Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2SnOxAgOy

Диссертация: Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2SnOxAgOy
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Используемые методики. Контроль качества и определение параметров полученных сенсоров осуществлялись с помощью микроскопии атомных сил, интерференционной микроскопии, Оже электронной и электронной микроскопии для химического анализа, спектроскопии поглощения видимого излучения, рентгеноструктурного анализа. Измерения поверхностной проводимости, температурных зависимостей проводимости… Читать ещё >

Разработка и исследование газового сенсора на основе тонкопленочных материалов состава SiO2SnOxAgOy (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. СОВРЕМЕННЫЕ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ДЛЯ ГАЗОВОЙ СЕНСОРИКИ
    • 1. 1. Современные тонкопленочные материалы, обладающие газочувствительными свойствами
    • 1. 2. Критерии выбора газочувствительных материалов для сенсоров газов
      • 1. 2. 1. Микроструктура газочувствительных материалов
      • 1. 2. 2. Электропроводность газочувствительных материалов
      • 1. 2. 3. Химический состав газочувствительных материалов
    • 1. 3. Методы получения тонкопленочных оксидных материалов
      • 1. 3. 1. Физические методы получения оксидных пленок
      • 1. 3. 2. Химические методы получения оксидных пленок
      • 1. 3. 3. Осаждение оксидных пленок из растворов гидролизующихся соединений
  • Выводы
  • Глава 2. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЕ ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ СВОЙСТВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ
    • 2. 1. Интерференционная микроскопия для измерения толщины тонкопленочных материалов
    • 2. 2. Атомно-силовая микроскопия (АСМ) для контроля морфологии поверхности тонкопленочных материалов
    • 2. 3. Спектроскопия поглощения видимого излучения для определения ширины запрещенной зоны тонкопленочных материалов
    • 2. 4. Рентгеноструктурный анализ для определения фазового состава тонкопленочных материалов
    • 2. 5. Оже- электронная спектроскопия (ОЭС) и рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия (РФЭС) для определения элементного состава тонкопленочных материалов
  • Выводы
  • Глава 3. ТЕХНОЛОГИЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ СОСТАВА Si02Sn0xAg0y
    • 3. 1. Выбор компонентов и составление рецептуры пленкообразующего раствора
    • 3. 2. Выбор метода нанесения тонкопленочного материала на подложку
    • 3. 3. Термическая обработка тонкопленочных материалов
  • Выводы
  • Глава 4. ИССЛЕДОВАНИЕ СВОЙСТВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ СОСТАВА Si02Sn0xAg0y
    • 4. 1. Определение толщины тонкопленочных образцов
    • 4. 2. Исследование элементного и химического состава тонкопленочных образцов
    • 4. 3. Исследование морфологии поверхности и фазового состава тонкопленочных образцов
    • 4. 4. Исследование электрофизических свойств тонкопленочных образцов
  • Выводы
  • Глава 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СЕНСОРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ МАТЕРИАЛОВ СОСТАВА Si02Sn0xAg0y
    • 5. 1. Калибровка газовых сенсоров
    • 5. 2. Влияние состава и температуры отжига тонкопленочных образцов на их газовую чувствительность, время отклика и время восстановления *
    • 5. 3. Влияние температуры и влажности на газовую чувствительность тонкопленочного сенсора
    • 5. 4. Механизм газовой чувствительности сенсора к аммиаку
  • Выводы
  • ЗАКЛЮЧЕНИЕ
  • СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Интенсивное развитие современной микроэлектроники требует широкого исследования и применения новых материалов и технологий. В связи с этим на протяжении последнего десятилетия особое внимание уделяется многокомпонентным неорганическим оксидным материалам. Разновидностью таких материалов являются тонкие пленки (до 0,3 мкм) оксидов олова, титана, индия, молибдена и т. д., обладающих заданными оптическими и электрофизическими свойствами, используемыми для создания различных приборов электронной техники. Наибольший интерес представляет применение таких материалов в качестве газочувствительного элемента при разработке газовых сенсоров, каковым отводится не последняя роль в мониторинге окружающей среды в связи с необходимостью создания портативных устройств контроля состояния атмосферы. Повышенные требования к характеристикам сенсорных устройств вызывают также необходимость поиска и разработки новых технологических процессов, позволяющих получать газочувствительные материалы с заданными характеристиками.

Таким образом, тема диссертационной работы, связанная с разработкой технологии получения и исследованием свойств газового сенсора аммиака на основе тонких пленок состава SiC^SnOxAgOy, представляется современной и актуальной.

В области исследований свойств тонких оксидных пленок смешанного состава недостаточно изученными остается целый ряд вопросов. Не до конца изучено влияние технологических режимов формирования пленок, их состава, морфологии поверхности, микроструктуры на электрофизические свойства и газочувствительные характеристики тонкопленочных материалов. Остаются недостаточно ясными механизмы их взаимодействия с газами.

В связи с этим целью диссертационной работы является получение тонкопленочного материала состава Si02Sn0xAg0y и разработка на его основе газового сенсора. В связи с этим необходимо решить следующие задачи: 1. Разработать технологию получения тонкопленочных материалов состава Si02Sn0xAg0y, включающую стадии приготовления исходного раствора, его созревание, нанесение раствора на поверхность подложки и температурную обработку приготовленных пленочных образцов- 2. Получить тонкопленочные материалы состава Si02Sn0xAg0y с различным соотношением олова и серебра- 3. Исследовать состав и микроструктуру полученных пленочных образцов- 4. Исследовать электрофизические свойства тонкопленочных материалов состава Si02Sn0xAg0y. 5. Исследовать сенсорные характеристики тонкопленочных материалов состава Si02Sn0xAg0y.

Объектами исследования являлись тонкие пленки, полученные золь-гель методом из коллоидных растворов на основе тетраэтоксисилана с добавками соединений серебра (AgNCb) и олова (S11CI4), обладающие газочувсвительными свойствами.

Используемые методики. Контроль качества и определение параметров полученных сенсоров осуществлялись с помощью микроскопии атомных сил, интерференционной микроскопии, Оже электронной и электронной микроскопии для химического анализа, спектроскопии поглощения видимого излучения, рентгеноструктурного анализа. Измерения поверхностной проводимости, температурных зависимостей проводимости и газочувствительных свойств пленок производились на компьютерно управляемой установке.

Научная новизна работы:

1. Получен тонкопленочный материал состава Si02Sn0xAg0y;

2. Установлено влияние соотношения Sn/Ag, а также температуры отжига полученных образцов тонкопленочных материалов на морфологию их поверхности.

3. Установлено, что полученные пленки представляют собой многокомпонентную систему аморфного диоксида кремния с включениями оксидов Ag203, SnO, S113O4, и Sn02 и соединений Ag4Si04 и Ag2Si03 с размерами кристаллитов 5−81 нм.

4. По температурным зависимостям поверхностной проводимости, ширине запрещенной зоны и энергии активации полученных тонкопленочных материалов установлена их полупроводниковая природа.

5. Показано, что пленки состава Si02Sn0xAg0y обладают газочувствительностью к аммиаку при комнатной температуре.

6. Показано, что максимальную газовую чувствительность имеют образцы пленок, обладающие пористым строением, относительным соотношением Sn/Ag=l, l, шириной запрещенной зоны порядка 0,2 эВ, размером кристаллитов оксидов серебра 17,7 нм.

7. Предложен механизм взаимодействия молекул аммиака с поверхностью пленок состава Si02Sn0xAg0y.

Практическая ценность заключается в разработке технологии получения тонкопленочного материала состава Si02Sn0xAg0y и создании газового сенсора аммиака на его основе.

На защиту выносятся:

1. Технология получения пленок состава Si02Sn0xAg0y.

2. Результаты исследования элементного, химического, фазового состава и морфологии поверхности газочувствительных пленок.

3. Результаты исследования электрофизических свойств пленок состава SiC^SnOxAgOy и газочувствительных характеристик сенсоров на их основе.

4. Механизм взаимодействия молекул аммиака с газовым сенсором состава SiOzSnOxAgOy.

Апробация работы.

Основные результаты работы доложены на: ежегодных научно-технических конференциях профессорско-преподавательского состава, студентов и аспирантов ТРТУ (Таганрог, 2003;2005) — 1-й международной научно-технической конференции. «Сенсорная электроника и микросистемные технологии» (Украина, Одесса, 2004) — 13-м международном конгрессе по тонким пленкам (Швеция, Стокгольм, 2005) — международной конференции «Евросенсор XIX» (Испания, Барселона, 2005), V Международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микрои нанотехнологии» (Кисловодск 2005).

Публикации.

По материалам диссертационной работы опубликованы 24 печатные работы, из них 5 статей и 19 работ в сборниках трудов конференций.

Структура и объем работы.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 96 наименований. Общий объем диссертации составляет 129 страниц, включая 45 рисунков, 32 формулы и 14 таблиц.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

1. Проведенные рентгеноструктурные исследования показали, что состав пленок является многокомпонентным: обнаружены оксиды серебра Ag203 и олова SnO, Sn304 и Sn02, а также соединения Ag4Si04 и Ag2Si03 с размерами кристаллитов 5−81 нм. Установлена корреляция между соотношением Sn/Ag в исходных растворах и в полученных на их основе тонкопленочных материалах.

2. Морфология поверхности зависит от соотношения Sn/Ag и температуры отжига полученных тонкопленочных образцов. Пористостью обладает образец с минимальным соотношением Sn/Ag=l, l в пленке (температура отжига 600°С). С помощью программы Image Analysis рассчитаны основные геометрические размеры неровностей на поверхности образцов пленок.

3. Получены температурные зависимости поверхностного сопротивления пленок в диапазоне 20−260°С в координатах lgR — 1/Т, из которых установлено, что: 1) сопротивление пленок уменьшается с повышением температуры по экспоненциальному закону R=Roexp (-AE/2kT), что говорит о полупроводниковом характере проводимости материала пленки- 2) на кривой lgR — 1/Т существует линейный участок в области температур 57−227 °С, свидетельствующий об активационном характере проводимости.

4. Рассчитаны ширина запрещенной зоны и энергия активации для пленочных образцов, отожженных при 600°С: Eg=0,2 — 2,03 эВ, Еа=0,056 — 0,2 эВ. Установлено увеличение Eg и Еа при повышении соотношения Sn/Ag.

5. Показано, что полученные тонкопленочные материалы состава SiC^SnOxAgOy проявляют газочувствительность к аммиаку в диапазоне температур 20−50°С. Установлено влияние температуры отжига и концентрации олова и серебра на газовую чувствительность пленочных образцов. Наилучшей воспроизводимостью сигнала при периодическом воздействии аммиака в диапазоне концентраций 25−250 ррт обладает образец с соотношением Sn/Ag=l, 1 в пленке.

6. Предложен механизм взаимодействия молекул аммиака с пленками состава SiC^SnOxAgOy и показано, что в качестве активных центров выступают хемосорбционные комплексы оксидов серебра с кислородом.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В результате проделанной работы золь-гель методом были сформированы тонкопленочные образцы состава Si02Sn0xAg0y с различными содержанием олова и серебра, прошедшие термическую обработку в интервале температур 120−600°С. Пленки наносились на кремневые подложки. Толщины пленок не превышали 0,2 мкм. В качестве контактных электродов использовались олово и серебро. Были проведены исследования их элементного, химического и фазового составов, а также определены морфология поверхностиисследованы их электрофизические и газочувствительные характеристики, предложен механизм газовой чувствительности поверхности пленок состава Si02Sn0xAg0y к аммиаку.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М. Н. Румянцева, О. В. Сафонова, М. Н. Булова, и. др. Газочувствительные материалы на основе оксида олова. Сенсор.2003 № 2, с. 8−33.
  2. Т. Kawabe, К. Tabata, Е. Suzuki. Methanol adsorption on Sn02 thin films with different morphologies.// Surf. Science. V. 482−485 (2001), pp. 183 188.
  3. Р.Б. Васильев. Нанокристаллические гетероструктуры n-Sn02/p-Si: синтез и сенсорные свойства//Интернет-журнал Ломоносов.
  4. С.И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. С. Рембеза, О. И. Борсякова. Свойства нанокристаллических пленок Sn02 для датчиков газов.//Микросистемная техника, № 7, 2001, с.14−18.
  5. Kocemba, Т. Paryjczak. Metal films on a Sn02 surface as selective gas sensors.// The Solid Films 272 (1996), pp. 15−17.
  6. Tong M.S., Dai G.R., Gao D.S.// Vacuum, v.59, (2000), p.877−884.
  7. Kappler J., Tomescu A., Barsan N., Weimar U.// Thin Solid Films, v.391, (2001), p.186−191
  8. J., Cirera A., Vila A. //Thin Solid Films 2001. V. 391. P. 265−269
  9. C.H. Liu, L. Zhang, Yuan-Jin He. Properties and mechanism study of Ag doped Sn02 thin films as H2S sensors.// Thin Solid films. V.304 (1997), pp.13−15.
  10. Yamazov N., Miura N. in Chemical Sensor Technology, Yamauchi S., Kondansha, Tokyo, 1992. P.19.
  11. S.K. Andreev, L.I. Popova, V.K. Gueorguiev et all. Gas-sensitivity of Sn02 layers treated by rapid thermal annealing process.// Mater. Science and Engin. V. 383 (2001). pp. 223−226.
  12. Б.Ш. Галямов, C.A. Завьялов, Л. Ю. Куприянов. Особенности микроструктуры и сенсорные свойства нанонеоднородных композитных пленок.// Физическая химия и поверхностные явления. Т.74,№ 3,2000 Г, с. 459−465.
  13. И.А.Гесь. Пьезорезонансный сенсор на основе пленок Sn02 для определения паров органических соединений.// Микросистемная техника, № 11,2001, с. 17−22.
  14. Т. Maosong, D. Guorui, G. Dingsan. Surface modification of oxide thin film and its gas-sensing properties.// Appl. Surf. Science 171(2002), 226 220.
  15. Tong M.S., Dai G.R., Gao D.S.//Applied Surface Science, v.171, (2001), p.226−230
  16. A.H. Шатохин, Ф. Н. Путилин, А. С. Рыжиков и.др. Чувствительность к водороду тонких пленок Sn02 поверхностно легированных платиной методом лазерной абляции. // Сенсор, №№ 3−4 (2003), с.38- О
  17. К. Zakrzewska. Mixed oxides as gas sensors.//Thin Solid Films V.391 (2001), PP. 229−238.
  18. O.V., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I., Labeau M., Delabouglise G., Gaskov A.M. // Materials Science and Engineering. 2001. B85. P. 43−49.
  19. A.JI., Золотухин И. В., Калинин Ю. Е. и др. Влияние водорода на электрические свойства пленок окислов металлов, легированных кремнием, http://isjaee.hydrogen.ru/pdf/62002gusev.pdf
  20. О.В. Анисимов, Н. К. Максимова, Н. Г. Филонов и др. Особенности электрических и газочувствительных характеристик, полученных катодным напылением тонких пленок диоксида олова. // Сенсор, № 1 (2003), с.40−47.
  21. Yu-De Wang, Xing-Hui Wu, Quan Su. Ammonia sensing characteristics of Pt and Si02, doped Sn02 materials// Solid State Electronics US, 2001 p/347−350
  22. Ю. З.Бубнов. Металлоксидные газовые сенсоры.// Петербургский журнал электроники, 1998, № 1, с.59−62
  23. М. Ogita, К. Higo, Y. Nakanishi, Y. Hatanaka. Ga203 Thin Film for Oxygen Sensor at high temperature.//Appl. Surf. Science 175−176 (2001), pp. 721−725.
  24. J.L. Solis, S. Saukko, L. Kish et all. Semiconductor gas sensors based on nanostructured tungsten oxide.// The Solid Films 391(2001), pp.255−260.
  25. R. Bene, Z. Pinter, I. Perczel, M. Fleissher, F. Ref. High-temperature semiconductor gas sensors// Vacuum. V. 61(2001), pp.275−278.
  26. F. Paraguay D., M. Miki-Yoshida, J. Morales et all. Influence of Al, In, Cu, Fe and Sn on the dopants on the response of thin film ZnO gas-sensors to ethanol vapour.// Thin Solid Films/ V. 373 (2000), pp. 137−140
  27. P.I. Gouma. Nanostructured polymorphic oxides for advanced chemosensors.// Rev.Adv.Mater. Sci.V.5 (2003), pp.147−154.
  28. Д.А., Аветисов А. К., Мищенко Ю. А., Гельбштейн А. И. Изотопный обмен кислорода на трехокиси индия.// Материалы
  29. Всесоюз. семинара «Изотопные методы в изучении механизма катализа». Новосибирск, 1980.С. 1−8.
  30. Ivanovskaya М., Bogdanov P., Faglia G., Sberveglieri G. Properties of Thin Film and Ceramic Sensors fot the Detection of CO and N02.//Proc. Of Int. Metting «Eurosensors XIII». 1999. P. 145−148.
  31. T.B., Боговцева JI.П., Гутман Э. Е. Модифицированные золотом пленки 1п20з как селективные сенсоры СО в воздухе //Журнал прикладной химии. 2000.Т.73. Вып.12.С.1983−1986.
  32. Miyata Т., Hikosaka Т., Minami Т. High sensitivity chlorine gas sensors using multicomponent transparent conducting oxide thin films.// Sensors and Actuators, 2000. B69. P. 16−19.
  33. Miyata Т., Minami Т., Shimokawa K. et.all. New materials consisting of multicomponent oxides for thin film gas sensors// J. Electrochem. Soc.1997. Vol. l44,№ 7. P. 2432−2436.
  34. Tretyakov Y.D., Lukashin A. V., Napolsii K.S., Eliseev A.A. Iron Nonowires in the mesaporous Silica Matrix. //J. Magn. Mater.2004. V.272−276. P. 1609−1611.
  35. Л.П., Румянцева В. Д., Ермурацкий П. В. Пленочные химические сенсоры токсичных газов и паров.//Приборы и системы управления, 1997. № 1, с. 29−31.
  36. Ю.З. Металлоксидные газовые микросенсоры.// Петербургский журнал электроники.—№ 1,1997. С. 59−62.
  37. С.И., Свистова Т. В., Рембеза Е. С., Авдеева Т. В., Перспективный материал для тонкопленочных датчиков газов. // Тез.докл. IV Межд. науч.-тех. конф. «Электроника и ннформатика-2002». М.: МИЭТ, 2002 в 2-х ч. 4.1.С.204.
  38. Y. Shimizu and М. Egashira, MRS Bulletin, June (1999), pp. 18−24.
  39. N. Yamazoe, «New Approaches for Improving Semiconductor Gas Sensors,» Sensors and Actuators B, 5 (1991), pp. 7−19.
  40. G. Ansari et al., Grain Size Effects on H2 Gas Sensitivity of Thick Film Resistor using Sn02 Nanoparticles.// Thin Solid Films, 295 (1977), pp. 271−276.
  41. A. Gurlo et al., «In203 and Mo03-In203 Thin Film Semiconductor Sensors: Interaction with N02. and 03,» Sensors and Actuators B, 47 (1998), pp. 92−99.
  42. Kocemba I., Paryjczak t.// Thin Solid Films, v.272 (1996).p.l5−17.
  43. Nelli P., Faglia G, Sberveglieri G and oth.// Thin Solid Films, v.3 712 000).p.249−253.
  44. O.V., Rumyantseva M.N., Ryabova L.I., Labeau M., Delabouglise G., Gaskov A.M. // Materials Science and Engineering. 2001. B85. P. 43−49.
  45. J., Cirera A., Vila A. // Thin Solid Films 2001. V. 391. P. 265−269.
  46. Tong M.S., Dai G.R., Gao D.S.//Applied Surface Science, v.171, (2001), p.226−230.
  47. Cirilli F., Kasilus S., Mattogno G. and oth.// Thin Solid Films, v.3 151 998).p.310−315.
  48. Kappler J., Tomescu A., Barsan N., Weimar U.// Thin Solid Films, v.391,2001), p.186−191.
  49. Serrini P., Brios V., Horrilo M.C. and oth.// Thin Solid Films, v.304, (1997).p.l 13−122.
  50. A.V., Delabouglise G., Labeau M. // Thin Solid Films, v.3 371 999).p.l63−165.
  51. A.M., Румянцева M.H. Выбор материалов для твердотельных газовых сенсоров// Неорганические материалы, 2000, т.36, № 3, с. 369.-378.
  52. J. Norris. The Role of Precious Metal Catalysts//Solid State Gas Sensors/ Eds. Mosely P.T., Tofield. B.C. Bristol and Philadelphia, Alam Higer, 1987. P. 124−138.
  53. В. C. Tofield. Tin Dioxide Gas Sensors. Part2-The role of surface additives//J.Chem.Faraday Trans, 1.1998. V. 84. № 2. P.441−457.
  54. E. Boccuzzy, E. Guiglielminotti. IR Study of Ti02-Based Gas-Sensor Materials: Effect of Ruthenium on the Oxidation of NH3, (CH3)3N and NO // Sens. Actuators, В. 1994. V.21. P.27−31.
  55. C. Lim, S. O. Microstructure evolution and Gas Sensitivity of Pd-Doped Sn02-Based Sensor Prepared by Three Different Catalyst-Addition Processes.// Sens. Actuatore, B. 1996. V.30. P.223−231.
  56. V. Brinzani, G. Korotchecov. Factors influencing to gas sensing charactiristics of tin dioxide films.//Thing Solid Films, 2001. p. 165−175
  57. H.B. Суйковская. Химические методы получения тонких прозрачных пленок.—Л.:Химия, 1971 г, 200 е.
  58. О.Д. Парфенов. Технология микросхем: Учеб. Пособие.—М.: Высш. шк., 1986.-320 е., ил.
  59. С.В. Рябцев., Е. А. Тутов. Взаимодействие металлических наночастиц с полупроводником в поверхностно-легированных газовых сенсорах.//Физика и техника полупроводников, 2001.т.35, вып.7.,.с. 869−872.
  60. Н.К. Максимова, Ю. Г. Катаев, Е. В. Черников. Структура, состав и свойства газочувствительных пленок Sn02, легированных платиной и скандием.//Физическая химия поверхностных явлений, 1997. Т.71, № 8, с. 1492−1496.
  61. С.И. Рембеза, Т. В. Свистова, Е. С. Ромбеза. Микроструктура и физические свойства тонких пленок 8п02.//Физика полупроводников, 2002, т. З5, вып.7, с. 796−799.
  62. Б.Ш. Галямов, С. А. Завьялов, JI.III. Завьялова. Адсорбционные свойства наногетерогенных пленок на основе оксидов олова и титана.// Физическая химия поверхностных явлений, 1995 г, т.69, № 8, с.1071−1075. (
  63. Б.А. Акимов, A.M. Гаськов, М. Лабо и др. Проводимость структур на основе легированных нанокристаллических пленок Sn02 с золотыми контактами.//Физика и техника полупроводников, 1999 г, т. 33, вып. 2, с.205−206.
  64. Б.А. Акимов, А. В. Албуш, A.M. Гаськов. Сенсорные свойства по отношению к сероводороду и электропроводность поликристаллических пленок 8п02(Си).//Физика и техника полупроводников, 1997, т.31, № 4, с.400−405.
  65. К.В. Зиновьев, О. Ф. Вихлянцев, О. Г. Грибов. Получение окисных пленок из растворов использование их в электронной технике.— М. ЦНИИ. Электроника, 1974 г, 62 с.
  66. Ш. Ивановская, П. Богданов, А. Гурло. Структура и свойства оксидных наноразмерных систем.//sensor@fhp.bsu.by.
  67. Аппельт, Гейнц. Введение в методы микроскопического исследования. М.: Медгиз., 1959 г. — 425 с.
  68. П.В., Хохлов А. Ф. Физика твердого тела. Нижний Новгород: Изд. ННГУ, 1993.
  69. G.Bining, С. F. Quat, Ch. Gerber. Atomuc Force Microscope.// Phys.Rev.Lett., 1986, Vol.56, № 9, p. 930−933.
  70. К. Зеегер. Физика полупроводников./Под ред. Ю. К. Пожелы. М.:МИР, 1977 г.—616 с.
  71. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. В. Бриггса, М. Л. Сиха. -М.:Мир, 1987.-800 с.
  72. В.И. Рентгеноэлектронная спектроскопия химических соединений//Справочник.-М.:Химия, 1984.-256 с.
  73. Анализ поверхности методами оже- и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Под ред. В. Бриггса, M.JI. Сиха. -М.: Мир, 1987.-800 с.
  74. А.Т. Козаков, В. В. Петров, А-В. Никольский, JI.B. Битюцкая. Элементный состав и морфологические особенности газочувствительных пленок SiOx, легированных серебром и оловом./Юбщие вопросы радиоэлектроники. Вып.1,2005 г. С.212−223.
  75. А. Гинье. Рентгенография кристаллов. Теория и практика. Физматгиз. М.-(1961).
  76. И. Н., Семендяев К. А. Справочник по математике для инженеров и учащихся втузов. М.: Наука, 1986.-352 с.
  77. В.В. Петров. Автоматизированный стенд для калибровки сенсоров газа.// В тез. Докл. 1 межд. науч.-техн. Конф. «Сеносрная элекетроника и микросистемные технологии» Украина, Одесса, 1−5 июня 2004 г. Изд-во «Астропринт» С.288−289.
  78. Физико-химические свойства окислов. Самсонов Г. В., Борисова А. Л., Жидкова Т. Г. и.др. Справочник. Изд-во «Металлургия», 1978.-472 с.
  79. Физические величины: Справочник.//А.П.Бабичев, Н. А. Бабушкина, A.M. Братковский и др.- Под. ред. И. С. Григорьева, Е. З. Мейлихова.— М.- Энергоатомиздат, 1991.—1232 с.
  80. В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. Физика полупроводников. М.—1977 г., 672 с. --------
  81. П.С.Киреев. Физика полупроводников. Учеб. пособие для втузов. М. «Высшая школа», 1969.-592 с.
  82. Li Q., Yuan X., Zeng G., and oth.// Mater.Chem. Phys. 1997. V.47. P. 239.
  83. Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1984
  84. О.В. Гетерогенный катализ: Учебное пособие для вузов/О.В. Крылов М.:ИКЦ «Академкнига», 2004. — 679 с.
  85. Ю.П. Адлер. Введение в планирование эксперимента. М. Металлургия, 1968 г.—155 с.
  86. Таблицы физических величин. Справочник/Под ред. И. К. Кикоина.-М :Атомиздат. 1978.-1008 с.
  87. Физика твердого тела. Энциклопедический словарь /под ред. В. Г. Барьяхтара. Т. 1,2-Киев: Наукова думка, 1996. 651 с.
  88. Применение данной технологии позволяет получать полупроводниковые материалы заданного состава и морфологии поверхности путем варьирования соотношения легирующих компонентов в исходном растворе и технологических режимов сушки и отжига.
  89. Зам. зав. кафедрой X и Э по учебной работе, канд.пед.наук., доцент1. Н.В. Гусакова
  90. Технология получения газочувствительного материала состава
  91. Si02Sn0xAg0 для химического сенсора аммиака. 2. Методика измерения температурной зависимости электропроводности химических сенсоров аммиака.1. Декан ЕГФ, канд. техн. наук, доцент tJJA/^--^--—^ в.В. Василовский
  92. Научный руководитель г/б № 14 690, канд.техн.наук, доцент1. В.В.Петров
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!