Оптические свойства и энергетический спектр локальных центров в кристаллах силленитов германия, кремния и титана
Диссертация
Комплексное исследование оптическими и термоактивационны-ми методами процесса создания пространственного заряда при записи оптической информации в структурах Me (Bij2&l (Ge) 020) Ме (устройства типа ПРОМ, ПРИЗ) показывают, что видимый свет, проникающий в кристаллы на глубину 50 * 100 мкм, уменьшает пропускание устройств в целом (Т = 298 К). Это обусловлено ионизацией связей BL — 0 в комплексном… Читать ещё >
Список литературы
- Гуревич С.Б. Пространственные модуляторы света. — В кн.: Пространственные модуляторы света / Под ред. С. Б. Гуревича -Л. Наука, 1977, с. 1.
- Oliver D.S., Buchan W.R. Optical image storage and proces-sung device using electrooptic ZnS IEEE, Trans, on Electr. Devices, 1971, ED — 18, No 9, p.769−773.
- Hou S.L., Oliver D.S. Pockels readout optical memory ising Bi12Si02Q Appl.Phys. Lett, 1971, V.18, No 8, p.325−328.
- Feinleib I., Oliver D.S. Reusable optical image storage and processing device. Appl. Phys., 1972, V.11, No 12, p.2752−2759.
- Nisenson P., Jutaca S. Real time optical processing with Bi12Si02Q PROMi Appl. Phys., 1972, V.11, No 12, p.2760−2767.
- Roach V/.R. Resolution of Electrooptic Light Valves. IEEE.
- Trans on Electron Devices, 1974, ED 21, No 8, p.453 —
- Lipson S.L., Nisenson P. Jmaging characteristic of the Itclc PROM. Appl. Opt., 197^, v. 13, No 9, P. 2052- 2060т
- Nisenson P., Sprague R.A. Real time optical correlation.- Appl. Opt., 1975, v.4, No 11, p.2602−2606.
- Бережной А.А., Гуревич Б. З., Морозов С. В., Попов Ю. В. Запись оптической информации в кристаллах силиката висмута.- Письма в ЖТФ, 1976, т.2, № 5, с. 198−200.
- Грехов Ю.Н., Котляр П. Е., Нежевенко Е. С., Фельдбуш В. И., Шздеев Н. И. Пространственно-временной модулятор света на монокристалле BL-j-2Ge020 ' ~ Письма Б 1976, т.2, № 10, с. 457−461.
- Хоменко А.В., Ковалев Н. Н., Петров М.11. Оптическая запись информации в PROM- структуре на основе Bij2 St02Q.- Письма в КТФ, 1976, т.2, № 23, с.1095−1098.
- Клипко А.Т., Котляр 11.Е., Нежевенко E.G., Фельдбуш В. И., Шибанов B.C. Пространственно-временные модуляторы света на монокристаллах Bi-?2Ge02Q. Автометрия, 1976, Й2 4, с. 34−43.
- Петров М.П., Хоменко А. В., Березкин В. И., Красильникова М.В. Предельная разрешающая способность транспоранта на основе
- Bi.St02Q. Микроэлектроника, 1979, т.8, № I, с. 20−23.
- Петров М.П., Хоменко А. В., Мзрахонов В. И., Шлягин М. Г. Нестационарные явления в пространственно-временном модуляторе света. Письма в ЕТФ, 1980, т.6, № 7, с.385−388.
- Петров М.П., Марзхонов В. И., Шлягин М. Г., Хоменко А. В., Красильникова М. В. Применение пространственного модулятора ПРИЗ для обработки информации. КТФ, 1980, т.50, № 6, с. I3II-I3I4.
- Фельдбуш В.И. Управляемый транспарант для оконтуривания изображений. Автометрия, 1980, № 6, с. I08-II0.
- Хоменко А.В., Мзрахонов В. И., Шлягин М. Г. Фурье анализ изображений с помощью модулятора ПРИЗ. — В кн.: Применение методов оптической обработки информации и голографии /Под ред. С. Б. Гуревичэ и В. К. Соколова — Л. ЛИЯФ, 1980, с.238−242.
- Петров М.П. Обработка информации с помощью модуляторов света на основе электриоптических кристаллов. В кн.: Применение методов оптической обработки информации и голографии. / Под. ред. С. Б. Гуревича и В. К. Соколова — Л. ЛИЯФ, 1980, с. 223−236.
- Астратов В.Н., Ильинский А. В., Резников С. Н., Рысаков О. М. Формирование изображения на пластинах из20 и Bc.j2Ge020 ^ 001 ^ и (^ среза при их разрядке электронным пучком. Письма в 1ТФ, 1982, т.8, № 17, с. 1056−1059.
- Casasent D., Caimv F., Petrov M.P., Khomenko A. A. Applications of the Priz bight modulator. Appl. Opt., 1982, v.21, No 27, p. 3846 — 3852.
- Peltier M., Micheron F. Volume hologram recoding and charge transfer process in Bi^SiC^Q g^ Bi^GeC^Q. I. Appl. Phys. 1977, v.48, No 9, p. 3683 — 3690.
- Кобаяси Дж., Уезу Ю. Оптическая память, принципы записи и исследуемые материалы. Автометрия, 1978, № I, с. 4−15.
- Huignard I.P., Hicheron F. High sensitivity read-write volume holographic storage in Bi^SiC^O ^^ crystals. — Appl. Phys. Lett., 1976, v. 29, p. 591- 593.
- Venturine E.L., Spencer E.G., Ballman A.A. Elasto-Optic Properties of Bi^GeO^, Bi^SiO^, andOg. -I. Appl.Phys., 1969, vol.40, N 4, p. 1622 1624.
- Лямов В.Е., Маматова Т. А., Крышнева Г. В. Анкустические свойства кристаллов германата висмута. М. МГУ, 1974.
- Петров М.П., Грачев А. И. Фотогальванический эффект в силикате висмута (Bij2 S?02q). Письма в 1ТФ. 1979, т. З, 1. I, с. 18−21.
- Барсукова M.JI., Каримов Б. Х., Кузнецов В. А., Магометов P.M., Фрадкин В. М. Фотовольтаический эффект в пьезоэлектрике BtI2TC02O. ФТТ, 1980, т.22, № 9, с. 2870−2871.
- Багликов В.Б., Корнетов В. Я., Огнев А. Н., Попов Б. Н. Фотогальванический эффект в тонких пленках Bi j2Se02Q. Письма в Ж5ТФ, 1983, т.37, г/Л. с. 3−5.
- Сафонов Г. М., Батог В. Н., Красилов Ю. И., Пахомов В. И., Федоров П. М., Бурков В. И., Скориков В. М. Некоторые физико-химические свойства силикатов и германатов висмута силле-нит типа. — Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1970, т.6, № 2, с. 284−288.
- Антонов-Романовский В.В. О рекомбинационной фосфоресценции. Изв. АН СССР. Сер. ушз., 1946, т.10, № 5−6, с. 477−487.
- Lauer Е.В. Electron effective mass and conduction Jand effective density of states in Bi^SiOgQ. Appl. Phys. 1974, vol.45, N 4, p. 1794 — 1797.
- Березкин В.И. Оптические и термические переходы в силикатевисмута. ФТТ, 1983, т.25, л/2., с. 490−494.1.L.
- Abrachams S.C., Jamieson Р.В. Bernstein Crystal structure of pieroelectric vismuth germanium oxi^e Bi^GeC^Q.1. chem. Phys. 1967, Vol.47, N 10, p. 4034 4041.
- Ермаков М.Г., Хомич А. В., Петров П. И., Горн И. А., Куча В. В. Локальные центры в кристаллах силиката висмута. Микроэлектроника, 1982, т. II, № 5, с. 424−429.
- Таиворон В.Г., Перов П. И., Соболев А. Т. Фотопроводимость в Blj2 и влияние на нее лазерного излучения. В кн.: Тезисы 1У Всесоюзной конференции по физическим основам передачи информации лазерным излучением. Киев, 1976, с. 34.
- L.G.Sillen. ксkiv kemi. Min. Geol. 1937 12 A (18), 1,
- Сперанская Е.П., Аршакуни А. А. Система окись висмута- двуокись германия. Журнал неорганической химии, 1964, т.9, № 2, с. 414−421.
- Сперанская Е.П., Рез И.С., Козлова Л. В., Скориков В.id., Славов В. И. Система окись висмута двуокись титана.- Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1965, т.1, № 2, с. 232−235.
- Сперанская Е.П., Скориков В. М. О титанатах и ферритах висмута. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т. З, № 2, с. 341−344.
- Сперанская Е.П., Скориков В. М. К вопросу о силленит -фазе. Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1967, т. З, № 2, с. 345−350.
- Сперанская Е.П., Скориков В. М., Сафронов Г. М., Миткина Г. Д. Система Ы^ Si 02. — Изв. АН СССР. Неорганические материалы, 1968, т.4, № S, с. 1374−1375.
- Литвин Б.Н., Шалдин Ю. В., Питовранова И. Е. Синтез и электрооптические свойства монокристаллов Si силленита. — Кристаллография, 1968, № 13, с. IIQ6-II08.
- Сафонов А.Н., Барышев С. А., Никифорова Т. И., Антонов Г. Н., Федулов С. А. Выращивание и оптические свойства монокрис-. таллов Blj2 StO^Q • Кристаллография, 1968, № 13, с. 914−915.
- Завьялова А.А., Имамов P.M. К вопросу о кубической структуре t Вс^Оз- - Кристаллография, 1969, т.14, № 2,с. 231−233.
- Кузминов К).С., Лифшиц М. Г., Сальников В. Д. Выращивание и физико-химические свойства соединений Btj-^GeO^g к
- ВЦ (GeO^ Кристаллография, 1969, т.12, №"2, е. 363−365.
- Ивлевз Л.И., Кузьминов Ю. С., Получение монокристаллических пластин С".(VO^ и Bt-^ScO^Q из расплава способом Степанова. Изв. АН СССР. Серия физическая, 1983, т.47, № 2, с. 395−398.
- Levin Е.М., Roth R.S., Polumorphysm of Vismuth sesguioxide. I. Pure Ъ±20у I. Research Nat. Bur. Stan, 1964, Vol.68 A, N 2, p. 189 — 195.
- Levin E.M., Roth R.S. Polumorphysm of vismuth sesguioxide II Effect of oxide addition on the polumorphysm of- I. Research Nat. Rur. Stan, 1964, Vol. 68 A, N 2, p.197- 206.
- Ballman A. A. The growth and properties of pieroelectric vismuth germanium oxide Bi^GeC^Q. I. of Crystal. Growth, 1967, vol. 1, N 3, p. 37 40.
- Bernstein I.L. The anit cell, and space group of piezoelectric vismuth germanium oxitle (В12^еО20). I. of Crystal. Growth. 1967, vol. 1, N 3, p. 4−5 — 46.
- Копылов Т. JL, Кравченко’В.Б., Куча В. В., Соболев А. Т. Исследование оптической однородности монокристаллов диэлектриков для опто электронных устройств. Микроэлектроника, 1978, т.7, № 5, с. 412−420.
- Abrahams S.C., Bernstein J.L., Svensson С. Crystal structure and absolute piezoelectric d-74. coefficient in laevorotatory Bi^SiOgQ. I. Chen. Phys., 1979, vol.71, N 2, p. 788 — 792.
- Altirich. R.E., Hou S.L., Harvill M.L. Electrical and optical properties of Bi^SiC^Q. ~ -1-* ДРР1″ Phys., 1971, vol.42, N 1, p. 493 494.
- Hou S.L., Lauer R.B., Altrich R.E. Transport processes of photoinduced carriers in Bi^SiO^Q. I. Appl. Phys., 1973, vol. 44, N 6, p. 2657 — 2658.
- Lenzo P.V. Ligth and Electric — Field — Dependent Oscillation of space — charge — limited current in Bi^GeO^Q.- I. Appl. Phys., 1973, vol. 43, N 3, P. 110 — 1112.
- Реза А.А., Сенуленко Д. Б., Беляев В. А., Леонов Е. И. Оптические свойства монокристаллов BL-j^ SI^q. Письма в ЕТФ, 1979, т.5, № 8, с. 465−469.
- Efendiev S. М., Bagiev V.E., Zeinally А. С ., Skorikov V.M. Optical transitron in Bi^SiC^o' Phys. Stat Sol., 1978, V (a) 50, p. К 141 — 1С 143.
- Futro А.Т., Lukasiewicz Т., Zmija J. Circular birefringence in bismuth germanium oxitle (Bi^GeO^). ~ Phys. Stat. Sol., 1976, V (a) 37, p. К 75 К 7961. Беляев В. А., Бирюлин Ю. Ф. Бондарев А.Д., Леонов Е. М.,
- Douglas G.G., Zitler R.N. Transport procesess of photoiudu-ced carroers in bismuth germanium oxitle (В:Ц2
- Appl. Phys., 1968, Vol.39, N 4, p.2133 2135.
- Байрамов Б.X., Захарченя Б. П., Хашхожев 3.U. Исследование самофокусировки излучения в BLj2®e02Q с помощью комбинационного рассеяния. ФТТ, 1972, т.14, № 5, с. 1374- 1383.
- Бабонос Г. А., Бондарев А. Д., Леонов Е. И., Реза А. А., Сену-лене Д.Б. Пространственная неоднородность поглощения в кристаллах BcI2 Si020. ЖГФ, 1981, т.51, № 8, с. I7QI--1702.
- Панченко Т.В., Трусеева Н. А., Резницкая Н. Я. Оптическое поглощение легированных кристаллов силикосилленита в видимой и инфракрасной области спектра. В кн.: Кристаллы активных диэлектриков. Днепропетровск, ДГУ, 1982, с. 113−123.
- Костюк В.Х., Панченко Т. В., Трусеева Н. А. Влияние нестехиометрии состава монокристаллов на свойства силикосилленита. В кн.: Кристаллы активных диэлектриков. Днепропетровск, ДГУ, 1982, с. 130−138.
- Wardzynski W., lukasiewiez Т., Zmija I. Reversible photo-chromic effects in dopec single cristals of bismuth germanium (Bi2 Ge02Q) and bismuth silicon oxide (Bi, j2 Si020> Opt.Comm. 1970, Vol.30, N 2, p.203 — 205.
- Александров К.С., Анистратов А. Т., Грехов Ю. Н., Малышев Н. Г., Сизых А. Г. Оптические свойства монокристаллов Б2®е020 легированных алюминием и бором. Автометрия, 1980, № I, с. 99−101.
- RehwalcL W., Prick К., Lang G.K., Meier Е. Dopin effects uppon the ultrasonie aiienuotion of Bi,^ SiC^Q. I. Appl. Phys., 1976, Vol.47, N 4, p.1292 — 1294.
- Кухарский А.А., Панченко Т. В. Влияние некоторых примесей на спектры комбинационного рассеяния света в силикате висмута. ФТТ, 1979, т.21, № II, с. 3477−3479.
- Гудаев О.А. 0 типе основных носителей в кристаллах германата висмута. Автометрия. 1980, № I, с. 106−108.
- Быковский Ю.А., Зуев В. В., Кирюхин А. Д., Скориков В. М., Чмырев В. И. Фотоэлектрические свойства Bij2@e020' ФТП, 1978, т.12, № 10, с. 2004−2006.
- Захаров И.С., Акинфиев П. П., Петухов П. А., Скориков В. М. Определение некоторых электрофизических параметров кристаллов германата висмута. Изв. ВУЗов «Физика», № 3, 1978, с. I2I-I24.
- Захаров М.С., Петухов Г. А., Скориков В. М. Импульсная фотопроводимость в кристаллах германата висмута. Изв. ВУЗов «Физика», 1978, № 5, с. 132−144.
- Авроменко В.П., Клименко А. П., Кудзин А. Ю., Соколянский Г. Х. Прыжковая проводимость монокристаллов германата висмута.- ФТТ, 1977, т.19, № 4, с. I20I-I204.
- Камшилин А.А., Петров М. П. Инфракрасное гашение фотопроводимости и голографическая запись в силикате висмута. -ФТТ, 1981, т.23, № 10, с. 3II0−3II6.
- Гудаев О.А., Малиновский В. К. Эксклюзия в широкозонных полупроводниках. ФТП, 1981, т.15, № 5, с. 868−872.
- Анцыгин В.Д., Гудаве О. А., Малиновский В. К. Нелинейный фотоотклик в структурах М (Bi.j-2G7e02Q) М. Автометрия, 1980, № I, с. I09-II3.
- Гудаев О.А., Косцов Э. Г., Малиновский В. К. Инжекционный контакт к широкозонным диэлектрикам. Автометрия, 1978, № I, с. 92−96.
- Гудаев О.А., Детиненко В. А., Малиновский В. К. Энергетический спектр и природа глубоких уровней в кристаллах германата висмута. ФТТ, 1981, т.23, № I, с. 195−201.
- Гуенок Е.П., Кудзин А. Ю., Соколянский Г. Х. Стимулированная проводимость монокристаллов BLj29e02Q. Ш, 1976, т.21, № 5, с. 866−867.
- Анистрзтов А.Т., Воробьев А. В., Грехов Ю. Н., Малышевский Н.Г Темновая проводимость и фотопроводимость кристаллов (германата висмута) германосилленита легированных алюминием и бором. ФТТ, 1980, т.22, № 6, с. 1865−1876.
- Костюк В.Х., Кудзин А. Ю., Соколянский-Г.Х.Фотоперенос в монокристаллах BLI2S-020 и BlI2Se02Cj. ФТТ, 1980, т.22, № 8, с. 2454- 2А57.
- Лебедева Н.Н., Мордуханов А. Р., Зейналлы А. Х. Осциляции фототока при возбуждении германата висмута коротким импульсом света. Письма в ЖТФ, 1979, т.5, № 17, с. 1082−1086.
- HayakowaH., Xoshisato Y, Mikoshiba N. Carrier transport and current oscillation in Bi2 Ge02Q in the «„relaxation semiconductor regime“ I. Appl. Phys., 1973, Vol. 44,1. N 6, p.2897 2899.
- Lenzo P.V., Spenser E. G., Ballman A.A. Photoactivity in bismut germanium oxi&e. Phys. Rev., Lett., 1967, Vol.19, N 11, p.641 — 644.
- Orlowski K., Kratzig H., Holographie method for the detev-' mination of photoinduced eleetron and hole transport inelectrooptic crystale. Sol. Stat. Comm., 1978, Vol.27,1. N 12, p.1354 1357.
- Пенчива Т.Г., Степанов O.K. 0 знаке подвижных носителейтока в кубических фоторефрактивных кристаллах ВС-^ (St, Ge, TL) 02Q. ФТТ, 1982, т.24, № 4, с. I2I4-I2I6.
- Lauct R.B. Photoluminescense in Bi2 and Bi2 QeO^Q-- Appl.Phys.Lett. 1970, Vol.17, N 4, p.178 179.
- Панченко Т.В., Кудзин А. Ю., Трусеева Н. А. Термостимулиро-ванные токи в монокристаллах Вс-^Si02Q. ФТТ, 1980, т.22, К» 6, с. I85I-I854.
- Эфендиев Ш. М., Юсифов Ф. К., Багиев В. Э., Доан Ван Ро. Уровни прилипания в кристаллах типа силленита. В кн.: Тезисы докладов «Республиканский симпозиум по физическим свойствам сложных полупроводников», Баку, БГУ, 1978, с. 69.
- Миридонов С.В., Петров М. П., Степанов С. И. Дифракция света на объемных голограммах в оптически активных фоторефрактивных кристаллах/ Письма в ЖТФ, 1978, т.4, № 16, с. 976−980.
- Камшилин А.А., Петров М. П. Голографический преобразователь изображений на монокристалле Bij2 Sl02q . Письма в ЖТФ, 1980, т.6, № 6, с. 337−341.
- Пенчева Т.Г., Степанов С. И., Миридонов С. В. О тонкой структуре максимума дифракции света на объемной голограмме в BlI2St020. ЖТФ, 1983, т.53, № I, с. 114−117.
- Проверка приборов для температурных и тепловых измерений.- Сб. инструкций, методических указаний, гос. стандартов. Изд. Стандартов. М., 1965.
- Hennessey P., Vedam К. Piezo- and thermooptical properties of Bi^g GeO go • ~ Optical rotatory dispersion. I Optical. Socicty of America, 1975, Vol. 65, N 4, p.436- 441.
- Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников. М. Наука, 1977, с. 65.
- Принсгейм П. Флуоресценция и фосфоресценция. ИЛ, М, 1967.
- Паркер С. Фотолюминесценция растворов. Мир, М, 1972.
- Лущик Ч.Б. Исследование центров захвата в щелочно-галоид-ных кристаллофосфорах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1955, № 3,
- Соломин С.С."ДАН СССР, 1941, № 31, с. 741.
- Анцыгин В.Д., Гусев В. А., Елисеев А. П., Котляр П. Е., Расторгуев А. А. Фото- и термолюминесценция Btj2Ge02Q . -Автометрия, 1980, № I, с. 102−106.
- Гудаев О.А., Гусев В. А., Детиненко В. А., Елисеев В. А., Малиновский В. К. Уровни энергии в запрещенной зоне кристаллов Bij20eO2Q, BlI2St02Q. Автометрия, 1981, № 5,с. 38−47.
- Елисеев А.П., Гусев В. А. Люминесценция монокристаллов в Blj23 02q (Э = Ge, Si, Тс). В кн.: Тезисы докладов ХХУП Совещания по люминесценции (кристаллофосфоры), Эзер-ниеки, Латв. ССР, 13−16 мая 1980, с. 153.
- Гусев В.А., Елисеев А.II. Фотолюминесценция монокристаллов
- BLI2Ge02Q. Автометрия, 1981, № 5, с. 47−52.
- Лущик Ч.Б., Гиндина Р. И., Лущик Н. Е. Электронные возбуждения и радиационные дефекты в кристаллах л/лЬг. -Труды ИФА АН ЭССР, 1975, т.44, с. 3−10.
- Hoogenstraaten W, Electron traps in 2>ns phosphorus. -Phillips.Hes.Rep., 1958, Vol.13, N 6, p.515 693.
- Gobrecht H., Hofmann D. Erhohtes Ejvergi Auflosungswer-mogen bei der ttaftstellenspektroskopie durch Anwendurg der «FraJrtionierten glow Tehnik». Phys. Kondens. Mate-rie. 1966, Bd.5, H 1, S.39 — 47.
- Антонов-Романовский В. В. Кинетика фотолюминесценции крис-таллофосфоров. М. Наука, 1966.
- Елисеев А.П., Надолинный В. А., Гусев В. А. Влияние облучения на свойства монокристаллов В^Э 02q (Э = Ge, Sc, Тс). В кн.: Тезисы докладов X Уральского совещания по спектроскопии. (Свердловск, 26−28 ноября, 1980), 1980, с. 45.
- Yolisseyev А.P., Hacoliny V.A., Gusev V.A. Vacancy centers in Bi^ R02q (E=Si^ Ti$e) single crystaln. In: Rroc. Int.Cont. «Defects in insulating crystals». — Riga, Zintnane. 1981, p.345 — 346.
- Елисеев А.П., Надолинный В. А., Гусев В. А. Вакансионные центры в монокристаллах Bi.j2R 02q (К. = Sc, Тс, Se). Журнал структурной химии, 1982, т.23, № 3, с. I8I-I82.
- Марфунин А.С. Спектроскопия, люминесценция и радиационные центры в минералах. М. Недра, 1975, с. 263−264.
- Детиненко Б.А. Исследование диффузинных процессов в мно -гослойных структурах методом анодного потенциала. Автометрия, 1976, М, с. 57−62.
- Выращивание и исследование свойств кристаллов титаносил -ленита и его аналогов для систем оптической обработки информации. Отчет по НИР МХТИ им. Д. И. Менделеева, М., 1982, Гос. per. JS У 62 472.
- Жданов В.Г., Малиновский В. К., Соколов А. П. Фотоиидуциров-ванные изменения структуры пленок холькогенидных стеклообразных полупроводников. Автометрия, 1981, 1&-5,с. 3−13.
- Любин В.М. Фотостимулированные структурные превращения в аморфных полупроводниках. В кн.: Сборник докладов кон -ференции «Аморфные полупроводники" — 82» «Р». Бухарест, 1982, с.19−24.
- Камшилин А.А. Нелинейные явления при голографической записи в фоторефрактивных кристаллах LitJ&O^ Автореф. дис. на соиск. учен, степени канд. физ.-мат. наук. Л., ЛФТИ, 1982, с. 10.