Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs

Диссертация: Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В селективно легированных гетероструктурах ТпваАз/ ОаАз р-типа в сильных продольных электрических полях осуществляется пространственный перенос носителей из квантовых ям в барьерные слои ваАэ, который наблюдается по насыщению вольт-амперных характеристик, по немонотонным зависимостям интенсивности спонтанного внутризонного излучения и интенсивности фотолюминесценции от величины электрического… Читать ещё >

Спектроскопия возбужденных электронных состояний в квантово-размерных гетероструктурах InGaAs/GaAs (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • ГЛАВА 1. Гетероструктуры 1пхОа1хА8/ОаА8 с квантовыми ямами и квантовыми точками (Обзор литературы)
  • ГЛАВА 2. Исследование межзонных переходов в гетероструктурах ГпОаАз/ОаАз
    • 2. 1. Экспериментальная установка
    • 2. 2. Фотолюминесценция одиночных квантовых ям ТпОаАзЮаАз
    • 2. 3. Фотолюминесценция квантовых ям ЫваАз/СаАз с высокой концентрацией фотоносителей
    • 2. 4. Фотолюминесценция гетероструктур 1пхОа1. хАз/ ваАэ с квантовыми точками
    • 2. 5. Особенности фотолюминесценции квантовых ям ГпОаАэ/ОаАз, расположенных в диэлектрическом волноводе
  • ГЛАВА 3. Исследование горячих дырок в гетероструктурах
  • ЬпСаАБ/ваАз с квантовыми ямами
    • 3. 1. Методы измерений, экспериментальная установка и основные параметры исследуемых образцов
    • 3. 2. Спонтанное внутризонное излучение селективно-легированных гетероструктур 1пОаАз/ОаАз с квантовыми ямами в сильных электрических полях
    • 3. 3. Фотолюминесценция селективно легированных гетероструктур ГпОаАзЛЗаАБ р-типа с квантовыми ямами в сильных электрических полях
    • 3. 4. Метод модуляции межзонного пропускания для исследования функции распределения горячих дырок и пространственного переноса носителей в гетероструктурах 1пОаАз/ОаА8 р-типа с квантовыми ямами

Диссертационная работа посвящена спектроскопическим исследованиям гетероструктур ЫхОа^Аз/ваАБ с квантовыми ямами и массивами квантовых точек в условиях сильного возбуждения, возникающего в результате оптической накачки с большой плотностью потока излучения, либо в условиях приложения к образцу сильных продольных электрических полей.

Актуальность темы

.

Успехи в изучении низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур в значительной степени связаны с развитием методов диагностики подобных объектов. Целью диагностики низкоразмерных гетероструктур является определение их фундаментальных параметров и характеристик: энергетического спектра, ширины запрещенной зоны, толщин и состава гетеросло-ев и др.

Наиболее развиты оптические методы диагностики низкоразмерных гетероструктур: спектроскопия фотолюминесценции, возбуждения фотолюминесценции, отражения и поглощения света, а также фотопроводимости. Из них в настоящее время одной из наиболее широко применяемых является спектроскопия фотолюминесценции, дающая информацию об энергетическом спектре носителей, морфологии и качестве гетерограниц, напряжениях и дефектах в квантовых ямах и др.

Обычно условия наблюдения фотолюминесценции гетероструктур таковы, что концентрация фотовозбужденных носителей не превышает 11 2.

10 см". При этом фотоносители лишь частично заполняют основные электронные и дырочные состояния в низкоразмерном слое. Поэтому методом фотолюминесценции чаще всего наблюдают только излучение, соответствующее основным переходам в низкоразмерном слое. Более полную информацию о низкоразмерных объектах можно извлечь при большом уровне оптического возбуждения, когда происходит заполнение фотоносителями возбужденных состояний размерного квантования. Такие измерения могут дать информацию не только о значениях энергии уровней, но и об особенностях комбинированной плотности электронных состояний, что является важным для идентификации низкоразмерных объектов.

В настоящее время интенсивно развиваются исследования неравновесных явлений в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, направленные на поиск возможностей создания внутризонной инверсии населенности и лазерной генерации на внутризонных оптических переходах. Эти исследования уже привели к созданию новых источников когерентного излучения среднего инфракрасного диапазона: каскадных (работающих при вертикальном транспорте) и фонтанных (работающих при оптической накачке) лазеров.

Среди возможных механизмов создания инверсии обсуждается перераспределение носителей по энергетическим состояниям в условиях пространственного переноса горячих носителей из квантовых ям в вышележащие состояния с более низкой подвижностью (барьерные слои, или вышележащие подзоны в туннельно связанных квантовых ямах) в сильных продольных электрических полях. В этой связи особый интерес представляют исследования оптическими методами явлений разогрева носителей в условиях пространственного переноса в напряженных гетероструктурах 1пхОа1хА8/ОаА8 р-типа с квантовыми ямами и 5-легированными барьерами в сильных продольных электрических полях.

Основные цели работы:

1. Идентификация массивов квантовых точек в гетероструктурах 1пхОа1хА8/ОаА8 оптическими методами.

2. Экспериментальное выявление условий возникновения и характеристик сверхлюминесцентного излучения в гетероструктурах ТпваАз/СаАз с одиночной квантовой ямой, расположенной в диэлектрическом волноводе 1пваР/ОаАзЛпОаР.

3. Исследование спонтанного внутризонного излучения и пространственного переноса носителей в селективно легированных гетероструктурах.

1пОаАз/ОаА8 р-типа. Определение по спектрам фотолюминесценции и модуляции пропускания в сильных электрических полях изменения функции распределения горячих дырок в селективно легированных гетероструктурах 1п-ваАзАЗаАз р-типа.

Научная новизна работы.

1. Показана возможность использования метода спектроскопии фотолюминесценции с большим уровнем возбуждения для исследования комбинированной электронной плотности состояний в гетероструктурах 1пхОа1хАз/ОаА8 с массивами квантовых точек.

2. Путем спектроскопии суперлюминесцентного излучения с оптической накачкой исследована анизотропия оптических потерь в структурах с квантовой ямой ¡-пваАзАлаАз, встроенной в диэлектрический волновод МаР/СаАз/МаР.

3. Впервые проведены исследования спонтанного внутризонного инфракрасного излучения, фотолюминесценции и модуляции пропускания горячих носителей в гетероструктурах ГгЮаАз/ОаАз р-типа с квантовыми ямами и 5-легированными барьерами.

Практическая ценность работы.

1. Развит фотолюминесцентный метод диагностики гетероструктур с квантовыми ямами, расположенными в диэлектрическом волноводе, при большом уровне оптического возбуждения для исследования анизотропии оптических потерь в диэлектрическом волноводе.

2. Разработан метод модуляции пропускания света для исследования функции распределения горячих носителей в квантовых ямах в сильных продольных электрических полях.

Основные положения выносимые на защиту:

1. Метод фотолюминесценции при большом уровне возбуждения (до 6 2.

10 Вт/см) позволяет определить наличие массивов квантовых точек в полупроводниковых гетероструктурах 1пхОа]. хА8/ОаА8.

2. При большом уровне оптического возбуждения (> 104 Вт/см2) в квантовых ямах? п^а^АБ/СаАз (х ~ 0.2) шириной -10 нм, расположенных в диэлектрическом волноводе ХпхСа^хР/ОаАзЛпхОаьхР (х ~ 0.486), в направлении, перпендикулярном плоскости слоев, возникает сильно поляризованное сверхлюминесцентное излучение. Преимущественное направление вектора электрического поля сверхлюминесценции совпадает с направлением наименьших оптических потерь диэлектрического волновода.

3. В селективно легированных гетероструктурах ТпваАз/ ОаАз р-типа в сильных продольных электрических полях осуществляется пространственный перенос носителей из квантовых ям в барьерные слои ваАэ, который наблюдается по насыщению вольт-амперных характеристик, по немонотонным зависимостям интенсивности спонтанного внутризонного излучения и интенсивности фотолюминесценции от величины электрического поля, а также по модуляции межзонного пропускания света.

4. Исследование модуляции межзонного пропускания света позволяет определить эффективную температуру и изменения функции распределения горячих дырок в квантовых ямах в селективно легированных гетероструктурах ГпОаАз/ОаАБ р-типа при продольном транспорте носителей в случае, когда край первой дырочной подзоны располагается заметно выше уровня акцепторов в ваАз.

Публикации и апробация результатов работы. Основные результаты диссертации опубликованы в работах [А1-АЗЗ] и докладывались на 2 и 3 Российских конференциях по физике полупроводников (Зеленоград, 1996, Москва, 1997), Международных симпозиумах «Наноструктуры: физика и технология» (Репино, 1994, 1996, 1997, 1998), 23 Международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям (С.Петербург, 1996), Всероссийском совещании «Нанофотоника» (Нижний Новгород, 1999), 1 Международном симпозиуме по изготовлению и характеризации полупроводников с помощью лазеров (Штутгарт, Германия, 1994), 12 Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (ЕР208−12) (Токио, Япония, 1997), Международном симпозиуме по исследованию полупроводниковых приборов (Шарлоттесвилль, США, 1997), 12 Международной конференции по динамике неравновесных носителей в полупроводниках (HCIS-12) (Берлин, Германия, 1997), Международной конференции по сверхрешеткам, микроструктурам и микроприборам (Линкольн, США, 1997), 8 и 10 Международных симпозиумах по сверх быстрым явлениям в полупроводниках (Вильнюс, Литва, 1993, 1998), 25 Международном симпозиуме по полупроводниковым соединениям (Нара, Япония, 1998), 24 Международной конференции по физике полупроводников (Иерусалим, Израиль, 1998), а также на внутренних семинарах ИПФ РАН и ИФМ РАН.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 33 печатные работы, в том числе 19 статей в научных журналах и 14 тезисов докладов и трудов конференций.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения. Объем диссертации составляет 150 страниц, включая 92 страницы основного текста, 42 рисунка, размещенных на 41 странице, и список литературы, который содержит 110 наименований и размещен на 13 страницах.

Заключение

.

Сформулируем основные результаты работы.

1.Методом спектроскопии фотолюминесценции при большом уровне.

6 2 возбуждения (до 10 Вт/см) в гетероструктурах 1пхОа1хАз/ОаА8 (х > 0.15) с одиночными квантовыми ямами шириной от 8 до 13 нм и массивами квантовых точек выявлены особенности комбинированной электронной плотности состояний — ступенчатый и гауссовский характер — для квантовых ям и массивов квантовых точек соответственно.

2.0бнаружено сильно поляризованное сверхлюминесцентное излучение одиночной квантовой ямы 1пхОа1. хАз/ОаАз (х ~ 0.2) шириной -10 нм, расположенной в диэлектрическом волноводе 1пхСа, хР/СаА5/1пхСа1хР (х -0.486), возникающее при больших уровнях оптического возбуждения (>

4 2.

10 Вт/см). Преимущественное направление вектора электрического поля сверхлюминесценции совпадает с выявленным направлением наименьших оптических потерь диэлектрического волновода. Излучение наблюдалось в направлении, перпендикулярном плоскости слоев.

На основании этого, предложен экспресс метод определения направления наименьших оптических потерь в гетероструктурах с квантовыми ямами.

3.Обнаружена немонотонная зависимость спонтанного внутризонного излучения среднего инфракрасного диапазона гетероструктур 1пОаАз/ОаАз р-типа с квантовыми ямами и 8-легированными барьерами в продольных электрических полях до 2 кВ/см. Падение интенсивности излучения в электрических полях > 1.5 кВ/см объясняется пространственным переносом носителей из квантовых ям в барьерные слои ОаАБ.

4.Методами модуляции электрическим полем пропускания света вблизи фундаментального поглощения и фотолюминесценции зарегистрировано изменение эффективной температуры горячих носителей и их концентрации в квантовых ямах 1пОаАз/ОаАз в гетероструктурах р-типа с 5легированными барьерами. Показано, что при температуре решетки 4.2 К в продольных электрических полях ~ 2 кВ/см эффективная температура горячих дырок в квантовых ямах достигает 120 К. Уход дырок из квантовых ям в барьерные слои начинается в электрических полях ~ 100 В/см.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить благодарность моим научным руководителям Красильнику Захарию Фишелевичу и Алеш-кину Владимиру Яковлевичу за внимание, чуткое руководство и интересные научные дискуссии при выполнении данной работы. Также хочу выразить признательность Гавриленко Владимиру Изяславовичу за неоценимую помощь и поддержку в постановке и обсуждении результатов экспериментов по горячим носителям.

Показать весь текст

Список литературы

  1. А2. V.Ya.Aleshkin, B.N.Zvonkov, Z.F.Krasil'nik, D.G.Revin, Photoluminescence from highly excited quantum well // Lithuanian Journal of Physics, 1992, V.32, N.5 Suppl., PP. 13−14.
  2. A3. В. Я. Алешкин, З. Ф. Красильник, Д. Г. Ревин, Фотолюминесценция из квантовой ямы с высокой концентрацией фотоносителей // ФТП, 1993, Т.27, В.7, СС.1190−1193.
  3. А6. V.Ya.Aleshkin, S.A.Gusev, V.M.Danil'tsev, M.N.Drozdov, O.I.Khrykin, Z.F.Krasil'nik, D.G.Revin, V.I.Shashkin, Optical diagnostics of quantum dots in GaAs/InxGaixAs heterostructures // Phys. Low-Dim.Structur. 1998, V. l/2, PP.143−148.
  4. А9. D.G.Revin and V.Ya.Aleshkin, Narrowing of photo luminescence line from single quantum well under high excitation levels // Material Science Forum, 1995, V.173−174, PP.227−230.
  5. А13. Д. Г. Волгунов, С. В. Гапонов, В. Ф. Дряхлушин, А. Ю. Климов,
  6. A.Ю.Лукьянов, В. Л. Миронов, А. И. Панфилов, А. А. Петрухин, Д. Г. Ревин,
  7. B.В.Рогов, Сканирующий комбинированный ближнепольный оптический / туннельный микроскоп // Приборы и техника эксперимента, 1998, N2, С. 132 137.
  8. A20. V.Ya.Aleshkin, A.A.Andronov, A.V.Antonov, N.A.Bekin, V.I.Gavrilenko,
  9. A22. V.Ya.Aleshkin, A.A.Andronov, A.V.Antonov, N.A.Bekin V.I.Gavrilenko, A.V.Muravjev, S.G.Pavlov, V.N.Shastin, B.N.Zvonkov, I.G.Malkina, D.G.Revin,
  10. E.A.Uskova, Far Infrared Emission and Absorption (Amplification) under Real Space Transfer and Population Inversion in Shallow Multi-Quantum-Wells // Phys.Stat.Sol.(b) 1997, V.204, P.563.
  11. А28. V.Ya.Aleshkin, A.A.Andronov, D.M.Gaponova, V.I.Gavrilenko,
  12. D.G.Revin, B.N.Zvonkov, I.G.Malkina, E.A.Uskova, Photoluminescence from MQW InGaAs/GaAs Heterostructures under Real Space Transfer // Phys.Stat.Sol.(b), 1997, V.204, P. 184.
  13. А29. В. Я. Алешкин, А. А. Андронов, А. В. Антонов, Н. А. Бекин, Д. М. Гапонова, В. И. Гавриленко, Д. Г. Ревин, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина,
  14. E.А.Ускова, А. В. Гавриленко, Фотолюминесценция из гетероструктур р-InGaAs/GaAs в условиях пространственного переноса носителей // Тезисы докладов 3 Всероссийской конференции по физике полупроводников, 1997, Москва, С. 235.
  15. GaAs/GaAs MQW heterostructures // Proceedings of 6th Int. Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, 1998, PP.168−171.
  16. S.Niki, C.L.Lin, W.S.С.Chang and H.H.Wieder, // Appl.Phys.Lett., 1989, V.55, N.13.
  17. М.Херман Полупроводниковые сверхрешетки, М.:Мир, 1989, 238с.
  18. А.Я.Шик Двумерные электронные системы. СП ГТУ, 1993.
  19. Shawn-Yu Lin, H.P.Wei and D.C.Tsui, Cyclotron mass of two-dimensional holes in strained-layer GaAs/Ino^Gao.sAs/GaAs quantum well structures // Appl.Phys.Lett., 1995, V.67, N.15, PP.2170−2172.
  20. S.Y.Lin, C.T.Liu and D.C.Tsui, E.D.Jones and L.R.Dawson Cyclotron resonance of two-dimensional holes in strained-layer quantum well structure of (100) InGaAs/GaAs // Appl.Phys.Lett., 1989, V.55, N.7, PP.666−668.
  21. T.G.Andersson, Z.G.Chen, V.D.Kulakovskii, A. Uddinn and J.T.Vallin, // Appl.Phys.Lett., 1987, V.48,N.10.
  22. J.W.Watthews and A.E.Blakeslee, // J.Cryst.Growth, 1974, V.27, P. l 18.
  23. I.J.Fritz, T.J.Drumnoud, G.C.Osbourn, J.E.Schirber and E.D.Jones, // Appl.Phys.Lett., 1986, V.48, P. 1678.
  24. A.W.Leitch and H.L.Ehlers The characterization of GaAs and AlGaAs by photoluminescence // Infrared Phys. 1988, V.28, N.6, PP.433−440.
  25. K.F.Huang, K. Tai, S.N.G.Chu and A.Y.Cho, Optical studies of InxGaixAs/GaAs strained-layer quantum wells // Appl.Phys.Lett., 1989, V.54, PP.2026−2028.
  26. D.Gershoni, J.M.Vandenberg, S.N.G.Chu, H. Temkin, T. Tanbun and R.A.Logan «Excitonic transitions in strained-layer InGaAs/GaAs quantum wells» //Phys.Rev.B., 1989, V.40,N.14, PP. 10 017−10 020.
  27. H.Q.Hou, Y. Segawa, Y. Aoyagi and S. Namba Exciton binding energy in InxGaixAs/GaAs strained quantum wells // Phys.Rev.B, V.42, N.2, PP. 1284−1289.
  28. K.J.Moore, G. Duggan, K. Woodbridge and C. Roberts Observations and calculations of the exciton binding energy in (In, Ga) As/GaAs strained-quantum-well heterostructure // Phys.Rev.B, V.41, N.2, PP. 1090−1094.
  29. L.V.Butov, V.D.Kulakovskii and T.G.Andersson, Many-body effects of a dense two-dimensional electron-hole system in a strained InxGaixAs quantum well // Phys.Rev.B, 1990, V.44, N.4, PP. 1692−1698.
  30. G.Trancle, E. Lanch, A. Forchel, F. Scholz, // Phys.Rev.B, 1987, V.36, PP.6712.
  31. G.Bongiovanni, J.L.Staehly, // Phys.Rev.B, 1989, V.39, P.8359.
  32. E.Lach, G. Lehr, A. Forchel, K. Ploog, G. Weimann, // Surf.Sci., 1990, V.228, P.168.
  33. I.N.Stranski and L. Von Krastanow, // Akad.Wiss.Lit.Mainz Math. Naturwiss. Kl. lib, 1939, V.146, P.797.
  34. Y.Marzin, J.M.Gerard, A. Izrael, D. Barrier and G. Bastard «Photoluminescence of Single InAs Quantum dots Obtained by Self-Organized Growth on GaAs», // Phys.Rev.Lett., 1994, V.73, P.716.
  35. H.Lipsanen, M. Sopanen and J. Ahopelto, Luminescence from excited states in strain-induced InxGa]xAs quantum dots // Phys.Rev.B., 1995, V.51, N.19, PP.13 868−13 871.
  36. Kenichi Nishi, Richard Mirin, Devin Leonard, Gilberto Medeiros-Ribeiro, Pierre M. Petroff, Arthur C. Gossard Structural and optical characterization of InAs/InGaAs self-assembled quantum dots grown on (311)B GaAs // J.Appl.Phys., 1996, V.80, P.3466.
  37. H.Yu, S. Lycett, C. Roberts and R. Murray, Time resolved study of self-assembled InAs quantum dots // Appl.Phys.Lett., 1996, V.69, N.26, PP.4087−4089.
  38. В.Л.Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников, Физика полупроводников, 1977, М.:Наука., 672с.
  39. M.Reddy, R. Grey, P.A.Claxton and J. Woodhead High-field hole transport in strained InxGaixAs/GaAs modulation-doped quantum wells // Semicond.Sci.Technol., 1990, V.5, PP.628−630.
  40. Yu.L.Ivanov, G.V.Churakov, V.M.Ustinov et.al., // Abstracts of Int. Symposium. Nanostructures: Physics and Technology", St. Petersburg, 1995, P.225.
  41. Л.Е.Воробьев, Д. В. Донецкий, А. Кастальский, Длинноволновое излучение при разогреве двумерных дырок продольным электрическим полем в квантовых ямах гетероструктур GaAs-AlGaAs // Физика и техника полупроводников, 1995, Т.29, С. 1771.
  42. Л.Е.Воробьев. Внутризонная инверсия населенности и усиление ИК излучения при инжекции носителей заряда в квантовых ямах и квантовых точках // Письма в ЖЭТФ, 1998, Т.68, Вып.5, СС.392−399.
  43. Ю.Л.Иванов, С. А. Морозов, В. М. Устинов, А. Е. Жуков, Мощное дальнее инфракрасное излучение горячих дырок напряженной двумерной структуры InGaAs/AlGaAs // Физика и техника полупроводников, 1998, Т.32, № 9, СС.1119−1121.
  44. В.Я.Алешкин, А. А. Андронов, // Письма в ЖЭТФ, 1998, Т.68, Вып.1, СС.73−77.
  45. M.A.C.S.Brown and E.G.S.Paige, Electric-Field-Induced Modulation of the Absorption due to Interband Transitions of Free Holes in Germanium // Phys. Rev. Lett., 1961, V.7, PP.84−86.
  46. William E. Pinson and Ralph Bray, Experimental Determination of the Energy Distribution Functions and Analysis of the Energy-Loss Mechanisms of Hot Carriers in p-Type Germanium // Phys. Rev., 1964, V.136, PP. A1449-A1467.
  47. Ove Christensen, Determination of Hot-Carrier Distribution Functions in Uniaxially Stressed p-Type Germanium // Phys. Rev. B, 1973, V.7, PP.763−777.
  48. W.Jantsch and H. Heinrich, Experimental determination of electron distribution functions in degenerate GaAs at high electric fields // Solid State Communications, 1973, V.13, PP.715−718.
  49. W.Jantsch and H. Brucker, Determination of nonequilibrium electron distribution functions in degenerate GaAs // Phys.Rev.B, 1977, V.15, N.8, PP.4014−4019.
  50. H.Heinrich and W. Jantsch, Experimental determination of the electron temperature from Burstein-shift experiments in Gallium Antimonide // Phys.Rev.B, 1971, V.4, N.8, PP.2504−2508.
  51. Z.S.Gribnikov, K. Hess and G.A.Kosinovsky, Nonlocal and nonlinear transport in semiconductors: Real-space transfer effects // J.Appl.Phys., 1995, V. 77, P.1337−1373.
  52. B.N.Zvonkov, N.B.Zvonkov, I.G.Malkina, G.A.Maximov, I.A.Avrutsky, A.V.Vasil'ev, E.M.Dianov, A.M.Prokhorov, // Soviet Lightwave Commun., 1993, V.3, P.71.
  53. Разработка макета установки МОГФЭ и технологии получения полупроводниковых слоев GaAs/AlGaAs // Отчет по теме «Эпигар" — № гос. регистрации 0189.74 689, ИПФ РАН, Нижний Новгород, 1991.
  54. E.S.Koteles, B.S.Elman and S.A.Zemon «Very high purity GaAs: free exciton dominated 5K photoluminescence and magnetophotoluminescence spectra» // Solid State Communications, 1987, V.62, N.10, PP.703−706.
  55. J.Bastard, // Phys. Rev В, 1982, V.25, Р.7584.
  56. А.Я.Шик, // Письма в ЖТФ, 1979, Т.5, С. 869.
  57. В.П.Грибковский, Теория поглощения и испускания света в полупроводниках, Минск, «Наука и техника, 1975.
  58. D.D.Sell, H.C.Casey, //J.Appl.Phys., 1974, V.45, Р.800.
  59. А.В.Браславец, К. С. Журавлев, Н. Т. Мошегов, А. И. Торопов, С. И. Стенин, // Письма в ЖЭТФ, 1991, Т.53, С. 96.
  60. В.Я.Алешкин, А. А. Костин, Ю. А. Романов, // ФТП, 1992, Т.26, С. 318.
  61. S.Schmitt-Rink, C. Ell, S.W.Koch et al., // Sol.St.Commun, 1984, V.52, P.123.
  62. Ж.И.Алферов, Н. А. Берт, Ю. А. Егоров, А. Е. Жуков, П. С. Копьев, А. О. Косогов, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов,
  63. A.В.Сахаров, В. М. Устинов, А. Ф. Цацульников, Ю. М. Шерняков, Д. Бимберг, // ФТП, 1996, Т. ЗО, С. 351.
  64. Ж.И.Алферов, Н. Ю. Гордеев, С. В. Зайцев, П. С. Копьев, И. В. Кочнев,
  65. B.В.Комин, И. Л. Крестников, Н. Н. Леденцов, А. В. Лунев, М. В. Максимов,
  66. C.С.Рувимов, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, Ю. М. Шерняков, Д. Бимберг, // ФТП, 1996, Т. ЗО, С. 357.
  67. M.Grundmann, O. Stier and D. Bimberg, InAs/GaAs pyramidal quantum dots: Strain distribution, optical phonons and electronic structure // Phys.Rev.B, 1995, V.52, P. 11 969−11 981.
  68. Н.Н.Леденцов, В. М. Устинов, В. А. Щукин, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов, Д. Бимберг «Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры. Обзор.» // Физика и техника полупроводников, 1998, Т.32, N.4, С.385−410.
  69. M.Grundmann, J. Christen, N.N.Ledentsov, J. Bohrer, D. Bimberg, S.S.Ruvimov, P. Werner, U. Richter, U. Gosele, J. Herdenreih, V.M.Ustinov,
  70. A.Yu.Egorov, A.E.Zhukov, P. S.Kop'ev, Zh.I.Alferov, Ultranarrow Luminescence Lines from Single Quantum Dots // Phys.Rev.Lett., 1995, V.74, P.4043.
  71. J.-Y.Martin, J.-M.Gerard, A. Izrael, D. Barrier, G.Bastard. // Phys.Rev.Lett., 1994, V.73, P.716.
  72. M.Grundmann, N.N.Ledentsov, O. Stier and D. Bimberg, V.M.Ustinov, P. S.Kop'ev and Zh.I.Alferov, Excited states in self-organized InAsGaAs quantum dots: Theory and experiment // Appl.Phys.Lett., 1996, V.68, N.7, P.979−981.
  73. F.Adler, M. Geiger, A. Bauknecht, F. Scholz, H. Schweizer, M.H.Pilkuhn,
  74. B.Ohnesorge and A. Forchel, Optical transitions and carrier relaxation in self assembled InAs/GaAs quantum dots // J.Appl.Phys., V.80, N.7, PP.4019−4026.
  75. Б.Н.Звонков, Е. Р. Линькова, И. Г. Малкина, Д. О. Филатов, А. Л. Чернов, Спектроскопия слоев InAs в GaAs в области перехода от слоевого к трехмерному росту // Письма в ЖЭТФ, 1996, Т.6, В.6, СС.418−422.
  76. WJ.Schaffer, M.D.Lind, S.P.Kowalczyk, R.V.Grant, // J.Vac.Sci.Technol., 1983, V. B1,P.688.
  77. P.Blood, // Semicond. Sci. Technol., 1986, V. l, P.7.
  78. Ю.А.Данилов, А. В. Мурель, И. Ю. Дроздова, // Высокочистые вещества, 1995, Т.2, С. 71.
  79. D.P.Bour, T.L.Paoli, R.L.Tornton, D.W.Treat, Y.S.Park, P. S.Zory, // Appl.Phys.Lett., 1993, V.62, P.3458.
  80. A.Gomio, K. Kobayashi, S. Kawata, I. Hino, T. Suzuki, T. Yuasa, // J.Cryst.Growth, 1986, V.77, P.367.
  81. O.Ueda, M. Takikawa, J. Komeno, I. Umebu // Japan J.Appl.Phys., 1987, V.26, P. L1824.
  82. Y.Ueno // Appl.Phys.Lett., 1993, V.64, P.553.
  83. В.Я.Алешкин, Б. Н. Звонков, Е. Р. Линькова, И. Г. Малкина, Ю. Н. Сафьянов, Сильная поляризация фотолюминесценции InxGaixP, выращенного на плоскости (110) GaAs // Письма в ЖЭТФ, Т.62, В.4, СС.324−327.
  84. S.Jorda, U. Rossler, // Superlatt. Microstruct., 1990, V.8, P.481.
  85. E.A.Caridi, T.Y.Cang, //J.Electrochem.Soc., 1984, V.131, P. 1440.
  86. Х.Кейси, М. Паниш, Лазеры на гетероструктурах, М., 1981, т.1.
  87. Д.В.Казанцев, Н. А. Гиппиус, Дж. Ошиново и др. // Письма в ЖЭТФ, 1996, Т.63, С. 523.
  88. Б.И.Шкловский, А. Л. Эфрос Электронные свойства легированных полупроводников, Москва, Наука, 1979, с. 37.
  89. Yu.L.Ivanov, G.V.Churakov, V.M.Ustinov et. al. // Abstracts of International Symposium «Nanostructures: Physics and Technology», St. Petersburg, Russia, 1995, P.225.
  90. K.Hess, H. Morkoc and B.G.Streetman, // Appl.Phys.Lett., 1979, V.35, P.469.
  91. P.D.Coleman, J. Freeman, H. Morkoc, et. al., // Appl.Phys.Lett., 1982, V.40, P.493.
  92. Л.Д.Ландау, Е. М. Лифшиц, Квантовая механика. Нерелятивистская теория, М. «Наука», 1989.
  93. A.Cesna, J. Kundrotas, A. Dargys, Photoluminescence transients due to donor and exciton avalanche breakdown // Journal of luminescence, 1998, V.78, PP.157−166.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!