Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем

Диссертация: Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Известно, что в интегральных схемах (ИС) на ряде технологических операций вводятся внутренние механические напряжения (МН) как результат нагрева (термические МН), легирования (концентрационные МН), нанесения и травления различных функциональных слоев (структурные и межфазные МН). В поле механических напряжений резко ускоряется подвижность точечных дефектов, изменяется их равновесная концентрация… Читать ещё >

Диагностический контроль качества и надежности кремниевых биполярных интегральных схем (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1.
  • МЕТОДЫ ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ КАЧЕСТВА И НАДЕЖНОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
    • 1. 1. МЕТОДЫ ДИАГНОСТИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ ИС, РАСПРОСТРАНЕННЫЕ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
      • 1. 1. 1. ДИАГНОСТИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ИС С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДЕСТАБИЛИЗИРУЮЩИХ ФАКТОРОВ
      • 1. 1. 2. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ИС В УСЛОВИЯХ, УВЕЛИЧИВАЮЩИХ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ К ДЕФЕКТАМ
      • 1. 1. 3. ПРИМЕНЕНИЕ ТЕПЛОВЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИЗДЕЛИЙ ДЛЯ ИХ ДИАГНОСТИКИ ПО КАЧЕСТВУ НАПАЙКИ КРИСТАЛЛОВ
      • 1. 1. 4. ИНДИВИДУАЛЬНОЕ ПРОГНОЗИРОВАНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИС ПО ШУМОВЫМ КРИТЕРИЯМ НИЗКОЧАСТОТНОГО СПЕКТРА
    • 1. 2. ВЫЯВЛЕНИЕ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ИС МЕТОДОМ АНАЛИЗА ФОРМ (ПАРАМЕТРОВ) ДИНАМИЧЕСКОГО ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ
      • 1. 2. 1. ОСНОВНЫЕ ПОЛОЖЕНИЯ МЕТОДА
      • 1. 2. 2. ДИАГНОСТИКА ИНТЕГРАЛЬНЫХ СТАБИЛИЗА ТОРОВ НАПРЯЖЕНИЯ ПО ПАРАМЕТРАМ ФОРМЫ ДИНАМИЧЕСКОГО ТОКА ПОТРЕБЛЕНИЯ
    • 1. 3. МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ИС, ОСНОВАННЫЕ НА КРИТИЧЕСКОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ
      • 1. 3. 1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА МЕТОДОВ
      • 1. 3. 2. КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ИС ПРИ КРИТИЧЕСКОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ
      • 1. 3. 3. МОДИФИКАЦИИ МЕТОДА КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ
      • 1. 3. 4. КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ИС ПО КРИТИЧЕСКОЙ ВЕЛИЧИНЕ ДОПОЛНИТЕЛЬНОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 1
  • ГЛАВА 2. 46,
  • НОВЫЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ БИПОЛЯРНЫХ ИС, ОСНОВАННЫЕ НА КРИТИЧЕСКОМ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ
    • 2. 1. ОБЪЕКТЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
    • 2. 2. НОВЫЕ МЕТОДЫ ДИАГНОСТИКИ ИС, ОСНОВАННЫЕ НА НЕПОСРЕДСТВЕННОМ ИЗМЕРЕНИИ КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ
    • 2. 3. МЕТОД ДИАГНОСТИКИ ИС, ОСНОВАННЫЙ НА ТЕМПЕРАТУРНЫХ ЗАВИСИМОСТЯХ КРИТИЧЕСКОГО НАПРЯЖЕНИЯ ПИТАНИЯ
      • 2. 3. 1. ПЕРВЫЙ ЭТАП
      • 2. 3. 2. ВТОРОЙ ЭТАП
      • 2. 3. 3. РАЗБРАКОВКА ПО УРОВНЯМ ПОТЕНЦИАЛЬНОЙ НАДЕЖНОСТИ ИС ТИПОВ КР142ЕН12 И КР142ЕН
    • 2. 4. МЕТОД ВЫЯВЛЕНИЯ ИС С ДЕФЕКТАМИ ПО НАПАЙКЕ КРИСТАЛЛОВ
      • 2. 4. 1. ОПИСАНИЕ МЕТОДА
      • 2. 4. 2. РАЗБРАКОВКА ИС ТИПА КР142ЕН12 МЕТОДОМ «ТОК-КНП»
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 2
  • ГЛАВА 3.
  • ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКОЕ ДИАГНОСТИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
    • 3. 1. ХАРАКТЕРИСТИКИ НЕЛИНЕЙНОСТИ ЭНЕРГОПОТРЕБЛЕНИЯ ИС КАК НОСИТЕЛИ ДИАГНОСТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ
    • 3. 2. РАЗРАБОТКА АЛГОРИТМА ПОСТРОЕНИЯ КОМПЬЮТЕРНОЙ МОДЕЛИ ИС
    • 3. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ АНАЛОГОВОЙ СИГНАТУРЫ НЕЛИНЕЙНОСТИ
    • 3. 4. ОПРОБОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКОГО МЕТОДА ДИАГНОСТИРОВАНИЯ НА ИС ТИПА КР142ЕН
      • 3. 4. 1. РАЗРАБОТКА ПРАВИЛА ПРИНЯТИЯ РЕШЕНИЯ О ВИДЕ ТЕХНИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ ИС.'
      • 3. 4. 2. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ АНАЛОГОВЫХ СИГНАТУР НЕЛИНЕЙНОСТИ ВАХ ВХОДНЫХ ЦЕПЕЙ ИС ТИПА КР142ЕН
    • 3. 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КОМПЬЮТЕРНОЙ МОДЕЛИ АСН К
  • ИЗМЕНЕНИЮ ПАРАМЕТРОВ ФИЗИЧЕСКОГО СОСТОЯНИЯ
  • ВЫВОДЫ К ГЛАВЕ 3
  • ГЛАВА 4.
  • СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РАССМОТРЕННЫХ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПО РАЗЛИЧНЫМ КРИТЕРИЯМ
    • 4. 1. РАСЧЁТ ВЕЛИЧИНЫ ВЗАИМОЗАВИСИМОСТИ МЕТОДОВ МЕЖДУ СОБОЙ
    • 4. 2. ПРОВЕРКА ОДНОРОДНОСТИ РЕЗУЛЬТАТОВ РАСЧЕТА НАДЕЖНОСТИ ПАРТИИ ИС РАЗЛИЧНЫМИ ДИАГНОСТИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ
    • 4. 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ДОСТОВЕРНОСТИ НОВЫХ МЕТОДОВ ДИАГНОСТИКИ ИС
  • Выводы К ГЛАВЕ 4

Актуальность темы

.

Среди множества проблем современной полупроводниковой электроники особое место занимает проблема качества и надежности выпускаемой продукции. Страны с развитой электронной промышленностью (США, Япония и др.) ежегодно затрачивают огромные средства на повышение качества и надежности своей продукции [И.

Известно, что в интегральных схемах (ИС) на ряде технологических операций вводятся внутренние механические напряжения (МН) как результат нагрева (термические МН), легирования (концентрационные МН), нанесения и травления различных функциональных слоев (структурные и межфазные МН). В поле механических напряжений резко ускоряется подвижность точечных дефектов, изменяется их равновесная концентрация и дефектная структура эволюционирует в направлении формирования макроскопических дефектов, наличие которых в ИС резко ухудшаеч ее надежностные характеристики [2].

Одной из особенностей производства изделий электронной техники (ИЭТ) является то, что в каждой выпускаемой партии изделий, полностью соответствующей по качеству требованиям нормативно-технической документации, то есть техническим условиям (ТУ) и конструкторской документации (КД), имеются изделия, различающиеся по надежности на два и более порядка, то есть присутствуют изделия со скрытыми дефектами, которые могут отказать как в период приработки, так и в период нормальной работы, и изделия, которые обладают повышенной по сравнению с основной массой изделий надежностью. Для устранения из партии потенциально-ненадежных ИЭТ проводятся сплошные отбраковочные испытания, включающие испытания при повышенных и пониженных температурах, термоциклирование, элек-тротермотренировку (ЭТТ) и т. п.

Мечтой производственников является нахождение такого метода отбраковки ИЭТ в процессе их производства, который позволял бы, во-первых, отбраковать потенциально-ненадежные изделияво-вторых, заменить длительные и дорогостоящие отбраковочные испытания, например ЭТТ, на диагностические методы, которые были бы не менее эффективными, но более дешевыми.

В настоящее время известно множество диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных ИС (использование ш-характеристик, тепловых характеристик, шумовых критериев и др.), но достоверность этих методов недостаточна для того, чтобы внедрить один из них в технологический процесс изготовления ИС вместо дорогостоящих отбраковочных испытаний. Поэтому главной задачей в разработке новых и модификации известных методов диагностирования ИС является повышение их достоверности до уровня не менее 90−95%, что требуют национальные стандарты стран с развитой электронной промышленностью [3].

Наиболее перспективным методом диагностирования ИС из-за простоты его реализации, на наш взгляд, является метод критического напряжения питания (КНП) или критического напряжения функционирования (КНФ). Но достоверность этого метода составляет порядка 50%, а его известные модификации позволяют повысить достоверность данного метода только до 70−80%.

Зачастую на производстве возникает необходимость не только отбраковки потенциально-ненадежных ИС, но и выделения из партии группы схем с повышенным уровнем надежности. Методы выделения схем с повышенной надежностью в технической литературе не описаны.

Поэтому считаем, что поиск модернизаций метода КНП с целью повышения достоверности отбраковки потенциально-ненадежных ИС до уровня не менее 9095%, что позволило бы внедрить его в производство вместо ЭТТ, с одновременной возможностью диагностического выделения из партии ИС группы схем, имеющей повышенный уровень надежности, является в настоящее время весьма актуальным.

Работа выполнялась по теме ГБ 96−34 «Исследование и моделирование физических процессов в полупроводниковых материалах и приборах» .

Цели и задачи работы.

Целью настоящей диссертации является разработка новых диагностических методов отбраковки потенциально-ненадежных ИС на основе метода КНП с достоверностью не хуже 90−95%, способных заменить дорогостоящие и длительные отбраковочные испытания как при производстве ИС, так и на входном контроле предприятий-изготовителей радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), а также позволяющих выделить из партии ИС группу высоконадежных схем. Для достижения этой цели в работе были поставлены следующие задачи:

1. Разработать новые методы диагностирования потенциально-ненадежных кремниевых биполярных ИС серии 142, основанные на методе КНП, определить критерии оценки и проверить достоверность получаемых по ним результатов.

2. Определить возможность применения разработанных методов для выделения группы ИС серии 142 повышенной надежности.

3. Обосновать и экспериментально подтвердить возможность диагностики качества и надежности ИС серии 142 методами, основанными на оценке характеристик нелинейности энергопотребления.

4. Провести анализ взаимозависимости новых методов диагностики ИС, сравнение их по однородности и по достоверности, получаемых по ним результатов, используя различные статистические методы.

Научная новизна работы.

В работе получены следующие новые научные и технические результаты:

1. На основе метода непосредственного измерения критического напряжения питания разработаны новые методы, суть которых в следующем:

• по сравнению температурных зависимостей КНП исследуемой ИС с эталонной зависимостью для данного типа схем и сравнению температурных зависимостей исследуемой ИС до и после проведения термоциклирования отбраковываются потенциально-ненадежные ИС с достоверностью не ниже 95% (метод «термо-КНП»).

• по зависимости величины КНД от величины подаваемого на ИС тока проводится оценка качества напайки кристалла на кристаллодержатель с достоверностью не ниже 90% (метод «ток-КНП»);

2. Показана возможность выделения из партии ИС группы схем с повышенной на- • дежностью методом «термо-КНП» .

3. Применен к ИС серии 142 метод электрофизического индивидуального диагностирования, основанный на компьютерном моделировании аналоговых сигнатур нелинейности вольт-амперных характеристик.

4. Разработана методика сравнительной оценки новых диагностических методов.

5. Разработана универсальная программа расчета площади петли гистерезиса, являющаяся необходимой составной частью методов диагностики ИС: «термо-КНП», «ток-КНП» и написанная в среде программирования 'Т>е1рЫ-3.0″ .

Реализация результатов работы, практическая ценность.

1. Разработан диагностический метод отбраковки потенциально-ненадежных ИС серии 142, получивший название «термо-КНП», обладающий высокой достоверностью (не хуже 95%), что позволяет внедрить его в технологический процесс изготовления схем вместо ЭТТ или на входном контроле при изготовлении РЭА. Определены критерии, по которым по методу «термо-КНП» можно выделить группу ИС (не менее 10%), обладающих повышенной надежностью. На метод «термо-КНП» подана заявка на изобретение.

2. Разработанный метод «ток-КНП» позволяет с достоверностью не хуже 90% отбраковывать ИС с дефектами напайки кристаллов на основание корпуса с производительностью в несколько раз большей, чем по прямому измерению те шового сопротивления кристалл-корпус.

3. Метод электрофизического индивидуального диагностирования ИС серии 142 по характеристикам нелинейности энергопотребления (метод «ХНЭ») позволяет сделать не только общий вывод о состоянии с качеством и надежностью исследуемой схемы, но и указать область нахождения скрытых дефектов схемы.

4. Проведенный сравнительный анализ диагностических методов с натурными испытаниями ИС серии 142 на безотказность показал высокую достоверность методов «термо-КНП» (не хуже 95%) и «ток-КНП» (не хуже 90%). Разработанная методика сравнительной оценки диагностических методов, основанная на использовании различных статистических методов, может применяться специалистами, занимающимися проблемой надежности, при всестороннем анализе разрабатываемых методов диагностики или их сравнении с известными диагностическими методами.

5. Разработанная универсальная программа расчета площади петли гистерезиса, написанная в среде программирования 'Т)е1рЫ-3.0″, зарегистрирована в государственном фонде алгоритмов и программ Российской Федерации.

Результаты работы использованы на предприятиях ГП «ВНИИС» и АООТ «РИФ» при организации входного контроля ИС серий 142, 533, 765, что дало суммарный условный экономический эффект 75 тыс. руб. (в ценах 1998 г.).

Основные положения и результаты, выносимые на защиту.

1. Метод диагностического контроля ИС серии 142, позволяющий сравнением температурных зависимостей КНП исследуемой схемы с эталонной зависимостью в сочетании со сравнением температурных зависимостей КНП исследуемой ИС до и после проведения термоциклирования отбраковать с достоверностью не хуже 95% потенциально-ненадежные ИС, а также выделить из партии группу схем, имеющих повышенную надежность (метод «термо-КНП»).

2. Метод диагностического контроля напайки кристаллов ИС на кристаллодержатель или основание корпуса (метод «ток-КНП»).

3. Метод электрофизического индивидуального диагностирования ИС серии 142, позволяющий не только определять потенциально-ненадежные схемы, но я указать область нахождения дефектов в ИС (метод «ХНЭ»).

4. Методика сравнительной оценки различных диагностических методов по взаимозависимости, по однородности и достоверности результатов.

Апробация работы и публикации.

Основные результаты диссертации докладывались и обсуждались на международных научно-технических семинарах «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах» (Москва, 1995;1997 гг.), межвузовских научно-технических конференциях «Микроэлектроника и информатика» (Москва, 1996;1997 гг.), VIII международной крымской микроволновой конференции «КрыМиКо-98» (Севастополь, 1998 г.), 1Х-Х отраслевых научно-технических конференциях «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов» (Воронеж, 19 951 996 гг.), ХХХУ-ХХХУШ научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников, аспирантов и студентов ВГТУ (Воронеж, 1995;1998 гг.).

Основные результаты работы изложены в 17 публикациях, в том числе в монографии «Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства», заявке на изобретение и программном средстве, зарегистрированном в государственном фонде алгоритмов и программ Российской Федерации.

В совместных работах автору принадлежит поиск и разработка принципов новых методов, проведение экспериментов, анализ и обобщение результатов.

Объем и структура диссертации.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и трех приложений. Работа содержит 163 страницы текста, включая 57 рисунков, 35 таблиц и библиографию из 106 наименований.

Результаты работы использованы при организации входного контроля биполярных интегральных схем типов: КР142ЕН5А, КР142ЕН6А, КР142ЕН8А, КР5ЭЗАГЗ, КР533ИЕ5, 765КТЗ, 765ЛП2, 765ТМ2 на государственном предприятии «ВНИИС» и акционерном обществе открытого типа «РИФ», что дало суммарный условный экономический эффект 75 тыс. руб. (в ценах 1998 г.).

Автор работы благодарит сотрудников Национального технического университета Украины «КПИ»: д.т.н., профессора Г. Б. Сердюка, к.т.н. В. Г. Усатенко, М. М. Букасова, Ю. М. Моторного за предоставленное оборудование, консультации и помощь в работе над третьей главой диссертации.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

В настоящей диссертации изложена научно-техническая разработка, обеспечивающая решение важной прикладной задачи — замены дорогостоящих и длительных отбраковочных испытаний новыми диагностическими методами контроля качества и надежности ИС как при производстве ИС, так и на входном контроле у изготовителей РЭА, а также обеспечения возможности разбраковки кремниевых биполярных ИС по уровням потенциальной надежности.

В диссертации получены следующие новые научные и технические результаты:

1. Разработан диагностический метод отбраковки потенциально ненадежных кремниевых аналоговых биполярных ИС серии 142 на основе сравнения температурных зависимостей КИП исследуемой схемы с эталонной зависимостью для данного типа схем и сравнения температурных зависимостей исследуемой схемы до и после проведения термоциклирования (метод «термо-КНП») с достоверностью не ниже 95%, что позволяет рекомендовать его к внедрению в технологический маршрут изготовления ИС вместо проведения длительных электротермотренировок. На данный метод подана заявка на изобретение.

2. Разработан диагностический метод, который позволяет по зависимости величины КНП от величины подаваемого на ИС тока (метод «ток-КНП») с достоверностью не ниже 90% отбраковывать ИС с дефектами напайки кристаллов на основание корпуса с производительностью в несколько раз большей, чем по прямому измерению теплового сопротивления кристалл-корпус.

3. Определены критерии выделения из партии ИС группы схем с повышенной надежностью по методу «термо-КНП». Экспериментально испытаниями на надежность ИС типа КР142ЕН12 в течение 3500 часов подтверждена правильность данных критериев.

4. Метод электрофизического индивидуального диагностирования ИС серии 142, основанный на компьютерном моделировании аналоговых сигнатур нелинейности вольтамперных характеристик входных цепей схемы, позволяет сделать не только общий вывод о состоянии с качеством и надежностью исследуемой схемы, но и указать область нахождения скрытых дефектов схемы.

5. Разработана универсальная программа расчета площади петли гистерезиса, написанная в среде программирования «Бе1рЫ-3.0», являющаяся необходимой составной частью методов диагностики ИС: «термо-КНП», «ток-КНП». Программа зарегистрирована в государственном фонде алгоритмов и программ Российской Федерации.

6. Разработана методика сравнительной оценки новых диагностических методов, основанная на статистических методах обработки данных, которая может быть использована при разностороннем анализе разрабатываемых методов диагностики специалистами, занимающимися проблемой надежности. Проведен анализ взаимозависимости новых методов диагностики ИС, сравнение методов диагностического контроля ИС по однородности и достоверности, получаемых по ним результатов, используя различные статистические методы.

Показать весь текст

Список литературы

  1. М.И., Ануфриев Л. П., Бордюжа O.JI. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства. -Минск: Из-во «Интеграл», 1997. -390 с.
  2. М.И., Королев С. Ю. Физические основы надежности интегральных микросхем. Воронеж, из-во: Воронежского университета, 1995. -200 с.
  3. РД 11 0682−89. Микросхемы интегральные. Методы неразрушающего контроля диагностических параметров.
  4. И.В., Осадчая Н. В. Методы структурной диагностики полупроводниковых пластин, используемых для БИС и СБИС // Сб. тез. докл. 3-й Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. 4.II.-C.91.
  5. Г. В., Дьяченко A.M. Прогнозирование качества ИС на основе анализа внутренних нарряжений // Сб. тез. докл. 3-ей Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. ч.Н. -С.136.
  6. В.Ю., Номоконова H.H., Покровский Ф. Н. Обнаружение скрытых дефектов в аналоговых интегральных схемах // Надежность и контроль качества. 1991. N3. -С.28−32.
  7. Н.С., Булярский C.B. Диагностика надежности кремниевых фотоприемников с р-п-переходом // Сб. тез. докл. 3-ей Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. ч.П. -С.127.
  8. Kiiba J. Application of low temperatures in failure diagnostics of semiconductor devices // Power Semic. Hybrid Device 8-th Int. Spring Semin. Electrotechnol. Prenet. May 1985. -P.31−34.
  9. Е.И. Способ контроля качества полупроводниковых приборов // Авт. свид. СССР N438947, кл. G01R 31/26. 1975.
  10. Слагаемые надежности полупроводниковых приборов // ТИИЭР. 1974. Т.62. N2. -С.6−37.
  11. Патент США N3665307. Кл.324−157. 1972.
  12. JI.H., Прохоров В. А., Палей В. М. Способ контроля качества и надежности полупроводниковых структур с р-п-переходами // Авт. свид. СССР. N805213, кл. GO 1R 31/26, 1978.
  13. А.П., Филонов Н. Г., Филатов В. И. Диагностика потенциально ненадежных приборов с барьером Шотки // Сб. тез. докл. 3-ей Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. 4.II.-C.161.
  14. М.Н., Гитлин В. Р., Кадменский С. Г. Радиационные методы диагностики интегральных схем // Сб. тез. докл. Межд. науч.-техн. конф. «Физические аспекты надежности, методы и средства диагностирования интегральных схем». Воронеж. Май 1993.-С. 67.
  15. B.C. Использование рентгеновского излучения для исследования надежности и деградации полупроводниковых приборов // Тез. докл. 3-ей Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991.4.II.-C.8.
  16. Экспресс-анализ стойкости и надежности БИС на пластине с применением ренге-новского излучения // Петебургский журнал электроники. 1996. N2. -С.41.
  17. Е.И. Контроль качества интегральных схем по m-характеристикам // Электронная техника. Сер.8. 1976. Вып.11. -С.47−57.
  18. ОСТ 11 073.043−75. Приборы полупроводниковые и микросхемы интегральные. Контроль неразрушающий. Метод контроля качества с помощью т-характеристик.
  19. A.C., Модель Е. И. Способ контроля качества полупроводниковых приборов//Авт. свид. СССР N285710. Kji. GOIR 31/26, 1969.
  20. А.И., Савина A.C. Исследование возможности индивидуального прогнозирования долговечности транзисторов методом распознавания образов // Электронная техника. Сер.8. 1976. Вып. 10. -С.3−9.
  21. В.М., Семенов A.C. Контроль качества и надежности полупроводниковых приборов с помощью ш-характеристик // Электронная техника. Сер.8. 1974. Вып. 12. -С.17−21.
  22. Ю.Л., Пиорунский А. Н. Устройство для исследования характеристик р-п-переходов // Авт. свид. СССР N438947. Опубл. Бюл. Инф. 1974. N29. г
  23. РМ 11 0004−84. Контроль неразрушающий. Методы диагностики состояния полупроводниковых приборов по производным вольт-амперных характеристик / ВНИИ «Электростандарт». 1984. -43с.
  24. A.B., Шаровский В. А. Диагностика потениально-ненадежных приборов и ИС // Тез. докл. IX науч-техн. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж. Март 1995. -С.32−34.
  25. Г. Б., Усатенко В. Г., Миненко А. П. Автоматизированные комплексы для электрофизического диагностирования интегральных схем и других изделий электронной техники по критериям качества и надежности. Киев, из-во: КПИ, 1992. -63 с.
  26. Ara О.Б., Перевезенцев A.A. Применение тепловых методов при входном контроле ИС // Тез. докл. V науч-техн. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж. Март 1991. -С.57−59.
  27. Л.В., Корчевский В. В., Кузьменко А. Й. Исследование тепловых полей логических КМОП-микросхем // Тез. докл. VII науч-техн. отрасл. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Новгород. Март 1993. -С.34−36.
  28. Потемкин B.B. XIII Международная конференция по шумам. Паланга, май-июнь 1995 // Мат. докл. науч-техн. сем. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. -С.5−17.
  29. С.И. Диагностика потенциальной ненадежности диодов Шотки по низкочастотным шумам // Тез. докл. 3-ей Всес. конф. «Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов». Кишинев. 1991. ч.1. -С.ЗЗ.
  30. A.C. О связи низкочастотного шума с устойчивостью неравновесных структур // Изв. ВУЗов. Радиофизика. 1989. т.32. N7. -С.885−890.
  31. A.C. Низкочастотный шум как результат самомодуляции процесса переноса. Экспериментальное подтверждение // Мат. докл. науч-техн. сем."Шумовые и деградаионные процессы в полупроводниковых приборах". М.: 1996. -С.215−223.
  32. Устройство для отбраковки полупроводниковых приборов по их шумовым свост-вам // Рекл. листы Рижского политехнического института. 1989.
  33. Оценка качества транзисторов по некоторым шумовым параметрам / М. И. Горлов, В. Ф. Егоров, А. А. Кисурин, В. В. Колмаков, В. А. Некрасов, М. И. Щевелев // Диэлектрики и полупроводниковые приборы. Воронеж. ВПИ. 1975. Вып.8. -С.79−82.
  34. Характер изменения шумовых свойств интегральных схем типа ДТЛ от вида испытаний / М. И. Горлов, В. С. Ерохин, В. А. Некрасов, В. В. Чернышев // Сб. трудов по поупроводниковым материалам, приборам и их применению. Воронеж. ВПИ. 1971. -С.182−188.
  35. В.А., Горлов М. И. Исследование шумовых свойств низкочастотного спектра ИС как одного из методов неразрушающего контроля // Электронная техника. Сер.8. 1975. Вып.1.-С.32−35.
  36. О возможности прогнозирования потенциально ненадежных микросхем ТТЛ по шумовым критериям низкочастотного спектра / В. А. Некрасов, М. И. Горлов,
  37. A.И.Маковий, А. В. Голомедов // Электронная техника. Сер.8. 1975. Вып.2. -С.70−72.
  38. В.А., Горлов М. И., Дурнин И. Д. Выборочный неразрушающий контроль качества интегральных схем с ТТЛ-логикой в ходе серийного изготовления // Электронная техника. Сер. 8. 1977. Вып.2. -С.66−69.
  39. Авт. свид. N669872 от 3.03.76 // А. В. Голомедов, И. Д. Дурнин, В. Ф. Егоров,
  40. B.А.Некрасов, М. И. Щевелев. Кл. GO IR 31/26.
  41. Авт. свид. N13470050 от 1.10.85 // А. И. Карпов, А. Г. Андрушенко, Ю. М. Макаров, В. Ю. Леонтьев Кл. G01R 31/28.
  42. Установка для измерения шумовых характеристик микросхем и дискретных транзисторов на пластинах // Н. П. Гарбер, Н. Б. Лукьянчинова, У. Р. Абру, В. А. Жариков, Д. И. Кропман // Электронная промышленность. 1991. Вып7. -С.27−29.
  43. С.Д., Сычев A.A. Оперативная оценка качества логических микросхем // Тез. докл. VII науч-техн. отр. конф. «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». Воронеж. Март 1993. -С.27−29.
  44. Thompson J., Rogers Т., Galley R. A The use of marginal voltage analysis as a screening tool for increased integrated circuit reliability // J. of Electrical and Electronics Eng., Australia. 1985. V.5. № 3. -P.235−240.
  45. Ф.Н. Особенности контроля аналоговых ИС методом критического напряжения // Матер, докл. научн.- техн. семин. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1995. -С.217 221.
  46. Ager D.J., Henderson J.C. The use of marginal voltage measurements to detect and locate defects in digital microcircuits // JEEE Reliability Phisics Symposium. 1981. -P. 139−148.
  47. Ager D.J., Cornwell G.F., Stanley J.W. The application of marginal voltage measurements to detect and locate defects in digital microcircuits // Microelectronics and reliability. 1982. V.22. N2. -P.241−264.
  48. Ф.Н., Гаврилов В. Ю. Оценка теплоустойчивости цифровых интегральных схем // Надежность и контроль качества. 1986. N5. -С.43−48.
  49. Ф.Н. Сравнительная оценка качества КМОП ИС // Матер, докл. на-учн.- техн. семин. «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах». М.: 1996. -С.265−272.
  50. В.К., Гаврилов В. Ю., Горелкина Е. Н. Диагностика КМОП интегральных микросхем // Тез. докл. конф. «Методы и средства диагностирования изделий электронной техники». Электронная техника. Сер.8. 1989. Вып.1. -С.27−28.
  51. В.В., Кураченко С. С. Метод контроля интегральных микросхем при пониженном питающем напряжении / Тез. докл. III Всес. конф. «Моделирование отказов и имитация на ЭВМ статических испытаний ИМС и их элементов». Суздаль. 1989.-С.210.
  52. Технические условия АДБК.431 420.265ТУ на ИС типа КР142ЕН12А, КР142ЕН12Б, КР142ЕН12 В, КР142ЕН12Г, КР142ЕН18А, КР142ЕН18Б. 1992.
  53. В.К., Гаврилов В. Ю., Горелкина E.H. Критическое питающее напряжение как информативный параметр при электрофизическом диагностировании КМОП ИС // Электронная техника. 1990. Серия 2. Вып.4. -С. 87−90.
  54. В.И.Бойко, О. Л. Бордюжа, С. Ю. Королев. Диагностика качества ИС типа КР142ЕН12 // Тезисы докладов X научно-технической отраслевой конференции «Состояние и пути повышения надежности видеомагнитофонов». АООТ «Видеофон». Воронеж, 1996. -С.42.
  55. Л.Бор дюжа, В. И. Бойко, Д. А. Литвиненко. Исследование метода критического напряжения на ИС типа КР142ЕН12 // Материалы докладов научно-технического семинара «Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах», Москва, 1997.-С.320−322.
  56. О.Л.Бордюжа. Комбинированный метод диагностического контроля качества и. надежности ИС типа КР142ЕН12 // Тезисы докладов II Всероссийской научно-технической конференции с международным участием «Электроника и информа-тика-97», МИЭТ, 1997. ч.1. -С.15.
  57. О.Л.Бордюжа. Применение метода критического напряжения питания для отбраковки потенциально ненадежных ИС // Межвузовский сборник научных трудов «Твердотельная электроника и микроэлектроника», Воронеж, 1997. -С.54−58.
  58. М.И.Горлов, О. Л. Бордюжа. Разбраковка биполярных интегральных схем по уровням потенциальной надежности // Известия Вузов. Электроника. 1998. (в печати).
  59. Ю.Б., Чуварыгин Б. В. Анализ возможностей отбраковочных испытаний комплектующих элементов РЭА // Надежность и контроль качества. 1989. № 11. -С.26−32.
  60. О.Л. Универсальная программа расчета площади петли гистерезиса // Государственный фонд алгоритмов и программ Российской Федерации (регистрационный номер 50 980 000 009).
  61. М.И.Горлов, О. Л. Бордюжа. Разбраковка интегральных схем- методом «термо-КНП» // Материалы докладов 8-й международной крымской микроволновой конференции «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии (КрыМиКо-98)», Севастополь, Вебер, 1998. -С.136−137.
  62. Заявка на выдачу патента на метод разбраковки ИС «термо-КНП» (регистрационный № 98 108 785).
  63. Л.Бор дюжа. Применение различных методов КНП к определению потенциальной надежности биполярных интегральных схем // Тезисы докладов научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-98», МИЭТ, 1998. Часть 1.-С.9
  64. М.И.Горлов, О. Л. Бордюжа. Диагностические методы контроля качества и надежности интегральных схем, основанные на критическом напряжении питания // Материалы докладов научно-технического семинара «МНЭ-98» (в печати).
  65. Г. Б. Электрофизические методы в задачах обеспечения качества и надежности электрорадиоизделий.- Киев: О-во «Знание» УССР, 1986.- 20 с.
  66. С.В. Обеспечение надежности РЭА. К.: ГАЛПУ, 1997. -148с.
  67. Г. Б. Интегральная диагностика электро- и радио изделий // Измерение, контроль, автоматизация. 1981.№ 3.-С.32−42
  68. Г. Б., Савчук Е. В. О применении методов идентификации для диагностирования непроволочных резисторов по переходным тепловым характеристикам // Электронная техника, Сер.8, 1979. Вып. 1/71.-С. 11−23.
  69. Н.Б. Физические основы электрофлуктуационной диагностики надежности и срока службы полупроводниковых приборов // Электронная промышленность, 1983. Вып. 6/123.
  70. Г. Б. Контролепригодность изделий электронной техники // Электронная промышленность. 1982. № 2.-С.24−27.
  71. Г. Б., Усатенко В. Г. Электрофизические методы диагностирования в задачах управления качеством и надежностью.- Киев, 1989. -24 с.
  72. О.П. Аналогов! сигнатури нелшшноси та д1агностичш модел1 инте-гральних мжросхем: Дис. канд. тех. наук. Кшв, 1996. -193 с.
  73. В.Г. Метод и средства электрофизического диагностирования электрорадиоизделий, по интегральным эффектам нелинейности: Дис.. канд. тех. наук. -Киев: КПИ, 1990.-243 с.
  74. В.Я. Физико-топологическое моделирование структур элементов БИС М.: Высш. шк., 1990.-144 с.
  75. Г. Б. Интегральная диагностика по эффектам нелинейности (обзор) // Автоматика и телемеханика. 1980. № 12. -С. 132−156.
  76. А.С. 1 609 309 (СССР). Способ определения нелинейности функциональных характеристик полупроводниковых приборов / Сердюк, Черевко, Сегеда 1973.
  77. Н.С. Неразрушающий контроль качества продукции радиоэлектроники. М.: Изд-во стандартов, 1976. -240 с.
  78. М.М.Букасов. Разработка диагностических моделей линейных интегральных схем для систем управления надежностью при производстве // Аттестационная магистерская работа. Киев. КПИ, 1988. -96 с.
  79. Л.Бордюжа, В. Г. Усатенко, Г. Б. Сердюк. Метод электрофизического диагностирования биполярных ИС по интегральным эффектам нелинейности // Тезисы докладов научно-технической конференции «Микроэлектроника и информатика-97», МИЭТ, 1997. -С.8.
  80. С.Н. Диагностирование интегральных схем по параметрам нелинейности характеристик энергопотребления : Дис. канд. техн. наук Киев, КПИ, 1993.- 226с.
  81. Патент Украины № 1056. Способ отбраковки потенциально ненадежных и нестабильных интегральных схем / Усатенко В. Г., Сердюк Г. Б., Сазонов С.Н.- 5 с.
  82. Г. А. Прогнозирование надежности микроэлектронной аппаратуры на основе БИС. М.: Радио и связь, 1987. 152 с.
  83. Г. А. Основы обеспечения качества микроэлектроной аппаратуры. М.: Радио и связь, 1991.- 232 с.
  84. В.Г., Сердюк Г. Б., Миненко А. П. Характеристики нелинейности энергопотребления интегральных микросхем как носители диагностической информации и их моделирование//Электрон, моделирование. 1994. № 2-С.48−55.
  85. В.П., Дубицкий Л. Г. Выявление причин отказов РЭА. М.: Радио и связь, 1983.-232 с.
  86. ЮО.Чернышев A.A. Основы надежности полупроводниковых приборов и интегральных микросхем // М.: Радио и связь, 1988.- 256 с.
  87. Ю1.Афифи А., Эйзен С. Статистический анализ. Подход с использованием ЭВМ.-М.: Мир, 1982. 488 с.
  88. Ю. Н., Макаров А. А. Статистический анализ данных на компьютере/ Подред. В. Э. Фигурнова. -М.: Инфа М, 1998. 528с. 103. Мюллер П., Нойман П., Шторм Р. Таблицы по математической статистике. -М. :
  89. Финансы и статистика, 1982. 278с. 104. Аптон Г. Анализ таблиц сопряженности. — М.: Финансы и статистика, 1982. -144с.
  90. Ю5.Флейс Дж. Статистические методы для изучения таблиц долей и пропорций.
  91. М.: Финансы и статистика, 1989. 319с. Юб. Худсон Д. Статистика для физиков. Москва, Мир, 1970. -296 с.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!