Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/ (Al) GaAs при одноосном сжатии

Диссертация: Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/ (Al) GaAs при одноосном сжатии
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

С увеличением температуры темп релаксаций растет, и нагревом образца до температуры 180−200К система может быть переведена в равновесное состояниеш) система имеет «память» о предыдущих возмущениях и релаксационных процессахнагревом образца до температуры 180−200К данная «память» может быть погашена- (¿-у) освещение образца красным светодиодом с энергией фотона 1.9 эВ или лампой накаливания… Читать ещё >

Кинетика двумерного дырочного газа на гетерогранице p-GaAs/ (Al) GaAs при одноосном сжатии (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Гетероструктуры на основе ОаАз/(А1)ОаА
    • 1. 1. Схема образования квантовой ямы на гетерогранице р-(А1)СаА8/СаА
    • 1. 2. Энергетический спектр двумерного дырочного газа в р-СаА8/А1о.5Сао.5А
    • 1. 3. Низкотемпературные транспортные свойства 2Б носителей в одиночных гетероструктурах ОаАз/АЮаАв
    • 1. 4. Магнитотранспортные свойства 20 дырок на гетерогранице СаАз/(А1)ОаА
    • 1. 5. Влияние одноосного напряжения на свойства 2Б дырочного газа в гетероструктурах р-СаА$/(А1)СаА
    • 1. 6. Дефекты и глубокие уровни в гетероструктурах СаАв/АКлаАв, выращенных методом Молекулярно-Лучевой Эпитаксии
      • 1. 6. 1. БХ-центры
      • 1. 6. 2. ЕЬ2-дефект ы
      • 1. 6. 3. Линейные дефекты (дислокации)
        • 1. 6. 3. 1. Дислокации в материалах типа АщВу
        • 1. 6. 3. 2. Энергетический спектр электронных состояний в ядре дислокации в ваАв
        • 1. 6. 3. 3. Дислокации несоответствия в гетероструктурах ОаАз/(А1)ОаА
  • Глава 2. Методика эксперимента
    • 2. 1. Исследуемые образцы
    • 2. 2. Определение ориентации образцов
    • 2. 3. Создание анизотропной деформации
    • 2. 4. Определение компонент тензора деформаций в образце
    • 2. 5. Квантовые осцилляции магнитосопротивления
    • 2. 6. Измерения магнитотранспортных свойств
    • 2. 7. Температурные измерения
    • 2. 7. Воздействие оптическим излучением
  • Глава 3. Долговременные релаксации пьезосопротивления двумерного дырочного газа в гетероструктурах ОаАз/А^Сао.бАз
    • 3. 1. Релаксации пьезосопротивления
      • 3. 1. 1. Эффект памяти о предыдущих возмущениях системы
        • 3. 1. 2. 3. ависимость амплитуды релаксаций от величины давления
      • 3. 1. 3. Зависимость релаксаций пьезосопротивления от температуры
      • 3. 1. 4. Внешние факторы, приводящие к гашению релаксаций
      • 3. 1. 5. Различный характер релаксаций пьезосопротивления для направлений сжатия [110] и [110]
  • ЗЛ.б.Поведение полной концентрации и подвижности 2Б дырок в процессе релаксаций пьезосопротивления
    • 3. 1. 7. «Переключение» знака релаксаций длительным освещением
    • 3. 2. Обсуждение результатов
    • 3. 2. 1. Возможные источники изменения концентрации двумерных дырок в ходе релаксаций пьезосопротивления
    • 3. 2. 2. Компенсация пьезоэлектрического поля
    • 3. 2. 3. Перезарядка оборванных связей в ядрах дислокаций несоответствия
    • 3. 2. 4. Поведение подвижности двумерных дырок в ходе релаксаций пьезосопротивления
  • Глава 4. Влияние одноосного сжатия на транспортные свойства двумерных дырок в гетероструктурах p-Alo.5Gao.5As/GaAs
    • 4. 1. Транспортные и магнитотранспортные свойства двумерных дырок при одноосном сжатии
    • 4. 2. Вклад дырочно-дырочного рассеяния в электрическое сопротивление
    • 4. 3. Расчет параметров модели из экспериментальных данных
    • 4. 4. Отрицательное магнитосопротивление
    • 4. 5. Вклад других механизмов рассеяния в температурную зависимость сопротивления. Температурно зависимые парциальные подвижности. Режим Блоха-Грюнайзена
    • 4. 6. Дырочно-дырочное рассеяние и его поведение при одноосном сжатии
    • 4. 7. Поведение парциальных подвижностей под давлением

Задача о влиянии напряженного состояния решетки на электронную структуру множественных квантовых ям и двумерных (2Б) слоев носителей заряда на гетерограницах композиционных полупроводниковых материалов является одной из фундаментальных проблем физики квантово-размерных систем. Развитие техники молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) привело к возможности создания как отдельных гетеропереходов, так и сложных гетероструктур, композиционный состав которых, уровень и характер легирования, а также геометрические размеры (толщина слоев) могут быть заданы с высокой степенью точности. Обнаружена высокая чувствительность физических свойств таких искусственно созданных квантово-размерных систем к целому ряду задаваемых в процессе роста параметров, таких как композиционный состав образующих гетеропереход полупроводниковых материалов, качественный и количественный состав легирующей примеси, характер легирования, ориентация подложки, толщина слоев. Варьирование вышеперечисленных параметров предоставляет возможность создавать новые структуры с интересными физическими свойствами, находящими также и техническое применение.

Одним из основных факторов, влияющих на свойства гетероперехода, является степень соответствия параметров кристаллических решеток двух полупроводниковых материалов на Гетерогранице. Несоответствие кристаллических решеток приводит к биаксиальным растягивающим или сжимающим напряжениям в слоях. Такие внутренние напряжения, также как и прикладываемые извне, существенным образом смещают уровни размерного квантования двумерных носителей заряда в ямах и значительно влияют на энергетический спектр и кинетические транспортные свойства полупроводниковых материалов. Таким образом исследование воздействия деформации кристаллической решетки на электронные свойства квантово-размерных систем находится в рамках единой фундаментальной проблемы определения электронной структуры и физических свойств этих интересных образований.

В последние годы в связи с появлением технологий, позволяющих напылять эпитаксиальные структуры с точностью до моноатомных слоев и выращивать высококачественные низкоразмерные структуры, необычайно возрос интерес к структурам на основе СаАв/(А1)ОаА8. Причиной этому является то, что ОаА8/(А1)ОаАз имеет ряд значительных преимуществ перед другими полупроводниковыми структурами, главным из которых является то, что при довольно большой разнице ширины запрещенных зон (1.424 эВ у ваАв и 2.168 эВ у А1Аз) ваАв и А1Аз имеют очень близкие значения постоянной решетки (5.6533А и 5.6611А соответственно), а также близкие упругие и термические коэффициенты. Это позволяет избежать значительных напряжений на гетерограницах, что облегчает воспроизводимость параметров приборов и увеличивает срок их службы. Другим немаловажным преимуществом, которое тоже сыграло свою роль, является наличие готовой материальной базыгетер о структуры (А1)СаА8ЛлаА8/(А1)СаА8 уже много лет используются в полупроводниковых лазерах.

Квантовые структуры на основе СаАз/(А1)ОаА8 являются перспективным материалом для создания фотоприемников в инфракрасной (ИК) области спектра. В частности, существуют примеры создания таких устройств на основе множественных квантовых ям из материалов СаА8/(А1)ваА8 п-типа [1−5]. Одним из главных недостатков использования структур п-типа является то, что из-за правил отбора в межзонных переходах нормально падающее излучение не может быть поглощено, что приводит к усложнению конструкции приборов. В материалах же р-типа благодаря смешиванию состояний тяжелых и легких дырок такое поглощение возможно, и уже созданы инфракрасные фотодетекторы на основе множественных квантовых ям СаАз/(А1)СаА8 р-типа [6].

Основным препятствием в использовании гетероструктур р-СаА8/(А1)ваА8 является большая эффективная масса и, следовательно, более низкая подвижность двумерных дырок по сравнению с двумерными электронами. Одноосное напряжение в плоскости двумерного слоя приводит к более сильному смешиванию состояний тяжелых и легких дырок [7, 8] и есть основание предполагать, что применение одноосного напряжения могло бы дать увеличение подвижности двумерных дырок.

К сожалению, во всех известных работах, посвященных влиянию анизотропной деформации на свойства двумерных дырок, [7−11] исследования сводились в основном к изучению поведения спектра носителей и экспериментальные работы были проведены только оптическими методами, в то время как воздействие одноосного напряжения на транспортные свойства двумерного газа оставалось не изученным. Поэтому основной целью данной работы стало исследование влияния одноосного напряжения именно на транспортные свойства двумерных дырок. Для того, чтобы детально изучить влияние анизотропной деформации на подвижности двумерных дырок и, соответственно, на механизмы рассеяния носителей заряда в данных структурах, в работе решаются следующие задачи:

1. детально исследуется поведение сопротивления и магнитосопротивления двумерного дырочного газа на гетерогранице GaAsZAlo.5Gao.5As р-типа при одноосном напряжении сжатия;

2. изучаются зависимости полной и парциальных концентрации двумерных дырок в квантовой яме GaAsZAlo.5Gao.5As от величины одноосного напряжения;

3. проводится исследование влияния анизотропной деформации на температурные зависимости сопротивления и магнитосопротивления гетероструктур GaAsZAlo.5Gao.5As;

4. анализируются экспериментальные данные с целью выявления влияния одноосного напряжения на конкретные механизмы рассеяния носителей заряда в исследуемых системах.

Научная новизна и основные положения, выносимые на защиту.

1. В работе впервые исследовано влияние одноосного давления на транспортные свойства двумерных носителей.

2. Впервые обнаружен эффект долговременных релаксаций пьезосопротивления в гетероструктурах р-[001] СаАз/(А1)СаА8 и определены его основные свойства.

3. Обнаружен целый ряд эффектов, сопутствующих релаксациям пьезосопротивления, а именно, гашение релаксаций пьезосопротивления освещением, разное поведение релаксаций пьезосопротивления для направлений сжатия [110] и [110], переключение знака релаксаций длительным освещением образца.

4. Впервые высказана гипотеза о том, что дислокации могут быть причиной долговременных релаксаций сопротивления.

5. Обнаружено подавление сопротивления, положительного магнитосопротивления и их температурных зависимостей при одноосном давлении сжатия, что свидетельствует, как показал проведенный анализ, о подавлении дырочно-дырочного рассеяния одноосным напряжением сжатия.

6. Впервые в двумерных дырочных системах наблюден режим Блоха-Грюнайзена (р~Т5).

На защиту выносятся следующие положения:

1. Впервые в системе двумерных дырок на гетерогранице ОаА8/(А1)ОаАз транспортные свойства носителей заряда были исследованы при одноосном напряжении.

2. В гетероструктурах р-[001] ОаАз/(А1)ОаА8 при температурах ниже 160°К обнаружен эффект долговременных релаксаций пьезо-сопротивления. Релаксации обладают следующими свойствами: (1) долговременные релаксации наблюдаются как при приложении, так и при снятии давления, при этом величина остаточного пьезосопротивления растет с величиной прилагавшейся нагрузки- (и) с увеличением температуры темп релаксаций растет, и нагревом образца до температуры 180−200К система может быть переведена в равновесное состояниеш) система имеет «память» о предыдущих возмущениях и релаксационных процессахнагревом образца до температуры 180−200К данная «память» может быть погашенаду) полная концентрация 2Т> дырок в яме изменяется в ходе релаксаций пьезосопротивления, полностью коррелируя с поведением сопротивления в процессе релаксацийу) освещение образца красным светодиодом с энергией фотона 1.9 эВ или лампой накаливания приводит к гашению релаксаций- (у1) для направлений одноосного сжатия [110] и [110] изменение сопротивления в процессе релаксации имеет разный знак;

Показано, что релаксации пьезосопротивления могут быть объяснены туннелированием неравновесных носителей из подложки ОаАэ к гетерогранице ОаАз/(А1)ОаА8 под действием пьезоэлектрического поля либо перезарядкой оборванных связей в ядрах дислокаций несоответствия на гетерогранице.

3. Обнаружен эффект переключения знака релаксаций под воздействием длительного освещения: освещение образца лампой накаливания при Т=4.2К переводит систему в новое метастабильное состояние, в котором при одноосном сжатии вдоль [110] образцы демонстрируют релаксации пьезосопротивления, присущие направлению сжатия [110]. Отогревом образца до 180−200К система может быть снова переведена в равновесное состояние. Данный эффект можно объяснить образованием ковалентной связи между находящимися в ядре ос-дислокации друг напротив друга атомами Ав.

4. При гелиевых температурах в системе p-Alo.5Gao.5As/GaAs обнаружено сильное уменьшение при одноосном сжатии как величины положительного магнитосопротивления, так и его температурной зависимости. Анализ в рамках классической изотропной модели двух групп носителей с взаимным трением позволяет сделать вывод, что с увеличением одноосного напряжения дырочно-дырочное рассеяние подавляется. и.

Результаты диссертационной работы докладывались на следующих конференциях, совещаниях, симпозиумах:

1. V. Kravchenko, N. Minina, A. Savin, O.P.Hansen, C.B.Sorensen, W. Kraak «Hole Hole Scattering in p-GaAs/AlGaAs Heterostructures under uniaxial compression» VIII Int. Conf. On HPSP, Thesalonoki, Greece, August 1998, Abstracts.

2. В. Н. Кравченко, Н. Я. Минина, А. М. Савин, О. П. Хансен «анизотропный характер низкотемпературных релаксаций пьезосопротивления и дислокации несоответствия на гетерогранице р-AlGaAs/GaAs», XXXI Совещание по физике низких температур, Москва, 2−3 декабря 1998 г, тезисы докладов, стр. 79.

3. O.P.Hansen, V.N.Kravchenko, N.Ya.Minina, A. Savin Uniaxial stress influence on low temperature hole-hole scattering processes in p-GaAs/AlGaAs heterostructures. -In: 16th General Conference of the Condensed Matter Division, Leaven, Belgium, August 25−27, 1997, Abstract booklet SI, p.83.

4. Е. В. Богданов, К. И. Колоколов, В. Н. Кравченко, Н. Я. Минина, Я. С. Ольсен, А. М. Савин, О. П. Хансен, Влияние сильного электрического поля и света на долговременные релаксации пьезосопротивления в гетероструктурах p-GaAs/A10.5Ga0.5As, 2-ая Российская конференция по физике полупроводников (РКФП 96) 26 февраля-1 марта 1996 г., Зеленогорск (С.-Петербург), Тезисы докладов, том 2, с. 154.

5. Bogdanov E.V., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya., Savin A.M., Hansen O.P., Olsen J.S., Light and electric field influence on resistivity and long-term relaxations of piezoresistivity in p-GaAs/Alo.5Gao.5As hetero structures, in International Conference «Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics», Abstracts, Uzgorod, Ukraine, 1996, p. 12.

6. В. Н. Кравченко, Н. Я. Минина, А. М. Савин, В. Краак, К. Б. Соренсен, О. П. Хансен Влияние одноосного сжатия на энергетический спектр, магнитосопротивление и процессы рассеяния двумерных дырок в гетероструктурах на основе p-GaAs/AlGaAs In: III Всероссийская конференция по физике полупроводников ПОЛУПРОВОДНИКИ'97, Москва, 1−5 декабря 1997, тезисы докладов, стр. 177.

7. Hansen О.Р., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A., Effect of memory in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure piezoresistivity, Joint XV AIRAPT&XXXIII EHPRG International Conference: High Pressure Physics and Technology, Warsaw, Poland, Sept. 1995, Abstracts 65/МоР-Ё1.

8. Bogdanov E., Hansen O.P., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A. Influence of illumination and high-voltage pulse on long-time relaxation of piezoresistivity in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure.-In: Int. School Conf. Physical problems in material science of semiconductors. Abstract booklet. Chernivtsi, Ukraine, 1995, p.75.

9. Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya., Olsen J.S., Savin A.M. High electric field and light illumination influence on long-time relaxation effect in piezoresistivity in p-GaAs/A10.5Ga0.5As heterostructures under uniaxial compression, 2th Int.Conf. Physics of low-dimensional structures. Dubna, Russia, 1995, Abstracts p.55.

10.Hansen O.P., Kravchenko V.N., Olsen J.S., Minina N.Ya., Savin A.M., Long time relaxations in a Be-doped GaAs/AlGaAs under external uniaxial stress, 7th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Jan. 1995, Santa Fe, New Mexico, USA, Abstracts D7.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих статьях:

1. В. Н. Кравченко, Н. Я. Минина, Я. С. Олсен, A.M. Савин, О. П. Хансен «Долговременные релаксации сопротивления двумерного дырочного газа на гетерогранице GaAsM.lo.5Gao.5As, индуцированные одноосным сжатием» Письма в ЖЭТФ, 61(5), стр.417−422 (1995) (Kravchenko V.N., Minina N.Ya., Savin A.M., Olsen J.S., Hansen O.P., Long-term relaxation of the resistance of 2D-hole gas at a GaAs/AlGaAs heterojunction induced by uniaxial compression, JETP Lett., 61, N5, p.424, 1995.).

2. Bogdanov E.V., Hansen O.P., Kolokolov K.I., Kravchenko V.N., Minina N.Ya., Olsen J.S., Savin A.M. «High electric field and light illumination influence on long-time relaxation effect in piezoresistivity in p-GaAs/Al0.5Ga0.5As heterostructures under uniaxial compression» -Phys. Low-Dimensional structures, 1995, v.12, p.181−185.

3. Hansen O.P., Kravchenko V.N., Olsen J.S., Minina N.Ya., Savin A.M., Piezoresistance and long time relaxation effect in a two dimentional hole system at a Be-doped GaAs/AlGaAs heterojunction under uniaxial stress, Proceedings of the 7th International Conference on Narrow Gap Semiconductors, Jan. 8−12 1995, Santa Fe, New Mexico, USA Edited by J.L. Reno, Inst. Phys. Conf. Ser. no 144, 302−306 (1995).

4. Hansen O.P., Kravchenko V., Minina N., Olsen J.S., Savin A., Effect of memory in p-type GaAs/AlGaAs heterostructure piezoresistivity, Proceedings of the Joint XV AIRAPT and XXXIII EHPRG International Conference, Warsaw, Poland, Sept. 1995, in High Pressure Science and Technology, edited by W.A.Trzeciakowski, World Scientific, 1996, p.664−666.

5. V. Kravchenko, N. Minina, A. Savin, O.P.Hansen, C.B.Sorensen, W. Kraak «Positive magnetoresistance and hole-hole scattering in GaAs/Alo.5Gao.5As heterostructures under uniaxial compression», Phys. Rev. B 59(3), 2376−2382 (1999).

6. V. Kravchenko, N. Minina, A. Savin, O.P.Hansen, C.B.Sorensen, W. Kraak «Hole Hole Scattering in p-GaAs/AlGaAs Heterostructures under uniaxial compression», Phys. Stat. Sol. (b), 211, 545−551 (1999).

Основные результаты и выводы.

1) Впервые в системе двумерных дырок на гетерогранице СаА8/(А1)ОаАз транспортные свойства носителей заряда были исследованы при одноосном напряжении.

2) В гетероструктурах р-[001] ОаАв^А^ОаАв при температурах ниже 160°К обнаружен эффект долговременных релаксаций пьезосопротивления. Данные релаксации обладают следующими свойствами:

I) долговременные релаксации наблюдаются как при приложении, так и при снятии давления, при этом величина остаточного пьезосопротивления растет с величиной прилагавшейся нагрузки;

II) с увеличением температуры темп релаксаций растет, и нагревом образца до температуры 180−200К система может быть переведена в равновесное состояниеш) система имеет «память» о предыдущих возмущениях и релаксационных процессахнагревом образца до температуры 180−200К данная «память» может быть погашена- (¿-у) освещение образца красным светодиодом с энергией фотона 1.9 эВ или лампой накаливания приводит к гашению релаксаций как при 4.2К так и при 77Ку) релаксации пьезосопротивления при 77К также могут быть погашены сильным электрическим полем, а при 4.2К электрическое поле выше 200В/см само вызывает переключение образцов в метастабильное высокоомное состояниеу1) для направлений одноосного сжатия [110] и [110] изменение сопротивления в процессе релаксации имеет разный знак- (уп) полная концентрация 2 В дырок в яме изменяется в ходе релаксаций пьезосопротивления, полностью коррелируя с поведением сопротивления в процессе релаксаций;

Предложены модели, в которых релаксации пьезосопротивления могут быть объяснены а) туннелированием неравновесных носителей из подложки ОаАэ к гетерогранице СаА8/(А1)ОаА& под действием пьезоэлектрического поля, б) и /" V и перезарядкой оборванных связей в ядрах дислокации несоответствия на гетерогранице.

3) Обнаружен эффект переключения знака релаксаций под воздействием длительного освещения: освещение образца лампой накаливания при Т=4.2К переводит систему в новое метастабильное состояние, в котором при одноосном сжатии вдоль [110] образцы демонстрируют релаксации пьезосопротивления, присущие направлению сжатия [110]. Отогревом образца до 180−200К система может быть снова переведена в равновесное состояние. Данный эффект можно объяснить образованием ковалентной связи между находящимися в ядре а-дислокации друг напротив друга атомами Аб.

4) При гелиевых температурах в системе p-Alo.5Gao.5As/GaAs обнаружено сильное уменьшение при одноосном сжатии как величины положительного магнитосопротивления, так и его температурной зависимости. Анализ в рамках классической изотропной модели двух групп носителей с взаимным трением позволяет сделать вывод, что с увеличением одноосного напряжения дырочно-дырочное рассеяние подавляется.

5) В исследуемых образцах наблюдено отрицательное магнитосопротивление. Показано, что оно квадратично зависит от магнитного поля и выявлены следующие его свойства: (1) с ростом температуры отрицательное магнитосопротивление уменьшается, (и) величина отрицательного магнитосопротив-ления и его температурная зависимость растут с увеличением давления- (ш) обнаружен анизотропный характер отрицательного магнитосопротивления и его усиление под освещением. Обсуждается связь отрицательного магнитосопротивления с рассеянием на дислокациях несоответствия.

6) Впервые в 2Б дырочной системе наблюден режим Блоха-Грюнайзена (рос Г5), который может быть связан с электрон-фононным рассеянием или рассеянием на упругом поле дислокаций.

В заключении приношу глубокую благодарность моему научному руководителю доктору физико-математических наук, профессору Мининой Наталии Яковлевне за предоставление интересной темы работы, постоянное внимание и практическую помощь, а также профессору Копенгагенского университета доктору Оле Пер Хансену за предоставленные образцы.

Выражаю признательность сотрудникам кафедры квантовой радиофизики Ежову Александру и Музыченко Дмитрию за помощь в определении ориентации исследуемых образцов с помощью атомного силового микроскопа.

Приношу благодарность сотруднику кафедры полупроводников Туркину Андрею за помощь в изучении оптических спектров используемых в настоящей работе источников излучения.

Приношу благодарность сотрудникам кафедры электроники доктору ф.-м. наук профессору Виктору Ивановичу Петрову и кандидату ф.м. наук Михаилу Адольфовичу Степовичу за измерения катодолюминесценции, проведенные на исследуемых образцах.

Выражаю признательность доктору ф.-м. наук Бенеславскому Сергею Дмитриевичу, доктору ф.-м. наук Богданову Евгению Владимировичу и кандидату ф.-м. наук Савину Александру Михайловичу за помощь и ценные замечания при обсуждении настоящей работы.

Приношу также благодарность всему коллективу кафедры физики низких температур физического факультета МГУ, в деловой и дружеской атмосфере которой было приятно работать.

Показать весь текст

Список литературы

  1. B.F.Levine, «Device physics of quantum well infrared photodetectors» Semicond. Sei. Technol., 8, S400-S405 (1993).
  2. B.F.Levine, C.G. Bethea, G. Hasnain, V.O. Shen, E. Pelve, R.R. Abbott, and S.J. Hseih, Appl. Phys. Lett., 56, 851 (1990)
  3. J.Y. Andersson and L. Lundqvist, Appl. Phys. Lett., 59, 857 (1991)
  4. B.K. Janousek et al., J. Appl. Phys., 67, 7608 (1990)
  5. L.J.Kozlowski, G.M.Williams, G.J. Sullivan, C.W. Farley, R.J. Anderson, J.K. Chen, D.T. Cheung, W.E. Tennant and DeWames R.E. IEEE Trans. Electron Devices, 38, 1124 (1991)
  6. B.F.Levine, S.D.Gunapala, J.M.Kuo, S.S.Pei, and S. Hui, «Normal incidence hole intersubband absorption long wavelength GaAs/AlxGaixAs quantum well infrared photodetectors», Appl. Phys. Lett. 59(15), 1864 (1991)
  7. A.Fasolino and M. Altarelli, «Electronic structure of superlattices and quantum wells under uniaxial stress» Two Dimentional System, Heterostructure and Superlattice, edited by G. Bauer, (Springer, Berlin, 1984) p.176.
  8. J.Lee and M.O.Vassell, «Effect of uniaxial stress on hole subband in semiconductor quantum wells», Phys.Rev.B, 37, p.8855 (1988)
  9. C.Mailhiot, D.L.Smith, «Effect of compressive uniaxial stress on the electronic structure of GaAs-AlGaAs quantum wells» Phys.Rev.B, v.36, p.2942 (1987)
  10. P. Lefebvre, B. Gil and H. Mathieu, «Piezospectroscopy of GaAs-AlAs superlattices», Phys.Rev.B, 40, p.7802 (1989)
  11. K. Zitouni et al., High Pressure Research, vol.9, p.93 (1992)
  12. Sadao Adachi, «GaAs, AlAs and AlGaAs material parameters for use in research and device applications», J.Appl.Phys., 58(3), R1 (1985)
  13. F.J.Ohkawa and Y. Uemura, Prog. Theor. Phys., Suppl.57, 164 (1975)
  14. E.Bangert and G. Landwehr, Surf.Sci. 58, 138 (1976)
  15. H.L.Stormer, Z.L.Schlesinger, A. Chang, D.C.Tsui, A.C.Gossard and W. Wiegmann «Energy Structure and Quatized Hall Effect of Two-Dimensional Holes» Phys.Rev.Lett. 51, p.126 (1983)
  16. J.P. Eisenstein, H.L. Stoormer, V. Narajanamurti, A.C. Gossard, W. Wiegmann, «Effect of Inversion Symmetry on the Band Structure of Semiconductor Heterostructures» Phys.Rev.Letters 53, 2579 (1984)
  17. E.E. Mendez, «Two-dimensional holes at high magnetic fields» Surface Sci. 170, 561 (1986).
  18. U.Ekenberg and M. Altarelly, «Subbands and Landau levels in the two-dimensional hole gas at the GaAs-AlGaAs interface» Phys.Rev.B 32, 3712 (1985).
  19. Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн, «Электронные свойства двумерных систем», М. Мир 1982 (T.Ando, A. Fowler, F. Stern, Electronic properties of two-dimensional systems, Review of Modern Physics, Vol.54, No.2, 1982)
  20. W.Walukiewicz, H.E.Ruda, J. Lagowski, H.C. Gatos, «Electron mobility in modulation doped heterostructures» Phys.Rev.B, 30(8) p.4571(1984)
  21. K.Lee, M.S. Shur, T.J.Drummond, H. Morkoc, «Low field mobility of 2-d electron gas in modulation doped AlGaAs/GaAs layers», J.Appl. Phys. 54(11), p.6432 (1983)
  22. Т. Ando, «Self-consistent results for a GaAs/AlGaAs heterojunction. II Low temperature mobility», Journal of the Physical Society of Japan Vol.51, No. 12, p.3900−3907(1982)
  23. Y.Marcus, U. Meirav, H. Shtrikman, and B. Laikhtman «Anisotropic mobility and roughness scattering in a 2D electron gas», Semicond.Sci.Technol., 9, 1297 (1994)
  24. C.A. Kukkonen, P.F.Maldague, Electron-hole scattering and the electrical resistivity of the semimetal TiS2″ Phys. Rev. Letters, 37, 782 (1976)
  25. V.F. Gantmakher and Y.B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors, in Mordern Problems in Condensed Matter Science, vol.19, edited by V.M.Agranovich and A. A. Maradudin, (North-Holland, 1987), p.189
  26. S.S.Murzin, S.I.Dorozhkin, G. Landwehr, A.C.Gossard, Proceedings of 23rd ICPS, Berlin 1996, World Scientific, Volume 3, 2187- JETP Lett. 67, 113 (1998)
  27. O.P.Hansen, J.S.Olsen, W. Kraak, B. Saffian, N.Ya.Minina, and A.M.Savin, «Effect of uniaxial compression on quantum Hall plateaus and Shubnikov-de Haas oscillations in p-type GaAs/AlxGaixAs heterostructures» Phys.Rev.B 54, 1533 (1996).
  28. O.P.Hansen, J.S. Olsen, W. Kraak, B. Saffian, N.Ya.Minina, and A.M.Savin, «Spin splitting in a 2D Hole System under Uniaxial Compression» Phys. Stat. Sol. (b) 198, 295 (1996).
  29. G. Gullot et al., «Behavior of electron irradiation induced defects in GaAs», Phys.Rev.B 41, 5271 (1990)
  30. D.Stieveriard, X. Boddert, J.C. Bourgoin «Irradiation-induced defects in р-GaAs», Phys.Rev.B 34, 4048 (1986)
  31. S.Loulaliche, A.Novailhat., G. Gullot et al. «Electron irradiation effects in p-type GaAs» J. Appl.Phys. 53, 8691−8696 (1982)
  32. I.Toshiaki, T. Masahiko «Origin of the Ev =0.51eV level in GaAs» Jap. J.Appl.Phys. 20, No8, L591−594 (1981)
  33. Langer Jarry «Strong lattice relaxation at localized defects» J.Phys.Soc.Jap. 49, Suppl. A, 207−214 (1980)
  34. Pantelides Sokrates T. et al «Theory of deep impurities and defects in semiconductors» J.Phys.Soc.Jap. 49, Suppl. A, 235−242 (1980)
  35. E. Otsuka et al., «Screening of hot electron energy relaxation in a semiconductor by shallow impurities», Jap. J.Appl.Phys. 20, No. 12, L885-L888 (1981)
  36. E.Minorz, W.L.Snyder, J. Moll et al. «Effect of Arsenic Pressure on Heat Treatment of Liquid Epitaxial GaAs» Appl. Phys. Lett., 16, 262 (1970)
  37. T.Suski, R. Protrzkwski et al, Phys.Rev. B, 40, 4012 (1989)
  38. Umar S. Qurashi, et al «Effects of A1 doping on deep levels in MBE GaAs» J.Appl.Phys. 78(8), 5035 (1995)
  39. Landolt-Bornstein New Series III/22b
  40. T.Uji, T. Suzuki and T. Kamejima «Deep level chargers in (Al, Ga) As double heterostructure lasers degraded during accelerated aging at high temperatures» Appl. Phys. Lett. 36, 655 (1980)
  41. Michal Baj and Tadeusz Suski «Metastable defect states in GaAs and AlGaAs», Proceedings of IV Int. Conf. On HPSP, August, 1990, Chalkidiki, Porto Carras, Greece, p. 10
  42. A.R.Peaker and F. Saleemi «Defect Energy Levels in AlGaAs» in «Properties of Aluminum Gallium Arsenide», edited by S. Adachi (INSPEC, 1992), p.269
  43. P.Trautman and J.M.Baranowski «The symmetry of the EL2 defect in GaAs» Mat.Res.Symp. Proc. Vol.163 p.821 (1990)
  44. M.G.Craford, G.E.Stillman, T.A.Ross and N. Holonyak, Jr., Phys.Rev. 168, 867 (1968)
  45. D.V.Lang and R.A.Logan, Phys. Rev. Lett. 39, 635 (1977)
  46. D V. Lang, R.A.Logan, and M. Jaros, Phys.Rev.B 19, 1015 (1979)
  47. P.M.Mooney «Deep donor levels (DX-centers) in III-V semiconductors» J.Appl.Phys. 67(3) R1 (1990)
  48. Ming-Fu Li «Modern semiconductor quantum physics», World Scientific, Singapore-New Jersey-London-Hong Kong (1994), p.315
  49. T.N.Theis and S.L.Wright, «Origin of „residual“ persistent photoconductivity in selectively doped GaAs/AlGaAs heterojunction», Appl. Phys.Lett. 48(20), 1374, (1986)
  50. M.Scheffler, P. Beeler, O.J.Jepsen, O. Gunnarsson, O.K.Andersen,
  51. C.Y.Chang and Francis Kai, «GaAs high-speed devices. Physics, technology and circuit applications» (John Wiley & Sons, Inc., New York-Chichester-Brisbane-Toronto-Singapore 1994) p.43
  52. W.R.Runyan and T.J. Shaffner «Semiconductor Measurements and Instrumentation» Second Edition, McGraw-Hill, New York (1997)
  53. P.M.Petroff, L.C.Kimerling «Dislocation climb model in compound semiconductors with zinc blende structure» Appl.Phys.Lett. 29, 461 463 (1976)
  54. M.S.Abrahams and L. Ekstrom, «Dislocations and brittle fracture in elemental and compound semiconductors», Acta Metallurgica, Vol. 8, 654 (1960)
  55. J.Venables and R.M.Broudy «Dislocations and Selective Etch Pits in InSb» J. Appl. Phys., 29, 1025 (1958)
  56. M.S.Abrahams and C.J.Buiocchi, «Dislocations and Precipitates in GaAs Injection Lasers», J. Appl. Phys., 37, 1973 (1966)
  57. A.G.Milnes and D.L.Feucht «Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions» (Academic Press, New York and London 1972) pp.94−98, 227−228
  58. P.Haasen «On the Plasticity of Germanium and Indium Antimonide», Acta Metallurgica, Vol.5, 598 (1957)
  59. D.Cherns «Lattice Dislocations in AlGaAs/GaAs heterostructures» in «Properties of Aluminum Gallium Arsenide», edited by S. Adachi (INSPEC, 1992), p.10
  60. M.S.Abrahams, J. Blanc, and C.J.Buiocchi «Like-sign asymmetric dislocations in zinc-blende structure» Appl.Phys.Lett., Vol.21, No.5, p.185 (1972)
  61. H.C. Gatos, M.C. Finn, and M.C. Lavine «Antimony Edge Dislocations in InSb», J. Appl. Phys., 32, 1174 (1961)
  62. Harry C. Gatos and Mary C. Lavine «Characteristics of the {111} Surfaces of the III-V Intermetallic Compounds», J. Electrochem. Soc., vol.107, 427 (1960)
  63. Harry C. Gatos and Mary C. Lavine «Etching Behavior of the {110} and {100} Surfaces of InSb», J. Electrochem. Soc., vol.107, 433 (1960)
  64. W. Shockley, Phys.Rev., 91, p.228 (1953)
  65. Z.C.Huang, C.R.Wie, D. Jounstone, C.E.Stutz, and K.R.Evans «Energy and depth distributions of interface states and bulk traps andtheir electronic effects in GalnAs/GaAs heterojunctions» Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.240, p.633, (1992)
  66. W.T. Read,"Theory of dislocations in Germanium" Phil. Mag. Vol.45(367), 775 (1954)
  67. Y.Ashizawa, S. Akbar, WJ. Schaff, L.F.Eastman, E.A.Fitzgerald, and D.G.Ast, «Influence of lattice misfit on heterojunction bipolar transistors with lattice-mismatched InGaAs bases» J.Appl. Phys. 64, p.4065 (1988)
  68. P.E.Batson, K.L.Kavanagh, J.M.Woodall, and J.W.Mayer «Electron-Energy-Loss Scattering near a Single Misfit Dislocation at the GaAs/GalnAs Interface» Phys Rev. Lett. 57(21), 2729 (1986)
  69. J.W. Matthews and A.E. Blakeslee «Defects in epitaxial multilayers. I. Misfit dislocations» Journal of Crystal Growth, 27, 118−125 (1974)
  70. T.Schweizer, K. Kohler, W. Rothemund, P. Ganser «Highly anisotropic electron mobilities of GaAs/InGaAs/AlGaAs inverted high electron mobility transistor structures» Appl. Phys. Lett., 59(21), 2736 (1991)
  71. T.Schweizer, K. Kohler, P. Ganser, P. Hiesinger, and W. Rothemund, «Differences in the growth mechanism of InGaAs on GaAs studied by the electrical properties of AlGaAs/InGaAs heterostructures», Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol.263, 323, (1992)
  72. B.C.Cooman, C.B.Carter, Kam Toi Chan and J.R.Shealy «The characterization of misfit dislocations at {100} heterojunctions in III-V compound semiconductors» Acta metall., Vol.37, pp.27 792 793 (1989)
  73. B.C.Cooman and C.B.Carter «The accomodation of misfit at {100} heterojunctions in III-V compound semiconductors by gliding dissociated dislocations» Acta metall., Vol.37, pp.2765−2777 (1989)
  74. E.A.Fitzgerald, G.P.Watson, R.E.Proano, D.G.Ast, P.D.Kirchner, G.D.Pettit, and J.M.Woodall «Nucleation mechanisms and the elimination of misfit dislocations at mismatched interfaces by reduction in growth area» J.Appl. Phys. 65, p.2220 (1989)
  75. E.A.Fitzgerald, D.G.Ast, Y. Ashizawa, S. Akbar, and L.F. Eastman «Dislocation structure, formation, and minority-carrier recombination in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors» J.Appl. Phys. 64, p.2473 (1988)
  76. V.Krishnamoorthy, P. Ribas, and R.M.Park «Strain relief study concerning the InGaAs/GaAs (0.07
  77. B.J.Ohlsson, M.S.Miller, M.E.Pistol «Anisotropic GaAs island phase grown on flat GaP: spontaneously formed quantum wire array» http://xxx.lanl.gov/cond-mat/9 710 084 (February 1998)
  78. A.Y. Lew, S.L. Zuo, E.T. Yu, R.H. Miles «Anisotropy in atomic-scale interface structure and mobility in InAs/GalnSb superlattices» Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.448, p. 147 (1997)
  79. Istwan Daruka and Albert-Laszlo Barabasi «Dislocation Free Island Formation in Heteroepitaxial Growth: An Equilibrium Study» http://xxx.lanl.gov/cond-mat/9 710 070 (January 1998)
  80. K.Rammonan, D.H.Rich, and A. Larsson, «Temperature dependence of catodoluminescence from InGaAs/GaAs multiple quantum wells», Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.379, 115 (1995)
  81. T.G. Anderson, Z.G. Chen, V.D. Kulakovskii, A. Uddin, and J.T. Vallin «Variation of the critical layer thickness with In content in strained InxGai-xAs-GaAs quantum wells grown by molecular beam epitaxy» Appl. Phys. Lett. 51, p.752−754 (1987)
  82. C.H.Henry, P.M.Petroff, R.A.Logan, F.R.Merritt «Catastrophic damage of AlGaAs double-heterostructure laser material» J.Appl.Phys. 50, 3721−3732 (1979)
  83. P.W.Hutchinson, P. S. Dobson, S. O'Hara, D.H.Newman «Defect structure of degraded heterojunction GaALAs-GaAs lasers» Appl.Phys.Lett. 26, 250−252 (1975)
  84. S.O'Hara, P.W.Htchinson, P. S.Dobson «The origin of dislocation climb during laser operation» Appl.Phys.Lett. 30, 368−371 (1977)
  85. H.Yonezu, K. Endo, T. Kamejima, T. Torikai, T. Yuasa, T. Furuse «Mirror degradation in AlGaAs double-heterostructure lasers» J.Appl.Lett. 50, 51 510−5157 (1979)
  86. R.W.Dixon, R.L.Hartman «Accelerated aging and a uniform mode of degradation in (Al, Ga) As double-heterostructure lasers» J.Appl.Phys. 48, 3225−3229 (1977)
  87. M.J.Robertson, B. Walkefield, P. Hutchinson, «Strain-related degradation phenomena in long-lived GaAlAs stripe lasers», J.Appl.Phys. 52, 4462−4466 (1981)
  88. E.A.Fitzgerald, Y. Ashizawa, L.F.Eastman, D.G.Ast «The identification of dark-line defects in AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures», J.Appl.Phys.63, 4925 (1988)
  89. D.J.Olego, K. Shahzad, J. Petruzzelo, D. Cammack «Depth profiling of elastic strains in lattice-mismatched semiconductor heterostructures and strained-layer superlattices», Phys.Rev.B, 36, 7674 (1987)
  90. A. Rockett, C.J. Kiely «Energetic of misfit- and threading-dislocation arrays in heteroepitaxial films», Phys.Rev.B 44, 1154 (1991)
  91. K. Cholevas, N. Liosatos, A.E. Romanov, M. Zaiser, E.C. Aifantis «Misfit dislocation partening in thin films», Phys.Stat.Sol. (b) 209, 295 (1998)
  92. D.Cherns, D. Loretto, N. Chand, D. Bahnck and J.M.Gibson «Interdiffusion-assisted dislocation migration in GaAs/GaAlAs layers on Si (OOl)» Philos. Mag. A, vol.63(6), 1335−1344 (1991)
  93. R.S.Goldsman, K. Rammohan, A. Raisanen, M. Goorsky, L.J.Brillson, D.H.Rich, H.H. Wieder, and K.L.Kavanagh, «Anisotropic structural and electronic properties of InGaAs/GaAs heterojunctions», Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.340, 349 (1994)
  94. Jianhui Chen, J.M. Fernandez, and H.H. Wieder «Anisotropic electron mobility of two-dimensional-electron-gas in modulation doped InxGai-xAs/InyAli-yAs heterostructures» Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.263, p.377 (1992)
  95. P. Ramvall, N. Carlsson, P. Omling, L. Samuelson, W. Seifert «Large negative magnetoresistance introduced by line dislocations in a modulation doped GalnAs/InP quantum well» Superlattices and Microstructures, Vol.21, No.2, 231 (1997)
  96. J.C.P.Chang, B.K.Kad, S.R. Nutt, K.L. Kavanagh «Anisotropic surface roughness in strain relaxed InGaAs on GaAs with a step-graded InGaAs buffer layer» Mat.Res.Soc.Symp.Proc. Vol.312, p.107 (1993)
  97. Y.J.Li, M. Tsuchiya, P.M.Petroff «Electron beam irradiation enhancement of Al-Ga interdiffusion at GaAs/AlGaAs quantum well interfaces» Appl.Phys.Lett.57, 472 (1990)
  98. R.Bonnet and M. Loubradou «Atomic positions around misfit dislocations on a planar heterointerface» Phys. Rev. B, 49(20), p. 14 397 (1994)
  99. R.Bonnet «Elasticity theory of straight dislocations in a multylayer», Phys. Rev. B. 53(16), 10 978 (1996)
  100. A.S.Nandedkar, S. Sharan and J. Narayan «Atomic structure of dislocations and interfaces in semiconductor heterostructures» Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.159, 121 (1990)
  101. R.W.Nunes, J. Benneto, and D. Vaderbilt «Core reconstruction of the 90° partial dislocation in non-polar semiconductors», http://xxx.lanl.gov/cond-mat/9 806 274 (1998)
  102. С.Г. Петросян, А. Я. Шик, «Контактные явления в низкоразмерном электронном газе», ЖЭТФ, 96, стр. 2229 (1989)
  103. С.Г. Петросян, А. Я. Шик, «Контактные явления в двумерном электронном газе», ФТП, 23, стр. 1113 (1989)
  104. R.L.Williams «GaAs Processing Techniques» Artech House Inc. (1985)
  105. B.A. Кульбачинский «Изменение энергетического спектра у висмута и сплавов висмут-сурьма при сильных деформациях типа одноосного сжатия и растяжения» Канд. Дисс., М., МГУ, 1978
  106. А.Э. Юнович «Механизмы излучательной рекомбинации, обусловленные примесями в полупроводниковых соединениях AIIIBV и AIVBVI» диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук. Москва, МГУ, 1988.
  107. К.Г.Золина, В. Е. Кудряшов, А. Н. Туркин, А. Э. Юнович, «Спектр электролюминесценции светодиодов на основе InGaN/AlGaN гетероструктур с квантовыми ямами», ФТП, том 31, № 9, стр. 1055 (1997)
  108. M.J.Chou, D.C.Tsui, G. Weimann, «Negative photoconductivity of two-dimensional holes in GaAs/AlGaAs heterojunctions», Appl. Phys.Lett. 47(6), 609,(1985)
  109. H.J. Queisser and D.E. Theodorou, «Decay kinetics of persistent photoconductivity in semiconductors», Phys. Rev. В 33(6), 4027 (1986)
  110. M.K. Шейнкман, А. Я. Шик, «Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках» ФТП, том 10, вып.2, с. 209 (1976)
  111. П.В.Шаравский, ЖЭТФ, 4, стр. 156 (1934)
  112. A. Dargys, N. Zurauskiene and К. Berulis «Hole tunneling from beryllium acceptors in GaAs», J. Phys.: Condens. Matter, 9, L557-L559 (1997)
  113. O.P.Hansen, J. Szatkowski, E. Placzek-Popko, K. Sieranski, «Deep electron traps in GaAs/p-AlGaAs heterostructure» Cryst.Res.Technol. 31, 313 (1996)
  114. W. Walukiewicz «Carrier transport in artificially structured two-dimensional semiconductor systems» in «Semiconductor Interfaces and Microstructures» edited by Zhe Chuan Feng, («World Scientific» Singapore, New Jersey, London, Hong Kong, 1992) p. l
  115. E.E. Mendez and W.I. Wang «Temperature dependence of hole mobility in GaAs-Gai-xAlxAs heterojunctions» Appl. Phys. Lett. 46, 1159 (1985)
  116. V.F. Gantmakher and Y.B. Levinson, Carrier Scattering in Metals and Semiconductors, in Modern Problems in Condensed Matter Science, vol.19, edited by V.M.Agranovich and A.A. Maradudin, (North-Holland, 1987), p. 189
  117. S. Kawaji, H. Shigeno, J. Yoshino, H. Sakaki «Anomalous magnetoresistance in perpendicular magnetic fields observed in high mobility GaAs/AlGaAs interfaces», Journal of the Physical Society of Japan, Vol. 54, No.10, pp.3880−3884 (1985)
  118. M.A.Paalanen, D.C.Tsui, J.C.M.Hwang «Parabolic magnetoresistance from the interaction effect in a two-dimensional electron gas» Phys. Rev. Lett. v.51(24), p.2226 (1983)
  119. А. де Виссер, В. И. Кадушкин, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин,
  120. В.M.Скороходов, Е. Л. Шангина «Особенности рассеяния электронов в системе множественных квантовых ям GaAs/AlGaAs с 5-легированием» ЖЭТФ, том 105, вьт.6, стр 1701−1713 (1994)
  121. R.Taboryski and P.E.Lindelof «Weak localisation and electron-electron interaction in modulation-doped GaAs/AlGaAs heterostructures» Semicond.Sci.Technol. 5, 933−948 (1990)
  122. H.L.Stormer, L.N.Pfeiffer, K.W.Baldwin, and K.W.West, Phys.Rev. В 41, 1278 (1990)
  123. T.Ando, J.Phys.Soc.Jap., 54, 1528 (1985)
  124. J.Appel, A.W.Overhauser, «Cyclotron resonance in two interacting electron systems with application to Si inversion layer» Phys. Rev. B, 18, 758 (1978)
  125. E.N.Adams, T.D. Holstein, «Quantum theory of transverse galvanomagnetic phenomena», J. Phys. Chem. Solids, 10(4), p.254−276 (1959)
  126. A.H. Туркин, «Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах на основе InGaN/AlGaN/GaN с одиночными квантовыми ямами», диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, МГУ, Москва, 1998.
  127. G.Muller, P. Streda, D. Weiss, К. von Klitzing, G. Weimann «Giant magnetoresistance in lateral surface superlattices» Phys.Rev.B, 50(12), 8938 (1994).
  128. Н.Б.Брандт, Н. Я. Минина, М. Ю. Лавренюк, A.M. Савин «Способ испытания образцов монокристаллов в условиях одноосного сжатия» Авторское свидетельство СССР № 1 259 138, kji. G01№ 3/08, 1985
  129. M. Ю. Лавренюк «Валентная зона при сильных анизотропных деформациях и деформационные потенциалы у висмута и сплавов висмут-сурьма», диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, МГУ, Москва, 1983
  130. H.Qiang, Fred H. Pollak, R.N. Sacks, «Piezospectroscopy of a GaAs/AlGaAs single quantum well structure: piezoelectric effects», Solid State Communications, Vol.84, Nos. ½, pp. 51−55 (1992)
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!