Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров

Диссертация: Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю И. С. Тарасову за повседневное руководство, внимание и полезное обсуждение результатов работысотрудникам Н. А. Пихтину, А. В. Лютецкому, Н. В. Фетисовой, С. О. Слипченко, при помощи и непосредственном участии которых были выполнены исследованияН.Д.Ильинской, Л. С. Вавиловой, И. Н. Арсентеву, А. В. Мурашовой, А. Л… Читать ещё >

Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава1. Инжекционные гетеролазеры на основе четверных твёрдых растворов МтаАвР

§ 1.1 Основные конструкции одномодовых и многомодовых инжекционных гетеролазеров в системе твёрдых растворов 1пОаАвР. п.п. 1.1.1 Разнообразие конструкций одномодовых и многомодовых гетеролазеров. п.п. 1.1.2 Зарощенная мезаполосковая конструкция одномодовых гетеролазеров.

§ 1.2 Волноводный эффект в лазерах конструкции «мелкая меза».

§ 1.3 Лазеры с напряжёнными активными областями.

§ 1.4 Лазеры с широким волноводом.

Выводы к Главе 1.

Глава2 Технология изготовления одномодовых лазеров конструкции мелкая меза".

Выводы к Главе2.

ГлаваЗ Исследование МгаАвРЯпР гетеролазеров с узким контактом конструкции «мелкая меза», изготовленных на основе структур, полученных методами жидкофазной и газофазной МОСгидридной эпитаксий.

§ 3.1 Особенности изготовления гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии для лазеров конструкции «мелкая меза».

§ 3.2 Исследование излучательных характеристик одномодовых лазеров конструкции «мелкая меза и лазеров с широким контактом, полученных методом жидкофазной эпитаксии.

§ 3.3 Исследование излучательных характеристик одномодовых лазеров конструкции «мелкая меза», полученных методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

Выводы к ГлавеЗ.

Глава4 Исследование мощных ТпваАзРЛпР лазеров с широким контактом и малыми внутренними оптическими потерями.

§ 4.1 Расчёт величины внутренних оптических потерь в

ГпОаАвРЛпР лазерах с расширенным волноводом.

§ 4.2 Исследование свойств МтаАвРЛпР лазеров с расширенным волноводом и широким мезаполосковым контактом.

§ 4.3 Температурная зависимость дифференциальной квантовой эффективности квантоворазмерных шОаАвРЯпР лазеров с расширенным волноводом.

§ 4.4 Температурный выброс носителей тока и стимулированный квантовый выход в квантоворазмерных ТпОаАзРЛпР лазерах с однородным и ступенчатым расширенным волноводом.

Выводы к Главе 4.

Ширина запрещённой зоны четверных твёрдых растворов 1пСаАзР, изопериодических с фосфидом индия, при комнатной температуре может изменяться от 0.73 эВ до 1.35 эВ. Гетеролазеры на основе соединений 1пОаАзР/1пР с использованием напряжённых квантоворазмерных слоёв излучают в спектральном диапазоне 1.15−4.85 мкм. Основные разработки в этом направлении связаны с применениями в волоконно-оптических линиях связи (ВОЛС). И хотя успехи, достигнутые в этой области за два последних десятилетия, огромны, не ослабевает поток публикаций, посвященных исследованию физических основ работы и разработке технологии изготовления приборов.

Решение более сложных задач ставит вопрос об улучшении характеристик лазерных диодов, таких как мощность излучения, дифференциальная квантовая эффективность, пороговая плотность тока, температурная стабильность и другие. К началу выполнения данной работы (1993г.) в результате применения в гетероструктурах напряжённых квантоворазмерных активных областей произошёл качественный скачок в улучшении основных характеристик лазерных диодов. В это время в ФТИ им. А. Ф. Иоффе РАН был разработан модифицированный метод жидкофазной эпитаксии [1]. Применение модифицированного метода показало преимущества двойных 1пОаАзР гетероструктур раздельного электронного и оптического ограничения (ДГС РО) с низкими внутренними оптическими потерями [2]. Однако разработанная технология жидкофазной эпитаксии не позволила в полной степени реализовать преимущества лазерных РО ЫЗаАзР ДГС с низкими внутренними оптическими потерями.

В связи с этим развитие данной концепции с использованием метода газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) и разработка на ее основе мощных InGaAsP/InP лазерных диодов позволяют считать тему работы актуальной как с научной, так и с практической точки зрения.

Основная цель работы заключалась в создании PO InGaAsP/InP гетероструктуры с низкими внутренними оптическими потерями для изготовления мощных лазерных диодов, а также в исследовании свойств и оптимизации характеристик полученных гетеролазеров. Достижение поставленной цели включало в себя следующие основные этапы: I. Разработка постростовой технологии мезаполосковых одномодовых и многомодовых лазеров с учетом особенностей конструкций лазерных гетероструктур, полученных методами жидкофазной и газофазной МОС-гидридной эпитаксий.

П. Исследование свойств и создание мощных одномодовых и многомодовых с широким мезаполосковым контактом PO InGaAsP/InP гетеролазеров на базе структур, полученных методом жидкофазной эпитаксии.

III. Создание лазерной гетероструктуры раздельного ограничения с низкими внутренними оптическими потерями в системе твёрдых растворов InGaAsP/InP с использованием газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

IV. Исследование свойств мощных многомодовых PO InGaAsP/InP лазеров с широким мезаполосковым контактом.

Научная новизна работы определяется тем, что в ней впервые:

1. Аналитически и экспериментально изучены свойства PO InGaAsP/InP лазерных гетероструктур с расширенным однородным и ступенчатым волноводом.

2. Показано, что в InGaAsP/InP лазерных гетероструктурах раздельного ограничения наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод. Вследствие токовых утечек происходит снижение стимулированного квантового выхода.

3. Предложено в РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуре увеличить глубину квантовой ямы для электронов, используя ступенчатый расширенный волновод, сохраняя при этом максимальный фактор оптического ограничения волноводного слоя.

4. Показано, что применение в РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуре ступенчатого расширенного волновода обеспечивает максимальный квантовый выход стимулированного излучения при минимуме внутренних оптических потерь.

5. Установлено, что РО InGaAsP/InP лазерные гетероструктуры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (T^l 25-^250 К), что ограничивает максимально достижимую излучаемую мощность.

Практическая ценность работы заключается в следующем:

1. Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезаполосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров.

2. Созданы одномодовые мезаполосковые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВтметодом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

3. Разработана оптимальная РО InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обеспечивающая минимальные внутренние оптические потери и максимальный внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

4. Созданы мощные лазерные диоды на базе РО InGaAsP/InP лазерной гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии, излучающие на длине волны 1.55 мкм.

Совокупность представленных в диссертации экспериментальных и теоретических данных позволяет сформулировать следующие основные научные положения и результаты, выносимые на защиту:

Положение 1. Снижение концентрации свободных носителей в.

15 3 волноводных слоях до 10 см" и увеличение фактора оптического ограничения вследствие максимального расширения волноводного слоя позволяет достичь минимума внутренних оптических потерь в РО 1пОаА8Р/1пР гетеролазерах.

Положение 2. В лазерах на основе твёрдых растворов ЫЗгаАзР, изопериодических с 1пР, вследствие особенностей строения энергетической зонной структуры, наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод, что снижает внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

Положение 3. Применение ступенчатого расширенного волновода в РО 1пОаАзР/1пР гетероструктурах позволяет увеличить глубину квантовой ямы для электронов, сохраняя при этом максимальное значение фактора оптического ограничения волноводного слоя и минимальные внутренние оптические потери.

Положение 4. Использование ступенчатого расширенного волновода в РО 1пОаАзР/1пР гетероструктуре позволяет снизить выброс носителей тока из активной области в волновод и увеличить внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

Положение 5. РО ЫтаАзРЯпР гетеролазеры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (Т1=125-К250 К), ограничивающей достижение максимально возможной излучаемой мощности.

Результат 1. Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезаполосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров.

Результат 2. С использованием разработанной постростовой технологии созданы одномодовые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.55 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации, на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВт — методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

Результат 3. Создана оптимальная InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обладающая внутренними оптическими потерями 3.6 см" 1 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения более 85%.

Результат 4. На базе РО LiGaAsP/InP гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии, созданы лазерные диоды с шириной мезаполоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 1.55 мкм 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на 2-ой Российской конференции по физике полупроводников, 1996, Зеленогорскна 2-ой Международной конференции «International Symposium Nanostructures: Physics and Technology», 1996, июнь, С-Петербургна 6-ой Международной конференции «International Symposium Nanostructures: Physics and Technology», 2000, июнь, С-Петербург.

Публикации. По материалам диссертационной работы опубликовано 6 работ, список которых приведён в заключение диссертации. Ссылки на эти работы в тексте диссертации отмечены цифрами со звёздочкой.

Диссертация состоит из введения, четырёх глав, заключения и списка цитированной литературы.

Основные результаты диссертационной работы сводятся к следующему:

1 .Разработана последовательность постростовых технологических операций для изготовления мезалолосковых одномодовых и многомодовых с широким контактом РО InGaAsP/InP гетеролазеров с учетом особенностей гетероструктур, полученных методами газофазной МОС-гидридной и жидкофазной эпитаксий.

2. С использованием разработанной постростовой технологии созданы одномодовые лазерные диоды, излучающие на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм оптическую мощность 200 и 100 мВт в непрерывном режиме генерации на базе лазерных гетероструктур, полученных методом жидкофазной эпитаксии, и 220 и 150 мВт — методом газофазной МОС-гидридной эпитаксии.

3. Максимальные значения дифференциальной квантовой эффективности в РО InGaAsP/InP гетеролазерах достигаются при минимальных внутренних оптических потерях. Минимум внутренних оптических потерь в InGaAsP/InP РО ДГС достигается при снижении концентрации свободных носителей в.

15 3 волноводных слоях до 10 см" и увеличении фактора оптического ограничения волноводного слоя вследствие максимального расширения волноводного слоя.

4. Вследствие особенностей строения энергетической зонной структуры твёрдых растворов InGaAsP, изопериодических с InP, в лазерных РО ДГС наблюдается выброс инжектированных носителей тока из активной области в волновод, что снижает внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

5. Применение ступенчатого расширенного волновода в РО InGaAsP/InP ДГС позволяет увеличить глубину квантовой ямы для электронов, сохраняя максимальный фактор оптического ограничения волноводного слоя и минимальные внутренние оптические потери, а также снизить выброс носителей тока из активной области в волновод и увеличить внутренний квантовый выход стимулированного излучения.

6. PO InGaAsP/InP гетеролазеры обладают высокой температурной чувствительностью дифференциальной квантовой эффективности (Т]=125+250 К), ограничивающей достижение максимально возможной излучаемой мощности.

7. Разработана оптимальная InGaAsP/InP лазерная гетероструктура с расширенным ступенчатым волноводом, обладающая внутренними оптическими потерями 3.6 см" 1 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения более 85%.

8. На базе PO InGaAsP/InP гетероструктуры с расширенным ступенчатым волноводом, полученной методом МОС-гидридной эпитаксии, созданы лазерные диоды с шириной мезаполоскового контакта 100 мкм, излучающие на длине волны 1.55 мкм 5.2 Вт в непрерывном режиме генерации.

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1 .М. А. Иванов, Ю. В. Ильин, Н. Д. Ильинская, Ю. А. Корсакова, А. Ю. Лешко, A.B. Лунёв, А. В. Лютецкий, А. В. Мурашова, Н. А. Пихтин, И. С. Тарасов, «Полосковые одномодовые InGaAsP/InP лазеры, излучающие на длине волны 1.55 мкм», Письма в ЖТФ, 1995, т. 21, вып. 5, сс. 70+75.

2. И. С. Тарасов, Н. А. Пихтин, А. В. Мурашова, А. В. Лютецкий, А. Ю. Лешко, М. А. Иванов, Н. АБерт, Ж. И. Алфёров, «Самоупорядоченные InGaAsP наногетероструктуры», 2-ая Российская конференция по физике полупроводников, Зеленогорск, 26 февраля — 1 марта 1996 года, Тезисы докладов, Т.1, с. 40.

3. N.A.Pikhtin, A.Yu.Leshko, A.V.Lyutetskiy, V.B.Khalfin, N.V.Shuvalova, Yu.V.Ilyin, I.S.Tarasov, «Two-section InGaAsP/InP (A,=1.55jim) Fabri-Perot laser diode with 12 nm tuning range», Proceed, of Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Peterburg, Russia, 24−28 June 1996, pp.351+353.

4.А. Ю. Лешко, И. С. Тарасов, И. Н. Арсентьев, Б. Я. Бер, Ю. В. Ильин, Н. В. Шувалова, «Многоямковые лазерные гетероструктуры, полученные методом жидкостной эпитаксии», Письма в ЖТФ, 1998, т. 24, вып. 21, сс. 61+67.

5.Е. Г. Голикова, В. А. Горбылёв, Н. Ю. Давидюк, В. А. Курешов, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Ю. А. Рябоштан, В. А. Симаков, И. С. Тарасов, Н. В. Фетисова, «Мощные InGaAsP-гетеролазеры раздельного ограничения, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений», Письма в ЖТФ, 2000, т. 26, вып. 6, сс. 5+11.

6.Е. Г. Голикова, В. А. Горбылёв, Ю. В. Ильин, В. А. Курешов, А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Ю. А. Рябоштан, В. А. Симаков, И. С. Тарасов, Е. А. Третьякова, Н. В. Фетисова, «Мезаполосковые одномодовые РО ДГС InGaAsP лазеры, полученные методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений», Письма в ЖТФ, 2000, т.26, вып. 7, сс. 57+62.

7.А. Ю. Лешко, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, Г. А. Скрынников, И. С. Тарасов, Ж. И. Алфёров, «Свойства InGaAsP/InP гетеролазеров с широким мезаполосковым контактом», ФТП, 2000, т. 34, вып. 7, сс. 886+890.

8. А. Ю. Лешко., Д. А. Лившиц, А. В. Лютецкий, Н. АЛихтин, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, Н. В. Фетисова, «О внутреннем квантовом выходе и выбросе носителей в квантоворазмерных InGaAsP/InP лазерах», ФТП, 2000, в печати. 9. E.G.Golikova, V.A.Kureshov, A.Yu.Leshko, A.V.Lyutetskiy, N.A.Pikhtin, Yu.A.Ryaboshtan, G.V.Skrynnikov, I.S.Tarasov, Zh.I.Alferov, Properties of wide.

125 mesastripe InGaAsP heterolasers, Proceed, of Int. Symp. «Nanostructures: Physics and Technology», St. Peterburg, Russia, 19-K23 June, 2000, to be published.

В заключение автор хотел бы выразить глубокую благодарность научному руководителю И. С. Тарасову за повседневное руководство, внимание и полезное обсуждение результатов работысотрудникам Н. А. Пихтину, А. В. Лютецкому, Н. В. Фетисовой, С. О. Слипченко, при помощи и непосредственном участии которых были выполнены исследованияН.Д.Ильинской, Л. С. Вавиловой, И. Н. Арсентеву, А. В. Мурашовой, А. Л. Станкевичу за активную помощь в технологических вопросахЗ.Н.Соколовой и Г. В. Скрынникову за помощь в проведении теоретических расчётовЕ.А.Третьяковой, Т. Н. Дрокиной, Е. И. Кухаревой, Н. Ф. Кадощук, Т. А. Налёт, А. В. Лунёву за огромную работу по изготовлению экспериментальных образцовАсряну Л.В. за внимательные и доброжелательные теоретические консультации.

Заключение

.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Garbuzov D.Z., Antonishkis N.Yu., Bondarev A.D., Gulakov A.B., Zhigulin S.N., Katsavets N.I., Kochergin A.V., Rafailov E.V., High-power 0.8 jim InGaAsP-GaAs SCH SQW lasers, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-27, № 6, pp. 1531−1536, (1991).
  2. Panish M.B., Hayashi I., Sumski S., Double-heterostructure injection lasers with room-temperature thresholds as low as 2300 A/cm", Appl. Phys. Lett., V.16, № 8, 326−327, (1970).
  3. Hayashi I., Panish М.В., Foy P.W., Sumski S., Junction lasers which operate continuosly at room temperature, Appl. Phys. Lett., V.17, № 3, pp. 109−111, (1970).
  4. Dyment J.C., D’Asaro L. A., North J.C., Miller B.I., Ripper J.E., Proton-bombardment formation of stripe-geometri heterostructure lasers for 300 К CW operation, Proc. IEEE, Y.60, № 6, pp. 726−728, (1972).
  5. Casey H.C., Jr., Panish M.B., Heterostructure Lasers, Academik Press, New York, San Francisko, London, 1978.
  6. Hartman RL., Schumaker NE., Dixon R.W., Continuously operated (Al, Ga) As double-heterostructure lasers with 70 °C lifetimes as longas two years, Appl. Phys. Lett., V.31, № 11, pp. 756−759, (1977).
  7. А.П., Долгинов JI.M., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г., Свердлов Б. Н., Шевченко Е. Г., Излучательные характеристики лазерных гетероструктур на основе InP-GalnPAs, ФТП, Т.9, вып.10, сс. 1956−1961,1975).
  8. Hsieh J.J., Room-temperature operation of Са1пАзЯпР double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 ?im, Appl. Phys. Lett., V.28, № 5, pp. 283−285,1976).
  9. Hsieh J.J., Rossi J.A., Donnelly J.P., Room-temperature cw operation of GalnAs/InP double-heterostructure diode lasers emitting at 1.1 jum, Appl. Phys. Lett, V.28, № 12, pp. 709−711, (1976).
  10. Yamamoto Т., Sakai K., Akiba S., Suematsu Y., Ini.xGaxAsyPi.y/InP DH lasers fabricated on InP (lOO) substrates, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-14, № 2, pp. 95−98, (1978).
  11. .И., Арсентьев И. Н., Гарбузов Д. З., Румянцев В. Д., Красные инжекционные гетеролазеры в системе Ga-In-As-P, Письма в ЖТФ, Т.1, вып.9, сс. 406−408, (1975).
  12. Л.М., Елисеев П. Г., Мильвидский М. Г., Свердлов Б. Н., Шевченко Е. Г., Полосковый гетеролазер непрерывного действия на основе четырёхкомпонентного твёрдого раствора GalnPAs, Крат, сообщ. по физике ФИАН, № 8, с. 38−41, (1976).
  13. Kawaguchi Н., Takahei К., Toyoshima Y., Nagai Н., Iwane G., Room-temperature c.w. operation of InP/InGaAsP/InP double heterostructure diode lasers emitting at 1.55 im, Electron. Lett. Y.15, № 21, pp. 669−670 (1979).
  14. Akiba S., Sakai K., Matsushima Y., Yamamoto T., Room temperature c. w, operation of InGaAsP/InP heterostructure lasers emitting at 1.56 pm, Electron. Lett. V.15, № 19, pp. 606+607 (1979).
  15. Arai S., Asada M., Suematsu Y., Itaya Y., Room temperature CW operation of GalnAsP/InP DH laser emitting at 1.51 jim, Japn. J. Appl. Phys., V.17, № 12, pp. 2333+2334, (1979).
  16. Thompson G.H.B., Kirkby P.A., (GaAl)As lasers with a heterostructure for optical confinement and additional heterojunctions for exstreme carrier confinement, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-9, № 2, pp. 311+318, (1973).
  17. Panish M.B., Casey H.C., Jr., Sumski S., Foy P.W., Reduction of threshold current density in GaAs-AlxGaixAs heterostructure lasers by separate optical and carrier confinement, Appl. Phys. Lett., V.22, № 11, pp. 590+591, (1973).
  18. Thompson G.H.B., Kirkby P.A., Low threshold-current density in 5-layer-heterostructure (GaAl)As/GaAs localised-gain-region injection lasers, Electron. Lett., V.9, № 13, pp. 295+296, (1973).
  19. Casey H.C., Jr., Panish M.B., Schlosser W.O., Paoli T.L., GaAs-A^Ga^As heterostructure laser with separate optical and carrier confinement, J. Appl. Phys., V.45, № 1, pp. 322+333, (1974).
  20. Tanbun-Ek T., Temkin H., Chu S.N.G., Logan R.A., Reproducible growth of low-threshold single and multiple quantum well InGaAsP/InP lasers by a novel interlayer growth technique, Appl. Phyh. Lett., V.55, № 9, pp. 819+821 (1989).
  21. Thijs P.J., Tiemeijer L.F., M. Binsma J.J., van Dongen Т., Progress in long-wavelength strained-layer InGaAs (P) quantum-well semiconductor lasers and amplifiers, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-30, № 2, pp. 477−499 (1994).
  22. Garbusov D., Xu L., Forrest S.R., Menna R., Martinelli R., Connolly J.C., 1.5 jim wavelength, SCH-MQW InGaAsP/InP broadened-waveguide laser diodes with low internal loss and high output power, Electron. Lett., V.32, № 18, pp. 1717−1719, (1996).
  23. H., Takano S., Kawaradani M., Kitamura M., Mito I., 1,48-|im highpower InGaAs/InGaAsP MQW LD’s for Er-doped fiber amplifiers, IEEE Photon. Technol. Lett., V.3, № 5, pp. 415−417, (1991).
  24. П.Г., Лавров B.H., Применение инжекционных гетеролазеров в волоконно-оптических системах связи (обзор), Квантовая электроника, Т.7, № 9, сс. 1845−1868, (1980).
  25. InGaAsP Alloy semiconductors, Edited by T.P. Pearsall, New-York, 1982.
  26. .И., Гарбузов Д. З., Нивин А. Б., Овчинников А. В., Тарасов И. С., Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на основе жидкофазной РО InGaAsP ДГС (Х=.35 мкм, Т=300К), ФТП, Т.21, № 5, сс. 456−459, (1987).
  27. А.Т., Колышкин В. И., Тарасов И. С., Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода, ЖТФ, Т.53, №> 10, сс. 1973−1978, (1983).
  28. Collor A., Renner D., Greene P.D., Moule D., Butler В., High power performance of double channel mesa lasers, Physica, V.129B, pp. 455−458, (1985).
  29. A.T., Груздов В. Г., Декальчук A.A., Декальчук Т. В., Ильинская Н. Д., Мокина И. А., Тарасов И. С., Мезаполосковые
  30. GaAsP/InP (A,=1.55 мкм) лазеры непрерывного действия, ЖТФ, Т.55, № 9,сс. 1872+1876, (1985).
  31. Sugimoto M., Suzuki A., Nomura H., Lang R., Mesa substrate burned heterostructure lasers diode fabricated by one-step liquid-phase epitaxy, J. Lightwave Tecnol., V. LT-2, № 4, pp. 496+502 (1984).
  32. Ishikawa H., Imai H., Tanahashy T., Hori K., Takahei K., Y-grooved substrate buried heterostructsure InGaAsP/InP laser emitting at 1.3 jum wavelength, IEEE Transactions on Microwave Theory and Technique, V. MTT-30, № 10, pp. 1692+1699, (1982).
  33. T., Okumura T., 1.3 |um high-power BH laser on p-InP substrates, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-21, № 6, pp. 619+622, (1985).
  34. Clawson A., Mullin D., Elder D., Weider H., J. Crystal Growth, V.64, p. 90, (1983).
  35. Knight D. G., Benyon W., Method for reliable liquid phase epitaxial growth of semi-insulating InP doped with Ti and Zn, J. Crystal Growth, V.102, №½, pp. 249+254, (1990).
  36. Botez D., Effective refractive index and first-order mode cutoff conditions in InGaAsP/InP DH laser structure (A.=1.2−1.6 fim), IEEE J Quant. Electron., V. QE-18, № 5, pp. 865+870, (1982).
  37. И.Э., «Разработка жидкофазной технологии изготовления мощных низкопороговых зарощенных InGaAsP/InP лазеров, Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, Санкт-Петербург, 1993.
  38. Wilt D.P. and Yariv A., A self-consistent staitic model of the double-heterostructure laser, IEEE J Quant. Electron., V. QE-17, № 9, pp. 1941+1949, (1981).
  39. Ohtoshi Т., Yamaguchi К., Nagaoka С., Uda Т., Murayama Y., Chinone N, A Two-dimensional device simulator of semiconductor lasers, Solid-State Electronics, V.30, № 6, pp. 627+638, (1987).
  40. Ueno M., Asada S., Kumashiro S., Two-dimensional numerical analysis of lasing characteristics for self-aligned structure semiconductor lasers, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-26, № 6, pp. 972−981, (1990).
  41. Nappi J., Ovtchimikov A., Asonen H., Savolainen P, Pessa M., Limitations of two-dimensional passive waveguide, model for A,=980 nm Al-free ridge waveguide lasers, Appl. Phys. Lett., V.64, № 17, pp 2703+2705, (1994).
  42. Adams A.R., Band structure engineering for low threshold high efficiency semiconductor lasers, Electron. Lett., V.22, № 2, pp. 249+250 (1986).
  43. Yablonovitch E., Kane E.O., Reduction of the lasing threshold current density by lowering the valence band ejjective mass, J. Lightwave Technol., V. LT-4, № 5, pp.504+506- (1986) — также «Correction», J. Lightwave Technol., V. LT-4, № 6, p. 961,(1986).
  44. Yablonovitch E., Kane E.O., Band structure engineering of semiconductor lasers for aptical communication, J. Lightwave Technol., V. LT-6, № 8, pp. 1292+1299, (1988).
  45. Mattehws J.W., Blakeslee A.E., Defects in epitaxial multilayers, J. Crystal Growth, V.27, pp. 118−125, (1974).
  46. Semiconductors lasers, edited by Eli Kapon, Academic Press, 1999.
  47. Silver M., O’Reilly E.P., Optimization of long wavelength InGaAsP strained quantum-well lasers, IEEE J. Quant. Electron., V. QE-31, № 7, pp. 1193−1200, (1995).
  48. Kasukawa A., Namegaya T., Iwai N., Yamanaka N., Ikegami Y., Tsukiji N., Extremely high power 1.48 ?am GalnAsP/InP GRIN-SCH strained MQW lasers, IEEE Photon. Technol. Lett., V.6, № 1, pp. 4−6, (1994).
  49. Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal M., Lopez J., Botez D., Monis J.A., Zory P., High CW output power and 'wallplug' efficiency Al-free InGaAs/InGaAs/InGaP double quantum well diode lasers, Electron. Lett., V.31, № 14, pp. 1153−1154,1995.
  50. Osinski J.S., Zou Y., Grodzinski P., Mathur R.A., Darkus P.D., Low-threshold-current-density 1.5 jim lasers using compressively strained InGaAsP quantum wells, IEEE Photon. Technol. Lett., V.4, pp. 10−13, (1992).
  51. Hayakawa T., Wada M., Yamanaka F., Asano H., Kuniyasu T., Ohgoh T., Fukunaga T., Effects of broad-waveguide structure in 0.8 ?urn high-power
  52. GaAsP/InGaP/AlGaAs lasers, Appl. Phys. Lett., V.75, № 13, pp. 1839−1841, (1999).
  53. J.K., Mawst L.J., Botez D., Nabiev R.F., Jansen M., Morris J.A., 6.1 W continuous wave front-faset power from Al-free active-region (1=805 nm) diode lasers, Appl. Phys. Lett., V.72, № 1, pp. 4-6, (1998).
  54. Wang J., Smith B., Xie X., Wang X., Burnham G. T., High-efficiency diode lasers at high output power, Appl. Phys. Lett., V.74. № 11, pp. 1525−1527, (1999).
  55. He.X., SrinivasanS., Wilson S., Mitchell C., Patel R, 10.9 W continuous waveoptical power from 100 p, m aperture InGaAs/AlGaAs (915 nm) laser diodes, Electron. Lett., V.34, № 22, pp. 2126−2127, (1998).
  56. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbusov D.Z., Martinelli R.U., Connolly J.C., High-power (>10W) continuous-wave operation from 100-jj.m-aperture 0.97-?im-emitting Al-free diode lasers, Appl. Phys. Lett., V.73, № 9, pp. 1182−1184, (1998).
  57. Nabiev R.F., Vail E.C., Chang-Hasnain C.J., Temperature dependent efficiency and modulation characteristics of Al-free 980-nm laser diodes, IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., V. l, pp. 234+243, (1995).
  58. A.B., Разработка жидкофазной технологии изготовления InGaAsP/InP (1=1.3 мкм) лазерных структур (для ВОЛС) со сверхтонкими активными областями, Диссертация на соискание учёной степени кандидата ф.-м. наук, Ленинград, 1988.
  59. Kuphal Е., Phase diagrams of InGaAsP, InGaAs and InP lattis-matched to (100)inP, J. Crystal Growth, V.67, pp. 441+457, (1984).
  60. Е.Г., Дураев В. П., Козиков C.A., Кригель В. Г., Лабушн О. А., Швейкин В. И., Лазеры на основе InGaAsP/InP с квантово-размерными слоями. Квантовая электроника. Т.22. вьш.2. ее. 105+107, (1995).
  61. Р.Ф., Константинов O.B., Перель В. И., Эфрос А. Л., К электромагнитной теории инжекционного лазера, ФТТ, Т.7, № 5, сс. 1506+1516, (1965).
  62. Adachi S., Physical Properties of 3 5 Semiconductor Compounds, John Wiley & Sons, 1992.
  63. И.С., Гарбузов Д. З., Евтихиев В. П., Овчинников А. В., Соколова З. Н., ЧудиновА.В., Особенноста температурной зависимости порогов в
  64. PO InGaAsP/InP ДГ лазерах (1=1.3 мкм) с тонкой активной областью, ФТП, Т.19, вып.8, сс. 1496−1498, (1985).
  65. Mawst L.J., Bhattacharya A., Nesnidal М., Lopez J., Botez D., Morris J.A., Zory P., High continuous wave output power InGaAsftnGaAsP/InGaP diode lasers: effekt of substrate misorientation, Appl. Phys. Lett, V.67, pp. 2901−2903, (1995).
  66. Osinski J.S., Grodzinski P., Zou Y, Dapkus P. D, Karim Z., Tanguay A.R., Low treshold current 1.5 дт bured heterostructure lasers using strained quaternary quantum wells, IEEE Photon. Technol. Lett., V.4, № 12, pp. 1313−1315, (1992).
  67. Sugiura H., Noguchi Y., Iga R., Yamada Т., Kamada H., Sakai Y, Yasaka H., Straned-layer InGaAs quantum well lasers emitting at 1.5 jim grown by chemical beam epitaxy, Appl. Phys. Lett., V.61, № 3, pp. 318−320, (1992).
  68. Kunii Т., Matsui Y., Katoh I., Kamidjoh Т., Low threshold current and high output power operation for 1.5 jxm GRINSCH strained MQW laser diode, Electron. Lett., V.31, № 4, pp. 282−284, (1995).
  69. Д.З., Овчинников A.B., Пихтин H.A., Соколова З. Н., Тарасов И. С., Халфин В.Б., Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!