Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Диссертация
Разработка различного рода эффективных фотоприемных устройств (ФПУ), работающих в инфракрасной (ИК) области спектра, является одной из актуальных задач современной микро — и оптоэлектроники. В настоящее время приборы, основанные на применении фотоприемников ИК диапазона, используются для решения широкого круга задач как специального, так и гражданского назначения. Они находят широкое применение… Читать ещё >
Список литературы
- Сафронов Ю.П., Андрианов Ю. Г. Инфракрасная техника и космос. — М.: Сов. Радио. — 1978. — 248 с.
- Пашковский М.В., Гречух З. Г. Фотоэлектрические ИК приемники на теллуридах кадмия-ртути // Зарубежная электронная техника. 1973. -№ 24. — С. 3 — 27.
- Пономаренко В.П. Теллурид кадмия-ртути и новое поколение приборов инфракрасной фотоэлектроники // УФН. 2003. — Т. 73, № 6. — С. 649 — 665.
- Рогальский А. Инфракрасные детекторы: Пер. с англ. / Под ред. А. В. Войцеховского. Новосибирск: Наука, 2003. — 636 с.
- Ерофейчев В. Г. Инфракрасные матрицы на основе фотодиодов Hgi.xCdxTe и фотоприемников с квантовыми ямами // Оптический журнал. 2000. -№ 1. — С. 5−19.
- Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона / Овсюк В. Н., Курышев Г. Л., Сидоров Ю. Г. и др. Новосибирск: Наука. — 2001. -376 с.
- Fiorito G., Gasparrini G., Suelto F. p-n junction characteristics and ultimate performances of high quality 8−14 jam Hgi. xCdxTe implanted photodetectors // Infrared Phys. 1977. — V. 17. — P. 25 — 31.
- Ryssel H., Lang G., Biersack J.P., Muller K., Kruger W. Ion implantation Doping of Cdo.2Hgo.8Te for infrared detectors // IEEE Transaction on electron devices. 1980. — V. ED-27, № 1. — P. 58 — 62.
- Lanir M., Wang C.C., Vanderwyck F. H:B. Backside illuminated HgCdTe/CdTe photodiodes // Apll. Phys. Lett. — 1979. — v.34, № 1. — P. 50 — 52.
- Chu M., Vanderwyck F.H.B., Cheung D.T. High performance backside-illuminated Hgo.78Cdo.22Te/CdTe (Xco=10 jam) planar diodes // Apll. Phys. Lett. -1980. — v. 37, № 5. — P. 486 — 488.
- Rutkowski J. Planar junction formation in HgCdTe infrared detectors // Optoelectronics review. 2004. — V. 12, № 1. — P. 123 — 128.
- Овсюк В.Н., Сидоров В. Г., Васильев В. В., Шашкин В. В. Матричные фотоприемники 128×128 на основе HgCdTe и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТП. 2001. — Т. 35, В. 9.-С. 1159- 1166.
- Не L., Wu Y., Wang S. Yu M. Chen L. Yang J. Molecular beam epitaxy of HgCdTe for IR FPAs detectors // Proceedings of the First Joint Symposium on Opto- and Microelectronics Devices and Circuits. 2000. — P. 98 — 101.
- Dhar N.K., Zandian M., Pasko J.G., Arias J.M., Dinan J.H. Planar p-on-n HgCdTe heterostructure infrared photodiodes on Si substrates by molecular beam epitaxy// Appl. Phys. Lett. 1997. — v. 70, № 13. — P. 1730 — 1732.
- Войцеховский A.B., Денисов Ю. А., Коханенко А. П., Варавин B.C., Дворецкий С.А, Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г., Якушев Н. В. Особенности спектральных и рекомбинационных характеристик МЛЭ структур на основе CdHgTe // Автометрия. — 1998. — В. 4. — С. 47 — 58.
- Васильев В.В., Есаев Д. Г., Кравченко А. Ф., Осадчий В. М., Сусляков А. О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHgixTe // ФТП. 2000. — Т. 34, В. 7. — С. 877 — 880.
- Higgins W.M., Pilts G.N., Roy G.R. et al. Standard relatioships in the properties of HgixCdxTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1989. — V. 7, № 3. — P. 271 — 281.
- Bartlet B.E., Deang J., Ellen P.J. Growth and properties of CdxHgjxTe crystals // J. Mater. Sci. 1969. — V. 4, № 3. — P. 266 — 272.
- Физика соединений A1^^ / Бовина Л. А., Бродин M.C., Валах М. Я. и др. -М.: Наука, 1986. 320 с.
- Гавалешко Н.П., Горлей П. Н., Шендеровский В. А. Узкозонные полупроводники. Получение и физические свойства. HgjxCdxTe. Киев: Наукова думка, 1984. — 288 с.
- Jones С.Е., James К., Merts J. et al. Status of point defects in HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. — V. 3, № I. — P. 131 -137.
- Заитов Ф.А., Исаев Ф. К., Горшков А. В. Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах. Баку: Азернешр, 1984. — 211 с.
- Филатов А.В., Невский О. Б., Каган Н. Б. и др. Примесные дефекты в монокристаллах CdxHgixTe // Кристаллография. 1988. — Т. 33, В. 5. -С. 1232 — 1238.
- Tregilgas J.H., Beck J.D., Gnade B.L. Type conversion of (Hg, Cd) Te induced by the redistribution of residual acceptor impurities // J. Vac. Sci. Technol. A. -1985. V. 3, № I. — P. 150- 152.
- Rodot H. Stude de Lequilibre de phase dens le tellurire de mercure // J. Phys. Chem. Sol. 1964. — V.25, № I. — P. 8−93.
- Schmit J.L., Stelser E.L. The effects of annealing temperature on the carrier concentration of HgCdTe // J.Electr.Materials. 1979. — V. 7, № 1. — P. 65 — 81.
- Elliot C.T., Melngailis J., Harman T.J. Carrier freedout and acceptor energies in p-type Hgl. xCdxTe // J. Phys. Chem. Sol. 1972. — V. 83, № 8. — P. 1577−1581.
- Кротов И.И., Миколюк E.A., Старков Г. В. Влияние термообработки на электрофизические свойства пленок HgCdTe // Научные труды МИСиС. -1983.-№ 146.-С. 72−80.
- Shaake H.F., Tregilgas J.H., Beck J.D. et al. The effect of low temperature annealing on defects, impurities and electrical properties and electrical of (Hg, Cd) Te // J. Vac. Sci. Technol. A. 1985. — V. 3, № I. — P. 143 — 149.
- Vydyanath H.R. Defect structure of undoped and cooper doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electr. Society. -1981. V. 128, № 12. — P. 2609 — 2618.
- Vydyanath H.R. Defect structure of indium doped Hgo.8Cdo.2Te // J. Electr. Society. 1981. — V. 128, № 12. — P. 2619 — 2625.
- Capper P. The behaviour of selected imputities in CdHgTe // J. Cryst. Growth. -1982.-V. 57, № 1. P. 280−299.
- Кощавцев H. Ф., Кощавцев A. H., Федотова С. Ф. Анализ перспектив развития приборов ночного видения // Прикладная физика. 1999. — № 3. -С. 1−10.
- Андреев В.М., Долгинов Л. М., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов. М.: Советское радио. — 1975. -327 с.
- DeWames R.E., Williams G.M., Pasko J.G., Vanderwyck A.H.B. Current generation mechanism in small band gap HgCdTe p-n junctions fabricated by ion implantation // Journal of Crystal Growth. 1988. — V. 86. — P. 849 — 858.
- Разуваев Г. А., Грибов Б. Г. Металлоорганические соединения в микроэлектронике. М.: Наука. 1972. — 479 с.
- Mitra P., Case F.C., Reine М.В. Progress in MOVPE of HgCdTe for advance infrared detectors // Journal of Electronic Materials. 1998. — V. 27, № 6. -P. 510−520:
- Ghandhi S.K., Parat K.K., Ehsani H., Bhat I.B. Hig quality planar HgCdTe photodiodes fabricated by the organometallic epitaxy (Direct Alloy Growth Process) // Appl. Phys. Lett. 1991. — V. 58, № 8. — P. 828 — 830.
- Chandra D., Schaake H.F., Kinch M.A. Low-Temperature Anneling of (Hg, Cd) Te // Journal of Electronic Materials. 2003. — V. 32, № 7. — P. 810 -815.
- Speck J.S. Development of MultiColor Infrared Detectors // Final Report 199 899 for MICRO Project. P. 98 — 147.
- Zhou Y.D., Becker C.R., Selamet Y., Chang Y., Ashokan R., Boreiko R.T., Aoki Т., Smith D. J., Betz A.L., Sivananthan S. Far-Infrared Detector Based on HgTe/HgCdTe Superlattices // Journal of Electronic Materials. 2003. — V. 32, № 7.-P. 632−646.
- Сидоров Ю.Г., Дворецкий C.A., Варавин B.C. Михайлов H.H. Якушев М. В., Сабинина И. В. Молекулярно-лучевая эпитаксия твердых растворовкадмий-ртуть-теллур на альтернативных подложках // ФТП. 2001. — Т. 35, -В. 9.-G. 1092−1101.
- Бахтин П.А., Дворецкий С. А., Варавин B.C., Коробкин А. П., Михайлов Н. Н., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe // ФТП. 2004. — Т. 38, В. 10.-С. 1207−1210.
- Варавин B.C., Дворецкий С. А., Михайлов Н. Н., Сидоров Ю. Г. Донорные дефекты в эпитаксиальных слоях CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Автометрия. 2001. — № 3. — С. 17−28.
- Холоднов В.А., Другова А. А. Слабоваризонные приповерхностные слои как эффективное средство защиты от поверхностной рекомбинации фотоносителей в пороговых инфракрасных CdHgTe фоторезисторах // Письма в ЖТФ. 2000. — Т. 26, — В. 5. — С. 49 — 56.
- Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990. — 264 с.
- Pawlikowski J.M. Electrical and photoelectrical properties of graded-gap epitaxial CdxHg! xTe layers // Thin solid Films. 1977. — V. 44. — P. 241−276.
- Meingalis J., Ryan J.L., Harman T.C. Electron radiation damage and annealing of Hg Cd Те at low temperature // J.Appl.Phys. 1978. — V. 44. № 6. — P. 26 472 651.
- Leadon R.E. Mallon C.E. Model for defects in HgixCdxTe due to electron irradiation // Infrared Phys. 1975. — V. 15. — P. 229 — 335.
- Заитов Ф.А., Бовина JI.А., Мухина Д. В., Поляков А. Я., Стафеев В. И. Влияние электронного и гамма-облучения на электрофизические свойства твердых растворов CdHgTe // Материалы IV Всесоюзного симпозиума. -Львов, 1975. Ч. V. — С.43−45.
- Войцеховский А.В., Коханенко А. П., Лиленко Ю. В., Петров А. С. Скорости введения дефектов в HgixCdxTe при электронном облучении // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». -1987.-С. 57−59.
- Войцеховский А.В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П. Электрон-позитронная аннигиляция в узкозонных полупроводниках Hgi.xCdxTe // Изв. вузов. Физика.- 1995.-№ 10.-С. 3−21.
- Войцеховский А.В., Волошин В. О., Гольман М. Б., Коханенко А. П. Низкотемпературное облучение кристаллов Hgi.xCdxTe гамма-квантами // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». 1987. — С. 95 — 97.
- Foyt A.G., Harman T.C., Donnely J.P. Proton irradiation of CdHgTe allays // Appl. Phys. Lett. 1971. — № 18. -P. 321 — 322.
- Margalit S., Nemirovsky Y., Rotstein 1. Electrical properties ion-implanted layers in HgCdTe // J. Appl. Phys. 1979. — V. 50, № 10. — P. 6386 — 6389.
- Kolodny A., Kidron.J. Properties of ion-implanted junction in mercury-cadmium-telluride // IEEB Trans. Electron. Devices. 1980. — V. ED-27, № I. -P. 37−43.
- Водопьянов JI.К., Козырев С. П. Анализ электрических и оптических свойств имплантированного магнием HgCdTe (х = 0,20) из спектров ИК отражения // ФТП. 1982. — Т. 16, № 4. — С.680 — 686.
- Водопьянов Л.К., Козырев С. П., Спицын А. В. Ионная имплантаиия примесей в п-HgCdTe. 1. Ионы второй группы Mg+, Zn+, Cd+ // ФТП.1982. Т. 16, № 5. — С.782 — 788.
- Водопьянов Л.К., Козырев С. П., Спицын А. В. Ионная имплантация примесей в n-HgCdTe. II. Ионы П группы Al+, Ga+ // ФТП. 1982. — Т. 16, № 6. — С. 972 — 977.
- Vodopyanov L.K., Kozyrev S.P. Infrared reflection spectroscopy of ion-implanted n-HgCdTe // Phys. Stat. Sol. 1982 — V. 72, № 2. — P. 734 — 744.
- Vodopyanov L-K., Kozyrev S.P. Ion implantation of B+ in HgCdTe // Phys. Stat. Sol. 1982. — V. 72, № 2. — P. K133 — K136.
- Козырев С.П., Водопьянов Л. К. Образование радиационных дефектов в HgCdTe при ионной имплантации. I. Имплантация ионов Аг+ // ФТП.1983. Т. 17, № 5. — С. 893−899.
- Козырев С.П., Водопьянов Л. К. Образование радиационных дефектов в HgCdTe при ионной имплантапии. П. Имплантация ионов П и Ш группы // ФТП. 1983. — Т. 17, № 5. — С.900 — 903.
- Leveque P., Declemy A., Renault P.O. Influence of extended structural defects on the effective carrier concentration of p-type Hgo.78Gdo.22Te implanted with aluminium ions // Nucl. Instr. and Meth. B. 2000. — №. 168.- P. 40 — 46.
- Desstefanis G.L. Ion implantation in HgCdTe // Nucl. Instr. Meth. 1983. -V.209. — P.567 — 580.
- Schaake H.F. Ion implantation damage in Hgo.8Cdo.2Te. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1986. V. 4, № 4. — P. 2174 — 2176.
- Bubulac L.O. Behavion of implantation induied defects in KPT // J. Vac. Sci. Tech. 1982. — V.21, № 1. — P. 251 — 254.
- Destefanis G.L. Electrical Doping of HgCdTe by ion implantation and heat treatment // J. Cryst. Growth. 1988. — V.86. — P. 700 — 722.
- Uzan-Sague C., Kalish R. Build up II Damage in HgCdTe for varions x vauues // J. Vac. Sci. Tech. 1989. — V. A7, № 4. — P. 2575 — 2579.
- Aguirre M.H., Сапера H.R. Ar-implanted epitaxially grown HgCdTe: evaluation of structural damage by RBS and ТЕМ // Nucl. Instr. and Meth. B. -2001.-V. 175.-P. 274−279.
- Kalish R., Richter V. Evolution of point to extended defects in low-temperature implanted Hgo.76Cdo.24Te // J. App. Phys. 1990. — V. 67, № 10. — P. 6578 -6580.
- Войцеховский A.B., Петров A.C., Кулинаускас B.C., Лиленко Ю. В., Коханенко А. П., Кирюшкин Е. М., Шастов Н. В. Радиационные дефекты в кристаллах Hgi.xCdxTe, имплантированных ионами Аг+ // Изв. вузов. Физика. 1988. — Т. 31, № 12. — С. 83−90.
- Voitsekhovskii A.V., Lilenko Yu.V., Shastov K.V., Petrov A.S., Kulikayskas V.S., Kuznetsov N.V., Mamontov A.P. Radiation-Induced Defects in Implanted Hgl-xCdxTe Crystals // Physica Status Solidi (a). 1989. — V. 13, № 1, P. 285 -294.
- Войцеховский A.B., Коротаев A.F., Коханенко А. П. Распределение профилей радиационных дефектов в КРТ после ионной имплантации // Прикладная физика. 2000. — № 6. — С.38 — 44.
- Kumar R, Dutt М.В., Nath R., Chander R., Gupta S.C. Boron ion implantation in p-type Hgo.8Cdo.2Te // J. Appl. Phys. 1990. — V. 68, № 11. — P. 5564 — 5566.
- Као Т.-М., Sigmon T.W., Bubulac L.O. Use of native oxide and multiple step anneals to active boron implanted HgCdTe // J. Vac. Sci. Technol.- 1987. V. A5, № 5.-P. 3175 -3179.
- Талипов H.X., Качурин Г. А., Попов В. П. Особенности распределения донорных центров в имплантированном бором p-CdxHgi.xTe принакоплении радиационных дефектов // Тезисы докладов III Всесоюзн.
- Конференции «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники». Новосибирск. — 1991. — С.31.
- Талипов Н.Х., Качурин Г. А. Термический отжиг имплантированного бором p-CdxHgi.xTe. // Тезисы докладов III Всесоюзн. Конференции «Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники». Новосибирск. — 1991. — С.86.
- Овсюк В.Н., Талипов Н. Х., Особенности распределения донорных центров в кристаллах CdxHgi.xTe р-типа при низкотемпературной ионной имплантации // Прикладная Физика. 2003. — № 5. — С.87 — 92.
- Войцеховский А.В., Коханенко А. П. Профили распределения дефектов в КРТ при внедрении ионов // Изв. вузов. Физика. 1998 — № 1. — С. 101 116.
- Войцеховский А.В., Кирюшкин Е. М., Коротаев А. Г. Влияние радиационных дефектов вакансионного типа на результирующий профиль п(х) при облучении ионами HgCdTe // Матер. II Всесоюзного семинара «mil
- Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках». Павлодар, 1989. -Ч. II. — С. 102−106.
- Войцеховский А.В., Шульга С. А., Коханенко А. П., Смит Р. Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов сполупроводниковой мишенью Кадмий-Ртуть-Теллур // Изв. вузов. Физика. -2003. -№ 8. -С. 42−50.
- Брудный B.H., Гриняев C.H. Закрепление химического потенциала и электрические свойства облученных сплавов CdxHgi.xTe // ФТП. 2001. -Т. 35, В. 7.-С. 819−822.
- Williams B.L., Robinson H.G., Helms C.R. Ion dependent interstitial generation of implanted mercury cadmium telluride // Appl. Phys. Lett. 1997. — V. 71, № 5.-P. 692−694.
- Мынбаев К.Д., Иванов-Омский В.И. Модифицирование свойств Hg! xCdxTe низкоэнергетическими ионами // ФТП. 2004. — Т.37, В. 10. — С: 11 531 178.
- Богобоящий В.В., Ижнин И. И. Механизм конверсии типа проводимости при бомбардировке кристаллов р- HgixCdxTe ионами малых энергий // Изв.вузов. Физика. 2000.- № 8. — С. 16 — 25.
- Мынбаев К.Д., Баженов H.JL, В. А. Смирнов, Иванов-Омский В. И. Модифицирование свойств CdxHgixTe и ZnxCdyHgix. yTe обработкой низкоэнергетическими ионами // Письма в ЖТФ. 2002. — Т. 28, В. 22. -С. 64 — 69.
- Мищенко A.M., Талипов Н. Х., Шашкин В. В. Способ модификации поверхностного слоя теллурида кадмия ртути // Пат. 2 035 801 РФ, С1, 6H01L21/265. 1995.
- Мищенко A.M., Талипов Н. Х., Шашкин В. В. Способ создания на образцах CdHgTe р-типа структур с глубококомпенсированным слоем // Пат. 2 023 326 РФ, CI, 5H01L21/425. 1994.
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л: Наука. -1972.-384 с.
- Джафаров Т.Д. Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах. JT. Наука.- 1978.-208 с.
- Монастырский JT.C., Соколовский Б. С. Диффузия заряженных примесей в варизонных полупроводниках // ФПГ. 1992. — Т. 26, В.12. — С. 2143 — 2145.
- Vlasov А.Р., Sokolovskii B.S., Monastyrskii L.S., Bonchyk O.Yu., Barcz F. The effect of built-in electric field on As diffusion in HgCdTe graded-band-gap epitaxial layers // Thin Solid Films. 2004. — V. 459. — P. 28 — 31.
- Варавин B.C., Кравченко А. Ф., Сидоров Ю. Г. Исследование особенностей гальваномагнитных явлений в слоях n CdxHgi.xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП. — 2001. — Т. 35, В.9. — С. 1036 —1040.
- Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. М.: Атомиздат, 1967.-401 с.
- Дзюбенко Ф.А., Мухин В. Н., Котов А. Г. Колесников JI.B, Никонов С. Г. Образование новой фазы на поверхности монокристаллов перхлората цезия при облучении // ЖФХ. 1984, № 5. — С. 1122 — 1126.
- Kagadei V.A., Nefyodtsev E.V., Proskurovsky D.I. Investigation of the Penetration of Atomic Hydrogen from the Gas Phase into Si02/GaAs // J. Vac. Sci. Technolog. A.-2001.-V. 19, № 4.-P. 1871−1877.
- Соловьев Ю.А., Бюллер A.B., Зыков B.M. Электризация диэлектрических материалов под действием электронов космического пространства // Изв. вузов. Физика. 2000. — № 5. — с. 32 — 36.
- Войцеховский А.В., Григорьев Д. В., Коротаев А. Г., Коханенко А. П. Особенности определения электрофизических параметров варизонных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии // Изв. вузов. Физика. 2004. — № 7. — С. 70 — 71.
- Бахтин П.А., Дворецкий С. А., Варавин B.C., Коробкин А. П., Михайлов Н. Н., Сабинина И. В., Сидоров Ю. Г. Влияние низкотемпературного отжига на электрофизические параметры пленок n-CdHgTe // ФТП. 2004. — Т. 38, В. 10. -С. 1207−1210.
- Ильин В.И., Мусихин С. Ф., Шик А.Я. Варизонные полупроводники и гетероструктуры. Спб.: Наука. — 2000. — 100 с.
- Hansen G.L., Schmit J.L. Calculation of intrinsic carrier concentration in Hgx. iCdxTe //J.Appl. Phys. 1983. — V.54. — P. 1639 — 1640.
- Hansen G.L., Schmit J.L. Casselman T.N. Energy gap versus alloy composition and temperature in HgxiCdxTe // J. Appl. Phys. 1982. — V. 53. — P. 7099 -7101.
- Nishizawa J., Suto K., Kitamuro M., Sato M., Takase Y., Ito A. Electrons and holes in HgTe and HgCdTe with controlled deviations from stoichiometry // J. Phys. Chem. Solids. 1976. — V.37. — P. 33 — 42.
- Бирюлин П.В., Кошелева В. И., Туринов В. И. Исследование электрофизических свойств CdxHgbxTe // ФТП. 2004. — Т. 38. — № 7.1. C. 784−790.
- Dubowski J.J., Dietl Т., Szymanska W. Galazka R.R. Electron scattering in CdxHgi. xTe // J. Phys. Chem. Solid. 1981. — V. 42. — P. 351 — 362.
- Hoschl P., Moravec P., Prosser V., Szocs V., Grill R. Galvanomagnetic properties of p- Hg^CdJe // Phys. Stat. Sol. (b). 1988. — V. 145. — P. 637 -648.
- Бонч-Бруевич В.Jl., Калашников С. Г. Физика полупроводников -М.: Наука. 1977. -672 с.
- Wienecke М., Schenk М., Berger Н. Native point defects in Te-rich p-type Hgi. xCdxTe // Semicond. Sci. Technol. 1993. — V. 8. — P. 299 — 302.
- Dennis P. N. J., Elliot C.T., Jones C.L. A metod for routine characterization of the hole concentration in p-type cadmium mercury telluride // Infrared Phys. 1982. — V. 22. — P. 167 — 169.
- Pickel J.C. Radiation Effects on Photonic Imagers A historical perspective // IEEE Trans. On Nuclear Science. — 2003. — V. 50, № 3. — P. 671 — 688.
- Suffis S., Caes M., Tauvy M., Planchat C., Azais В., Charre P., Vie M. Effects of у radiation on IR photodetectors HgCdTe IRCMOS // Infrared Physics & Technology. 2003. — V. 44. — P. 165 — 175.
- Korotaev A.G., Grigor’ev D.V., Kohanenko A.P., Voitsekhovskii A.V., Datsko
- Voitsekhovskii A.V., Kokhanenko A.P., Korotaev A.G., Grigor’ev D.V., Varavin V.S., Dvoretsky S.A., Sidorov Y.G., Mikhailov N.N. Radiation effects in photoconductive MCT MBE heterostructures // Proc. SPIE, 5136. 2003. -P. 411−415.
- Григорьев Д.В. Радиационная модификация параметров эпитаксиального материала КРТ // Сборник статей молодых ученых «Современные проблемы физики и технологии». Томск. — 2001. — С. 77 — 79.
- Рыбкин С.М. Рекомбинация в полупроводниках // Полупроводники в науке и технике. 1958. — Т. 2. — С. 463 -515.
- Jevtic М.М., Scepanovic M.J. Melting and Solidification in Laser Irradiated HgCdTe. A Numerical Analysis // J. Appl. Phys. — 1991. — V. 53. — P. 332 -338.
- Калиткин Н.Н. Численные методы. М.: Наука. — 1978. — 512 с.
- Блейхер Г. А., Кривобоков В. П., Пащенко О. В. Тепломассоперенос в твердом теле под действием мощных импульсных пучков заряженных частиц. Новосибирск: Наука. — 1999.- 176 с.
- Федоров Н.Д. Краткий справочник инженера-физика. Ядерная физика. Атомная физика. М: Атомиздат. — 1961. — 507 с.
- Малкович Р.Ш. Математика диффузии в полупроводниках. Спб.: Наука. -1999.-389 с.
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергоатомиздат. — 1985. -392 с.
- Горшков А.В., Заитов Ф. А., Асатурова И. С. Закалка точечных дефектов в Cdo.2Hgo.8Te // Материалы Всесоюзного семинара по проблеме «Физика и химия полупроводников». 1987. — с. 38 — 42.
- Григорьев Д.В., Леонтьев Д. В. Профили распределения дефектов в КРТ при ионной имплантации // Сборник статей молодых ученых «Современные проблемы физики и технологии». Томск, 2002. — С. 56 — 58.
- Григорьев Д.В., Леонтьев Д. В. Профили распределения дефектов в КРТ при имплантации ионов аргона и молекулярного азота // Сборник статей молодых ученых «Современные проблемы физики и технологии». Томск, 2003. — С. 71 — 74.
- Григорьев Д.В. Особенности имплантации ионов аргона и молекулярного азота в эпитаксиальные пленки КРТ, выращенные методом МЛЭ // Сборник статей молодых ученых «Современные проблемы физики и технологии». Томск, 2004. С. 81 — 83.
- Wilson R.G. (111) Random and (110) Channeling Implantation Profiles and Range Parameters in HgCdTe // J. Appl. Phys. 1988. -V. 63. — p. 5302 — 5311.
- Mainzer N., Zolotoyabko E. Percolation problem in boron implanted mercury cadmium telluride // J. Electronic Materials. — 2000. — V. 29, № 6. — P. 792 -797.
- Caillot M. Defect creation rates in CdTe irradiated by electrons // Nuclear Instruments and methods. 1978. — V.150. — P. 39 — 42.
- Лиленко Ю.В., Куликаускас, Шастов К.В. Свойства имплантированных слоев Hgi. xCdxTe // Поверхность. Физика, химия, механика. 1988. — № 7. -С. 142−144.
- Барышев Н.С. Свойства и применение узкозонных полупроводников. -Казань: УНИПРЕСС. 2000. — 434 с.
- Войцеховский А.В. Энергетические модели радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках // Матер. II Всесоюзного семинара «Примеси и дефекты в узкозонных полупроводниках». Павлодар, 1989. — Ч. II. — С. 111 -119.
- Brudnyi V.N., Grinyaev S.N., Stepanov V.E. Local neutrality conception: Fermi level pinning in defective semiconductors // Physica В Cond. Matter. 1995. -V. 212.-P. 429−436.
- Геращенко О.А., Федоров В. Г. Тепловые и температурные измерения. Справочное руководство. Киев: Наукова думка. 1965. — 305 с.
- Елизаров А.И., Иванов-Омский В.Щ Корнияк А. А., Петряков В. А. К вопросу об аномалиях кинетических коэффициентов CdHgTe при низких температурах // ФТП. 1984. — Т. 18, В. 2. — С.201 — 205.