Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si

Диссертация: Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

На сегодняшнем этапе развития солнечной энергетики наибольшую роль играют кремний и арсенид галлия. С точки зрения КПД преобразования энергии арсенид галлия является одним из перспективных материалов для изготовления солнечных элементов. Так как КПД преобразователей солнечной энергии на основе ОаАз достигает 20−24%, в то время как у лучших кремниевых солнечных элементов он составляет 18% (при… Читать ещё >

Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ.Л
  • 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
    • 1. 1. Свойства и применение гетеросистем 81хОе1х/81, ОаАзДле, А1хОа1хА8/ОаА
    • 1. 2. Методы технологии получения структур 81хОе1. х/81, ОаАзЛЗе, АШа^Аз/ваАз
    • 1. 3. Термодинамика фазовых равновесий в системе кристалл-расплав
    • 1. 4. Постановка задачи исследования
  • ВЫВОДЫ
  • 2. ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКОЕ ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССА ПОЛУЧЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЬ1ХГЕТЕРОС'5^^|^|Зф|Оа1.хА8/ОаА8/Ое/81хОе1.х/
    • 2. 1. Многослойные гетероструктуры А1хОа1. хА8/ОаА8/Ое/81хОе1х/81 для высокоэффективного преобразования солнечного излучения
    • 2. 2. Расчет фазовых равновесий в системе 8ьОе-8п
    • 2. 3. Термодинамический анализ метода близкого переноса применительно к выращиванию ваАз
  • ВЫВОДЫ
  • 3. АППАРАТУРНО-МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ПОЛУЧЕНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ А1хОа1. хА8/ОаА8/Ое/81хОе1.х/
    • 3. 1. Аппаратура для выращивания гетероструктур АШаьхАз/ОаАз/Ое^Ое!
    • 3. 2. Методика получения варизонных слоев 81хОе1х/
    • 3. 3. Получение гетероструктуры ОаАзАЗе методом близкого переноса
    • 3. 4. Методика получения слоев А1хОа1. хА8/ОаА
  • ВЫВОДЫ
  • 4. СВОЙСТВА ВЫРАЩЕННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР
    • 4. 1. Гетероструктура Ое/81хОе1х/
    • 4. 2. Гетероструктура GaAs/Ge
    • 4. 3. Гетероструктура p-AlxGai.xAs/p-n-GaAs
    • 4. 4. Конечная стадия изготовления солнечных элементов на базе гетероструктуры AlxGai. xAs/GaAs/Ge/SixGeix/S
  • ВЫВОДЫ
  • ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

В настоящее время полупроводниковые материалы являются основным материалом в изготовлении электронных приборов. Одним из направлений такого использования является производство солнечных элементов. К преимуществам таких источников энергии можно отнести преобразование солнечного света непосредственно в электричество с высоким коэффициентом преобразования, создание почти постоянной мощности при низких эксплуатационных расходах и сохранение чистоты окружающей среды. В последнее время наблюдается расширение исследований и разработок дешевых плоскопанельных, а также тонкопленочных солнечных батарей, систем концентраторов и многих новых идей. Следует ожидать снижения себестоимости отдельного солнечного элемента и комплектуемых на его основе больших солнечных батарей, что окажется экономически выгодным при использовании солнечной энергии в широких масштабах.

На сегодняшнем этапе развития солнечной энергетики наибольшую роль играют кремний и арсенид галлия. С точки зрения КПД преобразования энергии арсенид галлия является одним из перспективных материалов для изготовления солнечных элементов. Так как КПД преобразователей солнечной энергии на основе ОаАз достигает 20−24%, в то время как у лучших кремниевых солнечных элементов он составляет 18% (при обычном значении 15%). Использованию арсенида галлия для изготовления крупномасштабных плоских панелей солнечных батарей препятствует его значительно более высокая себестоимость по сравнению с кремнием. Тем не менее, высокий КПД в сочетании с возможностью работы при умеренно высоких температурах (до 200°С) делает элементы на основе ваАБ наиболее привлекательными для создания систем, использующих солнечный свет, концентрируемый оптическими приборами (линзы Френеля или параболические зеркала и их настройка). Кроме того, последовательно с р-п переходом на основе арсенида галлия можно нарастить эпитаксиальный слой полупроводникового соединения с большой шириной запрещенной зоны (таких как АЮаАз) и сделанный в нем р-п переход увеличит КПД уже двухслойной структуры.

Таким образом наблюдается две тенденции развития солнечной энергетики. К первой можно отнести изготовление солнечных батарей большой площади из дешевых материалов (в частности, из кремния) с низким коэффициентом преобразования. Вторым направлением является усложнение конструкции солнечных элементов, использование дорогих материалов (например, ваАз), обладающих высокой эффективностью. Сегодня для широкого использования солнечных элементов как источников энергии последняя тенденция развития не является конкурентоспособной первому направлению. Это можно объяснить, в частности, тем, что себестоимость получения арсенид галлиевой подложки на порядок больше себестоимости изготовления кремниевой, требования, предъявляемые к чистоте, кристаллическому качеству материала подложки для солнечного элемента, значительно выше для ОаАэ.

Одним из решений может быть использование кремниевой подложки только в качестве несущей, на поверхности которой формируются каскады, преобразующие свет в электрическую энергию. Другими словами, использование гетероструктур типа ОаАэ/Зь С этой точки зрения как подложечный материал кремний обладает рядом преимуществ в сравнении с арсенид ом галлия: размер рабочей поверхности подложек из 81 значительно больше подложек из ОаАэплотность 81 в два раза выше плотности ОаАз (что особенно важно для фотоэлектронных преобразователей космического излучения) — теплопроводность 81 в три раза выше теплопроводности ОаАБ (что обеспечивает лучший отвод тепла от активных областей) — механическая прочность 81 вышеи, наконец, стоимость кремниевых подложек на порядок ниже, чем подложек из ОаАэ.

На сегодняшний день подобное направление развития полупроводниковой электроники не получило должного внимания. Это связано, прежде всего, с трудностями, появляющимися при попытках непосредственного выращивания арсенида галлия на кремнии. В связи с тем, что параметры решеток этих материалов различаются более чем на 4%, в структуре формируемых слоев наблюдается высокая плотность дислокаций, что приводит к значительным потерям в структуре и, следовательно, делают ее непригодной для применения. Снижение плотности дислокаций возможно с использованием промежуточных буферных слоев. При сравнении параметров решеток различных полупроводниковых материалов получаем, что у Ge и GaAs различие составляет всего 0,02%. Имея в виду, что система Si-Ge образует непрерывный ряд твердых растворов, можно ожидать, что формированием варизонного слоя SixGeix между Si и GaAs с постепенным увеличением количества Ge по мере удаления от подложки возможно снижение значения плотности дислокаций в объеме активных слоев.

Отработка технологии получения таких варизонных слоев позволяет проектировать новые конструкции солнечных элементов, в частности, многокаскадных. Поэтому разработка конструкции многослойных каскадных солнечных элементов на базе таких гетероструктур является весьма актуальной задачей. Выбор и отработка соответствующих методов выращивания активных областей, удовлетворяющих требованиям сохранения дешевизны и высокого кристаллического качества, также является актуальной задачей. Решение этих задач и является целью диссертационной работы.

Настоящая диссертационная работа состоит из введения и четырех глав.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ.

1. Рассмотрено приборное использование новых многослойных гетероструктур AlxGabxAs/GaAs/Ge/SixGeix/Si в качестве солнечных элементов. Описан один из возможных новых вариантов его конструкции. Разработан технологический цикл производства прибора.

2. Теоретически исследована фазовая диаграмма системы Si-Ge-Sn в диапазоне температур 900−1150 К по модели регулярных растворов. Проведенный сравнительный анализ с результатами эксперимента показывает соответствие с получаемыми значениями.

3. Проведенный термодинамический анализ метода близкого переноса определил: химическую реакцию, под действием которой идет рост слоев арсенида галлиятемпературный диапазон выращивания, составляющий 10 501 150 Кневозможность параллельного легирования примесями Zn, Sn и Те с помощью механизмов роста.

4. Реализованный метод ЗПГТ в сочетании с принудительным охлаждением и подпиткой из поликристаллического источника позволяет получать варизонные эпитаксиальные слои твердых растворов SixGeix на Si с постепенным увеличением доли Ge по мере удаления от подложки при использовании в качестве растворителя олова. Выявлено, что качественные слои возможно получать только при проведении следующих основных технологических этапов: травление поверхности подложки в расплаве, непосредственный рост пленок и последующий термический отжиг. Разработанная конструкция кассеты сдвигового типа позволила совместить процессы травления и выращивания в едином технологическом цикле.

5. Анализ результатов исследований распределения плотности дислокаций по толщине выращенных структур Ge/SixGeix/Si показал, что на кристаллическое качество слоев оказывает влияние скорость охлаждения, состав источника, термический отжиг. Наилучшие результаты были получены при скорости охлаждения 0,5 К/мин, составе источника 10 ат.% Si и 90 ат.% Ge, размере его среднего зерна -0,05 мм², толщине жидкой зоны 300 мкм и 30-ти минутном термическом отжиге.

6. Реализованный метод близкого переноса позволяет получать однородные эпитаксиальные слои GaAs на Ge подложках. Разработаны новые типы конструкционного исполнения технологических кассет в случаях с монои поликристаллическим источником.

7. Показано, что на поверхности слоев GaAs, выращенных методом близкого переноса из монокристаллического источника, всегда наблюдаются три характерные области: с множеством ямок травления, зеркальная и пирамидальная. Их формирование объяснено на схеме прохождения газа-носителя. При температуре в зазоре между источником и подложкой —1100 К в образцах достигается резкий металлургический переход и малый разброс слоев по толщине. Скорость роста при этом составляет 1 мкм/мин.

8. Метод ЖФЭ из ограниченного объема раствора-расплава позволяет получать пленки варизонных твердых растворов AlxGaixAs на GaAs подложках. Проблему неравномерного распределения элементов в гетероструктуре AlxGai xAs/GaAs как по поверхности, так и по толщине, возникающую при выращивании тонких слоев (до 10 мкм) жидкофазными методами решает разработанная конструкция сдвиговой технологической кассеты, которая снабжена предварительной подпитывающей подложкой.

9. Показано, что распределением AI в структурах AlxGaixAs/GaAs, полученных методом ЖФЭ из ограниченного объем раствора-расплава, возможно управлять скоростью принудительного охлаждения. При оптимальном режиме выращивания плотность дислокаций в структуре не превышает 105 см" 2.

— 190.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Voinigescu S., Schumacher М., Iniewski К., Lisak R., Parpia Z. Emerging SiGe technology a preview. — Electron Technol. — 1993. — 26, № 4. — C. 25−64.
  2. Wojtczuk S.J., Tobin S.P., Keavney C.J., Bajgar C., Sanfacon M.M. IEEE Trans. Electron. Dev., 37, 455 (1990).
  3. Tobin S.P., Vernon S.M., Bajgar C., Haven V.E., Geoffroy L.M., Lillington D.R.
  4. EE. Electron. Dev. Lett., 9, 256 (1988).
  5. Ю.В. Изв. вузов СССР. Физика, 29, вып. 8, 68 (1986).
  6. Электрорадиоматериалы. Под ред. Б. М. Тареева. М.: Высшая школа, — 1978.336 с.
  7. Aleshkin V.Ya., Bekin N.A. The conduction band and selection rules for interbandoptical transitions in strained Gei. xSix/Ge and GeixSix/Si heterostructures. J. Phys. Condens. Matter. — 1997. — 9, № 23. — C. 4841−4852.
  8. Charifi Z., Bouarissa N. The effect of the violation of Vegard’s law on the opticalbowing in SiixGex alloys. Phys. Lett. A. — 1997. — 234, № 6. — C. 493−497.
  9. В.Я., Бекин Н. А. Спектры электронов и дырок и правила отбора дляоптических переходов в гетероструктуре Ge/SixGejx. ФТП. 1997. — Т. 31, № 2.-с. 171−178.
  10. М.Г., Хуцисшвили Э. В. Твердые растворы полупроводниковой системыгерманий-кремний. Тбилиси: Мецниераба, — 1985. — С. 176.
  11. В.Н., Овчаренко А. Н., Юрьев В. А. Выращивание кристаллов твердого раствора кремний-германий методом движущегося растворителя. 8 Всесоюзн. Конф. «Рост кристаллов». Т.2. 4.1. Харьков. 1992. Стр. 214.
  12. Р. Полупроводники : Пер. с англ. М.: Мир, — 1982. — 560 с.
  13. Л.М., Елисеев П. Г., Исмаилов И. Инжекционные излучательные приборы на основе многокомпонентных полупроводниковых твердых растворов. М.: Итоги науки и техники, серия радиотехника, 1980. — с. 3−116.
  14. А .Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия, 1982 -309 с.
  15. Под редакцией Калдиса Э. Актуальные проблемы материаловедения. М.: Мир, 1983.-274с.
  16. Н.П., Пасынков В. В., Тареев Б. М. Электротехнические материалы: Учебн. Для вузов. Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. Отд-ние. 1985. -304 с.
  17. A.N., Bublik V.T. // J. Cryst. Growth. 1986. — V. 75. — № 3. — P. 497 503.
  18. Panish M.B. and Sumski S. Ga-Al-As: PHASE, THERMODYNAMIC AND OPTICAL PROPERTIES. J.Phys. Chem. Solids., Pergamon Press., 1969 V. 30, pp. 129−137.
  19. .И., Гарбузов Д. З., Нинуа О. Ф., Трофим В. Г. Фотолюминесценция твердых растворов n-AlxGa(l-x)As. ФТП, 1971, Том 5, № 6, с. 1116−1121.
  20. .И., Гарбузов Д. З., Клышкин В. И., Нинуа O.A., Трофим В. Г. Рекомбинационное излучение твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных цинком. ФТП, 1971, Том 5, № 7, с. 1405−1408.
  21. .И., Гарбузов Д. З., Нинуа О. Ф., Трофим В. Г. Фотолюминесценция твердых растворов арсенид алюминия арсенид галлия, легированных германием. ФТП, 1971, Том 5, № 6, с. 1122−1125.
  22. П.А., Гутов В. В., Дмитриев А. Г., Именков А. Н., Царенков Б. В., Яковлев Ю. П. Координатное изменение люминесценции в варизонной Ga(l-x)AlxAs:Si p-n структуре. ФТП, 1974, Том 8, № 10, с. 1913−1917.
  23. Л.И., Коваленко В. Ф., Пека Г. П., Шепель Л. Г. Особенности поведения глубоких примесных центров и примесная фотолюминесценция в варизонных твердых растворах AlxGa(l-x)As, легированных хромом. ФТП, 1981, Том 15, № 15, с. 551−556.
  24. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. M. Мир, 1984, Том 2, — 455 с.
  25. А .Я. Оптоэлектронные полупроводниковые приборы на основе твердых растворов соединений АЗВ5 для спектрального диапазона 1,0 1,5 мкм. -Зарубежная радиоэлектроника, 1979, № 9, с. 87−97.
  26. В.И. Оптоэлектронное преобразование в полупроводниках с градиентом запрещенной зоны. ЖПС, 1974, Том 21, № 5, с. 849−855.
  27. Lee Т.Р., Burrus С.А., Dentai A.D. InGaAsP/InP photodiodes: microplasma-limited avalanche multiplication at 1−1,3 mkm. wave- length. IEEE J. Quantum Electron., 1979, V. QE-15, № 1, p. 30−35.
  28. Campbell J.C., Lee T.P., Dentai A.D., Burrus C.A. Dual-wave length demultiplexing InGaAsP photodiodes. Appl. Phys. Lett., 1979, V. 34, № 6, p. 401 402.
  29. X., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах. М. Мир, 1981.
  30. A. Georgakilas, P. Panayotatos, J. Stolmones, J.L. Christou. J. Appl. Phys., 71, 2679 (1992).
  31. В.В., Жиляев Ю. В., Назаров Р., России В. В., Федоров Л. М., Шерняков Ю. М. Письма в ЖТФ, 19, 61 (1993).
  32. Boucher A., Hollan L.J. Electrochem. Soc., 1970, № 117, p. 923.
  33. Shaw D.W. Inst, of Phisics, Bristol. Inst. Phis. Conf. Ser. № 7, p. 50.35. «Электронно-макроскопическое исследование дислокаций структуры гетероэпитаксиальных твердых растворов Si-Ge». 7 Всесоюзн. Конф. По росту кристаллов. Т.1. 4.1. 1988. С. 93.
  34. Samavedam Srikanth В., Fitzgerald Е.А. Novel dislocation structure and surface morphology effects in relaxed Ge/Si-Ge (graded)/Si structures. J. Appl. Phys. -1997.-81,№ 7.-C.3108−3116.
  35. Nosaki T., Ogawa M., Terao H., Watanabe H. Inst, of Phisics, Bristol. Inst. Phys. Conf. Ser. № 24, 1975, p. 46.
  36. Tietjen J.J., Ban V.S., Enstom R.E., Richman D. The journal of vacuum science and technology, 1971, V 8, № 5, p. 5−8.
  37. А.Г., Соколов А. А. Лазерная обработка неметаллических материалов. М.: Высшая школа, 1988. — 156с.
  38. Manasevit Н.М., Simpson W.I. J. Electrochem. Soc., 1969, № 116, p. 1725.
  39. Lee C.H., Pogge H.B., Kemlage B.M. Fall Metting of Electrochem. Soc. Cleveland, Ohio, 1971, № 181.
  40. Attolini G., Bocchi C., Franzosi P., Korytar D., Pelosi C. An x-ray diffraction study of the lattice strain relaxation in MOVPE GaAs/Ge heterostructures. J. Phys. D. -1995. — 28, № 4A. — С. A129-A132.
  41. Tsujikawa Tomoko and oth. Metalorganic vapor phase epitaxy growth features of AlGaAs in tetrahedral-shaped recesses on GaAs (lll)B substrates. Jap. J. Appl. Phys. Pt 1. — 1997. — 36, № 6b. — C. 4102−4106.
  42. Hallais J., Andre J.P., Bandet P., Boccon-Gibod D. Inst, of phis. Conf. Ser. N45, Inst, of Phisics, Bristol., 1979, p. 361.
  43. Cho A.J., Arthur J.R., Vjlecular beam epitaxy. Prog. Solid State Chem., 1975, V 10, pt3, p. 157−191.
  44. Arthur J.R., Lapore J.J. J. Vac. Sci. Technol., 1969, № 6, p. 213.
  45. З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. М., Радио и связь, 1991, 528 с.
  46. Zhang F.C., Singh J., Bhattacharya P.K. Kinetics of Sii. xGex/Si (0
  47. Zhu Nanchang and oth. Структурный анализ сверхрешеток с напряженными слоями Ge0,5Si0ySi, выращенных при различных температурах, с помощью двухкристальной рентгеновской дифракции. Bandaoti xuebao. Chin. J. Semicond. — 1995. — 16, № 2. — С. 118−124.
  48. Fischer G.G., Zaumseil P. In situ x-ray investigation of the high-temperature behavior of strained SiixGex/Si and SiixCx/Si heterostructures. J. Phys. D. — 1995. -28,№ 4Аю. -С. A109-A113.
  49. Flora J.A., Chason E. Measuring Ge segregation by real-time stress monitoring during Si. xGex molecular beam epitaxy. Appl. Phys. Lett. — 1996. — 69, № 25. -C. 3830−3832.
  50. Monakhov E.V., Shiryaev S.Yu., Nylandsted Larsen A., Hartung J., Davies G. Relaxed epitaxial Sii. xGex grown by MBE. Thin Solid Films. — 1997. — 294, № i 2.-C. 43−46.
  51. Obata Т., Komeda K., Nakao T. The effect of buffer layers on structural quality of SiojGeo. s layers grown on Si (001) substrates by molecular beam epitaxy. Appl. Surface Sci. — 1997.-№ 117−118. -C. 507−511.
  52. Horn-von Hoegen M., Copel M., Tsang J.C., Reuter M.C., Tromp R.M. Surfactant-mediated growth of Ge on Si (111). Phys. Rev. B. — 1994. — 50, № 15. — C. 10 811−10 822.
  53. Comrie C.M. Epitaxial GeSi layers produced by solid phase epitaxial growth. -Annu. Rept, March, 1991 / Nat. Accel. Centre. Faure: NAC, 1991. — C. 63−64.
  54. Kawai Т., Yonezy H., Yoshida H., Pak K. Ge segregation and its suppression in GaAs epilayers grown on Ge (l 11) substrate. Appl. Phys. Lett. — 1992. — 61, № 10. -C. 1216−1218.
  55. М.П. Кристаллография. М.: Высшая школа, 1976.- 391 с.
  56. Songsiriritthigul P., Holmen G., Olsson Е. Strained SiGe-alloy layers formed by solid phase epitaxial growth of Ge+ ion implanted silicon. Nucl. Instrum. And meth. Phys. Res. B. — 1997. — 122, № 4. — C. 630−634.
  57. Hemment P.L.F. Inst. Phys. Conf. Ser. Inst, of Phisics, Bristol., 1976, № 28, p. 44.
  58. B.M., Долгинов JI.M., Третьяков Д. Н. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов, М.: Сов. Радио. 1975. 328 с.
  59. А.С., Лейдерман А. Ю., Сапаев Б., Каражанов С. Ж. Электрофизические свойства твердых растворов Sij.xGex, полученных методом жидкофазной эпитаксии. ФТП — № 2. — 1993 г. — 256−259 с.
  60. Dorsch W., Strunk Н.Р., Wawra Н., Wagner G., Groenen J., Carles R. Strain-induced island scaling during SiixGex heteroepitaxy. Appl. Phys. Lett. — 1998. -72, № 2. — C. 179−181.
  61. Hall R.N. J. Electrohem. Soc., 1963, № 110, p. 385.
  62. Nelson H. Solid State Device Conf. Stanford, 1961.
  63. Donohue J.A., Minden H.T. Cryst. Growth, 1970, № 7, p. 221.
  64. Rode D.L., Sobers R.G. J. Cryst. Growth, 1975, № 29, p. 61.
  65. Cook L. Variation of the thickness and composition of LPE InGaAsP, InGaAs and InP layers growth from aftinite melt by the step-cooling technigue. Journal of Electronic Material, 1981, V 10, № 1, p. 119−140.
  66. Daniel J. J., Michel C. Inst. Phys. Conf. Ser. Inst, of Phisics, Bristol., 1975, № 24, p. 155.
  67. Woodal J.M. Izothermal Solution Mixing Growth of Thin Ga (l-x)AlxAs Layers. J. Electrochem. Soc. 1971, V 118, № 1, p. 150−152.
  68. Л.С. Кандидатская диссертация. Ростов-на-Дону, 1975.
  69. В.Н., Лунин Л. С., Попов В. П. Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов. М: Металлургия, 1987, 232 с.
  70. Burle N., Pichaud В., Guelton N., Saint-Jacques R.G. X-ray topographic identification of dislocation nucleation mechanisms in the heteroepitaxial system GaAs/Ge. Phys. Status solidi. A. — 1995. — 149, № 1. — C. 123−129.
  71. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Учебник для вузов. М.: Металлургия, — 1988. — 574 с.
  72. Л., Берстейн X. Расчет диаграмм состояния с помощью ЭВМ. Пер. с англ. М.: Мир. — 1972. — 326 с.
  73. L., Riabcev N.G. / J. of Crystal Growth, 1976, v. 36, № 2, c. 335−341.
  74. С.С., Лебедев В. В. Соединения АЗВ5: Справочник. М: Металлургия, 1984. — 144 с.
  75. В.А., Карпов С. Ю., Портной Е. Л., Третьяков Д. Н. Особенности выращивания волноводных гетероструктур AlxGa(l-x)As с плавным изменением состава. Письма в ЖТФ. 1978, Том 4, вып. 11, с. 629−633.
  76. Panish М.В., Ilegems М. Prog. Solid St. Chem. 7. (1972) 39.
  77. Ж.И. Алферов, B.M. Андреев, Д. З. Гарбузов и др. Гетерофотоэлемент с промежуточным преобразованием излучения. ФТП. — 1977. — Т. 11, № 9. — С. 1765−1770.
  78. Wysocki J. J., Rappaport P. Effect of Temperature on Photovoltaic Solar Energy Conversion. J. Appl. Phys., 31, 571 (1960).
  79. Шик А.Я., Шмарцев Ю. В. ДАН, 1983. Т. 270. № 3. 593−596 с.
  80. Okamoto Н. Et al. Jap. Journ. Appl. Phys. 1987. V. 26. № 12. L1950-L1952 p.- 19 789. Wang W.I. Appl. Phys. Lett. 1984. V. 44. № 12. 1149−1151 p.
  81. Nakano T. Jap. Journ. Appl. Phys. 1967. V. 6. № 7. 854−863 p.
  82. .И. и др. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. В. 2. 171−176 с.
  83. В.М., Ивеньтьева О. О., Романова Е. П., Юферев B.C. Расчет каскадных солнечных элементов на основе соединений АЗВ5. ЖТФ. 1983. -Т. 53, № 10.-с. 2025−2031.
  84. М.М. Солнечные элементы. М.: Наука. 1987. 192 с.
  85. В.М., Румянцев В. Д. Фотоэлектрические преобразователи концентрированного солнечного излучения на основе гетероструктур. В сб.: Фотоприемники и фотопреобразователи. — Л.: Наука. 1986. С. 181−204.
  86. Goetzberger A. Optical Confinement in Thin Si Solar Cells by Diffuse Backth
  87. Reflectors. 15 IEEE Photovoltaic Specialists Conference, Orlando, 1981. pp. 867 870.
  88. Yablonovitch E., Cody G.D. Intensity Enhancement in Textured Optical Sheets for Solar Cells. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-29, 1982. pp. 300 305.
  89. J. Vilemes, J.P. Garrett Solid State Elec. 15. 1972. 343 p.
  90. Ю.В., Назаров H., Рудь В. Ю., Рудь Ю. В., Федоров Л. М. Фотоэлектрические свойства структур p-GaAs/n-Ge в линейно поляризованном излучении. ФТП. — Т. 28, № 10. — С. 1820−1825.
  91. А.Я. О температурной зависимости коэффициентов распределения и поверхностного натяжения. Неорг. мат. — 1990. — Т.26. — № 2. — С. 413−417.
  92. Thurmond С. D., Strathers 1. D. Equilibrium thermochemistry of solid and liquid alloys of Ge and Si. J. Phys. Chem. 1953. V. 57. P. 831—835.
  93. В. M., Земское В. С. Физико-химические основы легирования. М: Наука 371 с.
  94. О., Evans Е. L., Alcock С. В. Metallurgical Thermochemistry. 4Th ed. London et al., Pergamon Press, 1967. 495 p.
  95. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ. Изд.: в 4-х Т./ JI.B. Гурвич, И. В. Вейц, в.А. Медведев и др. 3-е изд. — Т. III. Кн. 1. — М.: Наука, 1981.-472 с.
  96. Химическая энциклопедия: в 5 Т.: т. 1: А Дарзана / Ред. Кол.: Кнунянц И. Л. (гл. ред.) и др. — М.: Сов. Энцикл., 1988. — 623 с.
  97. Термические константы веществ. Справ. Изд.: в 10-ти Т. / Под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др. Вып. 5. — М., изд. ВИНИТИ АН СССР, 1968.-531 с.
  98. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ. Изд.: в 4-х Т./ Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, в.А. Медведев и др. 3-е изд. — Т. III. Кн. 2. — М.: Наука, 1981.-400 с.
  99. Термические константы веществ. Справ. Изд.: в 10-ти Т. / Под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др. Вып. 2. — М., изд. ВИНИТИ АН СССР, 1968.-96 с.
  100. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ. Изд.: в 4-х Т./ Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, в.А. Медведев и др. 3-е изд. — Т. II. Кн. 1. — М.: Наука, 1979.-440 с.
  101. Термические константы веществ. Справ. Изд.: в 10-ти Т. / Под ред. В. П. Глушко, В. А. Медведева, Г. А. Бергмана и др. — Вып. 4. Ч. 1. М., изд. ВИНИТИ АН СССР, 1968. — 511 с.
  102. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Справ. Изд.: в 4-х Т./ Л. В. Гурвич, И. В. Вейц, в.А. Медведев и др. 3-е изд. — Т. II. Кн. 2. — М.: Наука, 1979.-344 с.
  103. И.С. Термодинамика оксидов. М.: Металлургия. 1986. — 344 с.
  104. Иванов-Есипович H.K. Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры: Учеб. пособие для вузов. 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высш. школа, 1979. — 205 с.
  105. И.А. Кандидатская диссертация. Новочеркасск. 1993.
  106. A.A., Бухараева A.A., Нургазизов Н. И., Овчинников Д. В. Изучение с помощью атомно-силового микроскопа in-situ химического травления структур Si02-Si. Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 21, с. 81−86.
  107. К.А., Махвиладзе Т. М., Раков A.B. Микроэлектроника. 1986. Т. 15. № 5. С. 392−397.
  108. А.И. В кн.: Кристаллизация и свойства кристаллов. -Новочеркасск: НПИ. — 1972. — Т. 259. — С. 59−70.
  109. В.П., Лапшинов Б. А. Обработка полупроводниковых материалов. -М.: Высшая школа, 1988. 184 с.
  110. А.Я. Технология спецматериалов электронной техники. М.: Металлургия, 1993.-368 с.
  111. Sahai R., Milnes A.G. Solid state electr. 13. 1970. P. 1289−1299.
  112. Т.А. Кандидатская диссертация. Москва. 1975.
  113. Andre A., LeDue J., Maniem M. J. of Cryst. Growth. 13/14, 1972. p. 667−668.
  114. Н.Д., Городниченко O.K., Марончук И. Е., Марончук Э. Е. Микровключения раствора расплава в эпитаксиальных слоях, выращенных из жидкой фазы. ЖТФ, 1980, т. 50, № 6, с. 1355−1357.
  115. Я.Е., Кривоглаз М. А. Движение макроскопических включений в твердых телах. М.: Металлургия, 1972, 344 с.
  116. .И., Жингарев М. З., Конников С. Г., Мокан И. И., Улин В. П., Уманский В. Е., Явич Б. С. ФТП. Т.№ 16. 1982 г. с.831−835.
  117. А.З., Петров А. И., Полторацкий В. М., Проскудина В. А., Сырбу А.В, Яковлев В. П. Тезисы I всесоюзной конференции «Физические основы твердотельной электроники». Ленинград. 1989. Т. В. 223−224 с.
  118. Н.М., Васильев A.M., Зайцева А. К., Линдсман А. П. Радиотехника и электроника. 10. № 4. 1965. 727−737 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!