Разработка и исследование логических схем на основе элементов конденсаторно-транзисторного типа
Диссертация
Задача уменьшения мощности, потребляемой цифровыми устройствами, в настоящее время решается разнообразными способами, например введение нескольких уровней питания, отключения питания от простаивающих блоков, использование транзисторов с различными пороговыми напряжениями и прочее-. Все эти решения реализуются в рамках КМОП технологии, они требуют дополнительных аппаратных затрат и совершенно… Читать ещё >
Список литературы
- Титце. У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника: Справочное руководство, изд-е 5. М.: Мир, 1982,-512с.
- И. П. Степаненко Основы микроэлектроники. М.: Лаборатория Базовых1. Знаний, 2001.-488с.
- Алексеенко А.Г., Шагурин И. И. Микросхемотехника. -М.: Радио и связь, 1990,-496с.
- Щука А.А. Электроника: Учебное пособие. СПб.: БХВ-Петербург, 2005.800с.
- М. Horowitz, Е. Alon, D. Patil, S. Naffziger, R. Kumar, K. Bernstein Scaling, power, and the future of CMOS. IEDM Tech. Dig., 2005 pp 11−17.
- A. Khakifirooz, D. A. Antoniadis Transistor performance scaling: The role of virtual source velocity and its mobility dependence. IEDM Tech. Dig., 2006, pp. 667−670.
- Scott Thompson, Paul Packan, Mark T. Bohr MOS Scaling. Transistor Challenges for the 21st Century. Intel Technology Journal Q398.
- V.P. Trivedi, J.G. Fossum Scaling fully depleted SOI CMOS IEEE Transaction Electron Devices vol. 50 no. 10 pp. 2095−2103 Oct. 2003
- B. Yu, L. Chang, S. Ahmed, H. Wang, S. Bell, C.-Y. Yang, C. Tabery, C. Ho, Q. Xiang, T.J. King, J. Bokor, C. Hu, M.-R. Lin, D. Kyser FinFET scaling to 10 nm gate length IEDM Tech. Dig., 2002 pp.251−254
- B. S. Doyle, S. Datta, M. Doczy, S. Hareland, B. Jin, J. Kavalieros, T. Linton, A. Murthy, R. Rios, R. Chau High Perfomance fully-depleted tri-gate CMODS transistors IEEE Electron Device Lett., vol.24, no. 4, pp. 263−265, Apr. 2003
- F.-L. Yang, H.-Y. Chen, F.-C. Chen, C.-C. Huang, C.-Y. Chang, H.-K. Chiu, C.-C. Lee, C.-C. Chen, H.-T. Huang, C.-J. Chen, H.-J. Tao, Y.-C. Too, M.-S. Liang, C. Hu 25 nm CMOS omega FETs IEDM Tech. Dig., 2002. pp. 255−258
- F.-L. Yang, D.H. Lee, H.-Y. Chen, C.-Y. Chang, S.-D. Liu, C.-C. Huang, T.-X. Chung, H.-W. Chen, C.-C. Huang, Y.-H. Liu, C.-C. Wu, C.-C.
- Chen, Y.-T. Chen, Y.-H. Chen, C.-J. Chen, B.-W. Chen, P.-F. Hsu, J.-H. Sheih, H.-J. Tao, Y.-C. Yeo, Y. Lee, J. W. Lee, P. Chen, M.-S. Liang, C. Hu 5nm-gate nanowire FinFET VLSI Symp. Tech. Dig., 2004, pp. 196−197
- Mi-Chang Chang, Chin-Sheng Chang, Chin-Ping Chao, Ken-lchi Goto, Meikei leong, Lee-Chung Lu, Carlos H. Dias Transistor- and Circuit-Design Optimization for Low-Power CMOS IEEE Transaction on Electron Devices vol.55 no.1 january 2008
- S. Narendra, S. Bokar, V. De, D. Antoniadis, A. Chandrakasan Skaling of stack effect and its application for leakage reduction Proc. ACM/IEEE Int. Symp. Low Power Electron. Des., Huntington Beach, CA, 2001, pp. 195−200
- M. Anis, S. Areibi, M. Elmasry Design and optimization of multithreshold CMOS (MTCMOS) circuits. IEEE Trans. Comput.-Aided Design Integr. Circuits Syst., vol. 22, no. 10, pp. 1324−1342, Oct. 2003
- K. Usami, N. Kawabe, M. Koizumi, K. Seta, T. Furursawa Automated selective multi-threshold design for ultra-low standby applications. Proc. ACM/IEEE Int. Conf. Low Power Electron Des., Monterey, CA, 2002, pp. 202−206
- M. Johnson, D. Domasekhar, L.-Y. Choiu, K. Roy Leakage control with efficient use of transistor stack in single threshold CMOS. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 10, no. 1, pp. 1−5, Feb. 2002
- C. Kim, K. Roy Dynamic Vth scaling scheme for active leakage power reduction. Proc. IEEE Des., Autom. Test Eur. Conf., Paris France, 2002, pp. 163−167
- V. Khandelwal, A. Srivastava Active mode leakage reduction using fine-grained forward body biasing strategy. Proc. ISLPED, pp. 150−155
- P. Gupta, A. B. Kahng, P. Sharma, D. Sylvester Gate-length biasing for runtime-leakage control. IEEE Trans. Comput.-Aided Design Integr. Circuit Syst., vol. 25, no.8, pp. 1475−185, Aug. 2006
- S. Shah, P. Gupta, A. Khang Standard cell library optimization for leakage reduction. Proc. 43rd ACM/IEEE Des. Autom. Conf., Jul. 24−28, 2006, pp. 983−986
- T. Skotnicki, G. Merckel, T. Pedron The voltage-doping transformation: A new approach to the modeling of MOSFET short-channel effects. IEEE Electron Device Lett., vol. 9, no. 3, pp. 109−112, Mar. 1988
- T. Skotnicki, G. Merckel, T. Pedron A new punchthrough current model based on voltage-doping transformation. IEEE Trans. Electron Devices, vol. 35, no. 7, pp. 1076−1086, Jul. 1988
- T. Skotnicki, F. Boeuf Optimal scaling methodologies and transistor performance. High-K Gate Dielectric materials for VLSI MOSFET Applications, H. Huff and D. Gilmer, Eds. New York: Springer-Verlag, 2005, ch. 6, pp. 143−194
- R. Gwoziecki, T. Skotnicki Physics of the subthreshold slop Initial improvement and final degradation in short CMOS devices. Proc. 32nd Eur. Solid-State Devices Res. Conf., 2002, pp. 639−642
- A. Pouydebasque, C. Charbuillet, R. Gwoziecki, T. Skotnicki Refinement of the subthreshold slope modeling in advanced bulk CMOS devices. IEEE Trans. Electron Devices, vol. 54, no. 10, pp. 2723−2729, Oct. 2007
- J. Kao, A. Chandrakasan MTCMOS sequential circuits. Proc. ESSCIRC, 2001, pp. 317−320.
- B. Calhoun, F. Honore, A. Chandrakasan Desing methodology for fine-grained leakage control in MTCMOS. Proc. ISLPED, 2003, pp. 104 109.
- L. T. Clark, M. Morrow, W. Brown Reverse-body bias and supply collapse for low effective standby power. IEEE Trans. Very Large Scale Integr. (VLSI) Syst., vol. 12, no. 9, pp. 947−956, Sep. 2004.
- T. Skotnicki, F. Boeuf CMOS technology roadmap Approaching uphill specials. Proc. 9th Int. Symp. Silicon Mater Sci. Technol., H. R. Huff, I. Fabry and S. Kishino, Eds., vol. 2002−2, pp. 720−734.
- R. Cavin, V. Zhirnov Future devices for information processing. Proc. ESSDERC, 2005, pp. 7−12.
- A. Chandrakasan, S. Sheng, R. W. Brodersen Design consideration for a future multimedia terminal. WINLAB Workshop Oct. 1990.
- D. Benson Silicon multichip modules. Hot Chips Symp., Santa Clara, CA, Aug.1 990
- A. Chandrakasan, S. Sheng, R. W. Brodersen Low-Power CMOS Digital Design. Trans. IEEE Solid-State Circuits, vol. 27, no. 4, pp. 473 -485, Apr. 1992.
- D. Green Modern Logic Design. Reading MA, Addison-Wesley, 1986, p. 15−17.
- H. J. M. Veendrick Short-circuit dissipation of static CMOS circuitry and its impact on the design of buffer circuits. IEEE J. Solidstate Circuits, vol. SC-19, pp. 468−473, Aug. 1984.
- G. Jacobs, R. W. Brodersen A fully asynchronous digital signal processor using self-timed circuits. IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 25, pp. 1526−1537, Dec. 1990.
- M. Shoji CMOS Digital Circuits Technology. Englewood Cliffs, NJ, Prentice-Hall, 1988.
- C. Piguet. J.-M. Masgontly, P. Mosch, C. Arm, V. Von Kaenel Low-Power low-voltage standard cell libraries. Proc. Low Voltage Low Power Workshop, ESSCIRC'95, Lille, France, Sept. 1995.
- C. Piguet, J.-M. Masgonly, S. Cserveny, E. Dijkstra Low-power low-voltage digital CMOS cell design. Proc. PATMOS'94, Barcelona, Spain, Oct. 1994, pp. 132−139.
- J. M. Rabaey Digital Integrated Circuits. Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ, 1996.
- Савельев И. В. Курс общей физики. В 3 т. Т. З Оптика, атомная физика, физика атомного ядра и элементарных частиц М. Наука. 1970.-537с.
- Bennet С. Н. The thermodynamics of copmutations a review. Int. J. ofTheor. Phys. 1982, vol. 21, N 12, p. 905−945.
- Landauer R. Information is physical. Physics Today, 1991, vol. 44, p. 23−29.
- Landauer R. Dissipation and noise immunity in computation and communication. Nature, 1988, vol. 335, p. 779−784.
- Bennet С. H. Logical reversibility of computation IBM J. of Res. & Dev. 1973, vol. 17, N 11, p. 525−532.
- Bennet С. H. Time/space tade-offs for reversible copmutation SIAM J. Comput. 1989, vol. 18, N 4, p. 766−776.
- Валиев К. А., Старосельский В. И. Модель и свойства термодинамически обратимого логического вентиля Микроэлектроника. 2000, Т. 29, N 2, стр. 3−18.
- Ferrari A. Adiabatic Switching. Adiabatic Logic. 1966.
- Старосельский В. И. Адиабатическая логика (обзор) Микроэлектроника, 2002, том 31, N 1, стр. 42−65.
- Younis S.G., Knight Т.F. Asimptotically zero energy split-level charge recovery logic Proc. of 1994 Int. Workshop on Low Power Design. April 1994, p. 177−182.
- Старосельский В. И. Реверсивная логика Микроэлектроника. 1999, Т. 28, N 3, стр. 213−222.
- К. Фрике Вводный курс цифровой электроники М. Техносфера, 2003.-430С.
- Denker J. S. A review of Adiabatic computing. Proc. Symp. on Low Power Electronics, San Diego, Oct. 1994.
- Athas W.C., Svensson J., Koller J.G., Tzartzanis N., Choi E.Y. Low-power digital system on adiabatic-switching principles. IEEE Trans, on VLSI Syst. Dec. 1994. V. 2 Num. 4, pp. 398−408.
- Denker J.S. A review of Adiabatic computing. Proc. of Symp. on Low Power Electronics, San Diego, Oct. 1994
- Maksimovic D., Oklobdzija V.G. Clocked CMOS adiabatic logic with integrated single-AC power-supply: experimental results. 21st Eur. SSC Conf., ESSSCIRC'95, Lille, France, Sept. 1995.
- Maksimovic D., Oklobdzija V.G. Integrated power Clock Generators for Low-Energy Logic. 26st Annual IEEE Power Electronics Specialists Conf., Atlanta, June 1995.
- Dickinson G., Denker J.S. Adiabatic dynamic logic. «IEEE J. of Solid St. Circ. 1995. vol. 30, num. 3, pp. 311 315.
- Seitz C.L., Frey A.H., Mattisson S., Rabin S.D., Speck D.A., van de Snepscheut J.L.A. Hot-clock nMOS. Chapel Hill Conf. on VLSI. Rockville, MD // Computer Sience Press, 1985, pp. 1−17.
- Himman R.T., Schlecht M.F. Recovery energy logic a highly efficient alternative to today’s logic circuits. Proc. IEEE Power Electron. Specialists Conf. Record, 1993, pp. 17−26.
- Himman R.T., Schlecht M.F. Recovery energy logic: f single clock AC logic. IWLPD'94 Workshop Proceedings. 1994. pp. 153−158.
- Курносов А. И., Юдин В. В. Технология производства полупроводни-ковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высшая школа, 1986. — 386 с.
- Матсон Э. А. Конструирование и технология микросхем. Минск, Вышэйшая школа, 1989. 207 с.
- Березин А. С., Мочалкина О. Р. Технология и конструирование инте-гральных микросхем. М. Радио и связь, 1983. — 232 с.
- Достанко А. П. Технология интегральных схем. Минск, Высшая шко-ла, 1982. — 206 с.
- Петросян О. В., Козырь И. Я., Коледов Л. А. и др. Схемотехника БИС постоянных запоминающих устройств М.: Радио и связь, 1987. -304 с.
- Черняев В. Н. Технология производства интегральных микросхем и микропроцессоров. -М.: Радио и связь, 1987. -464 с.
- Жан М. Рабаи, Ананта Чандракасан, Боривож Николич. Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования / Digital Integrated Circuits. — 2-е изд. — М.: Вильяме. 2007. — 912 с.
- Преснухин А.Н., Воробьев Н. В., Шинкевич А. А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 1991, 344 с.
- Фелпс Р. 750 практических электронных схем: справочное руководство. -М.: Мир, 1986, 584 с.
- Christoph Demi Input and Reverse Transfer Capacitance Measurement of MOS-Gated Power Transistors under High Current Flow. Infeneon Technologies.
- Хоровиц П., Хилл У. Искусство схемотехники, изд-е 5. М.: Мир, 1998.-550с.
- Жан М. Рабаи, Ананта Чандракасан, Боривожич Николич Цифровые интегральные схемы. Методология проектирования. Вильяме 2007.-120с.
- Преснухин А.Н., Воробьев Н. В., Шинкевич A.A. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 1991 .-240с.
- Premjeet Chahal, Rao R. Tummall, Mark G. Allen, Madhavan Swaminathan. A Novel Integrated Decoupling Capacitor fro MCM-L Technology. IEEE trans, on components, packaging, and manufacturing technology part B, vol. 21, No 2, May 1998.
- Разевиг В.Д. Система проектирования OrCAD 9.2 М.:Солон-Р 2003 г., 528 стр.
- Архив моделей BSIM Электронный ресурс. Режим доступа: http://www-device.eecs.berkeley.edu/~bsim3/archftp.html, свободный, Загл. с экрана. Яз. англ.
- Уейкерли дж. Ф Проектирование цифровых устройств. В 2 т, Т. 1 М.:Постмаркет 2002.- 712с.
- А.Л. Стемпковский, C.B. Гаврилов, A. J1. Глебов Методы логического и логико-временного анализа цифровых КМОП СБИС. М.:Наука 2007.- 235с.
- Справочные материалы о пакете TCAD Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.synopsys.com/Tools/TCAD/Pages/default.aspx, свободный, Загл. с экрана. Яз. англ.
- Официальная информация о научно-производственном центре «Техцентр» Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.tcen.ru, свободный, Загл. с экрана. Яз. русс. англ.
- Официальный сайт зеленоградского инновационно-технологического центра Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.zitc.ru/index.php/ru/infrastructure.html, свободный, Загл. с экрана. Яз. русс. англ.
- Официальный сайт компании приозводителя измерительного оборудования CsacdeMicrotech Электронный ресурс. Режим доступа: www.cmicro.com, свободный. Загл. с экрана. Яз. англ.
- Спецификация измерительной станции Agilent ВТ1500А Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.home. agilent.com/agilent/product.jspx?cc=RU&lc=rus&ckey=582 565& nid=-33 786.536905585.00&id=582 565&pselect=SR.GENERAL, свободный. Загл. с экрана. Яз. англ.
- Демонстрационные материалы програмного пакета EasyEXPERT Электронный ресурс. режим доступа: http://www.home.agilent.com/agilent/editorial.jspx?cc=RU&-lc=rus&-ckey=865 725 &nid=-34 001.695943.02&id=865 725, свободный. Загл. с экрана. Яз. англ.
- Спецификация генератора Agilent 33 220А Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.home.agilent.com/agilent/product.jspx?cc=RU&-lc=rus&-ckey=127 539&- nid=-536 902 257.536883183.00&id=127 539&pselect=SR.GENERAL, свободный.Загл. с экрана. Яз. англ.
- Спецификация источника питания Agilent Е3645А Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.home.agilent.com/agilent/product.jspx?cc=RU&-lc=rus&-ckey=836 879&-nid=-35 718.384192.00&-id=836 879&-pse1ect=SR.GENERAL, свободный. Загл с экрана. Яз. англ.
- Спецификация осциллографа Tektronix DP04000B Электронный ресурс. Режим доступа: http://www.tek.com/products/oscilloscopes/mso4000, свободный. Загл с экрана. Яз. англ.
- Описание возможностей измерительной платформы CascadeMicrotech Электронный ресурс. Режим доступа: http://ntnk.ru/cascade/RFmicrowave.pdf, свободный. Загл с экрана. Яз. русс.
- Методика работы с программным обеспечением EasyEXPERT Электронный ресурс. Режим доступа: http://cp.literature.agilent.com/litweb/pdf/5989−5167EN.pdf, свободный. Загл с экрана. Яз. англ.
- Мейзда Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений М.: Мир, 1990. -535с.
- Мирский Г. Я. Электронные измерения. Радио и связь. 1986, 440 стр.
- Кузнецов В. А., Долгов В. А., Коневских В. М. и др. Измерения в электронике: Справочник. М.:Энергоатомиздат. 1987.-512с.