Механизм и условия формирования скрытых слоев монокристаллической фазы дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза
Диссертация
Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы представлялись на следующих Международных конференциях: одиннадцатой международной конференции по модификации материалов ионными пучками (IBMM-98, Амстердам, Голландия, 1998 г.), международной конференции по росту и физике кристаллов, посвящённой памяти М. П. Шаскольской (Москва, 1998 г.), третьей международной конференции… Читать ещё >
Список литературы
- Баранов А.И., Герасименко Н. Н., Двуреченский А. В., Потапова Л. П. Изменение профилей внедрённого в кремний фосфора в зависимости от дозы и плотности тока ионов. // Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы. -1978. -Т.4(122). -с.33−39.
- Бокий Г. Б. Кристаллохимия. М.: Наука, 1971.-400 с.
- Бухараев А.А., Назаров А. В., Петухов В. Ю., Салихов К. М. Исследование поверхности имплантированного кремния с помощью сканирующего туннельного микроскопа. // Письма в ЖТФ.- 1990.-Т. 16, вып.6.-С.8−11.
- Вавилов B.C. Некоторые физические аспекты ионной имплантации.// Успехи физических наук. 1985. -Т.145, вып. 2. -С.329−346.
- Валиев К.А., Евгеньев С. Б., Орликовский А. А. и др. Синтез скрытых слоев дисилицида кобальта в кремнии методом высокодозовой ионной имплантации. // Тр. ФТИАН. 1993. — Т. 6. — С. 70−79.
- Валиев К.А., Лебедев О. И., Орликовский А. А. Шиловский А.Н. Исследование закономерностей ионного синтеза скрытых слоев CoSi2 в кремнии. // Тр. ФТИАН. 1994. — Т. 8. — С. 102−110.
- Винокурова Л.И., Власов А. В., Кулатов Э. Т. Электронное строение силицидов переходных металлов.// Силициды. Труды ИОФАН. -Т.32. -М.: Наука, 1991. -С. 26−66.
- Галаев А.А., Пархоменко Ю. Н., Подгорный Д. А., Щербачев К. Д. Изучение фазообразоваия в скрытых слоях C0S12, полученных методом ионной имплантации // Кристаллография. -1998. -ТАЗ, № 2. С. 345−350.
- Галаев А.А., Пархоменко Ю. Н., Подгорный Д. А., Щербачёв К. Д. Ионный синтез скрытых проводящих слоёв CoSi2 в кремнии. // Известия высших учебных заведений. Цветная металлургия. 1997. -№ 5. — С. 44−48.
- Гельд П.В., Сидоренко Ф. А. Силициды переходных металлов четвертого периода. -М.: Металлургия, 1971. -584 с.
- Глазов В.М., Земсков B.C. Физико химические основы легирования полупроводников. -М.: Наука, 1967. -372 с.
- Горелик С.С., Скаков Ю. А. и Расторгуев JI.H. Рентгенографический и электронно-оптический анализ. -М: МИСиС, 1994. 327 с.
- Горелик С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. -М: Металлургия, 1988. 574 с.
- Громов Д.Г., Мочалов А. И., Соломатина Т. В., Евдокимов В. Л., Сулимин А. Д., Вахин И. А. Дисилицид кобальта в технологии КМОП СБИС субмикронного уровня: достоинства и проблемы формирования. // Электронная промышленность. -2000. -№ 3.-С.34−43.
- Далинин А.Б. Ионный синтез скрытых слоёв химических соединений в кремнии достехиометрическими дозами ионной имплантации. //Высокочистыс вещества.- 1993.- № 4.- С.128−137.
- Дворина Л.А. Перспективы развития исследований в области силицидов. -К.: ИПМ, 1991.-33 с.
- Зарипов М.М., Петухов В. Ю., Хайбуллин И. Б. Применение ионной имплантации для синтеза тонких пленок силицидов. //Электронная промышленность, — 1985.- Вып.2 (140).- С.37−39.
- Ионная имплантация / Под ред. Дж.К.Хирвонена -М: Металлургия, 1985.-392 с
- Ионная имплантация и лучевая технология. /Под ред. Дж.С.Вильямса, Дж.М.Поута. -Киев: Наукова думка, 1988. -360 с.
- Кумахов М.А., Муралёв В. А., Аверьянов Е. Г., Симонов В. А., Хавкин Л. П. Проективные пробеги и разбросы пробегов для 1240 комбинаций ион-мишень в интервале энергий 20 кэВ < Е< 1000 кэВ.- М.: ВИНИТИ, 1974. -265 с.
- Курносов А. И, Юдин В. В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных схем. -М.: Высшая школа, 1979. -367 с.
- Лившиц В.Г. Электронная спектроскопия и атомные процессы на поверхности кремния. -М.:Наука, 1985. -200 с.
- Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. -М.:Мир, 1973. -296 с.
- Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986.-176 с.
- Пархоменко Ю.Н. Атомная и электронная структура поверхности и фазообразование в многослойных композициях на основе кремния: Дис. докт. физ.-мат. наук Москва, 2000. — 275 с.
- Петухов В.Ю. Ионно-лучевой синтез тонких пленок в неметаллах: Дис. докт. физ.-мат. наук Казань, 1998. — 311 с.
- Петухов В.Ю., Хайбуллин И. Б., Гумаров Г. Г. Авт. свид. № 1 795 821. Способ получения мезотаксиальных слоев дисилицида кобальта в кремнии, заяв. № 4 826 971/25 от 18.05.90.
- Петухов В.Ю., Хайбуллин И. Б., Зарипов М. М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni. Тезисы докл. XIII Всесоюз. совещ. но физике взаимод. заряж. частиц с кристаллами. М.: Изд-во Моск. ун-та, 1983.-С.104.
- Петухов В.Ю., Хайбуллин И. Б., Зарипов М. М. Модификация структуры и фазового состава кремния при имплантации больших доз Со и Ni.// Поверхность. Физика, химия, механика.- 1985.-.№ 2.-С. 104.107.
- Плешивцев Н.В., Бажин А. И. Физика воздействия ионных пучков на материалы. М.: Вузовская книга, 1998. -392 с.
- Подгорный Д.А. Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твёрдотельного синтеза: Дис. канд. физ.-мат. наук Москва, 1999. — 123 с.
- Риссел X., Руге И. Ионная имплантация. -М.: Наука, 1983. -360 с.
- Ройтбурд A.JI. Теория формирования гетерофазной структуры при фазовых превращениях в твёрдом состоянии.//Успехи физических наук. 1974. -Т.113, вып. 1. -С.69−104.
- Самсонов Г. В., Дворина JI.A., Рудь Б. М. Силициды. -М.: Металлургия, 1979. -271 с.
- Система диффузионная однозонная многотрубная СД. ОМ-3/100. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. дЕМ1.055.009 ТО, 1983.
- Комаров Ф.Ф., Кумахов М. А., Ташлыков И. С. Неразрушающий анализ поверхностей твердых тел ионными пучками. -Мн.: изд. «Университетское», 1987.-256 с.
- Троицкий В.Ю. Модификация поверхностных слоев кремния высокоинтенсивными ионными пучками: Дисс. канд. физ.-мат. наук. -М.: 1996. -200 с.
- Чистяков Ю.Д., Райнова Ю. П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. -М.: Металлургия, 1979.
- Уманский Я.С., Скаков Ю. А. Физика металлов. Атомное строение металлов и сплавов. -М.: Атомиздат, 1978. -352 с.
- Шанк Ф.А. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1973.-760 с.
- Эллиот Р.П. Структуры двойных сплавов. М.: Металлургия, 1970.
- Adams D.P., Yalisove S.M., Eaglesham D.J. Interfacial and surface energetics of CoSi2.//J. Appl. Phys. -1994. -V.76,№ 9. -p.5190−5194.
- Bai G., Nicolet M.-A., and Vreeland Т., Jr. Elastic and thermal properties of mesotaxial CoSi2 layers on Si. // J. Appl. Phys. -1991. -V.69, № 9. -p.6451−6455.
- Bai G., Nicolet M.-A., Vreeland Т., Jr. Ye Q. and Wang K.L. Strain in epitaxial CoSi2 films on Si (l 11) and inference for pseudomorphic growth. // Appl. Phys. Lett. -1989. -V.55, № 18. -p.1874−1876.
- Barbour J.C., Picraux S.T. and Doyle B.L. Buried silicide synthesis and strain in cobalt implanted silicon.// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1988. -V.107. -p.269−275.
- Bischoff L., Heining K.-H., Teichert J. and W.Skorupa. Submicron CoSi2 structures fabricated by focused ion beam implantation and local flash lamp melting. //Nucl.Instrum. and Meth. B. -1996. -V.112, № 1−4. -p.201−205.
- Brice D.K., Barbour J.C. Sputtering of (100) Si by 350 keV Co implantation. // Nucl. Inst. Meth. B. -1989, — V.36. -P.431−438
- Broadbent E.K., Irani R.F., Morgan A.E. and Mallot P. Application of self-aligned CoSi2 interconnection in submicrometer CMOS transistors. //IEEE Trans. Electron Devices. -1989. -V.36, № 11. -p.2440−2445.
- Browning N.D., Chisholm M.F. and Pennycook S.J. Atomic-resolution chemical analysis using a scanning transmission electron microscope. // Nature.-1993.-V.366. -p. 143−146.
- Bulle-Lieuwma C.W.T., de Jong A.F. and Vadenhoudt D.E.W. Investigation of the atomic interface structure of mesotaxial Si/CoSi2(100) layers formed by high-dose implantation. //Philos. Mag. A. -1991. -V.64, № 2. -p.255−280.
- Bulle-Lieuwma C.W.T., van Ommen A.H., Ijzedoorn L.J. Microstructure of heteroepitaxial Si/CoSi2/Si formed by Co implantation into (100) and (111) Si.// Appl. Phys. Lett. -1989. -V.54, № 3. -p.244−246.
- Bulle-Lieuwma C.W.T., Van Ommen A.H., Vadenhoudt D.E.W., Ottenheim J.J.M. and de Jong A.F. Microstructure of buried CoSi2 layers formed by high-dose Co implantation into (100) and (111) Si substrates.// J. Appl. Phys. -1991. -V.70, № 6. -p.3093−3108.
- Byun Jeong Soo, Kim Do-Heyong, Kim Woo Shik et.al. Epitaxial growth of CoSi2 layer on (100)Si and facet formation at the CoSi2/Si interface.// J. Appl. Phys. -1995. -V.78, №. -p. 1725−1730.
- Chen B.S., Chen M.C. Thermal stability of cobalt silicide thin films on Si (100). // J.Appl.Phys. -1993. -V.74, № 2. -p. 1035−1039.
- Chisholm M.F., Browning N.D., Pennycook S.J., Jebasinski R., Mantl S. Z-contrast investigation of the ordered atomic interface of CoSi2/Si (001) layers.// Appl. Phys. Lett. -1994. -Y.64, № 26. -p.3608−3610.
- Chisholm M.F., Pennycook S.J., Jebasinski R., Mantl S. New interface structure for A-type CoSi2/Si (ll 1).// Appl. Phys. Lett. -1994. -V.64, № 18. -p.2409−2411.
- Colgan E.G., Cabral C., Jr., and et.al. Activation energy for CoSi and CoSi2 formation measured during rapid thermal annealing.// J. Appl. Phys. -1995. -V.77, № 2.-p.614−619.
- Copel M. and Falta J. Frustrated dimers at the CoSi2/Si (001) interface.// Phys. Rev. B. -1993. -V.48, № 4. -p.2783−2786.
- Danilin A.B. Ion-beam synthesis of new phases in silicon interpreted as decay of a supersatured solid state. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1992. -V.62. -p.322−324.
- Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Vandenhoudt D.W.E. et.al. Ion beam synthesis of cobalt silicide: effect of implantation temperature.// Nucl. Inst, and Meth. B. -1991.-V.55. -p.769−772. {1}
- Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Vandenhoudt D.W.E. et.al. Optimum implantation conditions for ion beam synthesis of buried cobalt silicide lagers in Si (100).// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.59, № 4. -p.467−469. {2}
- Dekempeneer E.H.A., Ottenheim J.J.M., Zalm P.C. et.al. Thin buried cobalt silicide layers in Si (100) by channeled implantations.// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.58, № 19. -p.2102−2104. {3}
- Englert Th., Abstreiter G., Pontcharra J. Determination of existing stress in silicon on sapphire substrate using Raman spectroscopy. // Solid-State Electronics. -1980. -V.23. p.31−33.
- Evdokimov I.N., Mashkova E.S., Molchanov V.A. On a new method of observing defects annealing in crystals. // Physics Letters. -1967. -V. 25A, № 8. -P.619−620.
- Fichtner P.F.P., Jager W., Radermacher K., Mantl S. Precipitate coarsening and Co redistribution after ion implantation in silicon. //Nucl. Inst, and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.632−636.
- Fischer A.E.M.J., Vlieg E., van der Veen J.F., Clausnitzer M., and Materlik G. Structure determination of the CoSi2: Si (l 11) interface by x-ray standing-wave analysis.//Phys. Rev. B. -1987. -V.36, № 9. -p.4769−4773.
- Fujitani H., Asano S. Schottky-barrier height and electronic structure of the Si interface with metal silicides: CoSi2, NiSi2, and YSi2. // Phys. Rev. B. -1994. -V.50, № 12. -p.8681−8698.
- Galaev A.A., Parkhomenko Yu.N., Podgorny D.A., Chtcherbatchev K.D. Phase formation of buried CoSi2 layers in Si (100) obtained by ion implantation. -8th Conference on Applications of Surface and Interface Analysis ECASIA'97. -Stockholm, 1997. -p.523−527.
- Gibson J.M., Bean J.C., Poate J.M., and Tung R.T. Direct determination of atomic structure at the epitaxial cobalt disilicide on (111) Si interface by ultrahigh resolution electron microscopy. // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.41. № 9. -p.818−820.
- Guenin G., Ignat M., and Thomas O. Determination of the elastic constants of cobalt disilicide intermetallic compound. // J.Appl.Phys. -1990. -V.68, № 12. -p. 65 156 516.
- Gumarov G.G., Petukhov V.Yu., Shustov V.A., Khaibullin I.B. Effect of ion current density on the phase composition of ion beam synthesized iron silicides in Si (100). //Nucl. Instr. and Meth. B. -1997. -V.127/128. -p.321−323.
- Hatzikonstantinidou S., Nilsson H.-E., Frojdh C., Petersson C.S., Kaplan W. Processing and characterization of a PBT device using self-aligned CoSi2 // Semicond. Sci. andTechnol. 1994. -V.9, № 12. — p. 2272−2277.
- Hamman D.R. New silicide interface model from structural energy calculations.// Phys. Rev. Lett. -1988. -У.60. -p.313−316.
- Hensel J.C., Levi A.F.J., Tung R.T. and Gibson J. M Transistor action in Si/CoSi2/Si heterostructures. // Appl. Phys. Lett. -1985. -V.47, № 2. -p. 151−153.
- Hensel J.C. Operation of the Si/CoSi2/Si heterostructure transistor. // Appl.Phys.Lett. -1986. -V.49, № 9. p.522−524
- Hermanns J.P., Ruders F., von Kamenski E.S., Roskos H.G., Kurz H., Hollricher O., Buchal C. and Mantl S. Vertical silicon metal-semiconductor-metal photodetectors with buried CoSi2 contact. // Appl. Phys. Lett. -1995. -V.66, № 7. -p.866−868.
- Heurle F.M.D. and Petersson C.S. Formation of thin films of CoSi2: Nucleation and diffusion mechanisms. // Thin Solid Films. -1985. -У.128. -p.283−297.
- Hsieh Y-F., Hull R., White A.E. and Short K.T. Formation of cobalt silicide in Co+ implanted Si (l 11).// Appl. Phys. Lett. -1991. -V.58, № 2. -p. 122−124.
- Hull R., White A.E., Short K.T. and Bonar J.M. Formation of continuous CoSi2 layers by high Co dose implantation into Si (100).// J. Appl. Phys. -1990. -V.68, № 4. -p. 1629−1634.
- Jiminez J.R., Hsiung L.M., Rajan K. et.al. Control of misoriented grains and pinholes in CoSi2 grown on Si (001).// Appl. Phys. Lett. -1990. -V.57, № 26. -p.2811−2813.
- Kalkhoran N.M., Maruska H.P., Namavar F. Cobalt disilicide intercell ohmic contacts for multijunction photovoltaic energy converts. // Appl. Phys. Lett. -1994. -V.64, № 15. -p.1980−1982.
- Kato K., Takai M., Namba S., Schork R. and Ryssel H. Raman measurement of local SOI structure by SIMOX. // Nucl. Inst. andMeth. B -1991. -V.55. -p.710−713.
- Khachaturyan A.G. Theory of structural transformations in solids. New York: John Wiley&Sons, 1983. -574 p.
- Khapachev Yu.P., Dyshekov A.A., Kiselev D.S. The theory of diffraction analysis of elastic-strain states in epitaxial films. //Phys. Stat. Sol. B. -1984. -V.126. -p.37−42.
- Kohlhof К., Mantl S., Stritzker B. and Jager W. Formation of buried epitaxial Co silicides by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1989. -V39, № 1−4. -p.276−279.
- Kohlhof K., Mantl S., Stritzker B. Formation of buried CoSi2 by ion implantation.//Appl. Surface Sci. -1989. -V.38, №¼.-p.207−216.
- Maex K. CoSi2: an attractive alternative to TiSi2. // Semicond. Sci. and Technol. 1995. -V.10, № 1. — p.75−80.
- Maex K., Brijs G., Vanhellemont J. And Vandervost W. Formation of thin films of monocrystalline CoSi2 on (100) Si. // Nucl. Instrum. & Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.660−665.
- Maex K., White A.E., Short K.T., et.al. Amorphization and regrowth in Si/CoSi2/Si heterostructures.//J. Appl. Phys. -1990. -V.68, № 11. -p.5641−5647.
- Malegori G., Miglio L. Elastic properties of NiSi2, CoSi2 and FeSi2 by tight-binding calculations.//Physical Review B. -1993. -V.48, № 13. -p.9223−9230.
- Mantl S. Compound formation by ion beam synthesis and a comparison with alternative methods such as deposition and growth or wafer bonding. // Nucl. Instrum. & Meth. B. -1995. -V.106, № 1−4. -p.355−363.
- Mantl S. Ion beam synthesis of buried metallic and semiconducting silicides.// Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.895−900.
- Mantl S. Ion beam synthesis of epitaxial silicides: fabrication, characterization and applications. // Materials Science Reports. -1992. -Y.8, №½. -p.1−95.
- Mantl S. Material aspects of ion beam synthesis of epitaxial silicides. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, № 1. -p. 127−134.
- Mantl S., Jebasinski R., Hartmann D. The effect of dose on the growth of buried CoSi2 layers in (111) and (100) Si produced by ion implantation.// Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.666−670.
- Mantl S., Michel I., Guggi D., Bay H.L. and Mesters St. Formation of epitaxial Si/CoSi2/Si (100) heterostructures using allotaxy.// Appl. Surface Science. -1993. -Y.73. -p. 102−107.
- Mattheiss L.F., Hamman D.R. Electronic structure and properties of CoSi2.// Phys. Rev. B. -1988. -V.37, № 18. -p.10 623−10 627.
- Meekison C.D., Booker G.R., Reeson K.J. Spraggs R.S., Gwilliam R.M. and Sealy B.J. Microstructural studies of epitaxial CoSi2 layers on silicon produced by ion beam synthesis and rapid thermal annealing.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, № 12. -p.7129−7133.
- Milman V., Lee M.H., Payne M.C. ¦ Ground-state properties of CoSi2 determined by a total-energy pseudopotential method.// Physical Review B. -1994. -Y.49, № 23. -p.l6300−16 308.
- Moulder J.F., Sticle W.F., Sobol P.E., Bomben K.D. Handbook of X-ray photoelectron spectroscopy. Perkin-Elmer Corporation, 1992. -261 p.
- Muller M., Bahr D., Press W., Jebasinski R., Mantl S. Annealing of silicon implanted by a high dose of cobalt ions investigates by in-situ x-ray diffraction.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, № 3. -p. 15 90−1596.
- Namavar F., Sanchez F.H., Budnik J.I. et.al. // Mat. Rec. Soc. Proc.-1987.-V.74.-P. 487−492.
- Newcombe G.C.F., Lonzarich G.G. Electronic structure of cobalt disilicide.// Phys. Rev. B. -1988. -V37, № 18. -p.10 619−10 622.
- Norde H., de Sousa Pires J., d’Heurle F., Pesavento F., Petersson, and Tove P.A. The Schottky-barrier height of the contacts between some rare-earth metals (and silicides) and p-type silicon. // Appl. Phys. Lett. -1981.-V.38, № 11. -p.865−867.
- Palard M., Ruault M.-O., Bernas H., Strobel M. and Heinig K.-H. In situ ТЕМ study of the evolution of CoSi2 precipitates during annealing and ion irradiation. // Inst.Phys.Conf.Ser. -1997. -№ 157. -p.501−506.
- Palard M., Ruault M.O., Kaitasov O., Bernas H. and Heinig K.-H. Irradiation induced growth of CoSi2 precipitates in Si at 650 °C: An in situ study. // Nucl.Instr. andMeth. B. -1996. -V.120. -p.212−215.
- Pennycook S.J. and Jesson D.E. High-resolution incogerent imaging of crystals.// Phys. Rev. Lett. -1990. -V.64, № 8. -p.938−941.
- Radermacher K., Mantl S., Kolhof K. and Jager W. Temperature and energy dependence of ion-beam synthesis of epitaxial Si/CoSi2/Si heterostructures.// J. Appl. Phys. -1990. -V.68, № 6. -p.3001−3008.
- Reader A.H., Duchateau J.P.W.B., Crombeen J.E. Epitaxial CoSi2 formation on (100) Si by reactive deposition. // Semicond. Sci. and Technol. 1993. -V.8, — p. 1204−1207.
- Reiss S., Heinig K.H. Ostwald ripening during ion beam synthesis a computer simulation for inhomogeneous system. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, № 1. -p.229−233.
- Richter H., Wang Z.P., Ley L. The one phonon Raman spectrum in microcrystalline silicon. // Solid-State Communication. -1981. -V.39. p.625−629.
- Robrock K.-H., Tu K.N., Abraham D.W. and Clabes J.B. Study of planarization of cobalt silicide lines and silicon surfaces by scanning force microscopy and scanning electron microscopy. // Appl.Phys.Lett. -1989. -V.54, № 16. p.1543−1545.
- Romano A., Vanhellemont J., Bender H. and Morante J.R. A fast preparation technique for high-quality plan view and cross-section ТЕМ specimens of semiconducting materials. //Ultramicroscopy. -1989. -V.31. -p. 183−192.
- Roskos H., Nuss M.C., Goossen K.W. et.al. Propagation of picosecond electrical pulses on a silicon-based microstrip line with buried cobalt silicide ground plane. // Appl.Phys.Lett. 1991. -V.58, № 23. — p.2604−2606.
- Rosencher E., Badoz P.A., Pfister J.C., d’Avitaya F. Arnaud, Vincent G. and Delage S. Study of ballistic transport in Si-CoSi2-Si metal base transistors. // Appl.Phys.Lett. 1986. -V.49, № 5. — p.271−273.
- Rualt M.-O., Fortuna F., Bernas H. and Kaitasov O. In situ study of in-beam cobalt silicide growth in silicon. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1994. -V.84, № 1. -p.135−138.
- Satyam By.P.V., Sekar K., Kuri G., Sudaravel В., Mahapatra D.P. and Dev B.N. Defects in the ion-beam synthesized epitaxial Si/CoSi2/Si (l 11) system. // Philosophical Magazine Letters. -1996. V.73, № 6. -p.309−317.
- Satyam By.P.V., Sekar K., Kuri G., Sudaravel В., Mahapatra D.P. and Dev B.N. Ion dechanneling studies of defects in an ion-beam-synthesized epilayersandwich system: Si (lll)/CoSi2/Si. // Applied Surface Science. -1998. V.125. -p.173−177.
- Schick J.T., Bose S.M. Electronic structure of buried NiSi2 or CoSi2 layer in bulk Si. //Phys. Rev. B. -1996. -V.53, № 19. -p. 12 609−12 612.
- Schippel S., Witzmann A., Lindner J.K.N. Thermal stability of Si/CoSi2 multiple layer systems. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.949−954.
- Schuppen A., Marso M., Luth H. Overgrown silicon PBT’s: calculations and measurements. // IEEE Trans. Electron Devices. 1994. -V.41, N5. — P.751−760.
- Seidl A., Takai M., Sayama H., Haramura K., Ryssel H., Schork R., Kato K. Residual stress during local SIMOX process: Raman measurement and simulation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.842−845.
- Serre C., Perez-Rodriguez A., Morante J.R., Esteve J., Acero M.-C., Kogler R., Skorupa W. Ion beam synthesis of polycrystalline SiC on Si02 structures for MEMS applications. // J. Micromech. Microeng. -2000. -V.10. -p.152−156.
- Spraggs R.S., Reeson K.J., Gwilliam R.M.G., Sealy B.J., de Veirman A. and van Landuyt J. Dose dependence of crystallinity and resistivity in ion beam synthesised CoSi2 layers. //Nucl. Inst, and Meth. B. -1991. -V.55. -p.836−841.
- Stephens K.G., Reeson K.J., Sealy B.J., Gwilliam R.M. and Hemment P.L.F. The formation of compound layers in silicon by ion beam synthesis.// Nucl. Inst, and Meth. -1990. -V.50. -p.368−378.
- Strobel M., Reiss S., Heinig K.-H. Evolution of nanocluster ensembles: Computer simulation of diffusion and reaction controlled Ostwald ripening. // Nucl.Instr. and Meth. B. -1996. -V.120. -p.216−220.
- Takeda S. The structures of extended defects in Si and other materials studied by HRTEM. // Instr.Phys.Conf. -1997. -№ 157. -p.25−34
- Teichert J., Bischoff L., Hesse E., Schneider P., Panknin D., Gessner Т., Lobner B. and Zichner N. Cobalt disilicide interconnects for micromechanical devices. //J.Micromech. Microeng. -1996. -V.6. -p.272−278.
- Tersoff J. and Tromp R.M. Shape transition in growth of strained islands: Spontaneous formation of quantum wires. // Phys.Rev.Lett. -1993. -V.70, № 18. -p.2782−2785.
- Tersoff J., Hamman D.R. Bonding and structure of CoSi2 and NiSi2. // Phys. Rev. B. -1983. -V.28, № 2. -p. 1168−1170.
- Trinkaus H., Mantl S. Precipitation kinetics in silicon during ion beam synthesis of buried silicide layers. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1993. -V.80/81. -p.862−866.
- Tu K.N., Thompson R.D., and Tsaur B.Y. Low Schottky barrier of rare-earth silicide on n-Si. //Appl. Phys. Lett. -1981. -V.38, № 8. -p.626−628.
- Tung R.T., Bean J.C., Gibson J.M., Poate J.M. and Jacobson D.C. Growth of single-crystal CoSi2 on Si (l 11). // Appl. Phys. Lett. -1982. -V.40, № 8. -p.684−686.
- Vandenberg J.M., White A.E., Hull R., Schort K.T. and Yalisove S.M. Anisotropic strain relaxation in buried CoSi2 layers formed by mesotaxy. // J. Appl. Phys. -1990. -V.67, № 2. -p.787−791.
- Vanderstraeten H., Bruynseraede Y., Wu M.F., Vantomme A., Langouche G., Phillips J.M. Aligned and twinned orientations in epitaxial CoSi2 layers.// Appl. Phys. Lett. -1990. -V57, № 2. -p.135−137.
- Vanhellemont J. and Claeys C. A theoretical study of the critical radius of precipitates and its application to silicon oxide in silicon. // J.Appl.Phys. -1987. -№ 62. -p.3960−3967.
- Vantomme A., Wu M.F., Langouche G. Single and buried epitaxial metallic layers in Si prepared by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1992. -V.63. -p. 130−137.
- Vantomme A., Wu M.F., Langouche G., Maex K., Vanderstraeten H. and Bruynseraede Y. Orientation and strain of single and double CoSi2 epitaxial layers formed by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V.59/60. -p.680−684.
- Werner P., Jager W. and Schuppen A. Interface structure and Schottky barrier height of buried Cosi2/Si (001) layers.// J. Appl. Phys. -1993. -V.74, № 6. -p.3846−3854.
- White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P.and Gibson J.M. Mesotaxy: Single crystal growth of buried CoSi2 layers.// Appl. Phys. Lett. -1987. -V.50, № 2. -p.95−97.
- White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Gibson J.M. and Hull R. Synthesis of buried silicon compounds using ion implantation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1988. -V.107.-p.3−15. {1}
- White A.E. and Short K.T. Synthesis of buried oxide and silicide layers with ion beams. // Science. -1988. -V.241. -p.930−935. {2}
- White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Hull R. And Vandenberg J.M. Mesotaxy: synthesis of buried single-crystal silicide layers by implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1989. -V39, № 1−4. -p.253−258.
- White A.E., Short K.T., Dynes R.C., Garno J.P.and Gibson J.M. Mesotaxy: Formation of buried single-crystal CoSi2 layers by implantation. // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. -1987. -V.74. -p.481−486
- White A.E., Short K.T., Maex K. et. al. Exploiting Si/CoSi2/Si heterostructures grown by mesotaxy. //Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V59/60. -p.693−697.
- Witzmann A., Schippel S., Zentgraf A. and Gaiduk P.I. Study of Co silicide formation by multiple implantation.// J.Appl. Phys. -1993. -V.73, № 11. -p.7250−7260.
- Wu M.F., Vantomme A., Langouche G. et.al. Antiparallel crystal orientation in CoSi2 epitaxial bilayers formed by ion implantation.// Appl. Phys. Lett. -1990. -V.57, № 19. -p.1973−1975.
- Wu M.F., Vantomme A., Langouche G. et.al. Strain and orientation in epitaxial CoSi2(ll 1) layers formed by ion implantation. // Nucl. Instrum. and Meth. B. -1991. -V54. -p.444−452.
- Zegenhagen J., Huang K.G., Hunt B.D., and Schowalter L.J. Interface structure and lattice mismatch of epitaxial CoSi2 on Si (lll). // Appl. Phys. Lett. -1987. -V.51, № 15. -p.l 176−1178.
- Zentgraf A., Gartner K., Schippel S. and Gaiduk P.I. Influence of damage on the formation of CoSi2 by Co implantation.// Nucl.Instr. and Meth. B. -1996. -V.l 14, № 1−2. -p.46−55.
- Zhu H.N., Liu B.X. Epitaxial CoSi2 layers fabricated by a single-step technique of high-current Co-ion implantation. Rapid communication. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1999.-V. 32, -p. L119-L123.
- Пархоменко Ю.Н., Галаев А. А., Боженов А. В., Выговская Е. А., Щербачёв К. Д. Влияние параметров ионно-лучевого синтеза на формирование слоёв CoSi2 в кремнии. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. -1999. -№ 1. С.11−15.
- Parkhomenko Yu.N., Bozhenov A.V., Chtcherbatchev K.D., Ufimtsev V.B. Epitaxial growth of CoSi2 layers on silicon formed by ion beam synthesis. -Abstracts of the Third International Conference Single Crystal Growth, Strength
- Problems, and Heat Mass Transfer/ISCS-99. Obninsk, Russia, Institute for Physics and Power Engineering, September 21−24, 1999. — P. 102.
- Пархоменко Ю.Н., Боженов А. В., Бублик В. Т., Щербачёв К. Д. Модель фазообразования дисилицида кобальта в кремнии в процессе ионно-лучевого синтеза. // Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. -2000. -№ 4. -С.44−49.