Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов

Диссертация: Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Проведено исследование изменения параметров ионных пучков, формируемых ИИ с многоячеистой ионно-оптической системой (ИОС), при модификации ИОС посредством изменения взаимного расположения электродов. Установлено, что механизмом, определяющим энергетические параметры и интенсивность ионных пучков, является изменение зоны эффективной ионизации вещества в ускоряющем зазоре источника. Развит метод… Читать ещё >

Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Введение. Общая характеристика работы
  • Глава 1.
    • 2.
  • Выводы
  • Глава 2.
    • 1.
    • 3. Выводы
  • Глава 3.
  • 1-§
  • Выводы
  • Анализ методов осаждения и свойств тонких пленок, используемых в технологии микроэлектроники
  • Ионно-лучевая обработка в технологии микроэлектроники
  • Общая характеристика основных типов технологических ионных источников
  • Методы осаждения тонких пленок
  • Анализ свойств алмазоподобных пленок, полученных различными методами
  • Влияние параметров процесса получения на свойства алмазоподобных пленок
  • Исследование электрофизических параметров ионного источника с замкнутым дрейфом электронов «Радикал-М250»
  • Экспериментальное технологическое оборудование и методика проведения экспериментов. Исследование ионно-оптической системы источника ионов «Радикал-М250»
  • Нейтрализация низкоэнергетичных широких пучков ионов высокой интенсивности
  • Зависимость процесса обработки от технологических параметров
  • Исследование процесса нанесения тонких пленок непосредственно из пучков ионов

Исследование процесса очистки поверхности пучками ионов инертных и химически активных веществ. Исследование зависимости распределения плотности тока пучка вдоль диаметра пучка от технологических параметров.

Модель механизма реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов.

Глава 4.

§ 2. § 3.

Выводы.

Глава 5.

§-2-Выводы.

Исследование свойств тонких пленок, полученных осаждением непосредственно из пучков ионов.

Методика исследования свойств и осаждения тонких пленок из пучков ионов углеводородов и кремнийорганических соединений.

Исследование свойств тонких пленок, полученных осаждением из пучков ионов углеводородов. Исследование свойств тонких пленок, полученных осаждением из пучков ионов кремнийорганических соединений.

Анализ свойств тонких пленок, полученных осаждением из пучков ионов углеводородов и кремнийорганических соединений.

Практическое применение метода реактивного ионно-лучевого синтеза для создания структур твердотельной электроники.

Формирование просветляющих покрытий элементов солнечных батарей. Комфорное запыление тренчей.

Настоящая диссертация посвящена проблеме развития метода реактивного ионно-лучевого синтеза (РИЛС) тонких пленок непосредственно из широких низкоэнергетичных пучков ионов высокой интенсивности, формируемых ионным источником (ИИ) с замкнутым дрейфом электронов.

Актуальность работы обусловлена совершенствованием технологии нанесения тонких пленок с заданными свойствами для твердотельной электроники, а также высоким уровнем современных требований к функциональным тонкопленочным слоям, используемым в микрои наноэлектронике.

В микроэлектронике ионно-лучевая обработка (ИЛО) нашла применение в начале 70-х годов, когда был освоен метод ионно-лучевого травления (ИЛТ) материалов пучками ионов аргона. Дальнейшее развитие ИЛО было связано с разработкой методов реактивного ионно-лучевого травления (РИЛТ) и осаждения тонких пленок распылением материала мишени пучками ионов1.

Метод реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов химически активных веществ, исследованию которого посвящена данная работа, представляется одним из перспективных методов нанесения функциональных слоев, используемых при создании структур твердотельной электроники, в связи с рядом принципиальных достоинств по отношению к существующим методам получения тонких пленок в вакууме.

Недостатки наиболее распространенных методов (распыление или испарение материала мишени, плазмостимулированные методы) связаны с ограниченными возможностями управления энергией осаждаемых частиц, переносом вещества к подложке по закону «косинуса» и трудностями контроля количества осаждаемого вещества.

Для управления электрофизическими, оптическими и механическими свойствами формируемых слоев необходимо изменять энергию, величину, состав и направленность потока осаждаемых частиц. Такими возможностями обладает метод РИЛС, отличительными особенностями которого являются:

• ускорение ионов до требуемой энергии и формирование пучка осуществляются в ионно-оптической системе источника ионов, при этом энергия ионов определяется лишь ускоряющим напряжением источника и может составлять десятки или сотни эВ, что позволяет синтезировать тонкие пленки, управление свойствами которых осуществляется изменением энергии ионов пучка;

• пространственная направленность при условии малой расходимости ионного пучка позволяет проводить процессы травления и нанесения пленок на структуры сложного профиля, что важно, например, при создании ультрабольших интегральных схем с многоуровневой металлизацией;

• доля ионной компоненты в потоке осаждаемого вещества достигает 100%, что позволяет осуществлять строго дозированный перенос вещества к подложке посредством контроля в процессе осаждения плотности тока ионов пучка.

Развитие метода РИЛС требует проведения исследований и разработки ионных источников производственного назначения и ионно-лучевых систем для нанесения и травления тонкопленочных покрытий, используемых при создании структур твердотельной электроники.

Современные тенденции развития микрои наноэлектроники выдвигают ряд требований к ИИ, используемым в технологических целях: возможность независимого управления величиной плотности потоков частиц j и их энергии Е в широком диапазоне (J до нескольких мА/см2, Е до 1000 эВ) — высокая однородность ионных пучков на большой площадиширокая номенклатура рабочих веществ и возможность длительной работы с химически активными газаминизкие давления в рабочей камерепростота конструкции и надежность в эксплуатации.

Наиболее полно этим требованиям удовлетворяют ИИ, принцип действия которых основан на ионизации газо-, парообразного вещества в условиях замкнутого дрейфа электронов в скрещенных электрическом и магнитном полях, реализованный в ИИ семейства «Радикал» 2. Ионные источники «Радикал» достаточно хорошо зарекомендовали себя в технологических операциях ИЛТ и РИЛТ3. Перспективность их использования в методе РИЛС для осаждения тонких пленок непосредственно из пучков ионов обуславливает необходимость оптимизации ионно-оптической системы источника ионов с целью установления соответствия параметров ионных пучков требованиям, предъявляемым к процессам формирования тонкопленочных покрытий в технологии микрои наноэлектроники.

Таким образом, цель диссертационной работы заключается в исследовании метода реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок непосредственно из пучков ионов и свойств осажденных тонкопленочных покрытий, используемых в качестве функциональных слоев твердотельной электроники.

Конкретная цель работы — разработка процесса осаждения тонких пленок с заданными свойствами непосредственно из широких низкоэнергетичных пучков ионов высокой интенсивности, формируемых ионным источником с замкнутым дрейфом электронов, и управление свойствами осаждаемых тонких пленок посредством изменения параметров ионных пучков в процессе осаждения.

При этом решались следующие задачи: 1. Исследование электрофизических параметров ионного источника «Радикал-М250» :

• управление распределением ионов пучка по энергиям;

• оптимизация ионно-оптической системы источника;

• токовая нейтрализация низкоэнергетичных широких пучков ионов высокой интенсивности.

2.Исследование влияния технологических параметров на процесс осаждения тонких пленок:

• исследование зависимости скорости осаждения тонких пленок и травления обрабатываемой поверхности от плотности тока и энергии ионов пучка;

• исследование зависимости равномерности обработки от электрофизических параметров ионных пучков и конструктивных особенностей ИИ.

3.Разработка технологии осаждения тонких пленок из пучков ионов углеводородов и кремнийорганических веществ и исследование свойств полученных покрытий.

4.Установление взаимосвязи между свойствами пленок, составом исходных веществ, параметрами ионных пучков и технологических режимов.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Исследован процесс реактивного ионно-лучевого синтеза композитных тонких пленок непосредственно из широких низкоэнергетичных пучков ионов высокой интенсивности. Разработана методика управления свойствами тонких функциональных слоев при создании структур твердотельной электроники посредством независимого изменения энергии ионов пучка, интенсивности, направленности и состава пучков ионов.

2. Исследовано влияние параметров низкоэнергетичных широких пучков ионов высокой интенсивности на оптические свойства алмазоподобных (АЛЛ) и кремнийсодержащих углеродных пленок, полученных осаждением непосредственно из пучков ионов. Установлена зависимость оптической ширины запрещенной зоны, показателя поглощения и показателя преломления тонкопленочных слоев от энергии и интенсивности ионов пучка.

3. Разработана феноменологическая модель процесса реактивного ионно-лучевого синтеза тонких пленок, дающая объяснение механизму осаждения непосредственно из широких низкоэнергетичных пучков ионов высокой интенсивности на основе представления об основных компонентах ионно-пучковой плазмы и физических явлениях на обрабатываемой поверхности.

4. Установлена линейная зависимость скорости осаждения тонких пленок непосредственно из пучков ионов от плотности ионного тока, указывающая на независимость процесса осаждения от нейтральной составляющей потока осаждаемого вещества, что позволяет осуществлять точный контроль процесса роста пленки, основываясь на измерении плотности тока пучка непосредственно в процессе осаждения.

5. Проведено исследование изменения параметров ионных пучков, формируемых ИИ с многоячеистой ионно-оптической системой (ИОС), при модификации ИОС посредством изменения взаимного расположения электродов. Установлено, что механизмом, определяющим энергетические параметры и интенсивность ионных пучков, является изменение зоны эффективной ионизации вещества в ускоряющем зазоре источника. Развит метод управления электрофизическими параметрами ионных пучков посредством изменения геометрии ячейки ионно-оптической системы источника, позволяющий осуществлять формирование ионных пучков с заданными значениями средней энергии и интенсивности ионов пучка.

6. Предложен и развит метод управления распределением плотности тока пучка вдоль диаметра пучка посредством изменения напряженности магнитного поля в ячейке, способа подачи и интенсивности потока газа в источник. Показано, что распределение плотности тока пучка вдоль диаметра пучка зависит от состава рабочего вещества вследствие справедливости фундаментального соотношения для молекулярного течения газа в пространстве между электродами ИИ.

7. Экспериментально установлено, что распределение ионов по энергиям в пучке не является моноэнергетичным. Показано влияние геометрии ИОС, режимов обработки, состава рабочего вещества на формирование функции распределения ионов по энергиям в пучке.

Практическая значимость работы.

Проведена оптимизация ионно-оптической системы источника ионов «Радикал-М250» по критериям: распределение ионов по энергии в пучке, интенсивность пучка ионов, соотношение тока пучка и тока разряда.

Разработан многопучковый ионный источник, формирующий ионный пучок со средней энергией ионов в пучке до 500 эВ, плотностью тока пучка л до 2 мА/см, неравномерностью плотности тока не более ±-(2,5-гЗ) % на диаметре 150 мм. Это позволяет в условиях производства устройств твердотельной электроники проводить с высокой однородностью операции очистки поверхности, прецизионного травления структур и нанесения тонких пленок на неподвижные пластины в оборудовании кластерного типа.

Осуществлена токовая компенсация и перекомпенсация тока пучка ионов на обрабатываемый объект на 100% в процессе осаждения тонких диэлектрических пленок. Полученный результат обуславливает возможность формирования бездефектных тонкопленочных диэлектрических слоев посредством эффективной нейтрализации положительного потенциала на поверхности диэлектрика, возникающего в процессе осаждения тонких диэлектрических пленок из пучков заряженных частиц.

Разработана технология осаждения алмазоподобных пленок из пучков ионов углеводородов (циклогексан, ацетон, пропанол) и композитных тонкопленочных покрытий (типа SiCOH, SiCNH) из пучков ионов кремнийорганических соединений (гексаметилдисилазан (ГМДС), винилтриметоксисилан (ВТОМС)), предназначенных для формирования функциональных слоев твердотельных устройств.

Разработана практическая методика управления параметрами ионного пучка с целью нанесения покрытия с заданными свойствами: изменение энергии и интенсивности ионов пучка углеводородов позволяет формировать алмазоподобные пленки, характеризующиеся оптической шириной запрещенной зоны ?^=0,84−1,5 эВ и показателем преломления «=2,24−2,45, а также кремнийсодержащие углеродные композиты с соответствующими параметрами ?^=1,8−7-2,35 эВ, «=1,754−2,4.

Полученные тонкие пленки использовались в ГУЛ НЛП «Пульсар» при проведении НИР «Разработка технологии изготовления солнечных элементов космического назначения с улучшенными параметрами». В процессе совместных исследований показана возможность применения полученных тонких пленок в качестве просветляющих покрытий элементов солнечных батарей без потерь чувствительности в коротковолновой области спектра, а также возможность создания двухслойных просветляющих покрытий в едином технологическом цикле, необходимых для расширения спектрального диапазона просветления элементов. Нанесение пленки на тыльную сторону элемента солнечной батареи повысило ампер-ваттную чувствительность в диапазоне 0,44−1,0 мкм до 60%.

В ходе совместной работы с заводом «Микрон» проведено комфорное запыление канавок с аспектным отношением А=3. Полученный результат обуславливает принципиальную возможность применения метода РИЛС при формировании барьерных слоев для многоуровневой металлизации ультраболыпих интегральных схем (УБИС) и планаризации поверхности в условиях технологических систем кластерного типа в рамках технологии «0,35 мкм» .

Основные результаты, полученные в диссертационной работе:

1. Разработан метод реактивного ионно-лучевого синтеза композитных тонких пленок непосредственно из широких низкоэнергетичных пучков ионов высокой интенсивности, который позволяет управлять свойствами тонкопленочных функциональных слоев, применяемых при создании устройств твердотельной электроники, посредством изменения энергии ионов пучка, интенсивности, направленности и состава пучков ионов химически активных веществ.

2. Установлена зависимость от энергии ионов пучка оптической ширины запрещенной зоны алмазоподобных и кремнийсодержащих углеродных пленок. При этом увеличение энергии в диапазоне 150+500 эВ и интенсивности ионов пучка приводит к снижению оптической ширины запрещенной зоны алмазоподобных пленок от 1,5 до 0,8 эВ. Аналогичное изменение энергии и интенсивности ионного пучка при осаждении карбонитрида кремния приводит к снижению Eg от 2,4 до 1,8 эВ. В случае осаждения оксикарбида кремния повышение мощности, подводимой в разряд, приводит к увеличению Eg от 2,1 до 2,3 эВ.

3. Установлена зависимость от энергии ионов пучка показателя преломления кремнийсодержащих углеродных пленок. При этом увеличение энергии в диапазоне 150+500 эВ и интенсивности ионов пучка при осаждении карбонитрида кремния приводит к снижению п от 2,1 до 1,8 эВ. В случае осаждения оксикарбида кремния повышение мощности, подводимой в разряд, приводит к увеличению п от 1,8 до 2,4 эВ. Вариация показателя преломления связана с изменением количественного соотношения фазовых компонент, что указывает на более чувствительную структуру композитных пленок к изменению параметров режима осаждения.

4. Предложен и развит метод управления электрофизическими параметрами пучков ионов посредством модификации ионно-оптической системы многоячеистого источника ионов изменением положения штырьевого электрода. Установлено, что средняя энергия и интенсивность пучков ионов, формируемых ионным источником с многоячеистой оптической системой, зависят от положения зоны эффективной ионизации рабочего вещества в ячейке ионно-оптической системы. Показана возможность формирования ионных пучков с заданным значением средней энергии ионов пучка в диапазоне 150+500 эВ и интенсивностью до 2 мА/см .

5. Предложен и развит метод управления распределением плотности тока пучка вдоль диаметра пучка посредством изменения напряженности магнитного поля в ячейке, способа подачи и интенсивности потока газа в источник. Показана возможность формирования ионных пучков, имеющих заданную кривизну профиля распределения плотности тока пучка вдоль диаметра ионного источника, определяемую электрофизическими параметрами ионного пучка, с неравномерностью плотности тока пучка не более ±2,5+3% на диаметре 150 мм, что позволяет осуществлять обработку неподвижных пластин с высокой однородностью.

6. Показана возможность компенсации тока широкого низкоэнергетичного пучка ионов высокой интенсивности в процессе осаждения диэлектрических тонких пленок с целью нейтрализации положительного заряда на поверхности диэлектрика посредством инжекции медленных электронов в ионный пучок.

7. Оптимизирована ионно-оптическая система источника ионов семейства «Радикал» для проведения процессов осаждения тонкопленочных функциональных слоев непосредственно из пучков ионов химически активных веществ в соответствии с требованиями, предъявляемыми в технологии твердотельной электроники к параметрам ионных пучков и технологических режимов.

8. Разработан технологический процесс осаждения алмазоподобных пленок из пучков ионов углеводородов (циклогексан, ацетон, пропанол) и композитных тонкопленочных покрытий (типа SiCOH, SiCNH) из пучков ионов кремнийоргани’ческих соединений (гексаметилдисилазан, винилтриметоксисилан). Оптимизированы свойства тонких пленок используемых в качестве просветляющих покрытий элементов солнечных батарей без потери чувствительности в коротковолновой области спектра, а также, для получения двухслойных просветляющих покрытий в едином технологическом цикле, необходимых для расширения спектрального диапазона просветления элементов. Нанесение пленки на тыльную сторону элемента солнечной батареи повысило ампер-ваттную чувствительность в диапазоне 0,4+1,0 мкм до 60%.

9. Разработана технология комфорного запыления канавок осаждением покрытия непосредственно из пучков ионов. Полученный результат обуславливает принципиальную возможность формирования барьерных слоев для многоуровневой металлизации ультрабольших интегральных схем и планаризации поверхности в кластерных технологических системах в рамках технологии «0,35 мкм» .

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Ю.П. Маишев. Справочник. Инженерный журнал № 6, 1999.
  2. H.R. Kaufman, P.D. Reader, Experimental Performance of Ion Rockets Employing Electron-Bombardment Ion Sources, ARS Electrostatic Conference, Monterey, Calif., Nov. 3−4, 1960.
  3. Y.Rao, M. Li, B. Qi, F. Li, Rev.Sci.Instrum. V.67, № 3, 1996, pp. 1009−1011.
  4. Y.C.Feng, D.W. You, Y.Z. Kuang, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4, 1994, pp. 1304−1306.
  5. H.R. Kaufman, R.S. Robinson, W.E. Hughes. Characteristics, capabilities and applications of broad-beam sources. CSC, 1998, p. 38.
  6. W.C.Kim, K.H. Chung, B.H. Coi, Rev.Sci.Instrum., V.65, № 4, 1994, pp. 1356−1358.
  7. H.R. Kaufman et.al. Char.Cap. and Appl. of Broad-Beam Sources, CSC, Alexandria, Va., 1987.
  8. И.И. Аксенов, И. А. Белоус, В. Г. Падалка, В. М. Хорошкин, Sov.J.Plasma Phys.,№ 4, 1978, с. 428.
  9. S.Anders, A. Anders, I.G.Brown, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4, 1994, pp. 1253−1258.
  10. I.G. Brown, S. Anders, M.R. Dickinson, P.B. Fojas, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4,1994, pp. 1260−1261.
  11. A.A. Goncharov, I.M. Protsenko, A.N. Dobrovolsky, Rev.Sci.Instrum. V.67, № 3,1996, pp. 1073−1075.
  12. E. Oks, G. Yuskov, A. Nikolaev, Rev.Sci.Instrum. V.67, № 4, 1996, pp. 1213−1215.
  13. S.Anders, A. Anders, I.G.Brown, R.A. Mac Gill, M.R. Dickinson, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4, 1994, pp. 1319−1321.
  14. P. Хьюз, Р.Андерсон. Лазерные ионные источники // «Физика и технология источников ионов», п/р Я. Брауна, М.: Мир, 1998, с. 382.
  15. R.H. Hughes, R. J. Anderson, С.К. Manka, M.R. Carruth, L.G.Gray, J.Appl. Phys. V.51, 1980, p. 4088.
  16. Y.Ping, Z. Sixing, W. Baowen, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4, 1994, pp. 1275−1277.
  17. H. Haseroth, H. Kugler, K. Langbein et all, Rev.Sci.Instrum. V.69, № 2, 1998, pp.1051−1053.
  18. Л.Г. Бакуева, В. И. Ильин, С. Ф. Мусихин, Л. В. Шаронова, ФТП, Т.27, вып. 11/12, 1993, с. 1868−1870.
  19. R. Harkewicz, J. Stacy, J. Greene, R.C. Prado, Rev.Sci.Instrum. V.65, № 4, 1994, pp. 1104−1106.
  20. N. Sakudo, Rev.Sci.Instrum. V.69, 1998, p. 825.23 .L. Wartsy, С. Schwebel, J. Aubert, Rev.Sci.Instrum. V.67,1996, p. 895.
  21. J. Asmussen, M. Dahimene, J.Vac.Sci.Technol. В V.5, 1987, p. 328.
  22. V. Pichot, A. Durandet, Rev.Sci.Instrum. V.59, 1988, p. 1072.
  23. A. Farchi, L. Wartski, F. Boukari, V. Roy, Ph. Coste, J. Aubert, Rev.Sci.Instrum. V.65, 1994, p. 1104. ------
  24. G. Neumann, H.C.Scheer, Rev.Sci.Instrum. V.63, № 4, 1992, pp. 2403−2405.
  25. T. Taylor, Rev.Sci.Instrum. V.63, № 4, 1992, pp. 2507−2512.
  26. N.A. Morrison, S.E.Rodil, A.C.Ferrari, J. Robertson, W.I. Milne, Thin Solid Films V.337, 1999, pp. 71−73.
  27. M. Wakatsuchi, S. Ishii, Y. Kato, M. Sunagava, F. Tani, Proc. IEEE, № 1, 1996, p. 800.3 l.H. Сакудо. СВЧ ионные источники // «Физика и технология источников ионов», п/р Я. Брауна, М.: Мир, 1998, с. 248.
  28. Y. Gotoh, Y. Fujimori, Н. Kubo, Н. Tsuji, J. Ishikawa, Rev.Sci.Instr. V.69, Pt.2,1998, pp. 887−889.
  29. J. Ishikawa, Rev.Sci.Instrum. V.67, 1996, pp. 1410.
  30. K. Ленг. Источники. отрицательных ионов // Физика и технология источников ионов", п/р Я. Брауна, М.: Мир, 1998, с. 382.
  31. Y. Mori, Rev.Sci.Instrum. V.63, № 4, 1992, pp. 2357−2362.
  32. G.D. Alton, M.T. Johnson, Nucl.Instr.Methods A V.328, 1993, pp. 154.
  33. M. Tanaka, K. Kobayashi, K. Miyake et al., Proceedings of the 5th Symposium on Beam Ingineering of Advanced Material Syntheses (Japanese), edited by J. Ishikawa (Beam Engineering Research Society of Japan, Kyoto, 1994), p. 73.
  34. H.Tsuji, J. Ishikawa, T. Tomita, T. Yoshihara, Y. Gotoh, Rev.Sci.Instrum. V.69, № 2, 1998, pp. 884−886.
  35. S. Aisenberg, R. Chabot, J. Appl. Phys., V.42, 1971, pp. 2953−2958.
  36. S. Aisenberg, US Patent № 3 961 103, June 1, 1976.
  37. L. Holland, S.M. Ojha, Thin Sold Films, V.38, L17, 1976.
  38. A. Gril, B.S. Meyerson, V.V. Patel, IBM J.Res.Develop. V.34, № 6, 1990, pp. 849−857.
  39. М.Ш. Абдулвагабов, Ю. М. Байков, H.C. Жданович, А. И. Косарев, В. Ф. Цветков, ФТП, Т.25, вып.1, 1991, с. 77−81.
  40. F.L. Freire.Jr., D.F. Franceschini, С.А. Achete, Phys.Stat.Sol. В V.192, 1995, pp. 493−503.
  41. KJ. Clay, S.P. Speakman, G.A.J. Amaratunga, S.R.P. Silva, J.Appl.Phys. V.79,1996, p. 9.
  42. И. Коньков, И. Н. Капитонов, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, Письма в ЖТФ, Т.23, № 1, 1997, с. 3−8.
  43. И. Коньков, И. Н. Трапезникова, Е. И. Теруков, ФТП, Т.28, вып.8, 1994, с. 1406−1410.
  44. Н. Клюй, Письма в ЖТФ, Т.24, № 10, 1998, с. 87−93.
  45. S.1. Sung, X.J. Guo, К.Р. Xuang, F.R. Chen, H.C. Shin, Thin Solid Films, V.315, 1998, pp. 345−350.
  46. А. von Keudell, Т. Schwartz-Selinger, W. Jacob, Thin Solid Films V.308−309, 1997, pp. 195−198.
  47. W. Scharff, K. Hammer, O. Stenzel et al., Thin Solid Films V.171, 1989, pp. 157−169.
  48. M. Kawarada, K. Mar, A. Kiraka, Jpn.J.Appl.Phis. V.26, 1987, pp. L1032-L1034.
  49. F. Gaspari, R.V. Kruzelesky, P.K. Lim, L.S. Sidhu, S. Zukotynski, J.Appl.Phys. V.79, № 5, 1996, pp. 2684−2688.
  50. А.Ф. Белянин, А. П. Семенов, И. А. Семенова. Труды Международной конференции «Алмазы в технике и электронике», Москва, Полярон, 1998, с. 158−167.
  51. В.Х. Кудояров, В. Л. Аверьянов, А. В. Чернышев, М. Б. Цолов, ФТП, Т.29, вып.9, 1995, с. 1662−1673.
  52. L. Nobili, P.L. Cavallotti, G. Coccia Lecis, G. De Ponti, C. Lenardi, Thin Solid Films V.317, 1998, pp. 359−362.
  53. A.A. Данченко, В. А. Лигачев, А. И. Попов, ФТП, Т.28, вып.12, 1993, с. 1233−1239.
  54. В.А. Лигачев, А. И. Попов, С. Р. Стукач, ФТП, Т.28, вып.12, 1994, с. 2145−2155.
  55. S. Hirono, S. Umemura, Y. Andoh, Т. Hayashi, R. Kaneko, IEEE Tranc. Mag. V.34, № 4, 1998, p. 1729.
  56. D.R. McKenzie, D. Muller, B.A. Pailthorpe et al., Diamond and Related Materials, V. l, 1991, pp. 51−59.
  57. P.J. Fallon, V.S. Veerasamy, C.A. Davis, J. Robertson, G.A.J. Amaratunga, W.I. Milne, J. Koskinen, Phys.Rev. B, V.48, № 7, 1993, pp. 4777−4782.
  58. Shi Xu, B.K.Tay, H.S.Tan, Li Zhong, Y.Q.Tu, S.P.P.Silva, W.I.Milne, J.Appl.Phys. V.79, № 9, 1996, pp. 7234−7241.
  59. Yusuke Taki, Osamu Takai, Thin Solid Films, V.316, 1998, pp. 45−50.
  60. S.R. Kasi, H. Kang, J.W. Rabalais, J.Chem.Phys. V.88, 1988, p. 5914.
  61. J. Kulik, G.D. Lempert, E. Grossman, D. Marton, J.W. Rabalais, Y. Lifshits, Phys.Rev.B V.52, № 22, 1995, pp. 15 812−15 822.
  62. L.Yu. Khriachtchev, M. Rasanen, R. Lappalainen, J.Appl.Phys. V.82, № 1, 1997, pp. 413−420.
  63. J. Robertson, Pure&Appl.Chem, V.66, № 9, 1994, pp. 1789−1796.
  64. J. Angus, F. Jansen, J.Vac.Sci.Tech. A., № 6, 1988, p. 1778.
  65. D.L. Pappas, K.L. Saenger, J. Bruley, W. Krakow, J.J.Cuomo, T. Gu, R.W. Coilins, J.Appl.Phys. V.71, 1992, p. 5675.
  66. H. Pan, M. Pruski, B.C. Gerstein, F. Li, J.S. Lannin, Phys.Rev. В V.44, 1991, p. 6741.
  67. Y. Lifshitz, S.R. Kasi, J.W. Rabalais, Phys. Rev. Lett. V.68, 1989, p. 620.
  68. Y. Lifshitz, G.D. Lempert, E. Grosman, Pys. Rev. Lett. V.72, 1994, p. 2753.
  69. Koponen, M. Hakovirta, R. Lappalainen, J.Appl.Phys. V.78, 1995, p. 5837.
  70. C.A. Davis, Thin Solid Films V.226, 1991, p. 30.
  71. R. Berman, F. Simon, Z.Electrochem., № 59, 1955, p. 338.
  72. L. Ponsonet, C. Donnet, K. Varlot, J.M. Martin, A. Gril, V. Patel, Thin Solid Films V.319, 1998, pp. 97−100.
  73. Ch. Lioutas, N. Vouroutzis, S. Logothetidis, H. Lefakis, Thin Solid Films V.319, 1998, pp. 144−147.
  74. S. Logothetidis, C. Charitidis, Thin Solid Film V.353, 1999, pp. 208−213.
  75. L.Yu. Khriachtchev, M. Rasanen, R. Lappalainen, Thin Solid Films, V.325, 1998, pp. 192−197.
  76. H. Hofsass, H. Feldermann, R. Merk, M. Sebastian, C. Ronning, Appl.Phys. A V.66, 1998, pp. 153−181.
  77. Y. Lifshitz, S.R. Kasi, J.W. Rabaliis, Phys.Rev.Lett. V.62, 1989, p. 1290.
  78. J. Robertson, Surf.Coat.Technol. V.50, 1992, p. 185.
  79. B.K. Tay, X. Shi, L.K. Cheah, D.I. Flynn, Thin Solid Films V. 308−309,1997, pp. 199−203.
  80. S. Anders, J.W. Ager III, G.M. Pharr, T.Y. Tsui, I.G. Brown, Thin Solid Films V. 308−309, 1997, pp. 186−190.
  81. A. Reyes-Mena, J. Gonzalez-Hernandez, R. Asomosa, B.S. Chao, J.Vac.Sci.Technol.A V.8, № 3, 1990, pp. 1509−1513.
  82. A.C. Сигов, В. И. Ткачев, В. И. Свитов, Ю. А. Концевой, Труды международной конференции «Алмазы в технике и электронике», Москва, 1996, с. 130−135.
  83. В.В. Слепцов, В. М. Елинсон, Г. Ф. Ивановский и др., Ваккумная техника и технология, Т.2, № 4, 1992, с. 69−72.
  84. S.L. Sung, X.G. Guo, К.Р. Xuang, F.R. Chen, H.C. Shih, Thin Solid Films V.315, 1998, pp. 345−350.
  85. J. Seth, S.V. Babu, J.Appl.Phys. V.73, № 5, 1993, pp. 2496−2504.
  86. X. Shi, H. Fu, J.R.Shi, L.K. Cheah, B.K. Tay, P. Hui, J.Phys.: Condens. Metter V. 10, 1998, pp. 9293−9302.
  87. J. Robertson, C.A. Davis. Diamond Relat. Mater. № 4, 1995, p. 441.
  88. L.K. Cheah, X. Shi, J.R. Shi, E.J. Liu, S.R.P. Silva, J. Non-Cryst.Sol. V.242,1998, pp. 40−48.
  89. Y.L. Bai, E.Y. Jiang, Thin Solid Films V.353, 1999, pp. 157−165.
  90. J.H. Moon et al, J.Vac.Sci.Technol. В V.17, № 1, 1999, p. 241.
  91. B.Racine, M. Benlahsen, K. Zellama et.al., Appl.Phys.Lett., V.73, № 22, 1998, p.3226−3229.
  92. M.Weiler, S. Sattel, K. Jung, H. Ehrhardt, V.S.Veerasamy, J. Robertson, Appl.Phys.Lett., V.64, 1994, p.2797.
  93. Н.И. Ионов, ЖТФ, T.34, вып.5, 1964, с. 769−788.
  94. Ю.П. Маишев. Вакуумная техника и технология, Т.2, № 4, 1992, с. 53−58.
  95. К.А. Валеев, JI.B. Беликов, Ю. П. Маишев. Прецизионное селективное травление пленок Si02 и Si3N4 пучками ионов химически активныхгазов. Труды Физико-технологического института РАН, Т. 15, 1999, с. 3−17.
  96. Н.В., Бажин А. И., Физика воздействия ионных пучков на материалы, М.: Вузовская книга, 1998, с. 392.
  97. Г. Ф., Петров В. И., Ионно-плазменная обработка материалов, М.: Радио и связь, 1986, с. 232.
  98. Техническое описание ЛЭМ-2М (см. Резвий P.P., Эллипсометрия в микроэлектронике. М.: Радио и связь, 1985).
  99. V.V. Khvostov, М.В. Guseva et al.// Surface Sci.Lett., V.169, № 1, 1986, pp. 1253−1258.
  100. P. Аззам, H. Батара, Эллипсометрия и поляризованный свет. Пер. с англ. под ред. А. В. Ргианова. М.: Мир, 1981, с. 583.
  101. В. Dishler, Proc. Eur. Mater. Res. Meet. V.17, 1987, p. 189.
  102. G. Socrates. Infrared characteristic group frequencies, Willey, New York, 1994, p. 9.
  103. B.A. Плискин, С. Ж. Занин // Толщина и химический состав пленки// «Технология тонких пленок», Справочник, М., «Советское радио», Т.2, 1977, с. 176.
  104. K.L. Enisherlova, Y.A. Kontsevoi, Е.А. Mitrofanov, Y.P. Maishev, Diamond-like carbon and SiC films obtained by the industrial system equipped by the source with cold cathode // Spring Meeting Materials Research Society. San Francisco, 1995, p. 188.
  105. V. Chu, N. Barradas, J.C. Soares, J.P.Conde, J. Jarego, P. Brogueira, J. Rogriguez, J.Appl.Phys., V.78, № 5, 1995, p. 3164.
  106. R.A.C.M. van Swaaij, A.J.M. Berntsen, W.G.J.H.M. va Sark, H. Herremans, J. Bezemer, W.F. van der Weg, J.Appl.Phys., V.76, № 1,1994, p. 251.
  107. S.H. Lee, D.C.Lee, Thin Solid Films, 325, 1998, pp. 83−86.
  108. J. Niemann, W. Bauhofer, Thin Solid Films, V.352, 1999, pp. 249−258.
  109. F. Fujii, M. Yoshimoto, T. Fuyuki, H. Matsuami, JpJ.Appl.Phys. Pt. l, V.36, 1997, p. 289.
  110. M.T. Kim, J. Lee, Thin Solid Films, V.303, 1997, p. 173.
  111. S.F. Durrat, R.T. Marcal, S.G. Castro, R.C.G. Vinhas, M.A. Bica de Moraes, J.H. Nicola, Thin Solid Films, V.259, 1995, p. 139.
  112. A. Grill, V. Patel, J.Appl.Phys., V.85, № 6, 1999, pp. 3314−3318.
  113. W.J. Wu, M.H. Hon, Thin Solid Films, V.345, 1999, pp. 200−207.
  114. J.P. Conde, V. Chu, M.F. da Silva et al, J.Appl.Phys. V.6, № 6, 1999, pp. 3327−3338.
  115. T. Fujii, M. Hiramatsu, M. Nawata, Thin Solid Films, V.343−344, 1999, pp. 457−460.
  116. A. Tabata, Y. Kuno, T. Suzuoki, Y. Mizutani, J. Non-Cryst.Solids, V. 164−166, 1993, p.1043.
  117. F.H.C. Goh, Ph.D. thesis, University of Arkansas, 1992, p. 151.
  118. D.R. McKenzie, D.A. Muller, E. Kravtchinskaia, D. Segal, D.J.H. Cockayne, G. Amaratunga, R. Silva, Thin Solid Films, V.206, 1991, p. 198.
  119. S. Scaglione, G. Emiliani, J.Vac.Sci.Technol.A, V.4, 1989, p. 2303.
  120. J. Robertson, Philosoph. Mag. B, V.66, № 2, 1992, pp. 199−209.
  121. J. Robertson, Diamond Rel.Mat., V.4, 1995, p.297.
  122. Н.И. Файнер, Ю. М. Румянцев, M.JI. Косинова, Е. А. Максимовский. Нанокристаллические функциональные материалы на основе пленок карбонитрида кремния. Сборник докладов 12-ого Международного симпозиума «Тонкие пленки в электронйке», 2001, с. 242−246.
  123. В процессе проведения совместных исследований были получены следующие результаты:
  124. Для элементов солнечных батарей, имеющих чувствительность к свету как на лицевой, так и на тыльной стороне, нанесение АПП на тыльнуюсторону на 10% повысило спектральную чувствительность в диапазоне 600 800 нм-
  125. В дальнейшем предполагается проведение новых исследований на основе диссертации C.JI. Шевчука и внедрение полученных результатов при проведении ОКР и организации производства солнечных элементов с улучшенными параметрами.
  126. Начальник отделения, к.т.н.
  127. Лауреат Государственной премии РФ / А.С. Скрылев
  128. Главный научный сотрудник, д.т.н. Лауреат Ленинской премии ' Ю.А. Концевой
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!