Помощь в написании студенческих работ
Антистрессовый сервис

Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn

Диссертация: Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn
ДиссертацияПомощь в написанииУзнать стоимостьмоей работы

Для достижения данных целей были поставлены и решены следующие задачи: исследование особенностей оксидирования тонких пленок железа, никеля, индия и олова в потоке кислорода при термическом нагреверазработка методики магнетронного нанесения тонкопленочных структур Fe-Ni и In-Sn с использованием составной мишени на подложку из монокристаллического кремнияисследование кинетики формирования… Читать ещё >

Синтез и свойства тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn (реферат, курсовая, диплом, контрольная)

Содержание

  • Глава 1. Свойства и способы получения тонкопленочных гетероструктур на основе Fe, Ni, In, Sn, и их оксидов
    • 1. 1. Основные физико-химические свойства железа, никеля, индия и олова
    • 1. 2. Окисление металлов и сплавов. Законы роста оксидных пленок
    • 1. 3. Особенности оксидирования железа, никеля, индия и олова
    • 1. 4. Взаимодействия в системах Fe-Ni-О и In-Sn-О
    • 1. 5. Тонкие пленки. Синтез, свойства и структура тонких пленок
  • Глава 2. Основные экспериментальные методики
    • 2. 1. Магнетронный способ осаждения пленок
    • 2. 2. Методика приготовления составной мишени
    • 2. 3. Оксидирование тонких пленок в печи резистивного нагрева
    • 2. 4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода
    • 2. 5. Характеристика эллипсометрического метода
    • 2. 6. Установка для окисления с автоматической эллипсометрией
    • 2. 7. Методики исследования состава и структуры пленок
    • 2. 8. Расчет спектров оптического поглощения и энергии оптических переходов
  • Глава 3. Оксидирование тонких пленок железа, никеля, индия и олова
    • 3. 1. Термическое оксидирование тонких пленок железа в потоке кислорода при атмосферном давлении
    • 3. 2. Особенности оксидирования тонких пленок никеля
    • 3. 3. Оксидирование тонкопленочного индия в установке автоматической эллипсометрии
    • 3. 4. Особенности оксидирования тонких пленок олова
  • Глава 4. Оксидирование тонкопленочных твердых растворов железа с никелем
    • 4. 1. Кинетика оксидирование тонких пленок Fe-N
    • 4. 2. Фазовый состав окисленных пленок Fe-N
    • 4. 3. Аномальные свойства железо-никелевых пленок
    • 4. 4. Физико-химическая модель возникновения особых свойств тонких пленок твердых растворов железо-никель
  • Глава 5. Оксидирование тонкопленочных гетероструктур, содержащих индий и олово
    • 5. 1. Исследование термического оксидирования тонкопленочных структур In/Sn и Sn/In при атмосферном давлении в потоке кислорода
    • 5. 2. Изучение влияния вакуумного отжига на формирование тонких пленок, содержащих индий, олово и их оксиды
    • 5. 3. Эволюция фазового состава окисленных пленок In-Sn
    • 5. 4. Особенности оптических свойств сформированных ITO-структур

Железо и никель являются одними из основных конструкционных материалов, и знание механизма их оксидирования дает возможность управления коррозионными свойствами тонких металлических пленок за счет введения малых добавок второго металла. Сложные оксиды на основе индия и олова обладают высокой проводимостью и прозрачностью, механической твердостью и химической инертностью, благодаря чему находят широкое применение в онтоэлектронных и фотогальванических устройствах, планарных дисплеях, солнечных элементах и биологических системах, используются как плоско-панельные дисплеи, термозащиты и электроды. Данные о механизме формирования этих структур позволяют установить корреляцию между методом получения и оптическими и электрическими свойствами пленок.

Актуальность темы

диссертационной работы обусловлена возможностью получения веществ с заранее заданными свойствами благодаря установлению корреляции между условиями синтеза, структурой и свойствами соединений, что является одной из важнейших задач современной химии. В данной работе в качестве объекта исследования выбраны тонконленочные гетероструктуры на основе Fe, Ni, In, Sn. Актуальность данного выбора определяется повышенным интересом к композитным материалам, в том числе и тонкопленочным, как со стороны фундаментальной науки, так и с точки зрения современной планарной технологии. В современной химии твердого тела особое место занимают исследования бинарных разбавленных тонкопленочных твердых растворы на основе металлов.

Исследование процесса оксидирования полупроводников и металлов интенсивно изучается в последнее время из-за высокой востребованности и актуальности применения таких оксидов. Тонкопленочные оксиды металлов и полупроводников широко используются в таких перспективных областях, как микрои наноэлектроникатонкие слои являются основой любой современной технологии в производстве интегральных схем. Однако, не смотря на значительный интерес к данным объектам, до сих пор остается ряд невыясненных вопросов. Не всегда ясно, каков механизм реального процесса, и какой поток частиц определяет формирование оксида. Особенность тонкопленочного состояния практически во всех известных случаях коренным образом изменяет характеристики процесса.

Использование материалов в тонкопленочном состоянии позволяет получать однородные по составу образцы, существенно сократить время, затрачиваемое на их получение и существенно варьировать их физические и химические свойства при сравнительно небольших изменениях состава. Металлические пленки, напыленные на кремний магнетронным методом, характеризуются достаточной степенью чистоты, а также в этом случае снимаются все вопросы, связанные с качеством поверхности образца.

Целью данной работы является синтез гетероструктур, содержащих Fe, Ni, In, Snисследование формирования оксидных слоев на данных пленкахизучение гетерофазных взаимодействий в структурах на основе индия, олова и их оксидовисследование физико-химических свойств формируемых пленок и установление корреляции между условиями их синтеза, структурой и свойствами.

Для достижения данных целей были поставлены и решены следующие задачи: исследование особенностей оксидирования тонких пленок железа, никеля, индия и олова в потоке кислорода при термическом нагреверазработка методики магнетронного нанесения тонкопленочных структур Fe-Ni и In-Sn с использованием составной мишени на подложку из монокристаллического кремнияисследование кинетики формирования, фазового состава и физико-химических свойств оксидных слоев на поверхности тонких пленок железо-никель при различном содержании компонентовизучение взаимодействий в структурах на основе индия, олова и их оксидов при термообработке в атмосфере кислорода и в вакуумеисследование зависимости физико-химических свойств сформированных пленок от условий их синтеза.

В данной работе впервые исследован процесс формирования оксидных слоев на поверхности поликристаллических пленок состава железо-никель и индий-олово на подложках из монокристаллического кремния при термооксидированииустановлена область концентраций пленок железо-никель, в которых данные твердые растворы проявляют «аномальные» свойства, заключающиеся в существовании локальных экстремумов на зависимостях состав-свойство, а также установлена корреляция между условиями синтеза тонких пленок индий-олово, структурой и их физико-химическими свойствами.

выводы.

1. Определены оптимальные условия формирования пленок Fe-Ni и In-Sn, полученных на подложках монокристаллического кремния с использованием методики магнетронного напыления на постоянном токе, характеризующихся высокой степенью однородности и не требующие дополнительного гомогенизирующего отжига.

2. В области концентрации Fe — 99,35- Ni — 0,65 ат.% обнаружены локальные экстремумы на зависимостях состав-свойство, которые могут быть объяснены взаимодействием атомов примеси с собственными точечными дефектами и формированием малочастичных кластеров.

3. Выявлена зависимость между свойствами и структурой пленок, содержащих индий, олово и их оксиды, и параметрами синтеза данных гетероструктур, которая проявляется в изменении механизма формирования всей гетероструктуры в целом вследствие варьирования конфигурации межфазных границ.

4. Показано, что при температуре оксидирования 723 К в пленке состава In — 92,83- Sn — 7,17 ат.% начинают образовываться ITO-структуры в результате взаимодействия двух металлов, напыленных магнетронным способом на монокристаллический кремний при их совместном отжиге в потоке кислорода. Установлен механизм данного процесса, заключающийся в замещении атомов индия атомами олова в узлах кристаллической решетки 1п20з кубической модификации.

5. Методами адсорбционной спектроскопии в области края собственного поглощения установлено существование прямых разрешенных переходов с энергией, характерной для ITO-структур, что наряду с рентгеноструктурным анализом и данными электронной микроскопии подтверждает предложенный механизм их формирования.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

.

На основании полученных в работе результатов разработана методика магнетронного напыления с использованием высокоэнергетичных ионов аргона, которая позволяет из составной мишени получать поликристаллические пленки железо-никель и индий-олово заданного состава, характеризующиеся высокой степенью однородности и не требующие дополнительного гомогонезирующего отжига. На зависимостях состав-свойство для тонких пленок разбавленных твердых растворов Fe-Ni обнаружены локальные экстремумы, которые связаны с взаимодействием атомов примеси с собственными точечными дефектами кристалла и формированием малочастичных кластеров.

В результате данной работы установлено, что физико-химические свойства тонких пленок на основе индия, олова и их оксидов определяются условиями синтеза: конфигурацией межфазных границ, длительностью и температурой отжига структур. Таким образом, изменяя параметры получения пленок, можно управлять их составом, структурой и свойствами. Обнаружено, что в результате совместного взаимодействия индия и олова (In — 92,83- Sn — 7,17 ат.%), напыленных магнетронным способом на монокристаллический кремний, с кислородом при их совместном отжиге при 723 К, образуются тонкопленочные ITO-структуры. Выяснен механизм данного процесса, заключающийся в замещении атомов индия атомами олова в узлах кристаллической решетки 1п20з кубической модификации. Проведенный в данной работе анализ результатов исследования оптических свойств синтезированых пленок показал высокий уровень совпадения с литературными данными для оптических свойств ITO-структур, что подтверждает сделанные нами ранее выводы о механизме формирования ITO-структур.

Показать весь текст

Список литературы

  1. Я.А. Общая и неорганическая химия / Я. А. Угай. — Москва: Высшая школа, 1997. — 527 с.
  2. H.JI. Общая химия / Н. Л. Глинка. Ленинград: Химия, 1982. — 720 с.
  3. .Д. Неорганическая химия / Б. Д. Степин, А. А. Цветков. -Москва: Высшая школа, 1994. 608 с.
  4. И.И. Никель и его сплавы / И. И. Корнилов. Москва: Издательство академии наук СССР, 1958. — 340 с.
  5. Дж. Элементы / Дж. Эмсли. Москва: Мир, 1993. — 256 с.
  6. Ю.Д. Химия и технология твердофазных материалов / Ю. Д. Третьяков, Х. А. Лепис. Москва: Изд-во Моск. Ун-та, 1985. — 256 с.
  7. Ф.М. Кобальт и никель / Ф. М. Перельман, А. Я. Зворыкин. Москва: Наука, 1975.-215 с.
  8. В.В. Химия / В. В. Фролов. Москва: Наука, 1975. — С. 402 412.
  9. Р. Неорганическая химия: в 2-х т. / Р. Рипан, И. Четяну- перевод с румынского И. Б. Берсукера, Н.И. Беличука- под ред. В. И. Спицына, И. Д. Колли. Москва: Мир, 1971.-Т. 1.-560 с.
  10. Е.П. Начальная стадия окисления металлов в модели решеточного газа / Е. П. Гусев, А. П. Попов // Поверхность. 1991. — № 2. — С. 33−46.
  11. О. Окисление металлов и сплавов / О. Кубашевский, Б.Гопкинс. Москва: Металлургия, 1965. — 428 с.
  12. Кинетика взаимодействия кислорода с поверхностью. Образование и рост оксидной фазы на поверхности металла / Девятко Ю. Н. и др. // Поверхность. 1991. — № 10. — С. 128−131.
  13. Кинетика начальной стадии островкового роста оксидной фазы на поверхности металла / Борман В. Д. и др. // Поверхность. 1990. — № 8. — С. 22−30.
  14. В.В. О закономерностях процесса окисления металлов / В. В. Доильницына // Металлы. 1999. — № 5. — С. 27−32.
  15. И.В. Коррозия и защита от коррозии / И. В. Семенова, Г. М. Флорианович, А. В. Хорошилов. Москва: ФИЗМАТЛИТ, 2002. — 336 с.
  16. К. Реакции в твердых телах и на их поверхности: в 2-х т. / К. Хауффе. Москва: ИИЛ. — Т.1,1962. — 416 е.- Т.2, 1963. — 276 с.
  17. В.Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин. Москва: Наука, 1983.-239 с.
  18. П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад. Москва: Мир, 1975.-400 с.
  19. Нестехиометрические соединения / под ред. Л. Манделькорна. -Москва: Химия, 1971. 608 с.
  20. А.А. Физико-химические свойства вюстита и его растворов / А. А. Лыкасов, К. Карел, А. Н. Мень. Свердловск: АН СССР Урал. Науч. Центр, 1987.-226 с.
  21. Рао Ч.Н. Р. Новые направления в химии твердого тела: структура, свойства, реакционная способность и дизайн материалов / Ч.Н. Р. Рао, Дж. Гопалакришнан. Новосибирск: Наука, 1990. — 520 с.
  22. О.М. Структура и свойства металлов и сплавов: справочник / О. М. Барабаш, Ю. Н. Коваль. Киев: Наукова думка, 1986. — 238 с.
  23. Р.П. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. / Р. П. Эллиот. -Москва: Металлургия, 1970. Т.2. — 238 с.
  24. Н.А. Диффузия и окисление полупроводников / Н. А. Колобов, М. М. Самохвалов. Москва: Металлургия, 1975. — 428 с.
  25. Enhahced oxidation of nickel in atomic oxiden / S.A. Pasporov et all. // J. Alloys and Compounds. 1995. — № 1. — P. 5−9.
  26. Inverstigation of oxidation of Ni thin films deposited on glass sudstrates / W. Yonggand et all. // Proc. 17 th. Int. Congr. Glass, Beijing. 1995. — V.4. — P. 85−90.
  27. C.H. Спектральные зависимости оптических констант тонких пленок никеля и его силицидов. Эллипсометрия: теория, методы, приложения / С. Н. Свиташева, В. А. Усова, В. А. Колосанов, Р. А. Соколов Новосибирск: Наука. Сиб. отд., 1991. С. 223−227.
  28. Е.Ф. Исследование механизма формирования дефектов кристаллической решетки в электролитических пленках никеля на меди / Е.Ф. Точицкий//Металлы.- 1998. -№ 1.-С. 116−120.
  29. В.Н. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В. Н. Ховив, Е. Н. Удодова // Труды молодых ученых ВГУ. 2000. -Вып.2.-С. 119−121.
  30. В.Н. Оксидирование тонких пленок твердых растворов медь-никель / В. Н. Ховив, Е. Г. Гончаров, Е. Н. Удодова // Конденсированные среды и межфазные границы.-2001. -Т.З, № 2. С. 161−163.
  31. Оксидирование тонких пленок никеля и твердых растворов медь-никель / В. Н. Ховив и др. // Поверхность. 2002. — № 3. — С. 11−16.
  32. В.Н. Особенности оксидирования тонкопленочного никеля в структуре Ni/Si02/Si / В. Н. Ховив, Е. Г. Гончаров, Н. К. Монакова // Конденсированные среды и межфазные границы. 1999. — Т.1, № 4. — С. 321 323.
  33. .Ф. Структуры неорганических веществ / Б. Ф. Ормонт. -Москва, 1950.-С. 505.
  34. П.И. Индий / П. И. Федоров, Р. Х. Акчурин. Москва, 2000. -С. 20−35.
  35. Физико-химические свойства окислов: справочник / под ред. Г. В. Самсонова. Москва: Металлургия, 1978. — 472 с.
  36. О.М. Кристаллическая структура металлов и сплавов / О. М. Барабали, Ю. М. Коваль. Киев: Наукова Думка, 1986. — С. 526−530.
  37. .П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводности моноокиси олова / Б. П. Крыжаковский, А. Я. Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. — Т. XXXV, № 1. — С. 80−83.
  38. М. Структуры двойных сплавов: в 2-х т. / М. Хансен, К. Андерко- пер. с англ. П. К. Новика и др.- под ред. И. И. Новикова, И. Л. Рогельберга. Москва: Металлургия, 1962. — Т.2. — 609 с.
  39. В.Б. Аналитическая химия олова. Серия: Аналитическая химия элементов / В. Б. Спиваковский. Москва: Наука, 1975. -250 с.
  40. В.Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И.С. Шаплыгин- под ред. Н. М. Жаворонкова. Москва: Наука, 1979. — 168 с.
  41. О. Диаграммы состояния двойных систем на основе железа: справочник/ О. Кубашевски. Москва: Металлургия, 1985. — 184 с.
  42. М.А. Атомная структура и состав монослоев поверхностной области сплава FeNi3 (111) / М. А. Васильев, A.M. Бобырь, С. Д. Городецкий // Поверхность. 1991. — № 11. — С. 52−60.
  43. Effect of substrate temperature on electrical, structural, optical and cathodoluminescent properties ofОз-Бп thin films prepared by spray pyrolysis / A. E1. Hichou et all. // Thin Solid Films. 2004. — V. 458. — P. 263−268.
  44. Brewer S.H. Calculation of the electronic and optical properties of indium tin oxide by density functional theory / S.H. Brewer, S. Franzen II Chemical Physics. 2004. — V. 300. — P. 285−293.
  45. Electrical and optical characteristics of 1TO films by pulsed laser deposition using a 10 wt. % SnCVdoped ln203 ceramic target / S.H. Kim et all. // Thin Solid Films. 2005. — V. 475. — P. 262−266.
  46. В.Г. Тонкие магнитные пленки / В. Г. Казаков // Соросовский образовательный журнал. Физика. 1997. -№ 1. — С. 107−114.
  47. В.Е. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники: в 10-ти т. / В. Е. Минайчев. Москва: Высшая школа, 1989. — Т.6: Нанесение пленок в вакууме. — 110 с.
  48. .С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин, В. К. Сырчин. Москва: Радио и связь, 1982. — 72 с.
  49. М. Тонкие ферромагнитные пленки / М. Праттон. -Ленинград: Судостроение, 1967. 268 с.
  50. А.Н. О механизме образования пленок, получаемых реакционным ионно-плазменным осаждением / А. Н. Пилянкевич, В. Ю. Куликовский, Л.Р. Шагинян//Поверхность.- 1991.-№ 12.-С. 24−28.
  51. Л.С. Механизмы образования и структура конденсированных пленок / Л. С. Палатник, М. Я. Фукс, В. М. Косевич. -Москва: Наука, 1972.-320 с.
  52. П.Г. О роли вакансий в формировании свойств металлов / И. Г. Колбасников // Металлы. 1998. — № 6. — С. 80−90.
  53. Э.П. Кинетика сегрегации примесей на поверхностях раздела в твердых телах / Э. П. Фельдман, В. М. Юрченко // Поверхность. -1990.-№ 12.-С. 138−147.
  54. И.В. Обобщенный коэффициент распределения многокомпонентных сплавов твердых растворов / И. В. Беляев // Металлы. -1998.-№ 2.-С. 106−108.
  55. Ю.Н. Влияние свободной поверхности на распределение точечных дефектов в металле / Ю. Н. Девятко, О. В. Тапинская // Поверхность. 1991.-№ 12.-С. 92−97.
  56. В.И. Эллиисометрия в физико-химических исследованиях / В. И. Пшеницын, М. И. Абаев, Н. Ю. Лызлов. Ленинград: Химия, 1986.-152 с.
  57. И.Н. Решение обратной задачи эллипсометрии для слоя с изменяющимся по толщине комплексным показателем преломления /
  58. И.Н. Назаренко, ДЛ. Дорофеев // Вестник ВГУ, сер. Химия-Биология. -2001.-№ 1.-С. 137−143.
  59. Ю.И. Современные проблемы эллипсометрии / Ю. И. Урывский и др. Новосибирск: Наука, 1980. — 171 с.
  60. Краткий справочник физико-химических величин / сост. Н. М. Барон и др.- под ред. К. П. Мищенко. Москва: Химия, 1995. — 158 с.
  61. Ю.Д. Твердофазные реакции / Ю. Д. Третьяков. -Москва: Химия, 1978. С. 40−41.
  62. Е.Н. Эволюция фазового состава в оксидных пленках железа при термооксидировании / Е.Н. Ветрова// Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. — Т. 5, № 3. — С. 303−305.
  63. Термическое оксидирование тонких пленок железа / Е. Н. Ветрова и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2003. — Т.5, № 2. -С. 221−224.
  64. И.Н. Физико-химическая модель оксидирования полупроводников и металлов: монография / И. Н. Назаренко. Воронеж: Воронеж, гос. технолог, акад., 1997. — 73 с.
  65. С.А., Осипов А. В. Самоорганизация при зарождении многокомпонентных пленок / С. А. Кукушкин, А. В. Осипов // Физика твердого тела. 1995. — Т.37, № 7. — С. 2127−2132.
  66. Особенности свойств тонких пленок разбавленных твердых растворов на основе железа и никеля / Ю. П. Афиногенов и др. // Вестник Воронежского университета. Серия: Химия, биология. 2004. — № 1. — С. 1115.
  67. Тсрмооксидирование тонких пленок твердых растворов системы Fe-Ni / Е. Н. Ветрова и др. // Неорганические материалы. 2004. — Т.40, № 11. С. 1−5.
  68. Т.А. Исследование процессов оксидирования разбавленных тонкопленочных твердых растворов Fe-Ni / Т. А. Мячина, A.M. Ховив // Поверхность. 2005. — № 11. — С. 81 -84.
  69. Т.А. Исследование процессов оксидирования разбавленных тонкопленочных твердых растворов Fe-Ni / Т. А. Мячина // Материалы XI Национальной конференции по росту кристаллов (НКРК-2004), г. Москва. 2004. — С. 399.
  70. Т.А. Оксидирование тонкопленочных разбавленных твердых растворов Fe-Ni / Т. А. Мячина, В. Н. Ховив, Е. Г. Гончаров // Материалы VI Международной конференции «Рост монокристаллов и теиломассоперснос (ICSC-2005)», г. Обнинск. 2005. — С. 287−292.
  71. Влияние вакуумного отжига на фазовый состав 1етероструктур In/SnO/Si и In/SnOi/Si / A.M. Ховив и др. // Неорганические материалы. -2006.-Т. 42,№ 2.-С. 143−146.
  72. Фазовые превращения в тонкопленочных гетероструктурах на основе In, Sn и их оксидов / A.M. Ховив и др. // Материалы VI
  73. Международной конференции «Рост монокристаллов и тепломассоперенос (ICSC-2005)», г. Обнинск. -2005. С. 119−129.
  74. Optical properties of epitaxial Sn-doped indium oxide films / B. Vengalis et all. // Proceedings of the SPIE The International Society for Optical Engineering. — 2001. — V. 4318. — P. 284−289.
  75. Ю.И. Оптические свойства полупроводников / Ю. И. Уханов. Москва: Наука, 1977. — 130 с.
  76. Rozati S.M. Transparent conductive Sn-doped indium oxide thin films deposited by spray pyrolysis technique / S.M. Rozati, T. Ganj // Renewable Energy. 2004. — V. 29, № 10. — P. 1671−1676.
  77. Characterization of indium tin oxide film and practical 1TO film by electron microscopy / T. Nakao et all. // Thin Solid Films. 2000. — V. 370, № 1−2.-P. 155−162.
  78. Qiao Z. Thickness dependence of In203: Sn film growth / Z. Qiao, R. Latz, D. Mergel. // Thin Solid Films. 2004. — V. 466, № 1−2. — P. 250−258.
  79. Investigation of oxygen diffusion in epitaxial In203: Sn films by in situ resistivity measurements / V. Lisauskas et all. // Lithuanian Journal of Physics. -2002.-V. 42, № 1.-P. 47−51.
  80. Chung J.H. Effect of low energy ion beam on optical and electrical characteristics of dual ion beam sputtered Sn02 thin films / J.H. Chung, Y.-S. Choe, D.-S. Kim // Thin Solid Films. 1999. — V. 349. — P. 126−129.
  81. Comparison of the electrical and optical properties for Sn02: Sb films deposited on polyimide and glass substrates / J. Ma ct all. // Applied Surface Science. 2003. — V. 214, № 1−4. — P. 208−213.
  82. Degradation of tin-doped indium-oxide film in hydrogen and argon plasma / R. Banerjee et all. // Journal of Applied Physics. 1987. — V. 62, № 3. -P. 912−916.
  83. Surface modification of indium tin oxide by plasma treatment: an effective method to improve the efficiency, brightness, and reliability of organic light emitting devices / C.C. Wu et all. // Applied Physics Letters. 1997. — V. 70, № 11.-P. 1348−1350.
  84. Fan J.C.C. X-ray photoemission spectroscopy studies of Sn-doped indium-oxide films / J.C.C. Fan, J.B. Goodenough // Journal of Applied Physics. -1977. V. 48, № 8. — P. 3524−3531.
  85. Effects of postannealing in ozone environment on opto-clectrical properties of Sn-doped ln203 thin films / N. Mori et all. // Thin Solid Films. -2002.- V. 411,№ l.-P. 6−11.
  86. Preparation of indium tin oxide films and doped tin oxide films by an ultrasonic spray CVD process / Z. B. Zhou et all. // Applied Surface Science. -2001. V. 172, № 3−4. — P. 245−252.
  87. Electrical and optical properties of thin films consisting of tin-doped indium oxide nanoparticles / J. Ederth et all. // Phys. Rev. 2003. — V. 68, № 155 410.-P. 10.
Заполнить форму текущей работой

Сессия? Спокойно!