors // Electrochim. Acta. 1995. — V. 40, No. 10. -P. 1293−1303.
  102. Р. Аналитические применения этилендиаминтетрауксусной кислоты / Пер. с англ. А. И. Волкова. М.: Мир, 1975. — С. 230. (531 с.)
  103. Р. Комплексоны в химическом анализе / Пер. с чешс. Ю. И. Вайнштейн. Под ред. Ю. Ю. Лурье. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1960. -580 с.
  104. Г. Методы аналитической химии. Количественный анализ неорганических соединений. Часть первая. / Пер. с фр. и под ред. Ю. Ю. Лурье. М.: Химия, 1989. — 448 с.
  105. П.П. Приготовление растворов для химико-аналитических работ. М.: Изд-во АН СССР, 1962. — 311 с.
  106. ., Сажюс Л. Кинетические методы исследования химических процессов. Л.: Химия, 1972. — 422 с.
  107. Ю.Ю. Справочник по аналитической химии. М.: Химия, 1989. — 448 с.
  108. П.А., Мелконян М. К., Степанов С. А. Структура волновых полей при дифракции рентгеновских лучей в условиях полного внешнего отражения // Кристаллография. 1984. — Т. 29, № 2. — С. 376−378.
  109. П.А., Афанасьев A.M., Степанов С. А. Фактор асимметрии при дифракции рентгеновских лучей в условиях полного внешнего отражения // Кристаллография. 1984.- Т. 29, № 2. — С. 197−202.
  110. Krause-Rehberg R., Leipner H.S. Positron Annihilation in Solids. Defect Studies. -Berlin: Springer Verlag, 1999. — 378 p.
  111. Firestone R.B. Table of Isotopes. Eighth edition. V. 1 / Ed. V.S. Shirley. — New York: John Wiley & Sons, Inc, 1996. — 1531 p.
  112. Leo W.R. Techniques for nuclear and particle physics experiments. A How-to approach. Berlin: Springer — Verlag, 1994. — 378 p.
  113. Nieminen R.M., Manninen M.J. Positrons in imperfect solids: theory. In: Positron in Solids / Ed. P.Hautojarvi. — Berlin: Springer, 1979. — P. 145−195.
  114. Program system for analyzing positron lifetime spectra and angular correlation curves / P. Kirkegaard, M. Eldrup, O.E.Mogensen, N.J.Pedersen // Сотр. Phys. Commun. 1981. — V. 23, No. 2. — P. 307−335.
  115. Schaefer H.E. Investigation of thermal equilibrium vacancies in metals by positron annihilation //Phys. Stat. Sol. (a). 1987. — V. 102, No. 1. — P. 47−65.
  116. Defects in semiconductors after electron irradiation or in high-temperature thermal equilibrium, as studied by positron annihilation / R. Wurschum, W. Bauer, K. Maier, et al //J. Phys.: Condens. Matter. 1989. — V. 1, Suppl. A. — P. SA 33−48.
  117. Hakala M., Puska M.J., Nieminen R.M. Momentun distribution of electron-positron pairs annihilating at vacancy clusters in Si // Phys. Rev. 1998. — V. 57, No. 13. — P. 7621−7627.
  118. Blaurock K. Untersuchung der Elektronenimpulsverteilung in Festkorpern mit Positronen. Diplomarbeit. Universitat Stuttgart, Institut fur Theoretische und Angewandte Physik. 2001. — 56 p.
  119. Idenification of cadmium vacancy complexes in CdTe (In), CdTe (CI) and CdTe (I) by positron annihilation with core electrons / H. Kauppinen, L. Baroux, K. Saarinen, et al // J. Phys.: Condens. Matter. 1997. — V. 9, No. 25. — P. 5495−5505.
  120. Plazaola F., Seitsonen A.P., Puska M.J. Positron annihilation in II-VI compound semiconductors: Theory // J. Phys.: Condens. Matter. 1994. — V. 6, No. 42. — P. 8809−8827.
  121. Л.Б., Матвеенко И. И., Климов P.A. Установка для измерений магнитной восприимчивости слабомагнитных веществ. Физические свойства сплавов // Труды УПИ. 1965. — Сб. 144. — С. 62−66.
  122. И., Дефэй Р. Химическая термодинамика / Пер. с англ. под ред. В. А. Михайлова. Новосибирск: Наука, сиб. отд-ние, 1966. — 509 с.
  123. Д.Н. Ионные равновесия. Л.: Химия, 1973. — 446 с.
  124. Бек М. Химия равновесий реакций комплексообразования. М.: Мир, 1973. -359 с.
  125. Температурная зависимость констант ионизации цианамида и ее влияние на область образования халькогенидов металлов / В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева, Т. В. Виноградова, В. Г. Березюк // Конденсированные среды и межфазные границы. 2002. — № 1. — С. 84−87.
  126. А.С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды // Труды Воронежского гос. ун-та. -1958. -Т. 49. С. 23−24.
  127. . Кинетика гетерогенных реакций / Пер. с фр. Н. М. Бажина, Э. Г. Малыгина, В. М. Бердникова. Под ред. В. В. Болдырева. М.: Мир, 1972. -554 с.
  128. Г. Б. Таблицы интегралов и другие математические формулы. М.: Наука, 1983.- 176 с.
  129. Alivisatos А.Р. Semiconductor clusters, nanocrystals and quantum dots // Science. -1996. V. 271, No. 5251. — P. 933−937.
  130. Structural characterization of nanometer-sized crystalline Pd by X-Ray-diffraction techniques / M.R.Fitzsimmons, J.A.Eastman, M. Muller-Stach, G. Wallner // Phys. Rev. B. 1991. — V. 44, No. 6. — P. 2452−2460.
  131. И.В., Валиев Р. З. Исследование нанокристаллических материалов методами рентгеноструктурного анализа // ФММ. 1994. — Т. 77, № 6. — С. 77−87.
  132. Cullity В. D. Elements of X-ray diffraction. London: Addison-Wesley Publ., 1978.- 555 p.
  133. Scherrer P. Bestimmung der Grosse und der inneren Struktur von Kolloidteilchen mittels Rontgenstrahlen // Nachr. Ges. Wiss. Gottingen, Math.-Phys. Kl. 1918. -Bd. 2.-S. 98−100.
  134. Н.Я., Курдюмов Г. В., Гудцов H.T. Рентгенографическое исследование структуры углеродистой стали // Ж. прикладной физики. 1927. — Т. 4, № 2. -С. 51−68.
  135. Von N.Seljakow. Eine rontgenographische Methode zur Messung der absoluten Dimensionen einzelner Kristalle in Korpern von fein-kristallinischhem Bau // Zs. Phys. 1925. — Bd. 31, Hf. 5/6. — S. 439−444.
  136. В.И., Ревкевич Г. П. Теория рассеяния рентгеновских лучей. М.: Изд-во Моск. Ун-та, 1972. — 246 с.
  137. Кристаллография, рентгенография и электронная микроскопия / Я. С. Уманский, Ю. А. Скаков, А. Н. Иванов, JI.H. Расторгуев. М.: Металлургия, 1982.-632 с.
  138. Р. Оптические принципы дифракции рентгеновских лучей. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1950. — 572 с.
  139. Warren В.Е., Averbach B.L., Roberts B.W. Atomic size effects in the X-ray scattering by alloys // J. Appl. Phys. 1951. — V. 22, No. 12. — P. 1493−1496.
  140. Warren B.E. X-Ray Diffraction. New York: Dower Publications, 1990. — 381 pp.
  141. Rietveld H.M. A Profile refinement method for nuclear and magnetic structures // J. Appl. Cryst. 1969. — V. 2, Part 2. — P. 65−71.
  142. Hall W.H. X-ray line broadening in metals // Proc. Phys. Soc. London. 1949. -Sect. A. — V. 62, part 11, No. 359A. — P. 741−743.
  143. Hall W.H., Williamson G.K. The diffraction pattern of cold worked metals: I. The nature of extinction // Proc. Phys. Soc. London. 1951. — Sect. В. — V. 64, part 11. No. 383 В.-P. 937−946.
  144. Williamson G.K., Hall W.H. X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram//Act. Metal. 1953.-V. l, No. l.-P. 22−31.
  145. M.A. Теория рассеяния рентгеновских лучей и тепловых нейтронов реальными кристаллами. М.: Наука, 1967. — 336 с.
  146. Gusev A.I., Rempel А.А., Magerl A. Disorder and Order in Strongly Non-stoichiometric Compounds: Transition Metal Carbides, Nitrides and Oxides. -Berlin-Heidelberg: Springer, 2001. 607 p.
  147. А.И., Ремпель С. В. Рентгеновское исследование наноструктуры распадающихся твердых растворов (ZrC)ix (NbC)x // Неорган, материалы. 2003. — Т. 39, № 1. — С. 1−5.
  148. Thermal vacancy formation and D03 ordering in nanocrystalline intermetallic (Fe3Si)95Nb5/L.Pasquini, A.A.Rempel, R. Wiirschum, et al // Phys. Rev. B. 2001. -V. 63, No. 134 114.-P. 1−7.
  149. Л., Бургер M. Метод порошка в рентгенографии / Пер. с англ. В. М. Акимова. М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1961. — 363 с.
  150. J. В., Riley D. P. An experimental investigation of extrapolation methods in the derivation of accurate unit-cell dimensions of crystals // Proc. Phys. Soc. London. 1945.-V. 57, part 3, No. 321. — P. 160−177.
  151. Дж. Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения / Пер. с англ. под ред. В. Н. Рожанского М.: Наука. Гл. ред. физ.-мат. литры, 1986. — 320 с.
  152. Р. Д. Основы просвечивающей электронной микроскопии / Пер. с англ. В. М. Кардонского, А. Г. Хачатуряна. М.: Мир, 1966. — 471 с.
  153. Г. Методика электронной микроскопии / Пер. с нем. А. М. Розенфельда, М. Н. Спасского. Под ред. В. Н. Рожанского. М.: Мир, 1972.- 300 с.
  154. Электронная микроскопия тонких кристаллов / П. Б. Хирш, А. Хови, Р. Б. Николсон и др. Пер. с англ. под ред. Л. М. Утевского М.: Мир, 1968.574 с.
  155. Г. А., Хворенкова А. Ж. Кинетика процесса образования селенида свинца в водных растворах селеносульфата натрия // Ж. прикладной химии. 1999. -Т. 72, № 9.-С. 1440−1443.
  156. А.А., Китаев Г. А., Белова Н. С. Исследование кинетики осаждения сульфида кадмия из водных растворов тиомочевины // Ж. прикладной химии.- 2002. Т. 75, № 5. — С. 864−865.
  157. Н.С., Урицкая А. А., Китаев Г. А. Исследование кинетики осаждения сульфида свинца из цитрГатных растворов тиомочевины // Ж. прикладной химии. 2002.-Т. 75, № 10.-С. 1598−1601.
  158. Structure and diffusional properties of nanocrystalline Pd / R. Wiirschum, K. Re-imann, S. Grufl, et al // Phil. Mag. B. 1997. — V. 17, No. 4. — P. 407−417.
  159. Amorphous hydrogenated Si studied by positron lifetime spectroscopy / H.-E.Schaefer, R. Wiirschum, R. Schwarz, et al // Appl. Phys. A. 1986. — V. 40, No. 1. -P. 145−149.
  160. Thermal vacancy formation and self-diffusion in intermetallic Fe3Si nanociystallites of nanocomposite alloys / R. Wiirschum, P. Farber, R. Dittmar, et al / Phys. Rev. Lett. 1997. — V. 79, No. 24. — P. 4918−4921.
  161. Ремпель, А А., Фостер M., Шэфер Г.-Э. Время жизни позитронов в карбидах со структурой В //ДАН. 1992.-Т. 326, № 1.-С. 91−97.
  162. Rempel A.A., Wiirschum R., Schaefer H.-E. Atomic defects in hexagonal tungsten carbide studied by positron annihilation // Phys. Rev. B. 2000. — V. 61, No. 9. — P. 5945−5948.
  163. Schaefer H.-E., Forster M. As-grown metal oxides and electron-irradiated A1203 studied by positron lifetime measurements // Mater. Sci. and Engineering. 1989. -V. A109, No. l.-P. 161−167.
  164. Rempel A.A., Forster M., Schaefer H.-E. Positron lifetime in non-stoichiometric carbides with a Bl (NaCl) structure // J. Phys.: Condensed Matter. 1993. — V. 5, No. 2.-P. 261−266.
  165. Identification of lattice vacancies on the two sublattices of SiC / A.A.Rempel, W. Sprengel, K. Blaurock, et al // Phys. Rev. Lett. 2002. — V. 89, No. 18. — 1 855 011−185 501−4.
  166. Identification of Atomic Vacancies in Titanium Monoxide by Electron Microdif-fraction and Positron Annihilation / A.A.Valeeva, A.A.Rempel, M.A.Miiller, et al // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. — V. 224, No. 2. — P. R1-R3.
  167. Identification and study of vacancies in titanium monoxide by means of positron annihilation techniques / A.A.Valeeva, A.A.Rempel, W. Sprengel, H.-E.Schaefer // Phys. Chem. Chem. Phys. 2003. — V. 5, No. 11. — 2304−2307.
  168. А.А. Эффекты атомно-вакансионного упорядочения в нестехиомет-ричееких карбидах // Успехи физических наук. 1996. — Т. 166, № 1. — С. 3362.
  169. Evaluation of some basic positron-related characteristics of SiC / G. Brauer, W. Anwand, E.-M.Nicht, et al // Phys. Rev. B. 1996. — V. 54, No.4. — P. 25 122 517.
  170. First-principles calculation of positron lifetimes and affinities in perfect and imperfect transition-metal carbides and nitrides / M. J. Puska, M. Sob, G. Brauer, T. Korhonen // Phys. Rev. B. 1994. -V. 49, No. 16. — P. 10 947−10 957.
  171. Spanhel L., Anderson M.A. Synthesis of porous quantum-size CdS membranes: Photoluminescence phase shift and demodulation measurements // J. Amer. Chem. Soc. 1990. — V. 112, No. 6. — P. 2278−2284.
  172. H. Weller. Quantized semiconductor particles: A novel state of matter for materials science // Advanced Mater. 1993. — V. 5. — P. 88−95.
  173. Bertram D., Weller H. Zwischen Molekul und Festkorper // Physik Journal. 2002. -Bd. 1, Nr. 2.-S. 47−52.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!