Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием

Диссертация: Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Органическая ультратонкая матрица также может быть использована как средство переноса металлических кластеров на поверхность полупроводниковых датчиков или других устройств, используемых в электронике, для модификации их поверхности, изменения свойств (оптических и электрофизических) структуры. Актуальность переноса органического монослоя с включениями свинца на фотополупроводниковую подложку СёЭ… Читать ещё >

Электрофизические свойства плёночных фотопроводящих структур на основе CdS со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ВВЕДЕНИЕ. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ
  • 1. СОЗДАНИЕ, СВОЙСТВА И ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОПРОВОДЯЩИХ ПЛЕНОК ТИПА СУЛЬФИДА КАДМИЯ И ГЕТЕРОФАЗНЫХ ЛЕНГМЮРОВСКИХ МОНОСЛОЕВ В НАНО И МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР
    • 1. 1. Основные характеристики и методы повышения деградационной стойкости фотопроводящей пленочной структуры на основе сульфида кадмия
      • 1. 1. 1. Параметры и характеристики фоточувствительной поликристаллической пленки С<
      • 1. 1. 2. Процессы, происходящие под воздействием электронного и светового облучения в полупроводниках типа Сс
      • 1. 1. 3. Методы повышения деградационпой стойкости материалов
    • 1. 2. Пленки Ленгмюра-Блоджетт, структурированные металлом: получение и применение
      • 1. 2. 1. Технология создания пленок Ленгмюра-Блоджетт и их применение в современной электронике
      • 1. 2. 2. Пленки Ленгмюра-Блоджетт жирных кислот и их солей
    • 1. 3. Методы исследования структуры «фоточувствительная пленка сульфида кадмия — органическое покрытие арахината свинца»
      • 1. 3. 1. Методы расчета и анализа парсьчетров органического покрытия по ж-А изотерме
      • 1. 3. 2. Методика, основанная на динамическом рассеянии света, для расчета гидродинамического размера субмикронных частиц
      • 1. 3. 3. Методы сканирующей зондовой микроскопии для определения топологии и локальных электрических характеристик пленок
      • 1. 3. 4. Сканирующая электронная микроскопия и вторично-ионная масс-спектрометрия для определения состава структур
    • 1. 4. Выводы к главе 1
  • 2. ПОЛУЧЕНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ МОНОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ НА ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА ДЛЯ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ
    • 2. 1. Описание условий получения, реактивов, установки и методов нанесения и контроля органических монослоев
      • 2. 1. 1. Используемые реактивы и типы подложек
      • 2. 1. 2. Варьирование параметров режима получения и переноса органического покрытия
      • 2. 1. 3. Методы исследования монослоев арахината свинца и пленок сульфида кадмия
    • 2. 2. Результаты исследования органических монослоев на основе арахината свинца
      • 2. 2. 1. Исследование процессов кластерообразования в органических пленках с помощью изотерм сжатия монослоя и методов сканирующей электронной микроскопии
      • 2. 2. 2. Зависимость прог{ентного содержания ионов свинца в органическом покрытии от условий получения
      • 2. 2. 3. Анализ процессов кластерообразования в органических пленках с помощью изотерм сжатия и вторичной ионной масс-спектрометрии
      • 2. 2. 4. Исследование металлических кластеров в монослое методом динамического рассеяния света
      • 2. 2. 5. Изменения морфологии полупроводниковой пленки Сс13, модифицированной органическим покрытием
    • 2. 3. Выводы к главе 2
  • 3. ЛОКАЛЬНЫЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОПРОВОДЯЩЕЙ СТРУКТУРЫ СУЛЬФИДА КАДМИЯ, МОДИФИЦИРОВАННОЙ ОРГАНИЧЕСКИМ ПОКРЫТИЕМ НА ОСНОВЕ АРАХИНАТА СВИНЦА
    • 3. 1. Исследование изменения морфологии поверхности полупроводниковой пленки сульфида кадмия, модифицированной органическим металлоструктурированным монослоем арахината свинца
      • 3. 1. 1. Морфология поверхности подложек, используемых в экспериментах, и монослойных покрытий арахиновой кислоты и арахината свинца
      • 3. 1. 2. Морфология монослойных покрытий арахиновой кислоты и арахината свинг^а, нанесенных на Сс

      3.2 исследование распределения электростатической силы взаимодействия зонд-образец и поверхностного потенциала пленки сульфида кадмия, модифицированной органическим покрытием на основе арахината свинца.

      3.2.1 Исследование изменения электрических свойств поверхности пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на 1ТО.

      3.2.2 Исследование изменения электрических свойств поверхности пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на Сс18.

      3.2.3 Анализ неоднородности распределения электростатических сил взагшодействия и поверхностного потенциала при модификации поверхности Сс18 органическим покрытием на основе арахината свинца

      3.3 вольт-амперные характеристики туннельного контакта «зонд — поверхность фотопроводящей структуры на основе сульфида КАДМИЯ, модифицированной пленкой арахината свинца».

      3.3.1 Волып-амперные характеристики пленок арахиновой кислоты и арахината свинца, нанесенных на Сс18 и 1ТО.

      3.3.2 Спектральный анализ зависимостей туннельных токов от напряжения для исследуемых структур.

      3.4 Выводы к главе 3.

      4 ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИОННОЙ СТОЙКОСТИ И ФОТОУТОМЛЯЕМОСТИ СТРУКТУРЫ «ПЛЕНКА СДО -МОНОСЛОЙ АРАХИНАТА СВИНЦА».

      4.1 условия проведения испытаний на радиационную стойкость и фотоутомляемость.

      4.2 исследование оптических характеристик структуры «пленка сульфида кадмия — монослой арахината свинца».

      4.3 Исследование радиационной стойкости и фотоутомляемости фотопроводящей структуры «пленка сульфида кадмия — монослой арахината свинца».

      4.3.1 Люкс-амперные характеристики до и после воздействия электронного облучения и длительного освещения белым светом.

      4.3.2 Анализ изменений люкс-амперных характеристик после воздействия электронным пучком и длительного освещения белым светом

      4.4 Модель деградационной стойкости поликристаллической пленки сульфида кадмия со свинцовосодержащим органическим монослойным покрытием.

      4.4.1 Оценка скорости радиационно-стимулированной диффузии дефектов

      4.4.2 Оценка концентрации радиационных дефектов.

      4.4.3 Оценка концентрации неравновесных носителей заряда, возникающих при освещении.

      4.4.4 Влияние потенциального рельефа структуры на повышение радиационной стойкости.

      4.5 Выводы к главе 4.

Актуальность работы. В современных условиях эксплуатации полупроводниковых фотоприемников необходимо учитывать возможное их использование при повышенном уровне радиации (ядерная энергетика, космические технологии). Поэтому, одной из важных задач полупроводниковой электроники является получение одновременно радиационно-устойчивых и фоточувствительных материалов и структур для электронной и оптоэлектронной техники.

Исследования, проводимые в течение ряда лет [1,2], показали перспективность использования фотопроводящих структур на основе сульфида кадмия для микрои наноэлектроники и необходимость дальнейшего их изучения. В результате экспериментов, проводимых научной группой под руководством профессора Рокаха А. Г., удалось добиться повышения радиационной стойкости сульфида кадмия созданием в объеме фотоприемника гетерофазных областей [3], обеспечивающих сток дефектов и электронных возбуждений в узкозонные фазы РЪБ.

Введение

таких фаз приводит к необходимости нахождения компромисса между фоточувствительностью и деградационной стойкостью материала. Возникает идея, что радиационная стойкость может быть повышена за счет ультратонкого покрытия, содержащего атомы свинца. В этом случае покрытие является не столько экранирующим, сколько создающим определенный потенциальный рельеф поверхности, способствующий стоку дефектов из фоточувствительного объема пленки сульфида кадмия в нефотоактивные области покрытия.

Развитие нанотехнологий, в том числе технологии Ленгмюра-Блоджетг (ЛБ), и все большее распространение наноразмерных пленочных электронных устройств делает особенно актуальным изучение поверхности фотопроводников и ее модификацию с целью формирования микрои нанорельефа, влияющего на свойства электронной структуры в целом. При выборе способа формирования морфологии микрорельефа обычно исходят из его влияния на оптические и рекомбинационные параметры структуры, то есть на эффективность фотопреобразования [4]. Однако необходимо учитывать также влияние морфологии микрорельефа на радиационную стойкость структур, о чем свидетельствуют проводимые исследования в данном направлении. Если влияние равновесного поверхностного заряда на распределение внутреннего электрического поля и вольт-амперные характеристики подобных структур изучено уже достаточно подробно, то роль неравновесных эффектов, проявляющихся в условиях возбуждения электронной подсистемы полупроводника, например, облучения, и обусловленных захватом электронов (дырок) на поверхностные состояния, раскрыта не полностью и часто оказывается неконтролируемой.

Особенно актуальными на данный момент являются исследования гибридных органических-неорганических структур [5−7], в которых органическая составляющая представляет собой ультратонкую пленку, например, жирной кислоты, структурированную металлом (в качестве неорганической составляющей). Наибольший интерес представляет получение микрои нановключений разного состава — металлических кластеров [8] или солей жирных кислот (дендритов) [9] — при непосредственном контроле параметров в процессе синтеза покрытия.

Большой вклад в популяризацию и изучение таких структур в России и за рубежом, внесли профессоры: Янклович А. И., Хомутов Г. Б. [10,11] и Климов Б. Н., под руководством которого в Саратовском государственном университете были осуществлены исследования электрофизических свойств органических покрытий, полученных по технологии Ленгмюра-Блоджетт [12,13]. Монослой с присоединенными ионами металла является хорошей основой-подложкой для зародышеобразования неорганических кристаллитов и нанокристаллов металла непосредственно под ленгмюровским монослоем. При этом ориентация нанокристаллов зависит как от структуры монослоя, так и от структуры самого металла [14].

Органическая ультратонкая матрица также может быть использована как средство переноса металлических кластеров на поверхность полупроводниковых датчиков или других устройств, используемых в электронике, для модификации их поверхности, изменения свойств (оптических и электрофизических) структуры [15,16]. Актуальность переноса органического монослоя с включениями свинца на фотополупроводниковую подложку СёЭ состоит в возможности получения сочетания таких свойств, как высокая фоточувствительность и радиационная стойкость сульфида кадмия. С этой точки зрения, необходимо иметь полную картину процессов, происходящих во время получения и переноса покрытия, процессов в монослое, перенесенном на поверхность фотоприемника, и, собственно, в фотоприемнике под действием облучений.

Понимание и визуализация процессов, происходящих при модификации органическим покрытием полупроводниковой поликристаллической пленки, очень важно как с фундаментальной точки зрения, так и с прикладной. Свойства пленок и покрытий, в свою очередь, зависят от технологии их получения, от используемых режимов, ингредиентов, способов обработки. Использование современных методов исследования поверхности позволяет не только определить микрои нанорельеф поверхности, но и проследить динамику его изменения в процессе воздействия технологических и внешних факторов в процессе эксплуатации фотодатчика.

В связи с изложенным, целью диссертационной работы является установление закономерностей изменения физических характеристик и радиационной стойкости фотопроводящей структуры на основе сульфида кадмия при модификации его гетерофазным органическим покрытием, представляющим собой пленку Ленгмюра-Блоджетт со свинцовосодержащими включениями.

Для достижения цели диссертационной работы решались следующие задачи:

1. Получение органического структурированного свинцом покрытия по технологии Ленгмюра-Блоджетт при различных рН водной субфазы, концентрации металла в ней и различных временах выдержки монослоя на границе раздела «вода-воздух» для модификации поверхности фотопроводящей структуры на основе СЖ;

2. Построение и анализ изотерм сжатия ленгмюровских монослоев арахиновой кислоты и арахината свинца для изучения влияния на их вид фазового и элементного состава монослоев и установления зависимости электрических свойств от состава органического покрытия;

3. Исследования формы, размеров и химического состава свинцовосодержащих включений в полученных плёнках методами сканирующей электронной микроскопии (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ), динамического рассеяния света и энергодисперсионного анализа (ЭДА);

4. Установление закономерностей, определяющих количество свинца, перенесенного на твердую подложку, при изменении условий получения ленгмюровского монослоя с помощью вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) и ЭДА;

5. Исследование влияния органического покрытия на основе арахината свинца на электрические свойства поликристаллической пленки сульфида кадмия с использованием методов электросиловой (ЭСМ) и Кельвин-зонд микроскопии (СКМ);

6. Исследование влияния облучения электронами средних энергий и длительного освещения белым светом на люкс-амперные характеристики CdS с монослойным покрытием на основе арахината свинца и без него;

7. Построение качественной модели процессов в фоточувствительной структуре на основе CdS, происходящих под действием электронного облучения и освещения и приводящих к повышению его радиационной стойкости и уменьшению фотоутомляемости.

Научная новизна работы

1. Показано, что нанесение монослоя на основе арахината свинца увеличивает стойкость фоточувствительной структуры на основе CdS к электронному облучению и уменьшает ее фотоутомляемость.

2. Выявлена закономерность наблюдаемых изменений свойств фоточувствительной структуры под действием излучений на основе процессов, происходящих на границе «Сай'-органический монослой» и в гетерофазном органическом покрытии с учетом создаваемых локальных электрических полей и радиацион-но-стимулированной диффузии дефектов.

3. Впервые установлено, что модификация поверхности пленки CdS монослоем арахиновой кислоты или монослоем на основе арахината свинца приводит к возникновению примерно одинаковых локализованных электрических полей на поверхности CdS, на порядок превосходящих электрические поля, обусловленные поликристалличностью CdS.

4. Впервые обнаружены закономерности, определяющие пространственную конфигурацию металлосодержащих включений в ленгмюровском монослое. Показано, что доминирующим фактором является кислотность субфазы.

5. Впервые обнаружена линейная корреляция между размером металлического кластера, полученного в щелочной среде под ленгмюровским монослоем, и площадью, приходящейся на одну молекулу в монослое, определенную по изотермам сжатия.

6. Методика анализа изотерм сжатия и данных ВИМС, позволяющая в процессе получения ленгмюровского монослоя прогнозировать образование кластеров металла, является авторской разработкой.

Практическая значимость работы

1. Созданное в работе качественное описание процессов в структуре «органическая пленка — фотопроводник» под действием излучений и физическая модель радиационной стойкости подобных структур позволяют достоверно прогнозировать их радиационную стойкость.

2. Получены локальные электрофизические характеристики (распределение электростатических сил отталкивания и притяжения, изменения поверхностного потенциала и поверхностной плотности электронных состояний) для структуры «органический монослой на основе арахината свинца — поликристаллическая пленка сульфида кадмия» методами сканирующей зондовой микроскопии.

3. Проведенный патентный поиск показал, что деградационная стойкость фотопроводника на основе сульфида кадмия к облучению электронами средних энергий наблюдается при наборе поглощенной дозы 108−109 рад. С помощью результатов исследований, полученных в работе, можно достичь технически значимых параметров радиационно-стойких фотоприемников с низкой фотоутомляемостью при наборе поглощенной дозы 1010рад при облучении электронами с энергией до 5 кэВ.

4. Разработанная и апробированная методика совместного использования анализа изотерм сжатия ленгмюровских монослоев и данных вторично-ионной масс-спектрометрии позволила уже в процессе получения прогнозировать образование кластеров свинца под монослоем, что подтверждено экспериментально.

5. Осуществлено управление процессом формирования гетерофазного покрытия на основе органической матрицы арахиновой кислоты и получены различные конфигурации свинцовосодержащих включений, приводящие к существенным изменениям характеристик покрытия.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Модификация поверхности сульфида кадмия ленгмюровским покрытием на основе арахината свинца, содержащим сформированные дендритные, либо кластерные свинцовосодержащие включения, приводит к понижению фотоутомляемости (в 4−7 раз) и к увеличению радиационной стойкости (в 8−10 раз) сульфида кадмия при облучении электронами допороговых энергий (до 5 кэВ) при наборе поглощенной дозы до 1010 рад.

2. При нанесении гетерофазного ленгмюровского монослоя, содержащего арахинат свинца, на поликристаллическую пленку сульфида кадмия форма и процентное содержание свинца во включениях, сплошность (неразрывность) покрытия влияют на изменение разности потенциалов на локальных неоднородностях вдоль поверхности (в 5−7 раз) и плотности электронных состояний поверхности (на 9−12%), что приводит к созданию на ней локальных возмущений электрического потенциала, способствующих снижению количества положительно заряженных точечных дефектов в фотопроводящей структуре С<35.

3. Пространственная конфигурация растущих свинцовосодержащих включений в виде кластеров или дендритов в ленгмюровском монослое на основе арахиновой кислоты определяется изменением кислотности субфазы, приводящей к смещению баланса между электростатическими силами притяжения и отталкивания ионов ЕГ и гидроксильных групп ОН" .

4. Увеличение (уменьшение) концентрации нитрата свинца в водной субфазе и времени экспозиции монослоя на поверхности субфазы приводит к увеличению (уменьшению) размеров свинцовосодержащих включений и процентного содержания в них свинца, но не приводит к изменению формы включений.

Достоверность полученных результатов обусловлена современным уровнем технологического и измерительного оборудования, возможностью совмещения нескольких методик исследования для проведения комплексного анализа, применением в экспериментах сертифицированной измерительной аппаратуры и известных апробированных методик обработки результатов, согласованностью полученных результатов с результатами других исследователей, а также непротиворечивостью результатов эксперимента и анализа физическим представлениям о процессах в исследуемых полупроводниковых структурах и органических ленгмюровских слоях.

Личный вклад автора состоит в самостоятельном выполнении представленных в диссертации экспериментальных исследований (кроме измерений на электронном микроскопе, которые выполнялись при участии автора), обработке экспериментальных данных, их анализе и выполнении оценочных расчетов. Комплексный анализ данных и описание процессов в структуре «органическая пленка-фотопроводник» под действием излучений проведен совместно с научным руководителем. Автором разработана и апробирована методика анализа изотерм сжатия ленгмюровских металлоструктурированных слоев в широком диапазоне изменения кислотности. При использовании результатов других авторов или полученных в соавторстве даются соответствующие ссылки на источник.

Апробация работы. Основные положения и результаты исследования представлены в форме публикаций, научных докладов и получили положительную оценку на научных конференциях: Международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы» (Ульяновск, 2007, 2009, 2010 гг.) — Ежегодной Всероссийской конференции молодых ученых «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» (Саратов, 2008, 2009, 2010 гг.) — Ежегодной Всероссийской научной школе-семинаре «Методы компьютерной диагностики в биологии и медицине — 2008» (Саратов, 2008 г.) — IV Ежегодном Всероссийском Салоне «Изобретения, инновации, инвестиции — 2009» (Саратов, 2009 г.) — Международной конференции НАКОТЯ (Турция, 2009, 2010 гг.) — Международной конференции «Композит-2010» (Саратов, 2010 г.).

Материалы работы использовались при выполнении программы «Участник молодежного научно-инновационного конкурса 2008» (У.М.Н.И.К.) Фонда содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере в проекте «Исследование методами атомно-силовой микроскопии органических покрытий, полученных при разных режимах нанесения» (2008 г.). Результаты теоретических и экспериментальных исследований были частично использованы в инициативных грантах Российского фонда фундаментальных исследований (РФФИ): «Взаимодействие радиационно-стойких гетерофазных полупроводников с ускоренными ионами и видимым светом» (2006;2007 гг.), «Исследование процессов самоорганизации наноразмерных кластеров в фотопроводниках и их влияние на радиационную стойкость» (2008;2010 гг.) и получили поддержку в международном российско-турецком гранте РФФИ «Влияние морфологии, условий получения и внешних воздействий на диэлектрические и магнитные свойства нанокомпозитов» (2010;2011 гг.). Результаты работы также неоднократно обсуждались на научных семинарах кафедры материаловедения, технологии и управления качеством СГУ.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 24 научные работы: 3 статьи в рецензируемых российских научных журналах из списка ВАК, а также труды, тезисы и материалы докладов на всероссийских и международных конференциях (20 публикаций в сборниках) и 1 учебное пособие.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 209 наименований. Общий объем диссертации составляет 180 страниц, включая 81 рисунок и 16 таблиц.

Основные результаты, полученные в ходе выполнения работы, состоят в следующем:

1. Проведены измерения люкс-амперных характеристик в поперечном режиме фотопроводимости структур «пленка СЖ-монослой арахината свинца» до и после облучения электронами с энергией 5 кэВ при наборе поглощенной дозы Ю10рад. Показано, что изменение кратности фототоков в заданном диапазоне после электронного облучения существенно меньшее (в 8−10 раз), чем у пленки CdS без указанного покрытия.

2. Проведены экспериментальные исследования темновых токов и фототоков фотопроводящих структур на основе CdS с монослоем арахината свинца и без. Сделаны оценочные расчеты, показавшие, что электронный поток создает радиационные дефекты в поверхностном слое CdS толщиной до 250 нм. Увеличение темнового тока в структурах без покрытия происходит на 1−2 порядка, а значение фототока уменьшается на 1 порядок.

3. Выявлено, что нанесение органического монослоя на основе арахиновой кислоты, содержащего сформированные дендритные и кластерные свинцово-содержащие включения, приводит к незначительному увеличению темнового тока (в 1,4−1,9 раза) по сравнению с пленкой CdS без покрытия (в 6,4 раза). Это объясняется модификацией поверхности CdS и созданием на ней локальных возмущений электрического потенциала, способствующих стоку точечных дефектов.

4. Проведены исследования фотоутомляемости при облучении белым светом интенсивностью 104 лк в течении 1,5 часов и показано, что основной причиной увеличения фотоутомляемости, является образование комплексов на основе междоузельного кадмия, приводящее к возникновению глубоких ре-комбинационных уровней в запрещенной зоне CdS.

5. Модификация поверхности органическим покрытием со свинцовосодержа-щими включениями приводит к понижению фотоутомляемости в 4−7 раз за счет ухода атомов междоузельного кадмия на стоки. Значение темнового тока после электронного облучения и последующего длительного интенсивного освещения структуры «Са^-монослой арахината свинца» изменяется в 1,5 -3,7 раза.

6. Проведены оценочные расчеты концентрации однократно ионизованных междоузельных атомов Cd, генерированных электронным облучением, и неравновесных носителей заряда (электронов), возникающих под действием облучения электронами или освещения в CdS. Показано, что расчетная концентрация радиационных дефектов при указанных условиях облучения составила N= 1015−1016 см" 3, что превышает концентрацию собственных точечных дефектов в поликристаллической пленке CdS на 1−2 порядка. Концентрация электронов, возникающих под действием освещения белым светом в диапазоне 880 лк, изменяется не менее чем на 3 порядка.

7. Построена качественная модель деградационной стойкости структуры «пленка СЖ-монослой арахината свинца», которая основана на описании процессов радиационно-стимулированной диффузии, протекании фотохимических реакций при освещении, движении зарядов в электрических полях, создаваемых за счет потенциального рельефа поверхности структуры и наведенного на ней электронным облучением заряда. Модель позволила объяснить более значительное увеличение радиационной стойкости по сравнению с изменением фотоутомляемости, достигаемое за счет нанесения органического покрытия со свинцовосодержащими включениями.

8. Получено распределение поверхностного потенциала и оценено изменение плотности поверхностных состояний при нанесении на СЖ органического металлоструктурированного покрытия методами зондовой микроскопии (СКМ, СТМ, ЭСМ). Максимальное значение напряженности электрического поля на поверхности, оцененное из изменения потенциалов и размеров кластера, составило Е = 5,4−104 В/см. Изменение локальной неоднородности плотности поверхностных электронных состояний происходит на 1−2 порядка при нанесении монослойного покрытия арахината свинца на Сой" .

9. В зависимости от рН и концентрации соли в рабочем растворе свинец переносится на твердую подложку по методу Ленгмюра-Шеффера, создавая покрытие, в разной степени упорядоченное и структурированное свинцом. Во всем диапазоне варьирования/>//(3,5−11,0) было получено гетерофазное ме-таллоструктурированное покрытие на основе органической матрицы.

10.Показано, что возможно создать условия для получения монофазного покрытия, состоящего из смеси молекул арахината свинца и арахиновой кислоты, или гетерофазного покрытия, содержащего дендритные образования (в кислой среде), состоящие из молекул арахината свинца, или отдельные металлосодержащие кластеры в органической матрице (в щелочной среде) на твердой подложке.

11 .Использование метода динамического рассеяния света позволило оценить размеры свинцовосодержащих кластеров, взятых из органического монослоя непосредственно с поверхности водной субфазы и с поверхности твердой подложки. Размер кластеров свинца варьировался от 8 нм до 800 нм и зависел от концентрации соли свинца в водной субфазе и времени выдержки монослоя.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Показать весь текст

Список литературы

  1. Г. Е. Особенности оптических и фотоэлектрических свойств специально не легированных и легированных Си монокристаллов CdS. / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Г. Л. Мирончук и др. // ФТП, 2008. Т.42. — № 4. — С. 399−403.
  2. Г. А. Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO/G^SyCuInGaSe2 при низкой температуре. / Г. А. Медведкин, Е. И. Теруков, К. Сато и др. // ФТП, 2001. Т.35. — № 11. — С. 1385−1390.
  3. А.Г. Гетерофазные полупроводники под действием излучений / А. Г. Роках, С. В. Стецюра, А. А. Сердобинцев // Известия Сарат. ун-та. Сер. Физика, 2005. Т.5. — Вып. 1. — С. 92−102.
  4. . Н.Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл-арсенид галлия с текстурированной границей раздела. / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская, Р. В. Конакова и др. // ЖТФ, 2002. Т.72. — Вып.6. — С. 44−49.
  5. Е.А. Гибридные материалы для газовых сенсоров: диоксид олова, модифицированный полисилазанами / Е. А. Макеева // Тезисы II Международного конкурса науч. работ молоды ученых в области нанотехнологий. М., 2009. 6 — 8 октября (№ 10). — 3 с.
  6. Э.И. Фотолюминесценция композитов «нанокристалл CdSe/ZnS-органический лиганд»: механизмы релаксационных процессов и применения в наносенсорике / Зенькевич Э. И. // Rusnanotech'09,2009. Т. 10. — С. 476−478.
  7. Ю. Л. Полупроводниковые нанопровода в процессах преобразования энергии / Нанотехнологическое сообщество «Нанометр». URL: http://www.nanometer.ru/2010/07/16/12 792 608 577 576 214 528 .html (дата обращения 29.07.2010).
  8. М.С. Металлокластеры / М. С. Шапник // Соросовский образовательный журнал, 1999, № 5, С. 54−59.
  9. Ken-ichi Iimura. Two-Dimensional Dendritic Growth of Condensed Phase Domains in Spread Monolayers of cis-Unsaturated Fatty Acids. / Ken-ichi Iimura, Yukari Yamauchi, Yuko Tsuchiya, Teiji Kato. // Langmuir, 2001. № 17. — P. 4602−4609.
  10. Khomutov G.B. Synthesis of Ni-containing nanoparticles in Langmuir-Blodgett films. / G.B. Khomutov, I.V. Bykov, R.V. Gainutdinov // Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects, 2002. № 198−200. P. 559−567.
  11. Antipina M.N. Structural control of Langmuir-Blodgett films containing metal cations by ligands exchange. / M.N. Antipina, I.V. Bykov, R.V. Gainutdinov et. al. // Materials Science and Engineering C, 2002. V. 22, 171−176.
  12. A.M. Электрофизические свойства МДП-структур, содержащих наноразмерные пленки Ленгмюра-Блоджетт на основе beta-циклодекстрина / A.M. Ященок, Д. А. Горин, К. Е. Панкин и др. // ЖТФ, 2006. Т.76. — Вып.4. — С. 105−108.
  13. И.П. Нанокластеры и нанокластерные системы. Организация, взаимодействия, свойства / И. П. Суздалев, П. И. Суздалев // Успехи Химии, 2001.-Т. 70.-С. 203−240.
  14. Wolfbeis O.S. Fiber-optic chemical sensors and biosensors / O.S.Wolfbeis // Anal. Chem., 2006. -V. 78. № 12. — P. 3859−3874.
  15. C.H. Наноматериалы и нанотехнологии в химических и биохимических сенсорах: возможности и области применения / С. Н. Штыков, Т.Ю. Русанова//Ж. Рос. хим. об-ва им. Д. И. Менделеева, 2008. Т. ЬП. — № 2. — С. 92−100.
  16. Э.Н. Радиационная стойкость биполярных транзисторов.: уч. пособие. / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко М.: НОЦ — Моск. гос. институт эл-ки и математики, 1999. — 101 стр.
  17. Г. С. Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия / Г. С. Хрипунов, Е. П. Черных, Н. А. Ковтун, Е. К. Белоногов // ФТП, 2009. Т.43. — Вып.8. — С. 1084−1089.
  18. С.И. Новая кристаллическая фаза в тонких пленках сульфида свинца / С. И. Садовников, А. И. Гусев, А. А. Ремпель // Письма в ЖЭТФ, 2008. Т.89. — Вып.5. — С. 279−284.
  19. А.К. Исследование структуры нанокластеров сульфидов кадмия и свинца в матрице пленок Ленгмюра-Блоджетт. / А. К. Гутаковский, Л. Д. Покровский, С. М. Репинский, Л. Л. Свешникова // Журнал структурной химии, 1999. Т.40. — № 3. — С. 589−592.
  20. С.В. Особенности физики широкозонных полупроводников и их практических применений / С. В. Вавилов // УФН, 1994. Т.164. — Вып.З. -С. 287−296.
  21. Л.В. Влияние формы края фундаментального поглощения на форму спектра зеленой люминисценции кристаллов CdS / Л. В. Борковская, Б. Р. Джумаев, Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, А. Ф. Сингаевский // ФТП, 1996.-Вып.4.-С. 745−749.
  22. И.П. Дефектная структура пленок системы CdS-ZnS и их люминесцентные свойства. / И. П. Старов, М. В. Кочкина, Ю. В. Метелева, В. Н. Семенов, В. Г. Клюев. // Вестник ВГУ. Серия: Химия. Биология. Фармация, 2003.-№ 2.-С. 71−75.
  23. М.В. Молекулярный конструктор Ленгмюра-Блоджетт / М. В. Ковальчук, В. В. Клечковская, Л. А. Фейгин // Природа, 2007. № 12. — 8 с.
  24. Р. Фотопроводимость твердых тел. / Р. Бьюб- пер. с англ. Ф. Я. Надя и В. И. Сидорова.- под ред. Т. М. Лифшица. -М.: Изд-во иностр. лит-ры, 1962. 560с.
  25. З.И. Фотопроводящие пленки типа CdS. / З. И. Кирьяшкина, А. Г. Роках, Н. Б. Кац и др.: Под ред. З. И. Кирьяшкиной и А. Г. Рокаха. -Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 1979. 193с.
  26. А.Г. Варизонная модель полупроводника стойкого к деградации / А. Г. Роках //Письма в ЖТФ, 1984. Вып. 13. — С. 820−824.
  27. Поликристаллические полупроводники / под ред. Г. Харбке. М.: Изд-во «Мир», 1989.-324с.
  28. .Н. Гетероструктуры в полупроводниках. / Б. Н. Климов, Н. М. Цукерман. // Саратов: Изд-во СГУ, 1976. 180с.
  29. Физика соединений АИВ1У / под ред. А. Н. Георгобиани, И. К. Шейнкмана. -М.: Наука, 1986. -561с.
  30. Н.Б. Новый класс фотопроводящих радиационно-стойких полупроводниковых материалов / Н. Б. Брандт // Соросовский образовательный журнал, 1997. № 4. — С. 65−72.
  31. Г. В. Сульфиды. / Г. В. Самсонов, C.B. Дроздова М.: Металлургия, 1972.-304с.
  32. П.И. Полупроводниковая электроника. Справочник. / П. И. Баранский, В. П. Клочков, И. В. Потыкевич М.: Наука, 1975. — С. 704.
  33. М.П. Кристаллография: учеб. пособие для вузов- 2-е изд., пе-рераб. и доп. / Шаскольская М. П. М.: Высш. шк, 1984. — 376с.
  34. В.Н. Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений AIIBVI. Справочник. / Томашик В. Н., Грыцив В. И. // Киев: Hayкова думка, 1982. С. 16.
  35. С.А. Оптоэлектронные свойства пленок CdS для солнечных элементов с очень тонким абсорбирующим слоем. / С. А. Гаврилов, A.A. Шер-ченков, Д. А. Кравченко, А. Б. Апальков // Российские нанотехнологии, 2006. -Т.1. -№ 1−2 С. 228−232.
  36. Никифорова-Денисова С. Н. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: уч. пособие для ПТУ- кн. 5. / С.Н. Никифорова-Денисова, E.H. Любушкин. М., 1989. — 96с.
  37. С.С. Материаловедение полупроводников и диэлектртков. / С. С. Горелик, М. Я. Дашевский: уч. для вузов. М.: Металлургия, 1988. — 574с.
  38. И.Г. Технология полупроводниковых приборов. / И. Г. Пичугин, Ю. М. Таиров: учеб. пособие для вузов. -М.: Высш. шк., 1984, — 288с.
  39. В.А. Радиационно-стимулированная диффузия в твердых телах. / В .А. Степанов //ЖТФ, 1998.- Т.68. — Вып.8. — С. 67−72.
  40. B.C. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. / B.C. Вавилов, H.A. Ухин М.: Атомиздат, 1969. — 312с.
  41. П.К. Образование точечных дефектов в полупроводниковых кристаллах / П. К. Кашкаров // Соросовский образовательный журнал, 1999.-№ 1.-С. 105−112.
  42. Э.Н. Интегральные радиационные изменения параметров полупроводниковых материалов / Э. Н. Вологдин, А. П. Лысенко М.: МГИЭМ, 1998. -. 94с.
  43. Мак В. Т. Исследование радиационно-стимулированной диффузии фосфора в кремнии / В. Т. Мак // ЖТФ, 1993. Т.63. — № 3. -С. 173−176.
  44. В.Э. Влияние миграции точечных дефектов на радиационную стойкость гетерофазного полупроводника: дисс.. канд. физ.-мат. наук / В.Э. Бухаров- Сар. гос. ун-т. — Саратов, 2003. 117с.
  45. А. Основы теории фотопроводимости / А. Роуз- пер. с англ. А.А. Ро-гачева, Р.Ю. Хансеварова- под.ред. С. М. Рывкина. М.: Мир, 1966. — 192с.
  46. Н. Молекулярная фотохимия. / Н. Турро. М.: Мир, 1967. — 328с.
  47. В.Г. Фотостимулированные явления в твердых телах: уч. пособие для вузов. / В. Г. Клюев. Воронеж: Изд-во ВГУ, 2008. — 45с.
  48. И.А. Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики / И. А. Буянова, И. Я. Городецкий, Н. Е. Корсунская, и др. // ФТП, 1996, Т.ЗО. — Вып.8. — С. 1516−1523.
  49. Н.Е. Роль мелких доноров в процессе деградации фотопроводимости в кристаллах CdS:Cu / Н. Е. Корсунская, И. В. Маркевич, Т.В. Тор-чинская, М. К. Шейнкман // Письма в ЖТФ, 1980. Т.6, № 2, — С. 120−124.
  50. Распыление под действием бомбардировки частицами / Пер. с англ. и под. ред. Р. Бериша и К. Виттмака. М.: Мир, 1998. — 552с.
  51. Schulze R.G. On the conductivity of cadmium sulfide following electron bombardment. / SchulzeR.G., KulpB.A. // J. Appl. Phys., 1962. V. 33,№ 7.-P. 2173−2175.
  52. Kashirina N. I. Theoretical approach to electrodiffusion of shallow donors in semiconductors: I. Stationary limit / N.I. Kashirina, V.V. Kislyuk, M.K. Sheinkman // Semiconductor physics, quantum electronics and optoelectronics, 1998. V. 1,№ 1.-P. 41−44.
  53. А.Г. Влияние неоднородностей на фотоэлектрические характеристики гетерофазных пленок системы CdSxSeix — PbS / А. Г. Роках, С.В. Стецю-ра // Неорганические материалы, 1997. Т.ЗЗ. — № 2. — С. 198−200.
  54. Kindleysides L. Photo-induced changes in the photoconductivity and luminescence of CdSe / L. Kindleysides, J. Woods // J. Phys. D.: Appl. Phys., 1970. -V. 3.-P. 1049−1057.
  55. .Р. Роль макродефектов в электронных и ионных процессах, 2 6протекающих в полупроводниках, А В / Джумаев Б. Р. // ФТП, 1998. Т.32, № 6. — С. 641−645.
  56. B.C. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. /Вавилов B.C., Кив А. Е., Ниязова О. Р. М.: Наука, 1981. — 351с.
  57. Л.И. Радиационное дефектообразование в кремнии, легированном германием, при низкотемпературном облучении. / Л. И. Хируненко, В. И. Шаховцев, В. В. Шумов // ФТП, 1998. Т. 32. — № 2. — С. 132−134.
  58. А.В. Компенсирующее действие примеси свинца в теллуриде кадмия / А. В. Савицкий, О. А. Парфенюк, М. И. Илащук // Изв. АН СССР. Неорг. Матер, 1989.-Т. 25. № 11.-С. 1848−1851.
  59. A.B. Низкотемпературное радиационно-стимулированное гетте-рирование примесей и дефектов в кремнии слоями пористого кремния / A.B. Куликов, В. А. Перевощиков, В. Д. Скупов // Письма в ЖТФ, 1997. — Т. 23, № 13.-С. 27−31.
  60. В. Физическая химия дефектов: пер. с англ. под ред. С. А. Медведева. // Физика и химия соединений AB./ Альберс В. М.: Изд-во «Мир», 1970.-С. 135−175.
  61. Л.И. О рекомбинации и взаимодействии точечных дефектов с поверхностью при кристаллизации точечных дефектов в Si / Л. И. Федина // ФТП, 2001.-Т. 35, вып. 9.-С. 1120−1127.
  62. А.Г. Гетерогенный фотопроводник на основе Cd PbS. / А. Г. Роках, A.B. Кумаков, Н. В. Елагина // ФТП, 1979, — Т. 13, № 4. — С. 787−789.
  63. C.B. Фоточувствительные материалы с наноразмерными включениями, полученные с использованием технологии Ленгмюра-Блоджетт / C.B. Стецюра, Е. Г. Глуховской, С. А. Климова, И. В. Маляр // Вестник СГТУ, 2007. -№ 2 (26), Вып. 1.-С. 112−118.
  64. А.Г. Полупроводниковый детектор электронных потоков / А. Г. Роках, Н. В. Елагина, Е. А. Новикова // Патент РФ № 1 531 678 с приоритетом от 14.08.87, действует с 01.07.93.
  65. А.Г. Состав для изготовления пленочных фоторезисторов. / А. Г. Роках, A.B. Кумаков, Н. В. Елагина // Патент РФ № 845 685 с приоритетом от 07.02.80, действует с 01.07.93.
  66. В.Э. Влияние электронного облучения на рекомбинацию и прили1. О (лпание в пленочных фотопроводниках на основе
  67. A B / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, C.B. Стецюра. //Письма в ЖТФ, 1999. Т.25. — № 3. — С. 66−72.
  68. В.Э. Диффузионная модель деградационной стойкости гетерогенной фотопроводящей системы / В. Э. Бухаров, А. Г. Роках, C.B. Стецюра // ЖТФ, 2003. Т. 73, вып. 2. — С. 93−98.
  69. С.П. Металлосодержащие наночастицы в полимерных матрицах / С. П. Губин, В. М. Бузник, Г. Ю. Ю рков, М. С. Коробов // http://shp.by.ru/ U RL: http://shp.by.ru/sci/fullerene/forums/ichms/2003/litytopic24r.shtm — С. 898−902.
  70. Н.К. Физика и химия поверхностей: пер. с англ. под ред. A.C. Ахматова. / Н. К. Адам М.: ОГИЗ, — 1947. — 552с.
  71. Harkins W.D. The Physical Chemistry of Surface Films/ W.D. Harkins // New York Reinhold Pbl., 1952. 413p.
  72. Spink J.A. Ionization in Fatty Acid Monolayers on Pure Water / J.A. Spink, J.V. Sanders //Nature, 1955 V.175, Issue 4458. — P. 644−645.
  73. Khomutov G.B. Synthesis of nanoparticles in Langmuir monolayer / G.B. Kho-mutov, A.Yu. Obydenov, S.A. Yakovenko et. al. // Materials Science and Engineering, 1999. № 8−9. — P. 309−318.
  74. А.И. Регулярные мономолекулярные структуры ПАВ пленки Ленгмюра-Блоджетт. / А. И. Янклович // Успехи коллоидной химии. — Л.: Химия, 1991. — С. 263−291.
  75. Langmuir I. Surface chemistry /1. Langmuir // Chem. Rev., 1933.-V. 13. -P. 147−191.
  76. А. Физическая химия поверхностей / А. Адамсон. М.: Мир, 1979. — 568с.
  77. JI.M. Ленгмюровские пленки / Л. М. Блинов // Успехи химии, 1984. Т. 50, № 8. — С. 1152−1196.
  78. А.А. Об агрегатном состоянии МС ПАВ на поверхности жидкости / А. А. Абрамзон, С. И. Голоудина // Успехи коллоидной химии. Л.: Химия, 1991.-С. 239−260.
  79. Alexander А.Е. The Role of Hydrogen Bonds in Condensed Monolayers / A.E. Alexander // Proc. R. Soc. Lond. A February 27,1942. V. A179, № 979. — P. 470−483.
  80. .Н. Химия жиров. M.: Пищевая пром., 1974. — 448 с.
  81. Batty S.V. A novel technique for the preparation of Langmuir-Blodgett films / S.V. Batty, T. Richardson, P. Pocock, L. Rahman // Thin Solid Films, 1995. V.266 — P. 96−98.
  82. Petty M.C. Langmuir-Blodgett films: an introduction. / M.C. Petty // Cambridge Univ. Press., 1996. 234p.
  83. .Н. Молекулярная электроника и пленки Ленгмюра-Блоджетт: уч. пособие для студ. / Б. Н. Климов, С. Н. Штыков, Г. Ю. Науменко и др. Саратов: Изд. Сар. ун-та, 2004. — Ч. 1. 116с.
  84. Л.В. Тепловые флуктуации в смектических-А пленках на поверхности твердых подложек / Л. В. Миранцев. // ФТТ, 2004, Т.46, Вып.6. С. 1123−1131.
  85. Р.Ф. Особенности электронного строения и поверхностных свойств полупроводниковых наноструктур для фотоники: дисс.. канд. физ.-мат. наук / Р. Ф. Минибаев. Москва, 2010. — 102с.
  86. Е.А. Фотолюминесценция нанокластеров сульфида кадмия, сформированных в матрице пленки Ленгмюра-Блоджетт / Е. А. Багаев, К. С. Журавлев, Л. Л Свешникова и др. // ФТП, 2003. Т. 37, Вып. 11. — С. 1358−13 62.
  87. В.А. Реакции образования комплексов краунсодержащих хемосен-соров с катионами, анионами и молекулами. / В. А. Брень, А. Д. Дубоносов, А. В. Цуканов, В. И. Минкин // Росс. хим. ж., 2009. Т. LIII. № 1. — С. 42−53.
  88. Lvov Yu. Protein Architecture Interfacing Molecular Assemblies and Immobilization Biotechnology. / Yu. Lvov, H. Moehwald. New York Marcel Dekker, 1999.
  89. Ю.М. Ленгмюровские пленки получение, структура, некоторые применения. / Ю. М. Львов, Л. А. Фейгин // Кристаллография, 1987. — Т.32, № 3. — С.800−815.
  90. .А. Волны на поверхности растворов ПАВ / Б. А. Носков, А. А. Васильев // Коллоидн. журн., 1988. Т. 50, № 5. — С. 909−918.
  91. В.В. Дифракция электронов как метод изучения структуры / В. В. Клечковская // Природа, 1997. Т. 7. — С. 32−40.
  92. В.М. Комплекс для получения моно- и мультислойных органических нанокомпозиций на основе метода Ленгмюра-Блоджетт. / В. М. Пасюта, С. И. Голоудина // Петербур. ж. электроники., 2001. № 4. — С. 71−78.
  93. Гибридные материалы ZnO-PMMA / Сайт «Нанометр» URL: http://www.nanometer.ru/2007/12/10/quantumdots5372.html (дата обращения 01.10.2009)
  94. Функциональные гибридные материалы URL: http://www.materialstoday.com/view/2086/functional-hybrid-materials-/ (дата обращения 01.10.2009)
  95. Bikerman J. Correlation between the Structures of Monolayers and Deposited Multylayers / J. Bikerman // Trans. Faradey Soc., 1940. V.75. — P. 130.
  96. Безкровная O.H. pH сенсорные материалы на основе полимерных нанораз-мерных структур. / О. Н. Безкровная, Н.О. Мчедлов-Петросян, Н.А. Водо-лазкая, П. М. Литвин. // Reports of the National Academy of Sciences of Ukraine, 2008. № 7. ISSN 1025−6415.
  97. Weidgans B. Fluorescent pH sensors with negligible sensitivity to ionic strength / B. Weidgans, C. Krause, I. Klimant, O. Wolfbeis // Analyst., 2004. V. 129. -№ 7.-P. 645−650.
  98. И.В. Физико-химическая эволюция твердого вещества. / И. В. Мелихов М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2009. — С. 24−28.
  99. Gehlert U. Nonequilibrium Structures in 1-Monopalmitoyl-rac-glycerol Monolayers. / U. Gehlert, D. Vollhardt. // Langmuir, 1997. V. 13. — P. 277−282.
  100. Ri Qiu. Preparation of Dendritic Copper Nanostructures and Their Characterization for Electroreduction / Ri Qiu, Hyun Gil Cha, Hui Bog Noh et al. // J. Phys. Chem, 2009.-V. 113.-P. 15 891−15 896.
  101. Shin H.C. Nanoporous Structures Prepared by an Electrochemical Deposition Process / H. C. Shin, J. Dong, and M. Liu // Advanc. Mater., 2003. 15 — P. 16 101 614.
  102. Ф.А. Кратные связи металл-металл. / Ф. А. Коттон, Р. Уолтон М.: Мир, 1985. — 535с.
  103. А .Я. Кластерные и полиядерные гетерогенные металлокомплексные катализаторы / А. Я. Юффа, Г. В. Лисичкин // Успехи химии, 1986. Т.5. -№ 9. — С. 1452−1479.
  104. Т.Н. Межкластерные взаимодействия в катализе нанораз-мерными частицами металлов / Т. Н. Ростовщикова, В. В. Смирнов, В. М. Кожевин и др. // Российские нанотехнологии, 2007. Т.2, № 1−2. С. 47−61.
  105. Ю.Н. Эволюция атомной структуры металлических кластеров при нагреве и охлаждении. Компьютерное моделирование металлов с ГЦК-решеткой / Ю. Н. Горностырев, И. Н. Карькин, М. И. Кацнельсон, А. В. Трефилов // ФММ, 2003. — Т. 96, № 2. — С. 19−29.
  106. Sugano S. Microcluster Physics. / S. Sugano, H. Koizumi // Springer Series in Materials Science. Berlin: Springer Verlag, 1998.-P. 548.
  107. Marks L.D. Experimental studies of small particle structures. / L.D. Marks // Rep. Prog. Phys., 1994. V.57. — P. 603−649.
  108. Doye J.P.K. On the structure of small lead clusters / J.P.K. Doye, S.C. Hendy // Eur.Phys.J.D., 2003. V. 22., № 1. — P. 99−107.
  109. С.Л. Образование полиморфных модификаций в нанокластерах Ni и Си / С. Л. Гафнер, Л. В. Редель, Ю. Я. Гафнер. // Известия РАН. Физика, 2008. Т. 72, № Ю, С. 1458−1460.
  110. Ajayan P.M. Quasimelting and phases of small particles / Ajayan P.M. Marks L.D. // Phys. Rev. Lett., 1988. V. 60. — P. 585−587.
  111. И.П. Нанотехнология. Физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. / И. П. Суздалев М.: КомКнига, URSS, 2005. — 592с.
  112. Р.А. Наноструктурные материалы. / Р. А. Андриевский, А. В. Рагуля М.: Изд. центр «Академия», 2005. — 192с.
  113. М.В. Ультрадисперсные субфазы в молекулярной электронике / М. В. Ковальчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002.-№ 3.-С. 6−14.
  114. М.Г. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках- . новый подход к формированию свойств материалов / М. Г. Мильвидский, В. В. Чалдышев // ФТП, 1998. Т. 32, № 5. — С. 513−522.
  115. А.Ю. Монослои и пленки Ленгмюра-Блоджетт, содержащие кластерные молекулы / А. Ю. Обыденов, С. П. Губин, В. В. Ханин и др. // Биологические мембраны, 2001. Т. 18, № 4. — С. 328−336.
  116. В.И. Самоорганизация наночастиц на межфазных поверхностях / В. И. Родулгин // Успехи химии, 2004. Т. 73, № 2. — С. 125−155.
  117. А.В. Взаимодействия CdTe квантовых точек с ионами металлов в водном растворе / А. В. Савельева, М. В. Мухина, А. О. Орлова и др. // Вестник СПб гос. ун-та информ. технологий, механики и оптики, 2009. № 4 (62). — С. 35−41.
  118. , А.А. Механические свойства и стабилизующее действие адсорбционных слоев в зависимости от степени их насыщения. / А. А. Трапезников, П. А. Ребиндер // ЖФХ, 1938. 573с.
  119. Kurnaz M.L. Morphology of microphase separation in arachidic acid/cadmium arachidate Langmuir-Blodgett multilayers. / M.L. Kurnaz, D.K. Schwartz // J. Phys.Chem., 1996. V.100, № 26. — P. 11 113−11 119.
  120. Zotova T.V. Monolayers and Langmuir-Blodgett films of yttrium stearate / T.V. Zo-tova, V.V. Arslanov, I.A. Gagina // Thin Solid Films, 1998. V. 326. — P.223−226.
  121. Т.В. Монослои и ПЛБ солей стеариновой кислоты и металлов-компонентов высокотемпературного сверхпроводника УВа2Си307−8 //Автореферат дисс. на соискание ученой ст. к.х.н. М.: РХТУ им. Менделеева, 2004. — 27с.
  122. Langmuir I. Composition of Fatty Acids on Water Containing Calcium or Barium Salts /1. Langmuir // J. Am. Chem. Soc., 1936. V. 58. — P. 284−287.
  123. Pasricha R. Silver Nanoparticles and Chloroaurate Ions / R. Pasricha, A. Swami, M. Sastry. //J. Phys. Chem. B, 2005. -V. 109, № 42. P. 19 620−19 626.
  124. Decher G. Proof of multilayer structural organization in self-assembled polyca-tion polyanion molecular films. / G. Decher, Y. Lvov, J. Schmitt // Thin Solid Films, 1994. V. 244, № 1−2. — P. 772−777.
  125. Kaszuba M. Measuring sub nanometre sizes using dynamic light scattering / M. Kaszuba, D. McKnight, M. T. Connah, F.K. McNeil. // J. Nanopart. Res., 2008.-V. 10.-P. 823−829.
  126. Engelsen S. Internal motions and hydration of sucrose in a diluted water solution. / S. Engelsen, S. Perez // J. Mol. Graph. Model., 1997. P. 122−131.
  127. Л.В. Коллоидные системы подземных вод западно-сибирского региона / Л. В. Сериков, Л. Н. Шиян и др. // Естественные науки. Известия Томского политех, ун-та, 2006. Т. 309, № 6. — С. 27−31.
  128. Пул Ч., Оуэне Ф. Мир материалов и технологий. Нанотехнологии. / Ч. Пул, Ф. Оуэне-М.: Техносфера, 2005. С. 336.
  129. Ю.М. Анализ фотоприемных монокристаллических и поликристаллических слоев на основе халькогенидов свинца методами атомно-силовой микроскопии: автореферат дисс.. канд. физ.-мат. наук 01.04.10 / Ю. М. Спивак. С. Петербург, 2008. — 18 с.
  130. B.C. Развитие сканирующей туннельной и силовой микроскопии. / B.C. Эдельман // Приборы и техника эксперимента, 1991. № 1. С.24−42.
  131. В.А. Сканирующая зондовая микроскопия для науки и промышленности. / В. А. Быков, М. И. Лазарев, С. А. Саунин // Электроника: наука, технология, бизнес, 1997. № 5. — С. 7−14.
  132. B.JI. Основы сканирующей зондовой микроскопии. / В. Л. Миронов // РАН Институт физики микроструктур. Н. Новгород, 2004 г. — 114с.
  133. Сканирующая зондовая микроскопия биополимеров: под ред. И. В. Яминского. М.: Научный мир, 1997. — 86с.
  134. М.О. Сканирующая зондовая микроскопия нуклеиновых кислот и тонких органических пленок: дисс. на соискание ученой ст. к.ф.-м.н.: 01.04.07/М.О. Галлямов. Москва, 1999. — 228с.
  135. Flursheimer М. Lattice constants of Langmuir-Blodgett films measured by atomic force microscopy. / M. Flursheimer, A.J. Steinfort, P. Gunter. // Surf. Sei. Lett., 1993. — 297. — .P. 39−42.
  136. Tamayo J. Relationship between phase shift and energy dissipation in tapping-mode atomic force microscopy. / J. Tamayo, R. Garcia. // Appl. Phys. Lett. -1998. V. 73 (20). — P. 2926 — 2928.
  137. В.Г. Исследование свойств поверхности арсенида галлия методом сканирующей атомно-силовой микроскопии. / В. Г. Божков, H.A. Торхов, И. В. Ивонин, В. А. Новиков. // ФТП, 2008. Т. 42. — Вып. 5. — С. 546−554.
  138. Д.В. Кинетический фазовый контраст в атомно-силовой микроскопии. / Д. В. Щеглов, A.B. Латышев, В. Ю. Попков. // Вестник НГУ. Серия: Физика, 2008.-Т. З.-Вып. 1.-С. 91−99.
  139. Palermo V. Electronic Characterization of Organic Thin Films by Kelvin Probe Force Microscopy / V. Palermo, M. Palma, P. Samori. // Adv. Mater., 2006. -V.18.-P. 145−164.
  140. H.A. Фрактальный характер распределения неоднородностей потенциала поверхности n-GaAs (100). / H.A. Торхов, В. Г. Божков. // ФТП, 2009. Т. 43. — Вып. 5. — С. 577−583.
  141. H.A. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки. / H.A. Торхов. // ФТП, 2010. — Т. 44. Вып. 6. — С. 767−774.
  142. М.Д. Исследование распределения электрического поля в детекторных структурах на GaAs методом Кельвин-зонд микроскопии. / М. Д. Вилисова, В. П. Гермогенов, О. Ж. Казтаев и др. // Письма в ЖТФ, 2010. -Т. 36.-Вып. 9.-С. 95−101.
  143. С.Н. Влияние хемосорбции паров воды на свойства основных материалов микроэлектроники. / С. Н. Новиков, С. П. Тимошенков. // Российские нанотехнологии, 2006. Т. 1, № 1−2. — С. 217−222.
  144. В.Ф. Основы физики поверхности твердого тела / В. Ф. Киселев, С. Н. Козлов, A.B. Зотеев М. МГУ, 1999. — 180с.
  145. Ф.Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн М. Наука, 1987. — 126с.
  146. Mika Harbeck. New Applications of Organic Polymers in Chemical Gas Sensors: diss.. doctoral thesis in Chemistry at the Institute of Physical and Theoretical Chemistry, University of Tubingen. Germany, 2005. — 183 p.
  147. Г. Сканирующая туннельная микроскопия от рождения к юности. / Г. Бинниг, Г. Рорер. // Нобелевские лекции по физике, 1996. Т. 154 (1988). Вып. 2.-261 с.
  148. Simons J.G. Generalized formula for the electric tunnel effect between similar electrodes separated by a thin insulating film / J.G. Simons // J. Appl. Phys., 1963.-34. P. 1793.
  149. Simons J.G. Electric tunnel effect between dissimilar electrodes separated by a thin insulating film / J.G.Simons // J. Appl. Phys., 1963. 34. P. 2581.
  150. Sarid D. Exploring scanning probe microscopy with «Mathematica». / Sarid D. / John Wiley& Sons, Inc., New York, 1997. 262p.
  151. Д.А. Многочастичные квантовые эффекты в физике твердого тела: (экситон, квантовые эффекты Холла, сверхпроводимость): уч. пособие для студентов физического факультета / Д. А. Усанов, С. Г. Сучков. Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2005. — 128 с.
  152. Т.К. Сканирующая туннельная спектроскопия пленок а-С:Н и а-С:Н (Си), полученных магнетронным распылением/ Т. К. Звонарева, В.И. Иванов-Омский, В. В. Розанов, Л. В. Шаронова. // ФТП, 2001. Т. 35, Вып. 12. — С.1460−1465.
  153. A.B. Туннельная спектроскопия атомов примесей в монокристаллической полупроводниковой матрице / A.B. Картавых, Н. С. Маслова, В. И. Панов, В. В. Раков, C.B. Савинов. // ФТП, 2000. Т. 34. Вып. 4. С.394−398.
  154. В.Ю. Электронная туннельная спектроскопия фононного спектра MgB2 / В. Ю. Таренков, А. И. Дьяченко, С. Л. Сидоров, В. А. Бойченко, Д. И. Бойченко. // ФТП, 2009. Т. 51, Вып. 9. — С. 1678−1683.
  155. В.Б. Туннельная спектроскопия палладий-бариевых эмиттеров / В. Б. Байбурин, Ю. П. Волков, Е. М. Ильин, C.B. Семенов. // Письма в ЖТФ, 2002. Т. 28, Вып. 23. — С. 19−22.
  156. Н.Т. Локальная туннельная спектроскопия кремниевых наноструктур / Н. Т. Баграев, А. Д. Буравлев, Л. Е. Клячкин, и др. // ФТП, 2005. Т. 39, Вып. 6. С. 716−728.
  157. Дж. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: / Дж. Гоулдстейн, Д. Ньюбери, П. Эчлин и др.: в 2-х кн. -кн. 1.: пер. с англ. М.: Мир, 1984. — 303с.
  158. В.Т. Методы и приборы для анализа поверхности материалов: Справочник. / В. Т. Черепин, М. А. Васильев Киев: Наукова Думка, 1982.- 400с.
  159. В.И. Вторичная ионная эмиссия металлов. / В. И. Векслер М.: Наука, 1978. — 240с.
  160. Мак-Хью И.А. Вторично-ионная масс-спектрометрия: / И.А. Мак-Хью- в кн. Методы анализа поверхности.: пер с англ. М.: Мир, 1979. — С. 276−342.
  161. В.Т. Ионный микрозондовый анализ. / Черепин В. Т. Киев: Наукова Думка, 1992. — 344с.
  162. С.Б. Формирование металлических кластеров в органическом монослое, полученном методом Ленгмюра / С. Б. Вениг, C.B. Стецюра, Е. Г. Глуховской, С. А. Климова, И. В. Маляр. // Нанотехника, 2009. Т. 3, Вып. 19. — С. 49−54.
  163. C.B. Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках / С. В. Стецюра, И. В. Маляр, А. А. Сердобинцев, С. А. Климова. // ФТП, 2009. -Т. 43, Вып. 8.-С. 1102−1108.
  164. Е.Г. Формирование ленгмюровских монослоев и исследование возможности их применения: дисс. на соискание ученой ст. к.ф.-м.н.: 05.27.01 / Е. Г. Глуховской Саратов: СарГУ, 2004. — 141с.
  165. C.B. Исследование морфологии поверхности монослоя арахината свинца / C.B. Стецюра, С. А. Климова. // Труды XI международной конференции «Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы»: Ульяновск: УлГУ, 2009. С. 307.
  166. С.А. Органические покрытия, структурированные металлом / С. А. Климова, C.B. Стецюра, Е. Г. Глуховской. // Тез. докл. IV конф. молодых учен. «Наноэлектроника, нанофотоника и нелинейная физика» Саратов: Изд-во Сарат. ун-та, 2009. — С. 35−37.
  167. С.А. Прикладная статистика. Исследование зависимостей. / С. А. Айвазян, И. С. Енюков, Л. Д. Мешалкин М.: Финансы и статистика, 1985. — 487с.
  168. P.B. Способ автоматической коррекции искаженных дрейфом СЗМ-изображений. / Р. В. Лапшин. // Поверхность. Рентгеновские, синхро-тронные и нейтройные исследования, — 2007. № 11. — С. 13−20.
  169. Lei С. Quantitative electrostatic force microscopy-phase measurements. / С. Lei, A. Das, M. Elliott, J. Macdonald. //Nanotechnology, 2004. V. 15. — P. 627−634.
  170. A.A. Краткий справочник физико-химических величин. / A.A. Равдель, A.M. Пономарева. СПб.: «Иван Федоров», 2003. — 149с.
  171. Стойкость аппаратуры, комплектующих элементов и материалов радиационная. Термины и определения: ГОСТ 18 298–79 Российской Федерации- введен Постановлением ГК СССР по стандартам от 30.03.79 № 1163- действует с 01.07.80) // Стандартинформ, 2005.
  172. Материалы полимерные. Требования к оценке радиационной стойкости: ГОСТ 25 645.331−91- введен Госстандартом СССР от 21.03.1991 № 1991- действует с 01.07.1992 // Издательство стандартов. Москва, 1992.
  173. Ф.И. Подпороговый механизм образования дефектов инжектированными носителями заряда в полупроводниковых структурах / Ф. И. Маняхин // Материалы электронной техники, 1998. № 8. — С. 63−69.
  174. И.А. Физические основы электронной и ионной технологии: уч. пособие для спец. Электронной техники вузов. / И. А. Аброян, А.Н. Адро-нов, А. И. Титов М.: Высш. шк., 1984. — 320с.
  175. Капауа К. Penetration and energy-loss theory of electrons in solid targets. / K. Kanaya, S. Okayama / J. Phys. D: Appl. Phys., 1972. V.5 — № 1. — P. 43−58.
  176. А.Г. Спектральное управление вторично-ионным фотоэффектом -путь к оптоионике. / А. Г. Роках, М. Д. Матасов, А. Г. Жуков // Российские нанотехнологии, 2010. Т.5. — Вып. 5−6. — С. 105−110.
  177. Фоторезистор сернистокадмиевый ФР-117: ТУ 3−1171−87 введен с 29.06.87. // Стандартинформ, 2006. 54с.
  178. М.С. Подпороговые радиационные эффекты в полупроводниках. / М. С. Юнусов, С. Н. Абдурахманова, М. А. Зайцовская и др. Ташкент: Фан, 1989.-222с.
  179. .И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. / Б. И. Болтакс Л.: Наука, Ленингр. Отд., 1972. — 384 с.
  180. В.Л. Статические взаимодействия электронов и дефектов в полупроводниках. / В. Л. Винецкий, Г. А. Холодарь Киев: Наукова Думка, 1969. — 188с.
  181. П.А. Самоорганизация в радиационной физике. / П. А. Селищев. -М.- Ижевск: НИЦ «Регулярная и хаотическая динамика», Институт компьютерных исследований, 2008. -208 с.
  182. А.Г. Стабилизация свойств широкозонного фотопроводника при введении узкозонной компоненты. / А. Г. Роках, C.B. Стецюра, Н. Б. Трофимова, Н. В. Елагина // Неорганические материалы, 1999. — Т.35. № 4. — С. 1−4.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!