Основы теории непрерывного технологического контроля параметров нанокомпозитных структур в технологии ионно-плазменных процессов
Диссертация
Однако до последнего времени производители вакуумного технологического оборудования для осаждения тонких пленок и формирования функциональных структур прилагали основные усилия на создание стабильных внешних устройств, обеспечивающих неизменность условий внутри вакуумной камеры при проведении технологического процесса и их многократное воспроизведение. Однако число контролируемых технологических… Читать ещё >
Список литературы
- A. Braun, New Materials Demands, Semiconductor International magazine, v.24, No2, 2001, 89−96.
- Eray S. Aydil, 187th Meeting of the Electrochemical Society, In situ, real-time diagnostics of surfaces during plasma processing: a review, 21−26 May, Reno, Nevada, 1995, Proceedings Volume 95−2, p. 25−43.
- W. Marziger, H. Krenn, Inline process monitoring using portable FTIR spectrometer 2rd European Advanced Equipment Control / Advanced Process Control (AEC/APC) onference Dresden, Germany, April 18 -20, 2001, p.5.102.
- Bonnot A.M., Mathis B.S. and Moulin S., Investigation of the growth kinetics of low pressure diamond films by in situ elastic scattering of light and reflectivity, Apll. Phys. Lett., v. 63 ,(1993), p. 1754−1756.
- P. Boher and J.L. Stehle, «Atomic scale characterization of semiconductors by in-situ real time spectroscopic ellipsometry», Thin Solid Films, Volume 318, Nos.~l and 2, 1998, p. 120−125.
- H. Luth, Surface and Interface of Solids, Springer-Verlag, Berlin, 1993, 489 p.
- A.M. Bonnot, B.S. Mathis and S. Moulin, Investigation of the growth kinetics of low pressure diamond films by in situ elastic scattering of light and reflrctivity, Apll. Phys. Lett., v. 63, N13, (1993), p. 1754−1756.
- Thin Films for Optical Systems, ed. F.R. Flory, Marcel Dekker, Inc., Berlin, 1995, p. 586.
- Vedam K., «Spectroscopic ellipsometry: a historical overview „, Thin Solid Films, Volume 313/314, 1998, p. 1−10.
- Lee H., „Characterization of highly strained silicon-germanium alloys grown on silicon substrates using spectroscopic ellipsometry“,. Thin Solid Films, v.313, 1998, p 168−172.
- Urban F. K., Comfor J. C., Numerical ellipsometry: application of a new algorithm for realtime in situ film growth monitoring, J. Vac. Sci. Technol., A14(4), (1996), 2331−2336.
- Blayo N. and Drevillon В., In-situ study of the growth of hydrogenated amorphous silicon by infrared ellipsometiy, Appl. Phys. Lett. 59, (1991), p. 950−952.
- Zhou Z., Aydil E.S., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Reif R., Real time in-situ monitoring of room temperature silicon surface cleaning using hydrogen and ammonia plasmas, J. Electrochem. Soc., v. 140, N. 11,(1993), p. 3316−3321.
- Sang M., Aydil E.S., Study of surface reaction during plasma enchanced chemical vapor deposition of Si02 from SiH4, 02, and Ar plasma, J. Vac. Sci. Technol., v. A14(4), 1996, p.• 2062−2070.
- Deshmukh S. C., Aydil E.S., Investigation of Si02 plasma enchanced chemical vapor deposition through tetreethoxysilane using attenuated total reflection Fourier transform infrarad spectroscopy, J. Vac. Sci. Technol., v. A13(5), 1995, p. 2355−2367.
- Morrison P. W, Taweechokesupsin Jr. O., Kovach C. S., Roozbehani B.,. Angus J. C, In situ infrared measurements during hot filement CVD of diamond in a rotating substrate reactor, Diamond and Related Materials, v. 5, (1996), p. 242−246.
- Toyoshima Y., Arai K., Matsuda A. and Tanaka K., Real-time detection of higher hydrides on the growing surface of hydrogenated amorphous silicon by infrared reflection absorption spectroscopy, Appl.Phys.Lett. 57, (1990), p. 1028 -1030.
- Niwano M., Terashi M., Shinohara M., Shoji D. and Miyamoto N., Oxidation processes on the H20-chemisorbed Si (100) surface studied by in-situ infrared spectroscopy, SURFACE SCIENCE, Vol. 401, No.3, (1998), p. 364−370.
- Knoblock J., Hess P., In-situ infrared transmisiion spectroscopy of nucleation and growth of amorphous hydrogenated silicon, Appl. Phys. Lett., v. 69, N.26, (1996), p. 4041−4044.
- Aydil E.S., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Real-time monitoring of surface chemistry during plasma processing, Pure and Appl. Chemistry 66, (1994), 1381−1388.
- Aydil E.S., Zhou Z., Giapis K.P., and Chabal Y.J., and Gottscho R.A., Real-time, in-situ monitoring of surface reaction during plasma passivation of GaAs, Appl. Phys. Lett. 62, (1993), 3156−3158.
- Aydil E.S., Zhou Z., Gottscho R.A., and Chabal Y.J., Real time in-situ monitoring of surfaces during glow discharge processing NH3 and H2 plasma passivation og GaAs, J. Vac. Sci. Technol. В 13, (1995), p. 258−267.
- Gottscho R.A., Preppernau B.L., Pearton S.J., Emerson A.B. and Giapis K.P., Real-time monitiring of low temperature hydrogen plasma passivation of GaAs, J. Appl. Phys. 66, (1990), p.440−445.
- Reinke P., and Oelhafen P., The interaction of carbon with the diamond surface: an in-situ photoelectron spectroscopy investigation, DIAMOND AND RELATED MATERIALS Vol. 7, Nos.2−5, (1998), p. 175−178.
- Roberts T.A. and Gray K.E. „Total-Reflection X-Ray Fluorescence Spectroscopy for In-Situ, Real-Time Analysis of Growing Films“, MRS Bulletin, N5 (1995), p.43−46.
- Koga A, Takeo H.,"In situ grazing incidence x-ray diffraction system for cluster deposition on a low-temperature substrate“, Rev. Sci. Instrum., v. 67 (12) (1996) p.4092−4097.
- Spiller E., „Experience with in situ monitor system for fabrication of x-ray mirrors,“ SPIE, Vol. 563, pp. 367−380, 1985.
- Kikuchi Y., Itoh M., Mori I., Takigawa Т., „Estimation of the density and roughness of thin monolayer films by soft x-ray reflectivity measurements,“ Japan Journal of Applied Physics Vol.29, N2, pp. L375-L377, 1990.
- Boudet Т., Berger M., Lartigue O., Hirrien В., Optical and x-ray characterization applied to multilayer reverse engineering, Optical Engineering, v. 37(7), (1998) p. 2175−2181.
- Mullins C.B. and Coburn J.W., Ion-beam assisted etching of Si with fluorine at low temperatures, J. Appl. Phys. 76, (1994), p. 7562−7566.
- Кудрявцев Ю. П., Евсюков C.E., Гусева М. Б., Бабаев В. Г., Хвостов В. В., Карбин-третья аллотропная форма углерода, Известия Академии наук, Серия химическая, 1993, № 3, с. 450−463.
- Федосеев Д.В., Алмазные и алмазоподобные пленки, в кн. Алмаз в электронной технике, М.:Энергоатомиздат, 1990, с.171−185.
- Гришко Л.Б., Елинсон В. М., Ивановский Г. Ф., Слепцов В. В., Электронная промышленность, Осаждение пленок из направленных ионно-плазменных потоков частиц, N4,(1986), с.6−11.
- Баранов A.M., Кондрашов П. Е., Слепцов В. В., Аморфные углеродные пленки: роль водорода в получении слоев с заданными свойствами. Труды Московского семинара „Алмаз:Физика и электроника“, Москва, 1992, в.1, с.39−75.
- Белянин А.Ф., Семенов А. П., Семенов И. А., » О выращивании пучками заряженных частиц тонких пленок углерода различных структурных модификаций", Труды международной конференции «Алмазы в технике и электронике», Москва, 26−28 мая 1998, с. 158−167.
- Балаков А.В., Алмазополимерные углеродные пленки, Оптико-механическая промышленность, N6, (1989), с.48−65.
- Пузиков В.М., Семенов А. В., Структура алмазоподобных пленок, осажденных из сепарированных по массам ионных пучков, Archiwum Nauki о Mater., v.7, (1986), N.2, s.187−193.
- Gautherin G., Weissmantel C., «Some trends in preparing film structures by iom beam methods», Thin Solid Films, 1978, V.50, p. 135−144.
- Зосим Д.И., Кулигина В. П., Семенов A.B., «Влияние электрического поля на оптические свойства алмазоподобных пленок углерода», Труды украинского вакуумного общества, Харьков, 1997, т.З, с. 139−143.
- Chuzhko R.K., Rychkov В.А., Klepikov A.V. and Popov A.V., Diamond-like films deposition by magnetron sputtering with additional ionization, Diamond and Related Mater., v. 1, (1992), p.332−333.
- Sato Т., Furuno S., Iguchi S. and Hanabusa M., Deposition of diamond-like carbon films by pulsed-laser evaporation, Jpn.J.Appl. Phys., v.26,(1987), p. L1487-L1488.
- Namba J., Mohri Т., Structural study of the diamond phase carbon films produced by ionized deposition, J.Vac.Sci.and Technol., v. A3,(1985), p.319−323.
- Чайковский Э.Ф., Пузиков B.M., Семенов А. П., " Осаждение алмазных пленок из ионных пучков углерода", Кристаллография, 1981, т.26, вып. 1, с. 219−222.
- Кулик JI.B., Кобицкий А. Ю., Саучев К. Н., «Аморфные алмазоподобные пленки, полученные ионно-лучевым методом», Труды 7 Международного симпозиума Тонкие пленки в электронике, М.:1996, с. 49−53.
- Shing Y.H.and Pool F.S., Electron cyclotron resonancse deposition of diamond-like films, Vacuum, v.41,(1990), N4−6, p.1368−1370.
- Angus J.C., Koidl P. and Domiz S., in I. Mort et al. (eds.), Plasma -Deposited Thin Films, CRC Press Inc. Boca Raton, Florida, p.89,1989.
- Aisenberg S., The role of ion-assisted deposition in the formation of diamond-like carbonfilms, J.Vac.Sci.Technol.A, v.8,(1990), p.2150−2154.254
- Nakagama M., Matsuba Y., Shimamura J., " Physical properties of diamond-like carbon films deposited on mixed atmosphere of C2H4-Ar, C2H2-H2, and C2H4-N2″, J. Vac. Sci. and Tech., A 14(4) (1996) p.2418−2426.
- Слепцов В.В., Хоц Г.Е., Жилина В. И., «Антиотражающие свойства твердых аморфных гидрогенизированных а-С:Н пленок», Труды украинского вакуумного общества. Харьков, 1997, т. З, с. 149−154.
- Ovshinsky S.R., Structure and Exitation of Amorphous Solids, A.I.P. Conf.Proc.no 31 .Am.Inst.Phys.N.Y., 1976, p.31−52.
- Ясуда X., Полимеризация в плазме, М.:Мир, 1988, 280 с.
- Бакай А.С., Стрельницкий В. Е., Структурные и физические свойства углеродных конденсатов, полученных осаждением потоков быстрых частиц. М.:1984, 87с. (Обзор ЦНИИатоминформ).
- Miyazava I., Preparation and structure of carbon film deposited by a mass separated С/ SUP+/ ion beam, J.Appl.Phys., v.55,(1984), p. l88−193.
- Lifshitz Y., «Hydrogen-free amorphous carbon films: correlation between growth conditions and properties», Diamond and Related Materials, v. 5 (1996) p. 388−400.
- Evans B.L. and Nasser G.Y., The DC conductivity of carbon films, Phys.St.Sol.(A), v. l 10,(1988), p.165−179.
- Lacerda M.M.,. Freire F. L, Mariotto G., «Raman spectroscopy of annealed carbon nitride films deposited by RF-magnetron sputtering», Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 412−416.
- Torng C.J., Sivertsen J., Judy J.H., Chang C., Structure and bonding studies of the C: N thin films produced by rf sputtering method, J. Mater. Res., v. 5, No. 11, (1990), p. 24 902 496.
- Kleinsorge В., Hie A., Chhowalla M., Fukarek W., Milne W.I. and Robertson J., «Electrical and optical properties of boronated tetrahedrally bonded amorphous carbon (ta-C:B)», Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 472−475.
- Liu A.Y., Cohen M.L., Science, v.245 (1989), p.841.
- Teter D.M., Russell R. J., Science, v. 271 (1996), p.53.
- Fendrych F., Jastrabik L., Pajasova L., Chvostova D., Soukup L. and Rusnak K., «The mechanical, tribo logical and optical properties of CNX coatings prepared by sputtering methods», Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 416−417.
- Основы эллипсометрии, Под ред. А. В. Ржанова, М.:Наука, 1979, 424 с.
- Комраков Б.М., Шапочкин Б. А., Измерение параметров оптических покрытий, М.:Радио и связь, 1986,102 с
- Savides N. and Window В., J.Vac.Sci.Technol.A, v.3, (1985), р.2386.
- Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v.2, (1993), p.673−677.
- Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Ivanovsky G.F., Elinson V.M., Gerasimovich S.S.,. Baranov A. M,.Kondrashov P. E, «Optical Properties and Phase composition of a-C:H films». J. Non-Crvst.Sol., v. 138 (1991), p.53−58.
- Baranov A.M., Gerasimovich S.S., Elinson V.M., Kuzin A.A., Sleptsov V.V., Kondrashov P.E., «Phase composition modeling of a-C:H films on the basis of their optical properties», Phys. Stat. Sol.(a), v. l22 (1990) p. kl39-kl41.
- Меден А., Шо М., Физика и применение аморфных полупроводников, М.:Мир, 1991.
- Rusli К, Robertson J., Amaratunga G.A.J., «Photoluminescence behavior of hydrogenated amorphous carbon», J.Appl.Phys.80(5), 1996, c.2998−3003.
- Robertson J.,"Photoluminescence mechanism in amorphous hydrogenated carbon", Diamond and Related Materials, 1996, N5, c.457−460.
- Мотт H., Дэвис Э., Электронные процессы в некристаллических веществах. М.:Мир, 1982, 602 с.
- Сокол О.Ю., Ивановский Г. Ф., Слепцов В. В., Елинсон В. М., Еерасимович С. С., Пленки а-С:Н: размер графитных кластеров и электрические свойства. Поверхность. Физика, химия, механика, № 1, (1990), с.103−105.
- Frauenheim Th., Stephan U., Bewilogua К., Jungnickel F., Fromm E., Electrical transport and elecrtonic properties of amorphous carbon thin films, Thin Solid Films, v. 182, (1989) p. 63−78.
- Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Elinson V.M., Baranov A.M., Electrical and optical properties of carbon films, In book «Physics and Technology of Diamond Materials», Polaron Publishers, Moscow, 1994, p.80−87.
- Елинсон B.M., Кондратов П. Е., Слепцов B.B., Баранов A.M., Влияние толщины пленок а-С на механизм переноса носителей заряда, Письма в ЖТФ, 1990, т. 16, в. З, с.36−39.
- Баранов A.M., Елинсон В. М., Кондратов П. Е., Слепцов В. В. Исследование механизмов проводимости в пленках а-С. Труды I Всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники. „Ленинград, 1989, т. 1, с. 236.
- Pirker К., Thin Sol. Films, v.138, (1986) p.121.
- Weissmantel C., J.Vac.Sci.Technol.A, v.3,(1985) p.2384.
- Robertson J., Mechanical properties and structure of diamond-like carbon, Diamond and Related Materials, v. l, (1992), p.397−406.
- Meyerson B. and Smith F.M., Sol.St.Commun., v.41,p.23,1982.
- Robertson J. and Reilly E.P.O., Electronic and atomic structure of amorphous carbon, Phys.Rev.B., v.35, (1989), N6, p.2946−2971.
- Amir O. and Kalish R., Doping of amorphous-hydrogenated carbon films by ionimplanmtation, Diamond and Related Materials, v. l, 1992, p.364−368.257
- Conway N.M.J., Milne W.I. and Robertson J., „Electronic properties and doping of hydrogenated tetrahedral amorphous carbon films“, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 477−480.
- Crouse P.L., The effect of deposition parameters on the compressive stress in a-C:H thin films, Diamond and Related Materials, v.2, (1993), p.885−889.
- Lee K., Baik Y., Eun K., Stress relief behaviour of diamond-like carbon films on glasses, Diamond and Related Materials, v.2, (1993), p.218−224.
- Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v.2, (1993), p.673−677.
- Mattox D.M., in Deposition Technol. for Films and Coatings, ed. by R.F. Bunshah (Noyes Park Ridge, NJ, 1982), p.63.
- Scheibe H.J., Siemroth P., Schoneich В., Mucha A., Kluge G., DLC film preparation by LASER-ARC and properties study, Diamond and Related Materials, v. l, (1992), p.98−103.
- Raveh A., Martinu L., Wertheimer M.R., Mechanical and tribological properties of dual-frequency plasma-deposited diamond-like carbon, Surf.Coat.Technol., v.58, 1993) p.45−56.
- Akkerman Z.L., Efstathiadis H., and Smith F.W., „Thermal stability of diamondlike carbon films“, J.Appl.Phys.80(5), 1996, lSeptember, c.3068−3075.
- Кондратов П. E., Мироненко JI.C., Баранов A.M., Исследование влагостойкости углеродных и алмазоподобных углеродных пленок, Тез. 3-ей HT конференции „Вауумная наука и техника“, Гурзуф, сен. 1996, Москва, МИЭМ, 1996, с. 73.
- Гусева М.Б., Бабаев В. Г., Хвостов В. В., Рылова О. Ю., Ивановский Г. Ф., Слепцов В. В., Елинсон В. М., Электронная структура пленок а-С:Н, Поверхность. Физика, химия, механика, № 11, (1987), с.101−108.
- Robertson J., Diamond and Related Mat., Vol 4, (1995) 297.
- Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Sleptsov V.V., Baranov A.M.,. Elinson V M., Multilayer diamond-like structures for x-ray optics, Diamond and Related Materials, v. 4, 1995, p.109−112.
- Crill A. and Patel V., Tribological properties of diamond-like carbon and related materials, Diamond and Related Materials, 2 (1993) 597−605.
- Franco L.P., Density dependence of the electrochemical characteristics of carbon overcoated thin film media, J. Vac. Sci. Technol. A8(3), (1990), p. 1344.
- Баранов A.M., Проблемы и перспективы создания полупроводниковых приборов на основе алмазных и алмазоподобных пленок, Труды Московского семинара „Алмаз:Физика и электроника“, Москва, 1992, в.1, с.39−75.
- Voevodin A.A., and Zabinski J.S., Superhard, functionally gradient, nanolayered and nanocomposite diamond-like carbon coatings for wear protection, Diamond and Rel. Mater., v. 7(1998), p. 460−464.
- Ивановский Г. Ф., Слепцов В. В., Елинсон В. М., Кондратов П. Е., Ионно-плазменное осаждение пленок углерода в производстве изделий электронной техники, Электронная промышленнность, Ы 12,(1989), с.26−29.
- Rotshild М., Агопе С., Erlich D.C., „Eximer-laser etching of diamond and hard carbon films by direct writting and optical projection“, J.Vac.Sci.Technol., v.4, (1986), p.310−314.
- Wang D“ Hoybe P.C., Cleaver J.R.A., Porkolab G. A., MacDonald N.C., Lithography using electron beam induced etching of a carbon films, J. Vac. Sci. and Technol., В 13(5), (1995), p. 1984−1987.
- Semiconductor International, December 1997, p. s-17.
- Semiconductor International, December 1997, p. s-31.
- Silva S.R.P., Forrest R.D., Munindradasa D.A. and Amaratunga G.A.J., Electron field emission studies from amorphous carbon thin films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p.645−650.
- Luo J.-Y., Liu K.-S., Lee J.-S., Lin I.N. and Cheng H.-F., The influence of film-to-substrate characteristics on the electron field emission behavior of the diamond films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 704−710.
- Hoffmann U., Weber A., Lohken Т., Klages C.-P., Spaeth C. and Richter F., Electron field emission of amorphous carbon films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 682−686.
- Wachter R., Cordeiy A., Proffitt S. and Foord J.S., Influence of film deposition parameters on the field emission properties of diamond-like carbon films, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 687−691.
- Cheng H.-F., Chuang F.-Y., Sun C.-Y., Tseng C.-T., Effect of boron-doping on electron field emission behavior of pulsed-laser deposited diamond-like-carbon films. Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 711−716.
- Mitura E., Mitura S., Niedzielski P., Has Z., Wolowiec R., Jakubowski A., Szmidt J., Sokolowska A., Louda P., Marciniak J., Koczy В., Diamond-like carbon coatings for biomedical applications, Diamond and Related Materials, v.3, (1994), p. 896−898.
- Olborska A., Swider M., Wolowiec R., Niedzielski P., Rylski A., Mitura S., Amorphous carbon-biomaterial for implant coatings, Diamond and Related Materials, v.3, (1994), p.
- Sleptsov V.V., Elinson V.M., Potraysay V.V., Lamin A.N., Rovensky Yu. A., Surfacecarbon films, Journal of Chemicals Vapor Deposition, v. 5, (1997), p. 323−330.
- Бондарев А.А., Экспериментально-морфологическое обоснование синтетической нити с карбиновым покрытием в абдоминальной хирургии, Диссертация на соискание ученой степени кандидата медицинских наук, Воронеж, 1995, 150 с.
- Lappalainen R., Heinonen Н., Anttila A. and Santavirta S., Some relevant issues related to the use of amorphous diamond coatings for medical applications, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 479−483.
- Федоров В. К., Елинсон В. М., Слепцов В. В., Фадеев К. В., Модификация поверхности полимеров медицинского назначения углеродными пленками, 899.903.
- Tor medical application Ъу means of plasma -ion deposited^полученными ионно-плазменными методами, Научные труды МАТИ им. К. Э. Циолковский, 1998, вып. 1(73), Москва, с. 111−114.
- Комар E. Г., Основы ускорительной техники, М.: 1975, с. 230.
- Gallant J.L., Stripping foils for heavy -ion beams, in Treatise on Heavy-Ion Science, V. 7, ed. by D. Allan Bromley, Plenum Press, New-York, 1985, p. 90−95.
- Shima K., Nagai S., and Ishihara Т., Optimal foil material and thichkness for the charge stripping of heavy ions of around 100 Mev, Nuc. Inst. Meth. Phys. Res., A244, (1986), p.330−335.
- Tolfree D.W. L., A review of development work on carbon stripper foils at Daresbury and Harwell, in Preparation of nuclear targets for particle accelerators, ed. by J. Jaklovsky, Plenum Press, New York, 1981, p. 65−75.
- DenHartog P.K., Yntema J.L., Thomas G.E., Heavy ion stripping by wrinkled carbon foils, in Preparation of nuclear targets for particle accelerators, ed. by J. Jaklovsky, Plenum Press, New York, 1981, p. 29−33.
- Tait N.R.S., Thomas G.E., Tolfree D.W. L., The hydrogen and oxygen content of self-supporting carbon foils prepared by DC glow discharge in ethylene, Nuc. Inst. Meth.,----v. 176, (1980) p.433−440.---------- ------
- Maier-Komor P., Ranzinger E., Munzer H., Differences of amorphous and graphitized carbon foils in their stripper qualities, in Proc. of the 3 Inter. Conf. on electrostatic accelerator technology, ed. J.A. Martin, IEEE, Piscataway, NJ, 1981, p.163−168.
- Phelps A.W., Koba R., The p-type diamond stripper foils for tandem ion-accelerators, Proc. Electrochem. Soc., v. 89−12, (1989) p. 38−49.
- Dobeli M., Lombao A., Vetterli D., Suter M., Thin layer analysis with heavy ion RBS, Nuc. Inst. Meth., B89, (1994) p. 174−177.
- Knapp J. A., Banks J.C., Doyle B. L., Time of flight heavy ion backscattering spectrometry, Nuc. Inst. Meth., B85, (1994) p.20−23.
- Ivkova Т. W., Leichtenstein V.K., Olshanski E.D., Preparation and application of ultra-thin superstrong diamond-like carbon targets for laboratory and space experiments, Nuc. Inst. Meth., A362, (1995) p.77−80.
- Studemann W., Wilken В., Detection efficiency of a heavy ion time-of-flight spectrometer with thin carbon foils in the start detector, Rev. Sci. Instrum, v.53, No2, (1982) p. 175−180.
- Treatise on Heavy-Ion Science, Vol. 7 Instrumentation and Techniques, ed. by D.A. Bromley, 1985, Plenum press.
- Dobeli M., Leichtenstein V.K., A time of flight spectrometer for energy analysis of slow heavy ions and neutrals. Nuc. Inst. Meth., A362, (1997) p.77−80.
- Abeles B. and Tiedje Т., Amorphous Semiconductor Superlattices, Phys. Rev. Lett., v.51,(1983), p.2003−2006.
- Kakalios J., Fritzsche H., Persistent photoconductivity in doping-modulated semiconductors, Phys.Rev.Lett., v.53, (1984), p.1602−1605.
- Chen I., Theoretical analysis of space-charge doping in amorphous semiconductor superlattices, Phys.Rev.B, v.37,(1986), N.2,p.879−889.
- Dohler G.H., Theory of amorphous multilayer structures (superlattices), J. Non-Cryst. Sol., 77/78,(1985), p. 1041 -1051.
- Santos P.V., Handhausen M., Ley L. and Vicrian C., Structure of interfaces in a-Si:H/a-SiNx:H superlattices, J.Appl. Phys., v.69, (1991), p.778−785.
- Miazaki S., Yamada H. and Hirose M., Optical and electrical of a-Si3N4:H/a-Si:Hsuperlattices prepared by plasma-enhanced nitridation technique, J. Non-Cryst. Sol., v.137, (1991), p.1119−1122.
- Слепцов B.B., Елинсон B.M., Ивановский Г. Ф., Герасимович C.C., Баранов A.M., Размерные факторы и свойства пленок и многослойных структурах на основе а-С иа-С:Н. Тез. конф. по формированию металлических конденсатов.Харьков.1990, с. 44.
- Sleptsov V.V., Kuzin A.A., Baranov A.M., Elinson V.M., Optical absorption in a-C:H multilayer periodic structures, Diamond and Related Materials, 1992, v. 1, p. 570−571.
- S.A. Tereshin, Baranov A.M., Yu. A. Malov, E.U. Michailutz, Spontaneous Radiation in Short Period Superlattices on the Base of Carbon Multilayer Heterostructures, Diamond and Related Materials, v.6, 1997, p. 1106−1110.
- Senkevich J.J., Desu S.B., Dielectric Anisotropy in CVD polumer thin films, Semiconductor International, No 6, (1998), p.151−156.
- Singer P., Copper has enormous benefits when compared to aluminum, but its implementation requires some fundamental changes in process technology, Semiconductor International, No 6, (1998), p.91−98.
- Baliga J., Options for CVD of Dielectrics include Low-k materials, Semiconductor International, No 6, (1998), p.139−144.
- Bonnot A.M., Mathis B.S. and Moulin S., „Growth kinetic analysis of diamond films by in-situ elastic scattering of light and reflectivity,“ Diamond and Related Materials, Vol. 3, pp. 426−430, 1994.
- Fayete L., Marcus В., Mermoux M., Abello L. and Lucazeau G., „In-situ Raman investigation of diamond films during growth and etching processes,“ Diamond and Related Materials, Vol. 3, pp. 438−442, 1994.
- Gioti M. and Logothetidis S., The effect of substrate bias in amorphous carbon films prepared by magnetron sputtering and monitored by in-situ spectroscopic ellipsometry, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 442−446.
- Dowling D.P., Donnelly K., Monclus M. and McGuinness M., The use of refractive index as a measure of diamond-like carbon film quality, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 430−432.
- Veerasamy V.S., Amaratunga G.A.J., Milne W.I., Fallon P.J., McKenzie D.R., Davis C.A., Optical and electronic properties of amorphous diamond, Diamond and Related Mater., v. 2 (1993), p. 782−787.
- Martinu L., Raveh A., Boutard D., Houle S., Poitras D., Vella N., Wertheimer M.R., Properties and stability of diamond-like carbon films related to bonded and unbonded hydrogen, Diamond and Related Materials, v. 2 (1993), p. 673−677.
- Reinke P., and Oelhafen P., The interaction of carbon with the diamond surface: an in-situ photoelectron spectroscopy investigation, Diamond and Related Materials, v. 7 (1998), p. 175−181.
- Баранов A.M. „Исследование в реальном масштабе времени параметров тонкопленочных покрытий нанометровой толщины методом рентгеновской рефлектометрии“, Известия высших учебных заведений. Электроника № 3, 1999, с. 89−96.
- Spiller Е&bdquo- „Soft X-ray Optics“, SPIE Optical Engineering Press, 1994.
- Борн M., Вольф Э., Основы оптики, М.-.Наука 1970,856 с.
- Бурдин Г. Д., Марков Б. Н., Основы метрологии, Москва, Изд. Станд, 1985 г., 256 с.
- Рабинович С.Г., Погрешности измерений, Л.: Энергия, 1978 г., 262 с.
- Баранов A.M. „Влияние неоднородности растущей пленки на значения параметров, измеряемых методом рентгеновской рефлектометрии“, Известия высших учебных заведений. Электроника № 5, 1999, с. 107−111.
- Кондратов П.Е., Смирнов И. С., Яблоков С. Ю., Баранов A.M., Система In-situ мониторинга как средство для управления технологическим процессом, Приборы и системы управления, № 5, 1997, стр.27−29.
- Mikhailov I.F., Pinegin V.I. Sleptsov V.V., Baranov A.M., X-ray monitoring system for in situ investigation of thin film growth, Crystal Research and Technology, v.30, N5, p.643−649, 1995.
- Sleptsov V.V., Baranov A.M., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., Real Time Monitoring of Diamond Like Film Growth by X-ray Diffraction. Proc. SPIE, v.2519, p.108−115, 1995.
- Baranov A.M., Sleptsov V.V., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., In-situ X-ray Investigation a-C:H film Properties During Growth and Etching Processes, Proc. The 4th Int. Symp. on Diamomd Materials, Reno, NV, USA, 21−26 May, 1995, p. 403−408.
- Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Yablokov S.Y., Baranov A.M., Capabilities of Combined Studies of DLC Films by X-Ray Methods, Diamond and Related Materials, v.6, 1997, p. 1784−1788.
- Баранов A.M., Терёшин С. А., Михайлов И. Ф., Новый универсальный метод контроля параметров слоев и шероховатости поверхности в процессах вакуум ного осаждения и травления, ЖТФ, т. 67, № 8, 1997, с. 62−64.
- Баранов A.M. „Разработка технологии управляемого нанесения алмазоподобных углеродных пленок“, Перспективные материалы, № 3, 1999, р. 40−45
- Nakagama M., Matsuba Y., Shimamura J., » Physical properties of diamond-like carbon films deposited on mixed atmosphere of C2H4-Ar, C2H2-H2, and C2H4-N2″, J. Vac. Sci. and Tech., A14(4) (1996) p.2418−2426.
- Баранов A.M., Михайлов И. Ф., Интерференционный метод определения толщины плёнок на длине волны 0.154 нм, Письма в ЖТФ, т.22, вып. 23, 1996, стр. 60−63.
- Baranov А. М., Tereshin S.A., Mikhailov I.F., Pinegin V.I., Investigtation of Superthin Carbon Layers and Multilayer Carbon Structures by X-Ray Reflectivity Measurements Proc. SPIE, v.2863, p.359−367, 1996.
- Swain G. M. J. Electrochem. Soc. 1994. V. 141. P. 3382.
- Сахарова А.Я., Плесков Ю. В., Ди Кварто Ф., Пьяцца С., Сунсери К., Герасимович С. С., Слепцов В. В., «Фотоэлектрохимическое исследование пленок аморфного гидрогенизированного углерода», Электрохимия. 1996. Т. 32. С. 1298−1302.
- Модестов А.Д., Плесков Ю. В., Варнин В. П., Теремецкая И. Г., «Электроды из синтетического полуповодникового алмаза: исследование электрохимической активности в растворе окислительно-восстановительной системы», Электрохимия, 1997, том. 33, с. 60−66.
- Reuben С., Galun Е., Cohen Н., Tenne R., Kalish R., Muraki Y., Hashimoto К., Fujishima A., Butler J. M., Levy-Clement C. J. Electroanal. Chem. 1995. V. 396. P. 233.
- Pleskov Yu. V., Sakharova, Krotova M.D., Bouilov L.L., Spitsyn B.V. J.Electroanal.Chem. 1987. V. 228. p. 19.
- Сахарова А.Я., Плесков Ю. В., Кротова М. Д., Буйлов JI.JI., Спицин Б. В., «Фотоэлектрохимическое поведение полупроводникового алмаза», Электрохимия, 1988, т.24,№ 1, С. 69−73.
- Сахарова А.Я., Плесков Ю. В., Ди Кварто Ф., Пьяцца С., Сунсери К., Герасимович
- C.С., Слепцов В. В., «Фотоэлектрохимическое исследование пленок аморфного гидрогенизированного углерода», Электрохимия. 1996. Т. 32. С. 1298−1302.
- Кротова М. Д., Евстефеева Ю. Е., Плесков Ю. В., Елкин В. В., Баранов A.M., Электроды из алмазоподобного углерода: спектроскопия импеданса и кинетика окислительно-восстановительных реакций, Электрохимия, № 9, (1989).
- Pleskov Yu. V., Evstefeeva Yu.E., Krotova M.D., Elkin V.V., Baranov A.M., Dement’ev A.P., Electrochemical behavior of amorphous carbon films: kinetic and impedance-spectoscopy studies, Diamond and Related materials, v. 8 (1999) p. 64−72.
- Dementjev A.P. and Petukhov M.N. The role of oxygen atoms in sp2-sp3 conversion on the growing surface of carbon film, J. of Chemical Vapor Deposition. 1997. Vol.5. P.220.
- Kondrashov P.E., Smirnov I.S., Baranov A.M., Yablokov S.Y., Lukashov Y.E., Dowling
- D.P., Donnelly K., Flood R.V. and McConnell M.L., Investigaion of ultrathin DLC films growth by a novel X-ray reflectivity and in-situ ellipsometry, Diamond and Related materials, v. 8 (1999) p. 533−538,
- Baranov A.M., Mikhailov I. F., In-situ X-ray investigations of thin film growth, Thin Solid Films, v.324, No. 1−2, 1998, p. 63−67.
- Михайлов И.Ф., Бабенко И. Н., Пинегин В. И., Слепцов В.В., A.M. Баранов, Патент РФ № 2 087 861 от 13.7.95.
- Плазменная технология в производстве СБИС, под ред. Н. Айнспрука, М.:Мир, 1987, 456 с.
- Технология СБИС, под ред. С. Зи, М.:Мир, 1986, т.2, 400 с.
- Зеркальная рентгеновская оптика, под ред. А. В. Виноградова, JL: «Машиностроение», 1989, 463 с.
- Житник И.А., Кузин С. В., Слемзин В. А., " Многослойный и кристаллическая рентгеновская оптика для солнечной рентгеновской астрономии", Мат. Веер, совещания «Рентгеновская оптика», Нижний Новгород, 23−26 Февраля 1998, с. 7−20.
- Валиев К.А., Беликов JI.B., Долгих В. Т., Кальнов В. А., Протопопов В. В., Имамов P.M., Лебедев О. И., Ломов А. А., Роддатис В. В., «Рентгеновское зеркало с расширенным угловым диапазоном», Кристаллография, 1995, tom.40,N2, с.358−363.
- Виноградов А. В., Кожевников И. В., «О полупрозрачных многослойных зеркалах рентгеновского диапазона», Оптика и спектроскопия, т. 58, № 4, 1985, с. 895−899.
- Khan Malek С., Susini J., Madouri A., Ouahabi M., Rivoira R., Lepetre Y., Barchewitz R., «Semitransparent soft X-ray multilayer mirrors», Opt. Eng., 1990, c.597−601.
- Spiller E., «Low-loss reflection coatings using absorbing material», J. Appl. Phys., v.20, pp.365−367, 1972.
- Barbee T.W., «Multilayer X-ray optics», Opt. Eng., Vol.25, N8, pp.899−915, 1986.
- Spiller E.,"Experience with the in-situ monitor system for the fabrication of X-ray mirrors", Proc. SPIE, v.563, pp. 367−375, 1985.
- Салащенко H.H., Платонов ЮЛ., Зуев С. Ю., «Многослойная оптика мягкого рентгеновского диапазона», Поверхность, 1995, N10, с.5−19.
- Susini J., «Design parameters for hard X-ray mirrors: The European Synchrotron Radiation Faqcility Case», Opt. Eng., v.34(2) (1995) p.361−376.
- Ziegler E., «Multilayers for high heat load synchrotron application», Opt. Eng., v.34(1995) p. 445−452.
- Шпиллер Э., " Многослойные интерференционные покрытия для вакуумного ультрафиолетового излучения", Космическая оптика: Тр. IX Межд. конгр. по космичческой оптике, Санта-Моника, США, 9−13 октября, 1972 г., -М.: Машиностроение, 1980.-е. 376−386.
- Haelbich R.P., Kunz С., " Multilayer interference mirrors fot the XUV range around 100 eV photon energy", Opt. Commun., 17 (1976) 287−290.
- X-Ray Science and Technology, ed. by A.G. Michette and C.J. Buckley, 1994 p. 376.
- Kozhevnikov I.V., Balakireva L.L., Fedorenko A.I., Kopealets I.A., Levashov V.E., Stetsenko A.N., Struk I.I.,. Vinogradov A.V., Synthesis and measurement of Os-Si multilayer mirrors optimized for the wavelength 380A, Opt. Commun. 125, 1996, p.13−17.
- E.J.Puik, M.J. van der Wiel, H. Zeijlemaker, J. Verhoeven, «The role of layer growth on interface roughness in Ni-C multilayer X-ray mirrors», Vacuum, 1988, N8−10,c.707−709.
- Lyakhovskaya I.I., Shulakov A.S.and Pershin Yu.P., «Multilayer-coated mirrors for the ultrasoft X-ray range», J. Optics (Paris), 1992, c.237−239.
- Kearney P.A., Slaugher J.M., Faleo C.M., " Materials for miltilayer X-ray optics wavelenght below 100 A", Opt. Eng., v. 30, N8, 1991, c. 1076−1080.
- U.Heinzmann, «X-ray gratings and projection lithography by means of laterally structured multilayers», J. Phys. III France 4(1994), c.1625−1637.
- Spiller E, Alan E. Rosenbluth,"Determination of thickness errors and boundary roughness from measured performance of a multylayer coating", Opt. Eng., Augustl986, c.954−963.
- Barbee T.W., Sputtered layered synthetic microstructure (LSM) dispersion elements, Ibid, p.131−145.
- Виноградов A.B., Кожевников И. В., Многослойные рентгеновские зеркала, Труды ФИАН, т. 196, 1989, с.63−102.
- Spiller Е.,"Enhancement of the reflectivity of multilayer X-ray mirrors by ion polishing", Optical Engineering June 1990, c.609−613.
- Ерофеев В.И., Коваленко H.B., Чхайло Н. И., Чернов В. А., Мытниченко С.В., «Оптика многослойных рентгеновских сверхрешеток применительно к СИ»,
- Материалы Всеросийского совещания «Рентгеновская оптика», Нижний Новгород, 23−26 Февраля 1998, с. 110−116.
- Erko A., Martynov V., Roshchoupkin D., Yuakshin A., Vidal В., and Brunei M., «Multilayer diffraction grating properties», J. Phys. III France, v.4 (1994), p.1649−1658.
- Andre J.M., Sammar А., Вас S., Ouahabi M., Soullie G. and Barchewitz R., «Recent advances in etched multilayer X-ray optics», J. Phys. III France 4(1994), c.1659−1668.
- Slaughter J.M., «Si/B4C narrow-bandpass mirrors for the extreme ultraviolet», Optics Letters, v.19, N21, pp.1786−1788, 1994.
- Balakireva L.L., Kozhevnikov I.V., «Two-period multilayer mirrors for the soft X-Ray region», Journal of X-Ray and technology 6, 1996, p. 150−166.
- Dietsch R, Holz Т., Mai H" Hopfe S" Scholz R., Wehner В., Wendrock H., «X-ray optical properties of C/C-multilayers prepared by pulsed laser deposition», Mat. Res. Society Symp. Proc., v. 382, 1995, p. 345.
- Tsai H. and Body В., Characterisation of DLC films and their application as overcoats of thin-film media for magnetic recording, J.Vac.Sci.Technol. A, Vol.5, pp.3287−3313, 1987.
- Кондратов П.Е., Смирнов И. С., Новосёлова Е.Г., A.M. Баранов, Слепцов В. В., «Создание и исследование углеродных структур переменной плотности», Труды Межгосударственной конференции стран СНГ «Алмазоподобные плёнки углерода», 6−9 июня 1994, г. Харьков.
- Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Non-Classical Multilayer Periodic Structures Based on DLC Films, Diamond and Related Materials, v.5, 1996, p. 448−452
- Houdy Ph. and Boher P., «Design and manufacture of sputtered multilayers for applications to soft X-ray optics», J. Phys. III France 4(1994), c.1589−1598.
- Sudoh M., Yokoyama R., Samoga M., Yamamoto M., Yanagihara M., Soft X-ray multilayers fabricated by electron -beam deposition, Opt. Eng., v. 30, 1991, c. 1061−1066.
- Ivanovsky G.F., Sleptsov V.V., Elinson V.M., Kuzin A.A., Kondrashov P.E., A.M. Baranov, Properties of diamond-like films formed by ion-assisted methods for multilayer structures, Surface and Coating Technology, 1991, 48, p. 189−191.
- Слепцов B.B., Кузин А. А., Сагитов С. И., Елинсон B.M., Баранов A.M., Оптические свойства многослойных структур на основе а-С:Н, Материалы 7 конф. «Тонкие пленки в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.» Москва, 1990, с. 63.
- Parrat L.G., Surface studies of solids by total reflection X-rays, Phys.Rev., v.95,N.2,(1954), p.359−369.
- Petukhov M.N., A.P. Dementjev, A.M. Baranov, Unique Capability of XPS and X-ray2 3
- Excited AES to Indentify sp /sp Ratio on the Surface of Growing Carbon Films, Diamond and Related Materials, v.7, 1998, p. 1534−1538.
- Tauc J., In. Optical properties of solids (F.Abeles ed.), North-Holland, Amsterdam, 1970, p.277.
- Петухов M., автореферат кандидатской диссертации, Рнтгеноэлектронная и Оже-спектроскопия sp2-n зр3-гибридизованных состояний атомов углерода, Москва 1997.
- Spiller Е., Rosenbluth А.Е., Determination of thickness errors and boundary roughness from the measurumed perfomance of a multilayer coating, Proc. SPIE, v.563, (1985), Belligham, p.221−236.
- Laidig W., Peng C.K.and Lin Y.F., Effects of strain and layer thickness of the growth of InxGa. xAs-GaAs strained layer superlattices., J. Vac. Sci. Technol. B, v.2, (1984), p.181−185.
- Erco, V.V. Aristov and B. Vidal, «Diffraction X-ray Optics», 1996, p. 224.
- Кондратов П.Е., Смирнов И. С., Баранов A.M., Устройство для управления потоком рентгеновского излучения и способ его получения, Патент РФ № 2 109 358.
- Кондратов П.Е., Смирнов И. С., Новосёлова Е. Г., Баранов A.M., «Углеродные рентгеновские зеркала», Материалы VI Российской конфе ренции «Физика и технология алмаз ных материалов», Москва, 28−30 Мая, 1996 г., с. 120−124.
- Parrat L.G., Phys.Rev., v.95 N2 (1954) р.359−367.
- Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Analysis of Parameters of Multilayer Carbon Interference Structures in the Soft X-ray range, Applied Physics Letters, v. 69, N3, p.305−307, 1996.
- Кондратов П.Е., Смирнов И. С., Новосёлова Е. Г., Баранов A.M., «Многослойные углеродные интер ференционные структуры для рентгеновской оптики», Письма в ЖТФ, том 22, вып. 7, с.7−10, 1996.
- Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., Novoselova E.G., Baranov A.M., Possibility of Creation of High-Quality Mirrors, Proc. SPIE, v.2805, p.254−259, 1996.
- James R.W., «The Optical Principles of the Diffraction of X-rays», London, 1948.
- Bearden J.A., «X-ray wavelengths», US Atomic Energy Commission Tennessee, 1964.
- Петухов В.П., " Измерение характеристик многослойных структур методом возбуждения характеристического излучения протонным ударом", Материалы Всеросийского совещания «Рентгеновская оптика», Нижний Новгород, 23−26 Февраля 1998, с. 145−149.
- Arkadiev V., Baranov A.M., Erko A., Kondrashov P.E., Langhoff N., Novoselova E.G., Smirnov I.S., Veldkamp M., Packe I., «Carbon/carbon multilayers for synchrotron radiation», Proc. SPIE, Denver, 1999, v. 3773, p. 122−127.
- Kondrashov Р.Е., I.S. Smirnov, E.G. Novoselova, Baranov A.M., S.Y. Yablokov, V.P. Petykhov Comparative characteristics diamond-like carbon and metal-carbon x-ray mirrors, Diamond and Related Materials, v.7 (12), 1998, p. 1647−1650.
- Baranov А. М/, R. Dietsch, T. Holz, M. Menzel, D. Weifibach, R. Scholz, V. Melov, J. Schreiber, «High resolution carbon/carbon multilayers», Proc. SPIE, 2002, vol. 4782, p. 160−16.
- Ali I., Roy S.R., Shinn G., Chemical-mechabical polishing of interlayer dielectric: a rewier, Solid State Technology, N10, (1994) p. 63−60.
- Данилин B.C., Киреев В. Ю., Назаров Д. А., «Реактивное ионное травление», Обзоры по электронной технике, серия 3, Микроэлектроника, вып. 1(1010), 1984.
- Киреев В.Ю., Данилин Б. С., Кузнецов В. И., «Плазмохимическое и ионно-химическое травление микроструктур», М., Радио и связь, 1983, 126 с.
- Данилин С., Киреев В. Ю., Кузнецов В.И.,"Вакуумно-плазменные процессы травления микроструктур", ч.1, Классификация и сопоставление процессов травления, Электронная техника, сер.6, Материалы, 1982, вып.2(163), с.3−9.
- H.Buchkremer-Hermanns, C. Long, H. Weiss,"ECR plasma polishing of CVD diamond films", Diamond and Related Materials, 1996, v.5, c.845−849.
- Baranov A.M., Planarization of substrate surface by means of ultrathin diamond-like carbon films, Surface and Coating Technology, v. 102, N1−2, 1998, p. 154−158.
- Карабеков А.Ю., Кожевников И. В., «Рассеяние рентгеновского излучения шероховатой пленкой», Препр. ФИАН № 6, М., 1993, 47 с.
- Igor A. Artioukov, Viktor Е. Asadchikov, Igor V. Kozhevnikov «Effects of a Near-Surface Transition Layer on X-Ray Reflection and Scattering», Journal of X-Ray and technology 6, 1996, p.223−243.
- Kozhevnikov I.V., Asadchikov Viktor E., Alaudinov B.M., Karabekov Yu A., and Vinogradov A.V., «X-Ray investigations of supersmooth surfaces», Proc. SPIE, Vol.2453, p.141−153.
- Karabekov A.Yu., Kozhevnikov I.V., and Fedyukovich V.E., «Interference Suppression of X-Ray Scattering under Total External Reflection from Rough Surfaces», Journal of X-Ray science and technology 4, 1993, p.37−43.
- Виноградов А. В., Зорев H.H., Кожевников И. В., Сагитов С. И., Турьянский A.F., «О рассеянии рентгеновского излучения слабошероховатыми поверхностями», ЖЭТФ, т.94, вып.8, 1988, с.203−216.
- Виноградов А.В., Зорев Н. Н., Кожевников И. В., Якушкин И.Г.,"Об эффекте полного внешнего отражения рентгеновских лучей", ЖЭТФ, т.89, вып.6(12), 1985, с.2124−2132.
- Баранов A.M., Увеличение интенсивности отражения рентгеновского излучения от поверхности при нанесении на нее алмазоподобной углеродной пленки, ЖТФ, т. 68(7), 1998, с.
- Baranov A.M., «Enhancement of the reflectivity of multilayer X-ray mirrors by ultrathin carbon film deposition», Optics Communications, v. 167/1−6, 1999, pp.23−26.
- Loferski J.J. The First Forty Years a Brief History of the Modern Photovoltaic Age. Progress in potovoltaics research and applications, vol 1, (1993), p.67−78.
- Зи С., Физика полупроводниковых приборов, М.:Мир.1984 т.1, 456 с.
- Gtauvogl М., Aberle A.G., Hezel P., 17,1% efficient metal-insulator-semiconductor inversion layer silicon solar cells using truncated pyramids, Appl. Phys. Lett., v. 69, No. 10, (1996), p.1462−1464.
- Zhao J., Wang A., Altermatt P., Green M.A., Twenty-four percent efficient silicon solar cell with double laer antireflection coatings and reduced resistance loss, Appl. Phys. Lett., 1996, v.66, No 26, p.3636−3638.
- Grekhov I. V., Shulekov A.F., Vexler M.I., " Multicascade impact ionization in Si metall-insulator-srmiconductor tunnel emitter auger transitor", Sol. Stat. Commun., v. 87, N4, 1993 p. 341−343.
- Akota S., Ueda H., Nakayma Y., Mechanism of photocurrent multiplication in amorphous silicon carbide Schottky cells, J. Appl. Phys., v. 77(3), (1995), p. l 120−1125.
- Баранов A. M., Малов Ю. А., Терёшин С. А., Фотоэлектрический преобразователь нового типа на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si, Письма в ЖТФ, т.23, вып. 21, 1997, стр. 1−6.
- Baranov А. М., Malov Y. A., Zaretsky D. F., Tereshin S. A., «Solar cells based on the heterojunction a-C/p-Si, Solar Energy Materials and Solar Cells, v. 60/1, 1999, pp.11−17.
- Патент на изобретение № 2 137 257. Бюл. № 25, 1999. „Преобразователь световой энергии в электрическую“. Номер междунаробной публикации №WO 97/21 251 от 12.6.97. Баранов A.M., Малов Ю. А., Терёшин С. А., Зарецкий Д.Ф.
- Scavani С., Reddy K.T.R., Reddy P.J., Physical behavior of CdO films prepared by activated reactive evaporation, Semiconductors Science and Technology, v.6, N10, 1991, p. 1036−1038.
- Gurumurugan К., Mangalaraj D., Narayandass S.K., An approach to determine the refractive index of cadmium oxide thin films, Materials Research Bulletin, v. 30, No3,1995) p. 257−264.
- Benko F.A., Koffyberg F.P., Quantum efficiency and optical transmission of CdO photoanodes, Solid State Communication, v.57, No. 12, (1986), p. 901−903.
- Choi Y.S., Lee C.G., Cho S., Transparent conducting ZnxCdl-xO thin films prepared by sol-gel process, Thin Solid Films, v.289, (1996), p. 153−158.
- Chu T.L., Shirley S. Chu Degenerate Cadmium Oxide Films for Electronic Devices, Journal of Electr.Mater., Vol 19, N 9 (1990), p. 1003−1005.
- Баранов A.M., Малов Ю. А., Терешин C.A., Преобразователь световой энергии в электрическую на основе гетероструктуры n-CdO/a-C/p-Si, Труды Всероссийской конференции"Алмазы в технике и электронике», Москва, 26−28 мая 1997, стр.89−90
- Баранов A.M., Малов Ю. А., Терёшин С. А., Вальднер В. О., Исследование свойств пленок CdO, Письма в ЖТФ, т.23, вып. 20, 1997, стр. 72−74.
- Физика соединений А2 В6 под ред. А. Н. Георгобиани, Москва, Наука, 1986, 280 с.
- A.M. Баранов, Ю. А. Малов, С. А. Терёшин, В. О. Вальднер, Преобразователь световой энергии в электрическую на основе р-n перехода с поверхностным изотипным гетеропереходом, Патент РФ JV2 2 099 818 от 11.04.96.
- Baranov A.M., Sleptsov V.V., Nefedov A.A., Varfolomeev A.E., Fanchenko S.S., Calliari L., Speranza G., Ferrari M., and Chiasera A., «Erbium Photoluminescence in Hydrogenated Amorphous Carbon», Phys. Stat. Sol. (b) 2002, V. 234, No.2, R1-R3.
- Tereshin S.A., Baranov A.M., Yu. A. Malov, E.U. Michailutz, Spontaneous Radiation in Short Period Superlattices on the Base of Carbon Multilayer Heterostructures, Diamond and Related Materials, 1997, v.6, p. 1106−1110.
- Baranov A.M., Varfolomeev A.E., Nefedov A.A., Anderle M, Calliari L., Speranza G, Laidany N., «Observation of photodiode and electroluminescence effects for a-C/a-C:H multilayers on silicon», Diamond and Related Materials, 2001, Vol. 10, p. 1040−1042.
- Daughton J.M., J. Appl. Phys. 1997. V. 81. p. 3758−3760.
- Zhang J., Data Storage. 1998. V. 5. p. 31−35.
- Baranov A.M., Kondrashov Р.Е., Smirnov I.S., «In situ x-ray reflectivity for thin -film deposition monitoring and control», Solid State Technology, N5, 1999, p. 53−58.