Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур

Диссертация: Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Полупроводниковые детекторы хорошо известны почти 50 лет и широко применяются в ядерной физике. При этом наибольшее распространение получили полосковые (стриповые) координатные детекторы, которые, по сути, являются простейшими монолитными полупроводниковыми приборами на основе р-1-п диодов. Однако при их применении требуется использование специальной внешней электроники. Такое техническое решение… Читать ещё >

Разработка СБИС квантового пиксельного координатного детектора радиационных частиц на основе функционально-интегрированных биполярных структур (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР. КЛАССИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ РАДИАЦИОННЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ
    • 1. 1. Квантовые координатные детекторы
      • 1. 1. 1. Монолитные координатные детекторы
        • 1. 1. 1. 1. Стриповый (полосковый) детектор
        • 1. 1. 1. 2. Полупроводниковая дрейфовая камера
      • 1. 1. 2. Квантовые пиксельные координатные детекторы
        • 1. 1. 2. 1. Детекторы с внутренним усилением
    • 1. 2. Аналоговые детекторы
      • 1. 2. 1. Структуры на аморфном кремнии
      • 1. 2. 2. Аналоговые детекторы на приборах с зарядовой связью
      • 1. 2. 3. Аналоговый детектор на основе КМОП-ФД
      • 1. 2. 4. Аналоговый детектор на основе Би-МОП-ФД
    • 1. 3. Квантово-цифровые пиксельные детекторы
      • 1. 3. 1. Квантово-цифровые гибридные пиксельные детекторы
        • 1. 3. 1. 1. Гибридный детектор с чередующимися пикселями
        • 1. 3. 1. 2. Трехмерные квантово-цифровые пиксельные детекторы
      • 1. 3. 2. Монолитные квантово-цифровые пиксельные детекторы
        • 1. 3. 2. 1. Монолитные пиксели на обедненном кремнии
        • 1. 3. 2. 2. Монолитный КМОП пиксельный детектор
        • 1. 3. 2. 3. Монолитный квантово-цифровой КНИ детектор
        • 1. 3. 2. 4. Монолитный квантово-цифровой пиксельный детектор на аморфном кремнии
        • 1. 3. 2. 5. Монолитный квантово-цифровой пиксельный детектор на БЕРРЕТ-структуре
  • Резюме
  • Выводы по главе 1
  • Глава 2. МАТЕМАТИЧЕСКИЕ И ФИЗИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ИОНИЗАЦИОННЫХ ПРОЦЕССОВ В ПИКСЕЛЯХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДЕТЕКТОРОВ И ИХ КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
    • 2. 1. Физические модели взаимодействия радиационных частиц с кремнием
      • 2. 1. 1. Взаимодействие а-частиц с кремнием
      • 2. 1. 2. Взаимодействие электронов и позитронов с кремнием
      • 2. 1. 3. Взаимодействие рентгеновского и у-излучений с кремнием
    • 2. 2. Физическая модель ионизационных процессов в пикселях полупроводниковых детекторов
    • 2. 3. Физические особенности работы функционально-интегрированных пикселей для детекторов квантового, аналогового и цифрового типов
    • 2. 4. Компьютерное моделирование динамики работы Би-МОП пиксели
  • Выводы по главе 2
  • Глава 3. КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ МАРШРУТЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СБИС КПКД
    • 3. 1. Компьютерное моделирование диффузионных профилей пиксельных структур
    • 3. 2. Технологический маршрут изготовления матриц квантовых координатных детекторов
    • 3. 3. Технологические маршруты изготовления кристаллов чипов детектора СБИС
    • 3. 4. Описание топологии
  • СБИС КПКД
    • 3. 5. Конструкции детекторов для медицинского и промышленного назначения
  • Выводы по главе 3
  • Глава 4. АРХИТЕКТУРА И СХЕМОТЕХНИКА ПИКСЕЛЬНЫХ ДЕТЕКТОРОВ РАДИАЦИОННЫХ ЧАСТИЦ И ИЗЛУЧЕНИЙ
    • 4. 1. Архитектура и схемотехника квантового координатного детектора
    • 4. 2. Архитектура и схемотехника аналогового детектора
    • 4. 3. Архитектура и схемотехника квантово-цифрового детектора
    • 4. 4. Электрическая принципиальная схема квантового пиксельного координатного детектора. Описание и принцип работы
    • 4. 5. Быстродействие, временное разрешение полупроводниковых детекторов
      • 4. 5. 1. Быстродействие, временное разрешение квантового координатного детектора
      • 4. 5. 2. Быстродействие, временное разрешение аналогового детектора
      • 4. 5. 3. Быстродействие, временное разрешение квантово-цифрового детектора
  • Выводы по главе 4
  • Глава 5. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ
    • 5. 1. Методики измерения основных характеристик детекторов
      • 5. 1. 1. Методика измерений статических характеристик
      • 5. 1. 2. Напряжение обеднения и токи утечки при рабочем напряжении
      • 5. 1. 3. Время сбора ионизационного заряда и быстродействие
    • 5. 2. Результаты измерений статических характеристик
      • 5. 2. 1. Коэффициент внутреннего усиления
      • 5. 2. 2. Оценка влияния постоянного тока утечки коллектора на усиление сигналов в биполярных пикселях детектора
    • 5. 3. Экспериментальные результаты по детектированию радиационных частиц
      • 5. 3. 1. Детектирование сс-частиц
      • 5. 3. 2. Детектирование (3-частиц
      • 5. 3. 3. Детектирование у-частиц
    • 5. 4. Исследование радиационной стойкости КПКД к потоку электронов
    • 5. 5. Двухкоординатная матрица
  • Выводы по главе 5

Регистрация, различного типа излучений от видимого света до частиц высоких энергий и формирование видеоизображений внутреннего строения физических объектов являются важнейшей частью широкого круга научных, технических и прикладных задач таких областей науки и техники, как физика элементарных частиц и астрофизика, ядерная физика и промышленная диагностика, таможенный контроль, системы безопасности и т. д. И' это далеко не полный перечень приложений с использованием полупроводниковых детекторов излучений. При этом в последние годы наметились новые практические важные области применения, в частности, в медицинских рентгеновских панелях, ПЭТ-томографии, электронной и рентгеновской дефектоскопии и т. д.

Внедрение детекторов в эти области требует радикального улучшения качества регистрации радиационных частиц и излучений и определяется, целым комплексом электрофизических параметров детектора, таких как координатное и временное разрешение, динамический диапазон, спектральная чувствительность, радиационная стойкость и т. д. При этом особо важным представляется направление получения «чисто» цифровых видеоизображений, полученных путем регистрации отдельных квантов излучения.

Полупроводниковые детекторы хорошо известны почти 50 лет и широко применяются в ядерной физике. При этом наибольшее распространение получили полосковые (стриповые) координатные детекторы, которые, по сути, являются простейшими монолитными полупроводниковыми приборами на основе р-1-п диодов. Однако при их применении требуется использование специальной внешней электроники.

При этом отсутствие усилительных свойств в р-1-п диодах стриповых детекторов резко ограничивает их быстродействие и возможность одновременного измерения 2-х (3-х) координат, а наличие специальной электроники, подсоединяемой к каждой строке и столбцу, делает такие детекторы весьма громоздкими и дорогими.

Очевидным решением проблемы стало появление гибридных микросхем детекторов, созданных по технологии «флип-чип». В данном техническом решении реализуется идея прямого соединения пикселей двух чипов (регистрирующего и считывающего): первого, принимающего излучение, содержащего матрицу детектирующих пикселей, и второго, имеющего матрицу пикселей, обладающих свойствами усиления и обработки сигналов.

Технология «флип-чип», в принципе, позволяет получить детекторы высокого качества, удовлетворяющие техническим требованиям, предъявляемых, например, к рентгеновским панелям медицинского и промышленного назначения.

Однако данной технологии присущ ряд недостатков, среди которых основными являются высокая стоимость и сложность изготовления детекторов, так как необходимо комплектовать в одной рентгеновской панели около 2 тыс. мегапиксельных чипов, при этом надо обеспечить прямое соединение миллионов пикселей (содержащих сотни транзисторов) регистрирующего и считывающего чипов. А дальнейшее повышение качества изображения за счет уменьшения размеров пикселей ведет к резкому усложнению конструкции детектора и надежности работы всего устройства.

Альтернативным конструктивно-технологическим решением является появившаяся в начале 2000 годов идея создания квантового пиксельного координатного детектора (КПКД), в котором регистрация и обработка излучений производится также поквантово. Однако при этом предполагается совмещение регистрирующей и обрабатывающей частей в единой интегральной схеме СБИС.

Такое техническое решение устраняет главную проблему технологии «флип-чип», поскольку предполагается изготовление детектора в одной конструкции СБИС в едином технологическом маршруте. Однако разработка такого детектора СБИС является весьма сложной и многоплановой задачей, связанной с решением взаимосвязанных физических, технических и схемотехнических проблем.

Поэтому основным направлением работ при выполнении диссертации стало проведение поисковых исследований по выбору архитектуры СБИС, конструкции и технологии изготовления СБИС квантового пиксельного координатного детектора на основе функционально-интегрированных (ФИ) структур с координатной точностью не хуже 25 мкм, быстродействием до 25 не и чувствительностью не хуже 5 кэВ.

Проведенный анализ показал, что разработка нового типа квантового координатного детектора (ККД), максимально удовлетворяющего новым требованиям по качеству изображения, является актуальной задачей для отечественной промышленности и микрои наноэлектроники в целом.

Для достижения поставленной цели необходимо выполнение следующих этапов работы:

— классификация и анализ конструкций известных типов полупроводниковых детекторов;

— выбор архитектуры построения СБИС квантового пиксельного координатного детектора в зависимости от функционального назначения и требований к электрическим параметрам;

— определение оптимальных вариантов и разработка новых конструкций пиксельных элементов матриц СБИС КПКД;

— проведение теоретического анализа ионизационных процессов, происходящих в пиксельных структурах детектора;

— разработка схемотехники и базовой технологии изготовления кристалла детектора СБИС;

— разработка топологии кристалла СБИС КПКД.

Научная новизна работы.

1. Проведен анализ и классификация известных технических решений для полупроводниковых детекторов радиационных излучений.

2. Предложена новая архитектура СБИС квантового пиксельного координатного детектора, не имеющего мировых аналогов.

3. Предложены оригинальные электрические схемы и конструкции пикселей квантовых пиксельных координатных детекторов, по которым получены патенты и поданы приоритетные заявки на изобретения Российской Федерации.

4. На основе компьютерного моделирования пиксельных структур показано, что линейное уменьшение размеров эмиттера приводит к пропорциональному увеличению коэффициента усиления и быстродействия пикселей детектора.

5. Предложена новая конструкция детектора, которая позволяет совместить тепловое и рентгеновское изображение исследуемых объектов.

6. Получены новые экспериментальные результаты, свидетельствующие о высокой эффективности детектирования электронов КПКД на основе функционально-интегрированных структур (координатная точность не хуже 25 мкм, быстродействие 25 не и чувствительность не хуже 5 кэВ).

Практическая значимость полученных в диссертационной работе результатов состоит в том, что:

1. Разработана СБИС КПКД, которая может быть использована в приборах научного, промышленного и медицинского назначения.

2. Разработана оригинальная базовая технология изготовления СБИС КПКД.

3. Впервые получены результаты по регистрации релятивистских электронов детекторами на основе функционально-интегрированных пиксельных структур.

4. Предложены новые технические решения для конструкций и технологии изготовления квантового пиксельного координатного детектора, которые защищены патентами на изобретения Российской Федерации.

5. Проведен комплекс экспериментальных исследований в НИИЯФ МГУ им. Д. В. Скобельцына, ФИАН, ФГУП «НИИП», подтвердивший, что разработанные детекторы имеют уникальные характеристик по быстродействию (Увыб < 25 не) и координатной точности (Ах = Ду < 25 мкм).

6. Создание экрана для регистрации рентгеновских и электронных излучений на основе КПКД позволит в несколько раз уменьшить дозовую нагрузку на объект исследования.

Автор защищает:

1. Результаты математических оценок и компьютерного моделирования параметров пиксельных функционально-интегрированных структур матриц КПКД.

2. Новые конструктивно-технологические и схемотехнические решения для пиксельных структур, защищенные патентами на изобретения Российской Федерации.

3. Архитектура и конструкция СБИС квантового пиксельного координатного детектора.

4. Результаты экспериментальных исследований характеристик лабораторных образцов СБИС КПКД с координатной точностью не хуже 25 мкм, быстродействием 25 не и чувствительностью не хуже 5 кэВ.

Выводы по главе 5.

Проведенные экспериментальные исследования показали, что:

— в процессе исследований показана возможность применения функционально интегрированных биполярных структур с сетчатой базой в качестве пикселей матриц квантового координатного детектора радиационных частиц;

— матрицы квантового пиксельного координатного детектора обеспечивают детектирование радиационного а, р, у-излучения со спектральным разрешением не хуже 5 кэВ, с координатным разрешением не хуже 25 мкм, при этом шум самого детектора практически не наблюдается;

— коэффициент усиления ионизационных токов, создаваемых релятивистскими электронами и а-частицами, достигает величины р = 40−50 при.

2 2 площади базовой и эмитттерной области = 2 мкм и 5Э = 0,64 мкм соответственно.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

Исследованы новые тенденции и направления в области конструирования полупроводниковых детекторов радиационных частиц и излучений. Приведена классификация существующих типов детекторов.

Показано, что наиболее перспективным направлением является создание координатных аналоговых и цифровых детекторов, разработанных на основе матриц функционально-интегрированных структур.

В работе исследованы физические процессы, происходящие в пикселях матриц детектора, и проведено компьютерное моделирование их характеристик.

Разработаны технологические маршруты изготовления квантовых пиксельных координатных детекторов.

Разработана архитектура и схемотехника квантовых координатных аналоговых и цифровых детекторов на основе функционально-интегрированных структур.

Изготовлены опытные образцы КПКД СБИС.

Проведены исследования лабораторных образцов квантовых пиксельных координатных детекторов СБИС, которые показали их высокую эффективность при детектировании радиационных излучений, т. е. координатное разрешение не хуже 25 мкм, временное — до 25 не и спектральное — до 5 кэВ.

Предложены новые конструкции для плоских панелей на основе квантово-цифровых координатных детекторов для их применения в медицине (маммография), ядерной физике (коллайдеры), таможенном контроле и т. д.

Научно-техническая значимость подтверждена созданием опытных образцов квантового пиксельного координатного детектора СБИС на предприятии ОАО «НИИМЭ и Микрон», испытанием и исследованием детекторов в НИИЯФ МГУ им. Д. В. Скобельцына, ФИАН, ФГУП «НИИП» при анализе спектров и потоков излучений электронов, у-квантов и а-частиц.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Heijne, Е.Н.М., Hubbeling, L. (1980) et al.: «А silicon surface barrier microstrip detector designed for high energy physics» Nucl. 1.str. and Meth. 178 (1980) 331−341.
  2. Belau, E., Klanner, R. (1983a) et al.: «Charge collection in silicon strip detectors» Nucl. Instr. and Meth. 214 (1983) 253−260.
  3. Buttler, W., Lutz, G. (1988) et al.: «Low-noise, low power monolithic multiplexing readout electronics for silicon strip detectors» Nucl. Instr. and Meth. A273 (1988)778−783.
  4. R. Horisberger, «Solid State Detectors, Lectures given at the III ICFA School on Instrumentation in Elementary Paiticles Physics», Rio de Janeiro, July 1990, and PSI-PR-91−38 (1991).
  5. S.P. Beaumont et al., «Gallium Arsenide Microstrip Detectors for Charged Paiticles», NIM A 321 (1992) 172.
  6. Particle Detectors for Particle Physics, NIM A 322 (1992).
  7. C. del Papa, P.G. Pelfer & K. Smith (eds.), «GaAs Detectors and Electronics for High Energy Physics», World Scientific, Singapore 1992.
  8. S.P. Beaumont et al., GaAs Solid State Detectors for Physics at the LHC, IEEE Trans. Nucl. Set. 40, No.4 (1993) 1225.
  9. Gatti, E. and Rehak, P. (1984a): «Semiconductor Drift Chamber An Application of a Novel Charge Transport Scheme» Nucl. Instr. and Meth. 225 (1984) 608−614.
  10. Gatti, E., Rehak, P. (1984b) et al.: «Silicon Drift Chambers First results and optimum processing of signals» Nucl. Instr. and Meth. 226 (1984) 129−141.
  11. Gatti, E., Rehak, P. (1985) et al.: «Semiconductor Drift Chambers» IEEE Trans.Nucl.Sci. 32 (1985) 1204−1208.
  12. Kemmer, J., Lutz, G. (1987) et al.: «Low capacitive drift diode» Nucl. Instr. & Meth. A253 (1987) 378−381.
  13. Radeka, V., Rehak, P. (1989) et al.: «Implanted silicon JFET on completely depleted high resistivity devices» IEEE Electron device letters 10 (1989) 91−95.
  14. Pinotti, E., Brauninger, H. (1993) et al: «The pn-CCD on-chip electronics» Nucl. Instr. and Meth. A326 (1993) 85−91.
  15. Radeka, Y., Reliak, P. (1989) et al.: «Implanted silicon JFET on completely depleted high resistivity devices» IEEE Electron device letters 10 (1989) 91−95.
  16. Kemmer, J., Lutz, G. (1987) et al.: «Low capacitive drift diode» Nucl. Instr. & Meth. A253 (1987) 378−381.
  17. Kemmer, J., Lutz, G. (1990) et al.: «Experimental confirmation of a new semiconductor detector principle» Nucl. Instr. & Meth. A288 (1990) 92−98.
  18. Kemmer, J. and Lutz, G.: «New structures for position sensitive semiconductor detectors» Nucl. Instr. & Meth. A273 (1988) 588−598.
  19. Street, R.A.- Ready, S.E. Rahn and others, «High resolution, direct detection x-ray imagers» // Medical Imaging 2000: Physics of Medical Imaging. 2000 February 13−15- San Diego- CA. In Proceedings of the SPIE. -2000. — 3977. — P. 418−428.
  20. M. Moszynski et al. «Avalanche photodiodes in scintillation detection // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research», A497, 2003. P. 226−233.
  21. Struder, L., Brauninger, H. (1990) et al: «The MPI/AIT x-ray imager (MAXI) -high speed pn-CCDs for x-ray detection» Nucl. Instr. and Meth. A288 (1990) 227−235.
  22. П.А. «Разработка и моделирование элементов фото- и рентгеночувствительных БИС» Кандидатская диссертация, Москва 2003.
  23. В. Н., «Интегральная Би-МОП ячейка детектора излучений» Патент РФ № 2 383 968 от 20 марта 2006 г.
  24. О. Ehrmann: Private communication, Berlin, 2004.
  25. M.N.T. Volpert, M. Fendler, F. Marion, L. Mathieu, J.-M. Debono, et al: «Ultra fine pitch hybridization of large imaging detectors». In: 2003 IEEE Nuclear Science Symposium, Portland, USA, Oct 2003.
  26. E.H.M. Heijne, L. Hubbeling: Nucl. Instrum. Methods 178, 331−341 (1980).
  27. J. Kemmer, G. Lutz: Nucl. Instrum. Methods A 273, 588−598 (1988).
  28. W. Kucewicz et al: Acta Phys. Pol. В 30, 2075−2083 (1999).
  29. M. Amati et al: Nucl. Instrum. Methods A 511, 265−270 (2003).
  30. S. Parker, C. Kenney, J. Segal: Nucl. Instrum. Methods A 395, 328−343 (1997).
  31. E.M. Westbrook: «Pixels and proteins: better detectors for biological crystallography». In: IEEE Trans. Nucl. Sci. Portland, USA, Oct 2003.
  32. C. J. Kenney, S. Parker, J. Segal, C. Storment: IEEE Trans. Nucl. Sei. 48(4), 1999, 1224−1236.
  33. C.J. Kenney, S. Parker, E. Walckiers: IEEE Trans. Nucl. Sei. 48(6), 2001, 2405−2409.
  34. S. Parker, CJ. Kenney: IEEE Trans. Nucl. Sei. 48(5), 1629−1638 (2001).
  35. W. Dulinski et al: «CMOS monolithic active pixel sensors for high resolution particle tracking and ionizing radiation imaging». In: Proc. Frontier Detectors for Frontier Physics 2003, Elba, May 2003.
  36. R.-D. Heuer, R. Settles T. Behnke, S. Bertolucci (eds): TESLA Technical Design Report. DESY-01−011, vol IV (2001).
  37. W. Snoeys, J. Plummer, S. Parker, C.J. Kenney: IEEE Trans. Nucl. Sei. 39, 1263−1269 (1992).
  38. W. Snoeys et al: Nucl. Instrum. Methods A 326, 144−149 (1993).
  39. C.J. Kenney et al: Nucl. Instrum. Methods A 342, 59−77 (1994).
  40. B. Dierickx, G. Meynants, D. Scheffer: Near 100% fill factor CMOS active pixel. In Proc. IEEE CDD&A1S Workshop, Brugge, Belgium, June 1997.
  41. G. Meynants, B. Dierickx, D. Scheffer: Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (USA), 3410, 68−76(1998).
  42. R. Turchetta et al: Nucl. Instrum. Methods A 458, 677−689 (2001).
  43. G. Claus et al: Nucl. Instrum. Methods A 473, 83−85 (2001).
  44. G. Deptuch, W. Dulinski, Y. Gornushkin, C. Hu-Guo, I. Valin: Nucl. Instrum. Methods A 512, 299−309 (2003).
  45. G. Deptuch et al: «Monolithic active pixel sensor with in-pixel double sampling and column-level discrimination». In: IEEE Nuclear Science Symposium, Portland, USA, Oct 2003, vol 1, pp 551−555.
  46. R. Turchetta: «Monolithic active pixel sensors (MAPS) for particle physics and space science». In: Proc. VERTEX 2003, Low Wood, Lake Windermere, UK, Sept 2003.
  47. H. Matis et al: IEEE Trans. Nucl. Sei. 50, 1020−1025 (2003).
  48. A. Gay: «High resolution CMOS sensors for a vertex detector at the linear collider». In: Proc. Vertex 2003 Conference, Lake Windermere, UK, Sept 2003.
  49. W. Dulinski et al: IEEE Trans. Nucl. Sei. 51(4, Pt 1), 1613−1618 (2004).
  50. Y. Gornushkin et al: Nucl. Instrum. Methods A 513, 291−295 (2003).
  51. J.J. Velthuis et al: IEEE Trans. Nucl. Sci. (2005).
  52. S. Kleinfelder et al: «Novel integrated CMOS pixel structures for vertex detectors». In: IEEE Nuclear Science Symposium 2003, Portland, USA, Oct 2003, vol 1, pp 335−339.
  53. J. Marczewski et al: IEEE Trans. Nucl. Sci. 51(3): 1025−1028 (2004).
  54. P. Jarron et al: Nucl. Instrum. Methods A 518, 366−372 (2004).
  55. J.A. Theil et al: a-Si:H photodiode technology for advanced CMOS active pixel sensor imagers. In: 19th Int. Conf. on Amorphous Materials and Semiconductors, Nice, Aug 2001.
  56. J.S. Drewery et al: Nucl. Instrum. Methods A 310, 165−170 (1991).
  57. B. Equer, J.B. Chevrier: Mater. Res. Soc. 1045−1055 (1992).
  58. J. Kemmer, G. Lutz: Nucl. Instrum. Methods A 253, 356−377 (1987).
  59. J. Ulrici et al: Nucl. Instrum. Methods A 547, 424136 (2005).
  60. W. Neeser et al: IEEE Trans. Nucl. Sci. 47(3), 1246−1249 (2000).
  61. P. Klein et al: Nucl. Instrum. Methods A 392, 254−259 (1997).
  62. P. Fischer et al: Nucl. Instrum. Methods A 451, 651−656 (2000).
  63. J. Ulrici et al: Nucl. Instrum. Methods A 465, 247−252 (2001).
  64. N. Wermes et al: IEEE Trans. Nucl. Sci. 51(3, Pt 3), 1121−1128 (2004).
  65. P. Fischer et al: «A DEPFET based pixel vertex detector at TESLA». DESY Linear Collider Note, LC-DET-2002−004 (2002).
  66. M. Trimpl et al: Nucl. Instrum. Methods A 511,257−264 (2003).
  67. P. Fischer, W. Neeser, M. Trimpl, J. Ulrici, N. Wermes: Nucl. Instrum. Methods A 512, 318−325 (2003).
  68. L. Andricek, G. Lutz, M. Reiche, R.H. Richter: IEEE Trans. Nucl. Sci. 51 (3,pt3), 1117−1120(2004).
  69. P. Holl et al: IEEE Trans. Nucl. Sci. 47(4), 1421−1425 (2000)
  70. L. Struder et al: «Fully depleted, backside illuminated, spectroscopic active pixel sensors from the infrared to X-rays». In: SPIE Int. Soc. Opt. Eng., Munich, July 2000, vol 4012, pp 200−217.
  71. P. Holl et al: Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (USA), 4851, 770−778 (2003)
  72. W. Neeser et al: Nucl. Instrum. Methods A 477, 129−136 (2002).
  73. P. Klein et al: Nucl. Instrum. Methods A 454, 152−157 (2000).
  74. T. Conka-Nurdan et al: IEEE Trans. Nucl. Sei. 49(3, Pt 1), 817−821 (2002).
  75. L. Andricek: «Radiation hardness of DEPFET detectors». Presented at the 2005 International Linear Collider Workshop, Stanford, March 18−25,2005.
  76. Б.С. Ишханов, И. М. Капитонов, Э. И. Кэбин. «Частицы и ядра. Эксперимент», М.: Издательство МГУ, 2005.
  77. Ю.Б. Радиационная биофизика (ионизирующее излучение) / Под ред. В. К. Мазурика, М. Ф. Ломанова М.: ФИЗМАТЛИТ, 2004. — 448 с.
  78. J.C. Dainty, R. Shaw: Image Science (Academic, London, 1974).
  79. Горбачев B. B, Спицына Л. Г Физика полупроводников и металлов, Изд.2-е, перераб. и доп. М.: «Металлургия», 1982 — 336 с.
  80. Rossi, L., Fischer, Р., Rohe, T., and Wermes, N., «Pixel Detectors From Fundamentals to Applications», Berlin, Heidelberg, New York: Springer, 2006.
  81. Y. Araia, M. et al: «Development of a CMOS SOI Pixel Detector». SLAC-PUB-13 374, 2008.
  82. M. Amati, M. et al: «Hybrid active pixel sensors and SOI inspired option», Nucl. Instrum. Meth., vol. A 511, pp. 265−270, 2003.
  83. J. Marczewski, K. et al: «SOI active pixel detectors of ionizing radiation -Technology and design development», IEEE Trans. Nucl. Sei., vol. 51, June 2004.
  84. Lutz, G., Semiconductor Radiation Detectors. Device Physics, BerlinHeidelberg: Springer, 1999.
  85. A.P. Chubenko, D.E. Karmanov, S.A.Legotin, R.A. Mukhamedshin, and V.N. Murashev, «Silicon bipolar-pixel coordinate detector with internal amplification» // Nuclear Physics В (Proc. Suppl.), 196 (2009) pp. 466−469.
  86. В.H., Волков Д. Л., Леготин С. А., Орлова М. Н., «Полупроводниковые радиационно-чувствительные детекторы на основе функционально интегрированных структур» // Известия ВУЗов. Материалы электронной техники, 2009, № 3, с. 47−51.
  87. D. L Volkov, D. Е. Karmanov, V. N. Murashev, S. A. Legotin, R. A. Mukhamedshin, and A. P. Chubenko, «A New Position-Sensitive Silicon Pixel Detector Based on Bipolar Transistors» // INSTRUMENTS AND EXPERIMENTAL TECHNIQUES, 2009, No. 52, pp. 655−664.
  88. B.H., Леготин C.A., Юрчук С. Ю., «Координатный полупроводниковый детектор рентгеновского излучения на основе пиксельных матриц» // Датчики и системы, 2011, № 1, с. 31−36.
  89. Adams, J., Ampe, J., Bashindzhagyan, G., et al., Proc. XXVIICRC, Salt Lake City, 1999, p. 43. V
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!