Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели

Диссертация: Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Предложена математическая модель расчета скорости роста и состава эпитаксиального слоя с учетом планетарного механизма вращения пьедестала с подложками, а также вращения подложек вокруг оси симметрии. Анализ вычислительных экспериментов по предложенной модели позволил рекомендовать для производства оптимизированные технологические параметры процесса и изменение некоторых узлов в конструкции… Читать ещё >

Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Литературный обзор
    • 1. 1. Свойства соединений GaAs, InAs, AlAs и твердых растворов на их основе, учитывающиеся при производстве приборов оптоэлектроники
    • 1. 2. МОС-гидридный метод получения эпитаксиальных слоев
      • 1. 2. 1. Исходные материалы
      • 1. 2. 2. Аппаратура для проведения процесса
      • 1. 2. 3. Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии с использованием математического моделирования
      • 1. 2. 4. Характеристики эпитаксиальных слоев, получаемых на зарубежных и отечественных установках
    • 1. 3. Выводы по главе 1 и постановка задачи исследования
  • Глава 2. Технологический процесс и экспериментальная установка
    • 2. 1. Режимы получения эпитаксиальных слоев соединений GaAs, AlAs, InAs и твердых растворов на их основе
    • 2. 2. Характеристика экспериментальной установки
    • 2. 3. Методы контроля качества выпускаемых эпитаксиальных композиций
    • 2. 4. Выводы по главе 2
  • Глава 3. Математическая модель процесса ПФЭХО по МОС-гидридной технологии бинарных соединений, А В и твердых растворов на их основе
    • 3. 1. Математическое моделирование технологического процесса
    • 3. 2. Термодинамическая модель процесса МОС-гидридной эпитаксии
      • 3. 2. 1. Расчет равновесного состава фаз
      • 3. 2. 2. Численное моделирование термодинамики процесса
      • 3. 2. 3. Расчет параметра взаимодействия в твердых растворах
      • 3. 2. 4. Расчет возможности гомогенного зародышеобразования
    • 3. 3. Модель кинетики процесса
      • 3. 3. 1. Трехмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев в прямоугольном реакторе горизонтального типа
      • 3. 3. 2. Интерфейс трехмерной модели
      • 3. 3. 3. Двухмерная модель процесса осаждения эпитаксиальных слоев
      • 3. 3. 4. Интерфейс двухмерной модели
    • 3. 4. Базы данных свойств соединений используемых в расчете
    • 3. 5. Разработка модели роста слоев на вращающемся пьедестале
    • 3. 6. Выводы по главе 3
  • Глава 4. Компьютерное исследование процессов эпитаксии GaAs, AlxGai-xAs, InAs, InxGai.xAs. Адекватность модели
    • 4. 1. Расчет равновесного состава фаз в процессе эпитаксии
      • 4. 1. 1. Система GaCC2H5)3-AsH3-H
      • 4. 1. 2. Система Ga (C2H5)3-Al (CH3)3-AsH3-H
      • 4. 1. 3. Система In (CH3)3-Ga (C2H5)3-AsH3-H
    • 4. 2. Выбор соединения — источника элемента третей группы
    • 4. 3. Исследование кинетики процесса эпитаксии и адекватность модели
      • 4. 3. 1. Трехмерная модель скоростного поля парогазовой смеси в зоне роста
      • 4. 3. 2. Трехмерная модель температурного поля в зоне роста на примере системы Ga (C2H5)3-AsH3-H
      • 4. 3. 3. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев GaAs
      • 4. 3. 4. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs
      • 4. 3. 5. Компьютерное исследование кинетики роста эпитаксиальных слоев InxGai-x As
    • 4. 4. Выводы по главе 4

Актуальность работы.

Развитие оптоэлектроники приводит к необходимости совершенствования методов получения эпитаксиальных композиций для оптоэлектронных приборов, к которым предъявляются все возрастающие требования по мощности, стабильности пространственного распределения излучения, ширине полосы передачи информационного сигнала, долговечности и технологичности конструкции. В качестве полупроводниковых материалов для изготовления указанных приборов широко используются GaAs и твердые растворы AlxGai-xAs, InxGai.xAs.

Существует несколько методов получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений и твердых растворов на их основе: хлоридно-гидридная эпитаксия, жидкофазная эпитаксия, молекулярно-лучевая эпитаксия, МОС-гидридная эпитаксия. Последняя является наиболее перспективным, развивающимся методом, который выгодно отличается возможностью получения эпитаксиальных слоев на большой площади, невысокой скоростью роста, позволяющей выращивать квантоворазмерные слои, наличием одной температурной зоны в реакторе, что облегчает управление процессом, средней по сравнению с молекулярно-лучевой эпитаксией и жидкофазной эпитаксией стоимостью оборудования, малой стоимостью исходных веществ. Важной особенностью метода является возможность выращивания широкого спектра многослойных композиций.

Для улучшения характеристик приборов технологам необходимо решать задачи, связанные с уменьшением неоднородности толщины эпитаксиального слоя, состава твердого раствора и уровня легирования по поверхности подложки, а также к уменьшению концентрации фоновых примесей. Все это обусловливает научную и практическую актуальность совершенствования и оптимизации технологии получения эпитаксиальных слоев соединений А3В5 и твердых растворов на их основе МОС-гидридным методом.

Целью настоящей работы является создание математической модели процесса МОС-гидридной эпитаксии соединений А3В5 и их твердых растворов в горизонтальном реакторе для оптимизации технологических параметров процесса, обеспечивающих однородность толщины, состава эпитаксиальных слоев и уменьшение концентрации фоновых примесей.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

— анализ существующей технологии и влияние технологических параметров и особенностей конструкции оборудования на характеристики получаемых слоев;

— создание математической модели процесса МОС-гидридной эпитаксии и проверю ее адекватности сравнением результатов проведенных вычислительных экспериментов с данными измерений в лаборатории опорного предприятия толщины, состава, концентрации фоновых примесей в выращенных на производственной установке эпитаксиальных слоях;

— расчет численными методами скоростных, температурных и концентрационных полей в реакторе. Выявление технологических параметров, играющих доминирующую роль в достижении однородности толщины, состава, а также в снижении концентрации фоновых примесей в эпитаксиальных слоях.

Научная новизна работы заключается в следующем:

1. Обосновано применение двухмерной модели макрокинетики процесса МОС-гидридной эпитаксии в горизонтальном реакторе прямоугольного сечения с геометрическим отношением ширины к высоте больше 6 и числе Рейнольдса меньше 50.

2. Предложены методики расчета скорости роста слоя с учетом вращения пьедестала с подложками, а также вращения самих подложек вокруг оси симметрии. Адекватность модели проверялась по разбросу толщины эпитаксиального слоя и его составу при получении твердых растворов.

3. Расчетами по трехмерной модели движения парогазовой смеси с учетом теплообмена показано, что при температурах 600−800 °С на поверхности роста ламинарный газодинамический режим в реакторе поддерживается при скорости подачи парогазовой смеси до 0,2 м/с (н.у.) на входе в реактор и градиенте температуры над ростовой поверхностью 100−300 К/см.

4. Вычислительным экспериментом показан разный характер зависимости состава эпитаксиальных слоев InxGai-xAs и AlxGaixAs от температуры и соотношения V/III в исходной парогазовой смеси. Для InxGai-xAs при температурах выше 923 К указанная зависимость существенно нелинейна.

5. Показано влияние отрицательного градиента температуры над поверхностью роста и скорости движения парогазовой смеси на фоновую концентрацию углерода в эпитаксиальном слое, объясняющееся присутствием в газовой фазе радикалов СНз', (ЗаСНг' .

6. Обосновано уменьшение концентрации кислорода в эпитаксиальном слое при увеличении содержания арсина в исходной парогазовой смеси.

Практическая значимость работы заключается в следующем.

1. Для получения эпитаксиальных композиций с более высокой однородностью толщины и состава по подложке и более низкой концентрацией фоновых примесей предложены пути оптимизации технологического процесса (выбор температуры, давления в реакторе, расходов исходных компонентов) на основе модели процесса МОС-гидридной эпитаксии в горизонтальном реакторе с плоским вращающимся пьедесталом. Модель проверена на адекватность сопоставлением результатов вычислительных экспериментов с данными производственной лаборатории.

2. Рекомендована для производства полученная технологическая зависимость, позволяющая определять состав исходной парогазовой смеси по желаемому составу твердого раствора InxGai.xAs.

3. Создана программа и необходимая для ее работы база проверенных на согласованность данных для расчета параметра взаимодействия в четверных твердых растворах в среде «MS Excel» с применением объектно-ориентированного аппарата VBA.

4. Усовершенствованный интерфейс созданных по разработанным моделям программ позволяет рекомендовать их использование в учебном процессе при выполнении студентами курсовых и дипломных работ.

Научные положения, выносимые на защиту:

1. Возможность использования двухмерной модели массои теплопереноса в процессе роста в горизонтальном реакторе прямоугольного сечения для оптимизации технологических параметров с целью увеличения однородности толщины и состава эпитаксиальных слоев, а также снижения концентрации фоновых примесей.

2. Математическая модель ростового процесса с учетом планетарного механизма вращения пьедестала с подложками в горизонтальном реакторе, позволяющая исследовать и оптимизировать параметры роста, влияющие на однородность толщины и состава эпитаксиальных слоев по поверхности подложек.

3. Расчет содержания фоновых примесей в получаемых эпитаксиальных слоях по модели, описывающей термодинамику процесса МОС-гидридной эпитаксии.

4. Расчетная зависимость однородности толщины эпитаксиальных слоев GaAs, толщины и состава эпитаксиальных слоев AlxGai. xAs и InxGai. xAs от температуры процесса, ее отрицательного градиента над поверхностью роста, скорости подачи парогазовой смеси в реактор и давления в реакторе.

Апробация работы.

Достоверность результатов диссертационной работы не противоречит теоретическим основам и подтверждена практическими результатами, полученными на производственной установке «СИГМОС-130».

Результаты использования математической модели докладывались и обсуждались на конференции «2-ая Российская школа по кремнию» 2−4 июля 2001 года, Москва, МИСиС.

Публикации.

По теме настоящей диссертации опубликовано три статьи.

Основные выводы.

1. С использованием программ, реализующих математическую модель процесса МОС-гидридной эпитаксии GaAs, AlxGaixAs, InxGai-xAs, проведено исследование и предложены параметры процесса, позволяющие улучшить однородность толщины получаемых слоев на 25%, уменьшить разброс длины волны спонтанного излучения лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs для приборов оптоэлектроники на 35%, снизить уровень фоновых примесей в слоях AlGaAs на 50%. Улучшен интерфейс программ, работающих с созданными базами данных термодинамических свойств и кинетических коэффициентов веществ, участвующих в процессе, с целью доведения программного комплекса до уровня автоматизированного рабочего места инженера-технолога.

2. Для определения составов твердых растворов и концентраций фоновых примесей с использованием ПЭВМ проведена серия расчетов равновесных составов фаз для процесса эпитаксии слоев GaAs, AlxGai. xAs, InxGai. xAs в многокомпонентной системе методом минимизации общей энергии Гиббса с определением параметра взаимодействия в системе четверных твердых растворов в приближении квазирегулярных растворов.

3. С использованием трехмерной модели исследованы газодинамика и теплообмен в ростовой зоне промышленного реактора. Показано, что при отношении ширины поперечного сечения реактора к высоте больше 6 и установившемся ламинарном движении ПГС в реакторе Re<50, для моделирования массопереноса может использоваться двухмерное приближение.

4. Предложена математическая модель расчета скорости роста и состава эпитаксиального слоя с учетом планетарного механизма вращения пьедестала с подложками, а также вращения подложек вокруг оси симметрии. Анализ вычислительных экспериментов по предложенной модели позволил рекомендовать для производства оптимизированные технологические параметры процесса и изменение некоторых узлов в конструкции установки, что позволяет снизить неоднородность толщины эпитаксиальных слоев GaAs, AlxGai. xAs до 11,47% 3,25% по подложке и неоднородность состава InxGai. xAs с 13,42% до 6,78%.

5. В результате расчетов равновесного состава фаз показано, что с увеличением температуры процесса и давления в реакторе уменьшается концентрация углерода в эпитаксиальном слое, а концентрация кислорода уменьшается с увеличением температуры процесса и отношения V/III в исходной ПГС.

6. Показано влияние температуры процесса, скорости подачи ПГС, отрицательного температурного градиента над поверхностью роста, содержания ростообразующего компонента в исходной ПГС на распределение скорости роста и состава эпитаксиальных слоев GaAs, AlxGai. xAs, InxGaixAs по длине пьедестала.

Автор выражает особую благодарность к.т.н. Мармалюку А. А. и сотрудникам ООО «Сигм-Плюс» за предоставленную возможность ознакомления с технологией получения эпитаксиальных слоев и внимание, уделенное при обсуждении результатов работы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Adachi S. Material parameters for use in research and device applications// J. Applyed Physics, 1985, V. 58, № 3, p.p. R1-R29
  2. Kressel H., Nelson H. Phisics of Thin Films, edited by Gass G., Francombe M.H., Hoffman R W. I I Academic, New York, 1973, V. 7, p. 115
  3. Driscoll C.M.H., Willonghby A.F.W., Mullin J.B., Strangham B.W. Gallium Arsenide and Related Compounds// Inst, of Phys., London 1975, p. 275
  4. EttenberyM., PaffR.J. Thermal Expansion of AlAs// J. Appl. Phys., 1970, V. 41, p.p. 3926−3927
  5. C.C., Лебедев B.B. Соединения А3В5. Справ, изд. М.: Металлургия, 1984
  6. WeisbergLR, Blanc J. Properties of semiconductor alloys// J. Appl. Phys., 1963, V. 34, p. 1002
  7. Wiley J.D. Semiconductors and Semimetals, edited by Willardson R.K., Beer A.C.I I Academic, New York, 1975, V. 10, p. 91
  8. KudmanL, PajfRJ. Thermal expansion ofInxGabxP alloys// J. Appl. Phys., 1972, V. 43, p.p. 3760−3762
  9. A.M., Крапухин В. В., МармалюкА.А. Компьютерный расчет равновесных фаз при эпитаксии арсенида галлия в системе Ga (C2H5)3-AsH3-H20-H2// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2001, № 3 с. 56−58
  10. Takahashi Y., Yamashita K., Motojima S. et al. Low temperature deposition of a refractory aluminium compound by the thermal decomposition of aluminium dialkilamides// Surface Sci., 1979, V. 86, № 1, p.p. 238−245
  11. Tirtowidjojo M. and Pollard R. Equilibrium gas phase species for MOCVD of AlxGai. xAs//J. of Crystal Growth, 1986, V. 77, p.p. 200−209
  12. Toulouskian Y.S., Kirby R.K., Taylor R.E., Lee T.Y.R. Thermal expansion: Nonmetallic solids// Thermophysical Properties of Matter., 1977, V. 13, p.p. 16 171 658
  13. Piesbergen U., in Semiconductors and Semimetals, edited by Willardson R.K., Beer A.C.// Academic, New York, 1967, V. 2, p. 49
  14. Abeles B. Lattice thermal conductivity of disordered semiconductor alloys at high temperatures// Phys. Rev., 1963, V. 131, № 5 p. 1906
  15. КейсиХ., Паниш M. Лазеры на гетероструктурах -М.: Мир, 1981
  16. П.Г. Введение в физику инжекционных лазеров -М.: Наука, 1983
  17. Р.Х. МОС-гидридная эпитаксия: современное состояние и основные тенденции развития// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1999, № 2, с. 4−12
  18. Ю.А. Алещенко Химическое осаждение полупроводников А3В5 из паровой фазы металлорганических соединений// Э-Ч Электроника, 1986, № 46, стр. 29−46
  19. Koukitu A., Takahashi N., Seki Н. Thermodynamic study on metalorganic vapor-phase epitaxial growth of group III nitrides// Jpn. J. Appl. Phys. Pt. 2, 1997, V. 36, № 9 p.p. L1136-L1138
  20. Г. А., Гpибов Б.Г., Домрачеев Г. А., Саламатин Б. А. Металлорганические соединения в электронике -М.: Наука, 1977, с. 479
  21. Razeghi М. The MOCVD challenge -Bristol: Adam Hilger, 1989, p. 288
  22. Stringfellow G.B. Organometallic Vapour Phase Epitaxi: Theory and Practice -Boston: Academic Press, 1989, p. 314
  23. Komiyama #., Shimogaki Y., Egashira Y. Chemical reaction engineering in the design of CVD reactors// Chem. Engineer. Sci., 1999, V. 54, № 13−14, p.p. 19 411 957
  24. Schmitz D., Deschler M., Schulte F., Juergensen H. State-of-the-art control of growth of superlattices and quantum wells// Materials Science And Engineering ser. B, 1995, V. 35, p.p. 102−108
  25. Quazzani J., Kuan-Cheng Chiu, Rosenberg F. On the 2D modelling of horizontal CVD reactors and its limitations// J. of Crystal Growth, 1988, V. 91, p.p. 497−508
  26. Quazzani J., Rosenberger F. Three-dimensional modeling of horizontal chemical vapor deposition: I. MOCVD at atmospheric pressure// J. of Crystal Growth, 1990, V. 100, p. 545
  27. A.M., Крапухин B.B., Мармалюк A.A. Кинетика роста эпитаксиальных слоев GaAs в системе Ga(C2H5)3-AsH3-H2 в горизонтальном реакторе// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2001, № 4, стр. 56−59
  28. Peskin A.P., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in pancake MOCVD reactor// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494−510
  29. Jenkinson J.P., Pollard R. Thermal diffusion effects in chemical vapor deposition reactors// J. of the Electrochemical Society, 1984, V. 131, № 12 p.p. 2911−2917
  30. Rosenberger R, in: Chemical Vapour Deposition, edited by Callen G.N.II Electrochem. Soc., 1987, Rennington, NV, p. 11
  31. Jensen K.F. Transport phenomena and chemical reaction issues in OMVPE of compound semiconductors// J. of Crystal Growth, 1989, V. 98, p.p. 148−166
  32. Platten J.K., Legron J.C. Convection in Liquids ch. 8 -Springer, New York, 1984
  33. J. van der Ven, Rutten G.M.J., Raaijmakers M.J., Giling L.J. Gas phase depletion and flow dynamics in horizontal MOCVD reactors// J. of Crystal Growth, 1986, V. 76, p.p. 352−372
  34. Kisker D.W., Miller J.N., Stringfellow G.B. Oxygen gettering by graphite baffles during organometallic vapor phase epitaxial AlGaAs growth// Appl. Phys. Lett., 1982, V. 40, p.p. 614−616
  35. Stringfellow G.B., Horn G. Increase in luminescence efficiency of AlxGai-xAs grown by organometallic VPEII Appl. Phys. Lett., 1979, V. 34, p. 794
  36. Goorsky M.S., Kuech T.F., Cardone F" Mooney P.M., Scilla G.J., Potemski KM. Characterization of epitaxial GaAs and AlxGai. xAs layers doped with oxygenII Appl. Phys. Lett., 1991, V. 58, № 18, p.p. 1979−1981
  37. Wall is R.H., Forte-Poison M.A., Bonnet M, Beachet G., Duchemin J.P. Effect of oxygen injection during VPE growth of GaAs and AlxGaixAs// Inst. Phys. Conf. Ser., 1981, V. 56, p.p. 73−81
  38. Hersee S.D., Forte-Poison M.A., Baldy M, Duchemin J.P. A new approach to the «gettering» of oxygen during the growth of GaAlAs by low pressure MOCVD// J. of Crystal Growth, 1981, V. 55, p.p. 53−57
  39. Bhattachaja P.K., Matsumoto Т., Subramanian S. The relation of dominant deep levels in MOCVD AlxGai. xAs with growth conditions// J. of Crystal Growth, 1978, V. 68, p.p. 301−304
  40. Chang N., Jordan A.S., Chu S.N.G., Geva M. Residual oxygen levels in AlGaAs/GaAs quantum-well laser structures: effects of Si and Be doping and substrate misorientation// J. Appl. Phys. Lett., 1991, V. 59, № 25, p.p. 3270−3272
  41. Leu S., Hohnsdorf F., Stolz W., Recker R., Salzmann A., Greiling A. C- and O-incorporation in AlGaAs epitaxial layers grown by MOVPE using TBAs// J. of Crystal Growth, 1998, V. 195, p.p. 98−104
  42. Fujii K., Kawamura K., Gotoh H. Impurity incorporation of unintentionally doped AlxGabxAs during MOVPE// J. of Crystal Growth, 2000, V. 221, p.p. 41−46
  43. A.M., Крапухин B.B., Мармалюк A.A. Термодинамический расчет распределения кислорода при получении эпитаксиальных слоев AlxGai-xAs из системы Ga(C2H5)3-Al (CH3)3-AsH3-H20-H2// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2002, № 4, с. 63−65
  44. Stringfellow G.B. Calculation of regular solution interaction parameters in semiconductor solid solutions// J. Phys. Chem. Solids, 1973, V/73, № 10, p.p. 1749−1751
  45. B.B., Москвин П. П., Сорокин B.C. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов -М.: Металлургия, 1991
  46. Kumar V., Prasad G.M., Chetal A.R. et al. Microhardness and bulk modules of binary tetrahedral semiconductors// J. Phys. Chem. Solids, 1996, V. 57, № 4, p.p. 503−506
  47. К.Ф., Романков П. Г., Носков A.A. Примеры и задачи по курсу процессов и аппаратов химической технологии -JL: Химия, 1987, с. 576
  48. Dilawari А.Н., Szekely J. Computed results for the deposition rates and transport phenomena for an MOCVD system with a conical rotating susstrate// J. of Crystal Growth, 1989, V. 97, p.p. 777−791
  49. Но 1.Н., Stringfellow G.B. Incomplete solubility in nitride alloys// Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1997, V. 449, p.p. 871−880
  50. B.C., Таусон В. Л., Акимов B.B. Геохимия твердого тела -M.: ГЕОС, 1997, стр. 500
  51. Р.А. Прочность тугоплавких соединений -М.: Металлургия, 1974
  52. Cohen М. Calculation of bulk moduli of diamond and zinc blende solids// Phys. Rev. ser. В, V. 32, № 12, p.p. 7988−7991
  53. .Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников -М.: Высшая школа, 1982, с. 488
  54. Leitner J., Mikulec J. Thermodynamic Analysis of the Deposition of GaAs Epitaxial Layers Prepared by the MOCVD Method// J. of Crystal Growth, 1991, V. 112, p.p. 437−444
  55. PeskinA.P., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in a pancake MOCVD reactor Hi. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494−510
  56. Введение в математическое моделирование. Под редакцией доктора физ мат. наук, проф. Трусова П. В. -М.: Интернет Инжиниринг, 2000
  57. Kuech T.F., Potemski R., Cardone F., Scilla G. Quantitative oxygen measurements in OMVPE AlxGai-xAs grown by methyl precursors// J. of Electronic Materials, 1992, V. 21, № 3, p.p. 341−344
  58. Л.В., Крапухин B.B., Улыбин B.A. Технология эпитаксиальных гетерокомпозиций. Учебное пособие. Московский Государственный Институт Стали и Сплавов (Технологический университет), Москва, 2001
  59. Basics of the MOCVD process The CVD Engineering Company A1XTRON И www.aixtron.com, публикация от 04.02.02
  60. KoukituA., Takahashi N., Seki H. Thermodynamic Study of Metalorganic Vapour-Phase Epitaxial Growth of Group III// J. Appl. Phys., 1997, V. 36, p.p. 1136−1138
  61. On J., Yung-Chung Pan, Lee N.H. A high-temperature thermodynamic model for metalorganic vapor phase epitaxial growth of InGaN// Jpn. J. Appl. Phys., 1999, V. 38, № 9A, p.p. 4958−4961
  62. Механика жидкости и газа. Под научной редакцией Минаева А. Н -М.: Металлургия, 1987
  63. Handbook of Inorganic and Organometallic Chemistry 8-th Edition Founded by Leopold Gme Iin, Hong-Kong Barcelona, 1991
  64. DarmoJ., DubeckyF., Hardtdegen #., HollfelderM., Schmidt Я Deep-level states in MOVPE AlGaAs: the influence of carrier gas// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 13−20
  65. С.С., Дашевский М. Я. Материаловедение полупроводников и диэлектриков -М: Металлургия, 1988
  66. White W.B., Johnson S.M., Dantzig G.B. Chemical equilibrium in complex mixtures//J. Chem. Phys., 1958, V. 28, № 5, p.p. 751−755
  67. Cruise D.R. Notes on rapid computation of chemical equilibria// J. Phys. Chem., 1964, V. 68, № 12, p.p. 3797−3798l.Naphtali L.M. Calculate complex chemical equilibria// Ind. Eng. Chem., 1961, V. 53, № 5, p.p. 387−388
  68. Klima P., Silhavy J., Resabek V. A study of equilibrium reactions in the Ga-PCh-H2 and Ga-AsCb-Нг epitaxial systems// J. of Crystal Growth, 1976, V. 32, № 3, p.p. 279−286
  69. Peskin А.Р., Hardin G.R. Gallium arsenide growth in pancake MOCVD reactor// J. of Crystal Growth, 1998, V. 186, p.p. 494−510
  70. Oikawa S., Tsuda М, Morishita М Elementary process of the thermal decomposition of alkyl gallium// J. of Crystal Growth, 1988, V. 91, p.p. 471−480
  71. Coltrin M.E., Kee R.J. A mathematical model of the gas-phase and surface chemistry in GaAs MOCVD// Mat Res. Soc. Symp. Proc., 1989, V. 145 Materials Research Society, p.p. 119−125
  72. Sladek K.J., The role of homogenous reactions in chemical vapor deposition// J. Electrochem. Soc., 1971, V. 118, № 4, p. 654
  73. Л.В., Крапухин B.B., Нечаев B.B., Улыбин В. А. Компьютерное моделирование процесса парофазной эпитаксии химическим осаждением// Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 1998, № 1, с. 53−56
  74. Г. Возникновение турбулентности -М.: Наука, 1963
  75. Stringfellow G.B. Calculation of ternary and quaternary III-V phase diagrams// J. of Crystal Growth, 1974, V. 27, p.p. 21−34
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!