Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Эффективные дендритные автокатоды и механизм роста в них эмиссионных центров

Диссертация: Эффективные дендритные автокатоды и механизм роста в них эмиссионных центров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В результате выполненных исследований предложена модель роста нитевидных кристаллов с учётом энергетики процесса кристаллизации, проанализированы стадии роста и механизм их смены. Это позволило определить технологические принципы формирования микрорельефа многоострийных низковольтных автоэлектронных эмиттеров на основе дендритов вольфрама для стационарного режима с достаточно высокой… Читать ещё >

Эффективные дендритные автокатоды и механизм роста в них эмиссионных центров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА. I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ДИССЕРТАЦИИ
    • 1. 1. Автоэлектронные катоды различных типов
    • 1. 2. Стабильность работы автоэлектронных катодов
    • 1. 3. Автоэлектронные катоды на основе многоост-рийных систем нитевидных кристаллов
    • 1. 4. Вопросы механизма и кинетики роста нитевидных кристаллов
    • 1. 5. Постановка задачи диссертации

    ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ОПТИМАЛЬНЫХ УСЛОВИЙ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГООСТРИЙНЫХ СИСТЕМ НИТЕВИДНЫХ И ДЕНДРИТНЫХ КРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ МЕТАЛЛОВ ПРИ РАЗЛОЖЕНИИ ИХ КАРБОНИЛОВ В УСЛОВИЯХ РАЗРЯДА В СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЯХ И СРАВНИТЕЛЬНАЯ ОЦЕНКА ИХ

    ЭМИССИОННОЙ СПОСОШОСТИ.

    2.1. Задачи главы.

    2.2. Разработка методики получения многоострийных систем л/, Мо, С г — дендритов в разряде в парах Ме (СО)А в сильных электрических полях и сравнительная оценка их эмиссионной способности.

    2.3. Исследование кинетики и механизма роста дендритных систем на основе вольфрама.

    2.4. Исследование оптимальных условий формирования дендритных систем на основе вольфрама и выяснение их связи с эмиссионной способностью

    2.5. Выводы из главы

    ГЛАВА 3. МЕХАНИЗМ РОСТА НИТЕВИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ

    3.1. Задачи главы.

    3.2. Условия эксперимента и результаты

    3.3. Обсуждение результатов

    3.4. Выводы из главы 3.".

    ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ШОГООСТРИЙШХ АБТОЭЛЕКТРОННЫХ КАТОДОВ НА ОСНОВЕ ДЕНДРИТОВ ВОЛЬФРАМА ДЛЯ РАЗЛИЧНОГО ПРИМЕНЕНИЯ В ВАКУУМНОЙ ЭЛЕКТРОНИКЕ.

    4.1. Задачи главы.

    4.2. Формирование низковольтных автоэлектронных эмиттеров.

    4.3. Разработка принципа параллельного формирования одновременно работающих автоэлектронных эмиттеров и его использование при создании вакуумных люминесцентных индикаторов ячеистой структуры. III

    4.4. Пути увеличения общего уровня автоэлектронного тока при параллельной работе эмиттеров.

    4.5. Выводы из главы 4.

Прогресс в развитии вакуумной электроники, охватывающей приборы с управляемыми потоками электронов и ионов в вакууме, связан с изысканием новых, более эффективных механизмов получения эмиссии заряженных частиц, новых источников свободных электронов — катодов. В настоящее время убедительно доказана перспективность использования в качестве источников заряженных частиц полевых электродов, работающих на основе явлений автоэлектронной и взрывной эмиссий, автоионизации и полевой десорбции. Преимущества, связанные с применением в электровакуумных приборах автоэмиссионных источников электронов по сравнению с другими типами катодов, хорошо известны. Высокая плотность эмиссионного тока при малых значениях энергетического разброса электронов, безынерционность, экономичность и другие свойства позволяют открыть качественно новые возможности в создании приборов электронной техники и развитии физических методов исследования. Однако практическое использование эмиттеров наталкивается на ряд серьёзных проблем, связанных с трудностями в преодолении недостатков автоэлектронных катодов.

К наиболее существенным недостаткам таких катодов, препятствующим их широкому внедрению в электронную технику, следует отнести:

— малые значения полного тока, составляющие обычно величины порядка единиц микроампер, недостаточные для работы катодов в электровакуумных приборах широкого применения;

— высокие значения управляющих напряжений, приводящие к трудностям при работе и использовании электронных потоков большой энергии;

— нестабильность эмиссионных свойств катодов, их недостаточная надёжность и малый срок службы (- зависящий, в основном, от качества вакуума в приборе);

— трудности в создании воспроизводимой технологии получения эмиттеров с повторяемыми характеристиками.

Одним из основных недостатков автокатодов является недостаточная стабильность эмиссии при длительной эксплуатации. Задача повышения стабильности и срока службы автоэлектронных катодов может быть решена и решается в настоящее время при обеспечении сверхвысокого вакуума в области эмиттера. Однако необходимые для этого давления остаточных газов порядка 10* кг11 Topp достижимы только в лабораторных условиях и затраты на получение сверхвысокого вакуума в приборах, где возникает необходимость в использовании автоэлектронных катодов, бывают порой неоправданными.

Другим направлением повышения стабильности работы автоэлектронных эмиттеров являются пути снижения потенциала возбуждения автоэлектронной эмиссии и снижения плотности отбираемого тока.

Поэтому задачи создания стабильных автоэлектронных эмиттеров предусматривают разработку технологических принципов, обеспечивающих надёжное формирование низковольтных эмиттеров (управляющее напряжение сотни вольт) со стабильной эмиссией при работе в техническом вакууме (10~7 Topp) и технологическую воспроизводимость параметров катодов (независимо от квалификации оператора).

Задача разработки сильноточных, низковольтных стабильных автоэлектронных эмиттеров решается путём создания эффективных эмитирующих поверхностей больших размеров. Это возможно при использовании многоострийных систем со значительным числом одновременно работающих эмиттеров.

Представляется перспективным создание автоэлектронных катодов на основе многоострийных систем нитевидных кристаллов, поскольку многоострийные системы позволяют получить большие общие значения токов и при соответствувдей геометрии единичных эмиттеров снизить рабочие напряжения до значений, характерных для обычных электронных приборов. Идея использования многоострийных систем нитевидных кристаллов в качестве автокатодов реализуется в раде работ /" 41, 81, 82, 112 Однако проблема создания низковольтных автокатодов со стабильной эмиссией для работы в стационарном режиме полностью ещё не решена [ 9 /. Наиболее перспективным для решения поставленных задач нам представляется использование многоострийных систем нитевидных кристаллов и их дендритных образований тугоплавких металлов, получаемых при разложении гексакарбонилов металлов в условиях разряда в сильных электрических полях [ 121−127 /. Предлагаемый способ получения многоострийных систем интересен возможностью создания на его основе управляемого процесса формирования катодов.

Проблема разработки технологических принципов формирования сильноточных, низковольтных автоэлектронных эмиттеров на основе управляемого выращивания систем нитевидных кристаллов и их дендритных образований предусматривает углублённое исследование процессов зарождения и роста нитевидных кристаллов, механизма их роста. Сам механизм роста нитевидных кристаллов интересен и в теоретическом плане для физики кристаллизации в целом возможностью вскрыть особенности роста кристаллов в условиях конденсации атомов металлов при высоком вакууме в электрическом поле и без поля, по методу «пар-жидкость-кристалл», в электрическом разряде в парах карбонила и др.

Задачи, решаемые в диссертационной работе, можно сформулировать следующим образом:

— разработка методики исследования дендритов тугоплавких металлов и условий их формирования для оптимизации их по эмиссии;

— исследование кинетики и механизма роста систем нитевидных кристаллов и создание на его основе управляемого процесса формирования многоострийных автоэлектронных катодов;

— создание технологических принципов формирования низковольтных автоэлектронных эмиттеров на основе дендритов тугоплавких металлов для различного применения в вакуумной электронике.

В результате выполненного исследования сформулированы следующие научные положения.

I. В основе механизма роста дендритных образований нитевидных кристаллов вольфрама при разложении гексакарбонила вольфрама в разряде в сильных электрических полях так же, как и для других нитевидных кристаллов, выращенных из пара, лежит диффузионный принцип роста с различием лишь в способе подвода материала к растущему кристаллу.

2. При большой скорости подвода материала к растущему кристаллу установлены две стадии роста — быстрая и медленнаяскорость роста нитевидных кристаллов на начальном этапе достигает аномально высоких значений (порядка 10 см/с) — при этих скоростях роста выделение теплоты кристаллизации приводит к перегреву нитевидного кристалла и прекращению быстрой стадии роста.

3. Скорость осаждения материала на подложку при росте нитевидных кристаллов является определяющим фактором, влияющим на исходные параметры многоострийного катода на основе нитевидных кристаллов и является регулятором управления процессом роста.

В результате выполненных исследований предложена модель роста нитевидных кристаллов с учётом энергетики процесса кристаллизации, проанализированы стадии роста и механизм их смены. Это позволило определить технологические принципы формирования микрорельефа многоострийных низковольтных автоэлектронных эмиттеров на основе дендритов вольфрама для стационарного режима с достаточно высокой технологической воспроизводимостью. Предложенные решения создания низковольтных автоэлектронных эмиттеров защищены авторским свидетельством. Результаты исследования могут быть использованы при создании приборов с автоэлектронными катодами для различных целей: вся проделанная работа была направлена не только на решения ряда теоретических вопросов, но и на ускорение промышленного использования автоэлектронных (полевых) эмиттеров данного типа.

Основные результаты диссертационной работы а) опубликованы в следующих статьях:

1. Овсянников Н. П., Шуппе Г. Н. Автоэмиссионная способность катодных нитей, выращенных при разряде в парах (C0)g.- РиЭ, 1983, т.28, № I, с.197−199.

2. Носов A.A., Овсянников Н. П., Шуше Г. Н. Прямое электронно-микроскопическое наблюдение динамики формирования многоострийного автоэлектронного катода на основе вольфрама.- ЙТФ, 1984, т.54, в.2, с.372−374.

3. Носов A.A., Овсянников Н. П., Шуппе Г. Н. Формирование дендритов на основе вольфрама при разложении металлоорганических соединений.- В сб.тез.докл.1У Всесоюзного совещ. «Применение металлоорганических соединений для получения неорганических покрытий и материалов». — Горький, изд. Наука, 1983, с.156−157.

4. Носов A.A., Овсянников Н. П., Чадаев H.H. О температурных эффектах при росте нитевидных кристаллов. — В сб. Вакуумная и газоразрядная электроника. РРТИ, Рязань, 1981, с.63−67.

5. Пошехонов П. В., Овсянников Н. П., Геннадьев В. М., Чадаев H.H. Влияние контакта с газовой средой на эмиссионную способность автоэлектронного катода, образованного системой нитевидных кристаллов. — В сб. Вакуумная и газоразрядная электроника. РРТИ, Рязань, 1981, с.73−77.

6. Носов A.A., Овсянников Н. П., Чадаев H.H. Термоавтоэлектрон-ная эмиссия нитевидных кристаллов при их формировании. — В кн. ХУШ Всесоюзная конференция по эмиссионной электронике. Москва, 1981, с.181−183.

7. Овсянников Н. П., Щуппе Г. Н. Механизм роста нитевидных кристаллов. — Кристаллография, 1984 (в печати).

8. Полож. решение № 3 663 867/21 от 24.05.84. Способ изготовления плоского вакуумного телевизионного экрана./ Н. П. Овсянников, В. А. Степанов.

9. Шуппе Г. Н., Овсянников Н. П. и др. Исследование возможности создания катода на основе нитевидных кристаллов, предназначенного для работы в импульсном рентгеновском триоде. Отчёт по НИР.

У55 949/9000020, Рязань, РРТИ, 1981. — 87 с.

10. Соломенников Г. В., Чижиков А. Е., Овсянников Н. П. и др. Исследование возможности применения новых технологических процессов изготовления ГИЛ постоянного и переменного тока. Отчёт по НИР Л 90 979/2002958, Рязань, РРТИ, 1984. — 164 с. б) доложены на: ХХУШ научно-технической конференции РРТИ (1984 г.) — ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике (Москва, 1981 г.) — выездной сессии Совета по физической электронике АН СССР (Ленинград, ФТИ, АН СССР, 1982 г.) — на 1У Всесоюзном совещании «Применение МОС для получения неорганических покрытий и материалов» (Горький, 1983 г.) — • на семинарах в Институте металлургии и Институте кристаллографии АН СССР (Москва, 1984 г.).

В заключении автор выражает глубокую благодарность научному руководителю работы Георгию Николаевичу ШУППЕ’за постановку зада.

• * чи, постоянное внимание и помощь в ее проведении.

Автор с глубокой благодарностью и признательностью отдаёт дань памяти профессору Павлу Васильевичу П0ШЕХ0Н0ВУ, под руководством которого он начинал свою научную работу.

Автор благодарит преподавателей и сотрудников кафедры электровакуумной техники и лаборатории ОНШЕ Рязанского радиотехнического института за постоянное внимание, полезные дискуссии и помощь в проведении исследований.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В работе ставилась и принципиально решена основная задачасоздание низковольтного автоэлектронного катода на основе много-острийных систем дендритов вольфрама для стационарного режима. Исследованы оптимальные условия формирования рабочей поверхности катодов, проведены исследования механизма образования и роста отдельных нитевидных кристаллов — ветвей «куста», проведена оптимизация условий роста дендритных систем нитевидных кристаллов с целью увеличения их эмиссионной способности.

На основании результатов исследования разработан управляемый технологический процесс формирования многоострийных автоэлектронных катодов — «кустов», рассчитанных на работу в стационарном режиме с высокой технологической воспроизводимостью эмиссионных параметров, способных работать в условиях технического вакуума.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.И., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия. — М.: ГЙШ1, 1958. — 271 с.
  2. Л.Н., Гомоюнова М. В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. — 562 с.
  3. Fowler R.H., Nordheim Ъ. Electron Emission in Intense Electric Field.-Proc.Roy.Soc., 1928, v.19,N.A781,p.175−181
  4. P., Нойман X. Автоэлектронная эмиссия полупроводников. -М.: Наука, 1971. 215 с.
  5. Gomer R. Field Emission and Field Ionisation. Cambridge, Harvard Univ. Press., 1961. -195 p.
  6. Dyke W.P., Dolan W.W. Field Emission. -In: Advances in Electronios. New Yorks Academic Press, 1956, v#8, p.89−185
  7. Г. Н. Электронная эмиссия металлических кристаллов. -Ташкент, СА1У, 1957. 203 с.
  8. Н.А., Шуппе Г. Н. К вопросу о зависимости адсорбционных связей на металлическом монокристалле от кристаллографических направлений. ЖТФ, 1955, т. 25, № 8, с. 1364−1375.
  9. .В. Состояние и некоторые пути дальнейшего развития автоэмиссионной электроники. РиЭ, 1983, т. 28, в. 12, с. 2305−2312.
  10. П.И., Царёва Т. В. Опыты по изучению аээ при различных температурах. В «Сборнике, посвященном 70-летию акад. А.Ф. Иоффе». Изд. АН СССР, М., 1950, с. T99−2I2.
  11. П.И. Вырывание электронов электрическим полем. УФН, 1945, т. 27, с. 199−205.
  12. Д.В., Елинеон М. И. Автоэлектронная эмиссия и автокатоды. РиЭ, 1956, т. I, № I, с. 5−22.
  13. Э.В. Автоионизация и автоионная микроскопия. УФН, 1962, т. 77, В 3, с. 481−552.
  14. А.с. Л 389 564 (СССР). Катодный узел для электронной пушки /А.К. Малик, И. М. Фишман, С. М. Хазан. Опубл. в Б.Й., 1973, № 29.
  15. Р.И., Малик А. К., Фишман И. М. Применение игольчатых эмиттеров в электронной микроскопии. ПТЭ, 1974, Je 4, с. 188 190.
  16. Ф.П., Стасов М. М. Источники импульсного рентгеновского излучения. В кн.: Зарубежная электронная техника. — ЦНИИ Электроника, 1977, № 7, с. 31−54.
  17. .В., Шешин Е. П., Шука А. А. Приборы и устройства электронной техники на основе автокатодов. В кн.: Зарубежная электронная техника. — ЦНИИ Электроника, 1979, № 2, с. 3−43.
  18. Ненакаливаемые катоды /Под ред. М. И. Елинсона. М.: Сов. радио, 1974. — 336 с.
  19. Пат. № 3 789 471 (CUIA).Field emission cathode struoture deTioe utilizing such structures and metbodes of produoing such. structures / C, A, Spindt, K.A.Shoulders, L"N.Heynick.
  20. Опубл. в «Изобр. за рубежом», 1974, Je 2.
  21. Martin Е.Е., Trolan I.K., Dyke W.P. Stable, High. Density Pield Emission Cold Cathode.-J, Appl. Phys, 1960, v, 31, N.5, p, 782−789
  22. Helmed A.J. Eleotrical Measurement of Whisker Field-Emission Characteristics. -J. Chem. Phys., 1962, v.36,N.5,p. 1101−1106
  23. И.Л., Фурсей Г. Н. Изучение явлений, предшествующих разрушению вольфрамовых эмиттеров импульсами автоэлектронного тока большой плотности. РиЭ, 1962, т. 7, Л 9, с. 1474.
  24. В.А., Елинсон М. И., Яковлева Г. Д. Теоретическое и экспериментальное исследование преддуговых явлений при автоэлектронной эмиссии. РиЭ, 1962, т. 7, Л 9, с. I50I-I5I0.
  25. Oostrom A.G.J. Van. Validity of the Fowler-Nordheim Model for Field Electron Emission. Philips Research Reports, Suppl.1, 1966, p. 1−102
  26. Ю.В., Сокольская И. Л., Фурсей Г. Н. К вопросу о некоторых особенностях автоэлектронной эмиссии при больших плотностях тока. ЖТФ, 1964, т. 34, № 5, с. 911.
  27. Г. Н. Импульсная автоэлектронная эмиссия рения. ЖТФ, 1964, т. 34, М 7, с. 1312.
  28. Charbonnier F. M, Bennete G.J., Swanson L.W. Electrical Breakdown between Metal Electrodes in High Vacuum.
  29. Theory" -J. Appl. Phys., 1967, v.38,N.2, p. 627−631
  30. В.Г., Рабинович А. А., Шредник В. Н. Высокие локальные плотности тока автоэлектронной эмиссии в стационарном режиме. ЖТФ, 1975, т. 45, Л 10, с." 2126−2134.
  31. В.А., Месяц Т. А., Проскуровский Д. М. Автоэмиссионные и взрывоэмиссионные процессы при вакуумных разрядах. УФН, 1983, т. 139, с. 265.
  32. В.А., Старобинец А. Н. Влияние размерных эффектов на предельные токи автоэлектронной эмиссии. ЖТФ, 1979, т. 49,7, с. 887.
  33. Ф. Физика электронной проводимости в твёрдых телах. -М.: Мир, 1971. 470 с.
  34. Е.Г., Пирогов В. К. Контроль автоэлектронных катодов под электронным микроскопом. ПТЭ, 1964, Л I, с. 219.
  35. Р.И., Дранова 1.И., Мансуров H.A., Михайловский И. М. Сильноточный импульсный автоэмиссионный катод. ПТЭ, 1969, Л I, с. 196−198.
  36. Е.Г., Кривощёков П. В. Автоэлектронная эмиссия с вольфрамового лезвия. РиЭ, 1969, т. 14, Ji 6, с. 1133.
  37. A.c. В 342 241 (СССР). Автоэлектронный эмиттер типа «Гребёнка1* /A.A. Голов, Г. Н. Фурсей, И. Д. Вентова и др. Опубл. в Б.И., 1972, Ji 19.
  38. .В., Глейзер И. З., Дронова Л. Г. Технология изготовления многоэмиттерных холодных катодов. ПТЭ, 1973, * 6, с. 124−125.
  39. A.c. № 416 784 (СССР). Способ изготовления автоэлектронных мно-гоострийных катодов /И.Д. Вентова, Л. Е. Валуева. Опубл. в Б.Й., 1974, № 7.
  40. A.c. В 493 834 (СССР). Способ затупления острийных катодов. /В.Г. Павлов, A.C. Рабинович, В. П. Савченко, В. Н. Шредник. Опубл. в Б.Й., 1975, № 44.
  41. П.В., Носов A.A., Пошехонова Т. А., Геннадьев В. М. Холодный катод на основе нитевидных монокристаллов. РиЭ, 1971, т. 16, & 7, с. 1250−1253.
  42. Е.П., Рыбанов Ю. Л. Автоэлектронные катоды из углеродных волокон. В кн. Тезисы докл. ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. — М.: Наука, 1981, с. 213−214.
  43. E.II., Макуха В. И., Рыбаков Ю. Л. Эмиссионные свойства стержневых катодов из графита. В кн.: Тезисы докладов ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. — М.: Наука, 1981, с. 210−213.
  44. .В., Рыбаков Ю. А., Шешин Е. П., Шука A.A. Автоэлектронные катоды и приборы на их основе. Обзоры по электронной технике. Вып. 4 (814). — М.: ЦНИИ Электроника, 1981. — 59 с.
  45. Г. Н. Изготовление тонких автоэлектронных эмиттеров. -1ГГЭ, 1967, № 6, с. 176.
  46. С.И., Валуева Л. Е., Вентова И. Д. Формирование острийных эмиттеров в процессе электрохимического травления. ЖТФ, 1975, т. 45, * 6, с. 1274−1280.
  47. A.c. № 512 505 (СССР). Устройство для травления автоэмиттеров. /Д.М. Паутов, A.B. Кочерыженков. Опубл. в Б.И., 1976, Л 12.
  48. A.c. u I7I929 (СССР). Способ изготовления игольчатых автоэлектронных эмиттеров /Р.И. Гарбер, Ж. И. Дранова, И. М. Михайловский. Опубл. в Б.И., 1965, 12.49. фрейберг Г. Н. .Двойная ванна для автоматического травления ост-рий. ПТЭ, 1972, J* 4, с. 244−245.
  49. В.Я. Изготовление острий автоэлектронных эмиттеров травлением. ПТЭ, 1973, Jt I, с. 227.
  50. Крю, Эггенберген, Уолл, Уэлтер. Электронная пушка на основе источника с холодной эмиссией. Приборы для научн. исследов., 1968, № 4, с. 134−14I.
  51. Swan D.I. Investigations Relating to the Applications of Field Emission Cathodes. Diss.. of Doctor of Philosophy. — Cambridge, 197i * -136 p.
  52. Morgan R» An Automatic Electropolishing Supervisor for
  53. Preparing Field Ion Microscope Speoimens. -J. Sci. Instrum., 1967, v. 44, N. 9, p. 808−809
  54. Пат. 30 051 (Япония). Метод изготовления нити накала для электронного микроскопа /М. Годза, А. Таро. Опубл. в Изобр. за рубежом, 1975, № 24.
  55. Пат. & 1 527 022 (Англия). Field Emission Cathode./Philips electronic. Опубл. в «Изобр. в СССР и за рубежом», 1979, II 3.
  56. А.с. М 642 789 (СССР). Автоэмиссионный катод /К.К. Азов, Г. К. Зорянов, С. А. Князев. Опубл. в Б.И., 1976, № 2.
  57. Пат. № 4 143 292 (США). Field Emission Cathode of Glassy Carbon and Methode of preparation./ HosokL S., Okane H.
  58. Опубл. в «Изобр. в СССР и за рубежом», 1979, J* 21. '
  59. А.с. Л I807I2 (СССР). Автоэлектронный катод /Е.Г. Широков. Опубл. в Б.И., 1966, # 8.
  60. Е.Г. Некоторые вопросы увеличения общего автоэлектронного тока. ЖТФ, 1969, т. 39, № 8, с. 1513
  61. .В., Макуха В. И. Автоэлектронный катод из стальных лезвий. ПТЭ, 1972, * 4, с. 235−236.
  62. .В., Макуха В. И., Гайдаров А. С. Исследование автоэлектронных лезвийных эмиттеров дискообразной формы. РиЭ, 1972, т.17, № 12, с. 2635−2637.
  63. .В. Способы повышения стабильности эмиссии и срокаслужбы автоэлектронных катодов. Электронная техника, сер. I, 1973, вып. 6, с. 74−82.
  64. .В. Стабильность электронной эмиссии и срок службы некоторых вариантов автокатодов. ЖТФ, 1973, т. 43, № II, с. 2441−2447.
  65. .В., Макуха В. И., Гайдаров А. С. Исследование импульсной автоэлектронной эмиссии плёночных катодов из хрома. -РиЭ, 1972, т. 17, Л 8, с. I77I-I772.
  66. А.с. Л 286 793 (СССР). Способ изготовления игольчатых эмиттеров /Н.И. Комяк, В. Г. Павлов, А. А. Рабинович, В. Н. Шредник. Опубл. в Б.И., 1975, Л 31.
  67. Farrall G.A. Numerical Analysis of Field Emission and Thermally Enhanced Emission from Broade Area Electrodes in Vaouum. — Appl. Phys., 1970, т. 41, N. 2, p. 563−571
  68. Л.M., Фурсей Г. Н., Черных Л.M. Метод расчёта оптимальной конфигурации многоостри®ных автоэмиссионных катодов. В кн.: Тез. докл. Всесоюзн. симп. по ненакаливаемым катодам. Томск, 1980, с. 22−23.
  69. N.Neynick. Puhl. in Off. Gazette, 1972, v. 898, N. 474. pat. 3 921 022 (USA). Field emission divice and method of maching same./ J.D.Levine. Publ. in Off. Gazette, 1975, V" 940, N. 3
  70. Thomas R.N., Nathanson H.C. Transmissive Mode Silicon Field Emission Array Photоemitter. — Appl. Phys. Lett., 1972, v. 21, N* 8, p. 387−390
  71. Cline H.E. Multineedle Field Emission from Hi W Eutectic. -J. Appl. Phys., 1970, v. 41, N. 1, p. 76−81
  72. M., Лемке Ф., Джордж Ф. В сб. Монокристальные волокна и армированные ими материалы. М.: Мир, 1973. — 332 с.
  73. З.П., Власов А. С., Кусалова Л. П., Чунина М. С. Выращивание нитевидных монокристаллов металлоподобных соединений.- В кн.: Тез. докл. ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. -М.: Наука, 1981, с. 273
  74. Spindt С.А. Thin Field Emission Cathode. -J. Appl. Phys., 1968, r. 39, N. 7, p. 3504−3509
  75. Spindt C.A., Brodie I., Humphrey Ъ., Westerherg E.R. Phisical Properties of Thin Film Field Emission Cathodes with Molibdenum Cones. -J. Appl, Phys., 1976, v. 47, N. 12, p. 5248−5263
  76. А.А., Пошехонова T.A., Пошехонов П. В. Исследование условий разрушения нитевидных монокристаллов в высоковольтных вакуумных приборах при воздействии сильных электрических полей.- РиЭ, 1970, т. 15, $ 10, с. 2I56−2I6I.
  77. П.В., Геннадьев В. М., Овсянников Н. П. Методы повышения эффективности тренировки автоэлектронных катодов на основе нитевидных монокристаляов. РиЭ, 1976, т. 21,? 12, с.2568−2573.
  78. Swan D. I, Smith K.C.A. Lifetime and Noise Characteristic of Tungsten Field Emitters. -Proceeding of the 6-th Annual Scanning Electron Microscope Symposium, 1973, p. 41
  79. Cavaille I.Y., Drechsler M.D. Ion Impact in Field Emitter Crystal. Rev. Phys. Appl., 1977, v. 12, N. 10, p. 1634
  80. Swanson L.W. Current Fluctuation from Various Crystal Face of a Clean Tungsten Field Emitter. Surface Soi", 1978, т. 70, p. 165−169
  81. К. Некоторые наблюдения в автоэлектронном проекторе флуктуационных процессов при адсорбции молекул фталоцианина меди. Изв. АН СССР, серия физическая, 1966, т. 30,? 12, с. 1955−1965.
  82. М.И. О влиянии адсорбции газов на поверхности эмиттера на его автоэлектронную эмиссию. РиЭ, 1958, т. 3, Л 3, с. 438−443.
  83. Л.Н., Кривощёков Г. В., Широков Е. Г. Об инициирующей роли примесей в развитии вакуумной дуги. РиЭ, 1969, т. 14,5, с. 887−891.
  84. Г. Н., Карцев Г. К. Стабильность автоэлектронной эмиссии и миграционные процессы, подготавливающие развитие вакуумной дуги. ЖТФ, 1970, т. 40, № 2, с. 310−313.
  85. . Хемосорбция. М.: Изд. иностр. лит., 1958, — 212 с.
  86. Ф. Современная теория твёрдого тела. M.: 1949. — 736 с.
  87. М.И., Горьков В. А., Васильев Г. Ф. Автоэлектронная эмиссия рения. РиЭ, 1958, т. З, № 3, с. 307−311.
  88. В.И. Адсорбция стронция на вольфраме. РиЭ, 1961, т.6, II 2, с. 342−344.
  89. В.И. Автоэлектронная эмиссия иридия. РиЭ, 1962, т. 7,5, с. 900−905.
  90. Г. Н., Егоров Н. В. Стабильный полупроводниковый автоэмиссионный катод. ЖТФ, 1972, т. 42, № 5, с. 1090−1094.
  91. Н.В. Катодное распыление. М.: Атомиздат, 1966. -317 с.
  92. П.А., Слезов В. В. Расчёт характеристик ионного потока, бомбардирующего вершину игольчатого автоэмиттера. РиЭ, 1972, т. 17, #2, с. 354−359.
  93. .И., Михайловский И. М. Низкотемпературная поверхностная миграция вольфрама, активированная ионной бомбардировкой. ФТТ, 1970, т. 12, * I, с. 132−137.
  94. Dyke W.P., Charhonnier P.M., Strayer S.W., Floud R.L., Barbour J.P., Trolan J.K. Electrical StaWlity and Life of the Heated Field Emission Cathode. J. Appl. Phys., 1960, v. 31, N. 5, p. 790−798
  95. Р.И., Дранова Ж. И., Кулько В. Б. и др. Об устойчивости игольчатых автоэмиттеров к ионной бомбардировке. ЖТФ, 1976, т. 46,? 9, с. 1901- 1906.
  96. Н.Д., Фурсей Т. Н., Полежаев С. А. Образование микровыступов на вершине металлических острий в сильном электрическом поле. Критическая перестройка. I Ш. — ЖТФ, 1977, т. 47, № 4, с. 844−657.
  97. A.c. X 425 239 (СССР). Способ изготовления автоэмиссионных приборов /В.Н. Шредник, В. П. Савченко, В. Г. Павлов и др. Опубл. в Б.Й., 1974, № 15.
  98. Г. Н., Вентова й.Д., Валуева JI.H., Жуков В. И. Исследование условий формирования эффективных сильноточных автоэмиссионных катодов на основе тугоплавких металлов . ЖТФ, 1972, т. 42, № 5, с. 1056−1060.
  99. В.Ф. Использование вольфрамового автокатода в поле СВЧ. -РиЭ, 1965, т. 10, J" I, с. 203−207.
  100. Г. А., Царёв Б. М. Эмиссионные свойства гексаборидов некоторых редкоземельных металлов. РиЭ, 1958, т. 3, Л 3, с. 428- 434.
  101. Е.И., Кудинцева Г. А. и др. Многоострийные автоэмиссионные катоды из монокристаллического гексаборида лантана. -В кн.: Тез. докл. ХУШ Всесоюзн. конференции по эмиссионной электронике. М.: Наука, 1981, с. 234.
  102. P.M., Демская Л. Л., Романова В. Х. Острийный катод из монокристаллического гексаборида лантана. В кн.: Тез. докл. XIX Всесоюзн. конференции по эмиссионной электронике. — Ташкент, 1984, с. 26.
  103. А.с. Jt 358 737 (СССР). Способ повышения стабильности автоэмиссионных катодов /Ж.И. Дранова, И. М. Михайловский, В. Б. Кулько. Опубл. в Б.И., 1972, № 34.
  104. Dyke W.P., Trolan J.K. Field Emission Large Current Densities, Space Charge and the Vaouum Arc. Phys. Rev, 1953, V, 89, N. 4, p. 799−812
  105. П.Г., Гиваргизов Е. И. и др. Эмиссионные свойства много-острийных автокатодов из Si х Gejx, изготовленных кристаллизацией из паровой фазы. Изв. АН СССР, сер.физ., 1976, т. 40,7, с. I57I-I580.
  106. Okuyama F. Vapor Grown Tungsten Whiskers Induced by Vaouum Discharges. -J. Appl. Phys., 1974, r. 45, N. 10, p.4239−4241
  107. Okuyama F. Activation of Filamentary Field Emitters by Growing Microneedles of Tungsten. J. Vac. Sei. Technol., 1975, v. 12, N. 6, p. 1399−1402
  108. A.A. Носов, Н. П. Овсянников, Д.H. Носова, H.H. Чадаев. Формирование автоэлектронных катодов на основе нитевидных кристаллов вольфрама и хрома. В кн.: Тез. докл. Всесоюзного симпозиума по ненакаливаемым катодам. Томск, 1980, с. 12.
  109. В.Г. Карбонильные металлы. М.: Металургиздат., 1978. — 255 с.
  110. Gabor Т., Blocher J. Transmission Electronmicroscopic Study of Crystal Growth by Chemical Vapor Deposition. -J. Electrochem. Soc., 1967, v. 114, p. 214−221
  111. Linden H.B., Beckey H.D., Okuyama P. On the Mechanism of Cathodic Growth of Tungsten Needls by Decomposition of Hexacarbonyltungsten under High Field Conditions. Appl.Phys., 1980, v. 22, N. 1, p. 83−87
  112. Okuyama F., Shibata CD., Yasuda N. Tungsten Needle Produced by Decomposition of Hexacarbonyltungsten. Appl. Phys. Lett., 1979, v. 35, N. 1, p. 6−7
  113. Okuyama F. Growth of Metallic w Whiskers Crystals Incorporated with Field Electron Emission. Appl. Phys. Lett., 1980, v. 36, N. 1, p. 46−47
  114. Okuyama F. Cathodic Needle Growth from Mo (CO) and Cr (CO)6″ 6 Vapors at Lower Electric Fields. Appl, Phys., 1980, v. 22, N. 1, p. 39−46
  115. Okuyama F. Cathodic Needle Growth from Mo (CO)6 Vapors at Higher Electric Fields. Appl. Phys., 1982, y. 27, N. 1, p. 57−64
  116. Okuyamai F. Growth of Cr Needle Crystals Induced by Field Electron Emission. Jap. J. Appl. Phys., 1984, v. 22, N. 2, p. 245−251
  117. Н.П., Шуше Г. Н. Автоэмиссионная способность катодных нитей, выращенных при разряде в парах W(C0)g. РиЭ, 1983, т. 28, № I, с. 197−199.
  118. Г. В. Нитевидные кристаллы. М.: Наука, 1969. — 158 с.
  119. С.А., Постников B.C. Нитевидные кристаллы. Воронеж, ВПИ, 1974. — 217 с.
  120. Нитевидные кристаллы /Сб. под ред. B.C. Постникова. Воронеж, ВШ, 1975. — 241 с.
  121. Е.И. Рост нитевидных и пластинчатых кристаллов изпара. М.: Наука, 1977. — 303 с.
  122. Материалы Ш Всесоюзной конференции" Нитевидные кристаллы для новой техники" /Под ред. A.M. Беликова. Воронеж, ВПИ, 1979. — 230 с.
  123. Sears G.W. A Growth Mechanism for Mercury Whiskers. -Acta Met., 1955, v. 3, p. 367−375
  124. В., Кабрера H., Франк Ф. Элементарные процессы роста кристаллов. -М.: ИЛ, 1959. 107 с.
  125. Р. Рост кристаллов по механизму ПЖК. В сб.: Монокристальные волокна и армированные ими материалы. — М.: Мир, 1973, с. 42−57.
  126. A.A., Пошехонова Т. А., Пошехонов П. В. 0 механизме образования нитевидных монокристаллов на электродах электронных приборов. РиЭ, 1973, т. 18, № 9, с. 1993−1999.
  127. П.В., Носова Д. И., Носов A.A. Вэст нитевидных кристаллов окиси хрома. В сб.: Материалы Ш Всесоюзной конференции «Нитевидные кристаллы для новой техники». — Воронеж, ВПИ, 1979, с. 73.
  128. Gomer R. Field Emission from Mercury Whiskers. J. Chem. Phys., 1958, v. 28, N. 3, p. 457−469
  129. A.A., Овсянников Н. П., Шуппе Г. Н. Прямое электронно-микроскопическое наблюдение динамики формирования многоострий-ного автоэлектронного катода на основе вольфрама. ЖТФ, 1984, т. 54, Je 2, с. 372−374.
  130. A.A., Овсянников Н. П., Чадаев H.H. Термоавтоэлектронная эмиссия нитевидных кристаллов при их росте. В кн.: Тез. докл. ХУШ Всесоюзной конференции по эмиссионной электронике. — М.: Наука, 1981, с. I8I-I83.
  131. A.A., Овсянников Н. П., Чадаев H.H. О температурных эффектах при росте нитевидных кристаллов. В сб.: Вакуумная и газоразрядная электроника. — Рязань, РР1И, 1981, с. 63−67.
  132. В.Е. и др. Кристаллизация тугоплавких металлов из газовой фазы. М.: Атомиздат., 1974. — 212 с.
  133. Г. А. и др. Металлоорганические соединения в электронике. М.: Наука, 1972. — 479 с.
  134. Н.Г. Электронный микроскоп. -М.: ГИТЛ, 1949, с.264−266.
  135. Технология тонких плёнок /Под ред. Л. Мойсела, Р. Гленга. -М.: Сов. радио, 1977, т. I. 764 с.
  136. A.A., Пошехонова Т. А., Пошехонов П. В. Воздействие электрического поля на формирование нитевидных монокристаллов золота. -РиЭ, 1972, т. 17, Л 2, с. 366−369.
  137. H.A., Берлиновский А. Г., Черчик Н. О., Елисеев P.E. Фотоэлектронные приборы /Под ред. Д. В. Зернова. М.: Наука, 1965. — 592 с.
  138. Г. Н., Закурдаев И. В. Процессы массопереноса и изменения структуры поверхности кристаллов. Обзоры по электронной технике, в. 7 (954) и II (955) — М.: ЦНИИ Электроника, 1983.
  139. A.A., Носова Д. И., Шуппе Г. Н. О механизме воздействия электрического поля на рост нитевидных кристаллов. РиЭ, 1984
  140. А.Н. Давление пара химических элементов. М.: Изд. АН СССР, 1961.
  141. Я.Е., Кагановский Ю. С. Диффузионные процессы на поверхности кристаллов. М.: Энергоиздат., 1984, — 123 с.
  142. Gomer R. On the Mechanism of Liquid Metal Electron and Ion Sources. Appl. Phys., 1979, v. 19 N. 4, p. 365−375
  143. Д.И., Шуппе Г. Н. Влияние сильного электрического поля на образование центров нитевидных кристаллов. Межвуз. сб. Вакуумная и газоразрядная электроника. — Рязань, РРШ, 1983, с. 39−41.
  144. Пат. № 4 075 535 С США). Flat Cathodio Tube Display Claims./ Pierre Genquad и др. Опубл. в «Изобр. в СССР и за рубежом», 1978, Jfe 24.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!