Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Сильноточный импульсный магнетронный разряд с автоускорением плазмы

Диссертация: Сильноточный импульсный магнетронный разряд с автоускорением плазмы
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В рассматриваемом в настоящей работе сильноточном импульсном магнетронном разряде (СИМР) возможно нанесение покрытий со скоростью в несколько раз большей, чем в любых других магнетронных разрядах. Впервые с помощью этого разряда были получены соединения нитридов и оксидов тугоплавких материалов, таких как 8 (дельта)-фаза нитрида титана, без смещения и без нагрева подложки свыше 60 °C. Получено… Читать ещё >

Сильноточный импульсный магнетронный разряд с автоускорением плазмы (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • 1. Анализ современного состояния вопроса и задачи настоящего исследования
    • 1. 1. Описание импульсного магнетронного разряда
    • 1. 2. Основные процессы в плазме сильноточного импульсного магнетронного разряда
    • 1. 3. Актуальность применения импульсных магнетронных разрядов большой мощности
    • 1. 4. Сравнение разрядов СИМР и НІРІМ
  • 2. Экспериментальная установка
    • 2. 1. Принципиальная схема
    • 2. 2. Вакуумная система
    • 2. 3. Разрядное устройство
    • 2. 4. Электрическая система питания разряда 50 2.4.1. Система коммутации большой мощности
    • 2. 5. Система зондовых измерений
    • 2. 6. Электростатический энергоанализатор
    • 2. 7. Спектральная диагностика
  • 3. Моделирование процессов в СИМР
    • 3. 1. Расчет магнитной системы магнетрона
    • 3. 2. Расчет скорости нанесения покрытия
    • 3. 3. Динамика тепловых процессов на катоде
      • 3. 3. 1. Программный пакет Сонібоі МиШрЬуБюэ
      • 3. 3. 2. Тепловая модель катода
      • 3. 3. 3. Влияние мощности СИМР на температуру поверхности катода
  • 4. Экспериментальное исследование СИМР
    • 4. 1. Результаты зондовых и спектральных исследований
    • 4. 2. Импульсная скорость нанесения покрытий
    • 4. 3. Ускорительные процессы в СИМР
      • 4. 3. 1. Область замыкания разрядного тока
      • 4. 3. 2. Скорость распада плазменного образования
      • 4. 3. 3. Процессы потери частиц
  • 4. !3.4. Качественная модель процесса электродинамического ускорения
    • 4. 3. 5. Зондовые эксперименты по подтверждению ускорительных процессов
    • 4. 3. 6. Энергетический спектр ионов, выходящих из плазмы СИМР
  • 5. Технологическое применение СИМР
    • 5. 1. Развитие физико-математической модели
    • 5. 2. Применение СИМР
  • Заключение
  • Список литературы
  • Основные обозначения, термины и сокращения
  • MPC — магнетронная распылительная система
  • ВАХ — вольт-амперная характеристика
  • СИМР — сильноточный импульсный магнетронный разряд
  • HIPIMS — high power impulse magnetron discharge
  • HPPMS — high power pulsed magnetron sputtering
  • Предионизация — заполнение плазмой разрядного промежутка перед началом сильноточной формы разряда
  • Импульсная скорость нанесения — скорость нанесения покрытий без учета временных пауз между импульсами В — вектор индукции магнитного поля
  • Вг — проекция вектора магнитного поля на ось г в цилиндрической системе координат
  • Bz — проекция вектора магнитного поля на ось z в цилиндрических координатах

С р — теплоемкость при постоянном давлении D — коэффициент теплопроводности d — расстояние между электродами Е — вектор электрического поля Еф — энергия сублимации е — заряд электрона g — коэффициент, больший единицы и учитывающий тот факт, что не всякое столкновение приводит к ионизации

H — вектор напряженности магнитного поля h — толщина осаждаемой пленки 1р — ток разряда

1 т — ионный ток насыщения на одиночный зонд Ленгмюра «/раз — плотность тока разряда (экспериментальное значение) j+ ~ — плотность ионного тока на поверхности катода jlSp — плотность потока испаренных атомов jte— плотность термоэлектронного тока к — постоянная Больцмана те — масса электрона п — концентрация частиц ni — концентрация ионов пе — концентрация заряженных частиц qsurf — поток тепла, приходящий на поверхность катода

RiE — коэффициент отражения ионов с энергией Е

Rin~ коэффициент отражения нейтралов г к — радиус катода

Т— температура материала (в тепловых расчетах)

Тт — температура излучателя

То — температура окружающей среды

Те — электронная температура

Ti— температура иона

Ui — потенциал ионизации

V — скорость распыления катода (количество вещества, распыляемое с 1 см катода за 1 с)

Va — атомный объем

Vsh~ падение напряжения на катодном слое v — скорость частицы Vp — потенциал зонда

Y — коэффициент распыления

Г — коэффициент вторичной электронной эмиссии в магнитном поле Y3g — коэффициент вторичной ион-электронной эмиссии Gpre. sh — энергия, набираемая ионами в предслое ~ 0,5кТс, А — длина свободного пробега р — плотность материала р — работа выхода электрона с поверхности металла

Магнетронные распылительные системы (MPC) широко применяются в машиностроении, микроэлектронике и других областях промышленности. В настоящее время одним из направлений исследований в физике разрядов магнетронного типа является повышение скорости нанесения покрытий, а также улучшение параметров получаемых покрытий. В некоторых технологических плазменных процессах, например при чистке поверхности, необходимо управление такими параметрами потока частиц на образец, как энергия, угол падения на подложку, плотность потока. Возможность управления данными параметрами важна в задачах, требующих одновременного нанесения покрытия и модификации поверхности, а также при создании новых покрытий. При этом необходима высокая стабильность и повторяемость результатов, а также возможность переноса лабораторных исследований на промышленные установки больших размеров.

Одновременное повышение скорости нанесения как металлических покрытий, так и сложных соединений, получаемых в реактивных средах, а также управление параметрами потока падающих на подложку частиц может быть достигнуто при использовании сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР) открытого в МИФИ [1].

Подобная форма разряда активно исследуется за рубежом и имеет устоявшееся название HIPIMS — High Power Impulse Magnetron Sputtering. Количество работ по данной тематике всё более увеличивается. За последние 10 лет за рубежом опубликовано более 300 работ, при этом большая часть в последние 5 лет. Однако, согласно этим работам, максимально достигнутые скорости нанесения покрытий в HIPIMS не превышают скоростей нанесения при использовании стационарного магнетронного разряда.

Актуальность темы

диссертации заключается в исследовании физических процессов в перспективном методе нанесения покрытий с помощью сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР). С использованием этого разряда становится возможным нанесение однородных покрытий с высокой адгезией к подложке, в том числе сложной формы, со скоростью в несколько раз большей, чем в стационарном и импульсном магнетронном разрядах.

В рассматриваемом в настоящей работе сильноточном импульсном магнетронном разряде (СИМР) возможно нанесение покрытий со скоростью в несколько раз большей, чем в любых других магнетронных разрядах. Впервые с помощью этого разряда были получены соединения нитридов и оксидов тугоплавких материалов, таких как 8 (дельта)-фаза нитрида титана, без смещения и без нагрева подложки свыше 60 °C [2]. Получено нанесение чисто металлических покрытий с импульсной скоростью до нескольких микрон в минуту [3]. Под импульсной скоростью понимается скорость нанесения покрытий без учета временных пауз между импульсами.

Феноменологическое описание устойчивости сильноточной формы импульсного магнетронного разряда и условия ее получения проводились в работе [4] еще в конце прошлого века. Однако нерассмотренными до сих пор остаются многие вопросы. В частности, остаются необъясненными процессы, обеспечивающие высокие скорости нанесения покрытий (например, в СИМР импульсная скорость напыления титана до 6 мкм/мин), а также явления, обеспечивающие возможность нанесения нитрида титана без смещения на подложку.

Целью диссертационной работы является исследование физики сильноточного импульсного магнетронного разряда (СИМР) для создания высокоскоростной технологии нанесения покрытий.

К основным задачам исследования относятся:

1. Построение модели, объясняющей сверхвысокие импульсные скорости нанесения покрытий в СИМР.

2. Создание физико-математической модели для расчета поля температур в катоде.

3. Проведение комплексных зондовых и оптических исследований плазмы разряда, а также измерение энергетического распределения ионов, приходящих из плазмы разряда на подложку.

4. Определение на основе построенных моделей путей оптимизации СИМР.

5. Демонстрация возможностей СИМР в технологических процессах.

Научная новизна работы заключается в следующем:

• Построена экспериментально верифицированная тепловая модель катода.

• На базе построенной модели показано, что во время сильноточного импульса разряда происходит перегрев тонкого слоя катода, вызывающего испарения, что и обеспечивает скорости нанесения покрытий, значительно превосходящие скорости традиционных магнетронных систем.

• Впервые проведены комплексные зондовые и спектроскопические исследования плазмы сильноточного импульсного магнетронного разряда с энергией в одном импульсе более 100 Дж.

• С использованием спектроскопической диагностики показано, что в плазме разряда присутствует в основном ионизованный материал распыляемого катода, что позволяет управлять энергией и плотностью потока частиц, приходящих на обрабатываемый образец.

• Впервые в СИМР измерено энергетическое распределение ионов плазмы и показано, что его ширина достигает десятков электронвольт при средней энергии ионов ~15 эВ.

Предложена качественная модель электродинамического ускорения плазмы в СИМР.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Созданная новая конструкция магнетронного распылительного узла позволяет получать режимы разряда, в которых происходит электродинамическое ускорение плазмы, обеспечивающее нанесение нитридных и оксидных покрытий на холодную подложку с хорошей адгезией и высокими скоростями.

2. Обнаруженный перегрев тонкого слоя катода во время сильноточного импульса обеспечивает значительно более высокие, чем в других магнетронных разрядах, скорости нанесения металлических покрытий.

3. Построенная и экспериментально верифицированная тепловая модель катода позволяет прогнозировать его тепловое состояние при СИМР.

4. Измерены высокие энергии ионов, в осаждаемом потоке на заземленную подложку, что позволяет наносить покрытия с высокой адгезией.

5. Показана обоснованность применения исследуемого разряда в технологии производства катодной фольги электролитических конденсаторов повышенной емкости.

На защиту выносятся следующие содержащие новизну положения: 1. Идентификация СИМР как специфического вида разряда.

2. Результаты спектральных измерений, показавшие полную ионизацию материала катода в плазме СИМР.

3. Результаты экспериментально верифицированного численного моделирования теплового состояния катода, показывающие, что за высокую импульсную скорость нанесения титановых покрытий (более 4 мкм/мин) в СИМР отвечает испарение катода.

4. Экспериментально измеренное энергетическое распределение ионов плазмы СИМР, обладающее широким спектром, достигающим десятков электронвольт при средней энергии ионов ~ 15 эВ.

5. Обнаруженный эффект электродинамического ускорения плазменного сгустка в сильноточном импульсном магнетронном разряде.

6. Обоснование технологического применения сильноточного импульсного магнетронного разряда, подтвержденное с помощью повышения емкости катодной фольги электролитических конденсаторов.

Апробация работы. Результаты исследований, изложенные в диссертации, доложены на следующих конференциях: Twelfth International Conference on Plasma Surface Engineering, 2010, Germany (PSE 2010) — XIX международной конференции «Взаимодействие ионов с поверхностью» (ISI 2009) — XVI научно-технической конференции «Вакуумная наука и техника» 2008, 2009.

Личный вклад соискателя отражен в постановке задач, создании, реализации и отладке численных алгоритмов, в создании физико-математической модели, объясняющей высокие скорости нанесения металлических покрытий в СИМР, идентификации СИМР как особой формы разряда, составлении качественного описания электродинамического ускорения плазмы в разрядном промежутке, проведении экспериментов на усовершенствованной установке, расчетов и анализе полученных результатов.

Структура и объем диссертации

.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы. Общий объем составляет 135 страниц, 62 рисунка.

Список литературы

включает 103 наименования.

Основные результаты выполненных в настоящей работе исследований сводятся, по мнению автора, к следующему.

1. Выполненный анализ состояния исследований в области импульсных плазменных магнетронных технологий и проблемы изучения фундаментальных физических процессов в мощных импульсных формах разряда в магнитном поле, с учетом результатов данной работы, позволил идентифицировать СИМР как отдельную форму сильноточного импульсного магнетронного разряда.

2. Создана новая экспериментальная установка, включающая импульсный магнетрон, оптическую систему управления, систему измерения давления и расхода газа.

3. Впервые проведены комплексные зондовые и спектроскопические исследования плазмы сильноточного импульсного магнетронного разряда с энергией в одном импульсе более 100 Дж.

4. Построена качественная модель, объясняющая сверхвысокие скорости нанесения металлических покрытий в квазистационарной фазе СИМР.

5. Проведено определение компонентного состава плазмы методом эмиссионной спектроскопии. Показано, что в плазме разряда присутствует в основном ионизованный материал распыляемого катода, что позволяет управлять энергией и плотностью потока частиц, приходящих на обрабатываемый образец.

6. Обнаружена спадающая зависимость времени жизни плазменного образования от вкладываемой в разряд мощности.

7. Измерено энергетическое распределение ионов плазмы СИМР и показано, что ширина спектра достигает десятков электронвольт при средней энергии ионов ~ 15 эВ.

8. Предложено качественное описание механизма электродинамического ускорения плазмы в разряде, позволившее объяснить спадающую зависимость времени жизни плазменного образования от вкладываемой в разряд мощности.

9. Рассмотрены перспективы дальнейших исследований сильноточного импульсного магнетронного разряда, создания принципиально новых распылительных установок и предложения по внедрению сильноточной импульсной магнетронной технологии в промышленность. Показана эффективность технологического применения разряда СИМР, на примере производства катодной фольги электролитических конденсаторов.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. I. К., Khodachenko G. V., Mozgrin D. V. Quasi-stationary high current forms of low pressure discharge in magnetic field Тезисы докладов. // I.C.P.I.G.-XX. Piza.1991. Vol. 2. C. 476−478.
  2. И. К., Ходаченко Г. В., Мозгрин Д. В., Исследование возможности создания технологического реактора на основе разрядов в магнитных полях сложной конфигурации для ускоренного травления слоев. Отчет по теме № N89−93−3-021−3396. М., 1990. 99 с.
  3. Mozgrin D. V., Fetisov D. V., Khodachenko G. V., High-current low-pressure quasi-stationary discharge in a magnetic field: experimantal research // Plasma Phys. Rep. 1995. T. 21. № 5. C. 400−409.
  4. Г. В. Исследование условий зажигания и режимов газового разряда в поперечном слабо-неоднородном магнитном поле : дис.. канд. физ.-мат. наук. М., 1992. С. 138.
  5. Grove W. R., On the Electro-Chemical Polarity of Gases // Phil. Trans. R. Soc. Lond. 1852. T. 142. C. 87−101.
  6. А. И. Магнетронные распылительные системы. Кн. ига 1. Введение в физику и технику магнетронного распыления Текст. К.: Аверс, 2008. 244 с.
  7. Д. В. Магнетронные распылительные системы с электромагнитами: дис. канд. техн. наук. М., 2007. С. 202.
  8. Powel Sarah Finite element modelling of magnetostatics for magnetron sputter sources Тезисы докладов. // CAD for Electromagnetic Devices. UK Magnetic society, 2006.
  9. И. Ю., Рогов А. В., Расчет профиля выработки катода для магнетронных систем ионного распыления // Журнал технической физики. 2003. Т. 73. № 10. С. 46−50.
  10. I. К. Filippov A. A. Khodachenko G. V. Mozgrin D. V. Pisarev A. A. et al., Impulse irradiation plasma technology for film deposition // Vacuum. 1999. T. 53. №. C. 133−136.
  11. Д. В., Фетисов PI. К., Ходаченко Г. В. Структура сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле Тезисы докладов. // VIII Конференция по физике газового разряда, тезисы докладов. 1996. Т. 2. С. 73−75.
  12. А. А. и др. Спектроскопические исследования излучения плазмы сильноточного диффузного разряда низкого давления в магнитном поле [Тезисы докладов] // IV Межгосударственный симпозиум по радиационной плазмодинамике. Москва, 1997. С. 166−167.
  13. А. А. и др. Определение компонентного состава плазмы сильноточного диффузного разряда [Тезисы докладов] // II Международная конференция по физике плазмы и плазменным технологиям. Минск, 1997.
  14. И. К. Газовый разряд низкого давления в магнитном по-ле .(Физика газоразрядных процессов и лабораторный практикум) Текст. М.: Изд. МИФИ, 1999.
  15. Д. В. Экспериментальное исследование сильноточных форм квазистационарного разряда низкого давления в магнитном поле: дис.. канд. физ.-мат. наук. М., 1994. С. 122.
  16. Ю. П. Физика газового разряда Текст. М.: Наука, 1987.
  17. А. В., Королев Ю. Д., Месяц Г. А., Автоэмиссионные процессы перехода от тлеющего разряда к дуговому // ЖТФ. 1982. Т. 57.
  18. Г. А., Проскуровский Д. И. Импульсный электрический разряд в вакууме Текст. Новосибирск: Наука, 1984.
  19. Ю. Д., Месяц Г. А. Автоэмиссионные процессы в газовом разряде Текст. Новосибирск: Наука, 1982.
  20. Н. JI. и др., Диффузия электронов в слабоионизованной плазме во внешних полях // Физика плазмы. 1983. Т. 9. №. С. 1068.
  21. Ю. С., Напартович А. П., Перетятько П. И., Трушкин Н. И. и др., Приэлектродные области тлеющего разряда и нормальная плотность тока на аноде // ТВТ. 1980. Т. 18. № 4. С. 873.
  22. Ю. С. и др. Исследование плазменного столба и прианодной области продольного разряда в азоте и воздухе // ТВТ. 1982. Т. 20. № 1.С. 30−37.
  23. Ю. С. и др. Влияние состояния поверхности электродов на образование катодных, и анодных пятен // ТВТ. 1984. Т. 22. № 2.С. 201— 207.
  24. Ю. С. и др. Исследование преддугового катодного пятна в стационарном тлеющем разряде // ЖТФ. 1985. Т. 55. № 4. С. 655−663.
  25. Lin J. et а1и др. Ion energy and mass distributions of the plasma during modulated pulse power magnetron sputtering // Surface and Coatings Technology. 2009. Vol. 203. № 24. C. 3676−3685.
  26. Alami J., et al. Sarakinos K., Mark G., Wuttig M., On the deposition rate in a high power pulsed magnetron sputtering discharge // Applied Physics Letters. 2006. Vol. 89. № 15.
  27. J. Т., Alami J., Helmersson U. Spatial and temporal behaviar of the plasma parameters in a pulsed magnetron discharge // Surface and Coatings Technology. 2002. Vol. 161. C. 249−256.
  28. J. Т., Alami J., Helmersson U. Evolution of the electron energy distribution and plasma parameters in a pulsed magnetron discharge // Applied Physics Letters. 2001. Vol. 78. № 22. C. 3427.
  29. Konstantinidis S. et al. Influence of pulse duration on the plasma characteristics in high-power pulsed magnetron discharges // Journal of Applied Physics. 2006. Vol. 99. № 1.
  30. Sarakinos K., Alami J., Konstantinidis S., High power pulsed magnetron sputtering: A review on scientific and engineering state of the art // Surface and Coatings Technology. 2010. Vol. 204. № 11. C. 1661−1684.
  31. Ehiasarian A. P., Andersson J., Anders A., Distance-dependent plasma composition and ion energy in high power impulse magnetron sputtering // Journal of Physics D: Applied Physics. 2010. Vol. 43. № 27.
  32. Kadlec S., Simulation of Neutral Particle Flow During High Power Magnetron Impulse // Plasma Processes and Polymers. 2007. Vol. 4. № 1. P. 419 423.
  33. Zhukov V. V., Krivobokov V. P., Yanin S. N., Significance of Self-Sputtering Effect for the Magnetron Discharge // Известия вузов. Физика. 2006. № 8 (Приложение). С. 30−33.
  34. Anders A. ndre, Andersson J., Ehiasarian A., High power impulse magnetron sputtering: Current-voltage-time characteristics indicate the onset of sustained self-sputtering // Journal of Applied Physics. 2007. Vol. 102. № 11.
  35. Andersson J., Ehiasarian A. P., Anders A., Observation of Ti sup 4+. ions in a high power impulse magnetron sputtering plasma // Applied Physics Letters. 2008. Vol. 93. № 7.
  36. Andersson J., Anders A., Self-Sputtering Far above the Runaway Threshold: An Extraordinary Metal-Ion Generator // Physical Review Letters. 2009. Vol. 102. № 4.
  37. Alami J. et al. Phase tailoring of Та thin films by highly ionized pulsed magnetron sputtering // Thin Solid Films. 2007. Vol. 515. № 778−8. C. 3434−3438.
  38. Rossnagel S. M., Kaufman H. R., Charge transport in magnetrons // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1987. Vol. 5. № 4. C. 2276−2279.
  39. Hoffman D. W., A sputtering wind // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 1985. Vol. 3. № 3. C. 561−566.
  40. Bohlmark J. et al. The ion energy distributions and ion flux composition from a high power impulse magnetron sputtering discharge // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. № 4. C. 1522−1526.
  41. Ehiasarian A. et al. New R. Munz W.-D. Hultman L. Helmersson U. Kouznetsov V. Influence of high power densities on the composition of pulsed magnetron plasmas // Vacuum. 2002. Vol. 65. C. 147—154.
  42. Lu J., Kushner J. M., Effect of sputter heating in ionized metal physical vapor//J. App. Phys. 2000. Vol. 87. № 10. C. 7198−7207.
  43. Kouznetsov V. et al. A novel pulsed magnetron sputter technique utilizing very high target power densities // Surface and Coatings Technology. 1999. Vol. 122. № 223−3. C. 290−293.
  44. Andersson J., Anders A., Gasless sputtering: Opportunities for ultraclean metallization, coatings in space, and propulsion // Applied Physics Letters. 2008. Vol. 92. № 22.
  45. Cada M. et al. Plasma diagnostics in the pulse magnetron sputtering system used for deposition Ti-C:H thin films // Surface and Coatings Technology. 2006. Vol. 200. № 12. C. 3861−3867.
  46. Cada M. et al. Time-resolved plasma parameters in the HiPIMS discharge with Ti target in Ar/02 atmosphere // Surface and Coatings Technology. 2010.
  47. Gudmundsson J. T. et al. On the electron energy in the high power impulse magnetron sputtering discharge // Journal of Applied Physics. 2009. Vol. 105. № 12.
  48. Vetushka A., Ehiasarian A. P. Plasma dynamic in chromium and titanium HIPIMS discharges // Journal of Physics D: Applied Physics. 2008. Vol. 41. № 1.
  49. Hecimovic A., Burcalova K., Ehiasarian A. P., Origins of ion energy distribution function (IEDF) in high power impulse magnetron sputtering (HIPIMS) plasma discharge // Journal of Physics D: Applied Physics. 2008. Vol. 41. № 9.
  50. J. Alami.-Linkoping University, Linkoping, Sweden, .2005. c 130
  51. Bohlmark J. et al. Measurement of the magnetic field change in a pulsed high current magnetron discharge // Plasma Sources Science and Technology. 2004. Vol. 13. № 4. C. 654−661.
  52. Lundin D. et al. Cross-field ion transport during high power impulse magnetron sputtering // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. № 3.
  53. Lundin D. et al. Anomalous electron transport in high power impulse magnetron sputtering // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. № 2.
  54. Bohlmark J. et al. Ionization of sputtered metals in high power pulsed magnetron sputtering // Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 2005. Vol. 23. № 1. P. 18.
  55. Greczynski G., Hultman L. Time and energy resolved ion mass spectroscopy studies of the ion flux during high power pulsed magnetron sputtering of Cr in Ar and Ar/N2 atmospheres // Vacuum. 2010. Vol. 84. № 9. C. 1159−1170.
  56. Poolcharuansin P., Bradley J. W. Short- and long-term plasma phenomena in a HiPIMS discharge // Plasma Sources Science and Technology. 2010. Vol. 19. № 2.
  57. Poolcharuansin P., Bradley J. W. The evolution of the IEDFs in a low-pressure HiPIMS discharge // Surface and Coatings Technology. 2010.
  58. Anders A., Discharge physics of high power impulse magnetron sputtering // Surface & Coatings Technology. 2011.
  59. A. P., Bugyi R. 47th Annual Technical Conference Proceedings / ed. S. о. V. C. San Francisco. C. 437−444.
  60. Ehiasarian A. P. High-power impulse magnetron sputtering and its applications // Pure and Applied Chemistiy. 2010. Vol. 82. № 6. C. 1247−1258.
  61. Ehiasarian A. P., Wen J. G., Petrov I. Interface microstructure engineering by high power impulse magnetron sputtering for the enhancement of adhesion // Journal of Applied Physics. 2007. Vol. 101. № 5.
  62. Munz W. D. et al. Industrial applications of HIPIMS // Journal of Physics: Conference Series. 2008. Vol. 100. № 8.
  63. Konstantinidis S., Dauchot J., Hecq M. Titanium oxide thin films deposited by high-power impulse magnetron sputtering // Thin Solid Films. 2006. Vol. 515. № 3. C. 1182−1186.
  64. Samuelsson Mattias et al. On the film density using high power impulse magnetron sputtering // Surface and Coatings Technology. 2010. Vol. 205. № 2. C. 591−596.
  65. Чан П., Тэлбот Л., Турян К. Электрические зонды в неподвижной и движущейся плазме-, пер. с англ. Текст. М.: Мир, 1978. С. 148−157.
  66. О. В. Электрический зонд в плазме Текст. М.: Атомиздат, 1969.
  67. Tichy M. et al. Langmuir Probe Diagnostics for Medium Pressure and Magnetised Low-Temperature Plasma // J. Phys. IV. 1997. Vol. 7. № 4. C. 397 411.
  68. Sanmartin J. R., Theory of a Probe in a Strong Magnetic Field // Журнал. 1970. Vol. 13. № l.C. 103−116.
  69. Brussaard G. J. H. et al. Langmuir probe measurements in an expanding magnetized plasma // Physical Review E. 1996. Vol. 54. № 2. P. 1906.
  70. Hutchinson H. Principles of Plasma Diagnostics, Second EditionTeKCT./. -: Cambridge University Press, 2002.
  71. Kocan M., Gunn J. P., Influence of impurities on ion temperature measurements in the tokamak scrape-off layer by retarding field analysers // Plasma Physics and Controlled Fusion. 2011. Vol. 53. № 8.
  72. В. Д. Вопросы теории плазмы / под ред. М. А. Лёонтович Текст. М.: Госатомиздат, 1963. Вып. 2. 92 с.
  73. Э., Гайзиг У., Панцер 3. Электронно-лучевая технология- пер. с нем. Текст. М.: Энергия, 1980. 528 с.
  74. В. А. Математическое моделирование технологических процессов: Моделирование в среде MathCAD. Практикум / под ред. Г. Д. Кузнецова Текст. М.: МИСИС, 2001. 48 с.
  75. В. С., Сырчин В. К. Магнетронные распылительные системы Текст. М.: Радио связь, 1982.
  76. Smith D. L. Physical sputtering model for fusion reactor first wall materials // Journal of Nuclear Materials. 1978. № 75. C. 20−31.
  77. H. В., Бажин А. И. Физика воздействия ионных пучков на материаллы Текст. М.: Вузовская книга, 1998.
  78. Doerner R. P., Krasheninnikov S. I., Schmid D. Particle-induced erosion of materials at elevated temperature // Journal of Applied Physics. 2004. Vol. 95. № 8. C. 4471.
  79. Lee H. Т., Krieger К. Modeling tungsten and carbon sputtering by carbon at elevated temperatures // Physica Scripta. 2009. Vol. T. 138. №.
  80. Schiller S., Heisig U., Panzer S. Electron Beam Technology Текст. Wiley, 1982.
  81. Таблицы физических величин. Справочник / под ред. И. К. Кикоина Текст. М.: Атомиздат, 1976. 1008 с.
  82. Roger W. Pryor. Multiphysics Modeling Using COMSOL: a first principles approach Текст. Jones and Bartlett Publishers, LLC, 2009.
  83. В. И. Применение ЭВМ для решения задач теплопроводности. Учебное пособие Текст. СПб: СПб ГУ ИТМО, 2006.85. http://www.comsol.com/.
  84. Sonia М. F. Garcia. Numerical Simulation of a Joule Heating Problem. 2010. 23 c.
  85. В. А. Взаимодействие плазмы с поверхностью Текст. М.: МИФИ, 2003.
  86. Ziegler J. F., Biersack J. Monte Carlo code SRIM2006.02 Online., (downloadable from http://srim.org/).
  87. Ю. А., Соломахин П. В., Шахатов В. А. Электродный микроволновый разряд в азоте: структура и газовая температура // Физика плазмы. 2007. Т.-ЗЗ. № 2. С. 180−190.
  88. С. И. Явления переноса в плазме // Вопросы теории плазмы. Текст. М.: Госатомиздат, 1963. Вып. 1. С. 183−274.
  89. И. В. и др. Измерение эффективной температуры ионов аргона методом лазерной спектроскопии в плазменном нейтрализаторе ПН-3 // Физика плазмы. 2004. Т. 30. № 5. С. 469.
  90. Brenning N. et al. A bulk plasma model for dc and HiPIMS magnetrons // Plasma Sources Science and Technology. 2008. Vol. 17. № 4.
  91. Г. В. и др. Ионно-плазменная генерация тонкого TiN покрытия фольги электролитических конденсаторов // Известия ран. Серия Физическая. 2010. Т. 74. № 2. С. 277−283.
  92. Misozhnikov L.V., Sharipov Е. I., Report at the CARTS Europe 2007 Conference. Barcelona, 2007.
  93. В. И. Свойства фрактальных дисперсных систем // Успехи химии. 2003. Т. 72. № 11. С. 1027−1054.
  94. Bonn D., Ross D. Wetting transitions // Rep. Progr. Phys. 2001. Vol. 64. № 9. P. 1085.
  95. . С. и др. Осаждение металлических пленок путем распыления из жидкой фазы // Электронная техника. Сер. 3. Микроэлектроника. 1978. № 2 (72). С. 84−87.
  96. R. С., Jesick W. R. Vapor Deposition by Liquid Phase Sputtering // J. Vac. Sci. Techn. 1970. Vol. 7. № 1. C. 40.
  97. Zhukov V. V. et aL. Magnetron Discharge in the Diode with a Liquid-Metal Target [Тезисы докладов] // 7th Intern. Conf. on Modification of Materials with Particle Beams and Plasma Flows. Tomsk, год. С. 277−280.
  98. P. С., Кривобоков В. П., Янин С. Н. Эрозия жидкофазной мишени в плазме магнетронного разряда // Известия вузов. Физика. 2007. № 9 (Приложение). С. 487−490.
  99. Г. А. и др. Тепловые и эрозионные процессы при работе магнетронних распылительных систем с неохлаждаемыми мишенями // Известия вузов. Физика. 2009. Т. 52. № 11/2 (Приложение). С. 180−185.
  100. Е. В. Скоростное магнетронное напыление меди на установке CAROLINE D 12А1 // Интеграл. 2009. № 6 (50).
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!