Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптические свойства наноразмерных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала

Диссертация: Оптические свойства наноразмерных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Оптические свойства наноразмерных тонких пленок зависят от толщины пленки, материала подложки и качества подготовки её поверхности. Так для образцов пленок Si02, полученных в условиях промышленного производства методом плазмохимического осаждения, показатель преломления увеличивается (2,0) с уменьшением толщины пленки, а при магнетронном ионно-плазменном распылении — уменьшается (1,35… Читать ещё >

Оптические свойства наноразмерных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. СТЕКЛООБРАЗНЫЕ ТОНКИЕ ПЛЕНКИ. ПОЛУЧЕНИЕ И 10 СВОЙСТВА
    • 1. 1. Стеклообразное состояние вещества
      • 1. 1. 1. Особенности стеклования и стеклообразного состояния
      • 1. 1. 2. Строение неорганических стекол
    • 1. 2. Методы получения стеклообразных тонких пленок
      • 1. 2. 1. Ионно — плазменное распыление
      • 1. 2. 2. Золь — гель метод
      • 1. 2. 3. Металлические стекла
      • 1. 2. 4. Окисление и анодирование
      • 1. 2. 5. Плазмо — химические методы
    • 1. 3. Оптические свойства в ИК — области спектра
    • 1. 4. Подложки для тонких пленок
      • 1. 4. 1. Материалы и методы получения
      • 1. 4. 2. Оптика шероховатых поверхностей
      • 1. 4. 3. Фрактальные свойства шероховатых поверхностей

Актуальность работы. Одним из важных направлений современной энергетики является широкое использование солнечного излучения. Важную роль в преобразовании солнечной энергии в электрическую энергию должны сыграть полупроводниковые солнечные элементы. Однако, чтобы они могли конкурировать с другими способами получения энергии, необходимо повысить эффективность их работы и снизить стоимость. Коэффициент полезного действия полупроводниковых солнечных элементов, возможно, существенно повысить путем использования антиотражающих тонкослойных покрытий. Поэтому актуальной становится задача получения тонких наноразмерных слоев оксидов различных металлов, нанесенных на поверхность полупроводниковой пластины. Современные технологии получения тонких пленок позволяют существенно расширить возможности их использования в различных областях промышленного производства. В тоже время современные методы получения тонких пленок являются не только инструментом для их нанесения, но и методом, который позволяет формировать состав, структуру и свойства пленок, придавая им тем самым оптические свойства, качественно отличающиеся от свойств исходного материала. В результате создается возможность целенаправленного формирования оптических свойств пленок и придания им статуса многофункциональности [1]. Наиболее перспективными для дальнейшего применения являются пленки оксидов кремния и тантала. Характерной особенностью тонкопленочных структур на основе тантала и кремния является их многофазность и неопределенность состава. Эксперименты показывают, что структура таких тонких пленок является преимущественно аморфной, а их состав существенно отличается от стехиометрического, 5 поэтому оптические свойства тонких слоев существенно отличаются от свойств монокристаллического материала. Кроме того оптические свойства этих слоев в значительной мере зависят от свойств подложки, на которую они наносятся, а также от состава и структуры поверхностных и адсорбированных слоев.

Цель работы: исследование оптических свойств тонких стекловидных пленок оксидов кремния и тантала, полученных методами ионно-плазменного распыления, плазмохимического осаждения, анодирования, термического окисления, осаждением из пленкообразующих растворов на монокристаллические полупроводниковые, поликристаллические керамические и стеклянные подложки, и разработка эффективных оптических методов контроля их качества.

Объекты исследования. Наноразмерные стекловидные пленки оксидов тантала и кремния на подложках из монокристаллического кремния, поликристаллического оксида алюминия и кварцевого стекла.

Научная новизна.

1. Установлена зависимость физических свойств наноразмерных стекловидных пленок на основе оксидов кремния и тантала от метода их получения и показано, что пленки, полученные методом ионно-плазменного распыления, имеют преимущественно аморфную структуру с некоторой долей (до 30%) поликристаллической фазы.

2. Установлено влияние материала подложек и качества подготовки их поверхности на структуру и оптические свойства наноразмерных пленок и показано, что на оптические свойства пленок оказывают влияние как шероховатость поверхности подложек, так и адсорбированные на поверхности вещества.

3. Предложена оптическая модель тонкой пленки, нанесенной на шероховатую поверхность, и показано, что оптические свойства такой пленки зависят от угла падения света.

4. Разработаны комплексные методы исследования оптических характеристик наноразмерных пленок в широком диапазоне длин волн от 190 нм до 50 мкм.

Положения, выносимые на защиту.

1. Оптические свойства, структура и фазовый состав наноразмерных, стекловидных пленок оксидов тантала и кремния в значительной мере определяется методом их получения. Наиболее близкими по характеристикам к исходному материалу обладают пленки, полученные ионно-плазменным методом.

2. Оптические свойства наноразмерных тонких пленок зависят от толщины пленки, материала подложки и качества подготовки её поверхности. Так для образцов пленок Si02, полученных в условиях промышленного производства методом плазмохимического осаждения, показатель преломления увеличивается (2,0) с уменьшением толщины пленки, а при магнетронном ионно-плазменном распылении — уменьшается (1,35).

3. При эллипсометрических измерениях показатель преломления, показатель поглощения и толщина наноразмерных пленок являются функциями длины волны излучения и угла падения лазерного луча, что обусловлено рельефом поверхности подложки.

Практическая ценность.

1. Полученные результаты и разработанные методы исследования оптических свойств тонких наноразмерных пленок могут быть использованы как в условиях серийного производства полупроводниковых приборов в ОАО НИИПП, НПФ «Микран», так и при выполнении научно-исследовательских и учебно-практических работ в лабораторных условиях ТУСУР.

2. Установленные закономерности изменения состава и структуры тонких пленок соединений тантала позволяют оптимизировать технологические режимы их получения при изготовлении полупроводниковых солнечных элементов, полупроводниковых источников света и гибридных интегральных схем СВЧ диапазона.

3. Разработанные методики исследований используются в учебном процессе кафедры физической электроники ТУСУР при изучении курса «Методы исследований материалов и структур электроники». Разработанные методы контроля технологических процессов позволят повысить качество изделий полупроводниковой электроники.

Достоверность полученных результатов.

Обеспечивается применением современных взаимодополняющих методов исследования, сопоставлением полученных данных с результатами, полученными на тех же образцах различными организациями.

Личный вклад автора.

Автором работы проведены исследования оптических характеристик наноразмерных тонких пленок, разработаны экспериментальные методы исследования, проведен анализ полученных результатов.

Апробация работы. Результаты работы представлялись и докладывались на конференциях: на 12-ой Всероссийской научной конференции студентов — физиков и молодых ученых (г. Новосибирск, НГУ,.

2006) — на 4-ой Международной научно-практической конференции.

Современные тенденции развития аграрной науки в Сибири" (г.

Новосибирск, НГАУ, 2006) — на научно-практической конференции.

Современные проблемы и достижения аграрной науки" (г. Томск, 2005,.

2006, 2010) — на 5 Международной конференции «Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах» (г. Томск, 2006) — на региональной научно-практической конференции молодых ученых и студентов «Научная сессия ТУСУР» (г. Томск 2006) — на региональной конференции «Аграрная наука — сельскому хозяйству» (г. Барнаул, 2007,.

2008, 2010) — на 10-ой Международной конференции по научному обеспечению АПК азиатских территорий (г. Улан-Батор, 2007) — на 6-ой 8.

Международной конференции «Наука и инновации агропромышленного комплекса» (г. Кемерово, 2007) — на 10-ой Международной конференции «Gas Discharge Plasmas and Their Applications» (г. Томск, 2007).

Публикации.

По теме диссертации опубликовано 15 работ, включая 3 статьи в рецензируемых изданиях, рекомендуемых ВАК, и 12 тезисов докладов на международных, всероссийских и региональных конференциях.

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ.

1. Наноразмерные пленки Si02 и Та205, полученные методами ионно-плазменного распыления, плазмохимического и анодного осаждения, имеют преимущественно аморфную структуру и могут быть отнесены к стекловидным материалам.

2. Структура, химический и фазовый состав, полученных стекловидных пленок оксидов кремния и тантала, имеют существенные различия в зависимости от метода их получения и толщины пленки.

3. Полученные ионно-плазменным распылением оксидные пленки кремния и тантала характеризуются большой неоднородностью фазового состава, структуры и оптических свойств по толщине пленки.

4. Из температурных зависимостей электрического сопротивления тонких пленок соединений тантала следует, что их фазовый состав состоит, как минимум, из двух типов фаз, одна из которых обладает металлической проводимостью, а другая — термоактивационной проводимостью.

5. Оптические свойства тонких пленок соединений тантала в видимом и инфракрасном диапазоне длин волн изменяются в широком диапазоне в зависимости от условий их получения.

6. Измеряемая величина показателя преломления наноразмерных, тонких пленок, нанесенных на реальные подложки зависит от длины волны излучения, угла падения луча света и от рельефа поверхности подложки.

7. Разработанные методы контроля оптических характеристик пленок и геометрических размеров могут быть рекомендованы к использованию в условиях мелкосерийного производства НИШ III и НПФ «Микран».

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.М. Современные представления о строении стекол и их свойствах / М. М. Шульц, О. В. Мазурин. JL: Наука, 1988. — 198 с.
  2. B.C. Физическая химия силикатов и других тугоплавких соединений / B.C. Горшков, В. Г. Савельев, Н. Ф. Федоров. — М.: Высшая школа, 1988.-400 с.
  3. Vinter — Klein A. Les formateurs des verres et la tableau periodique des elements /Vinter -Klein A. //Verres et reif. 1955.- Vol. 9.-P. 147- 156.
  4. P.JI. Химические особенности полимерных веществ и природа стеклообразования // Стеклообразное состояние.- I960.- С. 61 71.
  5. В.Ф. Влияние химической связи на стеклообразование и свойства стекол // Стеклообразное состояние. 1971.-С. 87 — 92.
  6. Revelli I. F. Prism coupling into clad uniform optical waveguides/ Revelli I. F., Sarid D // J. Appl. Phys. 1980. — Vol. 51, N 7. -P. 3566 — 3575.
  7. Просветление оптики / И. В. Гребенщиков и др.- под ред. И. В. Гребенщикова. М.: Гостехиздат, 1946. — 276 с.
  8. Schneider Е. Temperature dependence of the refractive index of strontium titanate and prism coupling to lithium niobate optical waveguides / Schneider E., Cressman P. I. // J. Appl. Phys. 1982. — Vol. 53, N 6. -P. 4054−4059.
  9. Тонкие неорганические пленки в микроэлектронике / А. И. Борисенко и др.- под ред. В. В. Новикова. JL: Наука, 1972.- 114 с.
  10. Ю.Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного полупроводникового материаловедения / Л. С. Палатник, В. К. Сорокин. М.: Энергия, 1973. -295 с.
  11. P.P. Эллипсометрия в микроэлектронике / P.P. Резвый. М.: Радио и связь, 1983. — 120с.
  12. В.В. Тонкие пленки в технике СВЧ / В. В. Слуцкая. М.: Сов. радио, 1967. — 380 с.
  13. Иванов-Есипович Н. К. Инженерные основы пленочной микроэлектроники / Н.К. Иванов-Есипович. Л.: Энергия, 1968. -176. с.
  14. И.П. Эпитаксиальные пленки соединений AB / И. П. Калинкин, В. Б. Алесковский, A.B. Симашкевич. Л.: Изд-во ЛГУ, 1978.- 156 с.
  15. В.И. Обработка монокристаллов в микроэлектронике / В. И. Корбань, Ю. И. Борзанов. -М.: Радио и связь, 1988. 104с.
  16. Ю. М., Копылов Ю. А., Котелянский И. М. Простой метод определения профиля диффузионных волноводов. Кв. эл., 1981, т. 8, № 2, с. 378−381.
  17. .Г. Стеклянные подложки в производстве прецизионных фотошаблонов / Б. Г. Грибов, A.M. Мазин, Р. А. Родионов, J1.H. Шевякова // Обзоры по электронной технике. сер. 6, вып. 4(1133), 1985.-Сер. 6, № 4(1133). — 38с.
  18. В.В. Редкоземельные элементы и их соединения в электронной технике / В. В. Серебренников и др.- под ред.
  19. B.В. Козика. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1980. — 156 с.
  20. Дж. Обработка поверхности и надежность материалов / Дж. Бурке.-М.: Мир, 1985.- 192 с.
  21. А.Н. Тугоплавкие оксиды и их соединения в тонком слое / А. Н. Сергеев. — Томск: Изд-во Том. ун-та, 1988. 300 с.
  22. Н.И. Пленки оксидов и их соединения в планарных оптических устройствах / Н. И. Анацкая, JI.A. Осадчев, А. Н. Сергеев и др. // Обзоры по Эл. тех. Сер. Материалы. М.: ЦНИИ «Электроника», 1983, вып. (846).-53 с.
  23. I. Т. Integrated optical silicon photodiode array / Boyd I. T., Chen С. L. // Appl. Opt. 1976, Vol. 15, N 6. — P. 1389 — 1393.
  24. A.C. Оптика шероховатой поверхности / A.C. Торопец. JI.: Машиностроение, 1988. — 191с.
  25. Л. А. О применении призм со сферическим основанием в экспериментальных исследованиях оптических волноводных систем / Осадчев Л. А., Смирный В.В.// Оптика и спектры.- 1977. Т. 42, № 1,1. C. 552 555.
  26. В.И. Поли функциональные неорганические материалы на основе природных и искусственных соединений / В. И. Верещагин и др.- под ред. В. И. Верещагина. Томск: ТГУ, 2002. — 359 с.
  27. Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок / Н. В. Суковская. Л.: Химия, 1971.- 230 с.
  28. Weber H. P. Absorption srectroscopy in scattering samples using integrated optics / Weber H. P., Dunn T. A., Liebolt W. N. // J. Appl. Phys. 1973. -Vol. 12, N5.-P. 755−758.
  29. Won Y. H. Three-prism loss measurements of optical waveguides / Won Y. H., Janssaud P. C., Chartier G. H. // App. Phys. Lett. 1980. -Vol. 37, N3,-P. 269−271.
  30. M. Введение в интегральную оптику / М. Барноски и др.- под ред. М. Барноски М.: Мир, 1977. — 367 с.
  31. Sasaki К. Mode coupling between slab-type optical waveguides via dichroic absorption of M-centers // Sasaki K., Kmimura T., Kaneko H. -App. Phys. 1979. — Vol. 50, N 11. — P. 6688 — 6681.
  32. С. M. Использование поверхностных оптических и акустических волн для исследования материалов в тонком слое / Шандаров С. М, Сергеев А. Н. // Поверхность и новые материалы. -Свердловск: Изд-во ИХ УНЦ АН СССР, 1984 С. 144 — 145.
  33. Т. Интегральная оптика / Т. Тамира и др.- под ред. Т. Тамира— М.: Мир, 1978.-442 с.
  34. А.Н. Волноводное распространение света как метод исследования материалов / Сергеев А. Н., Шандаров С. М. // Методы исследования неорганических веществ. Томск: Изд-во ТГУ, 1983. -С. 159- 183.
  35. Papuchon М. Improved ray representation for planar opyical waveguides / Papuchon M., Combemale Y., Ostrowsky D. B. // Opt. Com. 1975. -Vol. 2, N2.-P. 418−424.
  36. White J. M., Heichrich P. F. Optical waveguide refractive index profiles determing from measurement / White J. M., Heichrich P. F. // Appl. Opt. -1976, — Vol. 15, N 1. P. 151 — 154.
  37. Г. Д. Золь-гель процесс в керамической технологии / Г. Д. Семченко. Харьков, 1997. — 143 с.
  38. Hashimoto М. A Numerical method of determing propagation characteristics of guided waves along inhomogeneous planar waveguides / Hashimoto M. A // J. Appl. Phys. 1979. — Vol. 50, N 4. — P. 2513 — 2518.
  39. О. О восстановлении профиля показателя преломления в диффузионных волноводах / Парье О., Сычуров В. JL, Тищенко А. В. // Кв. эл. 1980. — Т. 7, № 9. — С. 2028 — 2031.
  40. А. И. Об определении профиля показателя преломления меломодовых планарных волноводов / Войтенков А. И., Могилевич В. Н. //Кв. эл. 1983.-Т. 10, № 10. — С. 2128−2131.
  41. Minakato М. Precise determination of refractive — index changes in Ti-diffused LiNbOs optical waveguides / Minakato M., Saito S., Shibata M. // J. Appl. Phys. 1978. — Vol. 49, N 9. — P. 4677 — 4681.
  42. Minakato M. Two-dimensional distribution of refractive index changes in Ti-diffused LiNb03 strip waveguides / Minakato M., Saito S., Shibata M. // J. Appl. Phys. 1979. — Vol. 50, N 5. — P. 3063 — 3066.
  43. А.Н. Исследование диэлектрических пленок соединений РЗЭ методом ВРОКИ / Сергеев А. Н, Серебренников В. В., С. М. Шандаров С.М. // Физика диэлектриков. Караганда: Изд-во КПИ, 1978. -С. 86- 88.
  44. К. JI. Электрические явления в тонких пленках/ K.JI. Чопра. — М.: Мир, 1972.-386 с.
  45. Г. А. Способы получения тонких диэлектрических пленок для ИС / Мустафаев Г. А., Саркаров Т. Э., Тешев Р. Ш., Мустафаев А. Г. // Зарубежная электронная техника. 2000. — Вып.4. — С.62 — 89.
  46. С.И. Процессы и оборудование физического осаждения из газовой фазы в технологии интегральных микросхем / Бабкин С. И., Киреев В. Ю. // Известия вузов. Электроника. 2002. — № 1. — С.7 — 22.
  47. Р.Д. Катодный метод создания пленочных элементов микросхем/Р.Д. Иванов. — М.: Энергия, 1972. 112 с.
  48. Е. Фракталы: пер. с англ. / Е. Федер. М.: Мир, 1991. — 254 с.
  49. Д. Анализ поверхности методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии / Д. Бриггс, М. П. Сих. М.: Мир, 1987.- 600 с.
  50. В.К. Современные физические методы исследования материалов / В. К. Карпасюк. Астрахань: Изд-во АПИ, 1994. — 232 с.
  51. .С. Высокочастотное ионное распыление / Данилин Б. С., Логунов В. Н. // Зарубежная электронная техника. — 1971. Вып. 3. -С. 3 — 24.
  52. В.Н. Исследование равномерности высокочастотного катодного распыления пленок Ta2Os для оптических покрытий / Андросюк В. Н., Пашкевич В. И., Тушина С. Д., Романов Б. А. // Электронная техника. Сер.6. Материалы. 1985. — Вып.12 (211). -С. 17−21.
  53. .Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Б. Мандельброт. М.: Институт компьютерных исследований, 2002. — 656 с.
  54. A.B. Получение прозрачных диэлектрических пленок на основе окислов и оксинитридов металлов ВЧ-магнетронным распылением / Горин A.B., Кыласов В. А., Мартынов A.B. и др. //Электронная техника. Сер.6, Материалы 1991. — Вып. 1. — С.26 — 32.
  55. В.В. Теоретические основы микроэлектроники. Учебное пособие / В. В. Новиков. М.: Высшая школа, 1972. — 352 с.
  56. .С. Получение тонкопленочных слоев с помощью магнетронной системы ионного распыления / Данилин Б. С. // Зарубежная радиоэлектроника. 1978. — № 4. — С.87 — 105.
  57. .С. Устройства со скрещенными полями и перспектива их использования в технологии микроэлектроники / Б. С. Данилин, В. К. Сырчин // Обзоры по электронной технике М.: Электроника, 1991. — Вып. 2. Сер. Микроэлектроника. — 90 с.
  58. .С. Исследование разряда в магнетронных системах ионного распыления / Данилин Б. С., Неволин В. К., Сырчин В. К. // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1977. — Вып. З (69). — С.37.
  59. Т.И., Смирнов С. В. Ионно-плазменные технологии в производстве СБИС: Учебное пособие / Т. И. Данилина, С. В. Смирнов.- Томск: Томск.гос.ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2000.- 140 с.
  60. Hosokawa N. Self-sputtering phenomena in high-rate coaxial-cylindrical magnetron sputtering / Hosokawa N., Tsukada Т., Misumi T. // J. Vac. Sci. Technol. 1977. — Vol. 14, N 1. — P. 143 — 146.
  61. Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел //Сборник статей. М.: Мир, 1989. — 349 с.
  62. В.Н. Физико-химические процессы в технологии РЭА / В. Н. Черняев. -М.: Высшая школа, 1987. 375 с.
  63. N. К. Scattering from an inhomogeneity inside a dielectric-slab waveguide / Uzunoglu N. K., Fikioric J. G. // J. Opt. Soc. Amer. 1982. -Vol. 72, N 5. — P. 628 — 637.
  64. H.M. Методы изготовления резистивных слоев при повышенных требованиях к стабильности и точности / Н. М. Рахманин,
  65. A.М.Писаревский // Обзоры по электронной технике. М.: Электроника, 1974. — Вып. 10. Сер. Электровакуумные и газоразрядные приборы. — 36 с.
  66. З.Ю. Технологические основы гибридных интегральных схем / З. Ю. Готра, Э. М. Мушкарден, JI.M. Смеркло. Львов: Вища школа, 1977.- 168 с.
  67. И.А. Полифункциональные тонкие пленки неметаллических соединений тантала // Автореферат кандидатской диссертации: Томск, ТПУ. 2005. — 19с.
  68. В.А. Применение элипсометрического метода в коррозионно-электрохимических исследованиях. Эллипсометрия -метод исследования поверхности / Шепелин В. А. Новосибирск: Наука, 1983.-С. 43−50.
  69. Я. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра: пер. с анг. / Тауц Я. М.: Мир, 1967.-74 с.
  70. С.В. Физика твердого тела. Учебное пособие / С. В. Смирнов.- Томск: Томск, гос. ун-т систем управления и радиоэлектроники, 2002.- 185 с.
  71. В.И. Оптические свойства полупроводников. Справочник /
  72. B.И. Гавриленко, A.M. Грехов. Киев: Наукова думка, 1987. — 570 с.
  73. А.В. Спектрофотометрия тонкопленочных полупроводниковых структур / А. В. Раков. М.: Сов. Радио, 1975. — 115 с.
  74. В.А. Механогидролитические процессы и прочность твердых тел / В. А. Берштейн. Л.: Наука, 1987. — 318 с.
  75. В.Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков / В. Ф. Киселев, О. В. Крылов. М.: Наука, 1987.-256 с.
  76. .Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Б. Мандельброт. М.: Институт компьютерных исследований, 2002. — 656 с.
  77. Family F. Dynamics of Fractal Surfaces / F. Family, T. Vicsek. Singapore: World Scientific, 1991.-376 c.
  78. В.Д., Радионов Ю. А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники/ В. Д. Гимпельсон, Ю. А. Радионов. — М.: Машиностроение, 1976. 328 с.
  79. В.А. Современные магнетронные распылительные устройства / Лабунов В. А., Данилович Н. И., Уксусов А. С., Минайчев В. Е. // Зарубежная электронная техника. — 1982. Вып. 10. — С. 3 — 62.
  80. В.Л. Основы сканирующей зондовой микроскопии / В. Л. Миронов. Нижний Новгород: РАН Институт физики микроструктур, 2004. — 111 с.
  81. Weiss В. L. Fabrication of GaAs devices / Weiss В. L. London: The Institute of Electrical Engineers, 2005. — 350 p.
  82. Д. Микроструктура материалов. Методы исследования и контроля / Д. Брандон, У. Каилан. — М.: Техносфера, 2004. 384 с.
  83. Ю.А. Физические методы исследования в химии / Ю. А. Пентин, Л. В. Вилков. М.: Мир, 2003. — 683 с.
  84. Л. Основы анализа поверхности и тонких пленок / Л. Фелдман, Д. Майер. М.: Мир, 1989. — 344 с.
  85. Д. Современные методы исследования поверхности / Д. Вудраф, Т. Делчар. М.: Мир, 1989. — 564 с.
  86. В.Ф., Горин Ю. Н. Процессы и установки электронно -ионной технологии: Учебное пособие для вузов / В. Ф. Попов, Ю. Н. Горин. — М.: Высшая школа, 1988. 255 с.
  87. Г. Ф., Петров В. И. Ионно-плазменная обработка материалов / Г. Ф. Ивановский, В. И. Петров. М.: Радио и связь, 1986. -232 с.
  88. П.В. Физика твердого тела / Павлов П. В., Хохлов А. Ф. М.: Высшая школа, 2000. — 494 с.
  89. И.К. Физика твердого тела / И. К. Верещагин и др.- под ред. И. К. Верещагина. М.: Высшая школа, 2001. — 237 с.
  90. Ю.А. Технологический контроль размеров в микроэлектронном производстве / Ю. А. Быстров. — М.: Радио и связь, 1988.- 168 с.
  91. Ю.Г. Технология обработки поверхностей в микроэлектронике / Ю. Г. Полтавцев, А. С. Князев. Киев: Техника, 1990.-206 с.
  92. В.Г. Вольт-амперная характеристика туннельного контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки / Божков В. Г., Зайцев С. Е. //Физика. Изв. ВУЗов. 2006. — Т. 49, № 3. — С.18−25.
  93. Alperovich V. L. Surface passivation and morphology of GaAs (100) treated in HCl-isopropanol solution / Alperovich V. L., Tereschenko О. E., Rudaya N. S., Sheglov D. V., Latyshev A. V., Te-rekhov A. S // Appl. Surf. Sci. 2004. — Vol. 235. — P. 249−259.
  94. Т. П. Формирование поверхности заданного состава у арсенида галлия / Бекезина Т. П., Мокроусов Г. М // Неорганические материалы. -2000. Т.36, № 9. — С. 1029 — 1032.
  95. В. Г. Исследование свойств поверхности GaAs методом сканирующей АСМ / Божков В. Г., Торхов Н. А., Ивонин И. В., Новиков В. А // ФТП. 2008. — № 42(5). — С. 546−554.
  96. Г. М. Перестройка твердых тел на границах раздела фаз/ Г. М. Мокроусов. Томск: Изд-во Том. ун-та, 1990. — 230 с.
  97. Palm Н., Arbes М., Schulz М. Fluctuations of the Au-Si (100) Schottky barrier height / Palm H., Arbes M., Schulz M // Phys. Rev. Lett. — 1993. — 71(4).-P. 2224−2227.
  98. Sadowska D. Optimization of the epy-ready semi-insulating GaAs wafer preparation procedure / Sadowska D., Gladki A., Mazur K., Talik E. // Vacuum. 2004. — № 72. — P. 217−223.
  99. В. JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии /
  100. B. JI. Миронов. — Нижний Новгород: РАН Институт физики микроструктур, 2004. — 111 с.
  101. .Б. Фрактальная геометрия природы / Б. Б. Мандельброт. М.: Институт компьютерных исследований, 2002. -656 с.
  102. Е. Н. Metal-semiconductor contacts/ Е. H. Rhoderic. — New York: Oxford University Press, 1988. 251 p.
  103. И.М. Оборудование и технология производства полупроводниковых приборов / И. М. Николаев. М.: Высшая школа, 1977.-269 с.
  104. Физика и технология источников ионов / Я. Браун и др.- под ред. Я. Брауна. М.: Мир, 1998. — 496 с.
  105. О. Г. Корпускулярно-фотонная технология / О. Г. Вендик, Ю. Н. Горин, В. Ф. Попов. М.: Высшая школа, 1984. — 240 с.
  106. C.B., Литвинова В. А., Чистоедова И. А. Оптические свойства тонких пленок оксида тантала // Тезисы докладов 12 Всероссийской научной конференции молодых ученых, Новосибирск, НГУ. — 2006.1. C. 131 132.
  107. C.B., Чистоедова И. А., Литвинова В. А. Структура и свойства тонких пленок тантала, полученных магнетронным распылением // Доклады ТУ СУР. № 4(12). — 2005. — С. 80 — 84.
  108. Изображение поверхности образцов
  109. ТМ-10 000 782 2008.06.13 15:14 I. хЮк 10 ит
  110. Рисунок А.1 Поверхность образца I. Увеличение 10 000 раз
  111. ТМ-10 000 780 2008.06.13 15:06 Ь хЮк 10 ит
  112. Рисунок А.2 Поверхность образца II. Увеличение 10 000 раз136
  113. ТМ-10 000 776 2008.06.13 14:48 L хЮк 10 um
  114. Рисунок А. З Поверхность образца III. Увеличение 10 000 раз
  115. ТМ-10 000 762 2008.06.13 13:23 L хЮк 10 um
  116. Рисунок А.4 Поверхность образца IV. Увеличение 10 000 раз
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!