Перестраиваемые гетеролазеры A3 B5 и системы на их основе для определения газовых микропримесей и дистанций
Диссертация
К началу исследований, составивших предмет настоящей работы, использование метода диодной лазерной спектроскопии в газоанализе уже нашло свое применение в таких областях как контроль загрязнений окружающей среды, исследование процессов атмосферной химии, контроль технологических процессов и др. В отличие от нашедшего наиболее широкое распространение использования лазерных диодов в исследованиях… Читать ещё >
Список литературы
- Курбатов Л.Н. Оптоэлектроника видимого и ИК диапазонов// М., изд. МФТИ, 1999 г.
- Елисеев П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров// М., «Наука», 1983 г.
- Якушенков Ю.Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов// М., «Логос», 1999 г.
- Maki A.G., Wells J.S. Wavenumber calibration tables from heterodyne frequency measurments// NIST Special Publication 821, Washington: National Institute of Standards and Technology, 1991.
- Guelachvili G., Narahari Rao K. Handbook of Infrared Standards// Academic Press, Inc., 1986.
- Мальцев А.А. Молекулярная спектроскопия// M., изд. МГУ, 1980 г.
- Кузнецов А.И., Логачев А. П., Степанов Е. В. Анализ выдыхаемого человеком воздуха методами диодной лазерной спектроскопии// Известия АН СССР, физ. серия, 1990, V. 54, № 10, pp. 1909−1914.
- Smith R.J. and Casey Willuam L. Dart: A Novel Sensor for Helicopter Flight Safety// Photonics Spectra, 1992, V. 26, № 7, pp. 110−116.
- Smith R. J. and Casey Willuam L. A covert helicopter position sensor based on a differential absorption ranging technique (DART)// Second Annual SO/LIC Symposium, 9−11 december 9−11,1990, Washington, pp. 43−52.
- Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю. М. Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний// ЖЭТФ, 1959, т. 37, с. 587.
- Басов Н.Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. Генерация, усиление и индикация инфракрасного и оптического излучения с помощью квантовых систем// УФН, 1961, т. 72, с. 161−209.
- Басов Н.Г., Крохин О. Н., Попов Ю. М. Получение состояний с отрицательной температурой в р-п-переходах вырожденных полупроводников// ЖЭТФ, 1961, т. 72, с. 1879−1880.
- Велькер Г., Вейсс Г. Новые полупроводниковые материалы// М., ИЛ, 1958, с. 9.
- Горюнова Н.А. Химия алмазоподобных соединений// Л., изд. ЛГУ, 1963, с. 92.
- Hall R.N., Fenner G.E., Kingsley J.D. et al. Coherent light emission from GaAs junctions// Phys. Rev. Let., 1962, V. 9, № 9, pp 366−378.
- Nathan M.I., Dumke W.P., Burns G. et al. Stimulated emission of radiation from GaAs p-n-junctions// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 3, pp. 62−64.
- Holonyak N. Jr., Bevacqua S.F. Coherent (visible) light emission from Ga (Asi.xPx) junction// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 3, pp. 82−83.
- Quist T.M., Rediker R.H., Keyes R.J., Krag W., Lax B. et al. Semiconductor maser of GaAs// Appl. Phys. Let., 1962, V. 1, № 4, pp. 91−92.
- Багаев B.C., Басов Н. Г., Вул Б.М. и др. Полупроводниковый квантовый генератор на р-п-переходе в GaAs// ДАН СССР, 1963, т. 150, № 2, с. 275−278.
- Hall R.N. Injection lasers// IEEE Trans. Electron. Devices, 1976, V. 23, № 7, pp. 700−704.
- Engeler W.E., Gartinkel M. Characteristics of a continuous high power GaAs junction laser// J. Appl. Phys., 1964, V. 35, № 6, p. 1734.
- Ciftan M., Debye P.P. On the parameters which affect the CW output of GaAs lasers// Appl. Phys. Let., 1965, V. 6, № 6, p. 120.
- Елисеев П.Г., Страхов В. П. Полупроводниковый квантовый генератор непрерывного действия с выходной мощностью в несколько ватт// ЖТФ, 1970, т. 40, с. 1564−1565.
- Дрожбин Ю.А., Захаров Ю. П., Никитин В. В. и др. Генерация ультракоротких световых импульсов на ПКГ на GaAs// Письма в ЖЭТФ, 1967, т. 5, с. 180.
- Курносов В.Д., Плешков А. А., Ривлин Л. А. и др. Динамика излучения полупроводниковых квантовых генераторов// Труды ЕХ Межд. конф. по физике полупроводников, Л., «Наука», 1969, т. 1, с. 582−585.
- Nelson D.F., Gershenzon M., Ashkin A. et al. Band-filling model for GaAs injection luminescence// Appl. Phys. Let., 1963, V. 2, № 6, pp. 182−184.
- Dumke W.P. Properties and machanism of GaAs injection lasers// Brooklyn: Optical Masers (Proc. Symp.) Polytechnic press., N.Y., 1963, p. 461.
- Багаев B.C., Безорашвили Ю. Н., Вул Б.М. и др. О механизме рекомбинационного излучения арсенида галлия// ФТТ, 1964, т. 6, № 5, с. 13 991 401.
- Lasher G., Stern F. Spontaneous and stimulated recombination radiation in semiconductors//Phys. Rev., 1964, V. 133A, pp. 553−563.
- Алферов Ж.И. История и будущее полупроводниковых гетероструктур// ФТП, 1998, т. 32, № 1, с. 3−18.
- Губанов А.И. ЖТФ, 1950, т. 20, с. 1287.
- Губанов А.И. ЖТФ, 1951, т. 21, с. 304.
- Kroemer Н. Proc. JRE, 1957, V. 45, р. 1535.
- Kroemer Н. RCA Rev., 1957, V. 28, р. 332.
- Алферов Ж.И., Казаринов Р. Ф. Авторское свидетельство № 181 737 (1963).
- Kroemer Н. A proposed class of heterolunction injection lasers// Proc. IEEE., 1963, V. 51, № 12, p. 1782.
- Алферов Ж.И., Халфин В. Б., Казаринов Р. Ф. ФТТ, т. 8, с. 3102.
- Алферов Ж.И., Андреев В. М., Корольков В. М. и др. Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs-GaAs// ФТП, 1968, т. 2, № 10, с. 1545−1548.
- Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W. A low threshold room-temperature injection laser// IEEE J. Quant. Electron., 1969, V. 5, № 4, pp. 211−212.
- Kressel H., Nelson H. Improved red and infrared light-emitting GaAs laser diodes using close confinment structure// Appl. Phys. Let., 1969, V. 15, pp. 7−9.
- Алферов Ж.И., Андреев B.M., Портной E.JI., Трукан М. К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs-GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре// ФТП, 1969, т. 3, с. 1328.
- Алферов Ж.И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З. и др. Исследование влияния параметров гетероструктуры на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре// ФТП, 1970, т. 4, с. 1826−1830.
- Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S. Junction lasers which operate continuously at room temperature// Appl. Phys. Let., 1970, V. 17, p. 109.
- Бронштейн И.К., Долгинов JI.M., Дружинина Л. В. и др. Инжекционный квантовый генератор непрерывного действия при 300 К// Сб. Краткие сообщения ГИРЕДМЕТ, 1970, сер. 5, № 21.
- Alferov Zh.I., Andreev V.M., Konnikov S.G., Nikitin V.G. Proc. Int. Conf. On Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Budapest, October 1970.
- Елисеев П.Г., Шуйкин H.H. Одномодовые и одночастотные инжекционные лазеры// Квантовая электроника, 1973, т. 3 (15), с. 5−26.
- Statz Н., Tang C.L., Lavine J.M. Spectral output of semiconductor lasers// J. Appl. Phys., 1964, V. 35, № 9, p. 2581.
- Елисеев П.Г., Красильников А. И., Манько M.A., Страхов В. П. Исследование инжекционных лазеров на постоянном токе// Сб. Физика р-п-переходов и полупроводниковых приборов, Л., 1969, с. 131−141.
- Елисеев П.Г., Страхов В. П. Одномодовая генерация в инжекционных лазерах// Письма ЖЭТФ, 1972, т. 16, с. 606−608.
- Казаринов Р.Ф., Сурис Р. А. ФТП, 1972, т. 6, с. 1359.
- Алферов Ж.И., Гуревич С. А., Казаринов Р. Ф. и др. ФТП, 1974, т. 8, с. 832.
- Nakamura М., Yariv A, Yen H.W., Somekh S., Garvin H.L. Appl. Phys. Let., 1973, V. 22, p. 315.
- Scifres D.R., Burnham R.D., Streifer W. Appl. Phys. Let., 1974, V. 25, p. 203.
- De Loach B.C., Jr. Reability of GaAs injection lasers// IEEE J. Quant. Electron., 1973, V. 9, № 6, p. 688.
- Petroff P., Hartman R.L. Defect structure introduced during operation of heterojunction GaAs lasers// Appl. Phys. Let., 1973, V. 23, pp. 469−471.
- Cho A.Y. Appl. Phys. Let, 1971, V. 19, p. 467.
- Manasevit H.M. Appl. Phys. Let., 1968, V. 12, p. 156.
- Dingle R., Wiegmann W., Henry C.H. Phys. Rev. Let., 1974, V. 33, p. 827.59. van der Ziel J.P., Dingle R., Miller R.C., Wiegmann W., Nordland W.A. Appl. Phys. Let., 1975, V. 26, p. 463.
- Dupuis R.D., Dapkus P.D., Holonyak N" Rezek E.A., Chin R. Appl. Phys. Let., 1978, V. 32, p. 295.
- Tsang W.T. Appl. Phys. Let., 1982, V. 40, p. 217.
- Esaki L. Tsu R. IBM J. Res. Dev., 1970, V. 14, p. 61.
- Келдыш Л .В. ФТТ, т. 4, с. 2265.
- Казаринов Р.Ф., Сурис Р. А. ФТП, 1973, т. 7, с. 347.
- Esaki L. Tsu R. Appl. Phys. Let., 1973, V. 22, p. 562.
- Ludowise M., Dietze W.T., Lewis C.R., Campas M.D., Holonyak N., Fuller B.K., Nixon M.A. Appl. Phys. Let., 1983, V. 42, p. 487.
- Rezek E.A., Shishijo H" VojakB.A., Holonyak N. Appl. Phys. Let, 1977, V. 31, p. 534.
- Алферов Ж.И. и др. ФТП, 1987, т. 21, с. 914.
- Алферов Ж.И. и др. Письма ЖТФ, 1988, т. 14, с. 1803.
- Klitzing К.V., Dorda G., Pepper M. Phys. Rev. Let., 1980, V. 45, p. 494.
- Tsui D.C., Stormer H.L., Gossard A.C. Phys. Rev. Let., 1982, V. 48, p. 1559.
- Faist J. et al. Electron Let, 1994, V. 30, p. 865.
- Shin-Ichi N., Naruhito I. et al. High-power and long-lifetime InGaN multi-quantum-well laser diodes grown on low-dislocation-density GaN substrates// Jap. J. Appl. Phys., 2000, V. 39,№ 7A, pp. L647-L650.
- Petroff P., Gossard A.C., Logan R.A., Wiegman W. Appl. Phys. Let., 1982, V. 41, p. 635.
- Arakawa Y., Sakaki H. Appl. Phys. Let., 1982, V. 40, p. 939.
- Simhony S., Kapon E., Colas Т., Hwang D.M., Stoffel N.G., Worland P. Appl. Phys. Let., 1991, V. 59, p. 2225.
- Geim K.T., Xue-Lun W., Mutsuo O. Spectral characteristics of vertically stacked etched multiple-quantum-wire lasers fabricated by flow rate modulation epitaxy// Jap. J. Appl. Phys., 2000, V. 39, № 5A, pp. 2516−2519.
- Екимов А.И., Анущенко A.A. Письма ЖЭТФ, 1981, т. 34, с. 363.
- Эфрос Ал.Л., Эфрос А. Л. ФТП, 1982, т. 16, с. 1209.
- Goldstein L., Glas F., Marzin J.Y., Charasse M.N., Le Roux G. Appl. Phys. Let., 1985, V. 47, p. 1099.
- Андреев А.Ф. ЖЭТФ, 1981, т. 80, с. 2042.
- Марченко В.И. ЖЭТФ, 1981, т. 81, с. 1141.
- Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. J. Appl. Phys., 1993, V. 74, p. 7198.
- Ipatova I.P., Malyshkin V.G., Shchukin V.A. Phil. Mag. B, 1994, V. 70, p. 557.
- Андреев А.Ф. Письма ЖЭТФ, 1980, т. 32, с. 2654.
- Марченко В.И. Письма ЖЭТФ, 1981, т. 33, с. 397.
- Grundmann М., Ledentsov N.N., Alferov Zh.I. et al. Phys. St. Sol., 1995, V. 188, p. 249.
- Леденцов H.H., Устинов B.M., Иванов C.B., Мельцер Б. Я., Максимов М. В., Копьев П. С., Бимберг Д., Алферов Ж. И. УФН, 1996, т. 166, с. 423.
- Kierstaedter N. Electron. Let., 1994, V. 30, p. 1416.
- Алферов Ж.И. и др. ФТП, т. 30, с. 351.
- Tzer-En N. et al. J. Ciyst. Growth, 1999, V. 201−202, pp. 905−908.
- Михрин C.C. и др., Алферов Ж. И. Пространственно одномодовый лазер диапазона 1,25−1,28 мкм с квантовыми точками InAs на подложке GaAs// ФТП, 2000, т. 34, вып. 1, с. 117−119.
- Бритов А.Д. Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона// Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Ленинград, 1983 г., с. 163−173.
- Аскарян Т.А. Исследование гетеросистем на основе пятикомпонентных твердых растворов А3В5// Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук, Новочеркасск, 1989 г., с. 20.
- Акимова И.В., Долгинов Л. М., Елисеев П. Г., Мажорова О. С. Некоторые вопросы выращивания полупроводниковых лазерных гетероструктур// Труды ФИАН, 1992 г., т. 216, с. 56−86.
- Елисеев П.Г., Хой В.Х. Применения полупроводниковых лазеров в медицинской технике// Труды ФИАН, 1992 г., т. 216, с. 186−194.
- Хилсум К., Роузинс А. Полупроводники типа АШВУ// М., ИЛ, 1963 г., 323 с.
- Маделунг О. Физика полупроводниковых элементов III и V групп// М., Мир, 1967 г., 477 с.
- Полупроводниковые соединения АШВУ/ Под ред. Р. Вилардсона и X. Геринга// М., Металлургия, 1967 г., 728 с.
- А.Д. Бритов, А. С. Кононов, Ю. Г. Басов, В. В. Сысун «Инжекционные источники света"// 2 Белорусско-Российский сем. «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе», 22−24 мая 1997 г., Минск. Сборник тезисов. — с. 23.
- А.Д. Бритов, А. И. Надеждинский, А. Г. Березин, АС. Кононов, Н. А. Сулейманов, О. В. Ершов, В. Г. Кутняк «Медицинский газоанализатор на лазерах и фотоприемниках ближнего ИК диапазона"// Прикладная физика, 1999 г. № 2. — с. 30−34.
- A.D. Britov, A.I. Dirochka, A.S. Kononov, P. S. Serebreimikov, N.A. Suleimanov, LP. Suprun «Structural perfection diagnostics of narrow-gap photosensitive semiconductor junctions by diffraction"// Proc. SPIE, 2000. V. 4340. — p. 320−323.